JP3242475B2 - 放射線感応性混合物及びレリーフ構造の製造方法 - Google Patents
放射線感応性混合物及びレリーフ構造の製造方法Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 59
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 27
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910005965 SO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims 2
- ZQZJRTREIRRSHH-UHFFFAOYSA-N (4-prop-1-en-2-ylphenyl)methanol Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(CO)C=C1 ZQZJRTREIRRSHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 12
- -1 alkyl vinyl ether Chemical compound 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 5
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 5
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N Dihydropyran Chemical compound C1COC=CC1 BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- NVFDHSAAXWUULH-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-dimethylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C[S+](C)C1=CC=C(O)C=C1 NVFDHSAAXWUULH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNAGHMKIPMKKBB-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpyrrolidine-3-carboxamide Chemical compound C1C(C(=O)N)CCN1CC1=CC=CC=C1 HNAGHMKIPMKKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUHXLHLWASNVDB-UHFFFAOYSA-N 2-(oxan-2-yloxy)oxane Chemical compound O1CCCCC1OC1OCCCC1 HUHXLHLWASNVDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- YPPVLYIFEAESGO-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(methylsulfonyloxy)phenyl] methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(C)(=O)=O)=C1OS(C)(=O)=O YPPVLYIFEAESGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBNCKNCVKJNDBV-UHFFFAOYSA-N butanoic acid ethyl ester Natural products CCCC(=O)OCC OBNCKNCVKJNDBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RKELFBRSWGYKDR-UHFFFAOYSA-N (3-methylsulfonyloxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(C)(=O)=O)=C1 RKELFBRSWGYKDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical class C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXKPBYBXNLVFON-UHFFFAOYSA-N 1-(benzenesulfonylsulfonylmethyl)-4-methoxybenzene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1CS(=O)(=O)S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 XXKPBYBXNLVFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoro-1-phenylpropan-1-one Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(=O)C1=CC=CC=C1 VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical group [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004200 2-methoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YOWQWFMSQCOSBA-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropene Chemical group COC(C)=C YOWQWFMSQCOSBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropyl acetate Chemical compound COCCCOC(C)=O CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSMHNRHLQAABPS-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-3,6-dihydro-2h-pyran Chemical compound COC1=CCOCC1 FSMHNRHLQAABPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHNCZRFXNHVDDT-UHFFFAOYSA-N 4-methoxyoxane Chemical compound COC1CCOCC1 BHNCZRFXNHVDDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 4-prop-1-en-2-ylphenol Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(O)C=C1 JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZBAXSUIRDPNFU-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3,4-dihydro-2h-pyran Chemical compound CC1=CCCCO1 CZBAXSUIRDPNFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920001744 Polyaldehyde Polymers 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical group C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- RHYWINORESCUAK-UHFFFAOYSA-N acetic acid;pentane-2,3-diol Chemical compound CC(O)=O.CCC(O)C(C)O RHYWINORESCUAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229940045714 alkyl sulfonate alkylating agent Drugs 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229940118056 cresol / formaldehyde Drugs 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical class C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- CCNWZGXOWHXIJE-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;oxane Chemical compound CCOCC.C1CCOCC1 CCNWZGXOWHXIJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QIICOVQMFNWHTP-UHFFFAOYSA-N tris(4-ethoxycarbonyloxyphenyl)sulfanium Chemical class C1=CC(OC(=O)OCC)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(=O)OCC)=CC=1)C1=CC=C(OC(=O)OCC)C=C1 QIICOVQMFNWHTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUWXFPUSCUUNPR-UHFFFAOYSA-O tris(4-hydroxyphenyl)sulfanium Chemical class C1=CC(O)=CC=C1[S+](C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 XUWXFPUSCUUNPR-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、水に不溶性の結合剤
と、照射すると強酸を形成する化合物とを含有し、該結
合剤が酸性触媒によって加水分解され、該混合物のアル
カリ可溶性を高める基を含有するポジ型放射線感応性混
合物に関する。これらの混合物は、UV線、電子ビーム
及びX線に対して感応性であり、かつ特にレジスト材料
として特に好適である。
と、照射すると強酸を形成する化合物とを含有し、該結
合剤が酸性触媒によって加水分解され、該混合物のアル
カリ可溶性を高める基を含有するポジ型放射線感応性混
合物に関する。これらの混合物は、UV線、電子ビーム
及びX線に対して感応性であり、かつ特にレジスト材料
として特に好適である。
【0002】
【従来の技術】ポジ型放射線感応性混合物は公知で、あ
りかつ特に、水性アルカリ性媒体中で可溶性である、結
合剤、例えばノボラック又はポリ−p−ヒドロキシスチ
レン中にo−キノンジアジドを含有するポジ型レジスト
材料が市販されている。しかしながら、これらの系の放
射線、特に短波長放射線に対する感応性は、若干のケー
スでは満足されない。
りかつ特に、水性アルカリ性媒体中で可溶性である、結
合剤、例えばノボラック又はポリ−p−ヒドロキシスチ
レン中にo−キノンジアジドを含有するポジ型レジスト
材料が市販されている。しかしながら、これらの系の放
射線、特に短波長放射線に対する感応性は、若干のケー
スでは満足されない。
【0003】一次光反応で原子団を形成し、該原子団が
次いで放射線には依存しないで触媒二次反応を開始する
放射線感応性混合物の感度を増大することが記載されて
いる。例えば米国特許第3915706号明細書には、
まず強酸を生成し、該強酸が次いで酸に不安定な基、例
えばポリアルデヒド基を二次反応で分離する光開始剤が
記載された。
次いで放射線には依存しないで触媒二次反応を開始する
放射線感応性混合物の感度を増大することが記載されて
いる。例えば米国特許第3915706号明細書には、
まず強酸を生成し、該強酸が次いで酸に不安定な基、例
えばポリアルデヒド基を二次反応で分離する光開始剤が
記載された。
【0004】更に、酸で分離可能な化合物をベースとす
る放射線感応性混合物が公知であり、該混合物は、結合
剤として、水性アルカリ性媒体中で可溶性であるポリマ
ー、及び強酸を光化学的に形成する化合物、及び更に酸
で分離可能な結合を有する化合物を含有し、該化合物は
酸の作用の結果としてアルカリ性現像剤中での可溶性を
高める(ドイツ連邦共和国特許出願公開第340692
7号明細書参照)。光化学的に強酸を形成する化合物の
例は、ジアゾニウム、ホスホニウム、スルホニウム、ヨ
ードニウム及びハロゲン化合物である。これらのオニウ
ムを光化学的酸供与体としてレジスト材料で使用するこ
とも、例えば米国特許第4491628号明細書に記載
されている。クリベロ(Crivelo)は、Org. Coatings and
Appl. Polym. Sci. 48 (1985), 65-69に、オニウム塩
のレジスト材料での使用の研究を発表した。
る放射線感応性混合物が公知であり、該混合物は、結合
剤として、水性アルカリ性媒体中で可溶性であるポリマ
ー、及び強酸を光化学的に形成する化合物、及び更に酸
で分離可能な結合を有する化合物を含有し、該化合物は
酸の作用の結果としてアルカリ性現像剤中での可溶性を
高める(ドイツ連邦共和国特許出願公開第340692
7号明細書参照)。光化学的に強酸を形成する化合物の
例は、ジアゾニウム、ホスホニウム、スルホニウム、ヨ
ードニウム及びハロゲン化合物である。これらのオニウ
ムを光化学的酸供与体としてレジスト材料で使用するこ
とも、例えば米国特許第4491628号明細書に記載
されている。クリベロ(Crivelo)は、Org. Coatings and
Appl. Polym. Sci. 48 (1985), 65-69に、オニウム塩
のレジスト材料での使用の研究を発表した。
【0005】フェノール基及び酸に不安定な基、例えば
ポリ−(p−ヒドロキシスチレン−コ−t−ブトキシカ
ルボニルオキシスチレン)を有するコポリマーは、J. P
olym. Sci., Part A, Polym. Chem. Ed., 24 (1986), 2
971-2980に記載されている。しかしながら、これらのな
おアルカリ可溶性である前記基とのコポリマーは、米国
特許第4491628号明細書にも記載されているよう
に、市販のスルホニウム塩、例えばヘキサフルオロ砒酸
トリフェニルスルホニウムと組み合わせて使用され、こ
れらの混合物は、前記スルホニウム塩は可溶性を十分に
阻止しないために、極めて大量の材料が露光されなかっ
た部分から除去されることにある。
ポリ−(p−ヒドロキシスチレン−コ−t−ブトキシカ
ルボニルオキシスチレン)を有するコポリマーは、J. P
olym. Sci., Part A, Polym. Chem. Ed., 24 (1986), 2
971-2980に記載されている。しかしながら、これらのな
おアルカリ可溶性である前記基とのコポリマーは、米国
特許第4491628号明細書にも記載されているよう
に、市販のスルホニウム塩、例えばヘキサフルオロ砒酸
トリフェニルスルホニウムと組み合わせて使用され、こ
れらの混合物は、前記スルホニウム塩は可溶性を十分に
阻止しないために、極めて大量の材料が露光されなかっ
た部分から除去されることにある。
【0006】ドイツ連邦共和国特許出願公開第3721
741号明細書には、水性アルカリ性媒体中で可溶性の
ポリマー結合剤と、水性アルカリ性現像剤中での可溶性
が酸の作用により高められ、かつ少なくとも1個の酸で
分解可能な基を含有する有機化合物(該有機化合物は、
放射線の作用を受けて強酸を発生する)とを含有する放
射線感応性混合物が記載されている。
741号明細書には、水性アルカリ性媒体中で可溶性の
ポリマー結合剤と、水性アルカリ性現像剤中での可溶性
が酸の作用により高められ、かつ少なくとも1個の酸で
分解可能な基を含有する有機化合物(該有機化合物は、
放射線の作用を受けて強酸を発生する)とを含有する放
射線感応性混合物が記載されている。
【0007】ドイツ連邦共和国特許第2306248号
明細書には、露光の結果として可溶性になる物質の混合
物、及び光活性酸供与体(ハロゲン含有s−トリアジン
誘導体又はジアゾニウム塩)、及び少なくとも1個のア
ルキルビニルエーテル基を含有する有機化合物と一価又
は多価フェノールとの反応生成物を含有する感光性記録
材料が記載されている。この場合、フェノール系結合剤
も存在してもよい。アルキルビニルエーテルの例として
ジヒドロピランが記載されている。しかしながら、これ
らの系は熱安定性があまりにも低すぎ、その結果として
該材料をサブミクロン範囲に対して不安定にする構造的
特性を生じる。
明細書には、露光の結果として可溶性になる物質の混合
物、及び光活性酸供与体(ハロゲン含有s−トリアジン
誘導体又はジアゾニウム塩)、及び少なくとも1個のア
ルキルビニルエーテル基を含有する有機化合物と一価又
は多価フェノールとの反応生成物を含有する感光性記録
材料が記載されている。この場合、フェノール系結合剤
も存在してもよい。アルキルビニルエーテルの例として
ジヒドロピランが記載されている。しかしながら、これ
らの系は熱安定性があまりにも低すぎ、その結果として
該材料をサブミクロン範囲に対して不安定にする構造的
特性を生じる。
【0008】そのOH基の幾つか又は全てがテトラヒド
ロピラニルエーテルを生じるためにジヒドロピランと反
応せしめられたポリ−p−ヒドロキシスチレンも同様
に、日本国特許第2248952号公報、特開平03−
083063号公報、特開平02−025850号公
報、特開平02−161436号公報、ヨーロッパ特許
公開第0342498号明細書、ヨーロッパ特許公開第
0388813号明細書及びドイツ連邦共和国特許出願
公開第4007924号明細書に記載された。これらの
系の欠点は、オーバ露光又は露光後の加熱工程での極端
に高い温度での架橋である(L. Schlegel, T. Ueno, H.
Shiraishi, N. Hayashi 及び T. Iwayanagi, Microele
ctron. Eng. 13 (1991), 33)。更に、これらの系は現
像のために、n−プロパノールが添加されたアルカリ性
現像剤を必要とし、このことは廃棄に関して不利である
(S.A.M. Hesp, N. Hayashi 及び T. Ueno, J. Appl. P
olym.Sci. 42 (1991), 877)。
ロピラニルエーテルを生じるためにジヒドロピランと反
応せしめられたポリ−p−ヒドロキシスチレンも同様
に、日本国特許第2248952号公報、特開平03−
083063号公報、特開平02−025850号公
報、特開平02−161436号公報、ヨーロッパ特許
公開第0342498号明細書、ヨーロッパ特許公開第
0388813号明細書及びドイツ連邦共和国特許出願
公開第4007924号明細書に記載された。これらの
系の欠点は、オーバ露光又は露光後の加熱工程での極端
に高い温度での架橋である(L. Schlegel, T. Ueno, H.
Shiraishi, N. Hayashi 及び T. Iwayanagi, Microele
ctron. Eng. 13 (1991), 33)。更に、これらの系は現
像のために、n−プロパノールが添加されたアルカリ性
現像剤を必要とし、このことは廃棄に関して不利である
(S.A.M. Hesp, N. Hayashi 及び T. Ueno, J. Appl. P
olym.Sci. 42 (1991), 877)。
【0009】米国特許第4101323号明細書には、
主鎖内に酸で分解可能な−C−O−C−基を有する結合
剤、及び酸供与体としてポリクロロ化合物を含有する放
射線感応性複写材料が記載された。ヨーロッパ特許公開
第302359号明細書には、アルカリ可溶性フェノー
ル系結合剤、酸供与体としてのポリクロロ化合物及び抑
制剤として2個のアセタール基を有する化合物からなる
3成分系を含有する放射線感応性複写材料が記載され
た。上記米国特許明細書に記載された複写材料は、それ
らの製造において不十分な再現性を有する一方、上記ヨ
ーロッパ特許公開明細書に記載された複写材料は、3成
分系の前記の欠点を有する。
主鎖内に酸で分解可能な−C−O−C−基を有する結合
剤、及び酸供与体としてポリクロロ化合物を含有する放
射線感応性複写材料が記載された。ヨーロッパ特許公開
第302359号明細書には、アルカリ可溶性フェノー
ル系結合剤、酸供与体としてのポリクロロ化合物及び抑
制剤として2個のアセタール基を有する化合物からなる
3成分系を含有する放射線感応性複写材料が記載され
た。上記米国特許明細書に記載された複写材料は、それ
らの製造において不十分な再現性を有する一方、上記ヨ
ーロッパ特許公開明細書に記載された複写材料は、3成
分系の前記の欠点を有する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、アル
カリ性水溶液を使用して現像することができ、かつ短波
長のUV光で感光性である層を製造することができる、
レリーフ構造を製造ための新規のポジ型高活性放射線感
応性系を提供することであった。
カリ性水溶液を使用して現像することができ、かつ短波
長のUV光で感光性である層を製造することができる、
レリーフ構造を製造ための新規のポジ型高活性放射線感
応性系を提供することであった。
【0011】この目的のためには、主として酸の作用に
よって分離される酸不安定性基を有する結合剤と、放射
線に曝すと強酸を形成する化合物とを含有する放射線感
応性混合物は、画像に基づき露光し、加熱し、かつ層の
画像に基づき露光された部分が現像剤で洗い流されるべ
きである。
よって分離される酸不安定性基を有する結合剤と、放射
線に曝すと強酸を形成する化合物とを含有する放射線感
応性混合物は、画像に基づき露光し、加熱し、かつ層の
画像に基づき露光された部分が現像剤で洗い流されるべ
きである。
【0012】
【課題を解決するための手段】ところで、前記課題は、
驚異的にも、ポリマー結合剤、例えばノボラック又はポ
リヒドロキシスチレンのフェノール系ヒドロキシル基の
5〜100%をケタール基で置換することにより、アセ
タール基の前記欠点、特に架橋の傾向を有せず、かつ極
めて良好な再現性及び解像力を有する高活性放射性感応
性系が得られることが判明した。
驚異的にも、ポリマー結合剤、例えばノボラック又はポ
リヒドロキシスチレンのフェノール系ヒドロキシル基の
5〜100%をケタール基で置換することにより、アセ
タール基の前記欠点、特に架橋の傾向を有せず、かつ極
めて良好な再現性及び解像力を有する高活性放射性感応
性系が得られることが判明した。
【0013】
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】本質的に、(a)水に不溶性の結合剤又は
結合剤混合物及び(b)照射すると強酸を形成する化合
物からなる放射線感応性混合物において、成分(a)が
一般式(II)と(IV)、(II)と(V):
結合剤混合物及び(b)照射すると強酸を形成する化合
物からなる放射線感応性混合物において、成分(a)が
一般式(II)と(IV)、(II)と(V):
【0019】
【化6】
【0020】[式中、R′はH又はCH 3 を表し、R″
は1〜16個の炭素原子を有するアルキル基、8個まで
の酸素原子、硫黄原子又は窒素原子及び16個までの炭
素原子を有するオキサアルキル基、チアアルキル基又は
アザアルキル基を表し、かつXはO,S又はSO 2 を表
す]で示される基、又はこれらの組み合わせの混合物を
含有し、(II)と(IV)、(II)と(V)の5〜
100%が(IV)もしくは(V)で示される基、又は
これらの組み合わせの混合物である、放射線感応性混合
物を使用するのが有利である。さらに 本質的に、
(a)水に不溶性の結合剤又は結合剤混合物及び(b)
照射すると強酸を形成する化合物からなる放射線感応性
混合物において、成分(a)として平均分子量Mn20
0〜200000を有するポリ−(p−ヒドロキシスチ
レン)またはポリ−(p−ヒドロキシ−α−メチルスチ
レン)を使用し、その際ヒドロキシフェノールの10〜
80%が一般式(IV)および/又は(V)である、一
般式(II)と(IV)、(II)と(V)で示される
基、又はこれらの組み合わせの混合物を含有する、放射
線感応性混合物を使用することも有利である。
は1〜16個の炭素原子を有するアルキル基、8個まで
の酸素原子、硫黄原子又は窒素原子及び16個までの炭
素原子を有するオキサアルキル基、チアアルキル基又は
アザアルキル基を表し、かつXはO,S又はSO 2 を表
す]で示される基、又はこれらの組み合わせの混合物を
含有し、(II)と(IV)、(II)と(V)の5〜
100%が(IV)もしくは(V)で示される基、又は
これらの組み合わせの混合物である、放射線感応性混合
物を使用するのが有利である。さらに 本質的に、
(a)水に不溶性の結合剤又は結合剤混合物及び(b)
照射すると強酸を形成する化合物からなる放射線感応性
混合物において、成分(a)として平均分子量Mn20
0〜200000を有するポリ−(p−ヒドロキシスチ
レン)またはポリ−(p−ヒドロキシ−α−メチルスチ
レン)を使用し、その際ヒドロキシフェノールの10〜
80%が一般式(IV)および/又は(V)である、一
般式(II)と(IV)、(II)と(V)で示される
基、又はこれらの組み合わせの混合物を含有する、放射
線感応性混合物を使用することも有利である。
【0021】有利な1実施態様では、新規の放射線感応
性混合物中の結合剤(a)は、構造単位(II)と(I
II)だけを1:10〜10:1の比で、又は構造単位
(II)と(IV)だけを1:10〜10:1の比で又
は構造単位(II)と(V)だけを1:10〜10:1
の比で含有する。
性混合物中の結合剤(a)は、構造単位(II)と(I
II)だけを1:10〜10:1の比で、又は構造単位
(II)と(IV)だけを1:10〜10:1の比で又
は構造単位(II)と(V)だけを1:10〜10:1
の比で含有する。
【0022】ポリ−(p−ヒドロキシスチレン)と1−
メチル−メチルビニルエーテル(=2−メトキシプロピ
レン)との反応生成物、又はポリ−(p−ヒドロキシス
チレン)と4−メトキシ−5,6−ジヒドロ−2H−ピ
ランとの反応生成物又はポリ−(p−ヒドロキシスチレ
ン)と6−メチル−3,4−ジヒドロ−2H−ピランと
の反応生成物が、有利に結合剤(1)として使用され
る。
メチル−メチルビニルエーテル(=2−メトキシプロピ
レン)との反応生成物、又はポリ−(p−ヒドロキシス
チレン)と4−メトキシ−5,6−ジヒドロ−2H−ピ
ランとの反応生成物又はポリ−(p−ヒドロキシスチレ
ン)と6−メチル−3,4−ジヒドロ−2H−ピランと
の反応生成物が、有利に結合剤(1)として使用され
る。
【0023】新規の放射線感応性混合物は、有利には、
成分(b)として一般式(VI)又は(VII):
成分(b)として一般式(VI)又は(VII):
【0024】
【化7】
【0025】[式中、Rα,Rβ及びRγは同じか又は
異なっており、かつそれぞれ1〜3個の炭素原子を有す
るアルキル基、アリール基、置換されたアリール又はア
ルアルキル基を表し、かつ
異なっており、かつそれぞれ1〜3個の炭素原子を有す
るアルキル基、アリール基、置換されたアリール又はア
ルアルキル基を表し、かつ
【0026】
【化11】
【0027】を表す]で示されるスルホニウム塩又はヨ
ードニウム塩、特に上記式中、基Rα,Rβ及びRγの
少なくとも1つが一般式(VIII):
ードニウム塩、特に上記式中、基Rα,Rβ及びRγの
少なくとも1つが一般式(VIII):
【0028】
【化12】
【0029】[式中、Rδ,Rε及びRζは同じか又は
異なっており、それぞれH,OH,ハロゲン原子、それ
ぞれ1〜4個の炭素原子を有するアルキル基又はアルコ
キシ基を表す]で示される基であるもの含有する。
異なっており、それぞれH,OH,ハロゲン原子、それ
ぞれ1〜4個の炭素原子を有するアルキル基又はアルコ
キシ基を表す]で示される基であるもの含有する。
【0030】また、有機化合物(b)として、一般式
(IX):
(IX):
【0031】
【化13】
【0032】[式中、R5,R6及びR7は同じか又は異
なっており、かつそれぞれ、複素原子を含有していても
よい脂肪族及び/又は芳香族基であるか、又は基R5〜
R7の2つは互いに結合して環を形成する、但し基R5〜
R7の少なくとも1つは酸によって分解することができ
る少なくとも1つの基を含有し、かつ基R5〜R7の1つ
は、必要により酸で分解可能な基を介して、1個以上の
別のスルホニウム塩基に結合されていてもよい、かつX
-は非求核性反対イオンをある]で示されるスルホニウ
ム塩を使用することも可能である。
なっており、かつそれぞれ、複素原子を含有していても
よい脂肪族及び/又は芳香族基であるか、又は基R5〜
R7の2つは互いに結合して環を形成する、但し基R5〜
R7の少なくとも1つは酸によって分解することができ
る少なくとも1つの基を含有し、かつ基R5〜R7の1つ
は、必要により酸で分解可能な基を介して、1個以上の
別のスルホニウム塩基に結合されていてもよい、かつX
-は非求核性反対イオンをある]で示されるスルホニウ
ム塩を使用することも可能である。
【0033】更に、新規の放射線感応性混合物は、成分
(b)として、スルホン酸エステル、少なくとも2個の
フェノール系ヒドロキシル基を有する化合物のアルキル
スルホン酸エステル又はジスルホンを含有することがで
きる。
(b)として、スルホン酸エステル、少なくとも2個の
フェノール系ヒドロキシル基を有する化合物のアルキル
スルホン酸エステル又はジスルホンを含有することがで
きる。
【0034】新規の放射線感応性混合物において、成分
(a)は80〜99重量%の量で存在することができ、
かつ成分(b)は1〜20重量%の量で存在することが
できる。
(a)は80〜99重量%の量で存在することができ、
かつ成分(b)は1〜20重量%の量で存在することが
できる。
【0035】新規の放射線感応性混合物は、付加的に放
射線を吸収しかつ該放射線を成分(b)に輸送する増感
剤、及び付加的に1重量%まで付着助剤、表面活性剤又
は洗剤を含有することができる。
射線を吸収しかつ該放射線を成分(b)に輸送する増感
剤、及び付加的に1重量%まで付着助剤、表面活性剤又
は洗剤を含有することができる。
【0036】更に、本発明は、新規の放射線感応性混合
物を使用することを特徴とする、感光性被覆材料の製造
方法、並びに放射線感応性混合物を0.1〜5μmの層
厚さで通常の方法で前処理した支持体に施し、70〜1
30℃の温度で乾燥し、画像に基づき露光し、場合によ
り40〜160℃の温度に加熱し、かつアルカリ性水溶
液で現像することによりレリーフ構造を製造する方法に
おいて、新規の放射線感応性混合物を使用することを特
徴とする、レリーフ構造の製造方法に関する。新規の放
射線感応性混合物の各成分に関して、以下に詳細に述べ
る。
物を使用することを特徴とする、感光性被覆材料の製造
方法、並びに放射線感応性混合物を0.1〜5μmの層
厚さで通常の方法で前処理した支持体に施し、70〜1
30℃の温度で乾燥し、画像に基づき露光し、場合によ
り40〜160℃の温度に加熱し、かつアルカリ性水溶
液で現像することによりレリーフ構造を製造する方法に
おいて、新規の放射線感応性混合物を使用することを特
徴とする、レリーフ構造の製造方法に関する。新規の放
射線感応性混合物の各成分に関して、以下に詳細に述べ
る。
【0037】(a)一般的に所望されるプラズマエッチ
ング安定性のために、適当な水不溶性結合剤又は結合剤
混合物は、フェノール系ヒドロキシル基の5〜100、
特に10〜80%が前記基(IA)及び/又は(IB)
で置換されたフェノール樹脂、例えば分子量Mn300
〜20000、有利には300〜2000g/molを
有し、かつ短波長UV範囲(≦300nm)で露光する
ための相応するノボラック、特にp−クレゾール/−ホ
ルムアルデヒド、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)及び
ポリ(p−α−メチルスチレン)、又はp−ヒドロキシ
スチレンとp−ヒドロキシスチレン−α−メチルスチレ
ンとのコポリマーであり、この場合これらのポリ(p−
ヒドロキシスチレン)は一般に分子量Mn200〜20
0000、有利には1000〜40000g/molを
有する。これらのポリ(p−ヒドロキシスチレン)は、
本発明に基づき公知方法でヒドロキシル基と、例えば4
−メトキシ−5,6−ジヒドロ−2H−ピラン、1−メ
チル−メチルビニルエーテル又は6−メチル−3,4−
ジヒドロ−2H−ピランとの(重合類似)反応により変
性されていてもよい。このようにして得ることができか
つこの場合コポリマーとしても解される変性されたポリ
マー結合剤は、有利には主として以下の基(II)と
(IV)及び/又は(V)とからなるものである:
ング安定性のために、適当な水不溶性結合剤又は結合剤
混合物は、フェノール系ヒドロキシル基の5〜100、
特に10〜80%が前記基(IA)及び/又は(IB)
で置換されたフェノール樹脂、例えば分子量Mn300
〜20000、有利には300〜2000g/molを
有し、かつ短波長UV範囲(≦300nm)で露光する
ための相応するノボラック、特にp−クレゾール/−ホ
ルムアルデヒド、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)及び
ポリ(p−α−メチルスチレン)、又はp−ヒドロキシ
スチレンとp−ヒドロキシスチレン−α−メチルスチレ
ンとのコポリマーであり、この場合これらのポリ(p−
ヒドロキシスチレン)は一般に分子量Mn200〜20
0000、有利には1000〜40000g/molを
有する。これらのポリ(p−ヒドロキシスチレン)は、
本発明に基づき公知方法でヒドロキシル基と、例えば4
−メトキシ−5,6−ジヒドロ−2H−ピラン、1−メ
チル−メチルビニルエーテル又は6−メチル−3,4−
ジヒドロ−2H−ピランとの(重合類似)反応により変
性されていてもよい。このようにして得ることができか
つこの場合コポリマーとしても解される変性されたポリ
マー結合剤は、有利には主として以下の基(II)と
(IV)及び/又は(V)とからなるものである:
【0038】
【化8】
【0039】式中、R′はH又はCH3を表し、R″及
びR″′は同じか又は異なっており、かつ1〜16、有
利には1〜8個の炭素原子を有するアルキル基、例えば
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル又はシクロペ
ンチル、シクロヘキシル、8個までの酸素原子、硫黄原
子又は窒素原子及び16個までの炭素原子を有するオキ
サアルキル基、チアアルキル基又はアザアルキル基、例
えば2−メトキシエチル、2−メトキシプロピル又は−
[CH2−CH2−O]rH(該式中、rは2〜4であ
る)を表し、かつXはO,S,SO2を表す。新規のポ
リマーは、低分子量物質のために通常使用される公知方
法(例えばT.W. Greene, Protective Groups in Organi
c Synthesis, John Wiley & Sons, New York 1981参照)
に類似して、ポリヒドロキシスチレンの相応するノボラ
ックと相応するビニル化合物との酸触媒した重合類似反
応により得ることができる。
びR″′は同じか又は異なっており、かつ1〜16、有
利には1〜8個の炭素原子を有するアルキル基、例えば
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル又はシクロペ
ンチル、シクロヘキシル、8個までの酸素原子、硫黄原
子又は窒素原子及び16個までの炭素原子を有するオキ
サアルキル基、チアアルキル基又はアザアルキル基、例
えば2−メトキシエチル、2−メトキシプロピル又は−
[CH2−CH2−O]rH(該式中、rは2〜4であ
る)を表し、かつXはO,S,SO2を表す。新規のポ
リマーは、低分子量物質のために通常使用される公知方
法(例えばT.W. Greene, Protective Groups in Organi
c Synthesis, John Wiley & Sons, New York 1981参照)
に類似して、ポリヒドロキシスチレンの相応するノボラ
ックと相応するビニル化合物との酸触媒した重合類似反
応により得ることができる。
【0040】特に有利な出発物質は、
【0041】
【化15】
【0042】で示されるものである。
【0043】例えば、ポリヒドロキシスチレンと(A)
との部分的反応は、一般式(III)の基を生じ、
(B)との反応は一般式(IV)の基及び(C)との反
応は一般式(V)の基を生じる。
との部分的反応は、一般式(III)の基を生じ、
(B)との反応は一般式(IV)の基及び(C)との反
応は一般式(V)の基を生じる。
【0044】反応の程度は、NMR分光分析で確認する
ことができる。
ことができる。
【0045】前記結合剤(a)の混合物も適当である。
結合剤(a)は新規の混合物中に、放射線感応性混合物
(a)+(b)の全量に対して、一般に80〜99、有
利には90〜97重量%の量で存在する。
結合剤(a)は新規の混合物中に、放射線感応性混合物
(a)+(b)の全量に対して、一般に80〜99、有
利には90〜97重量%の量で存在する。
【0046】(b)放射線に曝らされると強酸を形成す
る適当な化合物としては、原則的に、この特性を有し、
従って酸供与体として有効である全ての化合物が該当す
る。しかしながら、短波長UV光線に露光するにはヨー
ドニウム及び特にスルホニウム塩が有利である。これら
は一般式(VI)及び(VII):
る適当な化合物としては、原則的に、この特性を有し、
従って酸供与体として有効である全ての化合物が該当す
る。しかしながら、短波長UV光線に露光するにはヨー
ドニウム及び特にスルホニウム塩が有利である。これら
は一般式(VI)及び(VII):
【0047】
【化9】
【0048】[式中、Rα,Rβ及びRγは同じか又は
異なっており、かつそれぞれ例えば1〜5個の炭素原子
を有するアルキル基、有利にはメチル又はエチル、アリ
ール基、例えばフェニル、又はアルアルキル基、例えば
ベンジル、又は式:
異なっており、かつそれぞれ例えば1〜5個の炭素原子
を有するアルキル基、有利にはメチル又はエチル、アリ
ール基、例えばフェニル、又はアルアルキル基、例えば
ベンジル、又は式:
【0049】
【化17】
【0050】(式中、Rδ,Rε及びRζは同じか又は
異なっており、かつそれぞれ水素原子、OH、ハロゲン
原子、例えば塩素又は臭素、アルキル基、例えば1〜4
個の炭素原子を有するもの、有利にはメチル又はt−ブ
チル、又はアルコキシ基、例えば1〜4個の炭素原子を
有するもの、有利にはメトキシ又はt−ブトキシを表
す)であり、かつ
異なっており、かつそれぞれ水素原子、OH、ハロゲン
原子、例えば塩素又は臭素、アルキル基、例えば1〜4
個の炭素原子を有するもの、有利にはメチル又はt−ブ
チル、又はアルコキシ基、例えば1〜4個の炭素原子を
有するもの、有利にはメトキシ又はt−ブトキシを表
す)であり、かつ
【0051】
【化18】
【0052】適当な成分(b)の例は、トリフェニルス
ルホニウム塩及びジフェニルヨードニウム塩、トリス
(4−ヒドロキシフェニル)スルホニウム塩及びトリス
(4−エトキシカルボニルオキシフェニル)スルホニウ
ム塩であり、これらのいずれの場合も反対イオン
ルホニウム塩及びジフェニルヨードニウム塩、トリス
(4−ヒドロキシフェニル)スルホニウム塩及びトリス
(4−エトキシカルボニルオキシフェニル)スルホニウ
ム塩であり、これらのいずれの場合も反対イオン
【0053】
【化19】
【0054】その他の特に有利な化合物(b)は、少な
くとも2個のOH基を含有する化合物のアルキルスルホ
ネートである。特に好適な物質の例は、1,2,3−ト
リス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン及び1,3−
ビス−(メタンスルホニルオキシ)−ベンゼンである。
くとも2個のOH基を含有する化合物のアルキルスルホ
ネートである。特に好適な物質の例は、1,2,3−ト
リス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン及び1,3−
ビス−(メタンスルホニルオキシ)−ベンゼンである。
【0055】(b)に列記した化合物の混合物を使用す
ることもできる。成分(b)は、新規の放射線感応性混
合物中に一般に、放射線感応性混合物の総量(a)+
(b)に対して1〜20、有利には2〜10重量%を含
有する。
ることもできる。成分(b)は、新規の放射線感応性混
合物中に一般に、放射線感応性混合物の総量(a)+
(b)に対して1〜20、有利には2〜10重量%を含
有する。
【0056】新規の放射線感応性混合物は、付加的に更
に常用の助剤及び添加物を含有することができる。
に常用の助剤及び添加物を含有することができる。
【0057】新規の混合物は有利には有機溶剤中に溶解
されている、この場合固体含量は一般に5〜40重量%
である。有利な溶剤は、脂肪族ケトン、エーテル及びエ
ステル、並びにそれらの混合物である。アルキレングリ
コールモノアルキルエーテル、例えばエチルセロソル
ブ、ブチルグリコール、メチルセロソルブ及び1−メト
キシ−2−プロパノール、アルキレングリコールアルキ
ルエーテルエステル、例えばメチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、メチルプロピレング
リコールアセテート及びエチルプロピレングリコールア
セテート、ケトン、例えばシクロヘキサノン、シクロペ
ンタノン及びメチルエチルケトン、及びアセテート、例
えばブチルアセテート、及び芳香族化合物、例えばトル
エン及びキシレンが特に有利である。相応する溶剤及び
それらの混合物の選択は、特殊なフェノール系ポリマー
又はノボラック及び感光性成分の選択に左右される。
されている、この場合固体含量は一般に5〜40重量%
である。有利な溶剤は、脂肪族ケトン、エーテル及びエ
ステル、並びにそれらの混合物である。アルキレングリ
コールモノアルキルエーテル、例えばエチルセロソル
ブ、ブチルグリコール、メチルセロソルブ及び1−メト
キシ−2−プロパノール、アルキレングリコールアルキ
ルエーテルエステル、例えばメチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、メチルプロピレング
リコールアセテート及びエチルプロピレングリコールア
セテート、ケトン、例えばシクロヘキサノン、シクロペ
ンタノン及びメチルエチルケトン、及びアセテート、例
えばブチルアセテート、及び芳香族化合物、例えばトル
エン及びキシレンが特に有利である。相応する溶剤及び
それらの混合物の選択は、特殊なフェノール系ポリマー
又はノボラック及び感光性成分の選択に左右される。
【0058】別の添加物、例えば付着助剤、湿潤剤、染
料及び可塑剤も、一般に1重量%までの量で添加するこ
とができる。
料及び可塑剤も、一般に1重量%までの量で添加するこ
とができる。
【0059】新規の放射線感応性混合物は、X線、電子
ビーム及びUV放射線に対して感応性である。必要であ
れば、少量の増感剤、例えばピレン及びペルレンを、比
較的長い波長のUVないし可視波長範囲内で該化合物を
増感するために添加することもできる。特殊な波長範
囲、例えば短波長UV(≦300nm)で露光するため
には、特殊な露光波長での層の高い透明度が所望され
る。水銀ランプをベースとする通常の露光装置では、2
54nm線を使用するか、又は248nmで放射するエ
キサイマーレーザ(KrF)を使用する。従って、該放
射線感応性混合物は、この範囲内では極めて低い光学濃
度を有するべきである。ノボラックをベースとする新規
のポリマー結合剤は、これらの適用のためにはあまり適
当でないことが判明した、従ってこれらの特殊な適用の
ためにはヒドロキシスチレンをベースとするポリマー結
合剤を使用するのが有利である。
ビーム及びUV放射線に対して感応性である。必要であ
れば、少量の増感剤、例えばピレン及びペルレンを、比
較的長い波長のUVないし可視波長範囲内で該化合物を
増感するために添加することもできる。特殊な波長範
囲、例えば短波長UV(≦300nm)で露光するため
には、特殊な露光波長での層の高い透明度が所望され
る。水銀ランプをベースとする通常の露光装置では、2
54nm線を使用するか、又は248nmで放射するエ
キサイマーレーザ(KrF)を使用する。従って、該放
射線感応性混合物は、この範囲内では極めて低い光学濃
度を有するべきである。ノボラックをベースとする新規
のポリマー結合剤は、これらの適用のためにはあまり適
当でないことが判明した、従ってこれらの特殊な適用の
ためにはヒドロキシスチレンをベースとするポリマー結
合剤を使用するのが有利である。
【0060】ポジ型のレリーフパターンの新規の製造方
法においては、主として新規の放射線感応性混合物から
なる放射線感応性記録層を画像に基づき、露光された部
分のアルカリ性水溶液中での可溶性が40〜160℃で
の加熱工程後に増大しかつこれらの部分を選択的にアル
カリ性現像剤で除去することができる程度の線量に露光
する。
法においては、主として新規の放射線感応性混合物から
なる放射線感応性記録層を画像に基づき、露光された部
分のアルカリ性水溶液中での可溶性が40〜160℃で
の加熱工程後に増大しかつこれらの部分を選択的にアル
カリ性現像剤で除去することができる程度の線量に露光
する。
【0061】新規の放射線感応性混合物を含有するホト
レジスト溶液は、一般に0.1〜5μm、有利には0.
5〜1.5μmの層厚さで、適当な支持体、例えば表面
酸化したシリコンウエ−ハにスピンコーティングにより
施し、かつ乾燥し(例えば70〜130℃)かつ画像に
基づき適当な光源にホトマスクを透過して、例えば20
0〜300nmの波長範囲内の短波長UV線(深UV)
に露光する。特に好適な光源はKrFエクサイマーレー
ザ(248nm)である。画像に基づく露光後に、かつ
必要であれば、短時間160℃まで加熱(ポストベー
ク)した後に、通常の水性アルカリ性現像剤で、一般に
12〜14のpHで現像を行う。この際、露光された部
分は洗い流される。解像力はサブミクロン範囲内にあ
る。新規の放射線感応性混合物ために好ましい露光エネ
ルギは、1μmの層厚さのためには一般に10〜300
mJ/cm2である。
レジスト溶液は、一般に0.1〜5μm、有利には0.
5〜1.5μmの層厚さで、適当な支持体、例えば表面
酸化したシリコンウエ−ハにスピンコーティングにより
施し、かつ乾燥し(例えば70〜130℃)かつ画像に
基づき適当な光源にホトマスクを透過して、例えば20
0〜300nmの波長範囲内の短波長UV線(深UV)
に露光する。特に好適な光源はKrFエクサイマーレー
ザ(248nm)である。画像に基づく露光後に、かつ
必要であれば、短時間160℃まで加熱(ポストベー
ク)した後に、通常の水性アルカリ性現像剤で、一般に
12〜14のpHで現像を行う。この際、露光された部
分は洗い流される。解像力はサブミクロン範囲内にあ
る。新規の放射線感応性混合物ために好ましい露光エネ
ルギは、1μmの層厚さのためには一般に10〜300
mJ/cm2である。
【0062】新規の放射線感応性混合物は、高い感度、
良好な解像力及び容易な処理可能性を有する、従って短
波長範囲内のリソグラフィーにおいて特に有利である。
良好な解像力及び容易な処理可能性を有する、従って短
波長範囲内のリソグラフィーにおいて特に有利である。
【0063】公知の、アセタール含有系、特にテトラヒ
ドロピラニルエーテルを含有するものと比較すると、こ
れらの系は、酸供与体の種類及び/又は加熱工程の温度
に関係無く、架橋の危険性を高めることなく広い作用範
囲を有するという利点を有する。もう1つの顕著な利点
は、アルカリ性水溶液を、有機溶剤を添加せずに、現像
剤として使用することができることである。
ドロピラニルエーテルを含有するものと比較すると、こ
れらの系は、酸供与体の種類及び/又は加熱工程の温度
に関係無く、架橋の危険性を高めることなく広い作用範
囲を有するという利点を有する。もう1つの顕著な利点
は、アルカリ性水溶液を、有機溶剤を添加せずに、現像
剤として使用することができることである。
【0064】
【実施例】次に実施例により本発明を詳細に説明する。
なお、以下の実施例において、部及び%は他に断りの無
い限り、重量に基づく。
なお、以下の実施例において、部及び%は他に断りの無
い限り、重量に基づく。
【0065】実施例1 フェノール系OH基の32%が4−メトキシテトラヒド
ロピランとして保護されたポリ−p−ヒドロキシスチレ
ン95部、トリフェニルスルホニウムトリフレート5部
及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト300部からレジスト溶液を製造した。次いで、該溶
液を0.2μmの孔直径を有するフィルタを通して濾過
した。
ロピランとして保護されたポリ−p−ヒドロキシスチレ
ン95部、トリフェニルスルホニウムトリフレート5部
及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト300部からレジスト溶液を製造した。次いで、該溶
液を0.2μmの孔直径を有するフィルタを通して濾過
した。
【0066】該レジスト溶液をスピンコーティングによ
り、付着助剤としてのヘキサミチルジシラザンで被覆し
たシリコンウエーハに塗布した。この際、約1μmの層
厚さが得られた。その後、該ウエーハをホットプレート
上で90℃で1分間乾燥し、次いでエキサイマーレーザ
に248nmで露光した。次いで、該ウエーハを90℃
で1時間加熱しかつ水酸化テトラ−N−メチルアンモニ
ウムの水溶液でpH値12〜13.6で現像した。
り、付着助剤としてのヘキサミチルジシラザンで被覆し
たシリコンウエーハに塗布した。この際、約1μmの層
厚さが得られた。その後、該ウエーハをホットプレート
上で90℃で1分間乾燥し、次いでエキサイマーレーザ
に248nmで露光した。次いで、該ウエーハを90℃
で1時間加熱しかつ水酸化テトラ−N−メチルアンモニ
ウムの水溶液でpH値12〜13.6で現像した。
【0067】光感度は11mJ/cm2であった。
【0068】実施例2 実施例1に記載と同様にして、フォトレジスト溶液を製
造した。しかしながら、この場合には4−ヒドロキシフ
ェニルジメチルスルホニウムトリフレートを酸供与体と
して及び酪酸エチルを溶剤として使用した。この場合に
は、露光後の加熱工程は120℃で実施した。
造した。しかしながら、この場合には4−ヒドロキシフ
ェニルジメチルスルホニウムトリフレートを酸供与体と
して及び酪酸エチルを溶剤として使用した。この場合に
は、露光後の加熱工程は120℃で実施した。
【0069】光感度は90mJ/cm2であり、かつ強
度に露光した部分でも架橋の検出可能な兆候は存在しな
かった。
度に露光した部分でも架橋の検出可能な兆候は存在しな
かった。
【0070】実施例3 実施例1に記載と同様にして、フォトレジスト溶液を製
造した。しかしながら、この場合には1,2,3−トリ
ス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼンを酸供与体とし
て使用した。
造した。しかしながら、この場合には1,2,3−トリ
ス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼンを酸供与体とし
て使用した。
【0071】光感度は49mJ/cm2であった。
【0072】実施例4 実施例1に記載と同様にして、フォトレジスト溶液を製
造した。しかしながら、この場合にはフェニル4−アニ
シルジスルホンを酸供与体として使用した。
造した。しかしながら、この場合にはフェニル4−アニ
シルジスルホンを酸供与体として使用した。
【0073】比較例1 フェノール系OH基の36%がテトラヒドロピランエー
テルとして保護されたポリ(p−ヒドロキシスチレン)
95部、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム
トリフレート5部及び酪酸エチル250部からレジスト
溶液を製造した。 実施例2におけると同様に処理した
後に、強度に露光した部分(>200mJ/cm2)
は、架橋に基づき不溶性物質を含有することが判明し
た。
テルとして保護されたポリ(p−ヒドロキシスチレン)
95部、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム
トリフレート5部及び酪酸エチル250部からレジスト
溶液を製造した。 実施例2におけると同様に処理した
後に、強度に露光した部分(>200mJ/cm2)
は、架橋に基づき不溶性物質を含有することが判明し
た。
フロントページの続き (72)発明者 ディルク、フンホフ ドイツ連邦共和国、6900、ハイデルベル ク、パノラーマシュトラーセ、3アー (56)参考文献 特開 昭64−33546(JP,A) 特開 平3−241355(JP,A) 特開 平4−211258(JP,A) 特開 平4−219757(JP,A) 特開 平5−249682(JP,A) 特開 平3−189652(JP,A) 欧州特許出願公開447868(EP,A 1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/00 - 7/42
Claims (4)
- 【請求項1】本質的に、(a)水に不溶性の結合剤又は
結合剤混合物及び(b)照射すると強酸を形成する化合
物からなる放射線感応性混合物において、成分(a)が
一般式(II)と(IV)、(II)と(V): 【化1】 [式中、R′はH又はCH 3 を表し、R″は1〜16個
の炭素原子を有するアルキル基、8個までの酸素原子、
硫黄原子又は窒素原子及び16個までの炭素原子を有す
るオキサアルキル基、チアアルキル基又はアザアルキル
基を表し、かつXはO,S又はSO 2 を表す]で示され
る基、又はこれらの組み合わせの混合物を含有し、(I
I)と(IV)、(II)と(V)の5〜100%が
(IV)もしくは(V)で示される基、又はこれらの組
み合わせの混合物である、放射線感応性混合物。 - 【請求項2】本質的に、(a)水に不溶性の結合剤又は
結合剤混合物及び(b)照射すると強酸を形成する化合
物からなる放射線感応性混合物において、成分(a)と
して平均分子量Mn200〜200000を有するポリ
−(p−ヒドロキシスチレン)またはポリ−(p−ヒド
ロキシ−α−メチルスチレン)を使用し、その際ヒドロ
キシフェノールの10〜80%が一般式(IV)および
/又は(V)である、一般式(II)と(IV)、(I
I)と(V): 【化2】 [式中、R′はH又はCH 3 を表し、R″は1〜16個
の炭素原子を有するアルキル基、8個までの酸素原子、
硫黄原子又は窒素原子及び16個までの炭素原子を有す
るオキサアルキル基、チアアルキル基又はアザアルキル
基を表し、かつXはO,S又はSO 2 を表す]で示され
る基、又はこれらの組み合わせの混合物を含有する、放
射線感応性混合物。 - 【請求項3】成分(b)として一般式(VI)又は(V
II): 【化3】 [式中、Rα,Rβ及びRγは相互に同じか又は異なっ
ており、かつそれぞれ1〜3個の炭素原子を有するアル
キル基、アリール基、置換されたアリール基又はアルア
ルキル基を表し、かつ 【化4】 であり、この場合基Rα,Rβ及びRγの少なくとも1
つは一般式(VIII): 【化5】 (上記式中、Rδ,Rε及びRζは相互に同じか又は異
なっており、かつそれぞれH,OH,ハロゲン原子、そ
れぞれ1〜4個の炭素原子を有するアルキル基又はアル
コキシ基を表す)を表す]で示されるスルホニウム塩又
はヨードニウム塩を使用する、請求項1または2に記載
の放射線感応性混合物。 - 【請求項4】 放射線感応性混合物を0.1〜5μmの
層厚さで通常の方法で前処理した支持体に施し、70〜
130℃の温度で乾燥し、画像に基づき露光し、場合に
より40〜160℃の温度に加熱し、かつアルカリ性水
溶液で現像することによりレリーフ構造を製造する方法
において、請求項1から3までのいずれか1項記載の放
射線感応性混合物を使用することを特徴とする、レリー
フ構造の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4202845A DE4202845A1 (de) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Strahlungsempfindliches gemisch |
DE4202845.0 | 1992-01-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05281745A JPH05281745A (ja) | 1993-10-29 |
JP3242475B2 true JP3242475B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=6450735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00451693A Expired - Fee Related JP3242475B2 (ja) | 1992-01-31 | 1993-01-14 | 放射線感応性混合物及びレリーフ構造の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5759750A (ja) |
EP (1) | EP0553737B1 (ja) |
JP (1) | JP3242475B2 (ja) |
KR (1) | KR100270286B1 (ja) |
DE (2) | DE4202845A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0588544A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-09-28 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Fine pattern forming material and pattern formation process |
JP2942167B2 (ja) * | 1994-09-02 | 1999-08-30 | 和光純薬工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
US5558971A (en) | 1994-09-02 | 1996-09-24 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Resist material |
DE19533607A1 (de) * | 1995-09-11 | 1997-03-13 | Basf Ag | Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen |
JP3073149B2 (ja) * | 1995-10-30 | 2000-08-07 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
ATE244904T1 (de) | 1995-12-21 | 2003-07-15 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Polymerzusammensetzung und rezistmaterial |
EP0789279B2 (en) | 1996-02-09 | 2004-12-08 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Polymer and resist material |
KR0185319B1 (ko) * | 1996-09-21 | 1999-05-15 | 김흥기 | 포지티브 포토레지스트 제조용 수지 및 이 수지를 함유하는 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 |
US6037097A (en) * | 1998-01-27 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | E-beam application to mask making using new improved KRS resist system |
US6159653A (en) * | 1998-04-14 | 2000-12-12 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Production of acetal derivatized hydroxyl aromatic polymers and their use in radiation sensitive formulations |
SG78412A1 (en) | 1999-03-31 | 2001-02-20 | Ciba Sc Holding Ag | Oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
US6787283B1 (en) | 1999-07-22 | 2004-09-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition for far ultraviolet exposure |
US6306554B1 (en) * | 2000-05-09 | 2001-10-23 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same |
US6383715B1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-05-07 | Infineon Technologies Ag | Strongly water-soluble photoacid generator resist compositions |
US6673514B2 (en) | 2001-09-07 | 2004-01-06 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Imagable articles and compositions, and their use |
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US7255056B2 (en) * | 2005-03-04 | 2007-08-14 | Lockheed Martin Corporation | Stable, high-speed marine vessel |
CN102781911B (zh) | 2010-02-24 | 2015-07-22 | 巴斯夫欧洲公司 | 潜酸及其用途 |
KR102537349B1 (ko) | 2015-02-02 | 2023-05-26 | 바스프 에스이 | 잠재성 산 및 그의 용도 |
JP2018127513A (ja) | 2017-02-06 | 2018-08-16 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 半導体水溶性組成物、およびその使用 |
JP2020067547A (ja) | 2018-10-24 | 2020-04-30 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 半導体水溶性組成物およびその使用 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3779778A (en) * | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Minnesota Mining & Mfg | Photosolubilizable compositions and elements |
US3915706A (en) * | 1974-03-11 | 1975-10-28 | Xerox Corp | Imaging system based on photodegradable polyaldehydes |
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
DE3406927A1 (de) * | 1984-02-25 | 1985-08-29 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen |
JPS62266537A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | マイクロカプセル及びそれを使用した感光性記録材料 |
US4810613A (en) * | 1987-05-22 | 1989-03-07 | Hoechst Celanese Corporation | Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists |
DE3721741A1 (de) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
DE3817012A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
JP2661671B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1997-10-08 | 株式会社日立製作所 | パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法 |
DE69125634T2 (de) * | 1990-01-30 | 1998-01-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Chemisch verstärktes Photolack-Material |
DE4007924A1 (de) * | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
JPH03282550A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP2632066B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1997-07-16 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ画像の形成方法 |
JP3030672B2 (ja) * | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
-
1992
- 1992-01-31 DE DE4202845A patent/DE4202845A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-01-14 JP JP00451693A patent/JP3242475B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-01-23 EP EP93101036A patent/EP0553737B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-23 DE DE59309790T patent/DE59309790D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-28 KR KR1019930001055A patent/KR100270286B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-18 US US08/839,938 patent/US5759750A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE59309790D1 (de) | 1999-10-28 |
US5759750A (en) | 1998-06-02 |
DE4202845A1 (de) | 1993-08-05 |
EP0553737A1 (de) | 1993-08-04 |
EP0553737B1 (de) | 1999-09-22 |
JPH05281745A (ja) | 1993-10-29 |
KR930016825A (ko) | 1993-08-30 |
KR100270286B1 (ko) | 2000-12-01 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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