JP3228021B2 - インバータユニット及びインバータ装置 - Google Patents
インバータユニット及びインバータ装置Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、大電力を高周波でス
イッチングして直流を交流に変換するインバータユニッ
トおよびインバータ装置に関する。
イッチングして直流を交流に変換するインバータユニッ
トおよびインバータ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のインバータ装置として、
図７に示すように回路構成したものが知られている。図
７において、符号１１は直流電源を示し、この直流電源
１１のＰＮ端子間に高周波で低インピーダンスのコンデ
ンサ１２と、上アームのスイッチ素子Ｑ1 と下アームの
スイッチ素子Ｑ2 との直列回路とが並列接続され、同様
に、直流電源１１のＰＮ端子間にはコンデンサ１３と、
上アームのスイッチ素子Ｑ3 と下アームのスイッチ素子
Ｑ4 との直列回路とが並列接続される。また、スイッチ
素子Ｑ 1 とＱ2 の中間接続点を負荷１４の一端Ｕに接続
し、スイッチ素子Ｑ3 とＱ4 の中間接続点を負荷１４の
一端Ｖに接続し、スイッチ素子Ｑ1 、Ｑ2 、Ｑ3 、Ｑ4
をそれぞれ所定の順序に従ったオン・オフ動作をさせ
て、負荷１４に高周波の交流電力を供給するのがインバ
ータ装置１０の典型的な具体例である。
図７に示すように回路構成したものが知られている。図
７において、符号１１は直流電源を示し、この直流電源
１１のＰＮ端子間に高周波で低インピーダンスのコンデ
ンサ１２と、上アームのスイッチ素子Ｑ1 と下アームの
スイッチ素子Ｑ2 との直列回路とが並列接続され、同様
に、直流電源１１のＰＮ端子間にはコンデンサ１３と、
上アームのスイッチ素子Ｑ3 と下アームのスイッチ素子
Ｑ4 との直列回路とが並列接続される。また、スイッチ
素子Ｑ 1 とＱ2 の中間接続点を負荷１４の一端Ｕに接続
し、スイッチ素子Ｑ3 とＱ4 の中間接続点を負荷１４の
一端Ｖに接続し、スイッチ素子Ｑ1 、Ｑ2 、Ｑ3 、Ｑ4
をそれぞれ所定の順序に従ったオン・オフ動作をさせ
て、負荷１４に高周波の交流電力を供給するのがインバ
ータ装置１０の典型的な具体例である。
【０００３】図７では図示してないがスイッチ素子
Ｑ1 、Ｑ2 、Ｑ3 、Ｑ4 をそれぞれ構成する半導体素子
は、一般に複数の半導体素子が並列接続されることが多
く、この場合の半導体素子も各種のものを使用し得る
が、図７の回路では絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
（所謂、ＩＧＢＴ）とダイオードとが逆並列接続された
半導体スイッチ素子を使用した例を示す。
Ｑ1 、Ｑ2 、Ｑ3 、Ｑ4 をそれぞれ構成する半導体素子
は、一般に複数の半導体素子が並列接続されることが多
く、この場合の半導体素子も各種のものを使用し得る
が、図７の回路では絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
（所謂、ＩＧＢＴ）とダイオードとが逆並列接続された
半導体スイッチ素子を使用した例を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たインバータ装置において、各アームには図示のように
漏れリアクタンス２０が存在する。この漏れリアクタン
ス２０により半導体スイッチ素子に過大電圧が生じた
り、スイッチング損失が増大するという問題があった。
たインバータ装置において、各アームには図示のように
漏れリアクタンス２０が存在する。この漏れリアクタン
ス２０により半導体スイッチ素子に過大電圧が生じた
り、スイッチング損失が増大するという問題があった。
【０００５】また、各アームの半導体スイッチ素子を平
面状に配置すると、接続，絶縁のための部品点数が多く
なり、電気絶縁材を介した半導体スイッチ素子は放熱抵
抗が増大してインバータ装置の許容出力が低下するとい
う問題もあった。この発明の目的は、上記問題点が解消
するインバータユニット及びインバータ装置を提供する
ことにある。
面状に配置すると、接続，絶縁のための部品点数が多く
なり、電気絶縁材を介した半導体スイッチ素子は放熱抵
抗が増大してインバータ装置の許容出力が低下するとい
う問題もあった。この発明の目的は、上記問題点が解消
するインバータユニット及びインバータ装置を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明では、直流電
源の陽極に接続された金属導体基板の両面にそれぞれス
イッチ素子を配し、該金属導体基板の片面でインバータ
の１アームを構成し、金属導体基板の両面の２つのアー
ムにより単相ブリッジ回路を形成したインバータユニッ
トにおいて、前記金属導体基板に、該金属導体基板を冷
却する冷媒が流通可能な孔を備え、該金属導体基板の片
面に構成される１アームを、前記直流電源の陰極に接続
された第１の薄板金属導体と、前記金属導体基板と第１
の薄板金属導体との間にそれぞれ電気絶縁材を介して、
片面の一部が前記金属導体基板と当接すると共に他の面
の一部が第１の薄板金属導体と当接するするよう段差を
設けた第２の薄板金属導体と、第２の薄板金属導体と金
属導体基板との間に狭持される第１の平形半導体素子
と、第２の薄板金属導体と第１の薄板金属導体との間に
狭持される冷却する冷媒が流通可能な孔を備えた厚板導
体と第２の平形半導体素子とから構成し、前記第１，第
２の平形半導体素子を前記第２の薄板金属導体を介して
直列接続し、かつ、該直列回路を金属導体基板と第１の
薄板金属導体との間に接続し、金属導体基板、第１，第
２の薄板金属導体、第１の平形半導体素子、厚板導体と
第２の平形半導体素子それぞれが接面を圧接して構成す
る。
源の陽極に接続された金属導体基板の両面にそれぞれス
イッチ素子を配し、該金属導体基板の片面でインバータ
の１アームを構成し、金属導体基板の両面の２つのアー
ムにより単相ブリッジ回路を形成したインバータユニッ
トにおいて、前記金属導体基板に、該金属導体基板を冷
却する冷媒が流通可能な孔を備え、該金属導体基板の片
面に構成される１アームを、前記直流電源の陰極に接続
された第１の薄板金属導体と、前記金属導体基板と第１
の薄板金属導体との間にそれぞれ電気絶縁材を介して、
片面の一部が前記金属導体基板と当接すると共に他の面
の一部が第１の薄板金属導体と当接するするよう段差を
設けた第２の薄板金属導体と、第２の薄板金属導体と金
属導体基板との間に狭持される第１の平形半導体素子
と、第２の薄板金属導体と第１の薄板金属導体との間に
狭持される冷却する冷媒が流通可能な孔を備えた厚板導
体と第２の平形半導体素子とから構成し、前記第１，第
２の平形半導体素子を前記第２の薄板金属導体を介して
直列接続し、かつ、該直列回路を金属導体基板と第１の
薄板金属導体との間に接続し、金属導体基板、第１，第
２の薄板金属導体、第１の平形半導体素子、厚板導体と
第２の平形半導体素子それぞれが接面を圧接して構成す
る。
【０００７】第２の発明では、第１の発明におけるイン
バータユニットと、該インバータユニットを収納する筐
体と、該筐体の内面に対向して設けられ前記インバータ
ユニットを係合狭持するガイドレールと、複数の導体が
電気絶縁材を介して積層された積層母線とを備え、前記
インバータユニットの収納時には、前記筐体の背面で該
インバータユニットと前記積層母線とが接続されるイン
バータ装置とする。
バータユニットと、該インバータユニットを収納する筐
体と、該筐体の内面に対向して設けられ前記インバータ
ユニットを係合狭持するガイドレールと、複数の導体が
電気絶縁材を介して積層された積層母線とを備え、前記
インバータユニットの収納時には、前記筐体の背面で該
インバータユニットと前記積層母線とが接続されるイン
バータ装置とする。
【０００８】第３の発明では、前記第２の発明におい
て、前記インバータユニットの端部を平行に形成し、前
記ガイドレールに狭持させる。
て、前記インバータユニットの端部を平行に形成し、前
記ガイドレールに狭持させる。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【作用】この発明のインバータユニット及びインバータ
装置によれば、直流電源に接続されるそれぞれの電極を
構成する金属導体基板と第１の薄板金属導体との間に段
差を有する第２の薄板金属導体を介して平形半導体素子
を直列接続した１アームを圧接固定することにより、漏
れリアクタンスの小さな単相ブリッジ回路が構成可能と
なり、この結果、大電力を高周波でスイッチングし直流
を交流に変換するのに、極めて安定した特性を得ること
ができ、また、前記金属導体基板に冷却する冷媒が流通
する孔を備えることと、前記第２の薄板金属導体と第２
の平形半導体素子との間に冷却する冷媒が流通する孔を
備えた厚板導体を設けることとにより前記平形半導体素
子に対する冷却能力が改善されて許容出力が増大できる
のを共通の作用としている。
装置によれば、直流電源に接続されるそれぞれの電極を
構成する金属導体基板と第１の薄板金属導体との間に段
差を有する第２の薄板金属導体を介して平形半導体素子
を直列接続した１アームを圧接固定することにより、漏
れリアクタンスの小さな単相ブリッジ回路が構成可能と
なり、この結果、大電力を高周波でスイッチングし直流
を交流に変換するのに、極めて安定した特性を得ること
ができ、また、前記金属導体基板に冷却する冷媒が流通
する孔を備えることと、前記第２の薄板金属導体と第２
の平形半導体素子との間に冷却する冷媒が流通する孔を
備えた厚板導体を設けることとにより前記平形半導体素
子に対する冷却能力が改善されて許容出力が増大できる
のを共通の作用としている。
【００１２】さらに、この発明のインバータ装置によれ
ば、複数のインバータユニットがガイドレールを介して
筐体に容易に挿入可能となり、該筐体の背面で該複数の
インバータ本体を積層母線にそれぞれ接続固定すること
で出力の大容量化が図れ、交流出力側配線の漏れリアク
タンスを小さくすることができる。
ば、複数のインバータユニットがガイドレールを介して
筐体に容易に挿入可能となり、該筐体の背面で該複数の
インバータ本体を積層母線にそれぞれ接続固定すること
で出力の大容量化が図れ、交流出力側配線の漏れリアク
タンスを小さくすることができる。
【００１３】
【実施例】図１および図２は、この発明の第１の実施例
をそれぞれ示すインバータユニットの斜視図と要部断面
図である。すなわち、図１および図２において、符号３
０は金属導体基板を示し、この金属導体基板３０には、
それぞれの半導体スイッチ素子が配される近傍に、冷却
する冷媒が流通する孔３１を備え、直流電源１１の陽極
Ｐ側に接続される。しかるに、この金属導体基板３０の
表面，裏面にはそれぞれＩＧＢＴ等からなる半導体スイ
ッチ素子Ｑ1 （Ｑ3 ）を図示のように下の列に並設す
る。次に、金属導体基板３０の上の列に熱伝導の良好な
電気絶縁材３２を載置する。このように金属導体基板３
０の表面，裏面それぞれに配置した半導体スイッチ素子
Ｑ1 （Ｑ3 ）および電気絶縁材３２の上面には、断面形
状において段差を設けた薄板金属導体３３の下片部３３
ａと上片部３３ｂをそれぞれ当接配置する。そして、前
記薄板金属導体３３の下片部３３ａおよび上片部３３ｂ
の上面には、それぞれ電気絶縁材３４および半導体スイ
ッチ素子Ｑ2 （Ｑ4 ）を載置し、さらにこれらの電気絶
縁材３４と半導体スイッチ素子Ｑ2 （Ｑ4 ）の上面に全
体を覆うようにして薄板金属導体３５を被着する。この
薄板金属導体３５は、直流電源１１の陰極Ｎ側に接続さ
れる。
をそれぞれ示すインバータユニットの斜視図と要部断面
図である。すなわち、図１および図２において、符号３
０は金属導体基板を示し、この金属導体基板３０には、
それぞれの半導体スイッチ素子が配される近傍に、冷却
する冷媒が流通する孔３１を備え、直流電源１１の陽極
Ｐ側に接続される。しかるに、この金属導体基板３０の
表面，裏面にはそれぞれＩＧＢＴ等からなる半導体スイ
ッチ素子Ｑ1 （Ｑ3 ）を図示のように下の列に並設す
る。次に、金属導体基板３０の上の列に熱伝導の良好な
電気絶縁材３２を載置する。このように金属導体基板３
０の表面，裏面それぞれに配置した半導体スイッチ素子
Ｑ1 （Ｑ3 ）および電気絶縁材３２の上面には、断面形
状において段差を設けた薄板金属導体３３の下片部３３
ａと上片部３３ｂをそれぞれ当接配置する。そして、前
記薄板金属導体３３の下片部３３ａおよび上片部３３ｂ
の上面には、それぞれ電気絶縁材３４および半導体スイ
ッチ素子Ｑ2 （Ｑ4 ）を載置し、さらにこれらの電気絶
縁材３４と半導体スイッチ素子Ｑ2 （Ｑ4 ）の上面に全
体を覆うようにして薄板金属導体３５を被着する。この
薄板金属導体３５は、直流電源１１の陰極Ｎ側に接続さ
れる。
【００１４】従って、前記陽極Ｐからなる金属導体基板
３０の表面，裏面上に並列に配置された複数の半導体ス
イッチ素子Ｑ1 （Ｑ3 ）は、段差を有する薄板金属導体
３３を介して前記Ｎ極からなる薄板金属導体３５に対し
並列に配置された複数の半導体スイッチ素子Ｑ
2 （Ｑ4 ）と直列接続されることになる。また、前記Ｎ
極からなる薄板金属導体３５の上下両端部をそれぞれ内
側に折曲すると共に、その縁部をさらに垂直に延設して
これを電気絶縁材３６を介して陽極Ｐからなる金属導体
基板３０に固定するように構成する。この場合、前記電
気絶縁材３６を介して前記薄板金属導体３５の縁部３５
ａ，３５ｂと金属導体基板３０との間にコンデンサ１
２、１３、１５、１６の両端子片を接触狭持する。
３０の表面，裏面上に並列に配置された複数の半導体ス
イッチ素子Ｑ1 （Ｑ3 ）は、段差を有する薄板金属導体
３３を介して前記Ｎ極からなる薄板金属導体３５に対し
並列に配置された複数の半導体スイッチ素子Ｑ
2 （Ｑ4 ）と直列接続されることになる。また、前記Ｎ
極からなる薄板金属導体３５の上下両端部をそれぞれ内
側に折曲すると共に、その縁部をさらに垂直に延設して
これを電気絶縁材３６を介して陽極Ｐからなる金属導体
基板３０に固定するように構成する。この場合、前記電
気絶縁材３６を介して前記薄板金属導体３５の縁部３５
ａ，３５ｂと金属導体基板３０との間にコンデンサ１
２、１３、１５、１６の両端子片を接触狭持する。
【００１５】このように構成した前記薄板金属導体３５
の各半導体スイッチ素子Ｑ1 （Ｑ3）、Ｑ2 （Ｑ4 ）と
対応する上面部には、それぞれクッション部材３７を介
して板ばね３８を配置し、各板ばね３８の両端部は前記
薄板金属導体３５の縁部３５ａ，３５ｂに対し間座３９
を介してねじ具４０により金属導体基板３０に対し前記
薄板金属導体３５と共に直接固定する。
の各半導体スイッチ素子Ｑ1 （Ｑ3）、Ｑ2 （Ｑ4 ）と
対応する上面部には、それぞれクッション部材３７を介
して板ばね３８を配置し、各板ばね３８の両端部は前記
薄板金属導体３５の縁部３５ａ，３５ｂに対し間座３９
を介してねじ具４０により金属導体基板３０に対し前記
薄板金属導体３５と共に直接固定する。
【００１６】このようにして、半導体スイッチ素子Ｑ1
（Ｑ3 ）、Ｑ2 （Ｑ4 ）を各電極板としての金属導体基
板３０と薄板金属導体３５との間に圧接することがで
き、前記各素子に圧接力が伝達されて各部品全てが電気
的にも熱的にも、さらに機械的にも有効に固定される。
図３は、図１および図２の構成のインバータユニットの
回路構成図を示し、単相ブリッジ回路の出力端子Ｕ、Ｖ
はそれぞれの前記薄板金属導体３３から導かれる。
（Ｑ3 ）、Ｑ2 （Ｑ4 ）を各電極板としての金属導体基
板３０と薄板金属導体３５との間に圧接することがで
き、前記各素子に圧接力が伝達されて各部品全てが電気
的にも熱的にも、さらに機械的にも有効に固定される。
図３は、図１および図２の構成のインバータユニットの
回路構成図を示し、単相ブリッジ回路の出力端子Ｕ、Ｖ
はそれぞれの前記薄板金属導体３３から導かれる。
【００１７】図４は、この発明の第２の実施例を示すイ
ンバータユニットの斜視図であり、半導体スイッチ素子
が配される近傍に冷媒が流通する孔５１を備えた金属導
体基板５０の両面に図示のように凹部５０ａを設け、出
力端子Ｕ、Ｖに導かれる薄板金属導体５２と半導体スイ
ッチ素子Ｑ2 （Ｑ4 ）との間に冷却する冷媒が流通する
孔５４を備えた厚板導体５３を接触狭持させて半導体ス
イッチ素子Ｑ2 （Ｑ4）の冷却能力を強化したこと以外
の構成は、図１および図２に示した第１の実施例と同様
である。
ンバータユニットの斜視図であり、半導体スイッチ素子
が配される近傍に冷媒が流通する孔５１を備えた金属導
体基板５０の両面に図示のように凹部５０ａを設け、出
力端子Ｕ、Ｖに導かれる薄板金属導体５２と半導体スイ
ッチ素子Ｑ2 （Ｑ4 ）との間に冷却する冷媒が流通する
孔５４を備えた厚板導体５３を接触狭持させて半導体ス
イッチ素子Ｑ2 （Ｑ4）の冷却能力を強化したこと以外
の構成は、図１および図２に示した第１の実施例と同様
である。
【００１８】図５は、この発明の第３の実施例を示すイ
ンバータ装置の斜視図である。図５において、インバー
タ装置６０は、複数のインバータユニット６１と、イン
バータユニット６１を係合狭持するガイドレール６２
と、ガイドレール６２を内面の上下それぞれに並設した
筐体６３と、複数の導体が電気絶縁材を介して積層され
た積層母線６４とから構成され、前記複数のインバータ
ユニット６１をガイドレール６２を介して筐体６３に挿
入し、前記筐体６３の背面でインバータユニット６１を
それぞれ積層母線６４に接続固定する。
ンバータ装置の斜視図である。図５において、インバー
タ装置６０は、複数のインバータユニット６１と、イン
バータユニット６１を係合狭持するガイドレール６２
と、ガイドレール６２を内面の上下それぞれに並設した
筐体６３と、複数の導体が電気絶縁材を介して積層され
た積層母線６４とから構成され、前記複数のインバータ
ユニット６１をガイドレール６２を介して筐体６３に挿
入し、前記筐体６３の背面でインバータユニット６１を
それぞれ積層母線６４に接続固定する。
【００１９】インバータユニット６１は、前述の第１お
よび第２の実施例のインバータユニットに対し、前述の
金属導体基板を中心として該インバータユニットの端部
を平行に形成させ、該金属導体基板の端部をガイドレー
ル６２に狭持させるようにすることと、単相ブリッジ回
路の出力端子Ｕ、Ｖはそれぞれの前述の薄板金属導体か
ら導かれて積層母線６４に、図６に示すように、ねじ具
６５で接続固定できるように構成することとが付加的に
具備すべき要件であり、図１、図４に示したインバータ
ユニットを、この２つの要件を満たす構成にすることは
容易である。
よび第２の実施例のインバータユニットに対し、前述の
金属導体基板を中心として該インバータユニットの端部
を平行に形成させ、該金属導体基板の端部をガイドレー
ル６２に狭持させるようにすることと、単相ブリッジ回
路の出力端子Ｕ、Ｖはそれぞれの前述の薄板金属導体か
ら導かれて積層母線６４に、図６に示すように、ねじ具
６５で接続固定できるように構成することとが付加的に
具備すべき要件であり、図１、図４に示したインバータ
ユニットを、この２つの要件を満たす構成にすることは
容易である。
【００２０】
【発明の効果】この発明のインバータユニットによれ
ば、各半導体スイッチ素子等の電気的接続は、接続線に
よらず所要の幅をもった導体のみで行うことができるた
め、単相ブリッジ回路を構成する各半導体スイッチ素子
間の漏れリアクタンスは勿論のこと、並列接続される隣
接した各半導体スイッチ素子との間の漏れリアクタンス
も極限まで小さくすることができる。このため、この発
明の構造によれば、上述の漏れリアクタンスに相当する
漏れインダクタンスが数ナノヘンリと小さく、好適な単
相ブリッジ回路が実現でき、数百キロヘルツの高周波出
力が容易に得られ、半導体スイッチ素子としての平形半
導体素子は１組当たり数百アンペア通電可能なので、５
〜６組並列接続すれば、１台のインバータユニット当た
り数十〜数百キロワットの出力が得られる。
ば、各半導体スイッチ素子等の電気的接続は、接続線に
よらず所要の幅をもった導体のみで行うことができるた
め、単相ブリッジ回路を構成する各半導体スイッチ素子
間の漏れリアクタンスは勿論のこと、並列接続される隣
接した各半導体スイッチ素子との間の漏れリアクタンス
も極限まで小さくすることができる。このため、この発
明の構造によれば、上述の漏れリアクタンスに相当する
漏れインダクタンスが数ナノヘンリと小さく、好適な単
相ブリッジ回路が実現でき、数百キロヘルツの高周波出
力が容易に得られ、半導体スイッチ素子としての平形半
導体素子は１組当たり数百アンペア通電可能なので、５
〜６組並列接続すれば、１台のインバータユニット当た
り数十〜数百キロワットの出力が得られる。
【００２１】また、この発明のインバータ装置によれ
ば、上記インバータユニットを使用した２〜１０台が並
列運転が可能となり、積層母線の漏れインダクタンスも
数ナノヘンリ以下にできるので、百キロワット〜数千キ
ロワットのインバータ装置を構成することができる。
ば、上記インバータユニットを使用した２〜１０台が並
列運転が可能となり、積層母線の漏れインダクタンスも
数ナノヘンリ以下にできるので、百キロワット〜数千キ
ロワットのインバータ装置を構成することができる。
【図１】この発明の第１の実施例を示すインバータユニ
ットの斜視図
ットの斜視図
【図２】図１に示すインバータユニットの要部断面図
【図３】図１に示すインバータユニットの回路図
【図４】この発明の第２の実施例を示すインバータユニ
ットの斜視図
ットの斜視図
【図５】この発明の第３の実施例を示すインバータ装置
の斜視図
の斜視図
【図６】図５に示すインバータ装置の要部詳細説明図
【図７】従来例を説明する回路図
１０，６０ インバータ装置 １１ 直流電源 １２，１３，１５，１６ コンデンサ １４ 負荷 Ｑ1 〜Ｑ4 半導体スイッチ素子 ３０，５０ 金属導体基板 ３１，５１，５４ 孔 ３２，３４，３６ 電気絶縁材 ３３，３５，５２ 薄板金属導体 ３７ クッション部材 ３８ 板ばね ３９ 間座 ４０，６５ ねじ具 ６０ インバータ装置 ６１ インバータユニット ６２ ガイドレール ６３ 筐体 ６４ 積層母線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 粟谷 宏治 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−238469（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−48160（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−364379（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−197416（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−225548（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−77476（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02M 7/5387
Claims (3)
- 【請求項１】直流電源の陽極に接続された金属導体基板
の両面にそれぞれスイッチ素子を配し、該金属導体基板
の片面でインバータの１アームを構成し、金属導体基板
の両面の２つのアームにより単相ブリッジ回路を形成し
たインバータユニットにおいて、 前記金属導体基板に、該金属導体基板を冷却する冷媒が
流通可能な孔を備え、 該金属導体基板の片面に構成される１アームを、 前記直流電源の陰極に接続された第１の薄板金属導体
と、 前記金属導体基板と第１の薄板金属導体との間にそれぞ
れ電気絶縁材を介して、片面の一部が前記金属導体基板
と当接すると共に他の面の一部が第１の薄板金属導体と
当接するするよう段差を設けた第２の薄板金属導体と、 第２の薄板金属導体と金属導体基板との間に狭持される
第１の平形半導体素子と、 第２の薄板金属導体と第１の薄板金属導体との間に狭持
される冷却する冷媒が流通可能な孔を備えた厚板導体と
第２の平形半導体素子とから構成し、 前記第１，第２の平形半導体素子を前記第２の薄板金属
導体を介して直列接続し、かつ、該直列回路を金属導体
基板と第１の薄板金属導体との間に接続し、 金属導体基板、第１，第２の薄板金属導体、第１の平形
半導体素子、厚板導体と第２の平形半導体素子それぞれ
が接面を圧接して構成していることを特徴とするインバ
ータユニット。 - 【請求項２】請求項１に記載のインバータユニットと、
該インバータユニットを収納する筐体と、該筐体の内面
に対向して設けられ前記インバータユニットを係合狭持
するガイドレールと、複数の導体が電気絶縁材を介して
積層された積層母線とを備え、 前記インバータユニットの収納時には、前記筐体の背面
で該インバータユニットと前記積層母線とが接続される
ことを特徴とするインバータ装置。 - 【請求項３】請求項２に記載のインバータ装置におい
て、 前記インバータユニットの端部を平行に形成し、前記ガ
イドレールに狭持させることを特徴とするインバータ装
置。
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