JP3225838B2 - 高周波用誘電体組成物 - Google Patents
高周波用誘電体組成物Info
- Publication number
- JP3225838B2 JP3225838B2 JP10243196A JP10243196A JP3225838B2 JP 3225838 B2 JP3225838 B2 JP 3225838B2 JP 10243196 A JP10243196 A JP 10243196A JP 10243196 A JP10243196 A JP 10243196A JP 3225838 B2 JP3225838 B2 JP 3225838B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- dielectric composition
- glass
- main component
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路に使用
される素子を構成する誘電体として有効な高周波用誘電
体組成物に関する。
される素子を構成する誘電体として有効な高周波用誘電
体組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波回路に使用されるフィルタ等の部
品の小型・高信頼化には、多層デバイスが有効である。
この場合、多層デバイス用材料は、ある程度高い誘電率
（ε＝１０以上）、高いＱ（即ち、低い誘電損失）を示
し、ＣｕやＡｇ／Ｐｄ導体との同時焼成が必要であるこ
とから、１０００℃以下での焼成が可能であること（即
ち、１０００℃以下の焼成で十分に緻密化すること）が
必要とされる。
品の小型・高信頼化には、多層デバイスが有効である。
この場合、多層デバイス用材料は、ある程度高い誘電率
（ε＝１０以上）、高いＱ（即ち、低い誘電損失）を示
し、ＣｕやＡｇ／Ｐｄ導体との同時焼成が必要であるこ
とから、１０００℃以下での焼成が可能であること（即
ち、１０００℃以下の焼成で十分に緻密化すること）が
必要とされる。
【０００３】従来、１０００℃以下の焼成が可能な高周
波用誘電体として ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａ
Ｏ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2 系ガラス材料 Ｐｂ含有ペロブスカイト系材料 Ｂｉ含有系材料 セラミックス−ガラス複合系材料 が開発され、使用されている。
波用誘電体として ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａ
Ｏ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2 系ガラス材料 Ｐｂ含有ペロブスカイト系材料 Ｂｉ含有系材料 セラミックス−ガラス複合系材料 が開発され、使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の材料では、
次のような問題点があった。即ち、Ｐｂ含有ペロブスカ
イト系やＢｉ含有系材料では、焼成中の成分揮発による
組成のズレが発生し、安定な製造が困難である。また、
ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａＯ−
ＳｒＯ−ＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 系ガラス材料やセラミック
ス−ガラス複合系材料では、比誘電率が、それぞれε＝
６，ε＝１５と低く、Ｑも１０００程度（１ＭＨｚ）と
比較的小さい。
次のような問題点があった。即ち、Ｐｂ含有ペロブスカ
イト系やＢｉ含有系材料では、焼成中の成分揮発による
組成のズレが発生し、安定な製造が困難である。また、
ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａＯ−
ＳｒＯ−ＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 系ガラス材料やセラミック
ス−ガラス複合系材料では、比誘電率が、それぞれε＝
６，ε＝１５と低く、Ｑも１０００程度（１ＭＨｚ）と
比較的小さい。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決し、高周
波回路に使用される素子の小型・高信頼化に有効な多層
デバイス用材料として有用な、誘電率及びＱが共に高
く、１０００℃以下での焼成が可能な高周波用誘電体組
成物を提供することを目的とする。
波回路に使用される素子の小型・高信頼化に有効な多層
デバイス用材料として有用な、誘電率及びＱが共に高
く、１０００℃以下での焼成が可能な高周波用誘電体組
成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
組成物は、Ｓｒｘ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３（た
だし、ｘ／ｙ＝０．９６〜１．０６）を主成分とし、該
主成分に対し０．１〜５０重量％のガラスを添加した高
周波用誘電体組成物であって、該ガラスが下記組成のＭ
ｇＯ−ＢａＯ−Ｂ ２ Ｏ ３ −ＳｉＯ ２ 系ガラスであること
を特徴とする高周波用誘電体組成物。ＭｇＯ ：２０〜５０重量％ ＢａＯ ： ５〜２５重量％ Ｂ ２ Ｏ ３ ：１５〜３０重量％ ＳｉＯ ２ ：１０〜２５重量％
組成物は、Ｓｒｘ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３（た
だし、ｘ／ｙ＝０．９６〜１．０６）を主成分とし、該
主成分に対し０．１〜５０重量％のガラスを添加した高
周波用誘電体組成物であって、該ガラスが下記組成のＭ
ｇＯ−ＢａＯ−Ｂ ２ Ｏ ３ −ＳｉＯ ２ 系ガラスであること
を特徴とする高周波用誘電体組成物。ＭｇＯ ：２０〜５０重量％ ＢａＯ ： ５〜２５重量％ Ｂ ２ Ｏ ３ ：１５〜３０重量％ ＳｉＯ ２ ：１０〜２５重量％
【０００７】Ｓｒｘ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３に
対し０．１〜５０重量％の特定組成のＭｇＯ−ＢａＯ−
Ｂ ２ Ｏ ３ −ＳｉＯ ２ 系ガラスを添加すると、Ｑ，εを低
下させることなく、１０００℃以下での焼成が可能とな
る。
対し０．１〜５０重量％の特定組成のＭｇＯ−ＢａＯ−
Ｂ ２ Ｏ ３ −ＳｉＯ ２ 系ガラスを添加すると、Ｑ，εを低
下させることなく、１０００℃以下での焼成が可能とな
る。
【０００８】なお、本発明において、誘電体組成物が窒
素雰囲気中で焼成される場合は、主成分のｘ／ｙ比を
０．９６〜１．０６とし、誘電体組成物が大気中で焼成
される場合は、主成分のｘ／ｙ比を０．９６〜１．０１
とするのが好ましい。
素雰囲気中で焼成される場合は、主成分のｘ／ｙ比を
０．９６〜１．０６とし、誘電体組成物が大気中で焼成
される場合は、主成分のｘ／ｙ比を０．９６〜１．０１
とするのが好ましい。
【０００９】また、本発明において、特に、本発明の高
周波用誘電体組成物を多層デバイス用材料として用いる
場合は、前記主成分に対するガラス添加量を１〜４０重
量％とすることが望ましい。
周波用誘電体組成物を多層デバイス用材料として用いる
場合は、前記主成分に対するガラス添加量を１〜４０重
量％とすることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒｘ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３（ただし、ｘ／ｙ＝
０．９６〜１．０６）を主成分とし、この主成分に対し
て特定組成のＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ ２ Ｏ ３ −ＳｉＯ ２ 系ガ
ラスを０．１〜５０重量％添加したものである。
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３（ただし、ｘ／ｙ＝
０．９６〜１．０６）を主成分とし、この主成分に対し
て特定組成のＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ ２ Ｏ ３ −ＳｉＯ ２ 系ガ
ラスを０．１〜５０重量％添加したものである。
【００１２】本発明において、誘電体組成物を窒素雰囲
気中で焼成して用いる場合、主成分Ｓｒx （Ｎｉ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）y Ｏ3 のｘ／ｙ比は０．９６〜１．０６とす
る。この値が０．９６未満でも１．０６を超えても、得
られる誘電体のＱが著しく低下する。ただし、１．０６
を超える場合には、比誘電率の温度特性は上昇する。
気中で焼成して用いる場合、主成分Ｓｒx （Ｎｉ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）y Ｏ3 のｘ／ｙ比は０．９６〜１．０６とす
る。この値が０．９６未満でも１．０６を超えても、得
られる誘電体のＱが著しく低下する。ただし、１．０６
を超える場合には、比誘電率の温度特性は上昇する。
【００１３】また、誘電体組成物を大気中で焼成して用
いる場合、主成分Ｓｒx （Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 の
ｘ／ｙ比は０．９６〜１．０１とする。この値が０．９
６未満でも１．０１を超えても、得られる誘電体のＱが
著しく低下する。ただし、１．０１を超える場合には、
比誘電率の温度特性は上昇する。
いる場合、主成分Ｓｒx （Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 の
ｘ／ｙ比は０．９６〜１．０１とする。この値が０．９
６未満でも１．０１を超えても、得られる誘電体のＱが
著しく低下する。ただし、１．０１を超える場合には、
比誘電率の温度特性は上昇する。
【００１４】本発明において、主成分に対するガラスの
添加量が０．１重量％未満では、１０００℃以下の焼成
で十分に緻密化することができず、Ｑが低いものとな
る。主成分に対するガラスの添加量が５０重量％を超え
ると相対的にＳｒx （Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 の含有
量が少なくなるために、誘電率及びＱが低下する。
添加量が０．１重量％未満では、１０００℃以下の焼成
で十分に緻密化することができず、Ｑが低いものとな
る。主成分に対するガラスの添加量が５０重量％を超え
ると相対的にＳｒx （Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 の含有
量が少なくなるために、誘電率及びＱが低下する。
【００１５】本発明においては、主成分に対するガラス
添加量を１〜４０重量％、特に２〜３０重量％とした場
合、誘電率及びＱが共に著しく高い高周波用誘電体組成
物を得ることができる。
添加量を１〜４０重量％、特に２〜３０重量％とした場
合、誘電率及びＱが共に著しく高い高周波用誘電体組成
物を得ることができる。
【００１６】なお、本発明において、ガラスとしては、
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを用い、
その組成割合は、下記の通りである。
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを用い、
その組成割合は、下記の通りである。
【００１７】ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス組成（重量％） ＭｇＯ ：２０〜５０ ＢａＯ ： ５〜２５ Ｂ2 Ｏ3 ：１５〜３０ ＳｉＯ2 ：１０〜２５ 本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒx （Ｎｉ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）y Ｏ3 を構成する金属元素の酸化物又は炭酸
塩、例えば、ＳｒＣＯ3 ，ＮｉＯ及びＮｂ2 Ｏ5を、Ｓ
ｒx （Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 組成比となるように混
合、仮焼して得られるＳｒx （Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）y Ｏ
3 主成分に対して、所定割合のガラスを添加混合するこ
とにより容易に調製することができ、このような発明の
高周波用誘電体組成物は、適当なバインダを添加して成
形し、窒素雰囲気中又は大気中で１０００℃以下、例え
ば９５０〜９８０℃で焼成することにより、容易に使用
に供することができる。
ラス組成（重量％） ＭｇＯ ：２０〜５０ ＢａＯ ： ５〜２５ Ｂ2 Ｏ3 ：１５〜３０ ＳｉＯ2 ：１０〜２５ 本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒx （Ｎｉ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）y Ｏ3 を構成する金属元素の酸化物又は炭酸
塩、例えば、ＳｒＣＯ3 ，ＮｉＯ及びＮｂ2 Ｏ5を、Ｓ
ｒx （Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 組成比となるように混
合、仮焼して得られるＳｒx （Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）y Ｏ
3 主成分に対して、所定割合のガラスを添加混合するこ
とにより容易に調製することができ、このような発明の
高周波用誘電体組成物は、適当なバインダを添加して成
形し、窒素雰囲気中又は大気中で１０００℃以下、例え
ば９５０〜９８０℃で焼成することにより、容易に使用
に供することができる。
【００１８】なお、窒素雰囲気中で焼成する場合には、
焼成に先立ち、大気中、５００〜６００℃で脱バインダ
処理する。
焼成に先立ち、大気中、５００〜６００℃で脱バインダ
処理する。
【００１９】Ｓｒｘ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３主
成分にＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを
添加する場合、ガラス成分と同重量比の各酸化物又は相
当量の炭酸塩をＳｒｘ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３
主成分に添加混合し、熱処理時にガラス化と焼成とを同
時に行っても良いが、予め製造したガラスフリットとし
て添加するのが望ましい。
成分にＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを
添加する場合、ガラス成分と同重量比の各酸化物又は相
当量の炭酸塩をＳｒｘ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３
主成分に添加混合し、熱処理時にガラス化と焼成とを同
時に行っても良いが、予め製造したガラスフリットとし
て添加するのが望ましい。
【００２０】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２１】実施例１〜９，比較例１，２ ＳｒＣＯ3 ，ＮｉＯ及びＮｂ2 Ｏ5 をＳｒx （Ｎｉ1/3
Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 （ｘ／ｙ＝１）の化学量論比となるよ
うに秤量し、２−プロパノールを分散媒として、２４時
間ボールミルで粉砕・混合した後、乾燥し、その後、大
気中にて１３５０℃で４時間仮焼した。仮焼物を再度２
−プロパノールを分散媒として、２４時間ボールミルで
粉砕・混合し、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 を合成し
た。
Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 （ｘ／ｙ＝１）の化学量論比となるよ
うに秤量し、２−プロパノールを分散媒として、２４時
間ボールミルで粉砕・混合した後、乾燥し、その後、大
気中にて１３５０℃で４時間仮焼した。仮焼物を再度２
−プロパノールを分散媒として、２４時間ボールミルで
粉砕・混合し、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 を合成し
た。
【００２２】得られたＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 に
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス（成分重
量比ＭｇＯ：ＢａＯ：Ｂ2 Ｏ3 ：ＳｉＯ2 ＝４５：１
５：２５：１５）フリットを表１に示す割合で添加混合
し、バインダ（５重量％ポリビニルアルコール水溶液）
を混合物に対して２０〜３０重量％加えて、直径１５ｍ
ｍ、厚み１．５ｍｍのペレットに成形し、大気中にて９
８０℃で１時間焼成した。
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス（成分重
量比ＭｇＯ：ＢａＯ：Ｂ2 Ｏ3 ：ＳｉＯ2 ＝４５：１
５：２５：１５）フリットを表１に示す割合で添加混合
し、バインダ（５重量％ポリビニルアルコール水溶液）
を混合物に対して２０〜３０重量％加えて、直径１５ｍ
ｍ、厚み１．５ｍｍのペレットに成形し、大気中にて９
８０℃で１時間焼成した。
【００２３】得られた試料について比誘電率ε，Ｑ及び
相対密度を測定し、結果を表１に示した。
相対密度を測定し、結果を表１に示した。
【００２４】なお、比誘電率はＹＨＰ社製「ＬＦインピ
ーダンスアナライザモデル４１９２Ａ」を用い、測定周
波数１ＭＨZ 、測定電圧０．５Ｖｒｍｓ、温度２５℃に
て測定した。また、ＱはＹＨＰ社製「Ｑメーターモデル
４３４２Ａ」を用い、測定周波数１ＭＨZ 、温度２５℃
にて測定した。
ーダンスアナライザモデル４１９２Ａ」を用い、測定周
波数１ＭＨZ 、測定電圧０．５Ｖｒｍｓ、温度２５℃に
て測定した。また、ＱはＹＨＰ社製「Ｑメーターモデル
４３４２Ａ」を用い、測定周波数１ＭＨZ 、温度２５℃
にて測定した。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１より次のことが明らかである。
【００２７】即ち、ガラス添加量が０．１重量％未満の
場合には（比較例１）、焼成温度９８０℃では緻密化せ
ず十分なＱ値が得られない。また、ガラス添加量が５０
重量％を超えると（比較例２）、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 分率低下のために十分なＱ，εが得られな
い。
場合には（比較例１）、焼成温度９８０℃では緻密化せ
ず十分なＱ値が得られない。また、ガラス添加量が５０
重量％を超えると（比較例２）、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 分率低下のために十分なＱ，εが得られな
い。
【００２８】これに対して、ガラスを０．１〜５０重量
％添加したもの（実施例１〜９）、特に、１〜４０重量
％（実施例２〜８）、とりわけ２〜３０重量％添加した
もの（実施例３〜７）では、９８０℃の焼成で十分に緻
密化し、Ｑ，εが共に高いものとなっている。
％添加したもの（実施例１〜９）、特に、１〜４０重量
％（実施例２〜８）、とりわけ２〜３０重量％添加した
もの（実施例３〜７）では、９８０℃の焼成で十分に緻
密化し、Ｑ，εが共に高いものとなっている。
【００２９】実施例１０〜１３，比較例３〜５ ｘ／ｙの値が表２に示す値となるようにＳｒx （Ｎｉ
1/3 Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 を合成したこと以外は実施例５
（ただし、バインダ添加量２０重量％）と同様にしてペ
レットを成形し、同様に、大気中にて９８０℃で焼成し
た。
1/3 Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 を合成したこと以外は実施例５
（ただし、バインダ添加量２０重量％）と同様にしてペ
レットを成形し、同様に、大気中にて９８０℃で焼成し
た。
【００３０】得られた試料について、実施例１と同様に
して比誘電率ε及びＱを測定すると共に、比誘電率の温
度特性を調べ、結果を表２に示した。
して比誘電率ε及びＱを測定すると共に、比誘電率の温
度特性を調べ、結果を表２に示した。
【００３１】なお、比誘電率の温度特性は、２０℃及び
８５℃でそれぞれ測定した容量値Ｃ20，Ｃ85から下記式
より算した。
８５℃でそれぞれ測定した容量値Ｃ20，Ｃ85から下記式
より算した。
【００３２】
【数１】
【００３３】
【表２】
【００３４】表２より明らかなように、大気中で焼成す
る場合には、ｘ／ｙ＝０．９６〜１．０１であることが
必要とされる。
る場合には、ｘ／ｙ＝０．９６〜１．０１であることが
必要とされる。
【００３５】実施例１４〜１９，比較例６〜７ ｘ／ｙの値が表３に示す値となるようにＳｒx （Ｎｉ
1/3 Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 を合成したこと以外は実施例５
（ただし、バインダ添加量２０重量％）と同様にしてペ
レットを成形した。得られたペレットを大気中、６００
℃で４時間脱バインダ処理を行った後、窒素雰囲気中、
９８０℃で１時間焼成した。
1/3 Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 を合成したこと以外は実施例５
（ただし、バインダ添加量２０重量％）と同様にしてペ
レットを成形した。得られたペレットを大気中、６００
℃で４時間脱バインダ処理を行った後、窒素雰囲気中、
９８０℃で１時間焼成した。
【００３６】得られた試料について、実施例１０と同様
にして比誘電率ε、Ｑ及び比誘電率の温度特性を調べ、
結果を表３に示した。
にして比誘電率ε、Ｑ及び比誘電率の温度特性を調べ、
結果を表３に示した。
【００３７】
【表３】
【００３８】表３より明らかなように、窒素雰囲気中で
焼成する場合には、ｘ／ｙ＝０．９６〜１．０６である
ことが必要とされる。
焼成する場合には、ｘ／ｙ＝０．９６〜１．０６である
ことが必要とされる。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用誘
電体組成物は、Ｑ，εが共に高く、１０００℃以下での
焼成も可能である。このため、本発明によれば、高特性
多層デバイスを構成することにより、高周波回路に使用
される素子の小型・高信頼化を有効に達成することがで
きる。
電体組成物は、Ｑ，εが共に高く、１０００℃以下での
焼成も可能である。このため、本発明によれば、高特性
多層デバイスを構成することにより、高周波回路に使用
される素子の小型・高信頼化を有効に達成することがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠原 義典 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱マテリアル株式会社電子技術研究所 内 (56)参考文献 特開 平３−153571（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−123488（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−112461（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−112453（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−211006（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｒｘ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）ｙＯ３
（ただし、ｘ／ｙ＝０．９６〜１．０６）を主成分と
し、該主成分に対し０．１〜５０重量％のガラスを添加
した高周波用誘電体組成物であって、該ガラスが下記組
成のＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ ２ Ｏ ３ −ＳｉＯ ２ 系ガラスであ
ることを特徴とする高周波用誘電体組成物。ＭｇＯ ：２０〜５０重量％ ＢａＯ ： ５〜２５重量％ Ｂ ２ Ｏ ３ ：１５〜３０重量％ ＳｉＯ ２ ：１０〜２５重量％ - 【請求項２】 請求項１において、窒素雰囲気中で焼成
される誘電体組成物であって、主成分のｘ／ｙ比が０．
９６〜１．０６であることを特徴とする高周波用誘電体
組成物。 - 【請求項３】 請求項１において、大気中で焼成される
誘電体組成物であって、主成分のｘ／ｙ比が０．９６〜
１．０１であることを特徴とする高周波用誘電体組成
物。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項の組成
物において、前記ガラスを前記主成分に対して１〜４０
重量％添加したことを特徴とする高周波用誘電体組成
物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243196A JP3225838B2 (ja) | 1995-11-10 | 1996-04-24 | 高周波用誘電体組成物 |
| TW085113434A TW416063B (en) | 1995-11-10 | 1996-11-04 | Dielectric composition for high frequency |
| US08/745,770 US5723396A (en) | 1995-11-10 | 1996-11-08 | Dielectric composition for high frequencies |
| KR1019960053034A KR100434004B1 (ko) | 1995-11-10 | 1996-11-09 | 고주파용 유전체 조성물 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29275095 | 1995-11-10 | ||
| JP7-292750 | 1995-11-10 | ||
| JP10243196A JP3225838B2 (ja) | 1995-11-10 | 1996-04-24 | 高周波用誘電体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09188563A JPH09188563A (ja) | 1997-07-22 |
| JP3225838B2 true JP3225838B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=26443151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10243196A Expired - Fee Related JP3225838B2 (ja) | 1995-11-10 | 1996-04-24 | 高周波用誘電体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225838B2 (ja) |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP10243196A patent/JP3225838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09188563A (ja) | 1997-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110171963A (zh) | 一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末 | |
| JP4632534B2 (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
| JP3737774B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
| JP3624405B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JP2009023895A (ja) | セラミックス基板及びその製造方法 | |
| JP3216967B2 (ja) | 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 | |
| JP3225838B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
| JP3446249B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP2003119076A (ja) | 誘電体セラミック組成物およびこれを用いたセラミック電子部品 | |
| JP3225828B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
| JP2000086337A (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| JP2000264721A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3085625B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3225833B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
| JP3179830B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3624406B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JP3754827B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP4618856B2 (ja) | 低温焼成磁器 | |
| JP3631607B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| KR100434004B1 (ko) | 고주파용 유전체 조성물 | |
| JP3631589B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP2725372B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3624407B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JP3350379B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3699598B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010731 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080831 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080831 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090831 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090831 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130831 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |