JP3200787B2

JP3200787B2 - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JP3200787B2
Application number: JP25295593A
Authority: JP
Inventors: 圭二諸石; 順一堀川; 正人小林; 順野沢
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1992-10-26
Filing date: 1993-10-08
Publication date: 2001-08-20
Anticipated expiration: 2016-08-20
Also published as: JPH06215348A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体の製造方法
に関し、特に、磁気ディスク、フレキシブルディスク、
スチルカメラ、又はビデオ等の磁気記録用金属薄膜媒体
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、磁気記録媒体用合金として保磁
力（Ｈｃ）及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）の高いＣｏ
Ｐｔ系合金が用いられている。このＣｏＰｔ系合金を用
いて磁気記録媒体を構成する際、その磁気特性を向上さ
せるため、一般に基板と磁性層との間に下地層を形成す
ることが行なわれている。例えば、特公平４−１６８４
８号公報（以下「文献１」と呼ぶ）には、下地層にＣｒ
Ｖ又はＣｒＦｅを含み、磁性層にＣｏＰｔを含む磁気記
録媒体が示されており、この磁気記録媒体では保磁力及
び磁化曲線の角型比を向上できる旨記載されている。

【０００３】さらに、磁気記録媒体においては、その保
磁力及び残留磁化膜厚積を高めるため、ＣｏＰｔ磁性膜
に第３成分を添加することが行われており、このような
磁気記録媒体として、例えば、テレビジョン学会誌第４
０巻第６番第４７５頁乃至第４８０頁（１９８６年）
（以下「文献２」と呼ぶ）に記載された磁気記録媒体が
知られている。この磁気記録媒体では、ＣｏＰｔに第３
成分としてＭｏが添加された磁性層を直接ガラス基板上
に形成している。そして、この磁気記録媒体ではその保
磁力が５００エルステッド（Ｏｅ）以上であって、しか
も広範囲に保磁力を制御することができるばかりでなく
高密度記録を行うことができる旨記載されている。

【０００４】また、この種の磁気記録媒体が、ジャーナ
ルオブアプライドフィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．６７（１２），１５Ｊｕｎｅ１９９０
ｐｐ７５０７−７５０９）（以下「文献３」と呼ぶ）に
記載されており、この磁気記録媒体では、下地層として
Ｃｒに少量のＭｏが添加された金属を用い、この下地層
上にＣｏＮｉＣｒからなる磁性層を形成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、文献１に記
載された磁気記録媒体ではある程度高い保磁力を得るこ
とが可能であるが、保磁力は最高でも１６００Ｏｅ程度
であり、高密度記録を行うためには満足できる値ではな
い。

【０００６】また、文献２に記載された磁気記録媒体で
は、前述のように、下地層を介することなくガラス基板
上に直接磁性層を形成しており、ＣｏＰｔからなる磁性
層の保磁力が１０００Ｏｅ以上あるにもかかわらず、Ｃ
ｏＰｔＭｏからなる磁性層ではその保磁力がＭｏ濃度を
増加させると減少してしまうという傾向がある。例え
ば、Ｍｏ濃度が約１４ａｔ％の場合、保磁力が約３５０
Ｏｅとなってしまう。

【０００７】加えて、文献２に記載された磁気記録媒体
では、Ｍｏ濃度の増加につれて飽和磁束密度（Ｂｓ）も
減少してしまい、飽和磁束密度（Ｂｓ）の減少によって
残留磁化膜厚積（Ｍｒ・δ）も減少することになってし
まう。

【０００８】このように、文献２においては、ＣｏＰｔ
にＭｏを添加した磁性層を用いると、保磁力及び残留磁
化膜厚積ともに減少してしまうことがわかる。

【０００９】一方、文献３に示された磁気記録媒体で
は、その保磁力は１１２０Ｏｅであって、Ｃｒ単独で形
成された下地層を用いた磁気記録媒体の保磁力（１２８
０Ｏｅ）よりも保磁力が減少してしまう。

【００１０】文献２及び３の記載から理解できるよう
に、ＣｒにＭｏが添加された下地層及びＣｏＰｔにＭｏ
が添加された磁性層を有する磁気記録媒体では保磁力及
び残留磁化膜厚積が低下してしまう。

【００１１】本発明の目的は十分な保磁力及び残留磁化
膜厚積が得られ、しかも、経時変化の少ない磁気記録媒
体の製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、非磁性
基板上に少なくとも下地層及び磁性層を有する磁気記録
媒体の製造方法であって、前記非磁性基板はガラス基板
とし、前記下地層は主としてＣｒとＭｏとを含むＣｒＭ
ｏ系合金であって組成比でＭｏを２乃至４０ａｔ％含ん
でおり、前記磁性層は主としてＣｏとＰｔとを含むＣｏ
Ｐｔ系合金であって組成比でＰｔを５乃至３０ａｔ％含
んでおり、保持力が前記下地層の（１１０）面における
格子間隔と前記磁性層の（００２）面における格子間隔
とが接近して１７５０Ｏｅ以上にとなるように前記下地
層及び前記磁性層の組成比を設定するとともに前記下地
層及び前記磁性層成膜時の基板温度を１００℃から４０
０℃の範囲内で設定して、前記下地層及び前記磁性層を
成膜するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法が得られる。

【００１３】さらに、本発明では、磁性層にさらにモリ
ブデン（Ｍｏ）を含有するようにしてもよい。また、磁
性層にはさらにＴａ、Ｂ、Ｃｒ、Ｏ、Ｎ、Ｎｂ、Ｍｎ、
Ｚｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｖ、及びＺｒのうち少なくとも
一種を含有するようにしてもよい。

【００１４】加えて、本発明では、下地層にさらにＷ、
Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、
Ｚｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｔｉのうち
少なくとも一種を含有するようにしてもよい。

【００１５】下地層を形成する際には非磁性基板から磁
性層に向かう方向にＭｏ濃度が増加するようにしてもよ
い。

【００１６】また、磁性層上に保護層を形成する際に
は、保護層にＣｒ及びＭｏを含有させることが望まし
い。

【００１７】

【作用】本発明ではＣｒ及びＭｏが含有された下地層に
おいて、ＭｏがＣｒと固溶体を形成する。そして、Ｍｏ
の添加量に応じて格子が膨脹してクロムの（１１０）面
における格子間隔がＣｏ及びＰｔを含有する磁性層の格
子（００２）面に接近する。この結果、磁性層の配向が
変化して磁性層の保磁力を向上させることができる。

【００１８】磁性層にさらにＭｏを添加することによっ
て、磁壁のピン止め効果により保磁力が増加するばかり
でなく磁性粒の磁気的孤立化が促進されて保磁力が増加
する。また、磁性粒子の微細化によって保磁力が増加す
る。この保磁力に増加によって再生波におけるピーク幅
が小さくなって媒体ノイズが低下する。さらに、磁性層
へＭｏを添加することによってピン止め数が増加してジ
グザク壁の幅が減少することによっても媒体ノイズが低
減する。

【００１９】加えて、下地層と磁性層とに同一成分を含
有させることによって（つまり、Ｍｏを含有させること
によって）、下地層と磁性層との界面でＭｏの拡散が容
易となり、その結果、磁性粒の磁気的な孤立化がより促
進されるとともに下地層と磁性層との付着強度を高める
ことができる。

【００２０】また、Ｃｒ及びＭｏを含む下地層に上述の
Ｚｒ、Ｚｎ、及びＣｕ等を添加すると、これら添加元素
は下地層中のＣｒ又はＭｏに固溶しにくく、その結果、
添加元素が下地層中の結晶粒子の粒界に偏析する等して
結晶粒子の微細化及び粒子間の分離が促進される。これ
によって、下地層の膜構造を反映して磁性層中の結晶粒
子の微細化及び粒子間の分離（磁気的孤立化）が促進さ
れて、保磁力が増大するとともに媒体ノイズを低減させ
ることができる。

【００２１】

【実施例】以下本発明について実施例によって説明す
る。ここでは、本発明の実施例だけでなく、本発明の前
提となる参考例についても説明する。尚、参考例では、
全て基板温度を室温に保った状態で、各膜を成膜する。

【００２２】（参考例１）図１を参照して、直径６５ｍｍ厚さ０．９ｍｍのガラス
基板１を準備して、このガラス基板１をＲＦマグネトロ
ンスパッタ装置（図示せず）のチャンバー内に装着す
る。そして、チャンバー内を５×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の
圧力まで減圧する。その後、アルゴンガスをスパッタガ
スとしてガス圧１０ｍＴｏｒｒでスパッタ装置に供給
し、基板温度を室温として投入電力密度を２．５Ｗ／ｃ
ｍ²、Ｃｒ₈₀Ｍｏ₂₀（ａｔ％）をターゲットとしてガラ
ス基板１上に膜厚１０００オングストロームの下地層２
を形成した（一般式Ｃｒ_100-xＭｏ_x（ｘ＝０〜１０
０）においてｘ＝２０の場合）。続いて、同様にしてア
ルゴンガスをスパッタガスとして用いてＣｏ₈₂Ｐｔ
₁₈（ａｔ％）をターゲットとして、Ｃｏ₈₂Ｐｔ₁₈の組成
を有する膜厚４００オングストロームの磁性層３を下地
層２上に形成した。そして、アルゴンガスをスパッタガ
スとして用いて磁性層３上に膜厚５０オングストローム
のＣｒ₈₀Ｍｏ₂₀層４ａ及び膜厚４００オングストローム
のカーボン層４ｂを形成し、これらＣｒ₈₀Ｍｏ₂₀層４ａ
及びカーボン層４ｂを保護層５とした。この保護層４上
にパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層５を２０オ
ングストロームの厚さ塗布して磁気ディスク（磁気記録
媒体）６を得、この磁気ディスク６をディスクＡとし
た。

【００２３】さらに、一般式Ｃｒ_100-xＭｏ_x（ｘ＝０
〜１００）におけるｘをそれぞれ０，１０，３０，４
０，５０，６０，７０，８０，９０として、つまり、Ｃ
ｒ、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀、Ｃｒ₇₀Ｍｏ₃₀、Ｃｒ₆₀Ｍｏ₄₀、Ｃｒ
₅₀Ｍｏ₅₀、Ｃｒ₄₀Ｍｏ₆₀、Ｃｒ₃₀Ｍｏ₇₀、Ｃｒ₂₀Ｍ
ｏ₈₀、Ｃｒ₁₀Ｍｏ₉₀（ａｔ％）をそれぞれ下地層として
有する磁気ディスクを作成した。この際、ガラス基板、
磁性層、保護層、及び潤滑層は上記のディスクＡと同様
とし、さらに膜厚等他の条件もディスクＡと同様とし
た。

【００２４】これらディスクからそれぞれ直径８ｍｍの
試料を切り出して、振動試料型磁力計を用いて、各試料
について保磁力（Ｈｃ）および残留磁化膜厚積（Ｍｒ・
δ）を測定した。この際、膜面方向に最大外部印加磁場
を１２ｋＯｅとして磁場を印加した。この結果を図２に
示す。なお、図２において、◎が各試料の保磁力を示
す。

【００２５】図２から明らかなように、ＣｏＰｔからな
る磁性層を用いるとともにＣｒＭｏからなる下地層を用
いることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒体が
得られることがわかる。特に、一般式Ｃｒ_100-xＭｏ_x
（ｘ＝０〜１００）において、ｘ＝１０〜８０の下地層
を用いることによって保磁力がより高くなることがわか
る。

【００２６】次に、Ｃｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈の磁性層を有す
るとともに一般式Ｃｒ_100-xＭｏ_x（ｘ＝０〜１００）
で示される組成の下地層を有する磁気ディスクを上述の
ようにして、ｘを０乃至９０の範囲で変化させて作成し
た。この際、ガラス基板、保護層、及び潤滑層は上記の
ディスクＡと同様とし、さらに膜厚等他の条件もディス
クＡと同様とした。これらディスクからそれぞれ直径８
ｍｍの試料を切り出して、振動試料型磁力計を用いて、
各試料について保磁力（Ｈｃ）および残留磁化膜厚積
（Ｍｒ・δ）を測定した。この結果を図２に示す。な
お、図２において、○が各試料の保磁力を示す。

【００２７】図２から明らかなように、ＣｏＰｔＭｏか
らなる磁性層を用いるとともにＣｒＭｏからなる下地層
を用いることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒
体が得られることがわかる。特に、一般式Ｃｒ_100-xＭ
ｏ_x（ｘ＝０〜１００）において、ｘ＝１０〜８０の下
地層を用いることによって保磁力がより高くなることが
わかる。

【００２８】さらに、ディスクＡを作製した際と同様の
方法を用いて、一般式Ｃｒ_100-x-yＭｏ_yＺｒ_x（ａｔ
％）の組成を有する下地層及びＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａ
ｔ％）の組成を有する磁性層をガラス基板上に順次形成
して磁気ディスクを得た。この際、下地層中のＭｏ濃度
を９ａｔ％として（つまり、ｙ＝９として）、Ｚｒ濃度
を０乃至５０ａｔ％の範囲で変化させて（つまり、ｘ＝
０〜５０として）、複数の磁気ディスクを得た。同様に
して、下地層中のＭｏ濃度を１８ａｔ％として（つま
り、ｙ＝１８として）、Ｚｒ濃度を０乃至５０ａｔ％の
範囲で変化させて（つまり、ｘ＝０〜５０として）、複
数の磁気ディスクを得た。そして、これら磁気ディスク
の保磁力をディスクＡと同様にして測定した。この測定
結果を図３に示す（図３において、◇がＭｏ濃度が９ａ
ｔ％の場合を表し、◆がＭｏ濃度が１８ａｔ％の場合を
表す）。

【００２９】図３から明らかなように、ＣｒＭｏからな
る下地層にＺｒを添加することによって、磁気ディスク
の保磁力を高くすることができることがわかる。そし
て、下地層におけるＺｒの添加量が０．１〜３０ａｔ％
の範囲において、保磁力が高くなり、特に、０．１〜４
ａｔ％の範囲で、ＣｒＭｏのみからなる下地層を用いた
磁気ディスクよりも保磁力が高くなることがわかる。

【００３０】次に、Ｃｒ₈₀Ｍｏ₂₀（ａｔ％）の下地層及
びＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａｔ％）の磁性層を有する磁気
ディスク（以下この磁気ディスクを「ディスクＢ」と呼
ぶ、なお、ディスクＢの他の構成要素及び膜厚はディス
クＡと同様である）及びＣｒ₈₀Ｍｏ₁₈Ｚｒ₂（ａｔ％）
の下地層及びＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａｔ％）の磁性層を
有する磁気ディスク（以下の磁気ディスクを「ディスク
Ｃ」と呼ぶ、なお、ディスクＣの他の構成要素及び膜厚
はディスクＡと同様である）を用いて記録再生出力を測
定した。ここでは、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍ
の薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘッドとディスクＢの
相対速度を６ｍ／ｓとし、線記録密度８０ｋｆｃｉ（１
インチ当たり８０，０００ビットの線記録密度）におけ
る記録再生出力を測定した。この結果を表１に示す（表
１には、記録再生出力の他に保磁力及び残留磁化膜厚積
も示し、比較例として下地層にＣｒのみを用いた磁気デ
ィスクの測定結果も示す。なお、表１ではディスクＢ及
びＣをそれぞれ参考例２及び３とした）。なお、上述の
測定で用いた薄膜ヘッドはコイルターン数５０、トラッ
ク幅６μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．２５μｍであ
る。

【００３１】

【表１】

【００３２】表１から明らかなように、ディスクＢでは
下地層としてＣｒＭｏを用いているからＣｒのみの下地
層を用いた比較例に比べて磁気記録再生特性が著しく高
くなることがわかる。同様に、ディスクＣにおいても下
地層としてＣｒＭｏＺｒを用いているからＣｒのみの下
地層を用いた比較例に比べて磁気記録再生特性が著しく
高くなることがわかる。

【００３３】さらに、ディスクＡ及びＢを温度８０℃、
湿度８０％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置して耐蝕
性試験を行った。そして、ディスクＡ及びＢについて耐
蝕性試験直前から１０００時間経過後までの飽和磁化
（Ｍｓ）を測定した。この測定結果を図４に示す。

【００３４】図４において、横軸は時間を表し、縦軸は
各時間における飽和磁化を耐蝕性試験開始直前の飽和磁
化（Ｍｓ₀）で規格化した値を表す。図４から明らかな
ように、ＣｏＰｔ（ディスクＡ）及びＣｏＰｔＭｏ（デ
ィスクＢ）の磁性層は耐蝕性に優れており、特に、Ｃｏ
ＰｔにＭｏを添加することによって、耐蝕性が著しく向
上することがわかる。

【００３５】次に、キャリア周波数を９．４ＭＨｚ、測
定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーによ
ってディスクＡ、Ｂ、及びＣについて信号記録再生時に
おけるノイズスペクトラムを測定した（媒体ノイズＮｍ
で表す）。この結果、ディスクＡでは媒体ノイズが７．
５８μＶｒｍｓであったのに対してディスクＢでは媒体
ノイズが５．０８μＶｒｍｓであり、磁性層としてＣｏ
ＰｔＭｏを用いることによってより媒体ノイズが低減で
きた。また、ディスクＣでは媒体ノイズは４．８５μＶ
ｒｍｓであり、磁性層としてＣｏＰｔＭｏを用い、下地
層としてＣｒＭｏＺｒを用いることによって媒体ノイズ
をさらに低減することができる。

【００３６】（参考例４〜１０）参考例１と同様にしてターゲットとしてＣｒ₈₀Ｍｏ
₂₀（ａｔ％）を用いて、直径６５ｍｍ厚さ０．９ｍｍの
ガラス基板上に膜厚１５００オングストロームの下地層
（Ｃｒ₈₀Ｍｏ₂₀層）を形成した。続いて、Ｃｏ₇₀Ｐｔ₁₈
Ｍｏ₁₂（ａｔ％）をターゲットとして、Ｃｏ₇₀Ｐｔ₁₈Ｍ
ｏ₁₂の組成を有する膜厚４００オングストロームの磁性
層を下地層上に形成した。磁性層上に保護層としてＳｉ
Ｏ₂を膜厚５０オングストロームで形成して磁気ディス
クとした（参考例４）。そして、この磁気ディスクの保
磁力及び残留磁化膜厚積を参考例１と同様にして測定し
た。この結果を表２に示す。

【００３７】

【表２】

【００３８】さらに、下地層、磁性層、及び保護層の組
成を表２に示す組成として、磁気ディスクを作成した
（参考例５乃至参考例１０）。そして、これら磁気ディ
スクについて参考例４と同様にして保磁力及び残留磁化
膜厚積を測定した。

【００３９】表２から明らかなように、下地層としてＣ
ｒＭｏを用い、磁性層としてＣｏＰｔに３０ａｔ％まで
のＭｏが添加された磁性層を用いることよって保磁力及
び残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。

【００４０】次に、本発明の実施例１〜５を説明する。
これら実施例では、直径６５ｍｍ厚さ０．９ｍｍのガラ
ス基板を準備して、このガラス基板をＤＣマグネトロン
スパッタ装置（図示せず）のチャンバー内に装着する。
そして、チャンバー内を８×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の圧力
まで減圧する。その後、アルゴンガスをスパッタガスと
してガス圧１５ｍＴｏｒｒでスパッタ装置に供給し、投
入電力密度を１８Ｗ／ｃｍ²、基板温度をそれぞれ１０
０℃（実施例１）、２００℃（実施例２）、２５０℃
（実施例３）、３００℃（実施例４）、及び４００℃
（実施例５）としてＣｒ₇₀Ｍｏ₃₀（ａｔ％）をターゲッ
トとしてガラス基板上に膜厚２０００オングストローム
の下地層（Ｃｒ₇₀Ｍｏ₃₀層）を形成した。続いて、アル
ゴンガスをスパッタガスとしてＣｏ₆₈Ｐｔ₁₇Ｍｏ₁₅（ａ
ｔ％）をターゲットとして、Ｃｏ₆₈Ｐｔ₁₇Ｍｏ₁₅の組成
を有する膜厚３５０オングストロームの磁性層を下地層
上に形成した。そして、アルゴンガスをスパッタガスと
してＣｒ₇₀Ｍｏ₃₀（ａｔ％）をターゲットして用いて磁
性層上に膜厚８０オングストロームの保護膜を形成し、
さらにこの保護膜上に膜厚１５０オングストロームのＳ
ｉＯ₂からなる保護層を形成して磁気ディスクを作製し
た。

【００４１】これら実施例１乃至５の磁気ディスクにつ
いて参考例１と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚積を
測定した。この測定結果を表３に示す。

【００４２】

【表３】

【００４３】表３から明らかなように、基板温度を４０
０℃まで上げて磁気ディスクを作成しても磁気特性が劣
化することなく、良好な磁気特性が得られることがわか
る。

【００４４】更に、上記した実施例に関連する参考例１
１〜３０を説明する。参考例１と同様の方法を用いて、
表４に示す組成の下地層、磁性層、及び保護層を有する
磁気ディスク（参考例１１乃至３０）を作製して、これ
ら参考例１１乃至３０の磁気ディスクについて参考例１
と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚積を測定した。

【００４５】

【表４】

【００４６】表４から明らかなようにＣｒＭｏにＺｒ以
外の他の追加成分が添加された下地層を用いても保磁力
及び残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。

【００４７】更に、参考例３１〜５６について説明す
る。参考例４と同様の方法を用いて、表５に示す組成の
下地層（膜厚２０００オングストローム）、磁性層（膜
厚４５０オングストローム）、及び保護層（膜厚１５０
オングストローム）を有する磁気ディスク（参考例３１
乃至５６）を作製して、これら参考例３１乃至５６の磁
気ディスクについて参考例４と同様にして保磁力及び残
留磁化膜厚積を測定した。

【００４８】

【表５】

【００４９】表５から明らかなように、ＣｏＰｔＭｏに
他の追加成分が添加された磁性層を用いても保磁力及び
残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。

【００５０】更に、参考例５７を上げる。この参考例５
７の作成の際、まず、直径６５ｍｍ厚さ０．９ｍｍのガ
ラス基板をＲＦマグネトロンスパッタ装置（図示せず）
のチャンバー内に装着して、チャンバー内を５×１０^-7
Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。その後、アルゴンガ
スをスパッタガスとしてガス圧１０ｍＴｏｒｒでスパッ
タ装置に供給し、基板温度を室温として、Ｃｒターゲッ
ト及びＭｏターゲットを同時に放電させた。この際、Ｃ
ｒターゲットに対する投入電力密度を２．５Ｗ／ｃｍ²
とし、Ｍｏターゲットに対する投入電力密度を０．１Ｗ
／ｃｍ²から１．２Ｗ／ｃｍ²まで変化させ、ガラス基
板上に膜厚１５００オングストロームの下地層を形成し
た。この結果、下地層において下方から上方に向かって
順次Ｍｏ濃度が増加した。

【００５１】同様にして、アルゴンガスをスパッタガス
として用いてＣｒ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａｔ％）をターゲッ
トとして、Ｃｒ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈の組成を有する膜厚４０
０オングストロームの磁性層を下地層上に形成した。そ
して、アルゴンガスをスパッタガスとして用いて磁性層
上に膜厚５０オングストロームのＣｒ層及び膜厚３００
オングストロームのＳｉＯ₂を形成し、これらＣｒ層及
びＳｉＯ₂層を保護層とした。その後、この保護層上に
パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を２０オング
ストロームの厚さ塗布して磁気ディスク（磁気記録媒
体）を得た。

【００５２】この磁気ディスクについて振動試料型磁力
計を用いて、その保磁力（Ｈｃ）を測定した。この際、
膜面方向に最大外部印加磁場を１２ｋＯｅとして磁場を
印加した。この結果、保磁力は２５００Ｏｅであった。

【００５３】さらに、上記の磁気ディスクについて記録
再生出力を測定した。ここでは、磁気ヘッド浮上量が
０．０５５μｍの薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘッド
とディスクＢの相対速度を６ｍ／ｓとし、線記録密度８
０ｋｆｃｉにおける記録再生出力を測定した。この結
果、記録再生出力は２２５μＶであった。

【００５４】また、キャリア周波数を９．４ＭＨｚ、測
定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーによ
って上記の磁気ディスクについて信号記録再生時におけ
るノイズスペクトラムを測定した（媒体ノイズＮｍで表
す）。この結果、媒体ノイズは５．１５μＶｒｍｓであ
った。

【００５５】なお、上述の測定で用いた薄膜ヘッドはコ
イルターン数５０、トラック幅６μｍ、磁気ヘッドギャ
ップ長０．２５μｍである。

【００５６】このようにして、下地層におけるＭｏ濃度
を上方に向かって（基板から磁性層に向う方向）増加さ
せるように変化させると、良好な磁気特性が得られる。

【００５７】更に、以下のようにして製作された参考例
５８について説明する。投入電力密度を２．５Ｗ／ｃｍ
²とし、他の条件は参考例５７と同様にしてＲＦマグネ
トロン装置を用い、Ｃｒターゲット、Ｃｒ₉₅Ｍｏ₅ター
ゲット、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀ターゲット、Ｃｒ₈₅Ｍｏ₁₅ターゲ
ット、及びＣｒ₈₀Ｍｏ₂₀ターゲットを同時に放電させ
て、基板上にＣｒ、Ｃｒ₉₅Ｍｏ₅、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀、Ｃｒ
₈₅Ｍｏ₁₅、及びＣｒ₈₀Ｍｏ₂₀の順に膜が形成されるよう
に基板をＲＦマグネトロン装置内で順次搬送する。これ
によって、基板上に膜厚１５００オングストロームの下
地層を形成した。このようにして、Ｍｏ濃度が異なるタ
ーゲットに対して基板を順次搬送することによって、下
地層では上方に向かって順次Ｍｏ濃度が増加することに
なる。その後、参考例５７と同様に下地層上に順次磁性
層、保護層、及び潤滑層を形成して磁気ディスクを得
た。そして、参考例５７と同様にして保磁力、記録再生
出力、及び媒体ノイズを測定した。その結果、保磁力、
記録再生出力、及び媒体ノイズはそれぞれ２５５０Ｏ
ｅ、２２５μＶ、及び５．１０μＶｒｍｓであった。

【００５８】このように、順次Ｍｏ濃度が増加する複数
の膜を用いて下地層を形成するようにしても良好な磁気
特性が得られる。

【００５９】更に、参考例５９及び６０について説明す
る。まず、参考例５９は、次のようにして製作された。
Ｃｒターゲット、Ｍｏターゲット、及びＺｒターゲット
を用いて、これらターゲットを同時に放電させた。この
際、Ｃｒターゲットに対する投入電力密度を２．５Ｗ／
ｃｍ²とし、Ｚｒターゲットに対する投入電力密度を
０．１Ｗ／ｃｍ²に固定し、Ｍｏターゲットに対する投
入電力密度を０．１Ｗ／ｃｍ²から１．２Ｗ／ｃｍ²ま
で連続的に変化させ、他の条件は参考例５７と同様にし
て、基板上に膜厚１５００オングストロームの下地層を
形成した。この結果、下地層において下方から上方に向
かって順次Ｍｏ濃度が増加した。その後、参考例５７と
同様に下地層上に順次磁性層、保護層、及び潤滑層を形
成して磁気ディスクを得た。そして、参考例５７と同様
にして保磁力、記録再生出力、及び媒体ノイズを測定し
た。その結果、保磁力、記録再生出力、及び媒体ノイズ
はそれぞれ２６００Ｏｅ、２３０μＶ、及び４．９０μ
Ｖｒｍｓであった。

【００６０】このようにして、下地層におけるＭｏ濃度
を上方に向って順次増加するようにしても同様に良好な
磁気特性を得ることができる。

【００６１】（参考例６０）投入電力密度を２．５Ｗ／ｃｍ²とし、他の条件は参考
例５７と同様にしてＲＦマグネトロン装置を用い、Ｃｒ
ターゲット、Ｃｒ₉₅Ｍｏ₃Ｚｒ₂ターゲット、Ｃｒ₉₀Ｍ
ｏ₈Ｚｒ₂ターゲット、Ｃｒ₈₅Ｍｏ₁₃Ｚｒ₂ターゲッ
ト、及びＣｒ₈₀Ｍｏ₁₈Ｚｒ₂ターゲットを同時に放電さ
せて、基板上にＣｒ、Ｃｒ₉₅Ｍｏ₃Ｚｒ₂、Ｃｒ₉₀Ｍｏ
₈Ｚｒ₂、Ｃｒ₈₅Ｍｏ₁₃Ｚｒ₂、及びＣｒ₈₀Ｍｏ₁₈Ｚｒ
₂の順に膜が形成されるように基板をＲＦマグネトロン
装置内で順次搬送する。これによって、基板上に膜厚１
５００オングストロームの下地層を形成した。このよう
にして、Ｍｏ濃度が異なるターゲットに対して基板を順
次搬送することによって、下地層では上方に向かって順
次Ｍｏ濃度が増加することになる。その後、参考例５７
と同様に下地層上に順次磁性層、保護層、及び潤滑層を
形成して磁気ディスクを得た。そして、参考例５７と同
様にして保磁力、記録再生出力、及び媒体ノイズを測定
した。その結果、保磁力、記録再生出力、及び媒体ノイ
ズはそれぞれ２６３０Ｏｅ、２２５μＶ、及び４．８８
μＶｒｍｓであった。

【００６２】このように、順次Ｍｏ濃度が増加する複数
の膜を用いて下地層を形成するようにしても良好な磁気
特性が得られる。

【００６３】なお、上述の参考例では下地層において基
板から磁性層に向う方向にＭｏ濃度を増加させるように
したが、Ｍｏに限らず、Ｃｒ又はＺｒ濃度を変化させる
ようにしてもよい。

【００６４】以上の実施例及び参考例から明らかなよう
に、下地層としては少なくともＣｒ及びＭｏが含まれる
ことが必要であり、例えば、下地層がＣｒと及びＭｏで
構成させる場合、十分な保磁力を得るためには、その割
合はＣｒ_100-xＭｏ_x（１≦ｘ≦９０）であることが望
ましく、特に、１０≦ｘ≦８０であることが好ましい。

【００６５】また、磁性層としては少なくともＣｏ及び
Ｐｔが含まれることが必要であり、例えば、下地層がＣ
ｏ及びＰｔで構成させる場合、十分な保磁力を得るため
には、その割合はＣｏ_100-yＭｏ_y（５≦ｙ≦３０）で
あることが望ましい。

【００６６】さらに、磁性層にＣｏ及びＰｔの他にＭｏ
を添加すると、残留磁化（Ｍｒ）が低下する傾向にある
けれども、媒体ノイズが低減されてＳ／Ｎ比が高くな
る。残留磁化の低減による出力の低下を必要最小限に抑
えるためには、Ｃｏ、Ｐｔ、及びＭｏの割合は、Ｃｏ
_100-y-zＰｔ_yＭｏ_z（ａｔ％）（５≦ｙ≦３０、０＜
ｚ≦３０）であることが望ましく、特に、５≦ｙ≦３
０、５≦ｚ≦２０であることが好ましい。

【００６７】加えて、下地層にはさらに他の成分を添加
してもよい。例えば、Ｗ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｈｆ、Ａｌ、及びＴｉのうち少なくとも一種をさら
に含有するようにしてもよい。そして、十分な保磁力を
得るためには、これら添加成分の添加量は３０ａｔ％以
下とすることが望ましい。Ｃｕ、Ｚｒ、Ｂ、Ｚｎ、Ｔ
ａ、及びＮｂを添加することによって媒体ノイズが低減
できる（つまり、Ｓ／Ｎ比を高くすることができる）。
特に、Ｚｒを添加することによって、媒体ノイズ低減上
の効果が大きい。

【００６８】また、磁性層には、例えば、Ｔａ、Ｂ、Ｃ
ｒ、Ｏ、Ｎ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｖ、
及びＺｒのうち少なくとも一種を添加するようにしても
よい。そして、十分な保磁力を得るためには、これら添
加成分の添加量は３０ａｔ％以下とすることが望まし
い。

【００６９】上述の実施例では非磁性基板としてガラス
基板を用いたが、非磁性であれば特に限定する必要はな
く、例えば、結晶化ガラス基板及びアルミニウム基板も
用いることができる。

【００７０】保護層を形成する場合には保護層の種類は
特に限定されず、単層又は複層からなる保護層を設けて
もよい。この保護層としては、例えば、酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ₂）、カーボン（Ｃ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ
₂）、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）、クロム（Ｃｒ）、及びクロムモリブデン合金（Ｃ
ｒＭｏ）が用いられるが、特に、下地層と同一の組成を
有する保護層、例えば、Ｃｒ及びＭｏを含む金属を用い
ることが拡散効果を磁性層の上下から発生させる点にお
いて望ましい。

【００７１】潤滑層を形成する際には潤滑層の種類は特
に限定されず、例えば、パーフルオロポリエーテル、脂
肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、及びフルオロカ
ーボンを単品又は混合物として用いてもよい。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によって製造された磁気記録媒体では保磁力及び残留磁
化膜厚積を高くすることができるばかりでなく耐腐食性
を高くすることができるという効果がある。特に、磁性
層にＣｏ、Ｐｔ、及びＭｏを含むことによって、高線記
録密度において高記録再生出力が得られるばかりでなく
媒体ノイズを低減させることができる。この結果、高線
記録密度において記録再生時のＳ／Ｎ比を向上させるこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気記録媒体の一実施例を示す断
面図である。

【図２】本発明に係る磁気記録媒体において磁性層とし
てＣｏ₈₂Ｐｔ₁₈（◎）及びＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（○）
（ａｔ％）を用い下地層（ＣｒＭｏ）におけるＭｏ含有
量を変化させた際の保磁力の変化を示す図である。

【図３】本発明に係る磁気記録媒体において磁性層とし
てＣｏ₇₄Ｐｔ₁₈Ｍｏ₈（ａｔ％）を用い下地層（ＣｒＭ
ｏＺｒ）を用いＭｏを９ａｔ％（◇）及び１８ａｔ％
（◆）として下地層におけるＭｏ含有量を変化させた際
の保磁力の変化を示す図である。

【図４】耐蝕性試験における試験時間と飽和磁化との関
係を示す図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２下地層３磁性層４保護層５潤滑層６磁気記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小林正人東京都新宿区中落合２丁目７番５号ホーヤ株式会社内 (72)発明者野沢順東京都新宿区中落合２丁目７番５号ホーヤ株式会社内 (56)参考文献特開平６−120030（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 10/16 G11B 5/66 C23C 14/14 H01F 10/30

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に少なくとも下地層及び磁
性層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記非
磁性基板はガラス基板とし、前記下地層は主としてＣｒ
とＭｏとを含むＣｒＭｏ系合金であって組成比でＭｏを
２乃至４０ａｔ％含んでおり、前記磁性層は主としてＣ
ｏとＰｔとを含むＣｏＰｔ系合金であって組成比でＰｔ
を５乃至３０ａｔ％含んでおり、保持力が前記下地層の
（１１０）面における格子間隔と前記磁性層の（００
２）面における格子間隔とが接近して１７５０Ｏｅ以上
にとなるように前記下地層及び前記磁性層の組成比を設
定するとともに前記下地層及び前記磁性層成膜時の基板
温度を１００℃から４００℃の範囲内で設定して、前記
下地層及び前記磁性層を成膜するようにしたことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。