JP3185962B2 - Protection circuit and protection element - Google Patents
Protection circuit and protection elementInfo
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
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- Thermistors And Varistors (AREA)
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、PTC素子と低融点金
属体とを併用し、過電流及び過電圧の双方を防止する保
護回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protection circuit which uses a PTC element and a low melting point metal body in combination to prevent both overcurrent and overvoltage.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、過電流を防止する保護素子の
一つとして、鉛、スズ、アンチモン等の低融点金属体か
らなり、過電流により溶断して電流を遮断する電流ヒュ
ーズが広く使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as one of protective elements for preventing overcurrent, a current fuse made of a low-melting metal such as lead, tin, and antimony and cut off by overcurrent to cut off current has been widely used. ing.
【0003】また、過電流を防止する保護素子として
は、PTC素子(PTCサーミスタ)が知られている。
PTC素子は、導電性粒子を結晶性高分子(例えば、ポ
リオレフィン系樹脂)に分散させた抵抗体素子であり、
過電流状態に陥ると発熱し、それにより結晶性高分子が
膨脹し、それに伴って抵抗値が上昇することにより回路
に流れる電流を抑制する機能を有するものである。A PTC element (PTC thermistor) is known as a protection element for preventing an overcurrent.
The PTC element is a resistor element in which conductive particles are dispersed in a crystalline polymer (for example, a polyolefin resin).
When an overcurrent state occurs, heat is generated, and the crystalline polymer expands, thereby increasing the resistance value, thereby suppressing the current flowing through the circuit.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
産業の発展に伴い、従来の電流ヒューズやPTC素子の
他に、過電圧により動作する保護素子が求められるよう
になっている。However, with the recent development of the industry, there has been a demand for a protection element which operates by an overvoltage, in addition to the conventional current fuse and PTC element.
【0005】例えば、高エネルギー密度の二次電池とし
て注目されているリチウムイオン電池では、過充電によ
り電極表面にデンドライトが生成し、電池性能が大きく
損なわれるので、充電時に電池が所定電圧以上に充電さ
れることを防止することが必要となる。しかしながら、
このような過電圧を防止するために有用な保護素子はこ
れまでに開発されていない。実際、リチウムイオン電池
の保護機構としては、短絡等により規定値以上の電流が
電池に流れた場合にヒューズが溶断するようにした保護
機構は設けられているが、このような保護機構は過充電
の防止のためには使用することができない。このため、
過充電を防止するための新たな保護素子が求められてお
り、特に、このような電池の充電時等に使用する保護素
子として、発火等の危険がない、使用上の安全性の高い
ものが求められている。[0005] For example, in a lithium ion battery, which has attracted attention as a secondary battery having a high energy density, dendrite is generated on the electrode surface due to overcharging, and the battery performance is greatly impaired. It is necessary to prevent that. However,
A protective element useful for preventing such an overvoltage has not been developed so far. Actually, as a protection mechanism for a lithium ion battery, a protection mechanism is provided to prevent the fuse from blowing when a current exceeding a specified value flows to the battery due to a short circuit or the like, but such a protection mechanism is overcharged. Can not be used to prevent For this reason,
There is a need for a new protective element to prevent overcharging, and in particular, a protective element used when charging such a battery, which has no danger of ignition or the like, and has high safety in use. It has been demanded.
【0006】また、PTC素子は過電流時に抵抗値が高
くなり、過電流を抑制した後、電流が平常に戻るとそれ
まで通り使用することができるが、過電流時に電流を完
全に遮断することはなく、少量の電流を流し続けるとい
う問題がある。これに対し、ヒューズは過電流により溶
断して電流を完全に遮断するが、一旦過電流により溶断
した後は、再度使用することができないという問題があ
る。In addition, the resistance value of the PTC element increases when an overcurrent occurs, and the PTC element can be used as it is when the current returns to normal after suppressing the overcurrent. However, the current must be completely cut off during the overcurrent. However, there is a problem that a small amount of current continues to flow. On the other hand, the fuse is blown by an overcurrent to completely cut off the current, but there is a problem that once the fuse is blown by the overcurrent, it cannot be used again.
【0007】本発明は以上のような保護素子に関する従
来技術の問題点を解決しようとするものであり、過電流
時だけでなく過電圧時にも保護素子として動作し、か
つ、過電流時あるいは過電圧時に動作した後も、できる
限り素子の再使用を可能とすることを目的とする。The present invention is intended to solve the above-mentioned problems of the prior art relating to the protection element, and operates as a protection element not only at the time of overcurrent but also at the time of overvoltage, and at the time of overcurrent or overvoltage. It is an object of the present invention to enable element reuse as much as possible after operation.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、PTC素
子とヒューズ等の低融点金属体とを直列に接続すること
により、過電流時にまずPTC素子を作用させ、次い
で、PTC素子の作用で不十分な場合に低融点金属体を
作用させることができること、また、このように直列に
接続したPTC素子と低融点金属体に加えて、電圧検知
手段と発熱体とを組み合わせた回路は過電圧に対する保
護回路として使用でき、これにより上記の目的を達成で
きることを見出し、本発明を完成させるに至った。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors connect a PTC element and a low-melting metal body such as a fuse in series so that the PTC element operates first in the event of an overcurrent, and then the PTC element operates. In addition to the fact that the PTC element and the low-melting metal body connected in series as described above, in addition to the PTC element and the low-melting metal body connected in series, a circuit combining It has been found that the above object can be achieved as a protection circuit against the above, and the present invention has been completed.
【0009】すなわち、本発明は、直列に接続されたP
TC素子と低融点金属体、被保護装置と接続する保護回
路の端子電圧が所定電圧以上となることにより動作する
電圧検知手段、及び電圧検知手段の動作により通電され
て発熱する発熱体を有し、かつその発熱体が低融点金属
体に近接して配されている保護回路であって、被保護装
置への平常時の通電が、前記直列に接続されたPTC素
子と低融点金属体を通してなされることを特徴とする保
護回路を提供する。That is, according to the present invention, P
TC element and low melting point metal, protection circuit connected to protected device
A voltage detecting means that operates when the terminal voltage of the path becomes equal to or higher than a predetermined voltage; and a heating element that generates heat when energized by the operation of the voltage detecting means, and the heating element is disposed in proximity to the low melting point metal body. A protection circuit, wherein current is normally supplied to the device to be protected through the series-connected PTC element and a low-melting metal body.
【0010】また、本発明は保護回路を組むために有用
な素子として、基板上に、PTC素子と低融点金属体と
が直列に配され、かつそのPTC素子又は低融点金属体
に近接して発熱体が設けられている保護素子であって、
被保護装置への平常時の通電が、前記直列に接続された
PTC素子と低融点金属体を通してなされることを特徴
とする保護素子を提供する。Further, the present invention provides a useful element for forming a protection circuit, in which a PTC element and a low melting point metal body are arranged in series on a substrate, and heat is generated in proximity to the PTC element or the low melting point metal body. A protection element provided with a body ,
Normal energization of the protected device was connected in series with the
Provided is a protection element characterized by being made through a PTC element and a low melting point metal body .
【0011】以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明
する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等の構成要
素を表している。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each of the drawings, the same reference numerals represent the same or equivalent components.
【0012】図1(a)は、本発明の基本的な態様の保
護回路図である。同図に示したように、この回路ではP
TC素子1と低融点金属体2とが直列に接続されおり、
その接続点にさらに発熱体3の一端子が接続されてい
る。ここで、発熱体3は、この発熱体3が発熱した場合
にその熱が十分に低融点金属体2に伝達し、低融点金属
体2を溶断することが可能なように、低融点金属体2に
近接して配されているものとする。このように発熱体3
と低融点金属体2とを近接して配するためには、例え
ば、発熱体3上に絶縁層5を形成し、その上に低融点金
属体2を積層すればよい。また、この回路にはツエナダ
イオードとトランジスタからなる電圧検知手段20が設
けられている。FIG. 1A is a protection circuit diagram of a basic mode of the present invention. As shown in FIG.
TC element 1 and low melting point metal body 2 are connected in series,
One terminal of the heating element 3 is further connected to the connection point. Here, the heat generating element 3 is provided so that when the heat generating element 3 generates heat, the heat is sufficiently transmitted to the low melting point metal body 2 and the low melting point metal body 2 can be blown. It is assumed that they are arranged close to 2. Thus, the heating element 3
In order to dispose the low-melting metal member 2 and the low-melting metal member 2 close to each other, for example, an insulating layer 5 may be formed on the heating element 3 and the low-melting metal member 2 may be laminated thereon. This circuit is provided with a voltage detecting means 20 composed of a zener diode and a transistor.
【0013】このような回路の端子A1 、A2 には、例
えばリチウムイオン電池等の被保護装置の電極端子が接
続され、端子B1 、B2 には、被保護装置に接続して使
用される充電器等の装置の電極端子が接続される。この
回路構成によれば、リチウムイオンの電池の充電が進行
し、電圧検知手段20のツエナダイオードに所定の降伏
電圧以上の逆電圧が印加されるようになると急激にベー
ス電流ib が流れ、それにより大きなコレクタ電流ic
が発熱体3に通電され、発熱体3が発熱する。したがっ
て、発熱体3に近接した位置にある低融点金属体2が溶
断し、端子A1、A2 に接続されたリチウムイオン電池
等の被保護装置における過充電の進行が阻止される。The terminals A1 and A2 of such a circuit are connected to electrode terminals of a device to be protected, such as a lithium ion battery, and the terminals B1 and B2 are connected to a charger used in connection with the device to be protected. Are connected. According to this circuit configuration, when the charging of the lithium ion battery progresses and a reverse voltage equal to or higher than a predetermined breakdown voltage is applied to the zener diode of the voltage detecting means 20, the base current ib flows abruptly. Large collector current ic
Is supplied to the heating element 3, and the heating element 3 generates heat. Therefore, the low-melting metal member 2 located in the position close to the heating element 3 is blown, and the progress of overcharge in a protected device such as a lithium ion battery connected to the terminals A1 and A2 is prevented.
【0014】一方、短絡等によりこの回路の端子A1-B
1 間に規定値以上の過電流が流れた場合には、まず、P
TC素子1が本来の過電流に対する保護素子として機能
する。即ち、過電流によりPTC素子1の抵抗値が高ま
り、電流を抑制する。このPTC素子の作用の後、電流
が正常に戻った場合には、この保護回路はそれまで通り
使用することができる。しかし、このPTC素子1の電
流抑制作用では不十分であり、端子A1-B1 間になお過
電流が流れる場合には、低融点金属体2がそれ本来の過
電流に対する保護素子として作用し、溶断して電流を遮
断する。On the other hand, terminals A1-B of this circuit
If an overcurrent exceeding the specified value flows during 1,
The TC element 1 functions as an original protection element against overcurrent. That is, the resistance value of the PTC element 1 increases due to the overcurrent, and the current is suppressed. If the current returns to normal after the action of the PTC element, the protection circuit can be used as before. However, the current suppressing action of the PTC element 1 is not sufficient. If an overcurrent still flows between the terminals A1 and B1, the low-melting metal body 2 acts as a protection element against the overcurrent, and is blown. To shut off the current.
【0015】したがって、この回路によれば、過電流の
抑制を、まずは、再使用することのできるPTC素子1
の作用により行い、それでも過電流を防止できない場合
に低融点金属体2の作用によるので、回路の再使用を可
能な限り確保しつつかつ過電流を確実に防止することが
可能となる。Therefore, according to this circuit, the suppression of the overcurrent is first achieved by the PTC element 1 which can be reused.
When the overcurrent cannot be prevented even after that, the operation of the low-melting-point metal body 2 is used, so that it is possible to ensure the reuse of the circuit as much as possible and to surely prevent the overcurrent.
【0016】なお、このようにPTC素子1と低融点金
属体2との過電流時の作用を時期的に異ならせるための
格別の要件はない。任意のPTC素子1と低融点金属体
2を直列に接続することによりこのような作用を得るこ
とができる。したがって、PTC素子1と低融点金属体
2とは、抑制すべき電流値に応じて適宜選択することが
できる。It should be noted that there is no special requirement for differentiating the action of the PTC element 1 and the low melting point metal body 2 at the time of overcurrent as described above. Such an effect can be obtained by connecting an arbitrary PTC element 1 and a low melting point metal body 2 in series. Therefore, the PTC element 1 and the low-melting-point metal body 2 can be appropriately selected according to the current value to be suppressed.
【0017】例えば、PTC素子1としては、高密度ポ
リエチレン、エチレンアクリレートコポリマー、ポリカ
プロラクトン等の結晶性高分子に、導電性粒子として、
カーボンブラック、金属粉、金属被覆粒子等を分散させ
たものを使用することができる。また、チタン酸バリウ
ムを主成分とする無機系組成物から形成したものも使用
することができる。For example, as the PTC element 1, a crystalline polymer such as high-density polyethylene, ethylene acrylate copolymer, polycaprolactone, etc.
A material in which carbon black, metal powder, metal-coated particles and the like are dispersed can be used. Further, those formed from an inorganic composition containing barium titanate as a main component can also be used.
【0018】低融点金属体2は、従来よりヒューズ材料
に使用されている種々の低融点金属から構成することが
でき、例えば表1の合金から構成することができる。The low-melting-point metal body 2 can be made of various low-melting-point metals conventionally used for fuse materials, and can be made of, for example, the alloys shown in Table 1.
【0019】[0019]
【表1】 合金組成 液相点(℃) Bi:Sn:Pb=52.5:32.0:15.5 95 Bi:Pb:Sn=55.5:44.0: 1.0 120 Pb:Bi:Sn=43.0:28.5:28.5 137 Bi:Pb= 55.5:44.5 124 Bi:Sn= 58.0:42.0 138 Sn:Pb= 63.0:37.0 183 Sn:Ag= 97.5: 2.5 226 Sn:Ag= 96.5: 3.5 221 Pb:In= 81.0:19.0 280 Zn:Al= 95.0: 5.0 282 In:Sn= 52.0:48.0 118 Pb:Ag:Sn=97.5: 1.5: 1.0 309 また、発熱体3としては、有機系材料からなるものも無
機系材料からなるものも使用することができるが、安全
性の点から無機系材料を使用することが好ましい。即
ち、発熱体3を無機系材料から形成することにより、発
熱体自体の抵抗値に対する熱の影響を大きく抑制するこ
とができる。したがって、発熱体3に長時間通電が行わ
れ、発熱体3が発熱を持続する場合でも、発熱状態を安
定させ、暴走を防止することができる。このような無機
系材料としては、例えば、酸化ルテニウム、カーボンブ
ラック等の導電材料と水ガラス等の無機系バインダから
なるものをあげることができる。[Table 1] Alloy composition liquidus point (° C.) Bi: Sn: Pb = 52.5: 32.0: 15.595 Bi: Pb: Sn = 55.5: 44.0: 1.0 120 Pb: Bi: Sn = 43.0: 28.5: 28.5 137 Bi: Pb = 55.5: 44.5 124 Bi: Sn = 58.0: 42.0 138 Sn: Pb = 63.0: 37.0 183 Sn: Ag = 97.5: 2.5 226 Sn: Ag = 96.5: 3.5221 Pb: In = 81.0: 19.0 280 Zn: Al = 95.0: 5.0 282 In: Sn = 52.0: 48.0 118 Pb: Ag: Sn = 97.5: 1.5: 1.0309 The heating element 3 may be made of an organic material or an inorganic material, but it is preferable to use an inorganic material from the viewpoint of safety. That is, by forming the heating element 3 from an inorganic material, the influence of heat on the resistance value of the heating element itself can be greatly suppressed. Therefore, even when the heating element 3 is energized for a long time and the heating element 3 continues to generate heat, the heating state can be stabilized and runaway can be prevented. Examples of such an inorganic material include a material composed of a conductive material such as ruthenium oxide and carbon black and an inorganic binder such as water glass.
【0020】本発明の保護回路は、上記図1(a)に示
した回路の他に種々の態様をとることができる。例え
ば、図1(b)に示したように、発熱体を低融点金属体
2に近接して設けるだけでなく(発熱体3a)、PTC
素子1に近接して設けてもよい(発熱体3b)。これに
より、過電圧時にPTC素子1が加熱されることとなる
ため、過電圧時にもまずPTC素子1を作用させ、次い
で低融点金属体2を作用させることができるので、回路
の再使用を可能な限り確保しつつ過電圧を確実に防止す
ることが可能となる。The protection circuit of the present invention can take various forms other than the circuit shown in FIG. For example, as shown in FIG. 1B, not only the heating element is provided close to the low melting point metal body 2 (heating element 3a), but also the PTC
It may be provided close to the element 1 (heating element 3b). As a result, the PTC element 1 is heated at the time of overvoltage, so that at the time of overvoltage, the PTC element 1 can be actuated first, and then the low melting point metal body 2 can be actuated. It is possible to reliably prevent the overvoltage while securing.
【0021】また図1(c)に示したように、各2個ず
つPTC素子1a、1b及び低融点金属体2a、2bを
設け、それらに近接させて発熱体3a、3bを設けても
よい。上記図1(a)及び図1(b)に示した態様の場
合には、過電圧時に低融点金属体2が溶断した後も発熱
体3、3a、3bに通電が持続することが考えられる
が、図1(c)の態様によれば、低融点金属体2a、2
bが溶断した後は発熱体3a、3bへの通電が遮断され
るので、回路の安全性をより高めることが可能となる。As shown in FIG. 1 (c), two PTC elements 1a, 1b and low melting point metal bodies 2a, 2b may be provided, and heating elements 3a, 3b may be provided close to them. . In the case of the embodiment shown in FIGS. 1A and 1B, it is conceivable that the heating elements 3, 3a, and 3b continue to be energized even after the low-melting-point metal body 2 is blown at the time of overvoltage. According to the embodiment of FIG. 1 (c), the low-melting metal members 2a, 2a
After b is blown, the power supply to the heating elements 3a and 3b is cut off, so that the safety of the circuit can be further improved.
【0022】この他、図1(a)の回路を図2(d)〜
図2(g)のように変形することもできる。これらの中
でも、図1(c)の態様が好ましい。In addition, the circuit shown in FIG.
It can be deformed as shown in FIG. Among these, the embodiment of FIG. 1C is preferable.
【0023】さらに、図3(a)に示したように、直列
に配列させた2つのPTC素子1a、1b、及びその一
端aが所定電圧以上となることにより動作する電圧検知
手段20b、並びにその電圧検知手段20bの動作によ
り通電されて発熱する発熱体3b-i、3b-ii と、直列
に配設させた2つの低融点金属体2a、2b、及びその
一端dが所定電圧以上となることにより動作する電圧検
知手段20a、並びにその電圧検知手段20aの動作に
より通電されて発熱する発熱体3a-i、3a-ii とを別
個に設けてもよい。これにより2つの電圧検知手段20
a、20bの動作電圧を異ならせ、PTC素子1a、1
b側の電圧検知手段20bが、低融点金属2a、2b側
の電圧検知手段20aに対して低い電圧で動作するよう
に設定できるので、過電圧時にまずPTC素子1a、1
bを作用させ、次いでPTC素子1a、1bの作用で過
電圧を抑制できなかった場合に、低融点金属体2a、2
bを作用させるという作用の時間的ずれを確実に得るこ
とが可能となる。Further, as shown in FIG. 3 (a), two PTC elements 1a and 1b arranged in series and a voltage detecting means 20b which operates when one end a of the PTC elements 1a and 1b have a predetermined voltage or more, The heating elements 3b-i, 3b-ii, which are energized by the operation of the voltage detection means 20b and generate heat, the two low-melting metal bodies 2a, 2b arranged in series, and one end d thereof have a predetermined voltage or more. , And the heating elements 3a-i and 3a-ii, which are energized and generate heat by the operation of the voltage detecting means 20a, may be separately provided. Thereby, the two voltage detecting means 20
a, 20b, the PTC elements 1a, 1b,
The voltage detection means 20b on the b side can be set to operate at a lower voltage than the voltage detection means 20a on the low melting point metal 2a, 2b side.
b, and when the overvoltage cannot be suppressed by the action of the PTC elements 1a and 1b,
It is possible to reliably obtain a time lag in the action of acting b.
【0024】また、図3(a)に示した態様は、必要に
応じて、例えば図3(b)に示したように簡略化するこ
ともできるる。The embodiment shown in FIG. 3A can be simplified as required, for example, as shown in FIG. 3B.
【0025】以上のような本発明の保護回路において、
図1(a)〜図2(g)に示した態様は、基板上に、P
TC素子と低融点金属体とを直列に配し、かつそのPT
C素子又は低融点金属体に近接して発熱体を設けた保護
素子を使用することにより容易に形成することができ
る。In the protection circuit of the present invention as described above,
In the embodiment shown in FIGS. 1A to 2G, P
A TC element and a low melting point metal body are arranged in series, and the PT
It can be easily formed by using a C element or a protection element provided with a heating element in the vicinity of a low melting point metal body.
【0026】図4は、このような保護素子の一例であっ
て、図1(a)に示した回路において好適に使用するこ
とができる保護素子30の平面図(同図(a))及び断
面図(同図(b))である。同図に示したように、この
保護素子30は、基板4上に、PTC用電極6aを介し
てPTC素子1を積層したものと、発熱体3、絶縁層5
及び中間電極6bを順次積層したものと、低融点金属体
用電極6cとを有し、このPTC素子1、中間電極6b
及び低融点金属体用電極6cとが低融点金属体としての
低融点金属箔2で接続されたものとなっている。また、
発熱体3は、発熱体用端子電極6d、6eに接続し、発
熱体用端子電極6dと中間電極6bとが接続している。
そしてこれらが保護キャップ7で覆われたものとなって
いる。FIG. 4 is an example of such a protection element, and is a plan view (FIG. 4A) and a cross section of a protection element 30 which can be suitably used in the circuit shown in FIG. It is a figure (the same figure (b)). As shown in the figure, the protection element 30 includes a PTC element 1 laminated on a substrate 4 via a PTC electrode 6a, a heating element 3, and an insulating layer 5.
And a low melting point metal body electrode 6c. The PTC element 1, the intermediate electrode 6b
The low-melting-point metal body electrode 6c is connected to the low-melting-point metal foil 2 as a low-melting-point metal body. Also,
The heating element 3 is connected to the heating element terminal electrodes 6d and 6e, and the heating element terminal electrode 6d and the intermediate electrode 6b are connected.
These are covered with a protective cap 7.
【0027】ここで、基板4は、プラスチックフィル
ム、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、金属基板、
ポリエステル基板、フェノール基板等の種々の基材材料
から構成することができるが、特にセラミック基板、金
属等の無機系基板を使用することが好ましい。基板4と
して無機系基板を使用することにより、この基板4上に
無機系材料からなる発熱体3を形成する場合に、後述す
るように無機系抵抗ペーストを基板に塗布し焼成するこ
とにより容易に発熱体を形成することが可能となる。さ
らに、基板自体を不燃性にできるので、保護素子の使用
上の安全性を高めることが可能となる。Here, the substrate 4 is made of a plastic film, a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, a metal substrate,
Although it can be composed of various base materials such as a polyester substrate and a phenol substrate, it is particularly preferable to use an inorganic substrate such as a ceramic substrate or a metal. By using an inorganic substrate as the substrate 4, when the heating element 3 made of an inorganic material is formed on the substrate 4, an inorganic resistance paste is applied to the substrate and fired easily as described later. A heating element can be formed. Furthermore, since the substrate itself can be made nonflammable, it is possible to enhance the safety in use of the protection element.
【0028】基板4の厚さとしては、特に制限はない
が、保護素子の小型化の点から、通常0.1〜1.0m
m程度とすることが好ましい。The thickness of the substrate 4 is not particularly limited, but is usually 0.1 to 1.0 m from the viewpoint of miniaturization of the protection element.
m is preferable.
【0029】発熱体3は、前述のように無機系材料から
形成することが好ましく、その場合の形成方法として
は、市販の無機系抵抗ペーストを使用することができ
る。なお、無機系材料からなる発熱体3は、基板上に無
機系抵抗ペーストを塗布し、焼成することにより容易に
形成できるが、抵抗ペースト中に有機系成分が含まれて
いてもその有機系成分は焼成過程で分解除去されるの
で、基板に塗布する抵抗ペースト中には有機系成分が含
まれていてもよい。The heating element 3 is preferably formed from an inorganic material as described above. In this case, a commercially available inorganic resistance paste can be used. The heating element 3 made of an inorganic material can be easily formed by applying an inorganic resistance paste on a substrate and baking it. However, even if an organic component is contained in the resistance paste, the organic component can be used. Is decomposed and removed in the baking process, so that the resistive paste applied to the substrate may contain an organic component.
【0030】絶縁層5は、発熱体3と低融点金属箔2と
を絶縁する層である。この絶縁層5の形成材料には特に
制限はなく、例えば、エポキシ系、アクリル系、ポリエ
ステル系等の種々の有機系樹脂あるいはSiO2を主成
分とする無機系材料を使用することができる。また、絶
縁層5に有機系樹脂を用いる場合には、熱伝導性の高い
無機系粉末を分散させてもよい。これにより、発熱体3
の発熱時の熱を効率的に低融点金属箔2に伝導させるこ
とが可能となる。このうような無機系粉末としては、例
えば、ボロンナイトライド(熱伝導率0.18cal/
cm・sec・℃)、アルミナ(熱伝導率0.08ca
l/cm・sec・℃)等を使用することができる。The insulating layer 5 is a layer that insulates the heating element 3 from the low melting point metal foil 2. The material for forming the insulating layer 5 is not particularly limited. For example, various organic resins such as epoxy, acrylic, and polyester or inorganic materials containing SiO 2 as a main component can be used. When an organic resin is used for the insulating layer 5, an inorganic powder having high thermal conductivity may be dispersed. Thereby, the heating element 3
Can be efficiently conducted to the low melting point metal foil 2. As such an inorganic powder, for example, boron nitride (thermal conductivity 0.18 cal /
cm · sec · ° C), alumina (thermal conductivity 0.08ca)
1 / cm · sec · ° C.) or the like.
【0031】電極6a、6b、6c、6d、6eは、一
般に基板上に形成される電極端子と同様に形成すること
ができる。例えば、銅箔をパターニングしたもの、銅パ
ターン上に順次ニッケルメッキ、金メッキを施したも
の、あるいは銅パターン上に半田メッキを施したもの、
あるいは導電ペーストを印刷したもの等から形成するこ
とができる。The electrodes 6a, 6b, 6c, 6d, 6e can be formed in the same manner as electrode terminals generally formed on a substrate. For example, a copper foil patterned, a copper pattern sequentially plated with nickel and gold, or a copper pattern plated with solder,
Alternatively, it can be formed from printed conductive paste or the like.
【0032】PTC素子1は、前述のように高分子に導
電性微粒子を分散させた塗料をフィルム状に成形したも
のを使用することができる。その他、チタン酸バリウム
を主成分とする無機系のPTC素子も使用することがで
きる。As described above, the PTC element 1 may be formed by forming a coating material in which conductive fine particles are dispersed in a polymer into a film. In addition, an inorganic PTC element containing barium titanate as a main component can also be used.
【0033】低融点金属箔2は、前述のような低融点金
属体の金属箔を使用することができる。この場合、金属
箔の厚さは、特性上及び製造上の点から、通常10〜5
00μm程度とすることが好ましい。As the low melting point metal foil 2, a metal foil of a low melting point metal body as described above can be used. In this case, the thickness of the metal foil is usually 10 to 5 in view of characteristics and production.
It is preferable that the thickness be about 00 μm.
【0034】保護キャップ7は、基板4上のPTC素子
1や低融点金属箔2を外部から保護すると共に、保護素
子の低融点金属箔2が溶融した場合の溶融物の漏出を防
止するために設けている。この保護キャップ7として
は、例えば、4,6−ナイロンあるいは液晶ポリマー等
の耐熱性、難燃性材料からなるキャップを使用すること
ができる。また、保護キャップ7に代えて、エポキシ
系、フェノール系等の耐熱性高分子などからなる外部ケ
ースや樹脂封止を設けることができる。The protective cap 7 protects the PTC element 1 and the low melting point metal foil 2 on the substrate 4 from the outside, and also prevents leakage of the molten material when the low melting point metal foil 2 of the protection element is melted. Provided. As the protective cap 7, for example, a cap made of a heat-resistant and flame-retardant material such as 4,6-nylon or a liquid crystal polymer can be used. Further, instead of the protective cap 7, an external case made of a heat-resistant polymer such as an epoxy-based or phenol-based polymer or a resin seal can be provided.
【0035】このような保護素子30の製造方法として
は、例えば、無機系基板4上に常法により電極6a、6
c、6d、6eを形成し、次で無機系ペーストをスクリ
ーン印刷等により塗布し、焼成することにより発熱体3
を形成し、その発熱体3の表面に絶縁性樹脂を印刷等に
より塗布して硬化させることにより絶縁層5を形成し、
さらにその上に常法により電極6bを形成する。また、
電極6a上にPTC素子1を圧着し、このPTC素子、
絶縁層5及び電極6cにかかるように低融点金属箔2を
載置して半田ペースト等で接続することにより得ること
ができる。As a method for manufacturing such a protection element 30, for example, the electrodes 6a, 6
c, 6d and 6e are formed, and then an inorganic paste is applied by screen printing or the like, and then fired to form a heating element 3
Is formed, and an insulating resin is applied to the surface of the heating element 3 by printing or the like and cured to form an insulating layer 5,
Further, an electrode 6b is formed thereon by an ordinary method. Also,
The PTC element 1 is crimped on the electrode 6a,
It can be obtained by placing the low melting point metal foil 2 over the insulating layer 5 and the electrode 6c and connecting them with a solder paste or the like.
【0036】保護素子30は、図1(a)の保護回路の
形成に好適に使用することができる素子であるが、図1
(b)〜図2(g)の保護回路においても、それぞれに
好適な保護素子31〜36を、上述した保護素子30に
準じて、PTC素子、低融点金属体及び発熱体を基板上
に設けることにより構成することができる。The protection element 30 is an element which can be suitably used for forming the protection circuit shown in FIG.
Also in the protection circuits of FIGS. 2B to 2G, suitable protection elements 31 to 36 are respectively provided with a PTC element, a low-melting-point metal body, and a heating element on a substrate according to the above-described protection element 30. It can be configured by the following.
【0037】また、図3に示した保護回路の形成のた
め、同様に、一つの基板にPTC素子1a、1b、低融
点金属体2a、2b及び発熱体3a-i、3a-ii 、3b
-i、3b-ii を組み込んだ保護素子40を形成してもよ
いが、この場合には、一つの基板上に低融点金属体2
a、2bと発熱体3a-i、3a-ii とを組み込んだ保護
素子50を形成し、それとは別個の基板に別個にPTC
素子1a、1bと発熱体3b-i、3b-ii とを組み込ん
だ保護素子60を形成し、それらを直列に接続してもよ
い。Similarly, for the formation of the protection circuit shown in FIG. 3, the PTC elements 1a and 1b, the low-melting metal bodies 2a and 2b, and the heating elements 3a-i, 3a-ii, and 3b
, 3b-ii may be formed, but in this case, the low melting point metal body 2 is formed on one substrate.
a, 2b and the heating elements 3a-i, 3a-ii are formed, and the PTC is separately formed on a separate substrate.
A protection element 60 incorporating the elements 1a and 1b and the heating elements 3b-i and 3b-ii may be formed and connected in series.
【0038】図5は、この場合の低融点金属体を組み込
んだ保護素子50の平面図(同図(a))及び断面図
(同図(b))であり、図6はPTC素子を組み込んだ
保護素子60の平面図(同図(a))及び断面図(同図
(b))である。これらも前述した保護素子30に準じ
て形成することができる。FIG. 5 is a plan view (FIG. 5A) and a cross-sectional view (FIG. 6B) of the protection element 50 incorporating the low melting point metal body in this case, and FIG. 6 incorporates the PTC element. It is the top view (the same figure (a)) and sectional drawing (the same figure (b)) of the protection element 60. These can also be formed according to the protection element 30 described above.
【0039】例えば、図5の保護素子50は、基板4上
に電極6p、6q、6r、及び発熱体3a-i、3a-ii
を所定パターンに形成し、その2つの発熱体3a-i、3
a-ii 上にそれぞれ絶縁層5を形成し、さらに絶縁層5
及び電極6p、6rの上に低融点金属箔2を熱圧着し、
その上を内側封止部8及び外側封止部9で封止すること
により形成することができる。For example, the protection element 50 shown in FIG. 5 has electrodes 6p, 6q, 6r and heating elements 3a-i, 3a-ii on a substrate 4.
Are formed in a predetermined pattern, and the two heating elements 3a-i, 3
a-ii, an insulating layer 5 is formed on each of the insulating layers 5.
And the low melting point metal foil 2 is thermocompressed on the electrodes 6p and 6r,
It can be formed by sealing the upper portion with an inner sealing portion 8 and an outer sealing portion 9.
【0040】なお、内側封止部8は、低融点金属箔2の
表面酸化を防止すると共に低融点金属箔2の表面に形成
された金属酸化膜を除去し、低融点金属箔2が所定温度
に加熱された場合の溶断が確実に生じるようにするため
に設けらている。また、内側封止部8は、低融点金属箔
2の溶断を阻害しないように、低融点金属箔2よりも低
融点又は低軟化点を有する材料から形成することが好ま
しい。そこで内側封止部8は、例えば、有機酸、無機酸
等の金属酸化膜の除去作用を有する封止材料から形成す
ることができる。なかでも、主成分としてアビエチン酸
を含有する非腐食性の固形フラックスが好ましい。これ
は、アビエチン酸は室温では固形で不活性であるが、約
120℃以上に加熱されると溶融し、活性状態となって
金属酸化物の除去作用を発揮するので、低融点金属体箔
2が所定温度に加熱された場合の溶断を確実化できるだ
けでなく、保護素子の保存安定性も向上させることがで
きるからである。また、固形フラックスを用いて内側封
止部8を形成する方法としては、クレーター防止の点か
ら、溶剤を使用することなく固形フラックスを加熱溶融
させ、その溶融物を低融点金属箔2上に塗布することが
好ましい。内側封止部8の厚さは、その封止材料の種類
等にもよるが、通常は低融点金属箔2の表面酸化の防止
の点、あるいは表面酸化膜の除去能の点から、約10〜
100μmとすることが好ましい。The inner sealing portion 8 prevents the surface of the low melting point metal foil 2 from being oxidized and removes the metal oxide film formed on the surface of the low melting point metal foil 2 so that the low melting point metal foil 2 has a predetermined temperature. It is provided to ensure that the fusing when heated to a certain temperature occurs. Further, the inner sealing portion 8 is preferably formed of a material having a lower melting point or lower softening point than the low melting point metal foil 2 so as not to hinder the melting of the low melting point metal foil 2. Therefore, the inner sealing portion 8 can be formed from a sealing material having an action of removing a metal oxide film such as an organic acid and an inorganic acid. Among them, a non-corrosive solid flux containing abietic acid as a main component is preferred. This is because abietic acid is solid and inactive at room temperature, but melts when heated to about 120 ° C. or higher, becomes active and exerts the action of removing metal oxides. This is because not only can the fusing when heated to a predetermined temperature be ensured, but also the storage stability of the protection element can be improved. As a method of forming the inner sealing portion 8 using a solid flux, the solid flux is heated and melted without using a solvent, and the melt is applied to the low melting point metal foil 2 in order to prevent craters. Is preferred. Although the thickness of the inner sealing portion 8 depends on the kind of the sealing material, it is usually about 10 to prevent the surface oxidation of the low melting point metal foil 2 or to remove the surface oxide film. ~
It is preferably 100 μm.
【0041】また、外側封止部9は、前述の保護キャッ
プ7と同様に、外部から保護素子内部を保護すると共
に、保護素子から外部へ溶融物が流出することを防止す
るために設けられている。したがって、外側封止部9
は、低融点金属体箔2よりも高融点又は高軟化点の材料
から形成することができ、例えばエポキシ系封止材、フ
ェノール系封止材等から形成することができる。The outer sealing portion 9 is provided to protect the inside of the protection element from the outside and to prevent the melt from flowing out from the protection element to the outside, similarly to the above-described protection cap 7. I have. Therefore, the outer sealing portion 9
Can be formed from a material having a higher melting point or a higher softening point than the low-melting metal foil 2, for example, an epoxy-based sealing material, a phenol-based sealing material, or the like.
【0042】図6は、図3(a)の回路に好適に使用す
ることができる、PTC素子を組み込んだ保護素子60
の平面図(同図(a))及び断面図(同図(b))であ
る。この保護素子60も、基板4上に電極6x、6y、
6z、及び発熱体3b-i、3b-ii を所定パターンに形
成し、その2つの発熱体3b-i、3b-ii 上に絶縁層5
を形成する。そして、電極6x、6z上にPTC素子1
b、1aを載置し、この2つのPTC素子1b、1aを
金属箔10で接続し、保護キャップ7で覆うことにより
形成することができる。FIG. 6 shows a protection element 60 incorporating a PTC element which can be suitably used in the circuit of FIG.
3A and 3B are a plan view (FIG. 3A) and a cross-sectional view (FIG. 3B). This protection element 60 also has electrodes 6x, 6y,
6z and the heating elements 3b-i, 3b-ii are formed in a predetermined pattern, and the insulating layer 5 is formed on the two heating elements 3b-i, 3b-ii.
To form Then, the PTC element 1 is placed on the electrodes 6x and 6z.
b, 1a are placed, and the two PTC elements 1b, 1a are connected by a metal foil 10 and covered with a protective cap 7.
【0043】[0043]
【作用】本発明の保護回路によれば、PTC素子と低融
点金属体とを直列に接続しているので、過電流時にまず
PTC素子を作用させ、次いで、PTC素子の作用で不
十分な場合に低融点金属体を作用させることができる。
したがって、できる限り保護素子の再使用を可能としつ
つ、過電流を確実に防止することができる。According to the protection circuit of the present invention, since the PTC element and the low-melting-point metal body are connected in series, the PTC element is first activated at the time of an overcurrent, and then the operation of the PTC element is insufficient. Can be caused to act on the low melting point metal body.
Therefore, it is possible to reliably prevent the overcurrent while allowing the protection element to be reused as much as possible.
【0044】また、本発明の保護回路によれば、PTC
素子と低融点金属体に加えて、電圧検知手段と発熱体と
を使用しているので、過電圧時に発熱体を発熱させ、そ
れによりPTC素子には電流抑制機能を発揮させ、低融
点金属体には電流遮断機能を発揮させることが可能とな
る。したがって、過電圧時にもできる限り保護素子の再
使用を可能としつつ、安全性を確保することが可能とな
る。According to the protection circuit of the present invention, the PTC
In addition to the element and the low-melting metal element, the voltage detecting means and the heating element are used, so that the heating element generates heat at the time of overvoltage, thereby causing the PTC element to exhibit a current suppressing function, and Can exhibit a current interruption function. Therefore, safety can be ensured while allowing the protection element to be reused as much as possible even at the time of overvoltage.
【0045】また、本発明の保護素子は、基板上に、直
列に接続したPTC素子と低融点金属体、及びPTC素
子または低融点金属体に近接して配設した発熱体を有し
ているので、この保護素子により本発明の保護回路を容
易に形成することが可能となる。The protection element of the present invention has a PTC element and a low-melting-point metal body connected in series on a substrate, and a heating element disposed close to the PTC element or the low-melting-point metal body. Therefore, the protection circuit of the present invention can be easily formed by this protection element.
【0046】[0046]
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below based on embodiments.
【0047】実施例1 図4(a)に示した構造の保護素子30を次のようにし
て作製した。Example 1 A protection element 30 having the structure shown in FIG. 4A was manufactured as follows.
【0048】まず、基板4としてアルミナ系セラミック
板(厚さ0.5mm)を用意し、その上に銀ペースト
(QS174、デュポン社製)を用いて、PTC用電極
6a、低融点金属体用電極6c、発熱体用端子電極6
d、6eを所定のパターンに形成した。次いで、酸化ル
テニウム系抵抗ペースト(DP1900、デュポン社
製)を所定のパターンに塗布し、870℃で30分間焼
成することにより発熱体3を形成した。次に、発熱体3
上にシリカ系絶縁ペースト(AP5364、デュポン社
製)を塗布し、500℃で30分間焼成することにより
絶縁層5を形成した。さらにその上に中間電極6bを前
記電極6a、6cと同様に形成した。次に、PTC用電
極6a上にPTC素子1(2mm×2mm×厚さ200
μm)を載置し、このPTC素子1と中間電極6bと低
融点金属体用電極6cとにかかるように低融点金属箔
(Sn:Sb=95:5、液相点240℃、1mm×6
mm×厚さ100μm)2を半田ペーストにより接続し
た。First, an alumina-based ceramic plate (0.5 mm thick) is prepared as the substrate 4, and a PTC electrode 6 a and a low-melting metal body electrode are formed thereon using a silver paste (QS174, manufactured by DuPont). 6c, heating element terminal electrode 6
d and 6e were formed in a predetermined pattern. Then, a heating element 3 was formed by applying a ruthenium oxide-based resistance paste (DP1900, manufactured by DuPont) in a predetermined pattern and baking it at 870 ° C. for 30 minutes. Next, the heating element 3
The insulating layer 5 was formed by applying a silica-based insulating paste (AP5364, manufactured by DuPont) and baking it at 500 ° C. for 30 minutes. Further, an intermediate electrode 6b was formed thereon similarly to the electrodes 6a and 6c. Next, the PTC element 1 (2 mm × 2 mm × thickness 200 mm) is placed on the PTC electrode 6 a.
.mu.m) and a low melting point metal foil (Sn: Sb = 95: 5, liquidus point 240.degree. C., 1 mm.times.6) so as to cover the PTC element 1, the intermediate electrode 6b, and the low melting point metal body electrode 6c.
mm × 100 μm thick) 2 were connected by a solder paste.
【0049】ここで、PTC素子1としては、以下の配
合の各成分を、加圧ニーダを用いて190℃で混練し、
ホットプレス(190℃、5kgf/cm2、10秒
間)することにより厚さ300μmのフィルム状に成形
し、さらにNi箔に挟んでホットプレス(190℃、5
kgf/cm2、20秒間)することにより厚さ200
μmのフィルム状に成形したものを用いた。Here, as the PTC element 1, the following components were kneaded at 190 ° C. using a pressure kneader.
The film was formed into a film having a thickness of 300 μm by hot pressing (190 ° C., 5 kgf / cm 2 , 10 seconds), and further sandwiched between Ni foils.
kgf / cm 2 for 20 seconds) to obtain a thickness of 200
What was formed into a μm film shape was used.
【0050】 [PTC素子の配合] 高密度ポリエチレン 44重量部 (Hi−Zex5000H、三井石油化学(株)製) エチレン−エチルアクリレートコポリマー 22重量部 (NUC6170、日本ユニカー(株)製) 導電性粒子:微小球体状炭素に銀メッキを施したもの 34重量部 (MSB−10A、日本カーボン(株)製) 基板4にPTC素子1及び低融点金属箔2を搭載後、こ
れらを保護するために、液晶ポリマー(日本石油化学
(株)製)をキャップ状にカットし、基板4に嵌め込
み、保護素子30を得た。[Blending of PTC element] High-density polyethylene 44 parts by weight (Hi-Zex5000H, manufactured by Mitsui Petrochemical Co., Ltd.) Ethylene-ethyl acrylate copolymer 22 parts by weight (NUC6170, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) Conductive particles: 34 parts by weight (MSB-10A, manufactured by Nippon Carbon Co., Ltd.) after mounting PTC element 1 and low melting point metal foil 2 on substrate 4, liquid crystal to protect these A polymer (manufactured by Nippon Petrochemical Co., Ltd.) was cut into a cap and fitted on the substrate 4 to obtain a protection element 30.
【0051】比較例1 PTC素子1を設けず、低融点金属箔2とPTC用電極
6aとを直接接続した以外は実施例1を繰り返し、PT
C素子のない比較例の保護素子を作製した。Comparative Example 1 Example 1 was repeated except that the PTC element 1 was not provided and the low melting point metal foil 2 was directly connected to the PTC electrode 6a.
A protection element of a comparative example without the C element was produced.
【0052】評価 上記で得た実施例1及び比較例1の保護素子について、
以下の (a)〜(f) の試験を行った。この結果を表2に示
す。Evaluation Regarding the protective elements of Example 1 and Comparative Example 1 obtained above,
The following tests (a) to (f) were performed. Table 2 shows the results.
【0053】(a) PTC素子−低融点金属箔抵抗:図4
のPTC用電極6a−低融点金属体用電極6c間の抵抗
をデジタルマルチメータ(R6871E、アドバンテス
ト社製)を用いて測定した。(A) PTC element-low melting point metal foil resistance: FIG.
Was measured using a digital multimeter (R6871E, manufactured by ADVANTEST CORPORATION).
【0054】(b) 発熱体抵抗:発熱体用端子電極6d、
6e間の抵抗を上記(a) と同様にして測定した。(B) Heating element resistance: terminal electrode 6d for the heating element
The resistance between 6e was measured in the same manner as in (a) above.
【0055】(c) 低融点金属体溶断及びPTC素子のト
リップ熱量:図4のPTC用電極6a、低融点金属体用
電極6cからリード線を引き出し、これを発熱体3と直
流電源(6033A、YHP社製)に接続し、低融点金
属箔2が溶断したとき及びPTC素子1がトリップした
ときの熱量をI2Rにより算出した。(C) Fusing of the low melting point metal body and trip heat of the PTC element: Lead wires are drawn out from the PTC electrode 6a and the low melting point metal body electrode 6c in FIG. 4 and are connected to the heating element 3 and a DC power source (6033A, (Made by YHP Co., Ltd.), and the calorific value when the low melting point metal foil 2 was blown and when the PTC element 1 tripped was calculated by I 2 R.
【0056】(d) トリップ時間:実施例1の保護素子に
ついて、図4のPTC用電極6a及び中間電極6bから
リード線を引き出し、これを直流電源(6033A、Y
HP社製)に接続して20A通電し、このときの電流変
化をデジタルオシロスコープ(HEWLETT PAC
KERD社製)で観察した。そして、電流値が急激に低
下した時間を求めた。(D) Trip time: For the protection element of the first embodiment, a lead wire is drawn out from the PTC electrode 6a and the intermediate electrode 6b in FIG. 4, and this is connected to a DC power supply (6033A, Y
HP Co., Ltd.) and a current of 20 A is supplied.
(KERD). Then, the time during which the current value sharply decreased was determined.
【0057】(e) トリップ電流:実施例1の保護素子に
ついて、図4のPTC用電極6a及び中間電極6bから
リード線を引き出し、これを直流電源(6033A、Y
HP社製)に接続して0.1A/secの速度で電流を
増加させ、電流値が激減したときの値を読み取った。(E) Trip current: For the protection element of the first embodiment, a lead wire is drawn out from the PTC electrode 6a and the intermediate electrode 6b in FIG.
HP Co., Ltd.), the current was increased at a rate of 0.1 A / sec, and the value when the current value was drastically reduced was read.
【0058】(f) 低融点金属体溶断時間:電極6d及び
電極6eの間に5Vの電圧を印加して発熱体3を発熱さ
せ、低融点金属箔2が溶断して通電が止まるまでの時間
をストップウォッチを用いて測定した。(F) Low-melting metal fusing time: time from application of a voltage of 5 V between the electrodes 6d and 6e to heat the heating element 3 until the low-melting metal foil 2 is melted and the current stops. Was measured using a stopwatch.
【0059】[0059]
【表2】 実施例1 比較例1 (a) PTC素子−低融点金属箔抵抗: 50mΩ 20mΩ (b) 発熱体抵抗: 11Ω 11Ω (c) 低融点金属体溶断及び PTC素子のトリップ熱量: 2W 2.2W (e) トリップ時間: 2msec − (f) トリップ電流: 6A − (g) 低融点金属体溶断時間: 5sec 5sec 表2の結果から、実施例1の保護素子は、PTC素子1
に6A以上の電流が流れると、低融点金属箔2が溶断す
る前にPTC素子1がトリップし、電流を抑制するの
で、低融点金属箔2の溶断を抑制できることがわかる。[Table 2] Example 1 Comparative Example 1 (a) PTC element—low melting point metal foil resistance: 50 mΩ 20 mΩ (b) Heating element resistance: 11Ω 11Ω (c) Low melting point metal body fusing and trip heat of PTC element: 2W 2.2W (e ) Trip time: 2 msec-(f) Trip current: 6 A-(g) Low melting point metal fusing time: 5 sec 5 sec From the results in Table 2, the protection element of Example 1 is PTC element 1
When a current of 6 A or more flows through the PTC element 1, the PTC element 1 trips before the low-melting-point metal foil 2 blows, and the current is suppressed.
【0060】また、発熱体3に通電することにより低融
点金属箔2が溶断することが確認できたので、図1に示
したように、この実施例の保護素子10と電圧検知手段
20とを回路に組むことにより、この保護素子10は過
電圧防止用の保護素子としても有用なことがわかる。Further, since it was confirmed that the low melting point metal foil 2 was blown by energizing the heating element 3, as shown in FIG. 1, the protection element 10 and the voltage detection means 20 of this embodiment were connected to each other. It can be seen that the protection element 10 is also useful as a protection element for preventing overvoltage by being assembled in a circuit.
【0061】実施例2 図6に示した構造の保護素子60を次のようにして作製
した。Example 2 A protection element 60 having the structure shown in FIG. 6 was manufactured as follows.
【0062】まず、基板4としてアルミナ系セラミック
板(厚さ0.5mm)を用意し、その上に銀ペースト
(QS174、デュポン社製)を用いて発熱体用端子電
極6d、6e、PTC電極6x、6z、中間電極6yを
所定のパターンに形成した。次いで、酸化ルテニウム系
抵抗ペースト(DP1900、デュポン社製)を所定の
パターンに塗布し、870℃で30分間焼成することに
より発熱体3b-ii 、3b-iを形成した。次に、発熱体
3b-ii 、3b-i上にシリカ系絶縁ペースト(AP53
46、デュポン社製)を塗布し、500℃で30分間焼
成することにより絶縁層5を形成した。一方、PTC用
電極6x、6z上に実施例1と同様のPTC素子(2m
m×2mm×厚さ200μm)1a、1bを載置し、こ
れらPTC素子1a、1bと中間電極6yにかかるよう
に低融点金属箔(Sn:Sb=95:5、液相点240
℃、1mm×6mm×厚さ100μm)2を半田ペース
トにより接続した。First, an alumina-based ceramic plate (0.5 mm thick) is prepared as the substrate 4, and the terminal electrodes 6 d and 6 e for the heating element and the PTC electrode 6 x are formed thereon using a silver paste (QS174, manufactured by DuPont). , 6z and the intermediate electrode 6y in a predetermined pattern. Next, a ruthenium oxide-based resistance paste (DP1900, manufactured by DuPont) was applied in a predetermined pattern, and baked at 870 ° C. for 30 minutes to form heating elements 3b-ii and 3b-i. Next, a silica-based insulating paste (AP53) is formed on the heating elements 3b-ii and 3b-i.
46, manufactured by DuPont) and baked at 500 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer 5. On the other hand, on the PTC electrodes 6x, 6z, a PTC element (2 m
m × 2 mm × thickness 200 μm) 1a, 1b are placed, and a low melting point metal foil (Sn: Sb = 95: 5, liquidus point 240) is applied to these PTC elements 1a, 1b and the intermediate electrode 6y.
2 ° C., 1 mm × 6 mm × thickness 100 μm) 2 were connected by a solder paste.
【0063】また、図5に示した構造の保護素子50を
次のようにして作製した。A protection device 50 having the structure shown in FIG. 5 was manufactured as follows.
【0064】まず、基板4としてアルミナ系セラミック
板(厚さ0.5mm)を用意し、その上に銀ペースト
(QS174、デュポン社製)を用いて、低融点金属体
用電極6p、6r、中間電極6q、発熱体用端子電極6
d、6eを所定のパターンに形成した。次いで、酸化ル
テニウム系抵抗ペースト(DP1900、デュポン社
製)を所定のパターンに塗布し、870℃で30分間焼
成することにより発熱体3a-ii 、3a-iを形成した。
次に、発熱体3a-ii 、3a-i上にシリカ系絶縁ペース
ト(AP5364、デュポン社製)を塗布し、500℃
で30分間焼成することにより絶縁層5を形成した。低
融点金属体用電極6p、6r及び中間電極6q上に、実
施例1と同様の低融点金属箔2(1mm×5mm×厚さ
100μm)を熱プレス(145℃、5kgf/c
m2、5秒間)により接続した。なお、この熱プレス時
には、低融点金属箔2とプレスヘッドとの間に厚さ25
μmのポリイミドフィルムを介在させた。さらに、内側
封止部8を有機酸により形成し、外側封止部9を液晶ポ
リマーにより形成して保護素子50を得た。First, an alumina-based ceramic plate (thickness: 0.5 mm) was prepared as the substrate 4, and a silver paste (QS174, manufactured by DuPont) was used thereon, and the low-melting metal electrodes 6p, 6r, Electrode 6q, heating element terminal electrode 6
d and 6e were formed in a predetermined pattern. Next, a ruthenium oxide-based resistance paste (DP1900, manufactured by DuPont) was applied in a predetermined pattern, and baked at 870 ° C. for 30 minutes to form heating elements 3a-ii and 3a-i.
Next, a silica-based insulating paste (AP5364, manufactured by DuPont) is applied on the heating elements 3a-ii and 3a-i,
For 30 minutes to form the insulating layer 5. A low-melting metal foil 2 (1 mm × 5 mm × 100 μm thick) similar to that of Example 1 was hot-pressed (145 ° C., 5 kgf / c) on the low-melting-point metal body electrodes 6 p and 6 r and the intermediate electrode 6 q.
m 2 for 5 seconds). During the hot pressing, a thickness of 25 mm is applied between the low melting point metal foil 2 and the press head.
A μm polyimide film was interposed. Further, the inner sealing portion 8 was formed of an organic acid, and the outer sealing portion 9 was formed of a liquid crystal polymer to obtain a protection element 50.
【0065】得られた保護素子50の低融点金属体用電
極6rと保護素子60のPTC用電極6xとをリード線
でつなぐことにより双方の保護素子50、60を直列に
接続し、通電した。この場合、電流値を表3のように変
化させ、保護素子60のPTC素子のトリップの有無
と、保護素子50の低融点金属箔2の溶断の有無を観察
した。この結果を表3に示す。By connecting the low-melting-point metal body electrode 6r of the obtained protection element 50 and the PTC electrode 6x of the protection element 60 with a lead wire, the two protection elements 50 and 60 were connected in series and energized. In this case, the current value was changed as shown in Table 3, and the presence or absence of trip of the PTC element of the protection element 60 and the presence or absence of fusing of the low melting point metal foil 2 of the protection element 50 were observed. Table 3 shows the results.
【0066】[0066]
【表3】 電流値 PTC素子のトリップ 低融点金属箔の溶断 2A なし なし 4A なし なし 6A あり なし 8A あり なし 表3の結果から、これらの保護素子を直列に通電した場
合に、6A以上通電すると、低融点金属箔が溶断する前
にPTC素子が動作し、通電量を激減させることがわか
る。したがって、これら保護素子を搭載した回路におい
て、短絡が生じた場合でも、低融点金属箔の溶断の前に
PTC素子が動作し、短絡時の電流を抑制できることが
わかる。[Table 3] Current value PTC element trip Fusing of low melting point metal foil 2A No No 4A No No 6A Yes No 8A Yes No From the results in Table 3, it can be seen that when these protection elements are energized in series and a current of 6 A or more is energized, the PTC element operates before the low-melting-point metal foil is blown, and the amount of energization is drastically reduced. Therefore, it can be seen that even in the case where a short circuit occurs in a circuit in which these protection elements are mounted, the PTC element operates before the low-melting-point metal foil is blown, and the current during the short circuit can be suppressed.
【0067】[0067]
【発明の効果】本発明の回路によれば、過電流だけでな
く過電圧も防止することができる。また、過電流時ある
いは過電圧時には、再使用可能なPTC素子の動作によ
りまず電流を抑制でき、さらにPTC素子の動作で不十
分な場合には、低融点金属体の溶断により回路を遮断で
きる。したがって、素子の再使用をできる限り確保しつ
つ、高い安全性も確保することが可能となる。According to the circuit of the present invention, not only overcurrent but also overvoltage can be prevented. Further, at the time of overcurrent or overvoltage, the current can be suppressed first by the operation of the reusable PTC element, and when the operation of the PTC element is insufficient, the circuit can be cut off by fusing the low melting point metal body. Therefore, it is possible to secure high safety while ensuring reuse of the element as much as possible.
【図1】本発明の保護回路である。FIG. 1 shows a protection circuit of the present invention.
【図2】本発明の保護回路である。FIG. 2 is a protection circuit according to the present invention.
【図3】本発明の保護回路である。FIG. 3 is a protection circuit according to the present invention.
【図4】本発明の保護素子の平面図(同図(a))及び
断面図(同図(b))である。FIG. 4 is a plan view (FIG. 4A) and a cross-sectional view (FIG. 4B) of the protection element of the present invention.
【図5】本発明の保護回路に有用な、低融点金属体を用
いた保護素子の平面図(同図(a))及び断面図(同図
(b))である。FIGS. 5A and 5B are a plan view (FIG. 5A) and a cross-sectional view (FIG. 5B) of a protection element using a low-melting-point metal body, which is useful for the protection circuit of the present invention.
【図6】本発明の保護回路に有用な、PTC素子を用い
た保護素子の平面図(同図(a))及び断面図(同図
(b))である。6A and 6B are a plan view (FIG. 6A) and a cross-sectional view (FIG. 6B) of a protection element using a PTC element, which is useful for the protection circuit of the present invention.
1、1a、1b PTC素子 2、2a、2b 低融点金属体(低融点金属箔) 3 発熱体 4 基板 5 絶縁層 6a、6x、6z PTC用電極 6b、6q、6y 中間電極 6c、6p、6r 低融点金属体用電極 6d、6e 発熱体用端子電極 7 保護キャップ 8 内側封止部 9 外側封止部 10 金属箔 20 電圧検知手段 30 保護素子 40 保護素子 50 保護素子 60 保護素子 1, 1a, 1b PTC element 2, 2a, 2b Low melting point metal body (low melting point metal foil) 3 Heating element 4 Substrate 5 Insulating layer 6a, 6x, 6z PTC electrode 6b, 6q, 6y Intermediate electrode 6c, 6p, 6r Low melting metal electrode 6d, 6e Heating element terminal electrode 7 Protective cap 8 Inner sealing portion 9 Outer sealing portion 10 Metal foil 20 Voltage detecting means 30 Protective element 40 Protective element 50 Protective element 60 Protective element
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古内 裕治 栃木県鹿沼市さつき町12−3番地 ソニ ーケミカル株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−14661(JP,A) 特開 平5−299206(JP,A) 特開 昭57−116537(JP,A) 特開 平4−46502(JP,A) 実開 昭62−198646(JP,U) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yuji Furuuchi 12-3 Satsuki-cho, Kanuma City, Tochigi Prefecture Inside Sony Chemical Co., Ltd. (56) References JP-A-7-114661 (JP, A) JP-A-5- 299206 (JP, A) JP-A-57-116537 (JP, A) JP-A-4-46502 (JP, A) JP-A-62-1198646 (JP, U)
Claims (3)
属体、被保護装置と接続する保護回路の端子電圧が所定
電圧以上となることにより動作する電圧検知手段、及び
電圧検知手段の動作により通電されて発熱する発熱体を
有し、かつその発熱体が低融点金属体に近接して配され
ている保護回路であって、被保護装置への平常時の通電
が、前記直列に接続されたPTC素子と低融点金属体を
通してなされることを特徴とする保護回路。1. A voltage detecting means which operates when a terminal voltage of a protection circuit connected to a device to be protected becomes higher than a predetermined voltage, and a PTC element and a low melting point metal body connected in series, and A protection circuit having a heating element that generates heat when energized, and wherein the heating element is disposed in proximity to the low-melting metal body, the normal energization of the device to be protected is connected in series. A protection circuit which is formed through a PTC element and a low melting point metal body.
双方に近接して配されている請求項1記載の保護回路。2. The protection circuit according to claim 1, wherein the heating element is disposed close to both the low-melting-point metal body and the PTC element.
なることにより動作する電圧検知手段及びその電圧検知
手段の動作により通電されて発熱する発熱体と、低融点
金属体の端子電圧が所定電圧以上となることにより動作
する電圧検知手段及びその電圧検知手段の動作により通
電されて発熱する発熱体とが別個に設けられている請求
項1記載の保護回路。3. A voltage detecting means which operates when a terminal voltage of a PTC element becomes equal to or higher than a predetermined voltage, a heating element which is energized by the operation of the voltage detecting means and generates heat, and a terminal voltage of the low melting point metal body is a predetermined voltage. 2. The protection circuit according to claim 1, wherein the voltage detection means which operates by the above operation and the heating element which is energized and generates heat by the operation of the voltage detection means are provided separately.
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