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JP3185178B2 - Semiconductor package and manufacturing method thereof - Google Patents

Semiconductor package and manufacturing method thereof

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JP3185178B2
JP3185178B2 JP32311297A JP32311297A JP3185178B2 JP 3185178 B2 JP3185178 B2 JP 3185178B2 JP 32311297 A JP32311297 A JP 32311297A JP 32311297 A JP32311297 A JP 32311297A JP 3185178 B2 JP3185178 B2 JP 3185178B2
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JP
Japan
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chip
leads
semiconductor package
lead
bent
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チャ ギ−ボン
リー ビェオン−ドゥク
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エルジー セミコン カンパニー リミテッド
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージに
係り、さらに詳しくはプリモールドのボディにチップを
内蔵してモールディングし、前記プリモールドのボディ
の外周面に沿って折り曲げ変形されるリードを形成し
て、メイン工程と分離されたプリモールドのボディ形成
工程を別途に行うことにより二元化された工程を可能に
し、延長されたリードによって熱が発散してチップから
伝達される熱によるリードのハンダの疲労現象(Solder
fatigue)を抑制する一方、半導体パッケージ間の積層時
に設置面積及び高さを減らすことができる半導体パッケ
ージ及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a semiconductor device in which a chip is built in a body of a premold and molded to form a lead which is bent and deformed along an outer peripheral surface of the body of the premold. The main process is separated from the pre-mold body forming process, thereby enabling a dual process. The extended leads dissipate the heat, and the lead is soldered by the heat transferred from the chip. Fatigue phenomena (Solder
The present invention relates to a semiconductor package and a method of manufacturing the same, which can reduce an installation area and a height when stacking semiconductor packages while suppressing fatigue.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は従来のBLP型の半導体パッケー
ジの構造を示す断面図である。この半導体パッケージ
は、接着テープ140を用いて半導体チップ120の下
面にリード130が固着され、ボンディングワイヤ15
0を用いて前記リード130のインナリード部分とチッ
プ120の入出力パッドが電気的に接続され、このよう
に構成されたチップ120及びリード130並びにボン
ディングワイヤ150などを内部に含み、エポキシ樹脂
を注入してモールディングすることにより、モールディ
ング部110が形成される。
2. Description of the Related Art FIG. 8 is a sectional view showing the structure of a conventional BLP type semiconductor package. In this semiconductor package, a lead 130 is fixed to the lower surface of a semiconductor chip 120 using an adhesive tape 140, and a bonding wire 15
0, the inner lead portion of the lead 130 is electrically connected to the input / output pad of the chip 120. The chip 120, the lead 130, the bonding wire 150, and the like, which are configured as described above, are internally provided, and epoxy resin is injected. Then, the molding unit 110 is formed.

【0003】前記モールディング部110の底面にはリ
ード130のアウタリード部分が露出されるが、該モー
ルディング部110の底面とリード130のアウタリー
ド部分の露出面とは同一の平面を成すようにされてお
り、前記露出されたリード130が印刷回路基板(図示
せず)にハンダ付けされてBLP型の半導体パッケージ
170の実装がなされる。
The outer lead portion of the lead 130 is exposed on the bottom surface of the molding portion 110, and the bottom surface of the molding portion 110 and the exposed surface of the outer lead portion of the lead 130 form the same plane. The exposed leads 130 are soldered to a printed circuit board (not shown) to mount a BLP type semiconductor package 170.

【0004】図9は従来のBLP型の半導体パッケージ
の製造工程を示すフローチャートである。この製造工程
は、多数個のチップが形成されているウェーハからそれ
ぞれのチップを切断して分離するウェーハ切断工程(ス
テップS10)と、この切断されたチップをリードフレ
ームのパドルに付着させるダイボンディング工程(ステ
ップS20)と、前記チップとリードを電気的に接続す
るためにチップの入出力パッドとリードをボンディング
ワイヤで連結するワイヤボンディング工程(ステップS
30)と、このワイヤボンディング済みのチップとリー
ドにエポキシ樹脂を用いて相互結合されたモールディン
グ部を形成するモールディング工程(ステップS40)
と、モールディングされて形成されたボディを硬化させ
る工程(ステップS50)と、外部に露出されたリード
からモールディング時にくっ付いたエポキシモールディ
ングコンパウンドを除去する研磨工程(ステップS6
0)と、モールディング部の外部に露出されたリードを
保護剤でコーティングするための鍍金工程(ステップS
70)と、モールディング部の表面にパッケージの識別
因子を与えるマーキング工程(ステップS80)と、リ
ードがモールディング部の外部に露出された部分のうち
不要な部分を切断し、リードを規定の形に折り曲げて変
形するリードトリミングとフォーミング工程(ステップ
S90)とを、順次行うものである。
FIG. 9 is a flowchart showing a process of manufacturing a conventional BLP type semiconductor package. This manufacturing process includes a wafer cutting process (step S10) for cutting and separating each chip from a wafer on which a large number of chips are formed, and a die bonding process for attaching the cut chips to a paddle of a lead frame. (Step S20) and a wire bonding step of connecting input / output pads of the chip and the leads with bonding wires to electrically connect the chip and the leads (Step S20).
30) and a molding step of forming a mutually bonded molding portion using epoxy resin on the wire-bonded chip and lead (step S40).
And a step of curing the molded body (Step S50), and a polishing step of removing the epoxy molding compound adhered during molding from the leads exposed to the outside (Step S6).
0) and a plating step (step S) for coating the lead exposed outside the molding part with a protective agent.
70), a marking step of giving a package identification factor to the surface of the molding section (step S80), and cutting unnecessary portions of the portions where the leads are exposed outside the molding section, and bending the leads into a prescribed shape. The lead trimming and the forming step (step S90), which are deformed by deformation, are sequentially performed.

【0005】一方、半導体パッケージを多数個積層する
ためには、図10(a),(b)に示すように、リード
のフォーミング形態によって多様な方法が用いられる。
即ち、図10(a)に示すようにTSOP型の半導体パ
ッケージの場合、上側に積層された半導体パッケージ1
80aのアウタリード190aを、下に形成された半導
体パッケージ180bのアウタリード190bより長く
して相互連結することにより積層するか、図10(b)
に示すように積層された半導体パッケージ180の各リ
ード190を連結バー160に接続して一つに連結す
る。
On the other hand, as shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b), various methods are used to stack a large number of semiconductor packages, depending on the form of the leads.
That is, as shown in FIG. 10A, in the case of a TSOP type semiconductor package, the semiconductor package 1 stacked on the upper side
The outer leads 190a of the semiconductor package 180b formed below are longer than the outer leads 190b of the semiconductor package 180b formed below and interconnected, or are stacked as shown in FIG.
The leads 190 of the stacked semiconductor packages 180 are connected to the connection bar 160 as shown in FIG.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のBLP
型の半導体パッケージは、図8に示すように、半導体パ
ッケージ170のモールディング部110内にアウタリ
ードが挿入されてチップ120からの熱がリード130
に伝達されることにより、アウタリードの露出面に形成
されたハンダが加熱されて疲労現象をもたらすのは勿論
のこと、リード130の不要な部分を切断する工程でリ
ード130とモールディング部110との距離が非常に
短くて、リード切断時に発生する衝撃が半導体パッケー
ジ170のモールディング部110に伝達され、微細な
亀裂、即ちマイクロギャップが発生して半導体パッケー
ジ170の耐久性が低下するという問題点がある。
However, the conventional BLP
As shown in FIG. 8, an outer lead is inserted into the molding portion 110 of the semiconductor package 170, and heat from the chip 120 is transferred to the lead 130, as shown in FIG.
Not only is the solder formed on the exposed surface of the outer lead heated, causing a fatigue phenomenon, but also the distance between the lead 130 and the molding portion 110 in the step of cutting unnecessary portions of the lead 130. Is very short, and the shock generated at the time of cutting the lead is transmitted to the molding part 110 of the semiconductor package 170, so that a fine crack, that is, a micro gap is generated, and the durability of the semiconductor package 170 is reduced.

【0007】また、従来のBLP型の半導体パッケージ
の製造工程は、図9に示すように一つの工程が完了した
後、順次次の工程が行われるようになっており、全体工
程の所要時間が増加し、モールディング時にリードにく
っ付いたエポキシモールディングコンパウンドを除去す
るためのリード研磨工程(ステップS60)が追加され
て全体工程が増加するという問題点がある。
Further, in the conventional manufacturing process of a BLP type semiconductor package, as shown in FIG. 9, after one process is completed, the next process is sequentially performed. In addition, there is a problem that a lead polishing process (step S60) for removing an epoxy molding compound adhered to a lead during molding is added, thereby increasing the overall process.

【0008】さらに、従来の半導体パッケージを積層さ
せる時、図10に示すように、各アウタリード190
a,190bが相互連結する接触部が外側に突出する
か、それぞれのリード190を一つに連結する連結バー
160が必要であり、これにより実装時に半導体パッケ
ージの設置面積が増えるのは勿論のこと、それぞれのリ
ード190の積層された接触部が相互に密着しなくて積
層高さが増大するという問題点がある。
Further, when stacking a conventional semiconductor package, as shown in FIG.
In this case, the contact portion where the a and 190b are connected to each other protrudes outward, or the connection bar 160 that connects the respective leads 190 to one is required. This naturally increases the installation area of the semiconductor package during mounting. However, there is a problem that the stacked contact portions of the respective leads 190 do not adhere to each other and the stacking height increases.

【0009】そこで、本発明の目的は、メイン工程と分
離されたプリモールドのボディを形成する工程を別途に
行うことにより、工程の二元化により工程時間を短縮
し、ボディの外周縁に沿ってリードを折り曲げてチップ
とリードとの距離を充分確保することにより、部品の実
装時にチップから伝達される熱によるハンダの疲労現象
を減少させることにある。
Therefore, an object of the present invention is to separately perform a step of forming a pre-molded body separated from a main step, thereby shortening the processing time by dualizing the steps and reducing the time along the outer peripheral edge of the body. The purpose of the present invention is to reduce the solder fatigue phenomenon due to the heat transmitted from the chip when mounting the component by bending the lead to secure a sufficient distance between the chip and the lead.

【0010】また、本発明の他の目的は、半導体パッケ
ージの下面部と上面部にわたってリードを延長して結合
範囲を増加させることにより、多様な形態のリードを有
する通常の半導体パッケージを相互積層する際に、最小
限の設置面積及び高さに積層すると共に、印刷回路基板
に実装されるリードの端が実装時の連結部位によって多
様な形態に変形可能であって互換性を向上させることに
ある。
Another object of the present invention is to extend the leads over the lower surface and the upper surface of the semiconductor package to increase the coupling range, thereby stacking ordinary semiconductor packages having various types of leads. In this case, the stacking is performed to a minimum installation area and height, and the end of the lead mounted on the printed circuit board can be deformed into various forms depending on a connection part at the time of mounting to improve compatibility. .

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体パッケージは、多数個の入出力
パッドを有するチップと、このチップが実装される内部
空間が形成されたプリモールド部と前記内部空間を充填
する充填部を含み前記チップを密封するボディと、この
ボディ内で一側が前記多数個の入出力パッドに電気的に
接続され、他側が前記ボディの下面部から突出して上面
部に至るように延長して折り曲げられてI型に形成さ
れ、またはガルウィング型に形成されて外方に折り曲げ
られ、またはJ型に形成されて内側に折り曲げられた
数個のリードと、この多数個のリードを前記チップに物
理的に付着させる固定部材と、を含んで成るものであ
る。このような構成によって、半導体パッケージの外周
面に沿って形成されるリードは、半導体パッケージの下
面部から上面部まで延長され、チップからの熱を効果的
に放出することによりリードの熱によるハンダの疲労現
象を減らし、リードとモールディング部との距離が長く
なってリード切断時に発生する衝撃がパッケージのモー
ルディング部に伝達されることを防止することにより半
導体の耐久性を向上させる。また、多様な形態に形成さ
れるリードを有する通常の半導体パッケージの相互積層
時に多方向での結合が可能になって積層をより容易にす
る。
In order to achieve the above object, a semiconductor package according to the present invention comprises a chip having a number of input / output pads and a pre-molded part in which an internal space for mounting the chip is formed. A body including a filling portion for filling the internal space and sealing the chip, and one side in the body is electrically connected to the plurality of input / output pads, and the other side protrudes from a lower surface of the body and has an upper surface. Is extended and bent to reach the I-shaped part.
Or gull-wing shaped and bent outward
Or a plurality of leads formed in a J-shape and bent inward, and a fixing member for physically attaching the plurality of leads to the chip. . With such a configuration, the leads formed along the outer peripheral surface of the semiconductor package are extended from the lower surface to the upper surface of the semiconductor package, and the heat from the chips is effectively released by effectively releasing the heat from the chip. The durability of the semiconductor is improved by reducing fatigue phenomena and preventing the shock generated at the time of cutting the lead from being transmitted to the molding part of the package by increasing the distance between the lead and the molding part. In addition, when semiconductor packages having leads formed in various forms are stacked on each other, the semiconductor packages can be connected in multiple directions, thereby making stacking easier.

【0012】また、本発明による半導体パッケージの製
造方法は、内部空間をもつプリモールド部を形成してボ
ディを形成する工程と、前記プリモールド部に多数個の
入出力パッドを有するチップを実装する工程と、前記チ
ップに多数個のリードの一側を付着させて固定する工程
と、前記チップの入出力パッドと前記リードの一側をワ
イヤで接続する工程と、前記リードの一側を含んで前記
チップを囲むように樹脂を前記プリモールド部の内部空
間にモールディングして充填部を形成し前記チップとリ
ードをボディに結合させる工程と、前記リードの他側を
端が前記下面部と反対の前記ボディの上面部に至るよう
に延長して折り曲げてI型に形成し、またはガルウィン
グ型に形成されるように外方に折り曲げ、またはJ型に
形成されるように内側に折り曲げる工程とを、順次行う
ものである。
Further, in the method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention, a step of forming a body by forming a pre-mold portion having an internal space, and mounting a chip having a plurality of input / output pads on the pre-mold portion. A step of attaching and fixing one side of a number of leads to the chip, a step of connecting an input / output pad of the chip and one side of the lead with a wire, and including one side of the lead. Molding a resin into the internal space of the pre-molded portion so as to surround the chip to form a filling portion, and bonding the chip and the lead to the body; and the other end of the lead is opposite to the lower surface portion. reach the upper surface portion of said body
Bend to form an I-shape or
Bent outward to form a J-shaped or J-shaped
And the step of bending inward so as to be formed is performed sequentially.

【0013】さらに、本発明による半導体パッケージの
他の例は、多数個の入出力パッドを有するチップと、こ
のチップが実装される内部空間が形成されたプリモール
ド部と前記内部空間を充填する充填部を含み前記チップ
を密封するボディと、このボディ内で一側が前記多数個
の入出力パッドに電気的に接続され、他側が前記ボディ
の下面部から突出して上面部に至るように延長して折り
曲げられてI型に形成され、またはガルウィング型に形
成されて外方に折り曲げられ、またはJ型に形成されて
内側に折り曲げられた多数個のリードと、この多数個の
リードを前記チップに物理的に付着させる固定部材とを
含む第1単位パッケージと、この第1単位パッケージの
ボディ上に積層された多数個のリードを有する第2単位
パッケージとを含み、前記第2単位パッケージの多数個
のリードが前記第1単位パッケージの多数個のリードに
電気的に接続されるようにしたものである。
Further, another example of the semiconductor package according to the present invention is a chip having a plurality of input / output pads, a pre-molded portion in which an internal space for mounting the chip is formed, and a filling for filling the internal space. A body including a portion and sealing the chip, and one side in the body is electrically connected to the plurality of input / output pads, and the other side extends from the lower surface of the body to extend to the upper surface. Folding
Bent to form an I-shape or gull-wing shape
Formed and bent outward, or formed into a J-shape
A first unit package including a plurality of leads bent inward, a fixing member for physically attaching the plurality of leads to the chip, and a plurality of stacked units on the body of the first unit package And a plurality of leads of the second unit package are electrically connected to a plurality of leads of the first unit package.

【0014】そして、前記第2単位パッケージは、多数
個の入出力パッドを有するチップと、このチップが実装
される内部空間が形成されたプリモールド部と前記内部
空間を充填する充填部を含み前記チップを密封するボデ
ィと、このボディ内で一側が前記多数個の入出力パッド
に電気的に接続され、他側が前記ボディの下面部から突
出して上面部に至るように延長して折り曲げられてI型
に形成され、またはガルウィング型に形成されて外方に
折り曲げられ、またはJ型に形成されて内側に折り曲げ
られた多数個のリードと、この多数個のリードを前記チ
ップに物理的に付着させる固定部材とを含むものであ
る。
The second unit package includes a chip having a number of input / output pads, a pre-molded part having an internal space in which the chip is mounted, and a filling part filling the internal space. A body for sealing the chip, and one side of the body is electrically connected to the plurality of input / output pads, and the other side is extended and bent so as to protrude from the lower surface of the body to reach the upper surface, and be bent. Type
Formed or gull-wing shaped outward
Bent or formed into a J shape and bent inward
And a fixing member for physically attaching the leads to the chip.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して説明する。図1は本発明によるBLP型
の半導体パッケージの構造を示す断面図である。この半
導体パッケージは、図1に示したように、メイン工程か
ら分離されて二元化された別途のプリモールドのボディ
形成工程を通じてモールディング金型に樹脂剤を注入し
た後、硬化させてボディ210が形成されている。この
ようなボディ210の内部空間の底面部には、チップ2
20が挿入される。そして、このチップ220の下面に
は、接着テープ240で多数個のリード230が固着さ
れ、各リード230とチップ220の多数個の入出力パ
ッドはボンディングワイヤ250によってワイヤボンデ
ィングされて電気的に接続される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a structure of a BLP type semiconductor package according to the present invention. In this semiconductor package, as shown in FIG. 1, a resin material is injected into a molding die through a separate pre-molded body forming process separated from the main process, and then cured to form the body 210. Is formed. A chip 2 is provided on the bottom of the internal space of the body 210.
20 is inserted. On the lower surface of the chip 220, a large number of leads 230 are fixed with an adhesive tape 240, and each lead 230 and a large number of input / output pads of the chip 220 are electrically connected by wire bonding with bonding wires 250. You.

【0016】このようにチップ220とリード230と
が挿入されたボディ210の内部空間にエポキシ樹脂2
60が注入されて密封され、前記ボディ210の外部に
露出されたリード230のアウタ部分がボディ210の
下面部から側面を経て上面部に至るように前記ボディ2
10の表面に沿って延長されて折り曲げられることによ
り、BLP型の半導体パッケージ280が形成される。
The interior space of the body 210 into which the chip 220 and the lead 230 are inserted as described above
60 is injected and sealed so that the outer portion of the lead 230 exposed to the outside of the body 210 extends from the lower surface of the body 210 to the upper surface via the side surface.
The BLP type semiconductor package 280 is formed by being extended and bent along the surface of the semiconductor device 10.

【0017】図2は本発明のBLP型の半導体パッケー
ジ280を印刷回路基板300に実装する状態を示した
説明図である。本発明のBLP型の半導体パッケージ2
80を用いて、図2(a)に示したようにリード230
がエポキシ樹脂260によってモールディングされた面
が下側に向くようにするか(以下「リバース」とい
う)、図2(b)に示したように前記モールディングさ
れた面が上側に向くようにし(以下「フロント」とい
う)、それぞれのリード230を印刷回路基板(以下
「基板」という)300に実装したものである。
FIG. 2 is an explanatory view showing a state in which the BLP type semiconductor package 280 of the present invention is mounted on a printed circuit board 300. BLP type semiconductor package 2 of the present invention
80, the leads 230 are used as shown in FIG.
The surface molded by the epoxy resin 260 faces downward (hereinafter referred to as “reverse”), or the molded surface faces upward as shown in FIG. 2B (hereinafter “reverse”). ), And the respective leads 230 are mounted on a printed circuit board (hereinafter, referred to as “board”) 300.

【0018】ここで、図1に示した本発明によるBLP
型の半導体パッケージ280は、ボディ210の外周縁
に沿ってアウタリードが延長されて折り曲げられて下面
部から上面部にわたってリード230が形成されている
ので、図2(a)に示すようにBLP型の半導体パッケ
ージ280のエポキシ樹脂260によってモールディン
グされた部分を下側に向けた、即ちリバースされた状態
で基板300上に実装するか、または、図2(b)に示
すように前記モールディングされた部分を上側に向け
た、即ちフロントされた状態で基板300上に実装して
も、各リード230に他の形式で形成された半導体パッ
ケージのリード部が相互接触して積層可能になる。
Here, the BLP according to the present invention shown in FIG.
In the semiconductor package 280 of the type, the outer leads are extended and bent along the outer peripheral edge of the body 210 to form the leads 230 from the lower surface to the upper surface, so that the BLP type semiconductor package is formed as shown in FIG. The portion molded by the epoxy resin 260 of the semiconductor package 280 may be mounted on the substrate 300 in a state where the portion is turned downward, that is, the semiconductor package 280 may be mounted on the substrate 300 as shown in FIG. 2B. Even when the semiconductor device is mounted on the substrate 300 in an upward or frontal state, the leads of the semiconductor package formed in another form are in contact with the respective leads 230 and can be stacked.

【0019】この時、本発明によるBLP型の半導体パ
ッケージ280と従来の半導体パッケージ170との相
互積層時、各リード部の占有空間を最小化し得るように
相互接触するリードの接触面の側面が垂直を成して突出
部が発生することを抑制して、実装時の全体面積を最小
化すると同時に、相互接触面が平面を成したまま接触し
て積層された高さを最小化することができる。
At this time, when the BLP type semiconductor package 280 according to the present invention and the conventional semiconductor package 170 are stacked together, the side surfaces of the contact surfaces of the leads that are in contact with each other are vertical so as to minimize the space occupied by each lead. In addition, it is possible to minimize the total area when mounting by suppressing the occurrence of protrusions, and at the same time, to minimize the stacked height by contacting the mutual contact surfaces while forming a plane. .

【0020】次に、このようにボディの形成された本発
明のBLP型の半導体パッケージを積層する実施例を図
3〜図6に示す使用状態図を参照して説明する。 第1実施例: 図3(a)は第1実施例を示したものである。この実施
例は、リード130が下面部にのみ形成された通常のB
LP型の半導体パッケージ170を第2単位パッケージ
として上部に位置させ、ボディ210が形成されリード
230が延長されたBLP型の半導体パッケージ280
を第1単位パッケージとして下部にリバースされた状態
で基板300上に実装して、各リード230と130が
相互接触することにより積層される構造である。この
時、上部に位置した通常のBLP型の半導体パッケージ
170はリード130が短いが、下部に位置したBLP
型の半導体パッケージ280の上面部まで延長されたリ
ード230によって相互接触される。従って、前記通常
のBLP型の半導体パッケージ170のリード130の
一面と、本発明のBLP型の半導体パッケージ280の
上面部まで延長されたリード230の一面が相互接触さ
れて積層されることにより、各半導体素子間の間隔が最
小化される。
Next, an embodiment of stacking the BLP type semiconductor package of the present invention having the body formed as described above will be described with reference to the use state diagrams shown in FIGS. First Embodiment FIG. 3A shows a first embodiment. In this embodiment, a normal B in which the lead 130 is formed only on the lower surface portion is used.
The LP semiconductor package 170 is positioned at the top as a second unit package, and the BLP semiconductor package 280 in which the body 210 is formed and the leads 230 are extended.
Is mounted on the substrate 300 in a state where the first unit package is reversed downward, and the leads 230 and 130 are stacked by being in contact with each other. At this time, the normal BLP type semiconductor package 170 located at the top has a short lead 130, but the BLP located at the bottom has a short length.
The leads 230 are extended to the upper surface of the semiconductor package 280. Accordingly, one surface of the lead 130 of the normal BLP type semiconductor package 170 and one surface of the lead 230 extended to the upper surface of the BLP type semiconductor package 280 of the present invention are brought into contact with each other and stacked. The spacing between semiconductor elements is minimized.

【0021】第2実施例: 図3(b)は第2実施例を示したものである。この実施
例においては、ボディ210の形成されたBLP型の半
導体パッケージ280を第1単位パッケージとして下部
に位置させ、フロントされた状態で基板300上に実装
し、上部に通常のBLP型の半導体パッケージ170を
第2単位パッケージとして位置させることにより、各リ
ード230と130が相互接触して積層される。
Second Embodiment FIG. 3B shows a second embodiment. In this embodiment, a BLP type semiconductor package 280 having a body 210 is located at a lower portion as a first unit package, mounted on a substrate 300 in a frontal state, and a normal BLP type semiconductor package is provided at an upper portion. By positioning the 170 as the second unit package, the leads 230 and 130 are stacked in contact with each other.

【0022】第3実施例: 図4(a)は第3実施例を示したものである。この実施
例においては、ボディ210の形成されたBLP型の半
導体パッケージ280をそれぞれ第1及び第2単位パッ
ケージとしてフロントされた状態で上下に積層したもの
を示したものである。なお、これと逆に、リバースされ
た状態で上下に積層したものでもそれぞれのアウタリー
ドが相互連結されて積層され得るのは勿論である。この
時、それぞれのBLP型の半導体パッケージ280の前
面から側面を経て後面まで延長されたリード230が相
互接触し、各連結部位は相互に密接に接触する。
Third Embodiment FIG. 4A shows a third embodiment. In this embodiment, a BLP type semiconductor package 280 having a body 210 is vertically stacked as a first and a second unit package, respectively. Conversely, even if the outer leads are vertically stacked in a reversed state, the outer leads can be interconnected and stacked. At this time, the leads 230 extending from the front surface to the rear surface of the BLP-type semiconductor package 280 from the front surface to the rear surface come into contact with each other, and the connection portions come into close contact with each other.

【0023】一方、図4(b)〜図6はBLP型の半導
体パッケージのアウタリード端を多様な形に変形して積
層した、好ましい実施例を示したものである。 第4実施例: 図4(b)は第4実施例を示したものである。この実施
例においては、ボディ210の形成されたBLP型の半
導体パッケージ280を第1単位パッケージとしてフロ
ントされた状態でリード230の端をJ型に形成して内
側に折り曲げて基板300上に実装し、このようなBL
P型の半導体パッケージ280の上面部に通常のBLP
型の半導体パッケージ170を第2単位パッケージとし
て位置させて、前記BLP型の半導体パッケージ280
のリード230の前面と通常のBLP型の半導体パッケ
ージ170のリード130の面とを相互接触させて連結
して積層する。
On the other hand, FIGS. 4B to 6 show preferred embodiments in which the outer lead ends of a BLP type semiconductor package are deformed and laminated in various shapes. Fourth Embodiment FIG. 4B shows a fourth embodiment. In this embodiment, with the BLP type semiconductor package 280 having the body 210 formed thereon as a first unit package, the ends of the leads 230 are formed in a J shape, bent inward, and mounted on the substrate 300. , Such a BL
Normal BLP on top of P-type semiconductor package 280
The semiconductor package 170 of the BLP type as the second unit package.
The front surface of the lead 230 and the surface of the lead 130 of the normal BLP type semiconductor package 170 are brought into contact with each other, connected and stacked.

【0024】第5実施例: 図5(a)は第5実施例を示したものである。この実施
例においては、ボディ210の形成されたBLP型の半
導体パッケージ280を第1単位パッケージとしてフロ
ントされた状態でリード230の端をガルウィング型に
形成して外方に折り曲げて基板300上に実装し、図4
(b)と同様にBLP型の半導体パッケージ280の上
面部に通常のBLP型の半導体パッケージ170を第2
単位パッケージとして位置させて各リード230と13
0の面を相互接触することにより、積層される。
Fifth Embodiment FIG. 5A shows a fifth embodiment. In this embodiment, the ends of the leads 230 are formed in a gull-wing shape and bent outward to be mounted on the substrate 300 with the BLP type semiconductor package 280 on which the body 210 is formed as the first unit package. And FIG.
As in (b), the normal BLP type semiconductor package 170 is placed on the top surface of the BLP type semiconductor package 280 as the second.
Each lead 230 and 13 is positioned as a unit package.
The layers are stacked by mutually contacting the 0 planes.

【0025】第6実施例: 図5(b)は第6実施例を示したものである。この実施
例においては、ボディ210が形成されたBLP型の半
導体パッケージ280を第1単位パッケージとしてフロ
ントされた状態でリード230の端をI型に形成して上
面部に至り基板300上に固定し、図4(b)と同様に
BLP型の半導体パッケージ280の上面部に通常のB
LP型の半導体パッケージ170を第2単位パッケージ
として位置させて各リード230と130の面を相互接
触することにより、積層される。
Sixth Embodiment FIG. 5B shows a sixth embodiment. In this embodiment, with the BLP type semiconductor package 280 having the body 210 formed thereon as the first unit package, the ends of the leads 230 are formed into an I type, and the leads 230 reach the upper surface and are fixed on the substrate 300. 4B, a normal BLP is formed on the upper surface of the BLP type semiconductor package 280.
The LP type semiconductor package 170 is positioned as a second unit package, and the surfaces of the leads 230 and 130 are brought into contact with each other to be stacked.

【0026】第7実施例: 図6は第7実施例を示したものである。この実施例にお
いては、ボディ210の形成されたBLP型の半導体パ
ッケージ280がフロントされた状態でリード230の
端をI型に形成して第1単位パッケージとして基板30
0上に実装される。このような状態で、図6(a)に示
すように、上側にボディ210の外周縁に沿って延長さ
れたリード230を形成したBLP型の半導体パッケー
ジ280を第2単位パッケージとしてフロントされた状
態でそれぞれのリード230,230が相互接触して結
合するか、図6(b)に示すように、上側にリード23
0の端がI型に形成された同一のBLP型の半導体パッ
ケージ280を第2単位パッケージとしてリバースされ
た状態で各リード230,230が相互接触して結合す
ることにより、半導体パッケージが積層される。
Seventh Embodiment FIG. 6 shows a seventh embodiment. In this embodiment, the ends of the leads 230 are formed in an I-shape with the BLP type semiconductor package 280 having the body 210 formed on the front, and the substrate 30 is formed as a first unit package.
0. In this state, as shown in FIG. 6A, a state in which the BLP type semiconductor package 280 having the leads 230 extended along the outer peripheral edge of the body 210 on the upper side is fronted as the second unit package. The leads 230, 230 are brought into contact with each other and joined together, or as shown in FIG.
The leads 230 and 230 are brought into contact with each other in a state where the same BLP type semiconductor package 280 in which the end of 0 is formed as an I type is reversely used as a second unit package, and the semiconductor packages are stacked. .

【0027】次に、本発明による半導体パッケージの製
造方法について説明する。図7は本発明のBLP型の半
導体パッケージの製造工程を示すフローチャートであ
る。本発明のBLP型の半導体パッケージを製造するに
は、モールディング金型に樹脂を注入してチップとリー
ドを内挿し得る内部空間の備えられたボディを形成する
プリモールディング工程(ステップS110)と、前記
プリモールディングされて形成されたボディを硬化させ
る硬化工程(ステップS120)とを、メイン工程と別
途に行う。
Next, a method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention will be described. FIG. 7 is a flowchart showing a manufacturing process of the BLP type semiconductor package of the present invention. In order to manufacture the BLP type semiconductor package of the present invention, a resin is injected into a molding die to form a body having an internal space into which a chip and a lead can be inserted (step S110); A curing step (step S120) of curing the pre-molded body is performed separately from the main step.

【0028】一方、多数個のチップが形成されているウ
ェーハからそれぞれのチップを分離するためにウェーハ
を切断するウェーハ切断工程(ステップS130)と、
この切断されたチップをパドルに付着させるダイボンデ
ィング工程(ステップS140)とが順次行われる。こ
のようにダイボンディング工程(ステップS140)を
経た後、チップにリードを電気的に接続するために、チ
ップの多数個の入出力パッドと多数個のリードをボンデ
ィングワイヤで連結するワイヤボンディング工程(ステ
ップS150)が続き、前記別途にプリモールディング
されて形成された前記ボディの内部空間にワイヤボンデ
ィング済みのチップとリードを位置させて充填剤を注入
してチップとリードをボディに結合させるモールディン
グ工程(ステップS160)が行われる。
On the other hand, a wafer cutting step (step S130) of cutting the wafer to separate each chip from the wafer on which a large number of chips are formed,
A die bonding step (step S140) of attaching the cut chips to a paddle is sequentially performed. After the die bonding step (step S140), a wire bonding step (step S140) of connecting a plurality of input / output pads of the chip and a plurality of leads with bonding wires to electrically connect the leads to the chip. S150) is followed by a molding step of positioning the wire-bonded chip and lead in the interior space of the separately pre-molded body and injecting a filler to couple the chip and lead to the body (step) S160) is performed.

【0029】このようにパッケージがモールディングさ
れた状態で、ボディの外部に露出されたアウタリードを
保護剤でコーティングするための鍍金工程(ステップS
170)と、ボディの表面にパッケージの識別因子を与
えるマーキング工程(ステップS180)と、前記アウ
タリードのうち不要な部分を切断し、切断済みのリード
を折り曲げてボディの外表面に密着させるリードトリミ
ング及びフォーミング工程(ステップS190)とが順
次行われてパッケージが完成する。なお、このステップ
S190では、前記リードの他側を端が前記ボディの下
面部と反対の上面部に至るように延長して折り曲げてI
型に形成し、またはガルウィング型に形成されるように
外方に折り曲げ、またはJ型に形成されるように内側に
折り曲げてフォーミングする。
With the package molded as described above, a plating step (step S) for coating the outer leads exposed outside the body with a protective agent.
170), a marking step (step S180) of giving a package identification factor to the surface of the body, cutting unnecessary portions of the outer leads, bending the cut leads, and bringing the outer leads into close contact with the outer surface of the body. The forming process (step S190) is sequentially performed to complete the package. Note that this step
At S190, the other end of the lead is placed under the body.
Extend and bend to reach the upper surface opposite to the surface
Molded or as Gull Wing Mold
Fold outward or inward to form a J-shape
Bend and form.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明は以上のように構成されたので、
請求項1記載の半導体パッケージによれば、ボディの外
周面に沿って形成されるリードは、半導体パッケージの
下面部から上面部まで延長されチップからの熱を効果的
に放出することにより、リードのハンダの疲労現象を減
らすことができる。また、リードとモールディング部と
の距離が長くなって、リード切断時に発生する衝撃がパ
ッケージのモールディング部に伝達されることを防止す
ることにより、半導体の耐久性を向上させることができ
る。さらに、リードの他端がボディの下面部から突出し
て上面部に至るよ うに延長して折り曲げられてI型に形
成され、またはガルウィング型に形成されて外方に折り
曲げられ、またはJ型に形成されて内側に折り曲げられ
るので、基板に多様な形で実装することができ、通常の
半導体パッケージの相互接触時に多方向での結合が可能
になって積層をより容易にすることができる。また、ボ
ディにはチップが実装される内部空間が形成されたプリ
モールド部を予め形成するので、工程が二元化されて全
体工程上の作業時間を短縮し、順次連続して行われる一
つの工程による時間遅延を最小化することができる。
The present invention has been configured as described above.
According to the semiconductor package of the present invention, the leads formed along the outer peripheral surface of the body extend from the lower surface portion to the upper surface portion of the semiconductor package, and effectively release heat from the chip, so that the leads are formed. Solder fatigue phenomena can be reduced. In addition, since the distance between the lead and the molding portion is increased and the shock generated when the lead is cut is prevented from being transmitted to the molding portion of the package, the durability of the semiconductor can be improved. In addition, the other end of the lead projects from the lower surface of the body.
Bent to by Uni extend through to the upper surface portion Te form type I
Or formed in gull-wing shape and folded outward
Bent or formed into a J shape and bent inward
Therefore, the semiconductor package can be mounted on the substrate in various forms, and the semiconductor package can be connected in various directions at the time of mutual contact with each other, so that the lamination can be more easily performed. In addition, since a pre-molded portion in which an internal space for mounting a chip is formed is formed in the body in advance, the processes are dualized to reduce the work time in the entire process, and one of the processes performed sequentially and sequentially is performed. Time delay due to the process can be minimized.

【0031】また、請求項記載の半導体パッケージの
製造方法によれば、内部空間をもつプリモールド部を形
成してボディを別途に形成するプリモールディング工程
によって、工程が二元化されて全体工程上の作業時間を
短縮し、順次連続して行われる一つの工程による時間遅
延を最小化することができる。
Further, according to the method of manufacturing the semiconductor package according to claim 2, the pre-molding process of forming the body separately to form a premolded part having an internal space, the entire process is two yuan step The above operation time can be shortened, and the time delay caused by one successive process can be minimized.

【0032】さらに、請求項記載の半導体パッケージ
によれば、請求項1の半導体パッケージを第1単位パッ
ケージとして、そのリードの他端が多様な形に折り曲げ
られることにより基板に多様な形に実装することがで
き、この第1単位パッケージのボディ上に第2単位パッ
ケージを、それぞれのリードが電気的に相互接触される
ように積層することができる。
Furthermore, according to the semiconductor package according to claim 3, the semiconductor package according to claim 1 as a first unit package, the other end of the lead is bent in a variety of forms
Can be mounted in various forms on the board.
Then , the second unit package can be stacked on the body of the first unit package such that the respective leads are electrically connected to each other.

【0033】さらにまた、請求項記載の半導体パッケ
ージによれば、上記第2単位パッケージを請求項1の半
導体パッケージで構成し、上記リードの他端が多様な形
に折り曲げられて基板に多様な形に実装される第1単位
パッケージのボディ上に第2単位パッケージを、それぞ
れのリードが電気的に相互接触されるように積層するこ
とができる。
Further, according to the semiconductor package of the fourth aspect , the second unit package is constituted by the semiconductor package of the first aspect, and the other ends of the leads have various shapes.
The second unit package may be stacked on the body of the first unit package, which is bent and mounted on the substrate in various shapes, such that the respective leads are in electrical contact with each other.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるBLP型の半導体パッケージの構
造を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a BLP type semiconductor package according to the present invention.

【図2】上記BLP型の半導体パッケージを印刷回路基
板に実装する状態を示す説明図である。
FIG. 2 shows a printed circuit board mounted on the BLP type semiconductor package.
It is explanatory drawing which shows the state mounted on a board.

【図3】本発明のボディの形成されたBLP型の半導体
パッケージの積層状態を示す第1実施例及び第2実施例
の図である。
FIG. 3 is a BLP type semiconductor having a body according to the present invention .
First and second embodiments showing a stacked state of a package
FIG.

【図4】上記ボディの形成されたBLP型の半導体パッ
ケージの積層状態を示す第3実施例及び第4実施例の図
である。
FIG. 4 is a BLP type semiconductor package having the above-mentioned body formed therein.
Figures of the third embodiment and the fourth embodiment showing the stacked state of the cage
It is.

【図5】上記ボディの形成されたBLP型の半導体パッ
ケージの積層状態を示す第5実施例及び第6実施例の図
である。
FIG. 5 is a BLP type semiconductor package formed with the above-mentioned body .
Figures of the fifth embodiment and the sixth embodiment showing the stacked state of the cage
It is.

【図6】上記ボディの形成されたBLP型の半導体パッ
ケージの積層状態を示す第7実施例の図である。
FIG. 6 is a BLP type semiconductor package having the body formed thereon.
It is a figure of the 7th Example showing the lamination state of the cage.

【図7】本発明のBLP型の半導体パッケージの製造工
程を示すフローチャートである。
FIG. 7 is a view showing a process for manufacturing a BLP type semiconductor package according to the present invention;
It is a flowchart which shows a process.

【図8】従来のBLP型の半導体パッケージの構造を示
す断面図である。
FIG. 8 shows a structure of a conventional BLP type semiconductor package.
FIG.

【図9】従来のBLP型の半導体パッケージの製造工程
を示すフローチャートである。
FIG. 9 is a manufacturing process of a conventional BLP type semiconductor package.
It is a flowchart which shows.

【図10】従来の半導体パッケージが多数個積層される
実施例を示す使用状態図である。
FIG. 10 shows a case where a large number of conventional semiconductor packages are stacked.
It is a use state figure which shows an Example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110…モールディング部 120,220…チップ 130,230…リード 140,240…接着テープ 150,250…ボンディングワイヤ 160…連結バー 170,280…BLP型の半導体パッケージ 210…ボディ 260…エポキシ樹脂 300…印刷回路基板 400…ハンダ 110: Molding part 120, 220 ... Chip 130, 230 ... Lead 140, 240 ... Adhesive tape 150, 250 ... Bonding wire 160 ... Connecting bar 170, 280 ... BLP type semiconductor package 210 ... Body 260 ... Epoxy resin 300 ... Printed circuit Substrate 400 ... Solder

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 25/18 (56)参考文献 特開 平8−8389(JP,A) 特開 平4−85837(JP,A) 特開 平5−13666(JP,A) 特開 平8−148635(JP,A) 実開 昭62−182560(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/56,23/28,23/50 H01L 25/10,25/11,25/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H01L 25/18 (56) References JP-A-8-8389 (JP, A) JP-A-4-85837 (JP, A) JP-A-5-13666 (JP, A) JP-A-8-148635 (JP, A) JP-A-62-182560 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21 / 56,23 / 28,23 / 50 H01L 25 / 10,25 / 11,25 / 18

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】多数個の入出力パッドを有するチップと、 このチップが実装される内部空間が形成されたプリモー
ルド部と前記内部空間を充填する充填部を含み前記チッ
プを密封するボディと、 このボディ内で一側が前記多数個の入出力パッドに電気
的に接続され、他側が前記ボディの下面部から突出して
上面部に至るように延長して折り曲げられてI型に形成
され、またはガルウィング型に形成されて外方に折り曲
げられ、またはJ型に形成されて内側に折り曲げられた
多数個のリードと、 この多数個のリードを前記チップに物理的に付着させる
固定部材と、 を含むことを特徴とする半導体パッケージ。
A chip having a plurality of input / output pads, a pre-molded part having an internal space in which the chip is mounted, and a body sealing the chip including a filling part filling the internal space; In this body, one side is electrically connected to the plurality of input / output pads, and the other side is extended and bent to extend from the lower surface of the body to the upper surface to form an I-shape.
Or gull-wing shaped and bent outward
A plurality of leads formed or bent inwardly and formed in a J-shape, and a fixing member for physically attaching the plurality of leads to the chip. Semiconductor package.
【請求項2】内部空間をもつプリモールド部を形成して
ボディを形成する工程と、 前記プリモールド部に多数個の入出力パッドを有するチ
ップを実装する工程と、 前記チップに多数個のリードの一側を付着させて固定す
る工程と、 前記チップの入出力パッドと前記リードの一側をワイヤ
で接続する工程と、 前記リードの一側を含んで前記チップを囲むように樹脂
を前記プリモールド部の内部空間にモールディングして
充填部を形成し前記チップとリードをボディに結合させ
る工程と、 前記リードの他側を端が前記下面部と反対の前記ボディ
の上面部に至るように延長して折り曲げてI型に形成
し、またはガルウィング型に形成されるように外方に折
り曲げ、またはJ型に形成されるように内側に折り曲げ
る工程とを、 順次行うことを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。
2. A step of forming a body by forming a pre-molded part having an internal space; a step of mounting a chip having a large number of input / output pads in the pre-molded part; A step of attaching and fixing one side of the chip; a step of connecting an input / output pad of the chip to one side of the lead with a wire; and a step of applying a resin to surround the chip including one side of the lead. Molding a filling portion by molding into an inner space of a mold portion and connecting the chip and the lead to the body; extending the other side of the lead so that an end reaches an upper surface portion of the body opposite to the lower surface portion; And bend to form I-shape
Or fold outward to form a gull-wing shape
And a step of bending inward so as to form a J-shape .
【請求項3】多数個の入出力パッドを有するチップと、
このチップが実装される内部空間が形成されたプリモー
ルド部と前記内部空間を充填する充填部を含み前記チッ
プを密封するボディと、このボディ内で一側が前記多数
個の入出力パッドに電気的に接続され、他側が前記ボデ
ィの下面部から突出して上面部に至るように延長して
り曲げられてI型に形成され、またはガルウィング型に
形成されて外方に折り曲げられ、またはJ型に形成され
て内側に折り曲げられた多数個のリードと、この多数個
のリードを前記チップに物理的に付着させる固定部材と
を含む第1単位パッケージと、 この第1単位パッケージのボディ上に積層された多数個
のリードを有する第2単位パッケージとを含み、 前記第2単位パッケージの多数個のリードが前記第1単
位パッケージの多数個のリードに電気的に接続されるこ
とを特徴とする半導体パッケージ。
3. A chip having a number of input / output pads;
A body for sealing the chip including a pre-molded part in which an internal space in which the chip is mounted and a filling part for filling the internal space, and one side in the body electrically connected to the plurality of input / output pads; It is connected to, folding and extending to reach the upper surface portion other side projects from the lower surface portion of said body
Bend to form an I-shape or gull-wing shape
Formed and bent outward, or formed into a J-shape
A first unit package including a plurality of leads bent inwardly and a fixing member for physically attaching the plurality of leads to the chip; and a plurality of layers stacked on a body of the first unit package. A second unit package having a plurality of leads, wherein a plurality of leads of the second unit package are electrically connected to a plurality of leads of the first unit package.
【請求項4】前記第2単位パッケージは、多数個の入出
力パッドを有するチップと、このチップが実装される内
部空間が形成されたプリモールド部と前記内部空間を充
填する充填部を含み前記チップを密封するボディと、こ
のボディ内で一側が前記多数個の入出力パッドに電気的
に接続され、他側が前記ボディの下面部から突出して上
面部に至るように延長して折り曲げられてI型に形成さ
れ、またはガルウィング型に形成されて外方に折り曲げ
られ、またはJ型に形成されて内側に折り曲げられた
数個のリードと、この多数個のリードを前記チップに物
理的に付着させる固定部材とを含むことを特徴とする請
求項記載の半導体パッケージ。
4. The second unit package includes a chip having a number of input / output pads, a pre-molded part having an internal space in which the chip is mounted, and a filling part filling the internal space. A body for sealing the chip, and one side of the body is electrically connected to the plurality of input / output pads, and the other side is extended and bent so as to protrude from the lower surface of the body to reach the upper surface, and be bent. Formed into a mold
Or gull-wing shaped and bent outward
Or a plurality of leads formed in a J-shape and bent inward, and a fixing member for physically attaching the plurality of leads to the chip. Item 4. The semiconductor package according to Item 3 .
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