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JP3181887B2 - Connected ceramic wiring board, method of manufacturing the same, and method of manufacturing ceramic wiring board - Google Patents

Connected ceramic wiring board, method of manufacturing the same, and method of manufacturing ceramic wiring board

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Publication number
JP3181887B2
JP3181887B2 JP05270399A JP5270399A JP3181887B2 JP 3181887 B2 JP3181887 B2 JP 3181887B2 JP 05270399 A JP05270399 A JP 05270399A JP 5270399 A JP5270399 A JP 5270399A JP 3181887 B2 JP3181887 B2 JP 3181887B2
Authority
JP
Japan
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ceramic wiring
wiring board
hole
ceramic
main surface
Prior art date
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JP05270399A
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Japanese (ja)
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Inventor
吉田  誠
政美 長谷川
克浩 曽部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12922262&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3181887(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP05270399A priority Critical patent/JP3181887B2/en
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、連結セラミック配
線基板、その製造方法及びセラミック配線基板の製造方
法に関し、特に、メタライズ層が形成された凹部を側面
に有するセラミック配線基板が繋がった連結セラミック
配線基板、その製造方法、及び上記凹部を側面に有する
セラミック配線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connected ceramic wiring board, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a ceramic wiring board. The present invention relates to a substrate, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a ceramic wiring board having the concave portion on a side surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、セラミック配線基板を他の基
板等と電気的に接続させるため、側面に設けられた凹部
の内壁面に、内部配線層に導通したメタライズ層を形成
したセラミック配線基板が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to electrically connect a ceramic wiring substrate to another substrate or the like, a ceramic wiring substrate having a metallized layer electrically connected to an internal wiring layer is formed on an inner wall surface of a concave portion provided on a side surface. Are known.

【0003】このようなセラミック配線基板として、例
えば、図7に示すセラミック配線基板101が挙げられ
る。このセラミック配線基板101は、上面101A、
下面101B、第1側面101C、第2側面101D、
第3側面101E、第4側面101Fを有する略直方体
形状をなす。上面101A側には、水晶振動子、フィル
タ、集積回路チップなどの電子部品(図示しない)を搭
載するための電子部品用凹部103が形成されている。
また、第1側面101C及び第3側面101Eには、そ
れぞれ3ヶ所に半円筒状の凹部105が設けられ、その
内壁面には、メタライズ層107と、更にその表面に被
着されたNi−Auメッキ層108とが形成され、内部
配線層(図示しない)と導通している。各凹部105の
図中上下方向の寸法は、セラミック配線基板101の厚
さ、即ち、第1側面101Cの高さの約3分の2であ
り、下面101B側に偏って形成されている。つまり、
上面101Aには、下面101Bと異なり、その周縁に
凹部105による凹みが存在しない。
As such a ceramic wiring board, for example, there is a ceramic wiring board 101 shown in FIG. The ceramic wiring board 101 has an upper surface 101A,
A lower surface 101B, a first side surface 101C, a second side surface 101D,
It has a substantially rectangular parallelepiped shape having a third side surface 101E and a fourth side surface 101F. On the upper surface 101A side, there is formed an electronic component concave portion 103 for mounting electronic components (not shown) such as a quartz oscillator, a filter, and an integrated circuit chip.
The first side surface 101C and the third side surface 101E are each provided with a semi-cylindrical concave portion 105 at three places. The inner wall surface has a metallized layer 107 and a Ni-Au layer adhered to the surface. A plating layer 108 is formed and is electrically connected to an internal wiring layer (not shown). The size of each recess 105 in the vertical direction in the figure is about two-thirds of the thickness of the ceramic wiring substrate 101, that is, the height of the first side surface 101C, and is formed so as to be biased toward the lower surface 101B. That is,
Unlike the lower surface 101B, the upper surface 101A does not have a recess due to the concave portion 105 on the periphery thereof.

【0004】このような形態にすると、例えば、上面1
01Aに封着用メタライズ層109を形成して、蓋部材
(図示しない)を上面101Aに載せてセラミック配線
基板101を気密封止するときに、上面101Aに凹み
がないことにより、その分封着用メタライズ層109を
拡げることができる。このため、蓋部材とセラミック配
線基板101との接着強度を確保し易い。
In such a form, for example, the upper surface 1
When the sealing metallization layer 109 is formed on the upper surface 101A and the ceramic wiring board 101 is hermetically sealed by placing a lid member (not shown) on the upper surface 101A, the upper surface 101A has no dent, so that the metallization layer for sealing is formed. 109 can be expanded. Therefore, it is easy to secure the adhesive strength between the lid member and the ceramic wiring board 101.

【0005】ところで、このセラミック配線基板101
を製造するにあたり、従来、図8に示すように、隣り合
うすべてのセラミック配線基板101が互いに接して繋
がった連結セラミック配線基板111を一挙に製造し、
これを境界線113の位置で個分けしてセラミック配線
基板101とする方法が採られていた。このようにして
製造すると、生産性を上げ、安価にセラミック配線基板
101を製造することができる。
Incidentally, the ceramic wiring board 101
Conventionally, as shown in FIG. 8, a connected ceramic wiring board 111 in which all adjacent ceramic wiring boards 101 are in contact with each other and connected to each other is manufactured at a time.
A method has been adopted in which the ceramic wiring board 101 is divided into individual pieces at the position of the boundary 113. By manufacturing in this way, the productivity can be increased and the ceramic wiring substrate 101 can be manufactured at low cost.

【0006】この場合、メタライズ層107が形成され
ている孔は、図8に示すように、上面101Aと下面1
01Bとの間を貫通していない、有底孔115である。
このため、Ni−Auメッキ層を形成する際、通常の電
解メッキを施しても、均一にメッキ層108を形成する
ことが困難である。これは、有底孔115内ではメッキ
液の循環が良くない、または、連結セラミック配線基板
111をメッキ液に浸したときに、有底孔115内に空
気が閉じ込められて、有底孔155内の奥までメッキ液
が行き渡らないなどが原因であると考えられる。このよ
うにメッキ層108の厚さが不均一であると、セラミッ
ク配線基板101を他の配線基板などに搭載してハンダ
付けした場合に、メタライズ層107上にハンダが流れ
ないなど、接続信頼性が低くなる。また、メッキ層10
8の厚さ規格を満足しないものが多くなり、連結セラミ
ック配線基板111やセラミック配線基板101の製造
歩留まりが低くなるので、実用的ではなかった。
In this case, the hole in which the metallized layer 107 is formed is, as shown in FIG.
The bottomed hole 115 does not penetrate through the space 115B.
For this reason, when forming a Ni-Au plating layer, it is difficult to uniformly form the plating layer 108 even if ordinary electrolytic plating is performed. This is because the circulation of the plating solution is not good in the bottomed hole 115, or when the connected ceramic wiring board 111 is immersed in the plating solution, air is trapped in the bottomed hole 115 and the bottomed hole 155 It is considered that the plating solution does not spread all the way to the back. If the thickness of the plating layer 108 is non-uniform as described above, when the ceramic wiring board 101 is mounted on another wiring board and soldered, the solder does not flow on the metallization layer 107 and the connection reliability is reduced. Becomes lower. Also, the plating layer 10
8 do not satisfy the thickness standard, and the production yield of the connected ceramic wiring board 111 and the ceramic wiring board 101 is lowered, which is not practical.

【0007】そこで、図9に示すように、セラミック配
線基板101間に、不要部128を設けた連結セラミッ
ク配線基板121が考えられている。この連結セラミッ
ク配線基板121は、ちょうど図8に示す連結セラミッ
ク配線基板111の境界線113の位置に、不要部12
8が挿入された状態にされている。セラミック配線基板
101と不要部128との境界間には、円筒形の有底孔
115に代えて、略長円形状の開口を有する有底孔12
5が、第2主面101B側に開口するようにして、それ
ぞれ形成されている。また、この有底孔125の内壁面
には、メタライズ層107が形成されている。また、不
要部128のうち有底孔125の底部には、それぞれ有
底孔125と第1主面101A側とを連通する還流孔1
26が形成されている。このような連結セラミック配線
基板121では、内壁面にメタライズ層107が形成さ
れた有底孔125が、下面101B側に開口しているだ
けでなく、上面101A側にも通じている。このため、
メタライズ層107上にメッキを施す際、有底孔125
内のメッキ液の流通が良くなることにより、メタライズ
層107上に均一にメッキ層108を形成することがで
きる。
Therefore, as shown in FIG. 9, a connected ceramic wiring board 121 having an unnecessary portion 128 between ceramic wiring boards 101 has been considered. The connection ceramic wiring board 121 is located at the boundary 113 of the connection ceramic wiring board 111 shown in FIG.
8 has been inserted. Between the boundary between the ceramic wiring board 101 and the unnecessary portion 128, instead of the cylindrical bottomed hole 115, a bottomed hole 12 having a substantially elliptical opening is provided.
5 are formed so as to open toward the second main surface 101B. A metallized layer 107 is formed on the inner wall surface of the bottomed hole 125. The bottom of the bottomed hole 125 of the unnecessary portion 128 has a return hole 1 communicating the bottomed hole 125 with the first main surface 101A side.
26 are formed. In such a connected ceramic wiring board 121, the bottomed hole 125 in which the metallized layer 107 is formed on the inner wall surface opens not only to the lower surface 101B side but also to the upper surface 101A side. For this reason,
When plating on the metallized layer 107, the bottomed holes 125
By improving the flow of the plating solution therein, the plating layer 108 can be uniformly formed on the metallized layer 107.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記連
結セラミック配線基板121では、セラミック配線基板
101に境界線123に沿って個分けする際に、廃棄す
べき不要部128が出来てしまう。このため、セラミッ
ク配線基板101のコストアップとなっていた。このよ
うに、従来は、生産性が高く、安価に製造できるもので
ありながら、製造時の歩留まりも高く、接続信頼性も高
い連結セラミック配線基板及びセラミック配線基板を製
造することが困難であった。
However, in the connection ceramic wiring board 121, when the ceramic wiring board 101 is divided along the boundary line 123, an unnecessary portion 128 to be discarded is formed. For this reason, the cost of the ceramic wiring board 101 is increased. As described above, conventionally, it has been difficult to manufacture a connected ceramic wiring substrate and a ceramic wiring substrate that have high productivity and can be manufactured at low cost, yet have a high production yield and high connection reliability. .

【0009】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、凹部のメタライズ層上に均一にメッキ層が形
成され、個分けしたセラミック配線基板の接続信頼性の
高い連結セラミック配線基板、その製造方法、及び上記
メッキ層を有するセラミック配線基板の製造方法を提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above situation, and has a connection ceramic wiring board in which a plating layer is uniformly formed on a metallized layer in a concave portion and connection reliability of the divided ceramic wiring boards is high. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method and a method for manufacturing a ceramic wiring board having the plating layer.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、第1主面及び第2主面を有する複数のセラミッ
ク配線基板が、互いに接して繋がった連結セラミック配
線基板であって、隣接する上記セラミック配線基板同士
の境界上に、上記第1主面側から形成した第1ブレイク
溝と、隣接する上記セラミック配線基板間に跨り、上記
第2主面側に開口し、内壁面にメタライズ層が形成され
た有底孔とを有し、上記有底孔の底部には上記第1ブレ
イク溝の一部が貫通して、上記有底孔と上記第1ブレイ
ク溝とが連通してなり、上記第1ブレイク溝は、断面の
幅が一定である基部と先端部とを有するブレイク刃のう
ち上記先端部全体と上記基部の一部を差し入れて形成し
た後に焼成してなるものであり、上記第1ブレイク溝の
上記第1主面上での幅が上記有底孔の径よりも小さいこ
とを特徴とする連結セラミック配線基板である。
Means for Solving the Problems, Action and Effect The solution is to provide a connected ceramic wiring board in which a plurality of ceramic wiring boards having a first main surface and a second main surface are connected in contact with each other. A first break groove formed from the first main surface side on a boundary between the ceramic wiring substrates to be formed, and a straddle between adjacent ceramic wiring substrates, an opening on the second main surface side, and metallization on an inner wall surface. A bottomed hole in which a layer is formed, a part of the first break groove penetrates through the bottom of the bottomed hole, and the bottomed hole and the first break groove communicate with each other. The first break groove has a cross section
Break blade with a constant width base and tip
Insert the entire tip and a part of the base to form
And a firing step, wherein the width of the first break groove on the first main surface is smaller than the diameter of the bottomed hole.

【0011】本発明によれば、連結セラミック配線基板
は、隣接するセラミック配線基板間に跨り、第2主面側
に開口した有底孔を備える。また、隣接するセラミック
配線基板同士の境界上に、第1主面側から形成した第1
ブレイク溝を備える。そして、有底孔の底部には、第1
ブレイク溝が貫通して、有底孔と第1ブレイク溝とが連
通している。つまり、この有底孔は、第1主面側及び第
2主面側の両方に通じている。このため、有底孔の内壁
面に形成されたメタライズ層上に、酸化防止などの目的
からNi−Auメッキなどのメッキ層を形成する際、メ
ッキ液が、有底孔を通じて、第1主面と第2主面との間
を流通し易い。また、連結セラミック配線基板をメッキ
液中に浸す際、有底孔内に空気が閉じ込められ難いの
で、メッキ液が有底孔内全体に行き渡る。
According to the present invention, the connected ceramic wiring board has a bottomed hole which straddles between adjacent ceramic wiring boards and is opened on the second main surface side. In addition, the first ceramic surface formed on the boundary between the adjacent ceramic wiring boards from the first main surface side.
It has a break groove. And, at the bottom of the bottomed hole, the first
The break groove penetrates, and the bottomed hole and the first break groove communicate with each other. That is, the bottomed hole communicates with both the first main surface side and the second main surface side. Therefore, when a plating layer such as Ni-Au plating is formed on the metallized layer formed on the inner wall surface of the bottomed hole for the purpose of preventing oxidation or the like, the plating solution is passed through the bottomed hole to the first main surface. And the second main surface. Further, when the connected ceramic wiring board is immersed in the plating solution, the air is hardly trapped in the bottomed hole, so that the plating solution spreads throughout the bottomed hole.

【0012】従って、本発明の連結セラミック配線基板
は、複数のセラミック配線基板が互いに接して繋がった
ものでありながら、有底孔の内壁面のメタライズ層上に
メッキ層を均一に形成することができ、歩留まりを向上
させることができる。また、連結セラミック配線基板を
個分けする際に無駄になる部分をなくすことができるの
で、安価な連結セラミック配線基板とすることができ
る。また、メッキ層が形成された連結セラミック配線基
板をブレイク溝に沿って破断して、個々のセラミック配
線基板とした場合、有底孔が分割されてできるセラミッ
ク配線基板側面の凹部には、均一にメッキ層が形成され
ている。従って、接続信頼性が高いセラミック配線基板
となる。
Therefore, in the connected ceramic wiring board of the present invention, the plating layer can be uniformly formed on the metalized layer on the inner wall surface of the bottomed hole while the plurality of ceramic wiring boards are connected to each other and connected. The yield can be improved. In addition, since a wasteful part can be eliminated when the connecting ceramic wiring boards are separated, an inexpensive connecting ceramic wiring board can be obtained. Also, when the connected ceramic wiring board on which the plating layer is formed is broken along the break grooves to make individual ceramic wiring boards, the bottomed hole is divided into concave portions on the side of the ceramic wiring board, which are uniformly formed. A plating layer is formed. Therefore, a ceramic wiring board having high connection reliability is obtained.

【0013】ここで、有底孔としては、隣接するセラミ
ック配線基板に跨り、第2主面側に開口しているもので
あれば良く、その形状としては、略円形状や略楕円形状
などの開口をなすものが挙げられる。また、第1ブレイ
ク溝の形状や大きさも、適宜変更することができる。特
に、有底孔の底面のうち、第1ブレイク溝と連通した部
分の開口面積を考慮して、メッキを施す際のメッキ液の
循環等が良好な形状、大きさを選択すれば良い。また、
隣接するセラミック配線基板同士の境界上に形成された
ブレイク溝については、第1主面側から形成した上記第
1ブレイク溝の他、これに対向するように第2主面側か
ら形成した第2ブレイク溝を備えていても良い。
Here, the bottomed hole may be any hole as long as it straddles the adjacent ceramic wiring board and is open on the second main surface side. The shape may be a substantially circular shape or a substantially elliptical shape. An opening may be used. Further, the shape and size of the first break groove can also be changed as appropriate. In particular, in consideration of the opening area of a portion of the bottom surface of the bottomed hole that communicates with the first break groove, a shape and a size may be selected in which plating solution circulation and the like during plating are favorable. Also,
Regarding the break groove formed on the boundary between adjacent ceramic wiring boards, in addition to the first break groove formed from the first main surface side, the second break groove formed from the second main surface side to face the first break groove is formed. A break groove may be provided.

【0014】さらに、上記の連結セラミック配線基板で
あって、前記有底孔の内壁面に形成された前記メタライ
ズ層上に、メッキ層を形成してなることを特徴とする連
結セラミック配線基板とすると良い。
Further, in the above-mentioned connected ceramic wiring substrate, a plated ceramic layer is formed on the metallized layer formed on the inner wall surface of the bottomed hole. good.

【0015】本発明の連結セラミック配線基板は、第2
主面側に開口した有底孔と、第1主面側から形成された
第1ブレイク溝とが連通している。このため、有底孔の
メタライズ層上にメッキ層を形成する際に、メッキ液の
流通が良好であるので、メタライズ層上に形成されたメ
ッキ層の厚さが均一になる。従って、本発明の連結セラ
ミック配線基板は、複数のセラミック配線基板が互いに
接して繋がったものでありながら、有底孔の内壁面のメ
タライズ層上に、メッキ層が均一に形成されてなる。ま
た、この連結セラミック配線基板をブレイク溝で破断し
て、個分けすると、有底孔が分割されてできるセラミッ
ク配線基板側面の凹部には、均一にメッキ層が形成され
ている。従って、接続信頼性が高いセラミック配線基板
となる。
The connected ceramic wiring board according to the present invention has a
The bottomed hole opened on the main surface side communicates with the first break groove formed from the first main surface side. For this reason, when the plating layer is formed on the metallized layer having the bottomed holes, the plating solution flows well, and the thickness of the plated layer formed on the metallized layer becomes uniform. Therefore, in the connected ceramic wiring board of the present invention, the plating layer is uniformly formed on the metallized layer on the inner wall surface of the bottomed hole, while the plurality of ceramic wiring boards are in contact with each other and connected. Further, when the connected ceramic wiring substrate is broken by the break grooves and divided into individual pieces, a plating layer is uniformly formed in a concave portion on the side surface of the ceramic wiring substrate formed by dividing the bottomed hole. Therefore, a ceramic wiring board having high connection reliability is obtained.

【0016】さらに、上記の連結セラミック配線基板で
あって、前記複数のセラミック配線基板は、隣り合うす
べての上記セラミック配線基板が、互いに接して繋がっ
ていることを特徴とする連結セラミック配線基板とする
と良い。
Further, in the above-mentioned connected ceramic wiring board, the plurality of ceramic wiring boards are characterized in that all the adjacent ceramic wiring boards are in contact with each other and connected to each other. good.

【0017】本発明によれば、連結セラミック配線基板
は、隣り合うすべてのセラミック配線基板が、互いに接
して繋がっている。即ち、連結セラミック配線基板に
は、セラミック配線基板に個分けする際に、無駄になる
部分が存在しない。このため、安価な連結セラミック配
線基板とすることができる。
According to the present invention, in the connected ceramic wiring board, all the adjacent ceramic wiring boards are in contact with each other and connected. That is, there is no useless portion in the connection ceramic wiring board when the ceramic wiring board is divided into individual pieces. Therefore, an inexpensive connected ceramic wiring board can be obtained.

【0018】また、他の解決手段は、第1主面及び第2
主面を有する複数のセラミック配線基板が、互いに接し
て繋がった連結セラミック配線基板の製造方法であっ
て、隣接する上記セラミック配線基板に対応する領域間
に跨り、内壁面に未焼成メタライズ層を有する貫通孔が
形成された1又は複数の第2セラミックグリーンシート
と、上記第2セラミックグリーンシートの上記貫通孔に
対応する部分に貫通孔を有しない1又は複数の第1セラ
ミックグリーンシートとを積層した積層体を形成する積
層工程と、断面の幅が一定である基部と先端部を有する
ブレイク刃の先端部全体と基部の一部をプレスして入
れ、上記積層体のうち少なくとも上記1又は複数の第1
セラミックグリーンシートのすべてを貫通する深さで、
上記第1主面上での幅が上記貫通孔の径よりも小さい第
1ブレイク溝を、隣接する上記セラミック配線基板に対
応する領域同士の境界上に、上記第1セラミックグリー
ンシート側から形成するとともに、上記貫通孔と上記第
1セラミックグリーンシートの貫通孔内露出面とからな
る有底孔の底部を貫通して、上記有底孔と上記第1ブレ
イク溝とを連通させる溝形成工程と、上記積層体を焼成
する焼成工程と、を備えることを特徴とする連結セラミ
ック配線基板の製造方法である。
Another solution is a first principal surface and a second principal surface.
A method for manufacturing a connected ceramic wiring board in which a plurality of ceramic wiring boards each having a main surface are in contact with and connected to each other, the method including straddling a region corresponding to the adjacent ceramic wiring board, and having an unfired metallized layer on an inner wall surface. One or a plurality of second ceramic green sheets having a through hole formed therein and one or a plurality of first ceramic green sheets having no through hole in a portion corresponding to the through hole of the second ceramic green sheet are laminated. A laminating step of forming a laminate, the entire distal end of the break blade having a base and a distal end having a constant cross-sectional width and a part of the base are pressed in, and at least one or more of the laminates in the laminate First
At a depth that penetrates all of the ceramic green sheets,
A first break groove having a width on the first main surface smaller than the diameter of the through hole is formed on a boundary between regions corresponding to the adjacent ceramic wiring boards from the first ceramic green sheet side. A groove forming step of penetrating the bottom of the bottomed hole formed by the through hole and the exposed surface in the through hole of the first ceramic green sheet to communicate the bottomed hole and the first break groove; And a firing step of firing the laminate.

【0019】本発明によれば、積層工程において、1又
は複数の第1セラミックグリーンシートと、1又は複数
の第2セラミックグリーンシートとを順に重ねて、セラ
ミックグリーンシートの積層体を形成する。このとき、
第2セラミックグリーンシートに形成された貫通孔と、
第1セラミックグリーンシートの貫通孔内露出面とによ
り、有底孔が形成される。そして、溝形成工程におい
て、第1主面側から第1ブレイク溝を形成するととも
に、積層工程で形成された有底孔の底部を貫通させて、
有底孔と第1ブレイク溝とを連通させる。つまり、有底
孔が第1主面側にも通じた状態にするために、不要部を
設け、有底孔の底部を別工程で別途貫通させる必要がな
く、第1ブレイク溝の形成と同時に行える。このため、
作業工程を簡略化でき、安価に連結セラミック配線基板
を製造することができる。
According to the present invention, in the laminating step, one or a plurality of first ceramic green sheets and one or a plurality of second ceramic green sheets are sequentially laminated to form a laminate of ceramic green sheets. At this time,
A through hole formed in the second ceramic green sheet;
A bottomed hole is formed by the exposed surface in the through hole of the first ceramic green sheet. Then, in the groove forming step, while forming the first break groove from the first main surface side, penetrating the bottom of the bottomed hole formed in the laminating step,
The bottomed hole communicates with the first break groove. That is, in order to make the bottomed hole also communicate with the first main surface side, there is no need to provide an unnecessary portion, and it is not necessary to separately penetrate the bottom portion of the bottomed hole in a separate step, and simultaneously with the formation of the first break groove. I can do it. For this reason,
The working process can be simplified, and the connected ceramic wiring board can be manufactured at low cost.

【0020】また、本発明の製造方法により製造する連
結セラミック配線基板は、第2主面側に開口した有底孔
が、第1主面側にも通じている。このため、有底孔の内
壁面に形成されたメタライズ層上にメッキ層を形成する
際、メッキ液が有底孔を通して第1主面と第2主面との
間を流通し易い。また、有底孔内に空気が閉じ込められ
難いので、メッキ液が有底孔内全体に行き渡る。従っ
て、メタライズ層上にメッキ層を均一に形成することが
でき、歩留まりを向上させることができる。また、連結
セラミック配線基板をセラミック配線基板に個分けする
際に不要となる部分をなくすことができるので、より安
価な連結セラミック配線基板とすることができる。
In the connected ceramic wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention, the bottomed hole opened on the second main surface side also communicates with the first main surface side. For this reason, when forming a plating layer on the metallized layer formed on the inner wall surface of the bottomed hole, the plating solution easily flows between the first main surface and the second main surface through the bottomed hole. In addition, since the air is hardly trapped in the bottomed hole, the plating solution spreads throughout the bottomed hole. Therefore, the plating layer can be formed uniformly on the metallized layer, and the yield can be improved. Further, since unnecessary portions can be eliminated when the connected ceramic wiring board is divided into the ceramic wiring boards, a more inexpensive connected ceramic wiring board can be obtained.

【0021】ここで、第2セラミックグリーンシートに
形成された貫通孔については、第2セラミックグリーン
シートが複数ある場合には、予め各第2セラミックグリ
ーンシート毎に貫通孔を形成した後に、積層するように
すれば良い。また、貫通孔が形成されていない状態で第
2セラミックグリーンシート同士を積層し、後に一挙に
貫通孔を穿孔するようにしても良い。また、貫通孔の内
壁面に形成された未焼成メタライズ層についても、第2
セラミックグリーンシートが複数ある場合には、予め各
第2セラミックグリーンシート毎に未焼成メタライズ層
を形成した後に、積層するようにすれば良い。また、各
第2セラミックグリーンシートを積層後、貫通孔内に未
焼成メタライズ層を形成するようにしても良い。
Here, with respect to the through holes formed in the second ceramic green sheets, when there are a plurality of second ceramic green sheets, the through holes are formed in advance for each of the second ceramic green sheets, and then laminated. What should I do? Alternatively, the second ceramic green sheets may be laminated with no through-hole formed, and the through-hole may be formed at a time later. Further, the unfired metallized layer formed on the inner wall surface of the through-hole also
When there are a plurality of ceramic green sheets, an unfired metallized layer may be formed for each second ceramic green sheet in advance and then laminated. After laminating the second ceramic green sheets, an unfired metallized layer may be formed in the through hole.

【0022】さらに、上記の連結セラミック配線基板の
製造方法であって、前記焼成工程後、前記有底孔の内壁
面のメタライズ層上に、メッキ層を形成するメッキ層形
成工程を備えることを特徴とする連結セラミック配線基
板の製造方法とすると良い。
Further, in the above method for manufacturing a connected ceramic wiring board, the method further comprises a plating layer forming step of forming a plating layer on the metallized layer on the inner wall surface of the bottomed hole after the firing step. It is preferable to use a method for manufacturing a connected ceramic wiring board.

【0023】本発明によれば、焼成工程後、有底孔の内
壁面のメタライズ層上に、メッキ層を形成する。このと
き、有底孔は、第1主面側及び第2主面側の両方に通じ
ているので、メッキ液が有底孔を通じて両主面間を流通
し易く、また、メッキ液が有底孔内全体に行き渡る。従
って、メタライズ層上にメッキ層を均一に形成すること
ができ、歩留まりを向上させることができる。また、本
発明の製造方法により製造した連結セラミック配線基板
を、ブレイク溝で破断して個分けしたセラミック配線基
板は、有底孔が分割されてできた側面の凹部に、均一に
メッキ層が形成されているので、接続信頼性が高い。
According to the present invention, after the firing step, a plating layer is formed on the metallized layer on the inner wall surface of the bottomed hole. At this time, since the bottomed hole communicates with both the first main surface side and the second main surface side, the plating solution easily flows between the two main surfaces through the bottomed hole. Spread all over the hole. Therefore, the plating layer can be formed uniformly on the metallized layer, and the yield can be improved. Further, the ceramic wiring board obtained by breaking the connected ceramic wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention by breaking it with a break groove has a uniform plating layer in the concave portion on the side surface formed by dividing the bottomed hole. The connection reliability is high.

【0024】また、他の解決手段は、第1主面と、第2
主面と、メタライズ層及びメッキ層が形成された凹部を
有する側面と、を備えるセラミック配線基板の製造方法
であって、隣接する上記セラミック配線基板に対応する
領域間に跨り、内壁面に未焼成メタライズ層を有する貫
通孔が形成された1又は複数の第2セラミックグリーン
シートと、上記第2セラミックグリーンシートの上記貫
通孔に対応する部分に貫通孔を有しない1又は複数の第
1セラミックグリーンシートとを積層した積層体を形成
する積層工程と、断面の幅が一定である基部と先端部を
有するブレイク刃の先端部全体と基部の一部をプレスし
て入れ、上記積層体のうち少なくとも上記1又は複数の
第1セラミックグリーンシートのすべてを貫通する深さ
で、上記第1主面上での幅が上記貫通孔の径よりも小さ
い第1ブレイク溝を、隣接する上記セラミック配線基板
に対応する領域同士の境界上に、上記第1セラミックグ
リーンシート側から形成するとともに、上記貫通孔と上
記第1セラミックグリーンシートの貫通孔内露出面とか
らなる有底孔の底部を貫通して、上記有底孔と上記第1
ブレイク溝とを連通させる溝形成工程と、上記積層体を
焼成して、連結セラミック配線基板を形成する焼成工程
と、上記焼成工程後、上記有底孔の内壁面のメタライズ
層上に、メッキ層を形成するメッキ層形成工程と、上記
連結セラミック配線基板を上記第1ブレイク溝で破断し
て、上記有底孔を上記凹部に分割し、上記セラミック配
線基板に個分けする個分工程と、を備えることを特徴と
するセラミック配線基板の製造方法である。
Another solution is a first principal surface and a second principal surface.
A method for manufacturing a ceramic wiring board, comprising: a main surface; and a side surface having a concave portion in which a metallized layer and a plating layer are formed. One or more second ceramic green sheets provided with through holes having a metallized layer, and one or more first ceramic green sheets having no through holes in portions of the second ceramic green sheets corresponding to the through holes A laminating step of forming a laminated body by laminating, and pressing and inserting the entire distal end and a part of the base of the break blade having a base and a distal end having a constant cross-sectional width, and at least the A first break groove having a depth penetrating all of the one or more first ceramic green sheets and having a width on the first main surface smaller than a diameter of the through hole; A bottom having a through hole and an exposed surface in the through hole of the first ceramic green sheet formed on the boundary between the regions corresponding to the adjacent ceramic wiring substrates from the first ceramic green sheet side; The bottomed hole and the first
A groove forming step of communicating with the break groove; a firing step of firing the laminate to form a connected ceramic wiring substrate; and after the firing step, a plating layer is formed on the metalized layer on the inner wall surface of the bottomed hole. Forming a plated layer, and breaking the connected ceramic wiring substrate at the first break groove, dividing the bottomed hole into the concave portions, and dividing the connected ceramic wiring substrate into the ceramic wiring substrates. A method for manufacturing a ceramic wiring board, comprising:

【0025】本発明によれば、溝形成工程において、第
1ブレイク溝を形成するとともに、有底孔の底部を貫通
し、有底孔と第1ブレイク溝とを連通させる。このた
め、作業工程を簡略化でき、安価にセラミック配線基板
を製造することができる。さらに、焼成工程後、有底孔
の内壁面のメタライズ層上に、メッキ層を形成すとき、
メタライズ層が形成された有底孔は、両主面側に通じて
いるので、メッキ液が有底孔を通じて流通し易く、ま
た、メッキ液が有底孔内全体に行き渡る。従って、メタ
ライズ層上にメッキ層を均一に形成することができ、歩
留まりを向上させることができる。
According to the present invention, in the groove forming step, the first break groove is formed and penetrates the bottom of the bottomed hole so that the bottomed hole communicates with the first break groove. Therefore, the working process can be simplified, and the ceramic wiring board can be manufactured at low cost. Furthermore, after the firing step, when forming a plating layer on the metallized layer on the inner wall surface of the bottomed hole,
Since the bottomed hole in which the metallized layer is formed communicates with both main surfaces, the plating solution easily flows through the bottomed hole, and the plating solution spreads throughout the bottomed hole. Therefore, the plating layer can be formed uniformly on the metallized layer, and the yield can be improved.

【0026】また、個分工程において破断されたセラミ
ック配線基板は、有底孔が分割されてできた側面の凹部
に、均一にメッキ層が形成されているので、接続信頼性
が高い。さらに、個分工程において、セラミック配線基
板同士の間に不要な部分を形成しておく必要がないの
で、その分多数のセラミック配線基板を製造できるな
ど、安価なセラミック配線基板とすることができる。従
って、本発明によれば、生産性が高く、安価に製造でき
るセラミック配線基板でありながら、製造時の歩留まり
も高く、接続信頼性も高い製品を製造することができ
る。
Further, the ceramic wiring board broken in the individual process has a high reliability of connection because the plated layer is uniformly formed in the concave portion on the side surface formed by dividing the bottomed hole. Further, in the individual process, unnecessary portions do not need to be formed between the ceramic wiring boards, so that an inexpensive ceramic wiring board can be obtained, for example, a large number of ceramic wiring boards can be manufactured. Therefore, according to the present invention, it is possible to manufacture a product having high productivity and high connection reliability while being a ceramic wiring board having high productivity and being inexpensively manufactured.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】(実施形態1) 以下、本発明の実施の形態を、図を参照しつつ説明す
る。本実施形態で製造されるセラミック配線基板1を、
図1(a)に示す。このセラミック配線基板1は、3.
8×3.8×1.1mmの略直方体形状をなし、第1主
面(上面)1A、第2主面(下面)1B、第1側面1
C、第2側面1D、第3側面1E、第4側面1Fを有す
る。第1主面1A側には、水晶振動子(図示しない)を
搭載するために、階段状の電子部品用凹部3が形成され
ている。また、第1主面1Aには、このセラミック配線
基板1に蓋部材(図示しない)を載置して気密封止する
ために、第1主面1Aの外周縁1AM及び内周縁1AN
よりもそれぞれ僅かに引き下げた略口字形状の封着用メ
タライズ層9が形成されている。
(Embodiment 1) Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The ceramic wiring board 1 manufactured in this embodiment is
This is shown in FIG. This ceramic wiring board 1 has 3.
It has a substantially rectangular parallelepiped shape of 8 × 3.8 × 1.1 mm, and has a first main surface (upper surface) 1A, a second main surface (lower surface) 1B, and a first side surface 1.
C, a second side face 1D, a third side face 1E, and a fourth side face 1F. On the first main surface 1A side, a step-shaped concave part 3 for an electronic component is formed for mounting a quartz oscillator (not shown). Further, on the first main surface 1A, an outer peripheral edge 1AM and an inner peripheral edge 1AN of the first main surface 1A are provided in order to place a lid member (not shown) on the ceramic wiring board 1 and hermetically seal it.
A metallized layer 9 for sealing having a substantially square shape, which is slightly lowered from each other, is formed.

【0028】第1側面1C及び第3側面1Eには、それ
ぞれ3ヶ所に半円筒状の凹部5(直径0.3mm、高さ
0.8mm)が設けられている。その内壁面にはメタラ
イズ層7と、更にその表面に被着されたNi−Auメッ
キ層8とが形成され、メタライズ層7は、内部配線層
(図示しない)と導通している。これらの凹部5は、第
2主面1B側に偏って形成されている。つまり、第1主
面1Aの外周縁1AMには、第2主面1Bの外周縁と異
なり、半円筒状の凹部5による凹みが存在しない。この
ため、封着用メタライズ層9は、凹部5の有無に拘わら
ず、第1主面の外周縁1AMの近傍まで拡げられて、幅
太で凹みのない略口字形状にされている。
The first side surface 1C and the third side surface 1E are each provided with a semicylindrical concave portion 5 (diameter 0.3 mm, height 0.8 mm) at three places. A metallized layer 7 and a Ni-Au plated layer 8 adhered to the surface are formed on the inner wall surface, and the metallized layer 7 is electrically connected to an internal wiring layer (not shown). These recesses 5 are formed so as to be biased toward the second main surface 1B. That is, unlike the outer peripheral edge of the second main surface 1B, the outer peripheral edge 1AM of the first main surface 1A does not have a recess due to the semi-cylindrical concave portion 5. For this reason, the metallization layer 9 for sealing is expanded to the vicinity of the outer peripheral edge 1AM of the first main surface regardless of the presence or absence of the concave portion 5, and is formed in a wide square shape without a dent.

【0029】次に、本実施形態に係る連結セラミック配
線基板について、図2を参照しつつ説明する。この連結
セラミック配線基板11は、隣り合うすべての上記セラ
ミック配線基板1が、互いに接して繋がったものであ
る。隣接するセラミック配線基板1同士の境界12上に
は、第1主面1A側から第1ブレイク溝13(第1主面
1A上で幅0.2mm)が形成されている。また、隣接
するセラミック配線基板1間に跨る有底孔15が、第2
主面1B側に開口して形成されている。有底孔15の内
壁面15Bには、メタライズ層7が形成され、更にその
表面にNi−Auメッキ層8が被着されている。
Next, the connected ceramic wiring board according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The connected ceramic wiring board 11 is formed by connecting all the adjacent ceramic wiring boards 1 in contact with each other. On the boundary 12 between the adjacent ceramic wiring boards 1, a first break groove 13 (width 0.2 mm on the first main surface 1A) is formed from the first main surface 1A side. In addition, the bottomed hole 15 extending between the adjacent ceramic wiring boards 1
The opening is formed on the main surface 1B side. A metallized layer 7 is formed on the inner wall surface 15B of the bottomed hole 15, and a Ni-Au plating layer 8 is further adhered to the surface.

【0030】有底孔15の底部14には第1ブレイク溝
13の一部が貫通して、有底孔15と第1ブレイク溝1
3とが連通している。具体的には、有底孔15の略円形
状の底面15Aの略中央に、第1ブレイク溝13によっ
て、幅0.05〜0.08mmの開口が形成され、有底
孔15と第1ブレイク溝13とが連通している。従っ
て、有底孔15は、第2主面1B側に開口するだけでな
く、第1主面1A側にも通じている。この連結セラミッ
ク配線基板11を第1ブレイク溝13に沿って破断し
て、個々のセラミック配線基板1に個分けすると、この
有底孔15が、それぞれ軸線方向(図中上下方向)に2
分割され、それぞれ第1側面1C及び第3側面1Eの半
円筒形状の凹部5となる(図1参照)。
A part of the first break groove 13 penetrates through the bottom 14 of the bottomed hole 15, and the bottomed hole 15 and the first break groove 1 are formed.
3 is in communication. More specifically, an opening having a width of 0.05 to 0.08 mm is formed by the first break groove 13 at a substantially center of the substantially circular bottom surface 15A of the bottomed hole 15, and the bottomed hole 15 and the first break are formed. The groove 13 is in communication. Therefore, the bottomed hole 15 opens not only to the second main surface 1B side but also to the first main surface 1A side. When the connected ceramic wiring board 11 is broken along the first break groove 13 and divided into individual ceramic wiring boards 1, the bottomed holes 15 are formed in the axial direction (vertical direction in the figure) by two.
It is divided into semi-cylindrical concave portions 5 on the first side surface 1C and the third side surface 1E, respectively (see FIG. 1).

【0031】次に、上記連結セラミック配線基板及びセ
ラミック配線基板の製造方法について、図3〜図5を参
照しつつ説明する。まず、積層工程において、図3
(a)及び(b)に示すようにして、セラミックグリー
ンシートの積層体21を形成する。具体的には、図3
(a)に示すように、セラミック配線基板1に対応する
略板形状をなす領域が、互いに接して繋がった下側セラ
ミックグリーンシート25(第2セラミックグリーンシ
ート)を用意する。下側セラミックグリーンシート25
には、予め隣接するセラミック配線基板1に対応する領
域間に跨る貫通孔32を所定の位置に穿孔し、さらに、
この貫通孔32の内壁面32Bに未焼成メタライズ層3
6も形成しておく。また、この上面25Aには、未焼成
配線層(図示しない)を形成して、未焼成メタライズ層
36と接続させておく。
Next, a method of manufacturing the above-described connected ceramic wiring board and the ceramic wiring board will be described with reference to FIGS. First, in the laminating step, FIG.
As shown in (a) and (b), a laminate 21 of ceramic green sheets is formed. Specifically, FIG.
As shown in (a), a lower ceramic green sheet 25 (second ceramic green sheet) is prepared in which the substantially plate-shaped area corresponding to the ceramic wiring board 1 is in contact with and connected to each other. Lower ceramic green sheet 25
In advance, a through-hole 32 is formed at a predetermined position so as to extend between regions corresponding to the adjacent ceramic wiring boards 1 in advance, and further,
The unfired metallized layer 3 is formed on the inner wall surface 32B of the through hole 32.
6 is also formed. An unsintered wiring layer (not shown) is formed on the upper surface 25A, and is connected to the unsintered metallized layer.

【0032】また、セラミック配線基板1に対応し、略
中央に第2透孔28を有し、口字状をなす領域が、互い
に接して繋がった中央セラミックグリーンシート24
(第2セラミックグリーンシート)を用意する。この中
央セラミックグリーンシート24にも、予め隣接するセ
ラミック配線基板1に対応する領域間に跨る貫通孔31
を所定の位置に穿孔し、さらに、貫通孔31の内壁面3
1Bに未焼成メタライズ層35を形成しておく。また、
中央セラミックグリーンシート24の上面24Aにも、
未焼成配線層(図示しない)を形成して、未焼成メタラ
イズ層35と接続させておく。
A central through-hole 28 corresponding to the ceramic wiring board 1 and having a second through hole 28 substantially in the center, and a square-shaped area is formed by a central ceramic green sheet 24 connected to and in contact with each other.
(Second ceramic green sheet) is prepared. The center ceramic green sheet 24 also has a through hole 31 extending between regions corresponding to the adjacent ceramic wiring boards 1 in advance.
Is drilled at a predetermined position, and the inner wall surface 3 of the through hole 31 is
An unfired metallized layer 35 is formed on 1B. Also,
Also on the upper surface 24A of the central ceramic green sheet 24,
An unsintered wiring layer (not shown) is formed and connected to the unsintered metallized layer 35.

【0033】そして、これら中央セラミックグリーンシ
ート24と下側セラミックグリーンシート25とを位置
合わせをして重ねる。このとき、中央セラミックグリー
ンシート24の貫通孔31と、下側セラミックグリーン
シート25の貫通孔32とが同軸に重なり、略円筒形状
の貫通孔33が形成される。また、貫通孔32,33内
の未焼成メタライズ層35,36も接続され、1つの未
焼成メタライズ層7Aとなる。
Then, the central ceramic green sheet 24 and the lower ceramic green sheet 25 are aligned and overlapped. At this time, the through-hole 31 of the central ceramic green sheet 24 and the through-hole 32 of the lower ceramic green sheet 25 are coaxially overlapped to form a substantially cylindrical through-hole 33. The unfired metallized layers 35 and 36 in the through holes 32 and 33 are also connected to form one unfired metallized layer 7A.

【0034】次に、図3(b)に示すように、セラミッ
ク配線基板1に対応し、略中央に第1透孔27を有し、
口字状をなす領域が、互いに接して繋がった上側セラミ
ックグリーンシート23(第1セラミックグリーンシー
ト)を用意する。そして、この上側セラミックグリーン
シート23を、中央セラミックグリーンシート24と下
側セラミックグリーンシート25との積層体のうちの中
央セラミックグリーンシート24上に、位置合わせをし
て重ね、セラミックグリーンシートの積層体21を形成
する。
Next, as shown in FIG. 3B, a first through hole 27 is provided substantially at the center corresponding to the ceramic wiring board 1,
An upper ceramic green sheet 23 (first ceramic green sheet) is prepared in which the braille-shaped regions are in contact with and connected to each other. Then, the upper ceramic green sheet 23 is aligned and superimposed on the center ceramic green sheet 24 of the stacked body of the center ceramic green sheet 24 and the lower ceramic green sheet 25 to obtain a stacked body of ceramic green sheets. 21 are formed.

【0035】この上側セラミックグリーンシート23の
うち、中央セラミックグリーンシート24と下側セラミ
ックグリーンシート25とを貫通する貫通孔30に対応
する部分には、貫通孔を有しない。このため、貫通孔3
0と上側セラミックグリーンシート23の貫通孔内露出
面23Aとより、有底孔15が形成される。また、上側
セラミックグリーンシート23の第1透孔27と中央セ
ラミックグリーンシート24の第2透孔28によって、
階段状の電子部品用凹部3が形成される。
A portion of the upper ceramic green sheet 23 corresponding to the through hole 30 penetrating the center ceramic green sheet 24 and the lower ceramic green sheet 25 has no through hole. Therefore, the through hole 3
0 and the exposed surface 23 </ b> A in the through hole of the upper ceramic green sheet 23 form the bottomed hole 15. Also, the first through hole 27 of the upper ceramic green sheet 23 and the second through hole 28 of the central ceramic green sheet 24
A step-shaped concave part 3 for an electronic component is formed.

【0036】次に、溝形成工程において、図3(c)に
示すように、隣接するセラミック配線基板1対応する領
域同士の境界12に沿って、第1主面1A側(図中上
方)から第1ブレイク溝13を形成する。このとき同時
に、有底孔15の底部14を貫通するようにして、有底
孔15と第1ブレイク溝13とを連通させる。この工程
によって、内壁面15Bに未焼成メタライズ層7Aを有
する有底孔15は、第2主面2B側だけでなく、第1主
面2A側にも通じた状態になる。
Next, in the groove forming step, as shown in FIG. 3C, along the boundary 12 between the regions corresponding to the adjacent ceramic wiring boards 1 from the first main surface 1A side (upper side in the figure). A first break groove 13 is formed. At the same time, the bottomed hole 15 and the first break groove 13 are communicated with each other so as to penetrate the bottom portion 14 of the bottomed hole 15. By this step, the bottomed hole 15 having the unfired metallized layer 7A on the inner wall surface 15B is connected not only to the second main surface 2B side but also to the first main surface 2A side.

【0037】具体的には、本実施形態では、図4に示す
ように、ブレイク刃を用いて第1ブレイク溝13を形成
している。有底孔15と第1ブレイク溝13とを連通さ
せるためには、第1ブレイク溝13の深さは、少なくと
も上側セラミックグリーンシート23を貫通する深さ以
上である必要がある。ここでは、セラミックグリーンシ
ートの積層体21の厚さ1.1mmの約半分の深さまで
第1ブレイク刃P1を差し入れ、積層体21の厚さの約
半分の深さの第1ブレイク溝13を形成している。な
お、第1ブレイク刃P1は、基部P1Bと先端部P1A
からなる。基部P1Bは、その断面の幅が0.2mmで
ある。また、先端部P1Aは、先端が30度開いた略三
角形状をなし、その高さ(長さ)が0.37mmであ
る。
Specifically, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, the first break groove 13 is formed using a break blade. In order for the bottomed hole 15 and the first break groove 13 to communicate with each other, the depth of the first break groove 13 needs to be at least not less than the depth penetrating the upper ceramic green sheet 23. Here, the first break blade P1 is inserted into the ceramic green sheet laminate 21 to a depth of about half the thickness of 1.1 mm to form the first break groove 13 having a depth of about half the thickness of the laminate 21. are doing. The first break blade P1 has a base P1B and a tip P1A.
Consists of The base P1B has a cross-sectional width of 0.2 mm. The tip P1A has a substantially triangular shape with the tip opened by 30 degrees, and has a height (length) of 0.37 mm.

【0038】第1ブレイク刃P1でプレスをしたとき、
第1ブレイク刃P1の先端部P1A全体と、基部P1B
の一部が積層体21に入り、この第1ブレイク刃P1の
外形と略同様の形状の第1ブレイク溝13が形成され
る。このようにプレスをすると、有底孔15の底部14
が貫通して、有底孔15と第1ブレイク溝13とが連通
する。なお、有底孔15の底面15Aの略中央には、前
記のように、第1ブレイク溝13と連通した、幅0.0
5〜0.08mmの開口15Cが形成される。
When pressing with the first break blade P1,
The entire tip portion P1A of the first break blade P1 and the base portion P1B
Of the first break blade P1 is formed, and a first break groove 13 having substantially the same shape as the outer shape of the first break blade P1 is formed. When pressed in this way, the bottom 14 of the bottomed hole 15
Penetrates, and the bottomed hole 15 and the first break groove 13 communicate with each other. In addition, as described above, a width of 0.0 mm, which is in communication with the first break groove 13, is provided at the approximate center of the bottom
An opening 15C of 5 to 0.08 mm is formed.

【0039】次に、焼成工程において、図5(a)に示
すように、この積層体21を焼成すると、複数のセラミ
ック配線基板1が繋がった連結セラミック配線基板11
ができる。このとき、有底孔15の内壁面15Bの未焼
成メタライズ層7Aが焼成されて、メタライズ層7が形
成される。焼成後、メッキ層形成工程において、有底孔
15の内壁面15Bに形成されたメタライズ層7の酸化
防止及びハンダ付け性向上のために、公知の手法によ
り、電解メッキを施し、メタライズ層7上に、Niメッ
キ層(厚さ2.0μm)及びAuメッキ層(厚さ1.0
μm)からなるメッキ層8を形成する。
Next, in the firing step, as shown in FIG. 5 (a), when the laminated body 21 is fired, the connected ceramic wiring boards 11 connected to the plurality of ceramic wiring boards 1 are connected.
Can be. At this time, the unfired metallized layer 7A on the inner wall surface 15B of the bottomed hole 15 is fired to form the metallized layer 7. After the firing, in a plating layer forming step, electrolytic plating is performed by a known method to prevent oxidation of the metallized layer 7 formed on the inner wall surface 15B of the bottomed hole 15 and improve solderability. A Ni plating layer (2.0 μm in thickness) and an Au plating layer (1.0 in thickness)
μm) is formed.

【0040】その後、図5(b)に示すように、連結セ
ラミック配線基板11を第1ブレイク溝13に沿って破
断して、個々のセラミック配線基板1とする。このと
き、連結セラミック配線基板11の円筒形状の有底孔1
5がそれぞれ軸線方向に2分割されることにより、セラ
ミック配線基板1の第1側面1C及び第3側面1Eに、
それぞれ半円筒形状の凹部5が形成される。このように
して、連結セラミック配線基板11及びセラミック配線
基板1が製造される。
Thereafter, as shown in FIG. 5B, the connected ceramic wiring board 11 is broken along the first break grooves 13 to obtain individual ceramic wiring boards 1. At this time, the cylindrical bottomed hole 1 of the connection ceramic wiring board 11 is formed.
5 are divided into two in the axial direction, so that the first side surface 1C and the third side surface 1E of the ceramic wiring board 1
Each has a semi-cylindrical concave portion 5. Thus, the connected ceramic wiring board 11 and the ceramic wiring board 1 are manufactured.

【0041】本実施形態の連結セラミック配線基板11
について、有底孔15の連通の有無とメッキ層8の厚さ
との関係について、以下のように調査した。上述したよ
うにして、連結セラミック配線基板11を製造し、メタ
ライズ層7上に被着されたメッキ層8の厚さを測定し
た。メッキ層8は、Niメッキ層とAuメッキ層につい
て、それぞれその厚さを測定した。測定試料とした連結
セラミック配線基板11は、30ヶであり、連結セラミ
ック配線基板11当たり、5ヶの有底孔15について、
従って、全部で150ヶの有底孔15について、底部1
4から0.2mmの位置の各メッキ層の厚さを測定し、
その平均値を求めた。
The connected ceramic wiring board 11 of the present embodiment
The relationship between the presence or absence of communication of the bottomed hole 15 and the thickness of the plating layer 8 was examined as follows. As described above, the connected ceramic wiring board 11 was manufactured, and the thickness of the plating layer 8 deposited on the metallized layer 7 was measured. The thickness of the plating layer 8 was measured for each of the Ni plating layer and the Au plating layer. The number of the connected ceramic wiring boards 11 used as the measurement samples is 30, and the number of the bottomed holes 15 per connected ceramic wiring board 11 is:
Therefore, for a total of 150 bottomed holes 15,
Measure the thickness of each plating layer from 4 to 0.2 mm,
The average was determined.

【0042】また、比較形態1として、ブレイク溝13
を形成しなかった為に、有底孔の底部が第1主面側に通
じていない点が、本実施形態と異なる連結セラミック配
線基板(図8参照)を製造し、本実施形態と同様に測定
した。また、比較形態2として、有底孔15の代わり
に、第1主面と第2主面との間を貫通し、内壁面にメタ
ライズ層が形成された貫通孔を有する連結セラミック配
線基板を製造し、本実施形態と同様に測定した。その結
果をまとめて表1に示す。
As a first comparative example, the break grooves 13
Was not formed, and a connection ceramic wiring board (see FIG. 8) different from the present embodiment in that the bottom of the bottomed hole did not communicate with the first main surface side was manufactured. It was measured. As Comparative Example 2, a connected ceramic wiring board having a through hole penetrating between the first main surface and the second main surface and having a metallized layer formed on the inner wall surface instead of the bottomed hole 15 is manufactured. The measurement was performed in the same manner as in the present embodiment. The results are summarized in Table 1.

【0043】[0043]

【表1】 [Table 1]

【0044】上記表1から判るように、実施形態1で
は、メッキ層の形成が良好な比較形態2と遜色なく、N
iメッキ層及びAuメッキ層ともに、十分に厚く、均一
に形成されている。これに対し、比較形態1では、Ni
メッキ層及びAuメッキ層ともに、その厚さは0.1μ
m未満であり、ほとんど形成されていない。特に、比較
形態1では、有底孔の底部近づくに連れ、メッキ層が薄
くなる傾向にあった。
As can be seen from Table 1 above, in the first embodiment, N
Both the i-plated layer and the Au-plated layer are sufficiently thick and uniformly formed. On the other hand, in Comparative Example 1, Ni
The thickness of both the plating layer and the Au plating layer is 0.1μ
m and hardly formed. In particular, in Comparative Example 1, the plating layer tended to become thinner as it approached the bottom of the bottomed hole.

【0045】これは、実施形態1では、メタライズ層7
が形成された有底孔15が、比較形態2と同様に、第1
主面1Aにも、第2主面1Bにも通じていることに起因
すると考えられる。つまり、メッキ層8を形成する際、
メッキ液が、有底孔15を通じて、第1主面1Aと第2
主面1Bとの間を流通するので、メッキ層8が均一に形
成されると考えられる。また、有底孔15内に空気が閉
じ込められ難いので、メッキ液が有底孔15の内壁面1
5B全体に行き渡るためであると考えられる。
This is because, in the first embodiment, the metallized layer 7
Is formed in the bottomed hole 15 in which the first
It is considered that this is due to the fact that both the main surface 1A and the second main surface 1B are connected. That is, when forming the plating layer 8,
The plating solution is passed through the bottomed hole 15 to the first main surface 1A and the second main surface 1A.
It is considered that the plating layer 8 is formed uniformly since it flows between the main surface 1B. Further, since air is hardly trapped in the bottomed hole 15, the plating solution is applied to the inner wall surface 1 of the bottomed hole 15.
It is thought that this is because the whole 5B is distributed.

【0046】一方、表1から判るように、比較形態2の
連結セラミック配線基板でも、メッキ層を均一に形成す
ることができる。しかし、この連結セラミック配線基板
は、メタライズ層が両主面間を貫通する貫通孔の内壁面
に形成されているため、セラミック配線基板に個分けす
ると、第1主面の外周縁にも、貫通孔が分割されてでき
る凹部により、凹みができる。従って、封着用メタライ
ズ層を、本実施形態1のように、外周縁の近傍まで拡げ
ることができないので、蓋部材を載置してセラミック配
線基板を気密封止したときの気密信頼性が低い。
On the other hand, as can be seen from Table 1, the plating layer can be formed uniformly even in the connected ceramic wiring substrate of Comparative Example 2. However, in this connected ceramic wiring board, since the metallized layer is formed on the inner wall surface of the through hole penetrating between the two main surfaces, when the ceramic wiring substrate is divided into individual pieces, the outer peripheral edge of the first main surface also penetrates. The depression is formed by the concave portion formed by dividing the hole. Therefore, the sealing metallization layer cannot be extended to the vicinity of the outer peripheral edge as in the first embodiment, so that the hermetic reliability when the lid member is placed and the ceramic wiring board is hermetically sealed is low.

【0047】以上で説明したように、本実施形態の連結
セラミック配線基板11は、有底孔15が、第2主面1
Bだけでなく、第1主面1Aにも通じているので、有底
孔15の内壁面15Bに形成されたメタライズ層7上
に、均一にメッキ層8を形成することができ、歩留まり
を向上させることができる。その上、第1ブレイク溝1
3によって、有底孔15を第1主面1A側にも連通させ
ているので、隣り合うすべてのセラミック配線基板1
を、互いに接して繋げることができる。このため、連結
セラミック配線基板11をセラミック配線基板1に個分
けする際に、無駄になる部分が存在しない。従って、不
要な部分を有する連結セラミック配線基板に比して、安
価な連結セラミック配線基板1とすることができる。
As described above, in the connected ceramic wiring board 11 of this embodiment, the bottomed hole 15 is
B, as well as the first main surface 1A, the plated layer 8 can be uniformly formed on the metallized layer 7 formed on the inner wall surface 15B of the bottomed hole 15, thereby improving the yield. Can be done. In addition, the first break groove 1
3, the bottomed hole 15 also communicates with the first main surface 1A side.
Can be connected in contact with each other. For this reason, there is no wasteful part when dividing the connected ceramic wiring board 11 into the ceramic wiring boards 1. Therefore, compared to the connection ceramic wiring board having an unnecessary portion, the connection ceramic wiring board 1 can be manufactured at a lower cost.

【0048】また、封着用メタライズ層9の形状が凹部
5によって制限されることがなく、気密信頼性も高くす
ることができる。また、メッキ層8が形成された連結セ
ラミック配線基板11を第1ブレイク溝13で破断し
て、個々のセラミック配線基板1とした場合、有底孔1
5が分割されてできる凹部5には、均一にメッキ層8が
形成されているので、他の配線基板等と接続させる際の
接続信頼性が高いセラミック配線基板1となる。また、
本実施形態の製造方法によって、連結セラミック配線基
板11及びセラミック配線基板1を製造すれば、溝形成
工程において、第1主面1A側から第1ブレイク溝13
を形成するとともに、有底孔15の底部14を貫通し
て、有底孔15と第1ブレイク溝13とを連通させるこ
とができる。このため、従来技術のように、不要部を作
り、別途有底孔15を連通させる必要がなく、第1ブレ
イク溝13の形成と同時に行うことができる。従って、
作業工程を簡略化でき、安価に連結セラミック配線基板
11及びセラミック配線基板1を製造することができ
る。
Further, the shape of the metallized layer 9 for sealing is not restricted by the concave portion 5, and the airtight reliability can be improved. In the case where the connected ceramic wiring board 11 on which the plating layer 8 is formed is broken at the first break groove 13 to obtain individual ceramic wiring boards 1, the bottomed hole 1
Since the plating layer 8 is uniformly formed in the concave portion 5 formed by dividing the ceramic wiring substrate 5, the ceramic wiring substrate 1 has high connection reliability when being connected to another wiring substrate or the like. Also,
If the connection ceramic wiring board 11 and the ceramic wiring board 1 are manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, in the groove forming step, the first break grooves 13 are formed from the first main surface 1A side.
Is formed, and the bottomed hole 15 and the first break groove 13 can be communicated with each other through the bottom portion 14 of the bottomed hole 15. Therefore, unlike the related art, there is no need to create an unnecessary portion and separately communicate the bottomed hole 15, and it can be performed simultaneously with the formation of the first break groove 13. Therefore,
The working process can be simplified, and the connected ceramic wiring board 11 and the ceramic wiring board 1 can be manufactured at low cost.

【0049】(変形例) 次いで、上記実施形態1の変形例について説明する。本
変形例では、連結セラミック配線基板は、ブレイク溝と
して、第1主面1A側から形成された第1ブレイク溝4
3の他、これと対向して、第2主面1B側から形成され
た第2ブレイク溝44を有している(図6参照)。
(Modification) Next, a modification of the first embodiment will be described. In the present modification, the connected ceramic wiring board is provided with a first break groove 4 formed from the first main surface 1A side as a break groove.
3 and a second break groove 44 formed from the second main surface 1B side in opposition thereto (see FIG. 6).

【0050】この連結セラミック配線基板を製造するに
あたり、セラミックグリーンシートを積層する積層工程
は、上記実施形態1と同様である。溝形成工程では、図
6に示すように、積層工程で形成されたセラミックグリ
ーンシートの積層体51の第1主面1A側から、隣接す
るセラミック配線基板1に対応する領域同士の境界12
に沿って、第1ブレイク刃P1を差し入れると同時に、
この第1ブレイク刃P1と対向する第2ブレイク刃P2
を、第2主面1B側から差し入れる。
In manufacturing this connected ceramic wiring board, the laminating step of laminating the ceramic green sheets is the same as in the first embodiment. In the groove forming step, as shown in FIG. 6, the boundary 12 between the regions corresponding to the adjacent ceramic wiring boards 1 is formed from the first main surface 1A side of the ceramic green sheet laminate 51 formed in the laminating step.
Along with inserting the first break blade P1,
A second break blade P2 opposed to the first break blade P1
Is inserted from the second main surface 1B side.

【0051】具体的には、上側セラミックグリーンシー
ト23(第1セラミックグリーンシート)を十分に貫通
する深さまで、上記実施形態1と同様の第1ブレイク刃
P1を差し入れる。このとき、第1ブレイク刃P1の先
端部P1A全体が積層体51に入り、先端部P1Aの形
状に対応した第1ブレイク溝43が形成される。第1ブ
レイク溝43は、有底孔15の底部14を貫通して形成
され、有底孔15と連通する。従って、有底孔15は、
第1主面1Aと第2主面1Bの両面に通じた状態にな
る。一方、下側セラミックグリーンシート25の厚さの
約半分の深さまで、第2ブレイク刃P2を差し入れる。
このとき、第2ブレイク刃P2の先端部P2Aの一部が
積層体51に入り、先端部P2Aの形状に対応した略V
字型の第2ブレイク溝44が形成される。なお、第2ブ
レイク刃P2は、先端部P2A及び基部P2Bを有し、
第1ブレイク刃P1と同様の形状をなす。
Specifically, the first break blade P1 similar to that of the first embodiment is inserted to a depth sufficiently penetrating the upper ceramic green sheet 23 (first ceramic green sheet). At this time, the entire tip portion P1A of the first break blade P1 enters the stacked body 51, and the first break groove 43 corresponding to the shape of the tip portion P1A is formed. The first break groove 43 is formed through the bottom 14 of the bottomed hole 15 and communicates with the bottomed hole 15. Therefore, the bottomed hole 15 is
A state is established in which both surfaces of the first main surface 1A and the second main surface 1B are communicated. On the other hand, the second break blade P2 is inserted to a depth of about half the thickness of the lower ceramic green sheet 25.
At this time, a part of the front end P2A of the second break blade P2 enters the laminate 51, and substantially V corresponding to the shape of the front end P2A.
A letter-shaped second break groove 44 is formed. Note that the second break blade P2 has a front end P2A and a base P2B,
It has the same shape as the first break blade P1.

【0052】その後、積層体51を焼成する焼成工程、
メタライズ層7上にメッキ層8を形成するメッキ層形成
工程は、それぞれ上記実施形態1と同様である。また、
個分工程により、上記実施形態1と同様のセラミック配
線基板1が製造される。本変形例においても、連結セラ
ミック配線基板、その製造方法、及びセラミック配線基
板1の製造方法について、上記実施形態1と同様の効果
が得られる。
Thereafter, a firing step of firing the laminate 51,
The plating layer forming step of forming the plating layer 8 on the metallized layer 7 is the same as in the first embodiment. Also,
By the individual process, the same ceramic wiring board 1 as in the first embodiment is manufactured. Also in this modification, the same effects as those of the first embodiment can be obtained for the connected ceramic wiring board, the method for manufacturing the same, and the method for manufacturing the ceramic wiring board 1.

【0053】以上において、本発明を各実施形態に即し
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。例えば、上記各実施
形態では、貫通孔30を有する第2セラミックグリーン
シートが、複数層、即ち中央セラミックグリーンシート
24と下側セラミックグリーンシート25の2層からな
り、貫通孔30に対応した部分に貫通孔を有しない第1
セラミックグリーンシートが、上側セラミックグリーン
シート23の1層からなる連結セラミック配線基板を示
したが、これに限定されるものではない。第2セラミッ
クグリーンシートが1層からなるものや、第1セラミッ
クグリーンシートが複数層からなる連結セラミック配線
基板なども含まれる。
In the above, the present invention has been described with reference to the respective embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and it can be said that the present invention can be appropriately modified and applied without departing from the gist thereof. Not even. For example, in each of the above embodiments, the second ceramic green sheet having the through hole 30 is composed of a plurality of layers, that is, two layers of the center ceramic green sheet 24 and the lower ceramic green sheet 25, and the portion corresponding to the through hole 30. First without through-hole
Although the ceramic green sheet is a connected ceramic wiring board composed of one layer of the upper ceramic green sheet 23, the present invention is not limited to this. Also included are those in which the second ceramic green sheet is composed of a single layer and those in which the first ceramic green sheet is composed of a plurality of layers.

【0054】また、上記各実施形態では、第1ブレイク
溝13,43及び第2ブレイク溝44をプレスにより形
成しているが、連結セラミック配線基板の焼成前、ある
いは焼成後に、レーザ等を利用してブレイク溝13等を
形成することもできる。また、上記各実施形態では、第
1主面1A側に設けられた電子部品用凹部3に、水晶振
動子を収納し、第1主面1Aを蓋部材で気密封着するセ
ラミック配線基板1を示したが、これに限定されるもの
ではない。例えば、凹部を有しないセラミック配線基板
に適用することもできる。
In each of the above embodiments, the first break grooves 13, 43 and the second break groove 44 are formed by pressing. However, before or after firing of the connected ceramic wiring substrate, a laser or the like is used. Alternatively, the break grooves 13 and the like can be formed. Further, in each of the above embodiments, the ceramic wiring board 1 in which the crystal oscillator is housed in the electronic component recess 3 provided on the first main surface 1A side and the first main surface 1A is hermetically sealed with a lid member. Although shown, it is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a ceramic wiring substrate having no concave portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1に係るセラミック配線基板を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing a ceramic wiring board according to a first embodiment.

【図2】実施形態1に係る連結セラミック配線基板を示
す図である。
FIG. 2 is a view showing a connected ceramic wiring board according to the first embodiment.

【図3】実施形態1に係る連結セラミック配線基板及び
セラミック配線基板の製造方法を示す図であり、(a)
は中央セラミックグリーンシートと下側セラミックグリ
ーンシートを重ねた状態を示し、(b)は上側セラミッ
クグリーンシートを重ね、積層体を形成した状態を示
し、(c)は積層体に第1ブレイク溝を形成した状態を
示す。
FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a connection ceramic wiring board and a method of manufacturing the ceramic wiring board according to the first embodiment, and FIG.
Shows a state in which the center ceramic green sheet and the lower ceramic green sheet are superimposed, (b) shows a state in which the upper ceramic green sheet is superimposed to form a laminate, and (c) shows a state in which a first break groove is formed in the laminate. This shows the formed state.

【図4】実施形態1に係る連結セラミック配線基板及び
セラミック配線基板の製造方法を示す図であり、積層体
に第1ブレイク刃をプレスした状態を示す。
FIG. 4 is a view showing the connection ceramic wiring board and the method for manufacturing the ceramic wiring board according to the first embodiment, showing a state in which a first break blade is pressed on the laminate.

【図5】実施形態1に係る連結セラミック配線基板及び
セラミック配線基板の製造方法を示す図であり、(a)
は焼成した連結セラミック配線基板を示し、(b)は、
個分けしたセラミック配線基板を示す。
FIGS. 5A and 5B are diagrams showing a connection ceramic wiring board and a method of manufacturing the ceramic wiring board according to the first embodiment, and FIG.
Shows a fired connected ceramic wiring board, and (b) shows
The ceramic wiring board divided into pieces is shown.

【図6】実施形態1の変形例に係る連結セラミック配線
基板及びセラミック配線基板の製造方法を示す図であ
り、積層体に第1ブレイク刃及び第2ブレイク刃をプレ
スした状態を示す。
FIG. 6 is a diagram illustrating a method for manufacturing a connected ceramic wiring board and a ceramic wiring board according to a modification of the first embodiment, and illustrates a state where a first break blade and a second break blade are pressed on a laminate.

【図7】従来技術に係るセラミック配線基板を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a ceramic wiring board according to the related art.

【図8】従来技術に係る連結セラミック配線基板を示す
図である。
FIG. 8 is a view showing a connected ceramic wiring board according to the related art.

【図9】従来技術に係る不要部を有する連結セラミック
配線基板を示す図である。
FIG. 9 is a view showing a connected ceramic wiring board having unnecessary portions according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミック配線基板 1A 第1主面 1B 第2主面 1C 第1側面 1E 第3側面 5 凹部 7 メタライズ層 7A 未焼成メタライズ層 8 メッキ層 11 連結セラミック配線基板 12 (セラミック配線基板同士の)境界 13,43 第1ブレイク溝 14 (有底孔の)底部 15 有底孔 15B (有底孔の)内壁面 21 積層体 23 上側セラミックグリーンシート(第1セラ
ミックグリーンシート) 23A 貫通孔内露出面 24 中央セラミックグリーンシート(第2セラ
ミックグリーンシート) 25 下側セラミックグリーンシート(第2セラ
ミックグリーンシート) 30 貫通孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic wiring board 1A 1st main surface 1B 2nd main surface 1C 1st side surface 1E 3rd side surface 5 Depression 7 Metallization layer 7A Unfired metallization layer 8 Plating layer 11 Connected ceramic wiring substrate 12 Boundary (between ceramic wiring substrates) 13 43, first break groove 14 (bottomed hole) bottom 15 bottomed hole 15B (bottomed hole) inner wall surface 21 laminate 23 upper ceramic green sheet (first ceramic green sheet) 23A through-hole exposed surface 24 center Ceramic green sheet (second ceramic green sheet) 25 Lower ceramic green sheet (second ceramic green sheet) 30 Through hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−74151(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/12 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-9-74151 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23/12

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】第1主面及び第2主面を有する複数のセラ
ミック配線基板が、互いに接して繋がった連結セラミッ
ク配線基板であって、 隣接する上記セラミック配線基板同士の境界上に、上記
第1主面側から形成した第1ブレイク溝と、 隣接する上記セラミック配線基板間に跨り、上記第2主
面側に開口し、内壁面にメタライズ層が形成された有底
孔とを有し、 上記有底孔の底部には上記第1ブレイク溝の一部が貫通
して、上記有底孔と上記第1ブレイク溝とが連通してな
り、上記第1ブレイク溝は、断面の幅が一定である基部と先
端部とを有するブレイク刃のうち上記先端部全体と上記
基部の一部を差し入れて形成した後に焼成してなるもの
であり、 上記第1ブレイク溝の上記第1主面上での幅が上記有底
孔の径よりも小さいことを特徴とする連結セラミック配
線基板。
A plurality of ceramic wiring boards each having a first main surface and a second main surface, wherein said plurality of ceramic wiring boards are connected to each other and connected to each other; A first break groove formed from the first main surface side, and a bottomed hole which straddles between the adjacent ceramic wiring boards, is open on the second main surface side, and has a metallized layer formed on an inner wall surface; A part of the first break groove penetrates through the bottom of the bottomed hole, and the bottomed hole communicates with the first break groove, and the first break groove has a constant cross-sectional width. Base and destination are
The entire tip portion of the break blade having an end portion and the
What is fired after inserting and forming a part of the base
, And the connecting ceramic wiring board width on the first main surface of the first break groove being less than the diameter of the bottomed hole.
【請求項2】請求項1に記載の連結セラミック配線基板
であって、 前記有底孔の内壁面に形成された前記メタライズ層上
に、メッキ層を形成してなることを特徴とする連結セラ
ミック配線基板。
2. The connected ceramic wiring board according to claim 1, wherein a plating layer is formed on the metallized layer formed on the inner wall surface of the bottomed hole. Wiring board.
【請求項3】請求項1又は請求項2に記載の連結セラミ
ック配線基板であって、 前記複数のセラミック配線基板は、隣り合うすべての上
記セラミック配線基板が、互いに接して繋がっているこ
とを特徴とする連結セラミック配線基板。
3. The connected ceramic wiring board according to claim 1, wherein all of the plurality of adjacent ceramic wiring boards are in contact with each other and are connected to each other. Connected ceramic wiring board.
【請求項4】第1主面及び第2主面を有する複数のセラ
ミック配線基板が、互いに接して繋がった連結セラミッ
ク配線基板の製造方法であって、 隣接する上記セラミック配線基板に対応する領域間に跨
り、内壁面に未焼成メタライズ層を有する貫通孔が形成
された1又は複数の第2セラミックグリーンシートと、
上記第2セラミックグリーンシートの上記貫通孔に対応
する部分に貫通孔を有しない1又は複数の第1セラミッ
クグリーンシートとを積層した積層体を形成する積層工
程と、断面の幅が一定である 基部と先端部を有するブレイク刃
の先端部全体と基部の一部をプレスして入れ、上記積層
体のうち少なくとも上記1又は複数の第1セラミックグ
リーンシートのすべてを貫通する深さで、上記第1主面
上での幅が上記貫通孔の径よりも小さい第1ブレイク溝
を、隣接する上記セラミック配線基板に対応する領域同
士の境界上に、上記第1セラミックグリーンシート側か
ら形成するとともに、上記貫通孔と上記第1セラミック
グリーンシートの貫通孔内露出面とからなる有底孔の底
部を貫通して、上記有底孔と上記第1ブレイク溝とを連
通させる溝形成工程と、 上記積層体を焼成する焼成工程と、 を備えることを特徴とする連結セラミック配線基板の製
造方法。
4. A method for manufacturing a connected ceramic wiring board in which a plurality of ceramic wiring boards having a first main surface and a second main surface are connected in contact with each other, wherein a plurality of ceramic wiring boards are provided between adjacent regions corresponding to said ceramic wiring boards. One or more second ceramic green sheets having a through hole having an unfired metallized layer on the inner wall surface,
A laminating step of forming a laminated body obtained by laminating one or a plurality of first ceramic green sheets having no through hole in a portion corresponding to the through hole of the second ceramic green sheet, and a base having a constant cross-sectional width The entire tip portion and a part of the base portion of the break blade having a tip portion and a tip portion are pressed into the first portion and the first ceramic green sheet at a depth penetrating at least all of the one or more first ceramic green sheets. A first break groove whose width on the main surface is smaller than the diameter of the through hole is formed on the boundary between the regions corresponding to the adjacent ceramic wiring boards from the first ceramic green sheet side, and A groove that penetrates the bottom of the bottomed hole formed by the through hole and the exposed surface in the through hole of the first ceramic green sheet to communicate the bottomed hole with the first break groove. And forming step, the manufacturing method of the connecting ceramic wiring board characterized in that it and a firing step of firing the laminate.
【請求項5】請求項4に記載の連結セラミック配線基板
の製造方法であって、 前記焼成工程後、前記有底孔の内壁面のメタライズ層上
に、メッキ層を形成するメッキ層形成工程を備えること
を特徴とする連結セラミック配線基板の製造方法。
5. The method for manufacturing a connected ceramic wiring board according to claim 4, wherein after the firing step, a plating layer forming step of forming a plating layer on a metallized layer on an inner wall surface of the bottomed hole is performed. A method for manufacturing a connected ceramic wiring board, comprising:
【請求項6】第1主面と、第2主面と、メタライズ層及
びメッキ層が形成された凹部を有する側面と、を備える
セラミック配線基板の製造方法であって、 隣接する上記セラミック配線基板に対応する領域間に跨
り、内壁面に未焼成メタライズ層を有する貫通孔が形成
された1又は複数の第2セラミックグリーンシートと、
上記第2セラミックグリーンシートの上記貫通孔に対応
する部分に貫通孔を有しない1又は複数の第1セラミッ
クグリーンシートとを積層した積層体を形成する積層工
程と、断面の幅が一定である 基部と先端部を有するブレイク刃
の先端部全体と基部の一部をプレスして入れ、上記積層
体のうち少なくとも上記1又は複数の第1セラミックグ
リーンシートのすべてを貫通する深さで、上記第1主面
上での幅が上記貫通孔の径よりも小さい第1ブレイク溝
を、隣接する上記セラミック配線基板に対応する領域同
士の境界上に、上記第1セラミックグリーンシート側か
ら形成するとともに、上記貫通孔と上記第1セラミック
グリーンシートの貫通孔内露出面とからなる有底孔の底
部を貫通して、上記有底孔と上記第1ブレイク溝とを連
通させる溝形成工程と、 上記積層体を焼成して、連結セラミック配線基板を形成
する焼成工程と、 上記焼成工程後、上記有底孔の内壁面のメタライズ層上
に、メッキ層を形成するメッキ層形成工程と、 上記連結セラミック配線基板を上記第1ブレイク溝で破
断して、上記有底孔を上記凹部に分割し、上記セラミッ
ク配線基板に個分けする個分工程と、 を備えることを特徴とするセラミック配線基板の製造方
法。
6. A method for manufacturing a ceramic wiring board, comprising: a first main surface, a second main surface, and a side surface having a concave portion on which a metallized layer and a plating layer are formed, wherein the adjacent ceramic wiring substrate is provided. One or a plurality of second ceramic green sheets in which a through hole having an unfired metallized layer is formed on the inner wall surface, straddling between regions corresponding to
A laminating step of forming a laminated body obtained by laminating one or a plurality of first ceramic green sheets having no through hole in a portion corresponding to the through hole of the second ceramic green sheet, and a base having a constant cross-sectional width The entire tip portion and a part of the base portion of the break blade having a tip portion and a tip portion are pressed into the first portion and the first ceramic green sheet at a depth penetrating at least all of the one or more first ceramic green sheets. A first break groove whose width on the main surface is smaller than the diameter of the through hole is formed on the boundary between the regions corresponding to the adjacent ceramic wiring boards from the first ceramic green sheet side, and A groove that penetrates the bottom of the bottomed hole formed by the through hole and the exposed surface in the through hole of the first ceramic green sheet to communicate the bottomed hole with the first break groove. A forming step, a firing step of firing the laminate to form a connected ceramic wiring board, and a plating layer forming step of forming a plating layer on the metallized layer on the inner wall surface of the bottomed hole after the firing step. And breaking the connected ceramic wiring substrate at the first break groove, dividing the bottomed hole into the concave portions, and dividing the divided holes into the ceramic wiring substrates. Manufacturing method of wiring board.
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