JP3169407B2 - 半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法 - Google Patents
半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法Info
- Publication number
- JP3169407B2 JP3169407B2 JP34079191A JP34079191A JP3169407B2 JP 3169407 B2 JP3169407 B2 JP 3169407B2 JP 34079191 A JP34079191 A JP 34079191A JP 34079191 A JP34079191 A JP 34079191A JP 3169407 B2 JP3169407 B2 JP 3169407B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- metal
- wafer
- film
- adhesive tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの製造工
程において半導体ウェハの裏面に金属を蒸着する方法に
関する。更に詳しくは、半導体ウェハの裏面に金属を蒸
着する際に半導体ウェハの表面に金属が付着することを
防止する金属蒸着方法に関する。
程において半導体ウェハの裏面に金属を蒸着する方法に
関する。更に詳しくは、半導体ウェハの裏面に金属を蒸
着する際に半導体ウェハの表面に金属が付着することを
防止する金属蒸着方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの製造に用いられるウェハ
には、シリコンやガリウム砒素等があり、なかでもシリ
コンが多用されている。例えば、シリコンウェハは高純
度の単結晶シリコンを厚さ４００〜１０００μｍ程度に
薄くスライスすることにより製造されている。近年、半
導体チップを利用した製品は、例えば電話機一つにして
も、実に様々な機能が付与されている。そのため半導体
チップに特殊な処理がなされるが、導電性を付与するた
めに行われる金属蒸着もその一つである。これは、ウェ
ハの表面に集積回路を組み込んだ後、さらに該ウェハの
裏面に、厚さ数百Åの金属を蒸着するものである。その
際、半導体ウェハの表面に金属が付着すると回路が短絡
したり、誤動作の原因になるのでこれを防ぐ必要があ
る。
には、シリコンやガリウム砒素等があり、なかでもシリ
コンが多用されている。例えば、シリコンウェハは高純
度の単結晶シリコンを厚さ４００〜１０００μｍ程度に
薄くスライスすることにより製造されている。近年、半
導体チップを利用した製品は、例えば電話機一つにして
も、実に様々な機能が付与されている。そのため半導体
チップに特殊な処理がなされるが、導電性を付与するた
めに行われる金属蒸着もその一つである。これは、ウェ
ハの表面に集積回路を組み込んだ後、さらに該ウェハの
裏面に、厚さ数百Åの金属を蒸着するものである。その
際、半導体ウェハの表面に金属が付着すると回路が短絡
したり、誤動作の原因になるのでこれを防ぐ必要があ
る。
【０００３】金属の付着による半導体集積回路の損傷を
防止する方法として、例えば、特開昭６１ー３４２８号
公報には、半導体ウェハの表面にパラフィン、レジスト
インク等を塗布する方法が提案されている。しかし、こ
の方法ではパラフィン等を塗布した後の乾燥固化、更に
金属蒸着の後に、パラフィン等を加熱し溶剤を用いて洗
浄除去する工程が必要である。そのため操作が煩雑で生
産性向上の大きな障害になるとともに溶剤を使用するた
めに起きる環境問題がある。また、パラフィン等が完全
に除去できず半導体ウェハの表面が汚染される問題もあ
る。これらの問題が解決された、半導体ウェハの裏面に
金属を蒸着する方法の開発が強く要望されている。
防止する方法として、例えば、特開昭６１ー３４２８号
公報には、半導体ウェハの表面にパラフィン、レジスト
インク等を塗布する方法が提案されている。しかし、こ
の方法ではパラフィン等を塗布した後の乾燥固化、更に
金属蒸着の後に、パラフィン等を加熱し溶剤を用いて洗
浄除去する工程が必要である。そのため操作が煩雑で生
産性向上の大きな障害になるとともに溶剤を使用するた
めに起きる環境問題がある。また、パラフィン等が完全
に除去できず半導体ウェハの表面が汚染される問題もあ
る。これらの問題が解決された、半導体ウェハの裏面に
金属を蒸着する方法の開発が強く要望されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウェハの裏面に金属を蒸着するに際し、半導体ウェハ
の表面への金属の付着を防止するとともに、半導体ウェ
ハの表面を汚染することがなく、かつ、生産性のよい半
導体ウェハ裏面の金属蒸着方法を提供することにある。
体ウェハの裏面に金属を蒸着するに際し、半導体ウェハ
の表面への金属の付着を防止するとともに、半導体ウェ
ハの表面を汚染することがなく、かつ、生産性のよい半
導体ウェハ裏面の金属蒸着方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、 集積回路が組み込まれた半導体ウェハの表面
に、１３０℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方向共に２
％以下である熱可塑性樹脂よりなる基材フィルム層と粘
着剤層からなる粘着テープを貼付することにより、上記
課題が解決できることを見出し本発明を完成した。
た結果、 集積回路が組み込まれた半導体ウェハの表面
に、１３０℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方向共に２
％以下である熱可塑性樹脂よりなる基材フィルム層と粘
着剤層からなる粘着テープを貼付することにより、上記
課題が解決できることを見出し本発明を完成した。
【０００６】すなわち、本発明は、集積回路が組み込ま
れた半導体ウェハの表面に、熱可塑性樹脂よりなる単層
フィルム又は複層フィルムからなり、該フィルムの少な
くとも一層が１３０℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方
向共に２％以下である基材フィルム層と粘着剤層からな
る粘着テープを貼付し、該半導体ウェハの裏面に金属を
蒸着することを特徴とする半導体ウェハ裏面の金属蒸着
方法である。
れた半導体ウェハの表面に、熱可塑性樹脂よりなる単層
フィルム又は複層フィルムからなり、該フィルムの少な
くとも一層が１３０℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方
向共に２％以下である基材フィルム層と粘着剤層からな
る粘着テープを貼付し、該半導体ウェハの裏面に金属を
蒸着することを特徴とする半導体ウェハ裏面の金属蒸着
方法である。
【０００７】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明における半導体ウェハの表面とは、集積回路が組み
込まれた側であり、裏面とはその反対側である。
発明における半導体ウェハの表面とは、集積回路が組み
込まれた側であり、裏面とはその反対側である。
【０００８】本発明に用いる粘着テープは、基材フィル
ムの片面に粘着剤を塗布、乾燥することにより、基材フ
ィルム層の片面に粘着剤層を設けたテープである。通常
この粘着テープは粘着剤の表面に、さらに剥離フィルム
を貼付し、巻体状あるいは一定寸法に切断された積層体
とする形態、または、粘着テープを円形状等に打抜き剥
離フィルムに貼付して巻体状とする形態等として、運
搬、貯蔵等される。粘着テープを使用する際は、先ず、
上記剥離フィルムを剥離した後、ウェハの形状に合わせ
適当な寸法に切断、トリミングし、粘着テープを半導体
ウェハの表面に貼付する。
ムの片面に粘着剤を塗布、乾燥することにより、基材フ
ィルム層の片面に粘着剤層を設けたテープである。通常
この粘着テープは粘着剤の表面に、さらに剥離フィルム
を貼付し、巻体状あるいは一定寸法に切断された積層体
とする形態、または、粘着テープを円形状等に打抜き剥
離フィルムに貼付して巻体状とする形態等として、運
搬、貯蔵等される。粘着テープを使用する際は、先ず、
上記剥離フィルムを剥離した後、ウェハの形状に合わせ
適当な寸法に切断、トリミングし、粘着テープを半導体
ウェハの表面に貼付する。
【０００９】本発明で金属蒸着に際して用いる金属は、
金、銀、銅、白金、アルミニュウム等で、市販品の中か
ら適宜選択出来る。
金、銀、銅、白金、アルミニュウム等で、市販品の中か
ら適宜選択出来る。
【００１０】本発明における１３０℃での熱収縮率がＭ
Ｄ方向、ＴＤ方向共に２％以下である熱可塑性樹脂より
なる基材フィルムは、例えば、ポリプロピレン、ポリエ
チレンテレフタレート、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、ポリエチレン、ポリアミドおよびポリ塩化ビニル等
市販のフィルムの中から、次の評価方法により選ばれた
フィルムである。基材フィルムを１０×１０ｃｍに切断
し、その中に５×５ｃｍの十文字をかき試験体とする。
該試験体を１３０±２℃に調整された恒温槽の中に入れ
る。１０分経過後、該試験体を取り出し十文字の寸法を
測定する。５ｃｍから測定値を差し引いた値を５ｃｍで
割り１００倍した値を熱収縮率とする。
Ｄ方向、ＴＤ方向共に２％以下である熱可塑性樹脂より
なる基材フィルムは、例えば、ポリプロピレン、ポリエ
チレンテレフタレート、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、ポリエチレン、ポリアミドおよびポリ塩化ビニル等
市販のフィルムの中から、次の評価方法により選ばれた
フィルムである。基材フィルムを１０×１０ｃｍに切断
し、その中に５×５ｃｍの十文字をかき試験体とする。
該試験体を１３０±２℃に調整された恒温槽の中に入れ
る。１０分経過後、該試験体を取り出し十文字の寸法を
測定する。５ｃｍから測定値を差し引いた値を５ｃｍで
割り１００倍した値を熱収縮率とする。
【００１１】基材フィルムは、単層フィルムでも複層フ
ィルムでもよく、少なくとも該基材フィルムの一層が、
１３０℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方向共に２％以
下の熱可塑性樹脂であればよい。基材フィルムの厚さ
は、熱収縮率の点からは厚い方が好ましいが、保護する
半導体ウェハの形状、表面状態及び粘着テープの切断、
貼付等の作業性の点から１０〜２０００μｍが好まし
い。積層された基材フィルムとする場合には、上記の厚
さを有する１３０℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方向
共に２％以下の熱可塑性樹脂フィルムを他のフィルムに
積層することが必要である。
ィルムでもよく、少なくとも該基材フィルムの一層が、
１３０℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方向共に２％以
下の熱可塑性樹脂であればよい。基材フィルムの厚さ
は、熱収縮率の点からは厚い方が好ましいが、保護する
半導体ウェハの形状、表面状態及び粘着テープの切断、
貼付等の作業性の点から１０〜２０００μｍが好まし
い。積層された基材フィルムとする場合には、上記の厚
さを有する１３０℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方向
共に２％以下の熱可塑性樹脂フィルムを他のフィルムに
積層することが必要である。
【００１２】また、基材フィルムと粘着剤との投錨性を
改良する目的で、基材フィルムの片面にコロナ処理を施
すことが好ましい。
改良する目的で、基材フィルムの片面にコロナ処理を施
すことが好ましい。
【００１３】本発明で用いる粘着テープとは、上記基材
フィルムの片面に、好ましくは、コロナ放電処理を施し
た面に粘着剤層を設けたものである。基材フィルム面に
塗布される粘着剤としては、例えばアクリル系、エステ
ル系、ウレタン系等の樹脂系粘着剤あるいは天然ゴム、
ポリイソブチレンゴム、ポリスチレンブタジエンゴム等
の合成ゴムを主体とする粘着剤等であり、市販品のなか
から適宜選択できる。
フィルムの片面に、好ましくは、コロナ放電処理を施し
た面に粘着剤層を設けたものである。基材フィルム面に
塗布される粘着剤としては、例えばアクリル系、エステ
ル系、ウレタン系等の樹脂系粘着剤あるいは天然ゴム、
ポリイソブチレンゴム、ポリスチレンブタジエンゴム等
の合成ゴムを主体とする粘着剤等であり、市販品のなか
から適宜選択できる。
【００１４】基材フィルムに塗布する粘着剤の厚さは、
半導体ウェハの形状、表面状態により適宜決められる
が、通常２〜２００μｍが好ましい。粘着剤を基材フィ
ルムの表面に塗布する方法としては、従来公知の塗布方
法、例えばロールコータ法、浸漬法、ハケ塗り法、スプ
レー法等が採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分
的に塗布することが出来る。
半導体ウェハの形状、表面状態により適宜決められる
が、通常２〜２００μｍが好ましい。粘着剤を基材フィ
ルムの表面に塗布する方法としては、従来公知の塗布方
法、例えばロールコータ法、浸漬法、ハケ塗り法、スプ
レー法等が採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分
的に塗布することが出来る。
【００１５】本発明の方法により、半導体ウェハの裏面
に金属を蒸着する方法の一例を説明する。ウェハ表面に
集積回路を組み込んだ後、研磨機を用いて該ウェハの裏
面を研削し、１００〜６００μｍ程度の厚さに薄肉化
後、該ウェハの裏面を硝酸で洗浄し汚れ及び研削模様を
除去する。該ウェハの表面に粘着テープを貼付し、機械
または人手によりウェハの形状に合うようにトリミング
する。次いで該ウェハを、例えば、５枚を１単位として
電子線加熱式蒸着装置に入れる、装置内に金属を入れ蒸
着を行う。この際、ウェハの表面に貼付された粘着テー
プは、ウェハに組み込まれた集積回路が金属により損傷
を受けることを防止する。
に金属を蒸着する方法の一例を説明する。ウェハ表面に
集積回路を組み込んだ後、研磨機を用いて該ウェハの裏
面を研削し、１００〜６００μｍ程度の厚さに薄肉化
後、該ウェハの裏面を硝酸で洗浄し汚れ及び研削模様を
除去する。該ウェハの表面に粘着テープを貼付し、機械
または人手によりウェハの形状に合うようにトリミング
する。次いで該ウェハを、例えば、５枚を１単位として
電子線加熱式蒸着装置に入れる、装置内に金属を入れ蒸
着を行う。この際、ウェハの表面に貼付された粘着テー
プは、ウェハに組み込まれた集積回路が金属により損傷
を受けることを防止する。
【００１６】用いる金属の種類は、付与しようとする機
能、ウェハの種類、ウェハの厚さ等に応じ適宜選択す
る。通常蒸着時の圧力は、１０ー4〜１０ー6Ｔｏｒｒ、温
度は、１５〜１２０℃、蒸着に要する時間は、３０秒〜
１０分間程度である。蒸着後の金属の厚さは、金属の種
類、蒸着条件、ウェハの種類等により異なるが、通常２
〜１０００Åである。
能、ウェハの種類、ウェハの厚さ等に応じ適宜選択す
る。通常蒸着時の圧力は、１０ー4〜１０ー6Ｔｏｒｒ、温
度は、１５〜１２０℃、蒸着に要する時間は、３０秒〜
１０分間程度である。蒸着後の金属の厚さは、金属の種
類、蒸着条件、ウェハの種類等により異なるが、通常２
〜１０００Åである。
【００１７】蒸着時の温度は、常温でも構わないが、金
属の蒸発速度が遅く処理時間が長くなり、厚さむら等の
原因になったり、金属の分子運動速度が小さいため成膜
後の強度が弱くなったりする。そのため、工業的にはし
ばしば１００℃前後の温度で蒸着が行われる。この時ウ
ェハに貼付された粘着テープの熱収縮率が大きいと、ウ
ェハから粘着テープが剥離してしまい、集積回路を保護
する事が出来なくなる。本発明の粘着テープは、１３０
℃での熱収縮率が２％以下と小さいので上記問題は起こ
らない。蒸着が完了した後に、半導体ウェハの表面から
粘着テープを剥離して、純水を用いて洗浄し、乾燥す
る。
属の蒸発速度が遅く処理時間が長くなり、厚さむら等の
原因になったり、金属の分子運動速度が小さいため成膜
後の強度が弱くなったりする。そのため、工業的にはし
ばしば１００℃前後の温度で蒸着が行われる。この時ウ
ェハに貼付された粘着テープの熱収縮率が大きいと、ウ
ェハから粘着テープが剥離してしまい、集積回路を保護
する事が出来なくなる。本発明の粘着テープは、１３０
℃での熱収縮率が２％以下と小さいので上記問題は起こ
らない。蒸着が完了した後に、半導体ウェハの表面から
粘着テープを剥離して、純水を用いて洗浄し、乾燥す
る。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。なお、実施例中の物性等の評価は下記方法で行
なった。 熱収縮率 基材フィルムを１０×１０ｃｍに切断し、その中に５×
５ｃｍの十文字をかき試験体とする。該試験体を１３０
±２℃に調整された恒温槽の中に入れる。１０分経過
後、該試験体を取り出し十文字の寸法を測定する。５ｃ
ｍから測定値を差し引いた値を５ｃｍで割り１００倍し
た値を熱収縮率とする。
明する。なお、実施例中の物性等の評価は下記方法で行
なった。 熱収縮率 基材フィルムを１０×１０ｃｍに切断し、その中に５×
５ｃｍの十文字をかき試験体とする。該試験体を１３０
±２℃に調整された恒温槽の中に入れる。１０分経過
後、該試験体を取り出し十文字の寸法を測定する。５ｃ
ｍから測定値を差し引いた値を５ｃｍで割り１００倍し
た値を熱収縮率とする。
【００１９】金属の付着状況及び異物付着量 蒸着終了後、半導体ウェハ表面から粘着テープを剥離し
て、該ウェハの表面を光学顕微鏡（倍率４００倍）で観
察し、金属の付着状況の確認及び２μｍ以上の異物の個
数測定を行った。
て、該ウェハの表面を光学顕微鏡（倍率４００倍）で観
察し、金属の付着状況の確認及び２μｍ以上の異物の個
数測定を行った。
【００２０】破壊電圧 蒸着終了後、半導体ウェハ表面から粘着テープを剥離し
て、該ウェハの集積回路の端子より５Ｖ／ｍｉｎの昇圧
速度で電圧を除々に上げ、集積回路が破壊する電圧を測
定する。該回路のアルミニュウム配線部に金属が付着し
て回路が短絡したり、断線していれば、その破壊電圧は
低下もしくは通電しなくなる。
て、該ウェハの集積回路の端子より５Ｖ／ｍｉｎの昇圧
速度で電圧を除々に上げ、集積回路が破壊する電圧を測
定する。該回路のアルミニュウム配線部に金属が付着し
て回路が短絡したり、断線していれば、その破壊電圧は
低下もしくは通電しなくなる。
【００２１】実施例１ 粘着テープの基材フィルムとしてポリエチレンテレフタ
レート（以下ＰＥＴと略す）をＴダイ押出法にて製膜
し、さらに二軸延伸（面倍率１２倍）して、厚さ６０μ
ｍのＰＥＴフィルムを得た。得られたフィルムについ
て、本願で規定する熱収縮率試験を行なった。得られた
結果を〔表１〕に示す。次に該ＰＥＴフィルムの片面に
コロナ放電処理を施した後、市販のアクリル系粘着剤
（三井東圧化学（株）“ストラクトボンドＸ−５０７
８”）をロールコータ機を用いて塗布、９０℃で乾燥し
て約３０μｍのアクリル系粘着剤層を設けた粘着テープ
を得た。
レート（以下ＰＥＴと略す）をＴダイ押出法にて製膜
し、さらに二軸延伸（面倍率１２倍）して、厚さ６０μ
ｍのＰＥＴフィルムを得た。得られたフィルムについ
て、本願で規定する熱収縮率試験を行なった。得られた
結果を〔表１〕に示す。次に該ＰＥＴフィルムの片面に
コロナ放電処理を施した後、市販のアクリル系粘着剤
（三井東圧化学（株）“ストラクトボンドＸ−５０７
８”）をロールコータ機を用いて塗布、９０℃で乾燥し
て約３０μｍのアクリル系粘着剤層を設けた粘着テープ
を得た。
【００２２】得られた粘着テープを回路が組み込まれ
た、直径４インチ、厚さ４００μｍの半導体ウェハ表面
に貼付し、該ウェハ５枚を新明和工業（株）製の電子線
加熱式蒸着装置に入れる。該装置に金を入れ圧力を５×
１０ー 6Ｔｏｒｒ，温度を１００℃に設定し、３分間かけ
て該半導体ウェハ裏面に約１００Åの金を蒸着した。蒸
着後半導体ウェハから粘着テープを剥がし、該ウェハを
常温において純水に浸漬し、超音波で１０分間洗浄し
た。次いで該ウェハの金属の付着状況、異物付着量およ
び破壊電圧についての評価試験を実施した。得られた結
果を〔表１〕に示す。
た、直径４インチ、厚さ４００μｍの半導体ウェハ表面
に貼付し、該ウェハ５枚を新明和工業（株）製の電子線
加熱式蒸着装置に入れる。該装置に金を入れ圧力を５×
１０ー 6Ｔｏｒｒ，温度を１００℃に設定し、３分間かけ
て該半導体ウェハ裏面に約１００Åの金を蒸着した。蒸
着後半導体ウェハから粘着テープを剥がし、該ウェハを
常温において純水に浸漬し、超音波で１０分間洗浄し
た。次いで該ウェハの金属の付着状況、異物付着量およ
び破壊電圧についての評価試験を実施した。得られた結
果を〔表１〕に示す。
【００２３】実施例２ 金属として銀を用いた以外は、実施例１と同様の方法で
試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００２４】実施例３ 基材フィルムとしてＴダイ押出法にて製膜した厚さ６０
μｍのポリプロピレン（以下ＰＰと略す）フィルムを使
用した以外は、実施例１と同様の方法で試験した。得ら
れた結果を〔表１〕に示す。
μｍのポリプロピレン（以下ＰＰと略す）フィルムを使
用した以外は、実施例１と同様の方法で試験した。得ら
れた結果を〔表１〕に示す。
【００２５】実施例４ 基材フィルムとしてＴダイ押出法にて製膜した厚さ１０
μｍのＰＥＴフィルムを使用した以外は、実施例１と同
様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
μｍのＰＥＴフィルムを使用した以外は、実施例１と同
様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００２６】実施例５ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムとＴダイ押出法にて製
膜した厚さ６０μｍのエチレンー酢酸ビニル共重合フィ
ルム（以下ＥＶＡと略す）をアクリル系接着剤（三井東
圧化学（株）“ストラクトボンドＸ−５０６０”）を用
いて接着積層し、ＥＶＡフィルム面にコロナ放電処理を
施して、以下実施例１と同様の方法で試験した。得られ
た結果を〔表１〕に示す。
膜した厚さ６０μｍのエチレンー酢酸ビニル共重合フィ
ルム（以下ＥＶＡと略す）をアクリル系接着剤（三井東
圧化学（株）“ストラクトボンドＸ−５０６０”）を用
いて接着積層し、ＥＶＡフィルム面にコロナ放電処理を
施して、以下実施例１と同様の方法で試験した。得られ
た結果を〔表１〕に示す。
【００２７】比較例１ スピンコータ（大日本スクリーン製造（株）製 Ｄ−Ｓ
ＰＩＮ６３６型）を用いて約５０℃に調節されたレジス
トインク（東京応化工業（株）製 ＯＭＲ−８３）を実
施例１と同種の半導体ウエハの表面に塗布し、約２時間
冷却して約１０μｍ厚さのレジスト膜を形成後、実施例
１と同様の方法で蒸着し、約５０℃に加熱されたトリク
ロロエチレンでレジストインクを除去した。次いで純水
で洗浄した。実施例１と同様の方法で評価試験を行っ
た。得られた結果を〔表１〕に示す。また、レジストイ
ンクの塗布及び剥離に要した時間は約４時間で粘着テー
プを用いる方法と比較して大幅な作業低下であった。ま
た、ウェハの表面に異物が多数認められた。
ＰＩＮ６３６型）を用いて約５０℃に調節されたレジス
トインク（東京応化工業（株）製 ＯＭＲ−８３）を実
施例１と同種の半導体ウエハの表面に塗布し、約２時間
冷却して約１０μｍ厚さのレジスト膜を形成後、実施例
１と同様の方法で蒸着し、約５０℃に加熱されたトリク
ロロエチレンでレジストインクを除去した。次いで純水
で洗浄した。実施例１と同様の方法で評価試験を行っ
た。得られた結果を〔表１〕に示す。また、レジストイ
ンクの塗布及び剥離に要した時間は約４時間で粘着テー
プを用いる方法と比較して大幅な作業低下であった。ま
た、ウェハの表面に異物が多数認められた。
【００２８】比較例２ 基材フィルムとしてＴダイ押出法にて製膜した厚さ６０
μｍのポリエチレン（以下ＰＥと略す）フィルムを用い
た以外は実施例１と同様の方法で試験した。得られた結
果を〔表１〕に示す。
μｍのポリエチレン（以下ＰＥと略す）フィルムを用い
た以外は実施例１と同様の方法で試験した。得られた結
果を〔表１〕に示す。
【００２９】比較例３ 比較例２で用いたＰＥフィルムとＴダイ押出法にて製膜
した厚さ２００μｍのＥＶＡフィルムをアクリル系接着
剤（三井東圧化学（株）“ストラクトボンドＸ−５０６
０”）を用いて接着積層し、ＥＶＡフィルム面にコロナ
放電処理を施して、以下実施例１と同様の方法で試験し
た。得られた結果を〔表１〕に示す。
した厚さ２００μｍのＥＶＡフィルムをアクリル系接着
剤（三井東圧化学（株）“ストラクトボンドＸ−５０６
０”）を用いて接着積層し、ＥＶＡフィルム面にコロナ
放電処理を施して、以下実施例１と同様の方法で試験し
た。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００３０】参考例１ 基材フィルムとして厚さ６０μｍのＰＥＴフィルムを使
用し、金属の蒸着を行なわない以外は実施例１と同様の
方法で試験した。得られた結果は実施例１と同様で、本
発明による方法で蒸着を行ってもウエハの表面に金属に
よる悪影響がないことが確認された。詳細な結果を〔表
１〕に示す。
用し、金属の蒸着を行なわない以外は実施例１と同様の
方法で試験した。得られた結果は実施例１と同様で、本
発明による方法で蒸着を行ってもウエハの表面に金属に
よる悪影響がないことが確認された。詳細な結果を〔表
１〕に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】本発明の方法によれば、半導体ウェハの
表面に金属が付着しないので、半導体集積回路が金属に
より損傷をうけることがない。さらに、従来の方法のよ
うに、レジストインク等を半導体ウェハの表面に塗布す
る必要がなく、製造工程が簡略化され、かつ、レジスト
インク等の異物により半導体ウェハの表面が汚染される
こともない。
表面に金属が付着しないので、半導体集積回路が金属に
より損傷をうけることがない。さらに、従来の方法のよ
うに、レジストインク等を半導体ウェハの表面に塗布す
る必要がなく、製造工程が簡略化され、かつ、レジスト
インク等の異物により半導体ウェハの表面が汚染される
こともない。
【００３３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−106628（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−119925（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/203
Claims (2)
- 【請求項１】 集積回路が組み込まれた半導体ウェハの
表面に、熱可塑性樹脂よりなる単層フィルム又は複層フ
ィルムからなり、該フィルムの少なくとも一層が１３０
℃での熱収縮率がＭＤ方向、ＴＤ方向共に２％以下であ
る基材フィルム層と粘着剤層からなる粘着テープを貼付
し、該半導体ウェハの裏面に金属を蒸着することを特徴
とする半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法。 - 【請求項２】 金属蒸着の温度が１５〜１２０℃である
請求項１記載の半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34079191A JP3169407B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34079191A JP3169407B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175127A JPH05175127A (ja) | 1993-07-13 |
| JP3169407B2 true JP3169407B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=18340325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34079191A Expired - Fee Related JP3169407B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3169407B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090962A1 (ja) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Teijin Dupont Films Japan Limited | 半導体ウェハ加工用ベースフィルム |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP34079191A patent/JP3169407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05175127A (ja) | 1993-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900001236B1 (ko) | 웨이퍼 가공용필름 | |
| US6159827A (en) | Preparation process of semiconductor wafer | |
| JPH0616524B2 (ja) | 半導体ウエハ固定用接着薄板 | |
| JPH0385745A (ja) | ウエハ保護シートの剥離方法 | |
| JP3398245B2 (ja) | 半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法 | |
| JP2003218063A (ja) | ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法 | |
| JPS61260629A (ja) | ウエハ加工用フイルム | |
| JP3169407B2 (ja) | 半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法 | |
| JP2521459B2 (ja) | 半導体チツプの製造方法 | |
| JPH0811788B2 (ja) | 半導体ウエハの保護部材 | |
| JP2024150706A (ja) | バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法 | |
| JP3204679B2 (ja) | 半導体ウエハ裏面のエッチング方法 | |
| JPH07105433B2 (ja) | ウエハ加工用フイルムの貼付け方法 | |
| WO2007028695A1 (en) | Method for cleaning particulate foreign matter from the surfaces of semiconductor wafers | |
| JP2695255B2 (ja) | ウエハ加工用フィルム | |
| JP2002069395A (ja) | 半導体製造用粘着テープ | |
| JPH03234043A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6152237B2 (ja) | ||
| JPS6190434A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| JPH0620442U (ja) | 半導体ウェハー用貼着シート | |
| JPH0618190B2 (ja) | ウエハ加工用フイルム | |
| JP2604899B2 (ja) | 半導体ウエハ加工用フィルムの製造方法 | |
| JP2983729B2 (ja) | 半導体ウエハ固定用粘着テープ | |
| JPH09115863A (ja) | 表面保護テープ貼り付け方法およびその装置 | |
| US6688948B2 (en) | Wafer surface protection method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |