JP3106810B2 - 非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法 - Google Patents
非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質シリコン太陽電
池に窓層などに用いられる、硼素添加した主としてｐ形
の非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法に関する。
池に窓層などに用いられる、硼素添加した主としてｐ形
の非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原料ガスをプラズマ化学気相成長法 (プ
ラズマＣＶＤ法) 、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等により分
解させることにより作製される水素化非晶質シリコン薄
膜を用いた太陽電池において、従来は非晶質シリコン太
陽電池の窓層 (光入力側) として光学ギャップの広い材
料を用いて、発電に寄与するｉ層に到達する光を多くす
ることがなされてきた。これらの材料として、特開昭56
−64476 号公報で公知の非晶質炭素化シリコン (以下ａ
−SiＣ：Ｈ) 、特開昭57−181176号公報で公知の非晶質
窒化シリコン (以下ａ−SiＮ：Ｈ) 、特開昭56−142680
号公報で公知の非晶質酸化シリコン (以下ａ−SiＯ：
Ｈ) もしくは特開昭58−196064号公報あるいは特開昭61
−242085号公報で公知の酸素と炭素原子を添加した水素
化非晶質シリコン (以下ａ−SiＯ：Ｃ：Ｈ) が用いられ
非晶質シリコンの太陽電池の変換効率向上に大きく寄与
してきた。これらの非晶質シリコン膜は、水素化硼素化
合物をドーピングすることによりｐ形にされている。
ラズマＣＶＤ法) 、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等により分
解させることにより作製される水素化非晶質シリコン薄
膜を用いた太陽電池において、従来は非晶質シリコン太
陽電池の窓層 (光入力側) として光学ギャップの広い材
料を用いて、発電に寄与するｉ層に到達する光を多くす
ることがなされてきた。これらの材料として、特開昭56
−64476 号公報で公知の非晶質炭素化シリコン (以下ａ
−SiＣ：Ｈ) 、特開昭57−181176号公報で公知の非晶質
窒化シリコン (以下ａ−SiＮ：Ｈ) 、特開昭56−142680
号公報で公知の非晶質酸化シリコン (以下ａ−SiＯ：
Ｈ) もしくは特開昭58−196064号公報あるいは特開昭61
−242085号公報で公知の酸素と炭素原子を添加した水素
化非晶質シリコン (以下ａ−SiＯ：Ｃ：Ｈ) が用いられ
非晶質シリコンの太陽電池の変換効率向上に大きく寄与
してきた。これらの非晶質シリコン膜は、水素化硼素化
合物をドーピングすることによりｐ形にされている。
【０００３】さらに、光透過性を高く保ったまま光伝導
度を向上させる目的でシリコン化合物、炭化水素および
弗化硼素化合物を成分とするガスを通常の100 倍以上の
水素ガスで希釈して生成されるｐ形SiＣ：Ｈ膜が特開平
２−191322号公報が公知である。
度を向上させる目的でシリコン化合物、炭化水素および
弗化硼素化合物を成分とするガスを通常の100 倍以上の
水素ガスで希釈して生成されるｐ形SiＣ：Ｈ膜が特開平
２−191322号公報が公知である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】非晶質太陽電池では、
光入射側の窓層に光透過率を高くし、光電変換層である
ｉ層により多くの光を入射させることが、出力を増加さ
せる上で重要である。このような窓層としては、光学ギ
ャップが2.０〜2.１eVのものが適している。しかし、一
般に水素化非晶質シリコン膜では、光透過性が大きくな
るにしたがって光照射下での電気伝導度、すなわち光伝
導度が低くなるため、太陽電池に適用する際その直列抵
抗成分が増加するという問題があった。上記のドーピン
グガスとして弗化硼素化合物を使用したａ−SiＣ：Ｈは
この問題を解決するためのものであるが、炭化水素系ラ
ジカルＣm Ｈn (m、n は自然数) の反応性の高さから、
導電率向上のために有効な水素希釈法に限界があった。
また、不純物として膜中に取り込まれる酸素の影響で、
欠陥が増え、ドーピングの効率を落とすという問題点も
あった。
光入射側の窓層に光透過率を高くし、光電変換層である
ｉ層により多くの光を入射させることが、出力を増加さ
せる上で重要である。このような窓層としては、光学ギ
ャップが2.０〜2.１eVのものが適している。しかし、一
般に水素化非晶質シリコン膜では、光透過性が大きくな
るにしたがって光照射下での電気伝導度、すなわち光伝
導度が低くなるため、太陽電池に適用する際その直列抵
抗成分が増加するという問題があった。上記のドーピン
グガスとして弗化硼素化合物を使用したａ−SiＣ：Ｈは
この問題を解決するためのものであるが、炭化水素系ラ
ジカルＣm Ｈn (m、n は自然数) の反応性の高さから、
導電率向上のために有効な水素希釈法に限界があった。
また、不純物として膜中に取り込まれる酸素の影響で、
欠陥が増え、ドーピングの効率を落とすという問題点も
あった。
【０００５】本発明の目的は、上記の情勢に立脚し、膜
中の欠陥を抑え、導電率が高く、光透過率がより大き
な、非晶質シリコン太陽電池の窓層として用いることの
出来るｐ形非晶質シリコン膜の生成方法を提供すること
にある。
中の欠陥を抑え、導電率が高く、光透過率がより大き
な、非晶質シリコン太陽電池の窓層として用いることの
出来るｐ形非晶質シリコン膜の生成方法を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、シリコン化合物、酸化炭素およ
び硼素化合物を成分とする原料ガスを用いたプラズマ化
学気相成長法による非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法
において、硼素化合物に弗化硼素を用いる非晶質酸化シ
リコン薄膜の生成方法であって、生成された薄膜の硼素
濃度が５×１０19〜１×１０21の範囲にあることとす
る。ここで、原料ガスを水素により希釈すること、生成
された薄膜がｐ形であること、シリコン化合物がＳｉn
Ｈ2n+2の分子式を有すること、酸化炭素を一酸化炭素お
よび二酸化炭素のうちから選ぶこと、が良い。
めに、本発明によれば、シリコン化合物、酸化炭素およ
び硼素化合物を成分とする原料ガスを用いたプラズマ化
学気相成長法による非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法
において、硼素化合物に弗化硼素を用いる非晶質酸化シ
リコン薄膜の生成方法であって、生成された薄膜の硼素
濃度が５×１０19〜１×１０21の範囲にあることとす
る。ここで、原料ガスを水素により希釈すること、生成
された薄膜がｐ形であること、シリコン化合物がＳｉn
Ｈ2n+2の分子式を有すること、酸化炭素を一酸化炭素お
よび二酸化炭素のうちから選ぶこと、が良い。
【０００７】
【作用】ａ−SiＯ：Ｈ膜は、炭化水素系ラジカルＣm Ｈ
n と、膜表面を被覆している水素との反応性の高さの影
響を抑えることが可能である。そして、ドーピングガス
として弗化硼素を用いることで、ジボラン (Ｂ2 Ｈ6 )
より生成する水素化硼素ラジカルＢＨ3 またはＢ2 Ｈ5
と比べた場合、膜表面の水素を剥離する効果が抑えら
れ、欠陥を減らすことが可能である。この結果、水素希
釈法を充分活用でき、導電率を向上させることが可能で
ある。また、ａ−SiＣ：Ｈを用いる場合とは違い、堆積
させる際に不純物として膜中に取り込まれる酸素の影響
を考えずに済む。
n と、膜表面を被覆している水素との反応性の高さの影
響を抑えることが可能である。そして、ドーピングガス
として弗化硼素を用いることで、ジボラン (Ｂ2 Ｈ6 )
より生成する水素化硼素ラジカルＢＨ3 またはＢ2 Ｈ5
と比べた場合、膜表面の水素を剥離する効果が抑えら
れ、欠陥を減らすことが可能である。この結果、水素希
釈法を充分活用でき、導電率を向上させることが可能で
ある。また、ａ−SiＣ：Ｈを用いる場合とは違い、堆積
させる際に不純物として膜中に取り込まれる酸素の影響
を考えずに済む。
【０００８】以上の結果、ｐ形ａ−SiＯ：Ｈ膜成長時に
生成される欠陥が減少するため、導電率は向上する。
生成される欠陥が減少するため、導電率は向上する。
【０００９】
【実施例】図２は、本発明の一実施例に用いたプラズマ
ＣＶＤ装置を示す。真空槽１の中には被成膜基板２を支
持する円形電極31とその直上のシャワー電極32とが対向
配置されている。円形電極31は電源42に接続されたヒー
タ41も備え、基板２を室温から350 ℃まで加熱すること
が出来る。また、シャワー電極32は、内部に絶縁性のガ
ス導入管５に連通する空洞を有し、ガス導入管から供給
させる原料ガスを送り込むことが出来る。そして、電力
を供給する高周波電源６に接続されている。成膜の際の
圧力は、真空ポンプ８に接続された排気管７に設けられ
たコンダクタンスバルブ71によって調整され、一定に保
たれる。
ＣＶＤ装置を示す。真空槽１の中には被成膜基板２を支
持する円形電極31とその直上のシャワー電極32とが対向
配置されている。円形電極31は電源42に接続されたヒー
タ41も備え、基板２を室温から350 ℃まで加熱すること
が出来る。また、シャワー電極32は、内部に絶縁性のガ
ス導入管５に連通する空洞を有し、ガス導入管から供給
させる原料ガスを送り込むことが出来る。そして、電力
を供給する高周波電源６に接続されている。成膜の際の
圧力は、真空ポンプ８に接続された排気管７に設けられ
たコンダクタンスバルブ71によって調整され、一定に保
たれる。
【００１０】本発明の実施例のａ−SiＯ：Ｈ成膜条件お
よび得られた薄膜の特性を以下に述べる。ａ−SiＯ：Ｈ
薄膜の原料ガスとしてSiＨ4 およびＣＯ2 を用い、希釈
ガスとしてＨ2 を用いた。また、ドーピングガスとして
ＢＦ3 を用いた。成膜条件は以下に示すとおりである。
よび得られた薄膜の特性を以下に述べる。ａ−SiＯ：Ｈ
薄膜の原料ガスとしてSiＨ4 およびＣＯ2 を用い、希釈
ガスとしてＨ2 を用いた。また、ドーピングガスとして
ＢＦ3 を用いた。成膜条件は以下に示すとおりである。
【００１１】
【数１】 基板温度 １５０〜２５０℃ 成膜圧力 ０. ６Torr ガス流量比 ＣＯ2 ／SiＨ4 ＝１〜５ Ｈ2 ／SiＨ4 ＝１０〜１００ ＢＦ3 ／SiＨ4 ＝０. ０１〜１０ 以上のような条件で成膜されたａ−SiＯ：Ｈ膜のSiＯを
Si1-x Ｏx で表わすと0.03≦ｘ≦0.20であり、これによ
り光学ギャップは2.０〜2.１eVの範囲に入る。図１は、
成膜されたｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜の光導電率および暗導
電率を示す。光導電率は、以下すべて強度100 ｍＷ／cm
2 の擬似太陽光下で測定した。横軸は膜中に取り込まれ
たＢの量を単位体積当たりで示したものである。この
時、二次イオン質量分析装置 (ＳＩＭＳ) を用いて計測
した弗素原子密度は、硼素原子密度に対して１〜2.５倍
であった。
Si1-x Ｏx で表わすと0.03≦ｘ≦0.20であり、これによ
り光学ギャップは2.０〜2.１eVの範囲に入る。図１は、
成膜されたｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜の光導電率および暗導
電率を示す。光導電率は、以下すべて強度100 ｍＷ／cm
2 の擬似太陽光下で測定した。横軸は膜中に取り込まれ
たＢの量を単位体積当たりで示したものである。この
時、二次イオン質量分析装置 (ＳＩＭＳ) を用いて計測
した弗素原子密度は、硼素原子密度に対して１〜2.５倍
であった。
【００１２】図３は、比較のためＢ2 Ｈ6 を用いて成膜
したｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜の光導電率および暗導電率を
示す。これらの膜は以下のような実験条件で作製され
た。
したｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜の光導電率および暗導電率を
示す。これらの膜は以下のような実験条件で作製され
た。
【００１３】
【数２】 基板温度 １５０〜２５０℃ 成膜圧力 ０. ６Torr ガス流量比 ＣＯ2 ／SiＨ4 ＝１〜５ Ｈ2 ／SiＨ4 ＝１０〜１００ Ｂ2 Ｈ6 ／SiＨ4 ＝１０-5〜１０-1 図１と図３を比べて分かる通り、ＢＦ3 をドーピングガ
スとして用いた場合、Ｂ 2 Ｈ6 を使用したものに比べて
暗導電率が向上している。これは、ＢＦ3 を用いたこと
により膜成長表面の水素剥離が起きにくくなり、膜の欠
陥が減少し、硼素のドーピング効率が向上したためと解
釈できる。以上の実施例から、ａ−SiＯ：Ｈ薄膜中の硼
素濃度が５×1019〜１×1021の範囲において、ＢＦ3 を
使用した場合、Ｂ2 Ｈ6 を用いた場合と比較して３〜５
倍の暗導電率向上が得られることがわかった。硼素濃度
が５×1019より低いときは、光学ギャップは大きくなる
が導電率が低すぎ、１×1021を超えると光学ギャップが
小さすぎるため、窓層として用いることができない。
スとして用いた場合、Ｂ 2 Ｈ6 を使用したものに比べて
暗導電率が向上している。これは、ＢＦ3 を用いたこと
により膜成長表面の水素剥離が起きにくくなり、膜の欠
陥が減少し、硼素のドーピング効率が向上したためと解
釈できる。以上の実施例から、ａ−SiＯ：Ｈ薄膜中の硼
素濃度が５×1019〜１×1021の範囲において、ＢＦ3 を
使用した場合、Ｂ2 Ｈ6 を用いた場合と比較して３〜５
倍の暗導電率向上が得られることがわかった。硼素濃度
が５×1019より低いときは、光学ギャップは大きくなる
が導電率が低すぎ、１×1021を超えると光学ギャップが
小さすぎるため、窓層として用いることができない。
【００１４】
【表１】 ドーピングガスとしてＢ2 Ｆ4 を用いたときも、ＣＯ2
の代わりにＣＯを用いたときも同様の結果が得られた。
また、ａ−SiＣ：Ｈに対して、同じくＢＦ3 をドーピン
グガスとして使用した時の光導電率および暗導電率を図
４に示す。特に硼素量が多いところでは、ａ−SiＯ薄膜
に比べて光導電率および暗導電率共に大きく落込むこと
がこの比較図から読み取れる。ａ−SiＣ中では、膜中に
含まれる不純物酸素の影響により、膜中の欠陥が増加し
ていることが考えられる。この酸素の悪影響がないため
に、ａ−SiＯ薄膜では、硼素量が増しても、高い導電率
を維持することが可能であることが分かった。また、ａ
−SiＯ薄膜の堆積速度は、２nm／分と非晶質シリコンカ
ーバイドの約４倍程度の値であった。この値は、実際に
太陽電池を作製する際のｐ層の成膜時間が１／４で済む
ということであり、デバイス作製上重要である。
の代わりにＣＯを用いたときも同様の結果が得られた。
また、ａ−SiＣ：Ｈに対して、同じくＢＦ3 をドーピン
グガスとして使用した時の光導電率および暗導電率を図
４に示す。特に硼素量が多いところでは、ａ−SiＯ薄膜
に比べて光導電率および暗導電率共に大きく落込むこと
がこの比較図から読み取れる。ａ−SiＣ中では、膜中に
含まれる不純物酸素の影響により、膜中の欠陥が増加し
ていることが考えられる。この酸素の悪影響がないため
に、ａ−SiＯ薄膜では、硼素量が増しても、高い導電率
を維持することが可能であることが分かった。また、ａ
−SiＯ薄膜の堆積速度は、２nm／分と非晶質シリコンカ
ーバイドの約４倍程度の値であった。この値は、実際に
太陽電池を作製する際のｐ層の成膜時間が１／４で済む
ということであり、デバイス作製上重要である。
【００１５】図５は、本発明の別の実施例によるａ−Si
Ｏ薄膜を用いた太陽電池の断面構造を示す。この太陽電
池は抵抗率２Ω・cm、大きさ10cm×10cm、厚さ0.35mmの
ｎ形多結晶シリコン基板11の上に厚さ100nm のｐ形のａ
−SiＯ：Ｈの薄膜12を成膜して形成したヘテロ接合を有
する。このａ−SiＯ：Ｈ膜12の成膜には、大きさ約30cm
×40cmの方形の平行平板電極を備えた容量結合型プラズ
マＣＶＤ装置内で、原料ガスとして、SiＨ4 、ＣＯ2 、
ＢＦ3 およびＨ2 の混合ガスを用い、12枚の基板11上に
同時成膜した。この時の条件は、以下に示す通りであ
る。
Ｏ薄膜を用いた太陽電池の断面構造を示す。この太陽電
池は抵抗率２Ω・cm、大きさ10cm×10cm、厚さ0.35mmの
ｎ形多結晶シリコン基板11の上に厚さ100nm のｐ形のａ
−SiＯ：Ｈの薄膜12を成膜して形成したヘテロ接合を有
する。このａ−SiＯ：Ｈ膜12の成膜には、大きさ約30cm
×40cmの方形の平行平板電極を備えた容量結合型プラズ
マＣＶＤ装置内で、原料ガスとして、SiＨ4 、ＣＯ2 、
ＢＦ3 およびＨ2 の混合ガスを用い、12枚の基板11上に
同時成膜した。この時の条件は、以下に示す通りであ
る。
【００１６】
【数３】 基板温度 ２２０℃ ガス流量 SiＨ4 ＝１０ccm ＣＯ2 ＝１８ccm ＢＦ3 ＝１０ccm Ｈ2 ＝２００ccm グロー放電電力 ８０Ｗ (周波数13.56 ＭＨｚ) さらに、多結晶シリコン基板11の裏面全面に真空蒸着に
よりAl裏面電極21を、またａ−SiＯ：Ｈ薄膜12の表面上
に、ZnＯの真空中でのマスク蒸着により１cm間隔で透光
性電極22を形成した。
よりAl裏面電極21を、またａ−SiＯ：Ｈ薄膜12の表面上
に、ZnＯの真空中でのマスク蒸着により１cm間隔で透光
性電極22を形成した。
【００１７】このようにして作製した12個の大きさ10cm
×10cmの太陽電池をそれぞれ９×９の81個のセルに分割
し、各セルの出力特性を、ｐ層12側を光入射側として強
度100 ｍＷ／cm2 の擬似太陽光下で測定したところ、平
均開放電圧0.65Ｖ、平均短絡電力密度33ｍＡ／cm2 、平
均曲線因子0.73、平均変換効率16.1％であった。そし
て、変換効率のばらつき、すなわち標準偏差は変換効率
の絶対値にして0.５％であり、大きさ30cm×40cmの広が
りにわたって均一な特性の太陽電池が作製できることが
分かった。
×10cmの太陽電池をそれぞれ９×９の81個のセルに分割
し、各セルの出力特性を、ｐ層12側を光入射側として強
度100 ｍＷ／cm2 の擬似太陽光下で測定したところ、平
均開放電圧0.65Ｖ、平均短絡電力密度33ｍＡ／cm2 、平
均曲線因子0.73、平均変換効率16.1％であった。そし
て、変換効率のばらつき、すなわち標準偏差は変換効率
の絶対値にして0.５％であり、大きさ30cm×40cmの広が
りにわたって均一な特性の太陽電池が作製できることが
分かった。
【００１８】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
シリコン化合物、酸化炭素および硼素化合物を成分とす
る原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法による非晶
質酸化シリコン薄膜の生成方法において、硼素化合物に
弗化硼素を用いる非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法で
あって、生成された薄膜の硼素濃度が５×１０19〜１×
１０21の範囲にあることとしたので、光学ギャップ２．
０〜２．１ｅＶの範囲において、σph＝６×１０-5〜４
×１０-5、σd＝２×１０-5〜２×１０-3を達成でき
る。この効果は、シリコン化合物がＳｉＨ4の場合に限
らず、ジシランなど他のＳｉnＨ2n+2の分子式を有する
化合物を用いたときにも得られる。
シリコン化合物、酸化炭素および硼素化合物を成分とす
る原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法による非晶
質酸化シリコン薄膜の生成方法において、硼素化合物に
弗化硼素を用いる非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法で
あって、生成された薄膜の硼素濃度が５×１０19〜１×
１０21の範囲にあることとしたので、光学ギャップ２．
０〜２．１ｅＶの範囲において、σph＝６×１０-5〜４
×１０-5、σd＝２×１０-5〜２×１０-3を達成でき
る。この効果は、シリコン化合物がＳｉＨ4の場合に限
らず、ジシランなど他のＳｉnＨ2n+2の分子式を有する
化合物を用いたときにも得られる。
【００１９】以上のような高いドーピング効率で、しか
も従来以上の膜が得られることで、直列抵抗成分が低く
抑えることが可能となり、光入射側の窓層に用いれば、
高い光透過性を有するデバイスの作製が可能となる。こ
の結果、太陽電池の光電変換効率が向上する。
も従来以上の膜が得られることで、直列抵抗成分が低く
抑えることが可能となり、光入射側の窓層に用いれば、
高い光透過性を有するデバイスの作製が可能となる。こ
の結果、太陽電池の光電変換効率が向上する。
【図１】本発明の実施例により得られたａ−SiＯ：Ｈ薄
膜の導電率と硼素濃度の関係線図
膜の導電率と硼素濃度の関係線図
【図２】本発明の一実施例に用いたプラズマＣＶＤ装置
の断面図
の断面図
【図３】ドーピングガスとしてＢ2 Ｈ6 を用いて成膜し
たａ−SiＯ：Ｈ薄膜の導電率と硼素濃度の関係線図
たａ−SiＯ：Ｈ薄膜の導電率と硼素濃度の関係線図
【図４】ドーピングガスとしてＢＦ3 を用いて成膜した
ａ−SiＯ：Ｈ薄膜とａ−SiＣ：Ｈ薄膜の導電率と硼素濃
度の関係線図
ａ−SiＯ：Ｈ薄膜とａ−SiＣ：Ｈ薄膜の導電率と硼素濃
度の関係線図
【図５】本発明の実施例により得られたａ−SiＯ：Ｈ薄
膜を用いた太陽電池の断面図
膜を用いた太陽電池の断面図
１ 真空槽 ２ 被成膜基板 ３ 円形電極 32 シャワー電極 41 ヒータ ５ ガス導入管 ６ 高周波電源 ７ 排気管 ８ 真空ポンプ 11 ｎ形多結晶シリコン基板 12 ｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜 21 裏面電極 22 透光性電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 31/04
Claims (5)
- 【請求項１】シリコン化合物、酸化炭素および硼素化合
物を成分とする原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長
法による非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法において、
硼素化合物に弗化硼素を用いる非晶質酸化シリコン薄膜
の生成方法であって、生成された薄膜の硼素濃度が５×
１０19〜１×１０21の範囲にあることを特徴とする非晶
質酸化シリコン薄膜の生成方法。 - 【請求項２】原料ガスを水素により希釈する請求項１記
載の非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法。 - 【請求項３】生成された薄膜がｐ形である請求項１ある
いは２記載の非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法。 - 【請求項４】シリコン化合物がＳｉnＨ2n+2の分子式を
有する請求項１ないし３のいずれかに記載の非晶質酸化
シリコン薄膜の生成方法。 - 【請求項５】酸化炭素を一酸化炭素および二酸化炭素の
うちから選ぶ請求項１ないし４のいずれかに記載の非晶
質酸化シリコン薄膜の生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05274708A JP3106810B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05274708A JP3106810B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法 |
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