JP3104699B1 - 細溝付き成形基板の製造方法 - Google Patents
細溝付き成形基板の製造方法Info
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
- B29C45/2632—Stampers; Mountings thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D17/00—Producing carriers of records containing fine grooves or impressions, e.g. disc records for needle playback, cylinder records; Producing record discs from master stencils
- B29D17/005—Producing optically read record carriers, e.g. optical discs
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
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- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
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Abstract
【要約】
【解決手段】 ポジ型（ネガ型の場合、レプリカが不
要）フォトレジスト２に対し、第１ランド相当部分を形
成するために、露光光を第１線Ｏ1 に沿って照射（照射
領域２ｅがランドに相当）；露光光を、第１線から「溝
幅Ｇw ＋ランド幅Ｌw 」離れた第２線Ｏ2 まで平行移
動；レジストに対し、第２ランド相当部分を形成するた
めに、露光光を第２線に沿って照射；現像して原盤Ｉを
得る；原盤Ｉからレプリカを製造；レプリカから電鋳法
によりスタンパーを製造；スタンパーを用いて射出成
形、プレス成形等によりガラス又は樹脂から成形基板を
製造。 【効果】 従来は露光光のスポット径φがＧw を決めて
おり、０．２３μｍ未満は不可。本発明は露光光の平行
移動量がＧw を決め、０．１〜０．０１μｍのＧw も可
能。
要）フォトレジスト２に対し、第１ランド相当部分を形
成するために、露光光を第１線Ｏ1 に沿って照射（照射
領域２ｅがランドに相当）；露光光を、第１線から「溝
幅Ｇw ＋ランド幅Ｌw 」離れた第２線Ｏ2 まで平行移
動；レジストに対し、第２ランド相当部分を形成するた
めに、露光光を第２線に沿って照射；現像して原盤Ｉを
得る；原盤Ｉからレプリカを製造；レプリカから電鋳法
によりスタンパーを製造；スタンパーを用いて射出成
形、プレス成形等によりガラス又は樹脂から成形基板を
製造。 【効果】 従来は露光光のスポット径φがＧw を決めて
おり、０．２３μｍ未満は不可。本発明は露光光の平行
移動量がＧw を決め、０．１〜０．０１μｍのＧw も可
能。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、溝幅Ｇw が例えば
０．１μｍ以下と細い溝（ピットを含む）を有する溝付
き成形基板molded substrate（ガラス製又は樹脂製）を
製造（成形）する方法、それに使用される原盤（原盤Ｉ
又は原盤II）及びスタンパーに関する。また、本発明は
そのような溝付き成形基板（「成形基板」とはスタンパ
ーで成形された基板を指す）にも関する。そのような成
形基板は、光ディスク、磁気ディスク、ハードディスク
その他の用途に加工される。従って、本発明はそのよう
なハードディスク、それを備えたハードディスク装置並
びにそれを備えたコンピュータにも関する。
０．１μｍ以下と細い溝（ピットを含む）を有する溝付
き成形基板molded substrate（ガラス製又は樹脂製）を
製造（成形）する方法、それに使用される原盤（原盤Ｉ
又は原盤II）及びスタンパーに関する。また、本発明は
そのような溝付き成形基板（「成形基板」とはスタンパ
ーで成形された基板を指す）にも関する。そのような成
形基板は、光ディスク、磁気ディスク、ハードディスク
その他の用途に加工される。従って、本発明はそのよう
なハードディスク、それを備えたハードディスク装置並
びにそれを備えたコンピュータにも関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク、ハードディスク等の情報記
録媒体は、大きな容量の情報を記録することができ、か
つ、高速でアクセス、再生、記録及び（場合により消
去）することができる。このため、これらの媒体は、Ｃ
Ｄ（compact disc) 、ＬＤ（laser disc) 、ＤＶＤ(dig
ital video disc, digital versatile disc)等と呼ば
れ、音楽や映像ソフト、ゲームソフト等を収納する媒体
として使われ、その需要が増大している。コンピュータ
のメモリーとしても、これらの媒体は使用され、その需
要が増大している。光ディスクやハードディスクは、マ
ルチメディア時代のメインメモリ−として大きく発展す
ると期待されている。
録媒体は、大きな容量の情報を記録することができ、か
つ、高速でアクセス、再生、記録及び（場合により消
去）することができる。このため、これらの媒体は、Ｃ
Ｄ（compact disc) 、ＬＤ（laser disc) 、ＤＶＤ(dig
ital video disc, digital versatile disc)等と呼ば
れ、音楽や映像ソフト、ゲームソフト等を収納する媒体
として使われ、その需要が増大している。コンピュータ
のメモリーとしても、これらの媒体は使用され、その需
要が増大している。光ディスクやハードディスクは、マ
ルチメディア時代のメインメモリ−として大きく発展す
ると期待されている。
【０００３】光ディスクについて言えば、記録層の有無
及びその種類により、（１）再生専用タイプ（ＣＤ、Ｌ
Ｄ、ＣＤ−ＲＯＭ、photo-ＣＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、再生
専用型ＭＤ等）、（２）一度だけ記録可能なライトワン
スタイプ write-once type（ＣＤ─Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、Ｄ
ＶＤ−ＷＯ等) 、（３）記録した後、消去することがで
き、何度でも書き替え可能な（rewritable）タイプ（光
磁気ディスク magneto-optical disk 、相変化（phase-
change）型ディスク、ＭＤ、ＣＤ−Ｅ、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ、ＤＶＤ−ＲＷ等) がある。更に、将来使用される媒
体として、高密度のＨＤ−ＤＶＤも提唱されている。
及びその種類により、（１）再生専用タイプ（ＣＤ、Ｌ
Ｄ、ＣＤ−ＲＯＭ、photo-ＣＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、再生
専用型ＭＤ等）、（２）一度だけ記録可能なライトワン
スタイプ write-once type（ＣＤ─Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、Ｄ
ＶＤ−ＷＯ等) 、（３）記録した後、消去することがで
き、何度でも書き替え可能な（rewritable）タイプ（光
磁気ディスク magneto-optical disk 、相変化（phase-
change）型ディスク、ＭＤ、ＣＤ−Ｅ、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ、ＤＶＤ−ＲＷ等) がある。更に、将来使用される媒
体として、高密度のＨＤ−ＤＶＤも提唱されている。
【０００４】これらの光ディスクを製造する工程は、ま
ず、溝付き成形基板を原料樹脂から成形するところから
始まる。最初にスタンパーと呼ばれる成形型が用意され
る。この成形型に原料樹脂（例えば、ポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、ポリスチレン等）を加熱流動化した
後、押しつけることにより、成形基板が成形（製造）さ
れる。成形方法は、加圧成形の他、ほとんどは射出成形
である。
ず、溝付き成形基板を原料樹脂から成形するところから
始まる。最初にスタンパーと呼ばれる成形型が用意され
る。この成形型に原料樹脂（例えば、ポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、ポリスチレン等）を加熱流動化した
後、押しつけることにより、成形基板が成形（製造）さ
れる。成形方法は、加圧成形の他、ほとんどは射出成形
である。
【０００５】成形基板を製造する理由は、基板表面に細
かな有用な凹凸が必要であるからである。凹凸のある基
板を大量に短時間で製造するには、加圧成形、射出成形
等の成形しかない。凹凸の種類は（１）情報単位を表す
ピットpit や（２）記録ヘッド（ピックアップ）のトラ
ッキングのためのガイド溝（溝＝グルーブ） guide gro
ove である。ピットや溝は、円形の基板上に同心円状又
は渦巻き状に設けられる。半径方向に見た時、溝と溝と
の間はランド(land)と呼ばれる。当初、ランドをトラッ
クとし、そこに記録するランド記録方式であった。逆に
溝に記録するグルーブ記録方式もある。記録密度の向上
のため、溝にもランドにも記録するランド／グルーブ記
録方式が開発された。この場合、両者がトラックであ
り、溝の幅Ｇw とランドの幅Ｌw はほぼ等しい。但し、
理由があって他方を意図的に広くする場合もある。光は
裏面（平滑な面）から基板に入射させる。基板側から見
て奥にある方をランドと呼び、手前にある方を溝と呼
ぶ。
かな有用な凹凸が必要であるからである。凹凸のある基
板を大量に短時間で製造するには、加圧成形、射出成形
等の成形しかない。凹凸の種類は（１）情報単位を表す
ピットpit や（２）記録ヘッド（ピックアップ）のトラ
ッキングのためのガイド溝（溝＝グルーブ） guide gro
ove である。ピットや溝は、円形の基板上に同心円状又
は渦巻き状に設けられる。半径方向に見た時、溝と溝と
の間はランド(land)と呼ばれる。当初、ランドをトラッ
クとし、そこに記録するランド記録方式であった。逆に
溝に記録するグルーブ記録方式もある。記録密度の向上
のため、溝にもランドにも記録するランド／グルーブ記
録方式が開発された。この場合、両者がトラックであ
り、溝の幅Ｇw とランドの幅Ｌw はほぼ等しい。但し、
理由があって他方を意図的に広くする場合もある。光は
裏面（平滑な面）から基板に入射させる。基板側から見
て奥にある方をランドと呼び、手前にある方を溝と呼
ぶ。
【０００６】溝、ランド及びピットの幅は、密度記録の
向上に伴い、例えば、１μｍ以下、０．８μｍ以下、
０．７μｍ以下、０．６μｍ以下、０．５μｍ以下、
０．４μｍ以下、０．３μｍ以下と狭くなってきてい
る。溝、ランド及びピットの深さも、高密度記録に伴
い、例えば、４０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、８０ｎｍ以
上、１００ｎｍ以上、１２０ｎｍ以上、１３０ｎｍ以
上、１５０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以上、２００ｎｍ以
上、２２０ｎｍ以上〜２５０ｎｍ以上と段々深くなって
来ている。
向上に伴い、例えば、１μｍ以下、０．８μｍ以下、
０．７μｍ以下、０．６μｍ以下、０．５μｍ以下、
０．４μｍ以下、０．３μｍ以下と狭くなってきてい
る。溝、ランド及びピットの深さも、高密度記録に伴
い、例えば、４０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、８０ｎｍ以
上、１００ｎｍ以上、１２０ｎｍ以上、１３０ｎｍ以
上、１５０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以上、２００ｎｍ以
上、２２０ｎｍ以上〜２５０ｎｍ以上と段々深くなって
来ている。
【０００７】幅が狭くなったり、深さが深くなると、つ
まり、高精度になると、基板の成形はますます難しくな
り、良品の歩留りは低下する。なお、成形された基板の
凹凸面上には、最終の製品に応じて、反射層や記録層や
保護層等を形成する。また、ハードディスクは、通常、
アルミニウム基板又はガラス基板に磁気記録層を形成し
たものである。記録は磁気ヘッドで実施される。高密度
化に伴い、記録層の表面は極めて平滑である。そのた
め、磁気ヘッドが相対的に停止すると、ヘッドと記録層
が密着して離れなくなる現象が発生する。これを避ける
めた、ハードディスクには、磁気ヘッドを相対的に停止
したとき、これを置くガレージ領域（ＣＳＳ領域＝cont
act stop and start）を設けてある。この領域の表面
は、レーザーテクスチャーlaser texture 技術によりわ
ざわざ凹凸に仕上げてある。この凹凸により密着が防止
される。また、高密度化に伴い、ヘッドのトラッキング
が困難になる。そこで、光ディスクと同じように、ディ
スクに溝を設けることが提案されている。このように、
凹凸や溝が要求されることから、ディスクの生産性を上
げるため、成形基板が提案されている。ハードディスク
においても成形基板を用い、基板の成形時に凹凸や溝を
形成するのである。この場合、基板の材料は樹脂又はガ
ラス特に低融点ガラスである。
まり、高精度になると、基板の成形はますます難しくな
り、良品の歩留りは低下する。なお、成形された基板の
凹凸面上には、最終の製品に応じて、反射層や記録層や
保護層等を形成する。また、ハードディスクは、通常、
アルミニウム基板又はガラス基板に磁気記録層を形成し
たものである。記録は磁気ヘッドで実施される。高密度
化に伴い、記録層の表面は極めて平滑である。そのた
め、磁気ヘッドが相対的に停止すると、ヘッドと記録層
が密着して離れなくなる現象が発生する。これを避ける
めた、ハードディスクには、磁気ヘッドを相対的に停止
したとき、これを置くガレージ領域（ＣＳＳ領域＝cont
act stop and start）を設けてある。この領域の表面
は、レーザーテクスチャーlaser texture 技術によりわ
ざわざ凹凸に仕上げてある。この凹凸により密着が防止
される。また、高密度化に伴い、ヘッドのトラッキング
が困難になる。そこで、光ディスクと同じように、ディ
スクに溝を設けることが提案されている。このように、
凹凸や溝が要求されることから、ディスクの生産性を上
げるため、成形基板が提案されている。ハードディスク
においても成形基板を用い、基板の成形時に凹凸や溝を
形成するのである。この場合、基板の材料は樹脂又はガ
ラス特に低融点ガラスである。
【０００８】従来、成形型は一般に以下のようなプロセ
スで製造されている。古い先行技術として、米国特許第
４，２１１，６１７（対応日本特許＝公告Ｓ５９−１６
３３２）がある。図９〜図１１を引用して説明する。ま
ず、光学的面精度にまで研磨されたガラス基板（Ｓ）を
用意する。この基板を洗浄したあと、密着性を改良する
プライマー（例えば、シランカップリング剤silane-cou
pling agent) を塗布する。それからフォトレジストpho
toresist をスピンコートし、プリベ−クpre-bakeす
る。フォトレジストはポジ型（光が照射された部分が現
像で除去されるタイプ）が使用されている。
スで製造されている。古い先行技術として、米国特許第
４，２１１，６１７（対応日本特許＝公告Ｓ５９−１６
３３２）がある。図９〜図１１を引用して説明する。ま
ず、光学的面精度にまで研磨されたガラス基板（Ｓ）を
用意する。この基板を洗浄したあと、密着性を改良する
プライマー（例えば、シランカップリング剤silane-cou
pling agent) を塗布する。それからフォトレジストpho
toresist をスピンコートし、プリベ−クpre-bakeす
る。フォトレジストはポジ型（光が照射された部分が現
像で除去されるタイプ）が使用されている。
【０００９】何故なら、ポジ型の方が光ディスクの表面
粗さが小さく、そのため、ノイズが少ない利点があるか
らである。そこで、ポジ型フォトレジストで説明する。
次にレ−ザービ−ムレコ−ダ (laser-beam-recorder)又
はレーザーカッティング装置（laser cutting machine
）を使って、ピットや溝のパタ−ンに従ってフォトレ
ジスト（Ｒ）を露光する。一般に、レーザービームのス
ポット径φがピットや溝の幅を決める。この場合、レー
ザービームのスポット径は、できるだけ高密度に（即ち
細く）するため、レンズ（１）によって回折限界まで絞
られる。他方、ピットや溝の深さは、一般にフォトレジ
ストの厚さが決める。
粗さが小さく、そのため、ノイズが少ない利点があるか
らである。そこで、ポジ型フォトレジストで説明する。
次にレ−ザービ−ムレコ−ダ (laser-beam-recorder)又
はレーザーカッティング装置（laser cutting machine
）を使って、ピットや溝のパタ−ンに従ってフォトレ
ジスト（Ｒ）を露光する。一般に、レーザービームのス
ポット径φがピットや溝の幅を決める。この場合、レー
ザービームのスポット径は、できるだけ高密度に（即ち
細く）するため、レンズ（１）によって回折限界まで絞
られる。他方、ピットや溝の深さは、一般にフォトレジ
ストの厚さが決める。
【００１０】この点を、溝が同心円状に複数ある場合に
ついて、もう少し詳しく説明する。まず、所定の露光光
を第１の線（Ｏ1 ）に沿ってフォトレジスト（２）対し
て照射する（図９の (9a) 参照）。この照射された領域
（露光された領域）が、後々になって、成形基板の第１
の溝に相当する部分を与える。この点が後で説明する本
発明（請求項１やその他）と異なる点である。請求項１
やその他の発明では、溝ではなくランドに相当する部分
を与える。簡単な説明では、露光光のスポット径がその
まま「露光された領域」（以下、「露光された領域」を
「露光領域」と略すことがある）の線幅を決定する。こ
のとき、最小のスポット径は、露光光の回折限界で決ま
り、露光光の波長λに依存する（ややλに等しい程
度）。しかしながら、スポット内の光強度分布は、ガウ
ス分布をしており、光軸の中心が最も強く、周辺ほど弱
い。そのため、レジストの感度、現像条件等により、有
効スポット径は回折限界値より小さくなる。光源の出力
を弱め、スポットの中心だけを使う「細筆書き」と呼ば
れる露光方法もある。この場合には、有効スポット径は
更に小さくなる。これまで、有効スポット径をφと定義
すれば、φがレジストパターンの溝幅つまりは成形基板
の溝幅Ｇw を決めていた。
ついて、もう少し詳しく説明する。まず、所定の露光光
を第１の線（Ｏ1 ）に沿ってフォトレジスト（２）対し
て照射する（図９の (9a) 参照）。この照射された領域
（露光された領域）が、後々になって、成形基板の第１
の溝に相当する部分を与える。この点が後で説明する本
発明（請求項１やその他）と異なる点である。請求項１
やその他の発明では、溝ではなくランドに相当する部分
を与える。簡単な説明では、露光光のスポット径がその
まま「露光された領域」（以下、「露光された領域」を
「露光領域」と略すことがある）の線幅を決定する。こ
のとき、最小のスポット径は、露光光の回折限界で決ま
り、露光光の波長λに依存する（ややλに等しい程
度）。しかしながら、スポット内の光強度分布は、ガウ
ス分布をしており、光軸の中心が最も強く、周辺ほど弱
い。そのため、レジストの感度、現像条件等により、有
効スポット径は回折限界値より小さくなる。光源の出力
を弱め、スポットの中心だけを使う「細筆書き」と呼ば
れる露光方法もある。この場合には、有効スポット径は
更に小さくなる。これまで、有効スポット径をφと定義
すれば、φがレジストパターンの溝幅つまりは成形基板
の溝幅Ｇw を決めていた。
【００１１】現在、露光光としてアルゴンレーザーのλ
＝３５１ｎｍの光が使用されているが、その場合、「最
小の有効スポット径φ」は０．２３μｍ（２３０ｎｍ）
であり、従って、得られる成形基板の最小溝幅Ｇw はそ
れにほぼ等しく約０．２３μｍであった。（φ＝溝幅Ｇ
w ） 仮に、欲しい線幅（溝幅Ｇw)によっては、スポットを回
折限界まで絞らなかったり、露光光をデフォーカス状態
で使用してもよい。更に、線幅（溝幅Ｇw)によっては、
１回の照射で足りなければ、第１の線を所望量だけ平行
移動させ、再び第１の線に沿って照射することを繰り返
してもよい。
＝３５１ｎｍの光が使用されているが、その場合、「最
小の有効スポット径φ」は０．２３μｍ（２３０ｎｍ）
であり、従って、得られる成形基板の最小溝幅Ｇw はそ
れにほぼ等しく約０．２３μｍであった。（φ＝溝幅Ｇ
w ） 仮に、欲しい線幅（溝幅Ｇw)によっては、スポットを回
折限界まで絞らなかったり、露光光をデフォーカス状態
で使用してもよい。更に、線幅（溝幅Ｇw)によっては、
１回の照射で足りなければ、第１の線を所望量だけ平行
移動させ、再び第１の線に沿って照射することを繰り返
してもよい。
【００１２】次に露光光を、第１の線から、「溝幅Ｇw
とランド幅Ｌw の和」に相当する距離」離れた第２の線
（Ｏ2 ）まで、平行移動する（図９の (9b) 参照）。
ここで言う「平行」とは幾何学で言う厳密な平行に限ら
ない。同心円状の隣り合う２本の線の状態や渦巻きを半
径方向に見たときの隣り合う２本の線も「平行」と言
う。また、蛇行した第１の線（Ｏ1 ）に対して位相が０
〜１波長（蛇行波長のこと）又は数波長の間でずれた第
２の線（Ｏ2 ）の状態も「平行」の概念の中に入れる。
とランド幅Ｌw の和」に相当する距離」離れた第２の線
（Ｏ2 ）まで、平行移動する（図９の (9b) 参照）。
ここで言う「平行」とは幾何学で言う厳密な平行に限ら
ない。同心円状の隣り合う２本の線の状態や渦巻きを半
径方向に見たときの隣り合う２本の線も「平行」と言
う。また、蛇行した第１の線（Ｏ1 ）に対して位相が０
〜１波長（蛇行波長のこと）又は数波長の間でずれた第
２の線（Ｏ2 ）の状態も「平行」の概念の中に入れる。
【００１３】そして、露光光を第２の線（Ｏ2 ）に沿っ
て移動させながら、レジストを照射（露光）する。一般
には、その後、この第２の線（Ｏ2 ）を第１の線
（Ｏ1 ）とみなして、平行移動、露光を複数回繰り返
す。これにより、同心円状や渦巻き状の複数の露光領域
（２e ）が得られる（図９の（9c）参照）。露光された
レジストを現像処理するとガラス板表面にピットや溝の
パターンを持ったレジストパターン（resist pattern）
が得られる。現像の後、場合によっては、レジストパタ
ーンは、８０〜１２０℃で２０〜６０分のポストベーク
post-bake を受ける。ポストベークをした場合には、レ
ジストパターンが室温まで冷えるのを待つ。約１０時間
待つ。この様子は図１０の（9d) に示される。
て移動させながら、レジストを照射（露光）する。一般
には、その後、この第２の線（Ｏ2 ）を第１の線
（Ｏ1 ）とみなして、平行移動、露光を複数回繰り返
す。これにより、同心円状や渦巻き状の複数の露光領域
（２e ）が得られる（図９の（9c）参照）。露光された
レジストを現像処理するとガラス板表面にピットや溝の
パターンを持ったレジストパターン（resist pattern）
が得られる。現像の後、場合によっては、レジストパタ
ーンは、８０〜１２０℃で２０〜６０分のポストベーク
post-bake を受ける。ポストベークをした場合には、レ
ジストパターンが室温まで冷えるのを待つ。約１０時間
待つ。この様子は図１０の（9d) に示される。
【００１４】図１０の（9d）に示されるレジストパター
ン（２）は、原盤(MASTER SUBSTRATE or MASTER)と呼ば
れる。本発明では、基板（３）とレジストパターン
（２）の全体を原盤Ｉ（４）と呼ぶ。原盤Ｉ（４）は前
記米国特許のFig.４のレプリカreprica ４６に相当す
る。原盤Ｉ（４）は導電化処理される。導電化処理は、
一般にスパッタリング（乾式）、あるいは、場合によ
り、無電解メッキ（湿式）で行われる。
ン（２）は、原盤(MASTER SUBSTRATE or MASTER)と呼ば
れる。本発明では、基板（３）とレジストパターン
（２）の全体を原盤Ｉ（４）と呼ぶ。原盤Ｉ（４）は前
記米国特許のFig.４のレプリカreprica ４６に相当す
る。原盤Ｉ（４）は導電化処理される。導電化処理は、
一般にスパッタリング（乾式）、あるいは、場合によ
り、無電解メッキ（湿式）で行われる。
【００１５】導電化処理された原盤Ｉの上に電鋳法によ
りメッキ層が厚く形成される。メッキ層はニッケル（Ｎ
ｉ）である。導電層とＮｉメッキ層の２層構造体は、フ
ァザー (FATHER) ・スタンパー（５）又は単にファザー
と呼ばれる。この様子は図１０の（9e) に示される。ス
タンパー（５）をレジストパターン（原盤Ｉ）から剥が
すことで、自由なスタンパー（５）が得られる。この様
子は図１０の（9f) に示される。このファザー・スタン
パー（５）は、前記米国特許のFig.６のマザーメンバー
(mather member )５２に相当する。
りメッキ層が厚く形成される。メッキ層はニッケル（Ｎ
ｉ）である。導電層とＮｉメッキ層の２層構造体は、フ
ァザー (FATHER) ・スタンパー（５）又は単にファザー
と呼ばれる。この様子は図１０の（9e) に示される。ス
タンパー（５）をレジストパターン（原盤Ｉ）から剥が
すことで、自由なスタンパー（５）が得られる。この様
子は図１０の（9f) に示される。このファザー・スタン
パー（５）は、前記米国特許のFig.６のマザーメンバー
(mather member )５２に相当する。
【００１６】スタンパー（５）は一般に２００〜３００
μｍと薄いので、剥がすときに注意する。剥がしたと
き、レジストの一部がスタンパー上に残るのでアセトン
等の溶剤で溶解除去する。仮にレジストが残っている
と、凹凸を崩すので、レジストは確実に除去する。剥が
したとき、レジストパターン（２）は破損するので、１
枚の原盤Ｉ（４）から１枚のファザー・スタンパー
（５）のみが得られる。得られたスタンパー（５）は極
めて正確な凹凸パターンを有する。実際には、剥離した
後のスタンパー（５）は、大きさが不正確なので、その
内外径を打ち抜き加工する。加工に先立ち、凹凸面（信
号面）を保護コートで覆う。これによりドーナツ状のス
タンパー（５）が得られ、完成する。
μｍと薄いので、剥がすときに注意する。剥がしたと
き、レジストの一部がスタンパー上に残るのでアセトン
等の溶剤で溶解除去する。仮にレジストが残っている
と、凹凸を崩すので、レジストは確実に除去する。剥が
したとき、レジストパターン（２）は破損するので、１
枚の原盤Ｉ（４）から１枚のファザー・スタンパー
（５）のみが得られる。得られたスタンパー（５）は極
めて正確な凹凸パターンを有する。実際には、剥離した
後のスタンパー（５）は、大きさが不正確なので、その
内外径を打ち抜き加工する。加工に先立ち、凹凸面（信
号面）を保護コートで覆う。これによりドーナツ状のス
タンパー（５）が得られ、完成する。
【００１７】次にスタンパーを使って成形基板を成形す
る。スタンパー（５）に軟化した樹脂６（場合により樹
脂液）を押しつける。この様子は、図１０の（9g) に示
される。これにより、スタンパーの凹凸を樹脂（６）に
転写する。その後、冷えて固化又は反応が進んで硬化し
た樹脂（６）をスタンパー（５）から剥がすと、図１１
に示す成形基板（６）が得られる。この基板（６）は幅
Ｇw の溝と幅Ｌw のランドが交互に並んだ凹凸を備えて
いる。この製造方法は、プレス成形や射出成形と呼ばれ
る方法である。射出成形が最も生産性が高く、汎用され
ている。
る。スタンパー（５）に軟化した樹脂６（場合により樹
脂液）を押しつける。この様子は、図１０の（9g) に示
される。これにより、スタンパーの凹凸を樹脂（６）に
転写する。その後、冷えて固化又は反応が進んで硬化し
た樹脂（６）をスタンパー（５）から剥がすと、図１１
に示す成形基板（６）が得られる。この基板（６）は幅
Ｇw の溝と幅Ｌw のランドが交互に並んだ凹凸を備えて
いる。この製造方法は、プレス成形や射出成形と呼ばれ
る方法である。射出成形が最も生産性が高く、汎用され
ている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上記説明から理解され
るように、溝やピット（本明細書では、「溝」で代表さ
せてピットを含めて「溝」と呼ぶことがある）の幅つま
り溝幅Ｇw は、波長λや有効スポット径φに依存してす
る。そのため、φより細い溝幅Ｇw を有する成形基板を
得ることはできない。現在、アルゴンレーザー（λ＝３
５１ｎｍ）を使用しており、形成可能な最小の溝幅Ｇw
は約０．２３μｍ（２３０ｎｍ）である。λを小さくす
れば、溝幅Ｇw を小さくすることができる可能性があ
る。しかし、連続発振のレーザーが必要であり、また、
小さいλの光（紫外線）に感光するレジストの特別な問
題（溝が垂直にシャープに掘れない問題）があり、その
ため、現在、溝幅Ｇw は約０．２３μｍが限界である。
るように、溝やピット（本明細書では、「溝」で代表さ
せてピットを含めて「溝」と呼ぶことがある）の幅つま
り溝幅Ｇw は、波長λや有効スポット径φに依存してす
る。そのため、φより細い溝幅Ｇw を有する成形基板を
得ることはできない。現在、アルゴンレーザー（λ＝３
５１ｎｍ）を使用しており、形成可能な最小の溝幅Ｇw
は約０．２３μｍ（２３０ｎｍ）である。λを小さくす
れば、溝幅Ｇw を小さくすることができる可能性があ
る。しかし、連続発振のレーザーが必要であり、また、
小さいλの光（紫外線）に感光するレジストの特別な問
題（溝が垂直にシャープに掘れない問題）があり、その
ため、現在、溝幅Ｇw は約０．２３μｍが限界である。
【００１９】しかし、記録密度の向上を求める声はます
ます強く、より細い溝幅Ｇw を形成できる技術が求めら
れている。本発明の最初の目的は、同じ波長λの露光光
を使用しながら、それにより形成可能な最小溝幅（＝
φ）より細い溝幅Ｇw を有する成形基板を成形できる技
術を提供することにある。
ます強く、より細い溝幅Ｇw を形成できる技術が求めら
れている。本発明の最初の目的は、同じ波長λの露光光
を使用しながら、それにより形成可能な最小溝幅（＝
φ）より細い溝幅Ｇw を有する成形基板を成形できる技
術を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
の結果、露光光を第１の線（Ｏ1 ）から第２の線（Ｏ
2 ）へと平行移動させる機械的機構によれば、移動距離
をφより小さくすることが可能であること、ポジ型フ
ォトレジストを使用した場合に、原盤Ｉからいきなりス
タンパーを製造せずに、原盤Ｉからまずレプリカを作成
した後、そのレプリカからスタンパーを製造すれば、凹
凸が正転の（即ち、反転していない）スタンパーが得ら
れることを見出し、本発明を成すに至った。
の結果、露光光を第１の線（Ｏ1 ）から第２の線（Ｏ
2 ）へと平行移動させる機械的機構によれば、移動距離
をφより小さくすることが可能であること、ポジ型フ
ォトレジストを使用した場合に、原盤Ｉからいきなりス
タンパーを製造せずに、原盤Ｉからまずレプリカを作成
した後、そのレプリカからスタンパーを製造すれば、凹
凸が正転の（即ち、反転していない）スタンパーが得ら
れることを見出し、本発明を成すに至った。
【００２１】更に、ネガ型のフォトレジストを使用すれ
ば、レプリカを介在させることなく目的が達成されるこ
とを見出し、本発明を成すに至った。従って、本発明
は、第１に、「ポジ型フォトレジストを塗布した基板を
用意する第１工程、前記フォトレジストに対し、第１の
ランドに相当する部分を形成するために、所定の露光光
を第１の線に沿って照射することにより露光する第２工
程、前記露光光を、第１の線から「ランド幅Ｌｗと、前
記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．１μｍ以下である
溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離れた第２の線まで
平行移動する第３工程、前記フォトレジストに対し、第
２のランドに相当する部分を形成するために、前記露光
光を第２の線に沿って照射することにより露光する第４
工程、前記フォトレジストを現像することにより原盤Ｉ
を得る第５工程、前記原盤Ｉからレプリカを製造する第
６工程、前記レプリカから電鋳法によりスタンパーを製
造する第７工程、及び前記スタンパーを用いてガラス又
は樹脂を成形する第８工程からなることを特徴とする溝
付き成形基板を製造する方法（請求項１）」を提供す
る。
ば、レプリカを介在させることなく目的が達成されるこ
とを見出し、本発明を成すに至った。従って、本発明
は、第１に、「ポジ型フォトレジストを塗布した基板を
用意する第１工程、前記フォトレジストに対し、第１の
ランドに相当する部分を形成するために、所定の露光光
を第１の線に沿って照射することにより露光する第２工
程、前記露光光を、第１の線から「ランド幅Ｌｗと、前
記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．１μｍ以下である
溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離れた第２の線まで
平行移動する第３工程、前記フォトレジストに対し、第
２のランドに相当する部分を形成するために、前記露光
光を第２の線に沿って照射することにより露光する第４
工程、前記フォトレジストを現像することにより原盤Ｉ
を得る第５工程、前記原盤Ｉからレプリカを製造する第
６工程、前記レプリカから電鋳法によりスタンパーを製
造する第７工程、及び前記スタンパーを用いてガラス又
は樹脂を成形する第８工程からなることを特徴とする溝
付き成形基板を製造する方法（請求項１）」を提供す
る。
【００２２】なお、溝幅Ｇw とランド幅Ｌw との和は、
ピッチとも呼ばれる。また、本発明は、「前記レプリカ
が金属又は樹脂からなることを特徴とする請求項１記載
の方法（請求項２）」を提供する。また、本発明は、
「請求項１記載の第７工程で製造された細溝樹脂基板用
のスタンパー（請求項３）」を提供する。
ピッチとも呼ばれる。また、本発明は、「前記レプリカ
が金属又は樹脂からなることを特徴とする請求項１記載
の方法（請求項２）」を提供する。また、本発明は、
「請求項１記載の第７工程で製造された細溝樹脂基板用
のスタンパー（請求項３）」を提供する。
【００２３】また、本発明は、「請求項１記載の第５工
程で得られた、細溝樹脂基板用の原盤Ｉ（請求項４）」
を提供する。また、本発明は、「ポジ型フォトレジスト
を塗布した基板を用意する第１工程、前記フォトレジス
トに対し、第１のランドに相当する部分を形成するため
に、所定の露光光を第１の線に沿って照射することによ
り露光する第２工程、前記露光光を、第１の線から「ラ
ンド幅Ｌｗと、前記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．
１μｍ以下である溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離
れた第２の線まで平行移動する第３工程、前記フォトレ
ジストに対し、第２のランドに相当する部分を形成する
ために、前記露光光を第２の線に沿って照射することに
より露光する第４工程、前記フォトレジストを現像する
ことにより、レジストパターンを得る第５工程、前記レ
ジストに覆われてない部分について、前記基板を食刻す
る第５の２工程、前記レジストを除去することにより原
盤IIを得る第５の３工程、前記原盤IIからレプリカを製
造する第６工程、前記レプリカから電鋳法によりスタン
パーを製造する第７工程、及び前記スタンパーを用いて
ガラス又は樹脂を成形する第８工程からなる、ことを特
徴とする溝付き成形基板を製造する方法（請求項５）」
を提供する。
程で得られた、細溝樹脂基板用の原盤Ｉ（請求項４）」
を提供する。また、本発明は、「ポジ型フォトレジスト
を塗布した基板を用意する第１工程、前記フォトレジス
トに対し、第１のランドに相当する部分を形成するため
に、所定の露光光を第１の線に沿って照射することによ
り露光する第２工程、前記露光光を、第１の線から「ラ
ンド幅Ｌｗと、前記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．
１μｍ以下である溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離
れた第２の線まで平行移動する第３工程、前記フォトレ
ジストに対し、第２のランドに相当する部分を形成する
ために、前記露光光を第２の線に沿って照射することに
より露光する第４工程、前記フォトレジストを現像する
ことにより、レジストパターンを得る第５工程、前記レ
ジストに覆われてない部分について、前記基板を食刻す
る第５の２工程、前記レジストを除去することにより原
盤IIを得る第５の３工程、前記原盤IIからレプリカを製
造する第６工程、前記レプリカから電鋳法によりスタン
パーを製造する第７工程、及び前記スタンパーを用いて
ガラス又は樹脂を成形する第８工程からなる、ことを特
徴とする溝付き成形基板を製造する方法（請求項５）」
を提供する。
【００２４】また、本発明は、「前記レプリカが金属又
は樹脂からなることを特徴とする請求項５記載の方法
（請求項６）」を提供する。また、本発明は、「請求項
５記載の第７工程で製造された成形基板用のスタンパー
（請求項７）」を提供する。また、本発明は、「請求項
５記載の第５の３工程で得られた、成形基板用の原盤II
（請求項８）」を提供する。
は樹脂からなることを特徴とする請求項５記載の方法
（請求項６）」を提供する。また、本発明は、「請求項
５記載の第７工程で製造された成形基板用のスタンパー
（請求項７）」を提供する。また、本発明は、「請求項
５記載の第５の３工程で得られた、成形基板用の原盤II
（請求項８）」を提供する。
【００２５】また、本発明は、「ネガ型フォトレジスト
を塗布した基板を用意する第１工程、前記フォトレジス
トに対し、第１のランドに相当する部分を形成するため
に、所定の露光光を第１の線に沿って照射することによ
り露光する第２工程、前記露光光を、第１の線から「ラ
ンド幅Ｌｗと、前記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．
１μｍ以下である溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離
れた第２の線まで平行移動する第３工程、前記フォトレ
ジストに対し、第２のランドに相当する部分を形成する
ために、前記露光光を第２の線に沿って照射することに
より露光する第４工程、前記フォトレジストを現像する
ことにより原盤Ｉを得る第５工程、前記原盤Ｉから電鋳
法によりスタンパーを製造する第６工程、及び前記スタ
ンパーを用いてガラス又は樹脂を成形する第７工程から
なることを特徴とする溝付き成形基板を製造する方法
（請求項９）」を提供する。
を塗布した基板を用意する第１工程、前記フォトレジス
トに対し、第１のランドに相当する部分を形成するため
に、所定の露光光を第１の線に沿って照射することによ
り露光する第２工程、前記露光光を、第１の線から「ラ
ンド幅Ｌｗと、前記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．
１μｍ以下である溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離
れた第２の線まで平行移動する第３工程、前記フォトレ
ジストに対し、第２のランドに相当する部分を形成する
ために、前記露光光を第２の線に沿って照射することに
より露光する第４工程、前記フォトレジストを現像する
ことにより原盤Ｉを得る第５工程、前記原盤Ｉから電鋳
法によりスタンパーを製造する第６工程、及び前記スタ
ンパーを用いてガラス又は樹脂を成形する第７工程から
なることを特徴とする溝付き成形基板を製造する方法
（請求項９）」を提供する。
【００２６】また、本発明は、「請求項９記載の第７工
程で製造された成形基板用のスタンパー（請求項１
０）」を提供する。また、本発明は、「請求項９記載の
第５工程で得られた成形基板用の原盤Ｉ（請求項１
１）」を提供する。また、本発明は、「ネガ型フォトレ
ジストを塗布した基板を用意する第１工程、前記フォト
レジストに対し、第１のランドに相当する部分を形成す
るために、所定の露光光を第１の線に沿って照射するこ
とにより露光する第２工程、前記露光光を、第１の線か
ら「ランド幅Ｌｗと、前記ランド幅Ｌｗよりも小さくか
つ０．１μｍ以下である溝幅Ｇｗ との和に相当する距
離」離れた第２の線まで平行移動する第３工程、前記フ
ォトレジストに対し、第２のランドに相当する部分を形
成するために、前記露光光を第２の線に沿って照射する
ことにより露光する第４工程、前記フォトレジストを現
像することにより、レジストパターンを得る第５工程、
前記レジストに覆われてない部分について、前記基板を
食刻する第５の２工程、前記レジストを除去することに
より原盤IIを得る第５の３工程、前記原盤IIから電鋳法
によりスタンパーを製造する第６工程、及び前記前記ス
タンパーを用いてガラス又は樹脂を成形する第７工程か
らなることを特徴とする溝付き成形基板を製造する方法
（請求項１２）」を提供する。
程で製造された成形基板用のスタンパー（請求項１
０）」を提供する。また、本発明は、「請求項９記載の
第５工程で得られた成形基板用の原盤Ｉ（請求項１
１）」を提供する。また、本発明は、「ネガ型フォトレ
ジストを塗布した基板を用意する第１工程、前記フォト
レジストに対し、第１のランドに相当する部分を形成す
るために、所定の露光光を第１の線に沿って照射するこ
とにより露光する第２工程、前記露光光を、第１の線か
ら「ランド幅Ｌｗと、前記ランド幅Ｌｗよりも小さくか
つ０．１μｍ以下である溝幅Ｇｗ との和に相当する距
離」離れた第２の線まで平行移動する第３工程、前記フ
ォトレジストに対し、第２のランドに相当する部分を形
成するために、前記露光光を第２の線に沿って照射する
ことにより露光する第４工程、前記フォトレジストを現
像することにより、レジストパターンを得る第５工程、
前記レジストに覆われてない部分について、前記基板を
食刻する第５の２工程、前記レジストを除去することに
より原盤IIを得る第５の３工程、前記原盤IIから電鋳法
によりスタンパーを製造する第６工程、及び前記前記ス
タンパーを用いてガラス又は樹脂を成形する第７工程か
らなることを特徴とする溝付き成形基板を製造する方法
（請求項１２）」を提供する。
【００２７】また、本発明は、「請求項12記載の第６工
程で製造された成形基板用のスタンパー（請求項13）」
を提供する。また、本発明は、「請求項12記載の第５の
３工程で得られた、成形基板用の原盤II（請求項14）」
を提供する。また、本発明は、「前記第４工程を終えた
後、前記第５工程の前に、前記第４工程の第２の線を第
３工程の第１の線とみなして、前記第３工程と第４工程
との組合せを複数回繰り返すことを特徴とする、請求項
１、請求項５、請求項９又は請求項12記載の方法（請求
項15）」を提供する。
程で製造された成形基板用のスタンパー（請求項13）」
を提供する。また、本発明は、「請求項12記載の第５の
３工程で得られた、成形基板用の原盤II（請求項14）」
を提供する。また、本発明は、「前記第４工程を終えた
後、前記第５工程の前に、前記第４工程の第２の線を第
３工程の第１の線とみなして、前記第３工程と第４工程
との組合せを複数回繰り返すことを特徴とする、請求項
１、請求項５、請求項９又は請求項12記載の方法（請求
項15）」を提供する。
【００２８】また、本発明は、「前記溝幅Ｇｗが０．０
６μｍ以下であることを特徴とする請求項１、請求項
２、請求項５、請求項６、請求項９、請求項１２又は請
求項１５いずれか記載の方法（請求項１６）」を提供す
る。また、本発明は、「請求項３、請求項１０又は請求
項１３いずれか記載のスタンパーを用いて射出成形され
た溝付き成形基板で、その溝の幅Ｇｗが０．１μｍ以下
（下限は０．０１μｍ程度）の溝付き成形基板の溝付き
成形基板（請求項１７）」を提供する。
６μｍ以下であることを特徴とする請求項１、請求項
２、請求項５、請求項６、請求項９、請求項１２又は請
求項１５いずれか記載の方法（請求項１６）」を提供す
る。また、本発明は、「請求項３、請求項１０又は請求
項１３いずれか記載のスタンパーを用いて射出成形され
た溝付き成形基板で、その溝の幅Ｇｗが０．１μｍ以下
（下限は０．０１μｍ程度）の溝付き成形基板の溝付き
成形基板（請求項１７）」を提供する。
【００２９】また、本発明は、「前記溝の幅Ｇｗが０．
０６μｍ以下（下限は０．０１μｍ程度）の請求項１７
記載の成形基板（請求項１８）」を提供する。また、本
発明は、「前記溝の傾斜角度が８５度以上と急峻である
ことを特徴とする請求項１７又は請求項１８いずれか記
載の成形基板（請求項１９）」を提供する。また、本発
明は、「前記溝の「溝深さｄ／溝幅Ｇｗ」が０．１以上
であることを特徴とする請求項１７、請求項１８又は請
求項１９いずれか記載の成形基板（請求項２０）」を提
供する。
０６μｍ以下（下限は０．０１μｍ程度）の請求項１７
記載の成形基板（請求項１８）」を提供する。また、本
発明は、「前記溝の傾斜角度が８５度以上と急峻である
ことを特徴とする請求項１７又は請求項１８いずれか記
載の成形基板（請求項１９）」を提供する。また、本発
明は、「前記溝の「溝深さｄ／溝幅Ｇｗ」が０．１以上
であることを特徴とする請求項１７、請求項１８又は請
求項１９いずれか記載の成形基板（請求項２０）」を提
供する。
【００３０】また、本発明は、「前記溝がピット又は非
連続であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求
項５、請求項６、請求項９、請求項１２、請求項１５又
は請求項１６いずれか記載の方法（請求項２１）」を提
供する。また、本発明は、「前記溝がピット又は非連続
であることを特徴とする請求項１７から請求項２０いず
れか記載の成形基板（請求項２２）」を提供する。ま
た、本発明は、「溝付き成形基板とその上に形成された
磁性層とからなるハードディスクにおいて、前記基板が
請求項１７から請求項２０いずれか記載の基板であるこ
とを特徴とするハードディスク（請求項２３）」を提供
する。
連続であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求
項５、請求項６、請求項９、請求項１２、請求項１５又
は請求項１６いずれか記載の方法（請求項２１）」を提
供する。また、本発明は、「前記溝がピット又は非連続
であることを特徴とする請求項１７から請求項２０いず
れか記載の成形基板（請求項２２）」を提供する。ま
た、本発明は、「溝付き成形基板とその上に形成された
磁性層とからなるハードディスクにおいて、前記基板が
請求項１７から請求項２０いずれか記載の基板であるこ
とを特徴とするハードディスク（請求項２３）」を提供
する。
【００３１】また、本発明は、「データ入出力端子、こ
の端子から入出力するデータを処理するデータ処理回
路、この回路で処理されたデータを記録信号に変換しヘ
ッドへ送り、また前記ヘッドで再生したデータを再生信
号へ変換するデータ記録／再生回路、前記ヘッドを通じ
てデータが記録されるハードディスク、このハードディ
スクを回転させる駆動モータ、このモータをコントロー
ルするサーボシステムコントロール回路、コントロール
データ入出力端子、この端子から入出力するコントロー
ルデータを処理するコントロールデータ処理回路、前記
データ処理回路、前記コントロールデータ処理回路及び
前記サーボシステムコントロールを総合的にコントロー
ルし、各種データを演算処理する中央演算処理回路（Ｃ
ＰＵ）を備えたハードディスク装置において、前記ハー
ドディスクが請求項２３記載のハードディスクであるこ
とを特徴とする装置（請求項２４）」を提供する。
の端子から入出力するデータを処理するデータ処理回
路、この回路で処理されたデータを記録信号に変換しヘ
ッドへ送り、また前記ヘッドで再生したデータを再生信
号へ変換するデータ記録／再生回路、前記ヘッドを通じ
てデータが記録されるハードディスク、このハードディ
スクを回転させる駆動モータ、このモータをコントロー
ルするサーボシステムコントロール回路、コントロール
データ入出力端子、この端子から入出力するコントロー
ルデータを処理するコントロールデータ処理回路、前記
データ処理回路、前記コントロールデータ処理回路及び
前記サーボシステムコントロールを総合的にコントロー
ルし、各種データを演算処理する中央演算処理回路（Ｃ
ＰＵ）を備えたハードディスク装置において、前記ハー
ドディスクが請求項２３記載のハードディスクであるこ
とを特徴とする装置（請求項２４）」を提供する。
【００３２】また、本発明は、「中央演算処理回路ＣＰ
Ｕ、このＣＰＵのアドレス空間に接続されるメインメモ
リー、ハードディスク装置、データの入力部及び表示装
置を備えたコンピュータにおいて、前記ハードディスク
装置が請求項２４記載のハードディスク装置であること
を特徴とするコンピュータ（請求項２５）」を提供す
る。
Ｕ、このＣＰＵのアドレス空間に接続されるメインメモ
リー、ハードディスク装置、データの入力部及び表示装
置を備えたコンピュータにおいて、前記ハードディスク
装置が請求項２４記載のハードディスク装置であること
を特徴とするコンピュータ（請求項２５）」を提供す
る。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図を
引用して説明するが、これは本発明を限定するものでは
ない。実施の形態は、大きく分けて、フォトレジストが
ポジ型（好ましい）のものとネガ型のものに分けられ、
原盤が原盤Ｉと原盤IIに分けられる。原盤Ｉと原盤IIを
総称して「原盤」と呼ぶこともある。また、溝を代表に
して説明するが、溝はピット又は非連続の溝でも良い。
引用して説明するが、これは本発明を限定するものでは
ない。実施の形態は、大きく分けて、フォトレジストが
ポジ型（好ましい）のものとネガ型のものに分けられ、
原盤が原盤Ｉと原盤IIに分けられる。原盤Ｉと原盤IIを
総称して「原盤」と呼ぶこともある。また、溝を代表に
して説明するが、溝はピット又は非連続の溝でも良い。
【００３４】原盤や成形基板の溝幅Ｇw は、密度記録の
向上に伴い、２μｍ以下から、例えば、１μｍ以下、
０．８μｍ以下、０．７μｍ以下、０．６μｍ以下、
０．５μｍ以下、０．４μｍ以下、０．３μｍ以下と狭
くなってきている。本発明によれば、２μｍ以下〜０．
０２μｍ以上（場合により０．０１μｍ以上）の溝幅Ｇ
wも、可能である。本発明の特徴がでる溝幅Ｇw は、
０．２３未満〜０．０１μｍ以上、特に０．１μｍ以下
〜０．０２μｍ以上、更に特に０．０８μｍ以下〜０．
０３μｍ以上である。
向上に伴い、２μｍ以下から、例えば、１μｍ以下、
０．８μｍ以下、０．７μｍ以下、０．６μｍ以下、
０．５μｍ以下、０．４μｍ以下、０．３μｍ以下と狭
くなってきている。本発明によれば、２μｍ以下〜０．
０２μｍ以上（場合により０．０１μｍ以上）の溝幅Ｇ
wも、可能である。本発明の特徴がでる溝幅Ｇw は、
０．２３未満〜０．０１μｍ以上、特に０．１μｍ以下
〜０．０２μｍ以上、更に特に０．０８μｍ以下〜０．
０３μｍ以上である。
【００３５】原盤や成形基板の溝深さも、密度記録の向
上に伴い、１０ｎｍ以下の浅い値から、例えば、４０ｎ
ｍ以上、５０ｎｍ以上、８０ｎｍ以上、１００ｎｍ以
上、１２０ｎｍ以上、１３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以
上、１８０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、２２０ｎｍ以
上、２５０ｎｍ以上、更には５００ｎｍ以上と深くなっ
て来ている。本発明によれば１０ｎｍ〜１μｍの溝深さ
も可能である。 （１）ポジ型の場合（図１〜図４） 〔原盤Ｉ〕まず、基板substrate （３）を用意する。一
般的に基板は円板状であるが、円板状に限定されるもの
ではなく角形でもよい。基板材料としては主にソ−ダラ
イムガラス（青板ガラス) 、アルミノシリケ−トガラス
( 白板ガラス) 、無アルカリガラス、低膨張化ガラス、
結晶化ガラス等のガラス材料やセラミックス材料等が用
いられる、セラミックス材料としては、溶融石英、合成
石英等の石英、Ｓｉでも良い。場合によっては、基板材
料はＡｌ、Ｆｅ、Ｃｕ等の金属でも良い。
上に伴い、１０ｎｍ以下の浅い値から、例えば、４０ｎ
ｍ以上、５０ｎｍ以上、８０ｎｍ以上、１００ｎｍ以
上、１２０ｎｍ以上、１３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以
上、１８０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、２２０ｎｍ以
上、２５０ｎｍ以上、更には５００ｎｍ以上と深くなっ
て来ている。本発明によれば１０ｎｍ〜１μｍの溝深さ
も可能である。 （１）ポジ型の場合（図１〜図４） 〔原盤Ｉ〕まず、基板substrate （３）を用意する。一
般的に基板は円板状であるが、円板状に限定されるもの
ではなく角形でもよい。基板材料としては主にソ−ダラ
イムガラス（青板ガラス) 、アルミノシリケ−トガラス
( 白板ガラス) 、無アルカリガラス、低膨張化ガラス、
結晶化ガラス等のガラス材料やセラミックス材料等が用
いられる、セラミックス材料としては、溶融石英、合成
石英等の石英、Ｓｉでも良い。場合によっては、基板材
料はＡｌ、Ｆｅ、Ｃｕ等の金属でも良い。
【００３６】基板の表面は、高精度な表面精度（平滑
面) を得るため精密に研磨される。基板表面に表面層を
形成しても良い。表面層の材料としては、(a) Ｓi Ｏ2
のようなＳi 酸化物、(b) Ｓi 3 Ｎ4 のようなのＳi 窒
化物、(c) Ｔi Ｓi のようなＳi 金属化合物、または
(d) Ｔi ，Ａl ，Ｃu ，Ｃr ，Ｔa ，Ａu ，Ａg ，Ｐt
等の金属、あるいは(e) Ｔi Ｏ2 ，Ｔi Ｎ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｔa Ｏ2 ，Ｔa 2 Ｏ5 ，Ｔa 3 Ｎ4 等
の金属酸化物や金属窒化物が挙げられる。表面層は、基
板表面を酸化又は窒化することで形成してもよい。多く
の場合、表面層は、薄膜の積層技術（例えば、真空蒸
着、スパッタリング）により形成される。その場合に、
表面層は、前記材料を２種以上組み合わせて積層した多
層構造からできていてもよい。また、表面層は、平滑性
を向上させるためにＣＭＰ（chemical mechanical poli
shing)やその他の手法で精密研磨しても良い。
面) を得るため精密に研磨される。基板表面に表面層を
形成しても良い。表面層の材料としては、(a) Ｓi Ｏ2
のようなＳi 酸化物、(b) Ｓi 3 Ｎ4 のようなのＳi 窒
化物、(c) Ｔi Ｓi のようなＳi 金属化合物、または
(d) Ｔi ，Ａl ，Ｃu ，Ｃr ，Ｔa ，Ａu ，Ａg ，Ｐt
等の金属、あるいは(e) Ｔi Ｏ2 ，Ｔi Ｎ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｔa Ｏ2 ，Ｔa 2 Ｏ5 ，Ｔa 3 Ｎ4 等
の金属酸化物や金属窒化物が挙げられる。表面層は、基
板表面を酸化又は窒化することで形成してもよい。多く
の場合、表面層は、薄膜の積層技術（例えば、真空蒸
着、スパッタリング）により形成される。その場合に、
表面層は、前記材料を２種以上組み合わせて積層した多
層構造からできていてもよい。また、表面層は、平滑性
を向上させるためにＣＭＰ（chemical mechanical poli
shing)やその他の手法で精密研磨しても良い。
【００３７】次に基板表面にフォトレジストを塗布す
る。一般には、フォトレジストの塗布の前に、基板にシ
ランカップリング剤のようなのプライマーprimerを塗布
する。プライマーは、基板とフォトレジストとの密着性
を向上させる。しかし、表面層にＣr 、Ｔi Ｎ等が存在
する場合、プライマーは必要ないこともある。そして、
フォトレジストをスピンコートのような方法で塗布す
る。原盤Ｉの場合、一般にフォトレジストの厚さがピッ
トや溝の深さを決定する。原盤IIの場合には、エッチン
グの時間が深さを決定する。
る。一般には、フォトレジストの塗布の前に、基板にシ
ランカップリング剤のようなのプライマーprimerを塗布
する。プライマーは、基板とフォトレジストとの密着性
を向上させる。しかし、表面層にＣr 、Ｔi Ｎ等が存在
する場合、プライマーは必要ないこともある。そして、
フォトレジストをスピンコートのような方法で塗布す
る。原盤Ｉの場合、一般にフォトレジストの厚さがピッ
トや溝の深さを決定する。原盤IIの場合には、エッチン
グの時間が深さを決定する。
【００３８】フォトレジスト塗布後に、レジスト感度の
調整のために低い温度でプリベ−クを行う。その後、レ
−ザビ−ムレコ−ダを使ってピットや溝その他のパタ−
ンに沿ってレ−ザビ−ムをレジストに照射する。これに
よりレジストを露光する。この点を、溝が同心円状に複
数ある場合について、もう少し詳しく説明する。まず、
露光光を第１の線（Ｏ1 ）に沿って照射する（図１の
（1a) 参照のこと）。これが第２工程である。照射され
た領域（露光された領域）が、後々、成形基板の第１の
ランド（先行技術では溝）に相当する部分を与える。
調整のために低い温度でプリベ−クを行う。その後、レ
−ザビ−ムレコ−ダを使ってピットや溝その他のパタ−
ンに沿ってレ−ザビ−ムをレジストに照射する。これに
よりレジストを露光する。この点を、溝が同心円状に複
数ある場合について、もう少し詳しく説明する。まず、
露光光を第１の線（Ｏ1 ）に沿って照射する（図１の
（1a) 参照のこと）。これが第２工程である。照射され
た領域（露光された領域）が、後々、成形基板の第１の
ランド（先行技術では溝）に相当する部分を与える。
【００３９】次に露光光を第１の線に対して、第１の線
（Ｏ1 ）から「溝幅Ｇw とランド幅Ｌw に相当する距
離」離れた第２の線（Ｏ2 ）まで平行移動する（図１の
（1b)参照）。これが第３工程である。その後、露光光
を第２の線（Ｏ2 ）に沿ってフォトレジストに照射する
（第４工程）。渦巻き状の場合には、平行移動と照射が
同時に行われる。本明細書ではこの場合も平行移動と称
する。従って、平行移動する第３工程と照射する第４工
程とは完全に分離されない。このような分離されない形
態も本発明の範疇であると理解されたい。ともかく、こ
れにより、第２のランドに相当する部分について露光が
完了する。
（Ｏ1 ）から「溝幅Ｇw とランド幅Ｌw に相当する距
離」離れた第２の線（Ｏ2 ）まで平行移動する（図１の
（1b)参照）。これが第３工程である。その後、露光光
を第２の線（Ｏ2 ）に沿ってフォトレジストに照射する
（第４工程）。渦巻き状の場合には、平行移動と照射が
同時に行われる。本明細書ではこの場合も平行移動と称
する。従って、平行移動する第３工程と照射する第４工
程とは完全に分離されない。このような分離されない形
態も本発明の範疇であると理解されたい。ともかく、こ
れにより、第２のランドに相当する部分について露光が
完了する。
【００４０】一般には、照射する第４工程を終えた後、
次の第５工程の前に、第４工程の第２の線を第３工程の
第１の線とみなして、第３工程と第４工程との組合せを
複数回繰り返す。露光が完了した状態を図１の（1c）に
示す。露光された領域は(2e)で示される。第５工程で
は、露光し終えたレジストを現像液に浸して現像する。
現像液は、例えばリン酸ナトリウム、リン酸カリウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ溶
液である。無機に代えて有機アルカリ溶液も使用するこ
とができる。フォトレジストがポジ型なので、露光した
部分（2e）が現像液に溶けることになる。その後、超純
水でレジストを洗浄する。溶けた部分では、下地の基板
が露出している。こうして、表面にパターニングされた
フォトレジスト（２）を有する基板（３）が得られる。
この様子は図２の（1d）に示される。パターニングされ
たフォトレジスト（２）を基板を含めて又は含めずにレ
ジストパタ−ンと呼ぶことがある。このレジストパタ−
ンが原盤Ｉ（４）である。
次の第５工程の前に、第４工程の第２の線を第３工程の
第１の線とみなして、第３工程と第４工程との組合せを
複数回繰り返す。露光が完了した状態を図１の（1c）に
示す。露光された領域は(2e)で示される。第５工程で
は、露光し終えたレジストを現像液に浸して現像する。
現像液は、例えばリン酸ナトリウム、リン酸カリウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ溶
液である。無機に代えて有機アルカリ溶液も使用するこ
とができる。フォトレジストがポジ型なので、露光した
部分（2e）が現像液に溶けることになる。その後、超純
水でレジストを洗浄する。溶けた部分では、下地の基板
が露出している。こうして、表面にパターニングされた
フォトレジスト（２）を有する基板（３）が得られる。
この様子は図２の（1d）に示される。パターニングされ
たフォトレジスト（２）を基板を含めて又は含めずにレ
ジストパタ−ンと呼ぶことがある。このレジストパタ−
ンが原盤Ｉ（４）である。
【００４１】原盤Ｉは、現像の後、やや高い温度でポス
トベ−クpost-bake してもよい。ポストベ−クにより、
「形成される溝やピットの側壁角度」が急峻になる場合
もある。また、レジストのエッチング抵抗性を向上させ
ることができる。更に、ポストベ−クはレジストと基板
との密着性を向上させることもできる。ポストベ−ク
は、レジスト表面の硬度を上げる場合もある。硬度が上
がれば、この後に導電膜を形成するときや、その上に更
に電鋳法でメッキ層を形成するときに、レジストはそれ
らに耐えることができる。
トベ−クpost-bake してもよい。ポストベ−クにより、
「形成される溝やピットの側壁角度」が急峻になる場合
もある。また、レジストのエッチング抵抗性を向上させ
ることができる。更に、ポストベ−クはレジストと基板
との密着性を向上させることもできる。ポストベ−ク
は、レジスト表面の硬度を上げる場合もある。硬度が上
がれば、この後に導電膜を形成するときや、その上に更
に電鋳法でメッキ層を形成するときに、レジストはそれ
らに耐えることができる。
【００４２】〔原盤II〕上記原盤Ｉを用意する。このレ
ジストの一部では基板が露出しているので、この露出部
分をエッチングして基板に凹部を設ける（第５の２工
程）。この凹部パターンはレジストのパタ−ンと同一で
ある。エッチングの時間によって凹部の深さが決定され
る。
ジストの一部では基板が露出しているので、この露出部
分をエッチングして基板に凹部を設ける（第５の２工
程）。この凹部パターンはレジストのパタ−ンと同一で
ある。エッチングの時間によって凹部の深さが決定され
る。
【００４３】エッチング方法は湿式（wet process)でも
よいが、乾式（dry process)が好ましい。乾式エッチン
グの中で、とりわけ反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
が有効である。他に、マグネトロンＲＩＥ、ＥＣＲ（電
子サイクロトロン・レゾナンス）、ＩＣＰ（誘導結合型
プラズマ）、ヘリコン波等を用いたエッチングも使用可
能である。ＲＩＥは、通常の低プラズマ密度（１０10個
／ｃｍ3 程度以下）のプロセスでも良い。しかし、エッ
チング部分の肌荒れや側壁の肌荒れを低減するには、高
プラズマ密度（１０11個／ｃｍ3 程度以上）のプロセス
が好ましい。後者には、ＩＣＰ、ヘリコン波を用いるＲ
ＩＥが含まれる。後者はパターンが更に微細になった場
合に効果的である。
よいが、乾式（dry process)が好ましい。乾式エッチン
グの中で、とりわけ反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
が有効である。他に、マグネトロンＲＩＥ、ＥＣＲ（電
子サイクロトロン・レゾナンス）、ＩＣＰ（誘導結合型
プラズマ）、ヘリコン波等を用いたエッチングも使用可
能である。ＲＩＥは、通常の低プラズマ密度（１０10個
／ｃｍ3 程度以下）のプロセスでも良い。しかし、エッ
チング部分の肌荒れや側壁の肌荒れを低減するには、高
プラズマ密度（１０11個／ｃｍ3 程度以上）のプロセス
が好ましい。後者には、ＩＣＰ、ヘリコン波を用いるＲ
ＩＥが含まれる。後者はパターンが更に微細になった場
合に効果的である。
【００４４】乾式エッチング（dry etching)を使えば、
ピットの前端及び後端の側壁角度を急峻にすることがで
きる。そのため、光ディスクの再生信号ジッタ(jitter)
が低減される。セラミックス型（原盤II）の方が、レジ
ストパターン（原盤Ｉ）に比べ、ピットや溝の側壁が荒
れていない。乾式エッチングであれば、エッチングの後
も、凹部の底面や側壁の表面粗さは極めて小さい。乾式
エッチングは、急峻な側壁角度を有する凹部を形成する
こともできる。乾式に限らず、エッチングは、より深い
凹部を形成することができる。凹部が深いことや、凹部
の側壁角度が急峻なことは、様々な利点を光ディスクに
もたらす。利点には、ノイズ低減や隣接トラック間の光
学的クロストークcross-talk、熱的クロスト−クtherma
l cross-talk（＝クロスクレーズ cross-erase) の低減
がある。
ピットの前端及び後端の側壁角度を急峻にすることがで
きる。そのため、光ディスクの再生信号ジッタ(jitter)
が低減される。セラミックス型（原盤II）の方が、レジ
ストパターン（原盤Ｉ）に比べ、ピットや溝の側壁が荒
れていない。乾式エッチングであれば、エッチングの後
も、凹部の底面や側壁の表面粗さは極めて小さい。乾式
エッチングは、急峻な側壁角度を有する凹部を形成する
こともできる。乾式に限らず、エッチングは、より深い
凹部を形成することができる。凹部が深いことや、凹部
の側壁角度が急峻なことは、様々な利点を光ディスクに
もたらす。利点には、ノイズ低減や隣接トラック間の光
学的クロストークcross-talk、熱的クロスト−クtherma
l cross-talk（＝クロスクレーズ cross-erase) の低減
がある。
【００４５】表面層を有する基板を使用した場合、表面
層だけをエッチングしてもよい。この場合には、仮に表
面層とその下地である基板との材質が異なれば、エッチ
ング速度も異なるので、エッチングの終点を揃えること
ができると言う利点がもたらされる。この場合には、表
面層の厚さが溝やその他の深さを決定する。エッチング
の後、残留したレジストを除去する（第５の３工程）。
除去は酸素プラズマによる乾式エッチング（アッシン
グ) で可能である。あるいは、残留したレジストを「濃
い酸性溶液（例えば、濃硫酸や濃硝酸）を加熱したも
の」の中に浸すことで、除去が可能である。その溶液中
に過酸化水素水を添加することは効果的である。こうし
て、レジストを除去した後、超純水等で基板表面を洗浄
する。
層だけをエッチングしてもよい。この場合には、仮に表
面層とその下地である基板との材質が異なれば、エッチ
ング速度も異なるので、エッチングの終点を揃えること
ができると言う利点がもたらされる。この場合には、表
面層の厚さが溝やその他の深さを決定する。エッチング
の後、残留したレジストを除去する（第５の３工程）。
除去は酸素プラズマによる乾式エッチング（アッシン
グ) で可能である。あるいは、残留したレジストを「濃
い酸性溶液（例えば、濃硫酸や濃硝酸）を加熱したも
の」の中に浸すことで、除去が可能である。その溶液中
に過酸化水素水を添加することは効果的である。こうし
て、レジストを除去した後、超純水等で基板表面を洗浄
する。
【００４６】これにより、図８の（8a）に示す溝に相当
する凸部を有するセラミックス基板が得られる。この基
板が本発明の原盤II（４Ｂ）である。セラミックスは、
表面（肌）が大変に滑らかであるからである。つまり、
セラミックスの表面粗さＲａは極めて小さい（Ｒａ≦１
０ｎｍ、場合によりＲａ≦１０ｍ）。このことは、光デ
ィスクを製造した場合、光ディスクのノイズを低くす
る。本明細書では原盤IIをセラミックス型（鋳型）と呼
ぶことがある。
する凸部を有するセラミックス基板が得られる。この基
板が本発明の原盤II（４Ｂ）である。セラミックスは、
表面（肌）が大変に滑らかであるからである。つまり、
セラミックスの表面粗さＲａは極めて小さい（Ｒａ≦１
０ｎｍ、場合によりＲａ≦１０ｍ）。このことは、光デ
ィスクを製造した場合、光ディスクのノイズを低くす
る。本明細書では原盤IIをセラミックス型（鋳型）と呼
ぶことがある。
【００４７】〔レプリカ〕レプリカは原盤から型取りし
たもので、凹凸は原盤とは反転している。レプリカは金
属製でも樹脂製でもよい。金属製のレプリカは、原盤に
電鋳することで製造される。後に説明するスタンパーの
製造と同じ方法である。しかし、樹脂製のレプリカが好
ましい。特に原盤IIの場合には、樹脂製のレプリカが好
ましい。樹脂製レプリカの方が原盤Ｉを繰り返し使用で
きるからである。そこで、樹脂製レプリカの例を説明す
る。
たもので、凹凸は原盤とは反転している。レプリカは金
属製でも樹脂製でもよい。金属製のレプリカは、原盤に
電鋳することで製造される。後に説明するスタンパーの
製造と同じ方法である。しかし、樹脂製のレプリカが好
ましい。特に原盤IIの場合には、樹脂製のレプリカが好
ましい。樹脂製レプリカの方が原盤Ｉを繰り返し使用で
きるからである。そこで、樹脂製レプリカの例を説明す
る。
【００４８】まず、原盤（原盤Ｉ又は原盤II）を用意す
る。そして、原盤の凹凸面（信号面）に柔らかい樹脂
（７）を押しつけ、その後、樹脂（７）を固化harden又
は硬化cureさせる。この様子は図２の（1e）に示され
る。固化又は硬化した樹脂（７）は、原盤の凹凸を転写
しており、原盤から剥がす。剥がされた樹脂（７）がレ
プリカ（複製型）である。
る。そして、原盤の凹凸面（信号面）に柔らかい樹脂
（７）を押しつけ、その後、樹脂（７）を固化harden又
は硬化cureさせる。この様子は図２の（1e）に示され
る。固化又は硬化した樹脂（７）は、原盤の凹凸を転写
しており、原盤から剥がす。剥がされた樹脂（７）がレ
プリカ（複製型）である。
【００４９】原盤に押しつける時の樹脂は、転写性の高
い樹脂が好ましい。粘度が低いものや流動性が高いもの
は転写性が一般に高い。粘度を低くするには、（ａ）加
熱して軟化させる方法がある。この場合は樹脂を冷やせ
ば、固化する。 あるいは、（ｂ）樹脂に溶剤を混ぜて
もよ。この場合は、溶剤を揮発させれば、樹脂は固化す
る。また、（ｃ）低分子量の樹脂又はプレポリマーprep
olymer又は樹脂原料は低粘度である。極端には、液状で
ある。原盤Ｉの場合には、レジストパターンなので、特
に液状のものが好ましい。これらに溶剤を混ぜてもよ
い。溶剤を混ぜれば、更に低粘度になる。この場合に
は、原盤の上でそれらの高分子化（例えば、硬化cure）
を進めれば、固体の樹脂（高分子量の樹脂）が生成す
る。生成した樹脂は原盤の凹凸を転写している。
い樹脂が好ましい。粘度が低いものや流動性が高いもの
は転写性が一般に高い。粘度を低くするには、（ａ）加
熱して軟化させる方法がある。この場合は樹脂を冷やせ
ば、固化する。 あるいは、（ｂ）樹脂に溶剤を混ぜて
もよ。この場合は、溶剤を揮発させれば、樹脂は固化す
る。また、（ｃ）低分子量の樹脂又はプレポリマーprep
olymer又は樹脂原料は低粘度である。極端には、液状で
ある。原盤Ｉの場合には、レジストパターンなので、特
に液状のものが好ましい。これらに溶剤を混ぜてもよ
い。溶剤を混ぜれば、更に低粘度になる。この場合に
は、原盤の上でそれらの高分子化（例えば、硬化cure）
を進めれば、固体の樹脂（高分子量の樹脂）が生成す
る。生成した樹脂は原盤の凹凸を転写している。
【００５０】特に（ｃ）の方法が好ましい。（ｃ）の方
法で高分子化を進める手段は、(c1)加熱又は(c2)放射線
照射である。あるいは、(c3)２つの樹脂液を混合し、放
置するだけで互いに反応し高分子化する手段もある。
放射線としては、イオンビーム、電子線、紫外線、遠紫
外線、レーザー光線、Ｘ線、シンクロトロン放射線等が
挙げられる。なかでも、紫外線が取扱い易いだろう。
法で高分子化を進める手段は、(c1)加熱又は(c2)放射線
照射である。あるいは、(c3)２つの樹脂液を混合し、放
置するだけで互いに反応し高分子化する手段もある。
放射線としては、イオンビーム、電子線、紫外線、遠紫
外線、レーザー光線、Ｘ線、シンクロトロン放射線等が
挙げられる。なかでも、紫外線が取扱い易いだろう。
【００５１】好ましい方法を説明する。原盤を凹凸面を
上に向けて置く。上から低粘度の放射線硬化可能な樹脂
液を垂らす。泡が入らないように樹脂液の上に透明板８
（一般にガラス板）を置く。透明板（８）を通じて放射
線を照射して樹脂を硬化させる。硬化した樹脂（７）を
透明板（８）と共に原盤（４）から剥離する。こうして
透明板（８）を備えた硬化樹脂（７）からなるレプリカ
（図２の（1f）参照）が得られる。
上に向けて置く。上から低粘度の放射線硬化可能な樹脂
液を垂らす。泡が入らないように樹脂液の上に透明板８
（一般にガラス板）を置く。透明板（８）を通じて放射
線を照射して樹脂を硬化させる。硬化した樹脂（７）を
透明板（８）と共に原盤（４）から剥離する。こうして
透明板（８）を備えた硬化樹脂（７）からなるレプリカ
（図２の（1f）参照）が得られる。
【００５２】透明板（８）としてのガラス板の厚さは、
０．６ｍｍ以上、好ましくは約４ｍｍ〜約１０ｍｍであ
る。ガラス板の表面粗さは、原盤の基板（３）に比べて
低くて良い。表面粗さＲａは５ｎｍ〜１μｍでよい。ガ
ラス板に代えて、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポ
リオレフィン、アクリル樹脂等の樹脂も使用可能であ
る。
０．６ｍｍ以上、好ましくは約４ｍｍ〜約１０ｍｍであ
る。ガラス板の表面粗さは、原盤の基板（３）に比べて
低くて良い。表面粗さＲａは５ｎｍ〜１μｍでよい。ガ
ラス板に代えて、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポ
リオレフィン、アクリル樹脂等の樹脂も使用可能であ
る。
【００５３】ガラス板（８）を使用する場合、予め洗浄
を行った後、樹脂との接着性を向上させるプライマーを
塗布してもよい。塗布した後、加熱(bake)することが好
ましい。このプライマーの例はシランカップリング剤で
ある。シランカップリング剤としては、例えばビニルシ
ラン、アクリルシラン、エポキシシラン、アミノシラン
等がある。ビニルシランとしてはビニルトリクロルシラ
ン、ビニルトリス( β−メトキシエトキシ) シラン、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等
があり、アクリルシランとしては、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン等があり、エポキシシラン
としてはβ−(３，４エポキシシクロヘキシル) エチル
トリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメチルジ
エトキシシラン等があり、アミノシランとしてはＮ−β
( アミノエチル) γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β( アミノエチル) γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン等がある。その他、γ−メルカプトプロピルトリ
メトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン等も使用される。
を行った後、樹脂との接着性を向上させるプライマーを
塗布してもよい。塗布した後、加熱(bake)することが好
ましい。このプライマーの例はシランカップリング剤で
ある。シランカップリング剤としては、例えばビニルシ
ラン、アクリルシラン、エポキシシラン、アミノシラン
等がある。ビニルシランとしてはビニルトリクロルシラ
ン、ビニルトリス( β−メトキシエトキシ) シラン、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等
があり、アクリルシランとしては、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン等があり、エポキシシラン
としてはβ−(３，４エポキシシクロヘキシル) エチル
トリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメチルジ
エトキシシラン等があり、アミノシランとしてはＮ−β
( アミノエチル) γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β( アミノエチル) γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン等がある。その他、γ−メルカプトプロピルトリ
メトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン等も使用される。
【００５４】その他のプライマーの例は、シラン（例え
ば、クロロシラン、アルコキシシラン）やシラザンや特
殊シリル化剤である。これらのプライマーは２種以上混
合して使用しても良い。プライマーは、トルエン、キシ
レン、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール等の溶媒で希釈して使用しても良い。レ
プリカの樹脂Ｕとしては、例えば、以下のようなものが
使用可能である。大別すると（Ａ）熱可塑性樹脂と
（Ｂ）熱硬化性樹脂がある。
ば、クロロシラン、アルコキシシラン）やシラザンや特
殊シリル化剤である。これらのプライマーは２種以上混
合して使用しても良い。プライマーは、トルエン、キシ
レン、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール等の溶媒で希釈して使用しても良い。レ
プリカの樹脂Ｕとしては、例えば、以下のようなものが
使用可能である。大別すると（Ａ）熱可塑性樹脂と
（Ｂ）熱硬化性樹脂がある。
【００５５】（Ａ）熱可塑性樹脂：ポリカーボネート、
ポリスチレン、スチレン系ポリマーアロイ、ポリオレフ
ィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、アモルファスポ
リオレフィン、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタ
クリレ−ト系) 、ポリ塩化ビニール、熱可塑性ポリウレ
タン、ポリエステル、ナイロンなど。
ポリスチレン、スチレン系ポリマーアロイ、ポリオレフ
ィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、アモルファスポ
リオレフィン、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタ
クリレ−ト系) 、ポリ塩化ビニール、熱可塑性ポリウレ
タン、ポリエステル、ナイロンなど。
【００５６】（Ｂ）熱硬化性樹脂：熱硬化性ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、不飽和アクリル樹脂、アクリルウレ
タン樹脂、不飽和ポリエステル、ジエチレングリコール
ビスアリルカーボネート樹脂など。主成分として、ウレ
タン化ポリ（メタ) アクリレートやポリカーボネートジ
（メタ) アクリレート、アセタールグリコールジアクリ
レートを含む樹脂液を硬化させた樹脂も好ましい。
ン、エポキシ樹脂、不飽和アクリル樹脂、アクリルウレ
タン樹脂、不飽和ポリエステル、ジエチレングリコール
ビスアリルカーボネート樹脂など。主成分として、ウレ
タン化ポリ（メタ) アクリレートやポリカーボネートジ
（メタ) アクリレート、アセタールグリコールジアクリ
レートを含む樹脂液を硬化させた樹脂も好ましい。
【００５７】熱硬化性樹脂の場合は、原盤に接触させる
ときに低分子量の樹脂液が使用される。その樹脂液に
は、硬化触媒又は硬化剤を含めてもよい。紫外線で硬化
させる場合には、硬化触媒として、光増感剤が使用され
る。光増感剤の代表的なものとしては、アセトフェノン
系、ベンゾインアルキルエーテル系、プロピオフェノン
系、ケトン系、アントラキノン系、チオキサントン系が
挙げられる。複数種を混合して使用してもよい。特にケ
トン系の１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
等が転写性能、離型性能、品質安定性の面で有用であ
る。紫外線で硬化する樹脂は特に紫外線硬化型（curabl
e)樹脂と呼ばれる。これらの樹脂Ｕは樹脂製レプリカと
して好ましい。特に後工程でスタンパーを樹脂製レプリ
カから剥離する時、スタンパーに付着して残留すること
のない樹脂Ｕが好ましい。
ときに低分子量の樹脂液が使用される。その樹脂液に
は、硬化触媒又は硬化剤を含めてもよい。紫外線で硬化
させる場合には、硬化触媒として、光増感剤が使用され
る。光増感剤の代表的なものとしては、アセトフェノン
系、ベンゾインアルキルエーテル系、プロピオフェノン
系、ケトン系、アントラキノン系、チオキサントン系が
挙げられる。複数種を混合して使用してもよい。特にケ
トン系の１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
等が転写性能、離型性能、品質安定性の面で有用であ
る。紫外線で硬化する樹脂は特に紫外線硬化型（curabl
e)樹脂と呼ばれる。これらの樹脂Ｕは樹脂製レプリカと
して好ましい。特に後工程でスタンパーを樹脂製レプリ
カから剥離する時、スタンパーに付着して残留すること
のない樹脂Ｕが好ましい。
【００５８】後の電鋳工程やイオンプレーティング工程
における静電気対策のために、帯電防止剤を樹脂Ｕに混
合してもよい。あるいは、レプリカが完成した後に、薄
い帯電防止層（例えば、Ｐｔ層）を形成しても良い。こ
のような対策は、変形、焼け焦げ、剥離、ゴミ付着等の
問題を防止する。原盤から剥離された樹脂製レプリカ
は、表面粗さＲa が小さい。
における静電気対策のために、帯電防止剤を樹脂Ｕに混
合してもよい。あるいは、レプリカが完成した後に、薄
い帯電防止層（例えば、Ｐｔ層）を形成しても良い。こ
のような対策は、変形、焼け焦げ、剥離、ゴミ付着等の
問題を防止する。原盤から剥離された樹脂製レプリカ
は、表面粗さＲa が小さい。
【００５９】〔スタンパー〕スタンパー（５）はレプリ
カ（７）をメッキ（厚膜法又は薄膜法）することにより
製造される。メッキ層がスタンパーとなる。メッキには
乾式と湿式がある。湿式には、無電解メッキと電解メッ
キがある。乾式は真空薄膜形成技術と呼ばれる。真空薄
膜形成技術には真空蒸着、イオンプレ−ティング、スパ
ッタリング等がある。第１の方法は乾式と無電解メッキ
を含む。第２の方法は電解メッキである。メッキは第１
の方法又は第２の方法により行われる。
カ（７）をメッキ（厚膜法又は薄膜法）することにより
製造される。メッキ層がスタンパーとなる。メッキには
乾式と湿式がある。湿式には、無電解メッキと電解メッ
キがある。乾式は真空薄膜形成技術と呼ばれる。真空薄
膜形成技術には真空蒸着、イオンプレ−ティング、スパ
ッタリング等がある。第１の方法は乾式と無電解メッキ
を含む。第２の方法は電解メッキである。メッキは第１
の方法又は第２の方法により行われる。
【００６０】第２の方法（電解メッキ）は電鋳electro-
forming とも呼ばれる。電鋳は短時間で厚いメッキ層を
形成することができる。電鋳を行なう場合、原盤が導電
性を持たないので、最初に原盤表面に薄い（一般に約３
０〜１００ｎｍ）金属層を形成する。金属層は導電層と
呼ばれ、この形成を導電化処理と呼ぶ。導電化処理は第
１の方法によって行われる。金属はＮｉ（ニッケル）が
好ましく、それ以外にＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｃｒ等がある。その他導電率の高い金属やその金
属化合物が使用可能である。また、金属にリンを含有さ
せてもよい。金属として、Ｎｉを使用する場合、予めＮ
ｉに近いか又は等しい熱膨張係数を有する他の金属や金
属化合物をプライマー層として形成しておいてもよい。
そのプライマー層の上に導電層を形成するのである。プ
ライマー層は、電鋳時または終了後に「電鋳層が応力で
歪む現象」を軽減することができる。この現象は、場合
によりピットや溝等の凹部を破壊する。プライマー層
は、場合によって、スタンパーが完成した後、除去され
る。
forming とも呼ばれる。電鋳は短時間で厚いメッキ層を
形成することができる。電鋳を行なう場合、原盤が導電
性を持たないので、最初に原盤表面に薄い（一般に約３
０〜１００ｎｍ）金属層を形成する。金属層は導電層と
呼ばれ、この形成を導電化処理と呼ぶ。導電化処理は第
１の方法によって行われる。金属はＮｉ（ニッケル）が
好ましく、それ以外にＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｃｒ等がある。その他導電率の高い金属やその金
属化合物が使用可能である。また、金属にリンを含有さ
せてもよい。金属として、Ｎｉを使用する場合、予めＮ
ｉに近いか又は等しい熱膨張係数を有する他の金属や金
属化合物をプライマー層として形成しておいてもよい。
そのプライマー層の上に導電層を形成するのである。プ
ライマー層は、電鋳時または終了後に「電鋳層が応力で
歪む現象」を軽減することができる。この現象は、場合
によりピットや溝等の凹部を破壊する。プライマー層
は、場合によって、スタンパーが完成した後、除去され
る。
【００６１】その後、導電層が形成された原盤は、電鋳
を行うためメッキ浴に浸される。メッキ浴には、多くの
場合、スルファミン酸ニッケル溶液が使用される。電鋳
を行うと導電層の上にＮｉメッキ層が形成される。この
Ｎｉメッキ層がスタンパーである。Ｎｉに他の金属例え
ばＴｉや、元素例えばＰ（燐）を混ぜてもよい。Ｔｉを
混ぜれば、比較的強固で耐久性の良好な型が得られる。
Ｐを混ぜれば表面硬度が高い型を得ることができるかも
しれない。導電層、その上のメッキ層又はその両方をＮ
ｉ−ＰやＴｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｔｉ−Ｐ等の合金で構成すれ
ば、高硬度で高耐久性のファザーを得ることが可能であ
る。
を行うためメッキ浴に浸される。メッキ浴には、多くの
場合、スルファミン酸ニッケル溶液が使用される。電鋳
を行うと導電層の上にＮｉメッキ層が形成される。この
Ｎｉメッキ層がスタンパーである。Ｎｉに他の金属例え
ばＴｉや、元素例えばＰ（燐）を混ぜてもよい。Ｔｉを
混ぜれば、比較的強固で耐久性の良好な型が得られる。
Ｐを混ぜれば表面硬度が高い型を得ることができるかも
しれない。導電層、その上のメッキ層又はその両方をＮ
ｉ−ＰやＴｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｔｉ−Ｐ等の合金で構成すれ
ば、高硬度で高耐久性のファザーを得ることが可能であ
る。
【００６２】また、Ｎｉメッキ層の単層ではなく、Ｎｉ
メッキ層に加えて他のメッキ層（例えば、銀や銅、クロ
ムのような金属又はそれらの合金）を積層した多層構造
でも良い。場合によっては、電鋳も用いることなしに、
第１の方法（乾式又は無電解メッキ法）により、スタン
パーを製造することも可能である。乾式はメッキ液の廃
液処理の問題がない。乾式の中でもイオンプレ−ティン
グは特に低い表面粗さを有する型を与えることができ
る。
メッキ層に加えて他のメッキ層（例えば、銀や銅、クロ
ムのような金属又はそれらの合金）を積層した多層構造
でも良い。場合によっては、電鋳も用いることなしに、
第１の方法（乾式又は無電解メッキ法）により、スタン
パーを製造することも可能である。乾式はメッキ液の廃
液処理の問題がない。乾式の中でもイオンプレ−ティン
グは特に低い表面粗さを有する型を与えることができ
る。
【００６３】形成されるメッキ層の厚さが約１００μｍ
を越えると、スタンパーの凹凸は表面（スタンパーで言
うと裏面）に現れなくなる。即ち、外から見た場合、メ
ッキ層の表面は平になっている。メッキ層の厚さが約２
００〜約６００μｍ（一般には約２５０〜約３００μ
ｍ）になったら、メッキを止める。これでスタンパーが
完成する。
を越えると、スタンパーの凹凸は表面（スタンパーで言
うと裏面）に現れなくなる。即ち、外から見た場合、メ
ッキ層の表面は平になっている。メッキ層の厚さが約２
００〜約６００μｍ（一般には約２５０〜約３００μ
ｍ）になったら、メッキを止める。これでスタンパーが
完成する。
【００６４】スタンパー（５）は、完成した直後、図３
に示されるように、レプリカ（７）の上に付着している
ので、そこから剥がす。スタンパー（５）は薄い金属膜
の状態（一般に２５０〜３００μｍ程度）なので、剥が
すのに注意を要する。剥がされたスタンパー５（図４の
（1h）参照）は清浄な凹凸面を持っている。基本的には
洗浄は不要であるが、洗浄してもよい。洗浄には、
（ａ）有機溶剤や超純水を用いた湿式や（ｂ）アッシン
グ、プラズマ処理、ＵＶ照射、オゾン洗浄などの乾式が
ある。
に示されるように、レプリカ（７）の上に付着している
ので、そこから剥がす。スタンパー（５）は薄い金属膜
の状態（一般に２５０〜３００μｍ程度）なので、剥が
すのに注意を要する。剥がされたスタンパー５（図４の
（1h）参照）は清浄な凹凸面を持っている。基本的には
洗浄は不要であるが、洗浄してもよい。洗浄には、
（ａ）有機溶剤や超純水を用いた湿式や（ｂ）アッシン
グ、プラズマ処理、ＵＶ照射、オゾン洗浄などの乾式が
ある。
【００６５】なお、レプリカからスタンパーを製造する
プロセスは、前記米国特許（特公平５９─１６３３２）
のＦｉｇ．４〜５にいくらか説明されている。スタンパ
ー（５）の平面性を高めるために、（ａ）スタンパーの
剥離前又は（ｂ）剥離後に、スタンパーの裏面を機械研
磨する。（ｂ）剥離後に研磨する場合には、スタンパー
の凹凸面（情報面）を保護するために、予め凹凸面に保
護コートを施す。保護コートは剥離可能なもので、その
ような保護塗料を塗布し、乾燥させることにより形成さ
れる。
プロセスは、前記米国特許（特公平５９─１６３３２）
のＦｉｇ．４〜５にいくらか説明されている。スタンパ
ー（５）の平面性を高めるために、（ａ）スタンパーの
剥離前又は（ｂ）剥離後に、スタンパーの裏面を機械研
磨する。（ｂ）剥離後に研磨する場合には、スタンパー
の凹凸面（情報面）を保護するために、予め凹凸面に保
護コートを施す。保護コートは剥離可能なもので、その
ような保護塗料を塗布し、乾燥させることにより形成さ
れる。
【００６６】いずれにせよ、レプリカから剥がされ、裏
面を研磨されたスタンパーは、中心穴を機械的に打ち抜
く。スタンパーの外径も同様に打ち抜く。これでドーナ
ツ状のスタンパーが仕上がる。これでスタンパーは出荷
が可能となる。スタンパーの表面粗さＲa は一般に１０
ｎｍ以下と小さい。大抵の場合、１ｎｍ以下のスタンパ
ーが得られる。
面を研磨されたスタンパーは、中心穴を機械的に打ち抜
く。スタンパーの外径も同様に打ち抜く。これでドーナ
ツ状のスタンパーが仕上がる。これでスタンパーは出荷
が可能となる。スタンパーの表面粗さＲa は一般に１０
ｎｍ以下と小さい。大抵の場合、１ｎｍ以下のスタンパ
ーが得られる。
【００６７】特にＲＩＥで製造された原盤IIを使用した
場合、肌荒れが少なく高品質のスタンパーが製造され
る。 〔成形基板の成形〕スタンパー表面の凹凸を転写する方
法（図４の（1i）参照）により、成形基板（６）が製造
（成形）される。これにより、φより小さい溝幅Ｇw を
持つ成形基板（６）が得られる。成形された成形基板
（６）は、図４の（1j）に示される。これと図１１（先
行技術）とを比較されたい。成形方法には射出、プレ
ス、注型などがある。材料が樹脂の場合、なかでも射出
成形法が高い生産性を持つ。
場合、肌荒れが少なく高品質のスタンパーが製造され
る。 〔成形基板の成形〕スタンパー表面の凹凸を転写する方
法（図４の（1i）参照）により、成形基板（６）が製造
（成形）される。これにより、φより小さい溝幅Ｇw を
持つ成形基板（６）が得られる。成形された成形基板
（６）は、図４の（1j）に示される。これと図１１（先
行技術）とを比較されたい。成形方法には射出、プレ
ス、注型などがある。材料が樹脂の場合、なかでも射出
成形法が高い生産性を持つ。
【００６８】成形基板に使用される樹脂は、一般に熱可
塑性樹脂（特に比較的硬い樹脂）である。その例として
は、ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレン系ポリ
マーアロイ、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタク
リレ−ト系) 、ポリ塩化ビニール、ポリエステル、ナイ
ロン、エチレン−酢酸ビニル樹脂、アモルファス・ポリ
オレフィンなどがある。しかし、場合により熱硬化性樹
脂も使用可能である。その例としては、エポキシ樹脂、
熱硬化性ポリウレタン、不飽和アクリル樹脂、不飽和ポ
リエステル、ジエチレングリコールビスアリルカーボネ
ート樹脂などがある。樹脂の代わりにガラス特に低融点
ガラスを用いてもよい。しかし、成形基板の成形技術は
先行技術と同じなので、これ以上説明しない。 （２）ネガの場合（図５〜図７） 〔原盤Ｉ〕まず、ネガ型のフォトレジスト（２）が塗布
された基板（３）を用意する。基本的には上述のポジ型
と変わらないので、簡単に説明する。
塑性樹脂（特に比較的硬い樹脂）である。その例として
は、ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレン系ポリ
マーアロイ、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタク
リレ−ト系) 、ポリ塩化ビニール、ポリエステル、ナイ
ロン、エチレン−酢酸ビニル樹脂、アモルファス・ポリ
オレフィンなどがある。しかし、場合により熱硬化性樹
脂も使用可能である。その例としては、エポキシ樹脂、
熱硬化性ポリウレタン、不飽和アクリル樹脂、不飽和ポ
リエステル、ジエチレングリコールビスアリルカーボネ
ート樹脂などがある。樹脂の代わりにガラス特に低融点
ガラスを用いてもよい。しかし、成形基板の成形技術は
先行技術と同じなので、これ以上説明しない。 （２）ネガの場合（図５〜図７） 〔原盤Ｉ〕まず、ネガ型のフォトレジスト（２）が塗布
された基板（３）を用意する。基本的には上述のポジ型
と変わらないので、簡単に説明する。
【００６９】図５の（1a）に示す露光光を第１の線（Ｏ
1 ）に沿って照射する。ここでは、有効スポット径φが
ランド幅Ｌw に等しい場合を説明する。これにより第１
のランドに相当する部分（ランド幅Ｌw ＝φ）が形成さ
れる。次に露光光を第１の線（Ｏ1 ）から「溝幅Ｇw と
ランド幅Ｌw との和に相当する距離」離れた第２の線
（Ｏ2 ）まで平行移動する（図５の（１b ）参照）。光
軸は、Ｏ1 からＯ2 に移動する。これが第３工程であ
る。その後、露光光を第２の線（Ｏ2 ）に沿ってフォト
レジストに照射する（第４工程）。これにより第２のラ
ンド（Ｌw ＝φ）に相当する部分が形成される。
1 ）に沿って照射する。ここでは、有効スポット径φが
ランド幅Ｌw に等しい場合を説明する。これにより第１
のランドに相当する部分（ランド幅Ｌw ＝φ）が形成さ
れる。次に露光光を第１の線（Ｏ1 ）から「溝幅Ｇw と
ランド幅Ｌw との和に相当する距離」離れた第２の線
（Ｏ2 ）まで平行移動する（図５の（１b ）参照）。光
軸は、Ｏ1 からＯ2 に移動する。これが第３工程であ
る。その後、露光光を第２の線（Ｏ2 ）に沿ってフォト
レジストに照射する（第４工程）。これにより第２のラ
ンド（Ｌw ＝φ）に相当する部分が形成される。
【００７０】渦巻き状の溝の場合は、移動（厳密には平
行移動ではない）と照射が同時に行われる。本明細書で
はこの場合も平行移動と称する。従って、平行移動する
第３工程と照射する第４工程とは完全に分離されない。
このような分離されない形態も本発明の範疇であると理
解されたい。ともかく、これにより、第２のランドに相
当する部分について露光が完了する。
行移動ではない）と照射が同時に行われる。本明細書で
はこの場合も平行移動と称する。従って、平行移動する
第３工程と照射する第４工程とは完全に分離されない。
このような分離されない形態も本発明の範疇であると理
解されたい。ともかく、これにより、第２のランドに相
当する部分について露光が完了する。
【００７１】一般には、照射する第４工程を終えた後、
次の第５工程の前に、第４工程の第２の線を第３工程の
第１の線とみなして、第３工程と第４工程との組合せを
複数回繰り返す。露光が完了した状態を図５の（5c）に
示す。露光された領域は（２ｅ）で示される。露光され
なかった領域が溝に相当する。次にフォトレジストを現
像する。ネガ型なので、露光された領域（２ｅ）が残り
て、露光されなかった領域が溶け去る。これにより、図
６の（5d）に示されるレジストパターン（２）又は原盤
（４）が得られる。
次の第５工程の前に、第４工程の第２の線を第３工程の
第１の線とみなして、第３工程と第４工程との組合せを
複数回繰り返す。露光が完了した状態を図５の（5c）に
示す。露光された領域は（２ｅ）で示される。露光され
なかった領域が溝に相当する。次にフォトレジストを現
像する。ネガ型なので、露光された領域（２ｅ）が残り
て、露光されなかった領域が溶け去る。これにより、図
６の（5d）に示されるレジストパターン（２）又は原盤
（４）が得られる。
【００７２】〔原盤II〕図６の（5d）に示される原盤Ｉ
（４）を用意し、後は、ネガ型の原盤Ｉと同じく、エッ
チングとその後の残留レジストの除去により、図８の
（8b）に示す原盤II（４ｂ）を製造する。 〔スタンパー〕スタンパー（５）は、図６の（5e）に示
すのように、原盤をメッキすることにより、製造され
る。メッキ層がスタンパー（５）となる。これ以下の説
明は、ネガ型のそれと同じになるので、省く。スタンパ
ー（５）を原盤（４）から剥がすと、図６の（5f）に示
す自由なスタンパー（５）が得られる。
（４）を用意し、後は、ネガ型の原盤Ｉと同じく、エッ
チングとその後の残留レジストの除去により、図８の
（8b）に示す原盤II（４ｂ）を製造する。 〔スタンパー〕スタンパー（５）は、図６の（5e）に示
すのように、原盤をメッキすることにより、製造され
る。メッキ層がスタンパー（５）となる。これ以下の説
明は、ネガ型のそれと同じになるので、省く。スタンパ
ー（５）を原盤（４）から剥がすと、図６の（5f）に示
す自由なスタンパー（５）が得られる。
【００７３】ネガ型を使用すると、レプリカを経ること
なく、原盤から直接にスタンパーを製造できる利点があ
る。 〔成形基板〕上に説明したように、上記スタンパーを用
いて、樹脂又はガラス原料から射出成形（樹脂の場
合）、プレス成形（樹脂、ガラスの場合）その他によ
り、成形基板が成形される。図６の（5g）〜図７（5h）
を参照されたい。
なく、原盤から直接にスタンパーを製造できる利点があ
る。 〔成形基板〕上に説明したように、上記スタンパーを用
いて、樹脂又はガラス原料から射出成形（樹脂の場
合）、プレス成形（樹脂、ガラスの場合）その他によ
り、成形基板が成形される。図６の（5g）〜図７（5h）
を参照されたい。
【００７４】〔ハードディスク〕本発明の成形基板はハ
ードディスクの基板（２１）として使用することができ
る。基板材料は樹脂又はガラス特に低融点ガラスであ
る。基板は渦巻き状又は多数の同心円状の細い溝を持
つ。ハードディスクは、図１２に示されるように、この
ような基板（２１）とその上にスパッタリング法その他
で付着depositeされたCoCr、CoCrPt、CoCrTa等の磁性層
（２１）からなる。場合により磁性層の上に保護層、磁
性層の下に下地層が形成される。
ードディスクの基板（２１）として使用することができ
る。基板材料は樹脂又はガラス特に低融点ガラスであ
る。基板は渦巻き状又は多数の同心円状の細い溝を持
つ。ハードディスクは、図１２に示されるように、この
ような基板（２１）とその上にスパッタリング法その他
で付着depositeされたCoCr、CoCrPt、CoCrTa等の磁性層
（２１）からなる。場合により磁性層の上に保護層、磁
性層の下に下地層が形成される。
【００７５】〔ハードディスク装置〕ハードディスク装
置は、一般に、図１３に示すように、データ入出力端子
（３１）、この端子から入出力するデータを処理するデ
ータ処理回路（３４）、この回路で処理されたデータを
記録信号に変換しヘッド（符号なし）へ送り、また前記
ヘッドで再生したデータを再生信号へ変換するデータ記
録／再生回路（３５）、前記ヘッドを通じてデータが記
録されるハードディスク（３６）、このハードディスク
を回転させる駆動モータ（３９）、このモータをコント
ロールするサーボシステムコントロール回路（３８）、
コントロールデータ入出力端子（３２）、この端子から
入出力するコントロールデータを処理するコントロール
データ処理回路（３７）、前記回路（３４）、回路（３
７）及び回路（３８）をコントロールし、各種データを
演算処理する中央演算処理回路ＣＰＵ（３３）で構成さ
れる。もちろん、ハードディスク（３６）に記録された
データは、ヘッドを通じて再生され、データ記録／再生
回路（３５）へ送られる。
置は、一般に、図１３に示すように、データ入出力端子
（３１）、この端子から入出力するデータを処理するデ
ータ処理回路（３４）、この回路で処理されたデータを
記録信号に変換しヘッド（符号なし）へ送り、また前記
ヘッドで再生したデータを再生信号へ変換するデータ記
録／再生回路（３５）、前記ヘッドを通じてデータが記
録されるハードディスク（３６）、このハードディスク
を回転させる駆動モータ（３９）、このモータをコント
ロールするサーボシステムコントロール回路（３８）、
コントロールデータ入出力端子（３２）、この端子から
入出力するコントロールデータを処理するコントロール
データ処理回路（３７）、前記回路（３４）、回路（３
７）及び回路（３８）をコントロールし、各種データを
演算処理する中央演算処理回路ＣＰＵ（３３）で構成さ
れる。もちろん、ハードディスク（３６）に記録された
データは、ヘッドを通じて再生され、データ記録／再生
回路（３５）へ送られる。
【００７６】本発明のハードディスクは、このようなハ
ードディスク装置に使用することができる。 〔コンピュータ〕コンピュータは、一般に、図１４に示
すように、中央演算処理回路ＣＰＵ（４３）、このＣＰ
Ｕのアドレス空間に接続されるメインメモリー（４２）
例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、疑似ＳＲＡＭ等の半導体
メモリ、２次記憶装置としてのハードディスク装置（４
３）、データの入力部（４４）例えば、キーボード、ラ
イトペン、タッチパネル、デジタイザ、ペンタブレット
等、及び表示装置（４５）例えば、ＣＲＴ、液晶表示デ
バイス等で構成される。
ードディスク装置に使用することができる。 〔コンピュータ〕コンピュータは、一般に、図１４に示
すように、中央演算処理回路ＣＰＵ（４３）、このＣＰ
Ｕのアドレス空間に接続されるメインメモリー（４２）
例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、疑似ＳＲＡＭ等の半導体
メモリ、２次記憶装置としてのハードディスク装置（４
３）、データの入力部（４４）例えば、キーボード、ラ
イトペン、タッチパネル、デジタイザ、ペンタブレット
等、及び表示装置（４５）例えば、ＣＲＴ、液晶表示デ
バイス等で構成される。
【００７７】本発明のハードディスク装置は、このよう
なコンピュータに使用することができる。以下、実施例
により本発明をより具体的に説明する。しかし、本発明
はこれらに限られる訳ではない。
なコンピュータに使用することができる。以下、実施例
により本発明をより具体的に説明する。しかし、本発明
はこれらに限られる訳ではない。
【００７８】
【実施例１】本実施例を図１を引用して説明する。溝幅
Ｇw は、露光光によって形成可能な最小の溝幅φ（０．
１μｍ）より小さい０．０４μｍである。ランド幅Ｌw
は、０．３６μｍとした。 〔原盤II〕まず、基板材料として合成石英板を用意し
た。その後、基板表面をそれぞれ表面粗さ：Ｒａ＝１ｎ
ｍ以下に精密研磨した。洗浄後、基板表面に「プライマ
ーとしてのヘキサメチルジシラザン」とフォトレジスト
を順にスピンコートした。プリベ−クすると、基板
（３）上に厚さ約０．２μｍのフォトレジスト層（２）
が形成された。
Ｇw は、露光光によって形成可能な最小の溝幅φ（０．
１μｍ）より小さい０．０４μｍである。ランド幅Ｌw
は、０．３６μｍとした。 〔原盤II〕まず、基板材料として合成石英板を用意し
た。その後、基板表面をそれぞれ表面粗さ：Ｒａ＝１ｎ
ｍ以下に精密研磨した。洗浄後、基板表面に「プライマ
ーとしてのヘキサメチルジシラザン」とフォトレジスト
を順にスピンコートした。プリベ−クすると、基板
（３）上に厚さ約０．２μｍのフォトレジスト層（２）
が形成された。
【００７９】次にレ−ザーカッティング装置を用意し
た。レーザー光源はアルゴンレーザーで、露光光はそこ
から出力した波長λ＝３５１ｎｍの光を使用する。この
とき、光源の出力やその他を調整して有効スポット径φ
＝０．３６μｍとした。本発明では、φがランド幅Ｌw
を決定する。この露光光を用いて、レジスト（２）に対
し、渦巻き状のランド・パターンを露光した。パターン
は半径方向に見ると、図１の（1c）に示すように、露光
領域（２ｅ）と非露光の領域が交互に並んでいる。露光
領域（２ｅ）は成形基板のランドに相当し、露光領域
（２ｅ）の線幅はランド幅Ｌw に相当する。このスポッ
ト（φ＝０．３６μｍ）によれば、露光領域（２ｅ）の
線幅を０．３６μｍにすることができ、幅Ｌw ＝０．３
６μｍのランドを形成することができる。
た。レーザー光源はアルゴンレーザーで、露光光はそこ
から出力した波長λ＝３５１ｎｍの光を使用する。この
とき、光源の出力やその他を調整して有効スポット径φ
＝０．３６μｍとした。本発明では、φがランド幅Ｌw
を決定する。この露光光を用いて、レジスト（２）に対
し、渦巻き状のランド・パターンを露光した。パターン
は半径方向に見ると、図１の（1c）に示すように、露光
領域（２ｅ）と非露光の領域が交互に並んでいる。露光
領域（２ｅ）は成形基板のランドに相当し、露光領域
（２ｅ）の線幅はランド幅Ｌw に相当する。このスポッ
ト（φ＝０．３６μｍ）によれば、露光領域（２ｅ）の
線幅を０．３６μｍにすることができ、幅Ｌw ＝０．３
６μｍのランドを形成することができる。
【００８０】パターンを半径方向に見て、疑似的に説明
すると、露光光をまず第１の線に沿ってレジストに照射
する（図１の（１a ）参照）。次に露光光を第１の線に
対して、「溝幅Ｇw ０．０４μｍ＋ランド幅Ｌw ０．３
６μｍの和０．４０μｍに相当する距離」離れた第２の
線まで平行移動する（光軸をＯ1 →Ｏ2 ）。そして、露
光光を第２の線に沿って照射する（図１の（１b ）参
照）。この照射と移動と照射を繰り返す。その結果、図
１の（1c）に示すように、線幅（＝Ｌw ）が０．３６μ
ｍ）の露光領域（２ｅ）と線幅（＝Ｇw ）が０．０４μ
ｍの非露光領域が交互に並んだ渦巻き状の露光パターン
が得られる。
すると、露光光をまず第１の線に沿ってレジストに照射
する（図１の（１a ）参照）。次に露光光を第１の線に
対して、「溝幅Ｇw ０．０４μｍ＋ランド幅Ｌw ０．３
６μｍの和０．４０μｍに相当する距離」離れた第２の
線まで平行移動する（光軸をＯ1 →Ｏ2 ）。そして、露
光光を第２の線に沿って照射する（図１の（１b ）参
照）。この照射と移動と照射を繰り返す。その結果、図
１の（1c）に示すように、線幅（＝Ｌw ）が０．３６μ
ｍ）の露光領域（２ｅ）と線幅（＝Ｇw ）が０．０４μ
ｍの非露光領域が交互に並んだ渦巻き状の露光パターン
が得られる。
【００８１】露光を終えた基板上のレジストを、無機ア
ルカリ現像液で現像した。レジスト表面をスピン洗浄
し、その後、ポストベークを行い、図２の（1d）に示さ
れるレジスト・パターン（２）又は原盤Ｉ（４）を得
た。次に原盤Ｉを反応性イオンエッチング装置に入れ、
ドライエッチングを行い、深さが８０ｎｍに達したとこ
ろでエッチングを止めた。その後、残ったレジストを除
去し、洗浄すると、原盤IIが得られた。原盤IIは石英基
板（３）に直接にパターンが食刻されたものである。原
盤IIは図８の（8a）に示される。
ルカリ現像液で現像した。レジスト表面をスピン洗浄
し、その後、ポストベークを行い、図２の（1d）に示さ
れるレジスト・パターン（２）又は原盤Ｉ（４）を得
た。次に原盤Ｉを反応性イオンエッチング装置に入れ、
ドライエッチングを行い、深さが８０ｎｍに達したとこ
ろでエッチングを止めた。その後、残ったレジストを除
去し、洗浄すると、原盤IIが得られた。原盤IIは石英基
板（３）に直接にパターンが食刻されたものである。原
盤IIは図８の（8a）に示される。
【００８２】原盤IIは、ＲＩＥプロセスで製造されたの
で、溝の側壁、ピットの側壁及びピット前後のエッジが
いずれも非常にシャープであった。このことは光ディス
クに次の（ａ）〜（ｆ）の利点をもたらす。（ａ）ウォ
ッブル信号の再生が正確である。（ｂ）ＣＮＲが向上す
る。（ｃ）クロスイレーズ及びクロストークが低くな
る。（ｅ）書き込み、読み取りの各信号のドロップアウ
トも非常に少なくなる。また、ピットの底及び側壁の表
面粗さ、溝の底及び側壁の表面粗さが非常に小さいため
に、ノイズが小さくなる。
で、溝の側壁、ピットの側壁及びピット前後のエッジが
いずれも非常にシャープであった。このことは光ディス
クに次の（ａ）〜（ｆ）の利点をもたらす。（ａ）ウォ
ッブル信号の再生が正確である。（ｂ）ＣＮＲが向上す
る。（ｃ）クロスイレーズ及びクロストークが低くな
る。（ｅ）書き込み、読み取りの各信号のドロップアウ
トも非常に少なくなる。また、ピットの底及び側壁の表
面粗さ、溝の底及び側壁の表面粗さが非常に小さいため
に、ノイズが小さくなる。
【００８３】〔樹脂製レプリカ〕紫外線硬化型樹脂液を
用意する。この樹脂液は、 化学構造式１のアセタールグリコールジアクリレート
を７０部、 化学構造式２と化学構造式３の混合物であるウレタン
アクリレートを３０部、そして、 １−ヒドロキシシクロヘキシシクロヘキシルフェニル
ケトン( 商品名：イルガキュア−１８４；チバ・ガイギ
ー（株）製) を３部混合することで調製された。
用意する。この樹脂液は、 化学構造式１のアセタールグリコールジアクリレート
を７０部、 化学構造式２と化学構造式３の混合物であるウレタン
アクリレートを３０部、そして、 １−ヒドロキシシクロヘキシシクロヘキシルフェニル
ケトン( 商品名：イルガキュア−１８４；チバ・ガイギ
ー（株）製) を３部混合することで調製された。
【００８４】化学構造式１
【００８５】
【化１】
【００８６】化学構造式２
【００８７】
【化２】
【００８８】化学構造式３
【００８９】
【化３】
【００９０】樹脂液としては、熱や光の吸収特性、離型
性、耐光性、耐久性、硬度を考えると、色数（ＡＰＨ
Ａ）が３０〜５０、屈折率が２５℃で１．４〜１．８程
度のものが好ましい。樹脂液の比重は、２５℃で０．８
〜１．３程度、粘度は２５℃で１０〜４８００ＣＰＳ程
度のものが転写性の点で好ましい。
性、耐光性、耐久性、硬度を考えると、色数（ＡＰＨ
Ａ）が３０〜５０、屈折率が２５℃で１．４〜１．８程
度のものが好ましい。樹脂液の比重は、２５℃で０．８
〜１．３程度、粘度は２５℃で１０〜４８００ＣＰＳ程
度のものが転写性の点で好ましい。
【００９１】別に、外径２００ｍｍ、内径１０ｍｍ、厚
み６ｍｍの青板ガラス円板を用意した。そして、円板を
洗浄し、表面にプライマーであるシランカップリング剤
をスピンシャワー法で塗布した。その後、１２０℃でベ
−クbakeした。そして、凹凸面を上にした原盤IIの上に
樹脂液（７）を垂らした。上からガラス円板（８）を押
しつけ、樹脂液を円板と原盤IIでサンドイッチした。こ
のとき樹脂液（７）に泡が入らないように注意した。更
にガラス円板（８）を加圧して粘彫な樹脂液（７）を原
盤IIの表面全体に均一に押し拡げた。
み６ｍｍの青板ガラス円板を用意した。そして、円板を
洗浄し、表面にプライマーであるシランカップリング剤
をスピンシャワー法で塗布した。その後、１２０℃でベ
−クbakeした。そして、凹凸面を上にした原盤IIの上に
樹脂液（７）を垂らした。上からガラス円板（８）を押
しつけ、樹脂液を円板と原盤IIでサンドイッチした。こ
のとき樹脂液（７）に泡が入らないように注意した。更
にガラス円板（８）を加圧して粘彫な樹脂液（７）を原
盤IIの表面全体に均一に押し拡げた。
【００９２】ガラス円板（８）を通して、樹脂液（７）
に水銀ランプからの紫外線を５〜６０秒程照射する。こ
れにより樹脂液は硬化し、硬い樹脂層（７）が生成し
た。この硬い樹脂層（７）がレプリカである。レプリカ
の構造は図２の（1e）と同じである。次にレプリカ
（７）を原盤IIから剥離した。剥離は両者を損傷しない
ように注意深く実施した。レプリカの表面粗さＲａは、
１ｎｍ以下であった。
に水銀ランプからの紫外線を５〜６０秒程照射する。こ
れにより樹脂液は硬化し、硬い樹脂層（７）が生成し
た。この硬い樹脂層（７）がレプリカである。レプリカ
の構造は図２の（1e）と同じである。次にレプリカ
（７）を原盤IIから剥離した。剥離は両者を損傷しない
ように注意深く実施した。レプリカの表面粗さＲａは、
１ｎｍ以下であった。
【００９３】〔スタンパー〕レプリカをスパッタリング
装置にセットし、表面に厚さ約４０〜７０ｎｍのＮｉ層
（導電層）を付着depositionさせた。これにより導電化
処理を終えた。レプリカの凹凸が深い場合には、ＲＦ放
電下でスパッタリングすることが好ましい。ＲＦ放電下
では、レプリカの帯電による悪影響（例えば、スパッタ
リング速度ムラ）を受け難くなる。そこで本実施例で
は、ＲＦ放電（電力：４００Ｗ）下でスパッタリングを
実施した。
装置にセットし、表面に厚さ約４０〜７０ｎｍのＮｉ層
（導電層）を付着depositionさせた。これにより導電化
処理を終えた。レプリカの凹凸が深い場合には、ＲＦ放
電下でスパッタリングすることが好ましい。ＲＦ放電下
では、レプリカの帯電による悪影響（例えば、スパッタ
リング速度ムラ）を受け難くなる。そこで本実施例で
は、ＲＦ放電（電力：４００Ｗ）下でスパッタリングを
実施した。
【００９４】Ｎｉ層が厚いと、後でＮｉメッキ層が剥が
れる場合がある。その場合には、Ｎｉ層（導電層）の厚
さを１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度に薄くする。導電化処理を
終えたレプリカをスルファミン酸ニッケルを溶かしたメ
ッキ浴に入れた。浴の温度は約４５〜５５℃にした。そ
して、通電することにより、Ｎｉ電鋳を開始した。開始
時は、電流密度を低くし、徐々に電流密度を上げた。電
鋳は、得られたＮｉメッキ層（５）の厚さが２９３μｍ
になったとき止めた。主にこのメッキ層（５）がスタン
パー（５）を構成する。この様子は図３の（1g）に示さ
れる。
れる場合がある。その場合には、Ｎｉ層（導電層）の厚
さを１０ｎｍ〜４０ｎｍ程度に薄くする。導電化処理を
終えたレプリカをスルファミン酸ニッケルを溶かしたメ
ッキ浴に入れた。浴の温度は約４５〜５５℃にした。そ
して、通電することにより、Ｎｉ電鋳を開始した。開始
時は、電流密度を低くし、徐々に電流密度を上げた。電
鋳は、得られたＮｉメッキ層（５）の厚さが２９３μｍ
になったとき止めた。主にこのメッキ層（５）がスタン
パー（５）を構成する。この様子は図３の（1g）に示さ
れる。
【００９５】図３の（1g）に示すように、製造直後は、
スタンパー（５）はレプリカ（７）の上にある。そこ
で、スタンパー（５）をレプリカ（７）から剥離する
と、図４の（1h）に示す自由なスタンパー（５）が得ら
れる。このスタンパーは、最終製品の成形基板とは凹凸
が逆である。ランドに相当する部分の線幅（Ｌw ）が
０．３６μｍであり、溝に相当する部分の線幅（Ｇw ）
が、０．０４μｍであった。スタンパー（５）の表面粗
さＲａは１ｎｍ以下であった。
スタンパー（５）はレプリカ（７）の上にある。そこ
で、スタンパー（５）をレプリカ（７）から剥離する
と、図４の（1h）に示す自由なスタンパー（５）が得ら
れる。このスタンパーは、最終製品の成形基板とは凹凸
が逆である。ランドに相当する部分の線幅（Ｌw ）が
０．３６μｍであり、溝に相当する部分の線幅（Ｇw ）
が、０．０４μｍであった。スタンパー（５）の表面粗
さＲａは１ｎｍ以下であった。
【００９６】スタンパー（５）の凹凸面に保護塗料とし
て商品名：クリンコ−トＳ（ファインケミカル・ジャパ
ン社製）をスピンコート法により塗布した。塗布した
後、塗膜を約１０時間自然乾燥させた。これにより凹凸
面は保護コートで覆われた。サンの裏面を研磨した後、
その内径と外径を打ち抜いて落とした。こうして、ドー
ナツ状のスタンパー（５）が仕上がった。
て商品名：クリンコ−トＳ（ファインケミカル・ジャパ
ン社製）をスピンコート法により塗布した。塗布した
後、塗膜を約１０時間自然乾燥させた。これにより凹凸
面は保護コートで覆われた。サンの裏面を研磨した後、
その内径と外径を打ち抜いて落とした。こうして、ドー
ナツ状のスタンパー（５）が仕上がった。
【００９７】スタンパー（５）を剥がした後のレプリカ
（７）は、損傷を受けておらず、再使用可能であった。
（７）は、損傷を受けておらず、再使用可能であった。
【００９８】
【実施例２】射出成形機として、住友重機械工業株式会
社（Simitomo Heavy Industries, Ltd.)製の商品名「Ｓ
Ｄ４０」を用意した。成形基板用の樹脂として、帝人株
式会社製のポリカーボネート；商品名「ＡＤ５５０３」
を用意し、成形機に供給可能にセットした。
社（Simitomo Heavy Industries, Ltd.)製の商品名「Ｓ
Ｄ４０」を用意した。成形基板用の樹脂として、帝人株
式会社製のポリカーボネート；商品名「ＡＤ５５０３」
を用意し、成形機に供給可能にセットした。
【００９９】同じく実施例１で製造したスタンパーを成
形機にセットした。金型温度１３０℃、樹脂温度３４０
℃、射出圧力３０ｔ、サイクルタイム１２秒の成形条件
で成形基板（６）を成形した。基板の厚みは０．６ｍｍ
である。２時間で６００枚の成形基板が成形（製造）さ
れた。得られた成形基板（６）について、電子顕微鏡
（ＨＲ−ＳＥＭ）及び原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）で溝の
形状、寸法を観察、測定した。その結果、溝深さは約８
０ｎｍ、ランド幅Ｌw が約０．３６μｍ、溝幅Ｇw が約
０．０４μｍであった。溝の側壁の傾きも８５度以上と
急峻であった。このような成形基板はこれまで報告され
ていない。
形機にセットした。金型温度１３０℃、樹脂温度３４０
℃、射出圧力３０ｔ、サイクルタイム１２秒の成形条件
で成形基板（６）を成形した。基板の厚みは０．６ｍｍ
である。２時間で６００枚の成形基板が成形（製造）さ
れた。得られた成形基板（６）について、電子顕微鏡
（ＨＲ−ＳＥＭ）及び原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）で溝の
形状、寸法を観察、測定した。その結果、溝深さは約８
０ｎｍ、ランド幅Ｌw が約０．３６μｍ、溝幅Ｇw が約
０．０４μｍであった。溝の側壁の傾きも８５度以上と
急峻であった。このような成形基板はこれまで報告され
ていない。
【０１００】
【実施例３】実施例１と同様にして、別のスタンパーを
製造した。このスタンパーを使用して実施例２と同様に
して、ストライプ状に複数の溝（溝幅Ｇw ０．０６μ
ｍ、ランド幅Ｌw ０．２９μｍ）が入った成形基板を成
形した。
製造した。このスタンパーを使用して実施例２と同様に
して、ストライプ状に複数の溝（溝幅Ｇw ０．０６μ
ｍ、ランド幅Ｌw ０．２９μｍ）が入った成形基板を成
形した。
【０１０１】
【発明の効果】本発明によれば、先行技術では不可能で
あったφより狭い溝幅Ｇw （例えば、０．２３μｍ未
満）を有する成形基板が射出成形等で大量に安価に製造
可能となる。また、溝の側壁が８５度以上と急峻な成形
基板が射出成形等で大量に安価に得ることも可能であ
る。
あったφより狭い溝幅Ｇw （例えば、０．２３μｍ未
満）を有する成形基板が射出成形等で大量に安価に製造
可能となる。また、溝の側壁が８５度以上と急峻な成形
基板が射出成形等で大量に安価に得ることも可能であ
る。
【０１０２】本発明の成形基板は、ウォブル信号を持つ
光ディスク、例えば、ＣＤ─Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＭＤ、Ｄ
ＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−
ＲＷ等に有用である。本明細書では、成形基板が光ディ
スクに使用される場合を詳しく説明したが、成形基板は
他の用途に使用されるものでもよい。微細な凹凸を持つ
どんな成形基板も本発明のサンを用い成形することがで
きる。そのような成形基板には、例えば、磁気ディスク
（ハードディスク）用基板、光カード用基板、液晶デバ
イス用基板、半導体デバイス用基板、プリンターの部品
用基板、情報記録／再生装置の部品用基板、パーソナル
コンピュータの部品用基板、自動車の部品用基板、光学
部品自体（例えば、ゾーンプレート、非球面レンズ、回
折格子、ホログラム板、フォトマスク、レティクル）又
はその基板、エンコーダ部品用の基板等がある。
光ディスク、例えば、ＣＤ─Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＭＤ、Ｄ
ＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−
ＲＷ等に有用である。本明細書では、成形基板が光ディ
スクに使用される場合を詳しく説明したが、成形基板は
他の用途に使用されるものでもよい。微細な凹凸を持つ
どんな成形基板も本発明のサンを用い成形することがで
きる。そのような成形基板には、例えば、磁気ディスク
（ハードディスク）用基板、光カード用基板、液晶デバ
イス用基板、半導体デバイス用基板、プリンターの部品
用基板、情報記録／再生装置の部品用基板、パーソナル
コンピュータの部品用基板、自動車の部品用基板、光学
部品自体（例えば、ゾーンプレート、非球面レンズ、回
折格子、ホログラム板、フォトマスク、レティクル）又
はその基板、エンコーダ部品用の基板等がある。
【図１】 本発明の実施の第１形態（ポジ型、原盤Ｉ）
にかかるプロセスの一部チャート図である。
にかかるプロセスの一部チャート図である。
【図２】 図１の続きにかかるチャート図である。
【図３】 図２の続きにかかるチャート図である。
【図４】 図３の続きにかかるチャート図である。
【図５】 本発明の実施の第２形態（ネガ型、原盤Ｉ）
にかかるプロセスの一部チャート図である。
にかかるプロセスの一部チャート図である。
【図６】 図５の続きにかかるチャート図である。
【図７】 図６の続きにかかるチャート図である。
【図８】 原盤IIの断面を示す概念図である。
【図９】 先行技術（ポジ型、原盤Ｉ）にかかるプロセ
スの一部チャート図である。
スの一部チャート図である。
【図10】 図９の続きにかかるチャート図である。
【図11】 図10の続きにかかるチャート図である。
【図12】 ハードディスク装置のブロック図である。
【図13】 コンピュータのブロック図である。
【図14】 コンピュータのブロック図である。
１・・・レンズ ２・・・フォトレジスト又はレジストパターン ２ｅ・・露光領域 ３・・・基板（ガラス、石英） ４・・・原盤Ｉ ５・・・メッキ層又はスタンパー ６・・・成形基板 ６ａ・・溝 ６ｂ・・ランド ７・・・樹脂（液）又は樹脂製レプリカ ８・・・透明板 Ｏ1 ・・第１の線 Ｏ2 ・・第２の線 図８・・原盤II 以上
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５１１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５１１ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G29C 33/38 G29C 45/26 G11B 7/24 - 7/26 G11B 5/82 - 5/84
Claims (25)
- 【請求項１】 ポジ型フォトレジストを塗布した基板を
用意する第１工程、前記フォトレジストに対し、第１の
ランドに相当する部分を形成するために、所定の露光光
を第１の線に沿って照射することにより露光する第２工
程、前記露光光を、第１の線から「ランド幅Ｌｗと、前
記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．１μｍ以下である
溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離れた第２の線まで
平行移動する第３工程、前記フォトレジストに対し、第
２のランドに相当する部分を形成するために、前記露光
光を第２の線に沿って照射することにより露光する第４
工程、前記フォトレジストを現像することにより原盤Ｉ
を得る第５工程、前記原盤Ｉからレプリカを製造する第
６工程、前記レプリカから電鋳法によりスタンパーを製
造する第７工程、及び前記スタンパーを用いてガラス又
は樹脂を成形する第８工程からなることを特徴とする溝
付き成形基板を製造する方法。 - 【請求項２】 前記レプリカが金属又は樹脂からなるこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の第７工程で製造された
成形基板用のスタンパー。 - 【請求項４】 請求項１記載の第５工程で得られた成形
基板用の原盤Ｉ。 - 【請求項５】 ポジ型フォトレジストを塗布した基板を
用意する第１工程、前記フォトレジストに対し、第１の
ランドに相当する部分を形成するために、所定の露光光
を第１の線に沿って照射することにより露光する第２工
程、前記露光光を、第１の線から「ランド幅Ｌｗと、前
記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．１μｍ以下である
溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離れた第２の線まで
平行移動する第３工程、前記フォトレジストに対し、第
２のランドに相当する部分を形成するために、前記露光
光を第２の線に沿って照射することにより露光する第４
工程、前記フォトレジストを現像することにより、レジ
ストパターンを得る第５工程、前記レジストに覆われて
ない部分について、前記基板を食刻する第５の２工程、
前記レジストを除去することにより原盤IIを得る第５の
３工程、前記原盤IIからレプリカを製造する第６工程、
前記レプリカから電鋳法によりスタンパーを製造する第
７工程、及び前記スタンパーを用いてガラス又は樹脂を
成形する第８工程からなることを特徴とする溝付き成形
基板を製造する方法。 - 【請求項６】 前記レプリカが金属又は樹脂からなるこ
とを特徴とする請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の第７工程で製造された成
形基板用のスタンパー。 - 【請求項８】 請求項５記載の第５の３工程で得られ
た、成形基板用の原盤II。 - 【請求項９】 ネガ型フォトレジストを塗布した基板を
用意する第１工程、前記フォトレジストに対し、第１の
ランドに相当する部分を形成するために、所定の露光光
を第１の線に沿って照射することにより露光する第２工
程、前記露光光を、第１の線から「ランド幅Ｌｗと、前
記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．１μｍ以下である
溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離れた第２の線まで
平行移動する第３工程、前記フォトレジストに対し、第
２のランドに相当する部分を形成するために、前記露光
光を第２の線に沿って照射することにより露光する第４
工程、前記フォトレジストを現像することにより原盤Ｉ
を得る第５工程、前記原盤Ｉから電鋳法によりスタンパ
ーを製造する第６工程、及び前記スタンパーを用いてガ
ラス又は樹脂を成形する第７工程からなることを特徴と
する溝付き成形基板を製造する方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の第７工程で製造された
成形基板用のスタンパー。 - 【請求項１１】 請求項９記載の第５工程で得られた成
形基板用の原盤Ｉ。 - 【請求項１２】 ネガ型フォトレジストを塗布した基板
を用意する第１工程、前記フォトレジストに対し、第１
のランドに相当する部分を形成するために、所定の露光
光を第１の線に沿って照射することにより露光する第２
工程、前記露光光を、第１の線から「ランド幅Ｌｗと、
前記ランド幅Ｌｗよりも小さくかつ０．１μｍ以下であ
る溝幅Ｇｗ との和に相当する距離」離れた第２の線ま
で平行移動する第３工程、前記フォトレジストに対し、
第２のランドに相当する部分を形成するために、前記露
光光を第２の線に沿って照射することにより露光する第
４工程、前記フォトレジストを現像することにより、レ
ジストパターンを得る第５工程、前記レジストに覆われ
てない部分について、前記基板を食刻する第５の２工
程、前記レジストを除去することにより原盤IIを得る第
５の３工程、前記原盤IIから電鋳法によりスタンパーを
製造する第６工程、及び前記前記スタンパーを用いてガ
ラス又は樹脂を成形する第７工程からなることを特徴と
する溝付き成形基板を製造する方法。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の第６工程で製造され
た成形基板用のスタンパー。 - 【請求項１４】 請求項１２記載の第５の３工程で得ら
れた、成形基板用の原盤II。 - 【請求項１５】 前記第４工程を終えた後、前記第５工
程の前に、前記第４工程の第２の線を第３工程の第１の
線とみなして、前記第３工程と第４工程との組合せを複
数回繰り返すことを特徴とする、請求項１、請求項５、
請求項９又は請求項１２記載の方法。 - 【請求項１６】 前記溝幅Ｇｗ が０．０６μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、
請求項６、請求項９、請求項１２又は請求項１５いずれ
か記載の方法。 - 【請求項１７】 請求項３、請求項１０又は請求項１３
いずれか記載のスタンパーを用いて射出成形された溝付
き成形基板で、その溝の幅Ｇｗが０．１μｍ以下の溝付
き成形基板。 - 【請求項１８】 前記溝の幅Ｇｗが０．０６μｍ以下の
請求項１７記載の成形基板。 - 【請求項１９】 前記溝の傾斜角度が８５度以上と急峻
であることを特徴とする請求項１７又は請求項１８いず
れか記載の成形基板。 - 【請求項２０】 前記溝の「溝深さｄ／溝幅Ｇｗ」が
０．１以上であることを特徴とする請求項１７、請求項
１８又は請求項１９いずれか記載の成形基板。 - 【請求項２１】 前記溝がピット又は非連続であること
を特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、請求項
６、請求項９、請求項１２、請求項１５又は請求項１６
いずれか記載の方法。 - 【請求項２２】 前記溝がピット又は非連続であること
を特徴とする請求項 １７から請求項２０いずれか記載の
成形基板。 - 【請求項２３】 溝付き成形基板とその上に形成された
磁性層とからなるハードディスクにおいて、前記基板が
請求項１７から請求項２０いずれか記載の基板であるこ
とを特徴とするハードディスク。 - 【請求項２４】 データ入出力端子、この端子から入出
力するデータを処理するデータ処理回路、この回路で処
理されたデータを記録信号に変換しヘッドへ送り、また
前記ヘッドで再生したデータを再生信号へ変換するデー
タ記録／再生回路、前記ヘッドを通じてデータが記録さ
れるハードディスク、このハードディスクを回転させる
駆動モータ、このモータをコントロールするサーボシス
テムコントロール回路、コントロールデータ入出力端
子、この端子から入出力するコントロールデータを処理
するコントロールデータ処理回路、前記データ処理回
路、前記コントロールデータ処理回路及び前記サーボシ
ステムコントロールを総合的にコントロールし、各種デ
ータを演算処理する中央演算処理回路（ＣＰＵ）を備え
たハードディスク装置において、前記ハードディスクが
請求項２３記載のハードディスクであることを特徴とす
る装置。 - 【請求項２５】 中央演算処理回路ＣＰＵ、このＣＰＵ
のアドレス空間に接続されるメインメモリー、ハードデ
ィスク装置、データの入力部及び表示装置を備えたコン
ピュータにおいて、前記ハードディスク装置が請求項２
４記載のハードディスク装置であることを特徴とするコ
ンピュータ。
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