JP3099914B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラや電子ス
チルカメラ等に用いられる固体撮像装置に係わり、特に
固体撮像素子チップの実装技術の改良をはかった固体撮
像装置に関する。
チルカメラ等に用いられる固体撮像装置に係わり、特に
固体撮像素子チップの実装技術の改良をはかった固体撮
像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の固体撮像装置は、図６に
示すようにセラミックのパッケージ１に固体撮像素子チ
ップ２を配置し、電気的な接続はボンディングワイヤー
３によって行われていた。また、固体撮像素子チップ２
を保護するために、パッケージ１上にカバーガラス４を
接着剤等によって接着，固定し、封止するのが一般的で
あった。
示すようにセラミックのパッケージ１に固体撮像素子チ
ップ２を配置し、電気的な接続はボンディングワイヤー
３によって行われていた。また、固体撮像素子チップ２
を保護するために、パッケージ１上にカバーガラス４を
接着剤等によって接着，固定し、封止するのが一般的で
あった。
【０００３】しかしながら、上記の方法ではワイヤーボ
ンディングのためのパッド部分や、カバーガラスを固定
するための部分が必要不可欠であり、これらがパッケー
ジ全体の大きさを決定していた。このため、撮像面方向
で比較した場合、パッケージは固体撮像素子チップより
かなり大きくならざるをえず、固体撮像装置全体が大型
化してしまう。
ンディングのためのパッド部分や、カバーガラスを固定
するための部分が必要不可欠であり、これらがパッケー
ジ全体の大きさを決定していた。このため、撮像面方向
で比較した場合、パッケージは固体撮像素子チップより
かなり大きくならざるをえず、固体撮像装置全体が大型
化してしまう。
【０００４】これらの問題を解決するために、光透過型
の基板に固体撮像素子チップをバンプを用いてフェース
ダウンで実装し、基板の側面で外部回路と接続する方法
が提案されている。
の基板に固体撮像素子チップをバンプを用いてフェース
ダウンで実装し、基板の側面で外部回路と接続する方法
が提案されている。
【０００５】図７に、フェースダウン実装による固体撮
像装置の一例の断面図を示す。固体撮像素子チップ２０
は、バンプ３１を用いてガラス基板１０上に設けられた
厚膜配線１１に接続されており、さらにその厚膜配線１
１はガラス基板１０の側面に回り込んでフレキシブルプ
リント基板３２に接続されている。なお、チップ２０と
ガラス基板１０の間、さらにはチップ２０の裏面はシリ
コーン系の樹脂３３で封止されている。
像装置の一例の断面図を示す。固体撮像素子チップ２０
は、バンプ３１を用いてガラス基板１０上に設けられた
厚膜配線１１に接続されており、さらにその厚膜配線１
１はガラス基板１０の側面に回り込んでフレキシブルプ
リント基板３２に接続されている。なお、チップ２０と
ガラス基板１０の間、さらにはチップ２０の裏面はシリ
コーン系の樹脂３３で封止されている。
【０００６】この方法によれば、従来のセラミックパッ
ケージを用いた固体撮像装置のようにワイヤーボンディ
ングのためのパッドや、カバーガラスを固定する部分が
不要であるため、大幅な小型化が実現できる。特に、撮
像面方向で比較した場合、固体撮像素子チップと同等の
大きさで該チップを実装することができる。
ケージを用いた固体撮像装置のようにワイヤーボンディ
ングのためのパッドや、カバーガラスを固定する部分が
不要であるため、大幅な小型化が実現できる。特に、撮
像面方向で比較した場合、固体撮像素子チップと同等の
大きさで該チップを実装することができる。
【０００７】しかしながら、この方法は次に示すような
困難な問題を有している。図６に示したような構造では
固体撮像素子チップの撮像面とカバーガラスは距離が離
れており、またカバーガラス側面からの反射光はその大
部分がセラミックパッケージで遮られるため、カバーガ
ラスの側面で反射した光が固体撮像素子チップの撮像面
に入射することは比較的少なかった。しかし、図７に示
したようなフェースダウン実装による固体撮像装置の場
合には、固体撮像素子チップの撮像面とガラス基板の距
離が近いため、その側面で反射した光が撮像面に達し、
映像に影響を与えることがある。これは、固体撮像素子
チップを搭載するガラス基板の外径が小さく、その厚さ
が厚いほど、また使用するレンズの焦点距離が短いほ
ど、良く現れる現象である。
困難な問題を有している。図６に示したような構造では
固体撮像素子チップの撮像面とカバーガラスは距離が離
れており、またカバーガラス側面からの反射光はその大
部分がセラミックパッケージで遮られるため、カバーガ
ラスの側面で反射した光が固体撮像素子チップの撮像面
に入射することは比較的少なかった。しかし、図７に示
したようなフェースダウン実装による固体撮像装置の場
合には、固体撮像素子チップの撮像面とガラス基板の距
離が近いため、その側面で反射した光が撮像面に達し、
映像に影響を与えることがある。これは、固体撮像素子
チップを搭載するガラス基板の外径が小さく、その厚さ
が厚いほど、また使用するレンズの焦点距離が短いほ
ど、良く現れる現象である。
【０００８】側面からの光が撮像面に入射した場合、そ
の光は得ようとしている映像光とは別のものであるた
め、映像画面に輝線や輝点となって現れ、固体撮像装置
の不良の原因となる。マスク等によって側面への光の入
射を最初から抑える方法も考えられるが、マスクの寸法
や位置にかなりの精度が要求されるため、実現にはコス
トの増加を伴うため適当ではない。
の光は得ようとしている映像光とは別のものであるた
め、映像画面に輝線や輝点となって現れ、固体撮像装置
の不良の原因となる。マスク等によって側面への光の入
射を最初から抑える方法も考えられるが、マスクの寸法
や位置にかなりの精度が要求されるため、実現にはコス
トの増加を伴うため適当ではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、フェ
ースダウンという方法によって小型の固体撮像装置を実
現しようとした場合、実装のための光透過性基板の側面
からの反射光の影響により画像品質が劣化するという問
題があった。また、側面からの反射光を抑えるために
は、基板の大きさやレンズの焦点距離等に制約を受ける
という不具合を有していた。
ースダウンという方法によって小型の固体撮像装置を実
現しようとした場合、実装のための光透過性基板の側面
からの反射光の影響により画像品質が劣化するという問
題があった。また、側面からの反射光を抑えるために
は、基板の大きさやレンズの焦点距離等に制約を受ける
という不具合を有していた。
【００１０】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、フェースダウン実装で
ありながら、光透過性基板の大きさやレンズの焦点距離
等に拘らず、光透過性基板の側面での光の反射によって
画像に悪影響が生じるのを防止でき、小型で画像品質の
高い固体撮像装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、フェースダウン実装で
ありながら、光透過性基板の大きさやレンズの焦点距離
等に拘らず、光透過性基板の側面での光の反射によって
画像に悪影響が生じるのを防止でき、小型で画像品質の
高い固体撮像装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、光透過
性基板の光入射面と出射面を除いた側面からの反射光の
影響を抑えるために、側面に入射した光を散乱させるこ
とにある。
性基板の光入射面と出射面を除いた側面からの反射光の
影響を抑えるために、側面に入射した光を散乱させるこ
とにある。
【００１２】即ち本発明は、一主面に導体パターンが設
けられた光透過性基板と、この基板の導体パターンが形
成された主面に受光面側を取り付けられる固体撮像素子
とを具備した固体撮像装置において、光透過性基板の光
入射面と光出射面を除いた側面を凹凸加工してなること
を特徴とする。
けられた光透過性基板と、この基板の導体パターンが形
成された主面に受光面側を取り付けられる固体撮像素子
とを具備した固体撮像装置において、光透過性基板の光
入射面と光出射面を除いた側面を凹凸加工してなること
を特徴とする。
【００１３】また、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 光透過性基板の側面の中心線平均粗さＲａを０．０
５μｍ以上に設定する。 (2) 光透過性基板の側面の中心線平均粗さＲａを５μｍ
以下に設定する。 (3) 光透過性基板の側面の中心線平均粗さＲａを、０．
０５≦Ｒａ≦５μｍに設定し、この側面にスクリーン印
刷法により厚膜配線からなる導体パターンを形成し、該
側面の導体パターンに配線基板を電気的に接続する。
は、次のものがあげられる。 (1) 光透過性基板の側面の中心線平均粗さＲａを０．０
５μｍ以上に設定する。 (2) 光透過性基板の側面の中心線平均粗さＲａを５μｍ
以下に設定する。 (3) 光透過性基板の側面の中心線平均粗さＲａを、０．
０５≦Ｒａ≦５μｍに設定し、この側面にスクリーン印
刷法により厚膜配線からなる導体パターンを形成し、該
側面の導体パターンに配線基板を電気的に接続する。
【００１４】
【作用】本発明によれば、固体撮像素子チップが搭載さ
れた光透過性基板の光入射面と光出射面を除いた側面を
凹凸加工することにより、側面に入射してきた光が側面
で乱反射するため、固体撮像素子チップの撮像面に達す
ることはない。特に、側面の中心線平均粗さＲａを０．
０５μｍ以上とすると、側面の反射による影響を殆ど無
視することが可能となる。従って、固体撮像素子チップ
と略同様の大きさを持つ光透過性基板であっても、焦点
距離の短いレンズを使用しても、側面からの反射光が画
像に影響を与えることがない。
れた光透過性基板の光入射面と光出射面を除いた側面を
凹凸加工することにより、側面に入射してきた光が側面
で乱反射するため、固体撮像素子チップの撮像面に達す
ることはない。特に、側面の中心線平均粗さＲａを０．
０５μｍ以上とすると、側面の反射による影響を殆ど無
視することが可能となる。従って、固体撮像素子チップ
と略同様の大きさを持つ光透過性基板であっても、焦点
距離の短いレンズを使用しても、側面からの反射光が画
像に影響を与えることがない。
【００１５】また、光透過性基板の主面のみならず側面
にも厚膜配線等からなる導体パターンを形成する場合、
Ｒａを０．０５μｍ以上にしておけば、側面における導
体パターンと光透過性基板との密着強度が向上するとい
う利点もある。なお、側面における導体パターンの断線
を防ぐためには、側面の中心線平均粗さＲａを５μｍ以
下にした方が望ましい。
にも厚膜配線等からなる導体パターンを形成する場合、
Ｒａを０．０５μｍ以上にしておけば、側面における導
体パターンと光透過性基板との密着強度が向上するとい
う利点もある。なお、側面における導体パターンの断線
を防ぐためには、側面の中心線平均粗さＲａを５μｍ以
下にした方が望ましい。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１７】図１は、本発明の一実施例に係わる固体撮
像装置の概略構成を示す断面図である。図中１０はガラ
ス基板（光透過性基板）であり、この基板１０の一主面
には金ペーストを印刷，焼成して厚膜配線（導体パター
ン）１１が形成されている。この厚膜配線１１の一部
は、ガラス基板１０の一側面に回り込んで形成されてい
る。２０はＣＣＤ型の固体撮像素子チップであり、この
チップ２０の一主面には撮像部２１とその周辺の電極パ
ッド２２が形成されている。
像装置の概略構成を示す断面図である。図中１０はガラ
ス基板（光透過性基板）であり、この基板１０の一主面
には金ペーストを印刷，焼成して厚膜配線（導体パター
ン）１１が形成されている。この厚膜配線１１の一部
は、ガラス基板１０の一側面に回り込んで形成されてい
る。２０はＣＣＤ型の固体撮像素子チップであり、この
チップ２０の一主面には撮像部２１とその周辺の電極パ
ッド２２が形成されている。
【００１８】ガラス基板１０の主面に形成された厚膜配
線１１には、固体撮像素子チップ20の電極パッド２２が
半田バンプ３１を介して接続されている。また、ガラス
基板１０の側面に回り込んだ厚膜配線１１にはフレシキ
ブルプリント基板３２が接続されている。そして、ガラ
ス基板１０と固体撮像素子チップ２０との間及びチップ
２０の裏面は、シリコーン樹脂３３で封止されている。
線１１には、固体撮像素子チップ20の電極パッド２２が
半田バンプ３１を介して接続されている。また、ガラス
基板１０の側面に回り込んだ厚膜配線１１にはフレシキ
ブルプリント基板３２が接続されている。そして、ガラ
ス基板１０と固体撮像素子チップ２０との間及びチップ
２０の裏面は、シリコーン樹脂３３で封止されている。
【００１９】ここまでの基本構成は、図７に示した従来
装置と同様であるが、本実施例ではこれに加え、ガラス
基板１０の光入射面と光出射面を除く側面に、入射光が
乱反射するような凹凸加工を施している。即ち、ガラス
基板１０の側面を、中心線平均粗さＲａが０．０５〜５
μｍ、例えば１μｍとなるように加工した。具体的に
は、ガラス基板１０の側面を＃１０００程度の研磨材で
研磨する方法や、光入射面と光出射面をレジストで保護
し、直径１μｍ以下の粉体と一緒にミキシングする方法
等があげられる。
装置と同様であるが、本実施例ではこれに加え、ガラス
基板１０の光入射面と光出射面を除く側面に、入射光が
乱反射するような凹凸加工を施している。即ち、ガラス
基板１０の側面を、中心線平均粗さＲａが０．０５〜５
μｍ、例えば１μｍとなるように加工した。具体的に
は、ガラス基板１０の側面を＃１０００程度の研磨材で
研磨する方法や、光入射面と光出射面をレジストで保護
し、直径１μｍ以下の粉体と一緒にミキシングする方法
等があげられる。
【００２０】中心線平均粗さＲａは、図２に示すよう
に、断面形状を粗さ曲線ｆ（ｘ）として表し、粗さ曲線
ｆ（ｘ）の上下の面積が等しくなるように中心線を決定
して、これをｘ軸とし、測定長さをＬとすると、
に、断面形状を粗さ曲線ｆ（ｘ）として表し、粗さ曲線
ｆ（ｘ）の上下の面積が等しくなるように中心線を決定
して、これをｘ軸とし、測定長さをＬとすると、
【００２１】
【数１】
【００２２】で定義される。これは、中心線で粗さ曲線
の谷の部分を折り返してできた曲線を平滑化したときに
できる直線の中心からの距離であり、ｆ（ｘ）の絶対偏
差平均である。また、最大高さＲmax とＲａとの間に
は、Ｒmax ≦４・Ｒａの関係がある。
の谷の部分を折り返してできた曲線を平滑化したときに
できる直線の中心からの距離であり、ｆ（ｘ）の絶対偏
差平均である。また、最大高さＲmax とＲａとの間に
は、Ｒmax ≦４・Ｒａの関係がある。
【００２３】図３に、固体撮像素子チップの撮像面への
側面からの反射光入射率と中心線平均粗さＲａとの関係
の一例を示す。Ｒａが０．０５μｍ以下の場合、即ち鏡
面に近い状態では側面で反射したかなりの量の光が撮像
面に達することが分かる。このことにより、側面からの
反射光の影響を抑えるにはＲａが０．０５μｍ以上の状
態が望ましいといえる。
側面からの反射光入射率と中心線平均粗さＲａとの関係
の一例を示す。Ｒａが０．０５μｍ以下の場合、即ち鏡
面に近い状態では側面で反射したかなりの量の光が撮像
面に達することが分かる。このことにより、側面からの
反射光の影響を抑えるにはＲａが０．０５μｍ以上の状
態が望ましいといえる。
【００２４】また、本実施例では前述したように、表面
に金の厚膜配線１１をスクリーン印刷により形成し、こ
の厚膜配線１１を半田バンプ３１によって固体撮像素子
チップ２０の電極パッド２１と接続した。さらに、厚膜
配線１１は側面の１つに回り込んでおり、側面でフレシ
キブルプリント基板３２を用いて外部回路と接続してい
る。
に金の厚膜配線１１をスクリーン印刷により形成し、こ
の厚膜配線１１を半田バンプ３１によって固体撮像素子
チップ２０の電極パッド２１と接続した。さらに、厚膜
配線１１は側面の１つに回り込んでおり、側面でフレシ
キブルプリント基板３２を用いて外部回路と接続してい
る。
【００２５】一般に、厚膜に限らずガラス基板に対して
配線の密着強度を高めることは難しく、配線の膜剥がれ
によって不良が発生することがあるが、表面に形成され
た配線については封止樹脂３３によって封止をするた
め、直接配線に大きな力が掛かることがなく、不良は発
生しにくい。しかし、本実施例のように側面に配線し、
プリント基板３２を接続するような場合には、側面配線
に直接、剪断や引っ張り等の力が掛かる。従って、より
強い密着強度が要求される。
配線の密着強度を高めることは難しく、配線の膜剥がれ
によって不良が発生することがあるが、表面に形成され
た配線については封止樹脂３３によって封止をするた
め、直接配線に大きな力が掛かることがなく、不良は発
生しにくい。しかし、本実施例のように側面に配線し、
プリント基板３２を接続するような場合には、側面配線
に直接、剪断や引っ張り等の力が掛かる。従って、より
強い密着強度が要求される。
【００２６】図４に、側面配線の密着強度と中心線平均
粗さＲａとの関係の一例を示す。密着強度は反射光入射
率の場合と同様に、Ｒａが０．０５μｍ以上になると大
きくなる。従って、ガラス基板１０の側面に厚膜配線１
１を形成し、これにプリント基板３２を接続しようとす
る場合も、その接続面のＲａが０．０５μｍ以上である
方が望ましい。
粗さＲａとの関係の一例を示す。密着強度は反射光入射
率の場合と同様に、Ｒａが０．０５μｍ以上になると大
きくなる。従って、ガラス基板１０の側面に厚膜配線１
１を形成し、これにプリント基板３２を接続しようとす
る場合も、その接続面のＲａが０．０５μｍ以上である
方が望ましい。
【００２７】図５に、厚膜配線の接続不良発生率と中心
線平均粗さＲａとの関係の一例を示す。接続不良発生率
とは、配線の断線等によるオープンや接続抵抗の増加の
発生率を示している。これを見ると、Ｒａが５μｍ以上
になると不良の発生が急激に多くなることが分かる。一
般に、厚膜配線の膜厚は数μｍから２０μｍ程度であ
り、Ｒａが５μｍ以上になると最大高さＲmax は２０μ
ｍとなり、表面の凹凸による断面、若しくは配線膜が薄
くなることが十分考えられる。従って、側面に配線を施
す場合、単純にＲａが大きければ良いわけではなく、配
線の断線を防ぐためにＲａを５μｍ以下に抑える必要が
ある。
線平均粗さＲａとの関係の一例を示す。接続不良発生率
とは、配線の断線等によるオープンや接続抵抗の増加の
発生率を示している。これを見ると、Ｒａが５μｍ以上
になると不良の発生が急激に多くなることが分かる。一
般に、厚膜配線の膜厚は数μｍから２０μｍ程度であ
り、Ｒａが５μｍ以上になると最大高さＲmax は２０μ
ｍとなり、表面の凹凸による断面、若しくは配線膜が薄
くなることが十分考えられる。従って、側面に配線を施
す場合、単純にＲａが大きければ良いわけではなく、配
線の断線を防ぐためにＲａを５μｍ以下に抑える必要が
ある。
【００２８】このように本実施例によれば、ガラス基板
１０の光入射面と光出射面を除いた側面に中心線平均粗
さＲａが０．０５〜５μｍ、例えば１μｍとなるように
凹凸加工を施すことにより、基板の大きさや、レンズの
焦点距離を選ばず、側面での光の反射によって画像に影
響を受けることのない、小型，軽量の固体撮像装置を実
現することが可能となる。また、側面の中心線平均粗さ
Ｒａを０．０５μｍ以上としているので、側面に形成す
る厚膜配線１１の密着強度を十分高めることができ、厚
膜配線１１の剥がれを防止することができる。さらに、
Ｒａを５μｍ以下としているので、厚膜配線１１の段切
れを防止することもできる。
１０の光入射面と光出射面を除いた側面に中心線平均粗
さＲａが０．０５〜５μｍ、例えば１μｍとなるように
凹凸加工を施すことにより、基板の大きさや、レンズの
焦点距離を選ばず、側面での光の反射によって画像に影
響を受けることのない、小型，軽量の固体撮像装置を実
現することが可能となる。また、側面の中心線平均粗さ
Ｒａを０．０５μｍ以上としているので、側面に形成す
る厚膜配線１１の密着強度を十分高めることができ、厚
膜配線１１の剥がれを防止することができる。さらに、
Ｒａを５μｍ以下としているので、厚膜配線１１の段切
れを防止することもできる。
【００２９】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。実施例では、実装基板としてガラス基
板を用いたが、これに限らず主面に導体パターンを形成
できる光透過性基板であれば用いることができる。ま
た、導体パターンはスクリーン印刷による厚膜に限ら
ず、他の方法による厚膜、さらに蒸着やスパッタ等によ
る薄膜であってもよい。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができる。
るものではない。実施例では、実装基板としてガラス基
板を用いたが、これに限らず主面に導体パターンを形成
できる光透過性基板であれば用いることができる。ま
た、導体パターンはスクリーン印刷による厚膜に限ら
ず、他の方法による厚膜、さらに蒸着やスパッタ等によ
る薄膜であってもよい。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、光
入射面と光出射面を除いた側面の中心線平均粗さＲａが
０．０５μｍ以上５μｍ以下のガラス基板に固体撮像素
子チップをフリップチップ接続することによって、基板
の大きさや、レンズの焦点距離を選ばず、側面での光の
反射によって画像に影響を受けることのない、小型，軽
量の固体撮像装置を実現することが可能となる。
入射面と光出射面を除いた側面の中心線平均粗さＲａが
０．０５μｍ以上５μｍ以下のガラス基板に固体撮像素
子チップをフリップチップ接続することによって、基板
の大きさや、レンズの焦点距離を選ばず、側面での光の
反射によって画像に影響を受けることのない、小型，軽
量の固体撮像装置を実現することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係わる固体撮像装置の概略
構成を示す断面図、
構成を示す断面図、
【図２】中心線平均粗さＲａの定義を説明するための模
式図、
式図、
【図３】実施例における反射光入射率と中心線平均粗さ
Ｒａとの関係を示す特性図、
Ｒａとの関係を示す特性図、
【図４】実施例における配線密着強度と中心線平均粗さ
Ｒａとの関係を示す特性図、
Ｒａとの関係を示す特性図、
【図５】実施例における不良発生率と中心線平均粗さＲ
ａとの関係を示す特性図、
ａとの関係を示す特性図、
【図６】従来のワイヤーボンディングによる固体撮像装
置の概略構成を示す断面図、
置の概略構成を示す断面図、
【図７】従来のフリップチップ実装された固体撮像装置
の概略構成を示す断面図。
の概略構成を示す断面図。
１０…ガラス基板（光透過性基板）、 １１…厚膜配線（導体パターン）、 ２０…固体撮像素子チップ、 ２１…撮像部、 ２２…電極パッド、３１…半田バンプ、 ３２…フレキシブルプリント基板（配線基板）、 ３３…封止樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 H01L 21/60 311 H04N 5/335
Claims (2)
- 【請求項１】一主面に導体パターンが設けられた光透過
性基板と、この基板の導体パターンが形成された主面に
受光面側を取り付けられた固体撮像素子チップとを具備
した固体撮像装置において、 前記光透過性基板の光入射面と光出射面を除いた側面を
凹凸加工してなることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】前記光透過性基板の側面の中心線平均粗さ
Ｒａが、０．０５≦Ｒａ≦５μｍであり、この側面に厚
膜配線からなる導体パターンが形成され、該側面の導体
パターンに配線基板が電気的に接続されていることを特
徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03338247A JP3099914B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03338247A JP3099914B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175472A JPH05175472A (ja) | 1993-07-13 |
| JP3099914B2 true JP3099914B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=18316314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03338247A Expired - Fee Related JP3099914B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3099914B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101201384B1 (ko) * | 2004-10-12 | 2012-11-14 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자용 커버유리 및 그 제조방법 |
| JP4756337B2 (ja) * | 2004-10-12 | 2011-08-24 | 日本電気硝子株式会社 | 固体撮像素子用カバーガラス |
| JP4794283B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-10-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP03338247A patent/JP3099914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05175472A (ja) | 1993-07-13 |
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Legal Events
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