JP3066192B2 - 反射型アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、バックライトを使用し
ない反射型液晶表示装置などに用いられる反射型アクテ
ィブマトリクス基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビ等への液晶表示装置の応用が
急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも、外
部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低
く、薄型、軽量化が可能であるので注目されている。そ
のような反射型液晶表示装置には、従来よりＴＮ（ツイ
ステッドネマティック）方式、ＳＴＮ（スーパーツイス
テッドネマティック）方式が用いられている。

【０００３】しかし、これらの方式では、液晶表示装置
に添設される直線偏光子により必然的に自然光の光強度
の１／２が表示に利用されないため表示が暗くなる。そ
こで、自然光の全ての光線を有効に利用しようとする表
示モードが提案されている。その１つとして相転移型ゲ
スト・ホスト方式が挙げられる（Ｄ．Ｌ．Ｗｈｉｔｅａ
ｎｄ Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．４５ ４７１８１９７４）。

【０００４】この方式の表示モードを有する液晶表示装
置は、電界によるコレステッリク・ネマチック相転移現
象が利用され、直線偏光子等の偏光板を必要としない。
かかる液晶表示装置に更にマイクロカラーフイルタを組
み合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案され
ている（Ｔａｔｓｕｏ Ｕｃｈｉｄａ ｅｔｃ Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ Ｖｏｌ．
２９ １５７ １９８８）。

【０００５】このような偏光板を必要としない表示モー
ドで、更に明るい表示を得る為には、あらゆる角度から
の入射光に対して表示画面に垂直な方向へ散乱する光の
強度を増加させる必要がある。そのためには反射板上の
反射特性を制御し、最適な反射特性を有する反射板を製
造することが必要になる。上述の反射型マルチカラーデ
ィスプレイを提案した文献では、絶縁性のガラス基板の
表面に形成される凹凸の形状を制御し、その凹凸となっ
たガラス基板上にＡｇ等の金属薄膜を形成した反射板に
ついて記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記提
案の反射板は、ガラス基板の表面を研磨材によって傷付
けて凹凸形状とするので、均一な形状の凹凸部が形成さ
れず、形状の再現性が悪いという欠点がある。また、こ
のようなガラス基板を用いると、良好な反射特性を有す
る反射型液晶表示装置を安定して提供することができな
い。

【０００７】そこで、本願出願人は上記欠点を改善すべ
く以下の反射板を提案している（特願平３−４５７３
号）。この反射板は、絶縁性基板に感光性樹脂を塗布し
てパターン化し、更に熱処理を行ってパターン部分の上
縁部を丸くなるように角落しを行い、その後、パターン
が形成された絶縁性基板の上に高分子樹脂を流して高分
子樹脂膜を形成し、この高分子樹脂膜の上に光反射機能
を有する反射薄膜を形成することにより作製される。

【０００８】このようにして作製された反射板は、反射
薄膜の表面が滑らかであるため多重反射が少なく明るい
ものとなる。しかし、パターンの形成がない絶縁性基板
部分の上の反射薄膜が平坦となっていることがあり、場
合によっては波長依存性のある反射光が生じて干渉色が
発生するという問題があった。

【０００９】本発明は、このような従来技術の問題を解
決すべくなされたものであり、波長依存性が少ない良好
な反射特性を有し、しかも再現性良く反射特性が得られ
る反射型アクティブマトリクス基板の製造方法を提供す
ることを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の反射型アクティ
ブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反
射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に
配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成さ
れた反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であっ
て、該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを
異ならせた凸部を形成する工程と、該凸部を形成した基
板の上に、連続した波状をした上表面を有する高分子樹
脂膜を形成する工程と、該高分子樹脂膜の上に光反射機
能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、を
含むことを特徴としており、そのことにより上記目的が
達成される。本発明の反射型アクティブマトリクス基板
の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材
料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素
電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクテ
ィブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の
形成箇所に少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を
高分子樹脂を用いて形成する工程と、該凸部を形成した
基板に加熱処理を施し、該凸部を形成する高分子樹脂を
軟化し、該凸部の角部を丸くする工程と、該凸部の上に
光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工
程と、を含むことを特徴としており、そのことにより上
記目的が達成される。本発明の反射型アクティブマトリ
クス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を
有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設さ
れ、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反
射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該
絵素電極の形成箇所に、少なくとも２以上の直径を異な
らせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用い
て、少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を光学的
に形成する工程と、該凸部の上に光反射機能を有する材
料からなる絵素電極を形成する工程と、を含むことを特
徴としており、そのことにより上記目的が達成される。

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【作用】干渉光の発生は、図６により説明される。この
図は、ガラス基板側から光が入射し、その入射光が反射
膜で反射されてガラス基板から出射する状態を示してい
る。この場合において、干渉光の発生は、入射角θiで
入射した光が反射膜の凸部上と麓部で反射され、出射角
θoで出射する場合に起こると考えられる。そのときの
両光の光路差δは下記１式により表わされる。

【００１５】 δ＝Ｌｓｉｎθｉ＋ｈ（１／ｃｏｓθｉ’＋１／ｃｏｓθｏ’）・ｎ −｛Ｌｓｉｎｅθｏ＋ｈ（ｔａｎθｉ’＋ｔａｎθｏ’）ｓｉｎθｏ｝ ＝Ｌ（ｓｉｎθｉ−ｓｉｎθｏ）＋ｈ｛（１／ｃｏｓθｉ’＋１／ｃｏｓθｏ ’）・ｎ−（ｔａｎθｉ’＋ｔａｎθｏ’）ｓｉｎθｏ｝ …（１） 但し、θｉ’は反射膜の麓部での入射角 θｏ’は反射膜の麓部での出射角 Ｌは両光のガラス基板への入射点間の距離 ｈは両光が反射される反射膜の凸部の麓部に対する高さ ｎはガラス基板の屈折率 この１式は、θｉ＝θｏ、θｉ’＝θｏ’のときにのみ
計算できるから、このときθｉ＝θｏ＝θ、θｉ’＝θ
ｏ’＝θ’とすると、光路差δは下記２式として表され
る。

【００１６】 δ＝ｈ｛２ｎ／ｃｏｓθ’−２ｔａｎθ’・ｓｉｎθ｝ …（２） 一方、任意の波長λ1とλ2を考慮すると、δ／λ1＝ｍ
±１／２（ｍは整数）のとき弱め合い、δ／λ2＝ｍ の
とき強め合う。よって、下記３式が成り立つ。

【００１７】 δ（１／λ1−１／λ2）＝１／２…（３） この３式は、下記４式としても表される。

【００１８】 δ＝（λ1・λ2）／２・（λ2−λ1）…（４） したがって、上記２式と４式とにより、高さｈは下記５
式で表される。

【００１９】 ｈ＝１／２・｛（λ1・λ2）／（λ2−λ1）｝ ・｛ｃｏｓθ’／（２ｎ−２ｓｉｎθ’・ｓｉｎθ）｝…（５） 以上のことより、本願発明者らは、干渉色を無くすため
には反射膜の反射面を連続する波状に形成すればよいこ
とを知見した。

【００２０】そこで、本発明は、このような反射膜を形
成する方法として、少くとも２以上で高さが異なる凸部
を板状のベース部材の上に形成し、更に、その凸部を有
するベース部材の上に高分子樹脂膜を作成し、その上に
光反射機能を有する材料で反射薄膜を形成するようにし
た。

【００２１】このようにして形成される反射薄膜をアク
ティブマトリクス基板の絵素電極に適用すると、その絵
素電極は反射面が連続する波状となっているので、反射
した光の干渉がなくなる。また、凸部をフォトマスクを
用いて光学的に形成する場合は、光照射条件を同一にす
ると再現性よく凸部の形成が可能となる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。

【００２３】図１は本発明アクティブマトリクス基板の
一実施例の平面図を示し、図２は図１のＡ−Ａ線に於け
る断面図を示す。この反射型アクティブマトリクス基板
２０は、絶縁性基板であるガラス基板１１の上に、走査
線としての複数のゲートバスライン２２及び信号線とし
てのソースバスライン２４が相互に交差して設けられて
いる。各ゲートバスライン２２及び各ソースバスライン
２４によって囲まれた矩形状の領域内には光反射機能を
有する絵素電極１９が配置されている。各絵素電極１９
が配置された領域内の隅部には、ゲートバスライン２２
から絵素電極１９に向かって延設されたゲート電極２３
が分岐されており、ゲート電極２３の先端部分にスイッ
チング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２１が形
成されている。上記ゲート電極２３はＴＦＴ２１の一部
を構成する。

【００２４】ソースバスライン２４からは絵素電極１９
に向かって延出するソース電極２５が配置されており、
ソース電極２５の先端部がゲート電極２３上に絶縁状態
で重畳されて、各ＴＦＴ２１の一部を構成する。ゲート
電極２３の上には、ソース電極２５とは間隔を空け、か
つ、ゲート電極２３とは絶縁状態で重畳してＴＦＴ２１
のドレイン電極２６が設けられており、ドレイン電極２
６が絵素電極１９にそれぞれ電気的に接続されている。

【００２５】ＴＦＴ２１は、図２に示すように、ガラス
基板１１の上に形成された上記ゲート電極２３の上方に
配設されている。ゲート電極２３は、ガラス基板１１の
全体に積層されたゲート絶縁膜１１ａによって覆われ、
ゲート絶縁膜１１ａの上には、ゲート電極２３の上方を
覆うように半導体層２７が積層されている。この半導体
層２７上の両端部を覆って一対のコンタクト層２８、２
８が形成層され、一方のコンタクト層２８の上に上記ソ
ース電極２５が、他方のコンタクト層２８の上に上記ド
レイン電極２６が形成されている。

【００２６】一方、上述した光反射機能を有する絵素電
極１９の下には、ガラス基板１１の上に交互に形成した
高さの高い凸部１４ａ及び高さの低い凸部１４ｂと、こ
れら凸部１４ａ及び１４ｂの上に形成された高分子樹脂
膜１５とが存在する。この高分子樹脂膜１５の上表面
は、上述した凸部１４ａ及び１４ｂの存在により、連続
する波状となっている。高分子樹脂膜１５は、絵素電極
１９の下方だけでなくガラス基板１１のほぼ全面にわた
って形成されており、材質としては本実施例では例え
ば、東京応化社製のＯＦＰＲ−８００を使用している。
上記凸部１４ａ及び１４ｂの上に存在し、上表面が連続
する波状となっている高分子樹脂膜１５部分の上に、上
述した絵素電極１９が形成され、この絵素電極１９は光
反射機能を有する、例えばＡｌにより形成されている。
なお、絵素電極１９はコンタクトホール２９を介してド
レイン電極２６と電気的に接続されている。

【００２７】次に、上記反射型アクティブマトリクス基
板の要部である絵素電極１９の形成方法を図３に基づい
て説明する。

【００２８】まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基
板１１の上に、光感光性樹脂からなるレジスト膜１２を
スピンコート方式により形成する。本実施例では、ガラ
ス基板１１としては、例えばコーニング社製の商品名が
７０５９である厚さ１．１ｍｍのものを用いた。また、
レジスト膜１２としては、高分子樹脂膜１５と同一の材
料である上述したＯＦＰＲ−８００の光感光性樹脂を、
好ましくは５００ｒ．ｐ．ｍ．から３０００ｒ．ｐ．
ｍ．のスピンコート方式で形成している。本実施例では
１５００ｒ．ｐ．ｍ．で３０秒スピンコートし、レジス
ト膜１２の厚さは２．５μｍとした。

【００２９】次に、レジスト膜１２が形成されたガラス
基板１１を、例えば９０℃で３０分プリベークする。続
いて、図４に示すように、例えば板体１３ｃに２種類の
円形のパターン孔１３ａ、１３ｂが形成されているフォ
トマスク１３を使用し、このフォトマスク１３を、図３
（ｂ）に示すようにレジスト膜１２の上方に配置して、
このフォトマスク１３の上方から図の矢印で示すように
露光する。なお、本実施例のフォトマスク１３は、直径
５μｍの円形をしたパターン孔１３ａと、直径３μｍの
円形をしたパターン孔１３ｂとがランダムに配置されて
おり、相互に近接するパターン孔の間隔は、少なくとも
２μｍ以上離隔されている。但し、余り離隔し過ぎる
と、高分子樹脂膜１５の上表面が連続する波状となり難
い。

【００３０】次に、例えば東京応化社製のＮＭＤ−３か
らなる濃度２．３８％の現像液を使用して現像を行う。
これにより、図３（ｃ）に示すように、ガラス基板１１
の一方の表面に、高さの異なる微細な凸部１４ａ′、１
４ｂ′が多数個形成される。これら凸部１４ａ′、１４
ｂ′は上縁が角張っている。本実施例では、直径５μｍ
のパターン孔１３ａによって高さ２．４８μｍの凸部１
４ａが形成され、直径３μｍのパターン孔１３ｂによっ
て高さ１．６４μｍの凸部１４ｂが形成された。これら
の凸部１４ａ′、１４ｂ′の高さは、パターン孔１３
ａ、１３ｂの大きさ、露光時間、現像時間によって変化
させることが可能であり、パターン孔１３ａ、１３ｂの
大きさとしても、上述のサイズに限定されない。

【００３１】次に、図３（ｄ）に示すように、凸部１４
ａ′、１４ｂ′を形成したガラス基板１１を２００℃で
１時間加熱して熱処理を行う。これによって、図３
（ｃ）に示したように上端部に角部を有する現像された
ままの凸部１４ａ′、１４ｂ′を軟化させて、前記角部
が丸くなった、つまり角落しされた断面略円形状の凸部
１４ａ、１４ｂを形成する。

【００３２】次に、図３（ｅ）に示すように、熱処理が
済んだガラス基板１１の上に、高分子樹脂をスピンコー
トして高分子樹脂膜１５を形成する。高分子樹脂として
は、上述したＯＦＰＲ−８００を使用し、好ましくは１
０００ｒ．ｐ．ｍ．〜３０００ｒ．ｐ．ｍ．でスピンコ
ートする。本実施例では、２０００ｒ．ｐ．ｍ．でスピ
ンコートした。これにより、凸部１４ａ、１４ｂの形成
がないガラス基板１１の上の部分が平坦であっても、上
表面が連続する波状をした高分子樹脂膜１５が形成され
る。

【００３３】最後に、この高分子樹脂膜１５の上の所定
箇所にＡｌからなる絵素電極１９を、例えばスパッタリ
ングすることにより形成した。絵素電極１９に使用する
に適した材料としては、Ａｌの他に、光反射機能を有す
るＮｉ、Ｃｒ、Ａｇ等を挙げることができ、絵素電極１
９の厚さとしては、０．０１〜１．０μｍ程度が適して
いる。

【００３４】このようにして形成された光反射機能を有
する絵素電極１９は、上述したように高分子樹脂膜１５
がその上表面を連続する波状となして形成されているの
で、同様に上表面が連続する波状となる。

【００３５】ところで、上表面が連続する波状となった
光反射機能を有する絵素電極１９からの反射光の波長依
存性を図５に示すようにして測定した。その測定条件と
して被測定側は、実際の液晶表示装置における絵素電極
１９の使用状態を想定した構成となっている。具体的に
は、ガラス基板として、実際の液晶層に対する屈折率と
ほぼ等しくなる屈折率が１．５のガラス製のダミーガラ
ス１８を使用し、このダミーガラス１８を、絵素電極１
９が形成されたアクティブマトリクス基板の上に、屈折
率が１．５である紫外線硬化接着剤１７を用いて接着し
た状態となしている。

【００３６】一方、測定側は、上記ダミーガラス１８上
の法線ｍ１に対して、入射角θiで入射光Ｌ１’が入射
するように光源Ｌ１を配し、また法線ｍ２に対して受光
角θoの方向に反射する一定角度の光を捉えるべくフォ
トマルチメータＬ２を配している。よって、フォトマル
チメータＬ２は、入射光Ｌ１’が入射角θiでダミーガ
ラス１８に入射して反射された散乱光のうち、受光角θ
oで反射する散乱光Ｌ２’の強度を捉える。本実施例で
は、光源Ｌ１から発せられた光がダミーガラス１８の表
面で反射される正反射光をフォトマルチメータＬ２が捉
えるのを避けるために、θi＝３０°、θi＝２０°の条
件で測定した。

【００３７】なお、比較のために、図７（ａ）に示すよ
うに形成した絵素電極１９ａ（比較例１）及び図７
（ｂ）に示すように形成した絵素電極１９ｂ（比較例
２）に対しても測定を行った。比較例１の絵素電極１９
ａは、角落しされた凸部１４ａ、１４ｂの上に高分子樹
脂膜を省略して直接に形成されており、凸部１４ａ、１
４ｂの上方部分を除いて平坦部１６ａが存在する。比較
例２の絵素電極１９ｂは、上端に角のある凸部１４
ａ′、１４ｂ′の上に、間に高分子樹脂膜１５を介して
形成されており、凸部１４ａ′、１４ｂ′の上方部分が
略平坦に形成されている。両絵素電極１９ａと１９ｂ
は、共にＡｌを使用している。

【００３８】図８は本実施例の反射光の波長依存性を示
し、図９（ａ）及び（ｂ）は比較例１及び比較例２の反
射光の反射特性を示す。各図は、横軸に波長をとり、縦
軸に反射率をとっている。これらの図より理解されるよ
うに、いずれの比較例も反射率に波長依存性を帯びてお
り、干渉色が生じる欠点があるのに対し、本実施例では
反射率に波長依存性はほとんど認められず良好な白色を
している。なお、上述した条件で測定しているので、得
られた結果は、絵素電極１９の表面と実際の液晶層との
境界に於ける反射特性と等価である。

【００３９】なお、フォトマスク１３のパターン孔１３
ａ、１３ｂの形状は、本実施例では円形としているが、
他の形でもよく、例えば長方形、楕円、ストライプ等任
意の形状であってもよい。

【００４０】上記実施例では２つの高さが異なる凸部１
４ａと１４ｂとを形成しているが、本発明はこれに限ら
ず、３つ以上で高さが異なる凸部を形成してもよい。

【００４１】本発明において、凸部の高さを２以上で変
化させているのは、以下の理由に依る。つまり、同じ高
さであると、隣合う２つの凸部の上に形成された絵素電
極の上表面において反射される光が干渉を起こし易くな
るからである。よって、本発明においては、凸部の高さ
を種々異なるようにすると、より波長依存性を無くする
ことができる。

【００４２】但し、図１に示すように絵素電極１９をゲ
ートバスライン２２の一部やソースバスライン２４の一
部に重畳して形成する場合、その重畳される絵素電極１
９のエッジ部には凸部を形成しない構成とするのが好ま
しい。そのようにすることにより絵素電極１９のパター
ニング不良を無くすことが可能となる。また、そのよう
にすることによりゲートバスライン２２及びソースバス
ライン２４に対して絵素電極１９を重畳して形成でき、
絵素電極１９とゲートバスライン２２との間隔や、絵素
電極１９とソースバスライン２４との間隔を無くするこ
とができるので、絵素電極１９の面積を大きくできる利
点がある。絵素電極１９の面積を大きくできると表示画
面の開口率が大きくなり、明るい表示が可能となる。し
かし、絶縁不良が問題となる時には、重畳部分には凸部
を形成しないのが好ましい。

【００４３】なお、上記実施例では感光性樹脂材料とし
て東京応化社製のＯＦＰＲ−８００を用いているが、本
発明はこれに限るものではなく、ネガ型、ポジ型に拘ら
ず、露光プロセスを用いてパターニングできる感光性樹
脂材料であればよい。例えば、東京応化社製のＯＭＲ−
８３、ＯＭＲ−８５、ＯＮＮＲ−２０、ＯＦＰＲ−２、
ＯＦＰＲ−８３０、又はＯＦＰＲ−５００であってもよ
く、或はＳｈｉｐｌｅｙ社製のＴＦ−２０、１３００−
２７、又は１４００−２７であってもよい。更に、東レ
社製のフォトニース、積水ファインケミカル社製のＲＷ
１０１、日本化薬社製のＲ１０１、Ｒ６３３等であって
もよい。

【００４４】図１０は、上記反射型アクティブマトリク
ス基板２０を使用した反射型液晶表示装置１０の一実施
例を示す。この反射型液晶表示装置１０は、反射型アク
ティブマトリクス基板２０に対向して対向基板３０が設
けられ、これら基板２０と３０との間には、７μｍのス
ペーサを混入した接着性シール剤をスクリーン印刷して
形成された液晶封止層（図示せず）にてシールされて液
晶層３４が形成されている。

【００４５】上記対向基板３０は、ガラス基板３３の上
に形成された絶縁性の補色カラーフィルタ板３１と、こ
の補色カラーフィルタ板３１の全面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が厚み１００ｎｍで形成され
た透明電極３２と、液晶配向膜３３とが形成されてい
る。この液晶配向膜３３は反射型アクティブマトリクス
基板２０の液晶層３４側の内面にも形成されている。

【００４６】上記反射型アクティブマトリクス基板２０
と対向基板３０とは、それぞれの所定表面に液晶配向膜
３３を塗布し、その後焼成することにより形成される。
また、液晶層３４は液晶封止層を形成した後、真空脱気
することにより封入される。液晶層３４には、例えば黒
色色素を混入したゲストホスト液晶であるメルク社製の
商品名がＺＬ１２３２７の液晶に、メルク社製の商品名
がＳ８１１である光学活性物質を４．５％混入したもの
を用いた。

【００４７】かかる構成の反射型液晶表示装置１０は、
絵素電極と対向電極とに電圧を印加した場合において、
角度３０°で入射した光に対するガラス基板の法線方向
の反射率は約２０％で、コントラスト比は５であり、ま
た干渉色は認められず、良好な白色表示が得られた。

【００４８】本実施例の反射型液晶表示装置１０では、
反射型のアクティブマトリクス基板２０の絵素電極１９
を形成した面が、液晶層３４の側に面して配されている
ので視差が無くなり、良好な表示画面が得られる。

【００４９】また、本実施例では反射型アクティブマト
リクス基板２０の絵素電極１９が液晶層３４側、すなわ
ち液晶層３４にほぼ隣接する位置に配されている構成と
なるので、凸部１４ａ、１４ｂの高さはセルの厚みより
小さくなし、また凸部１４ａ、１４ｂの傾斜角度は液晶
層３４の配向を乱さない程度に緩やかにするのが望まし
い。

【００５０】更に、絶縁性基板としては本実施例ではガ
ラス基板１１を用いたが、Ｓｉ基板のように不透明基板
でも同様な効果が発揮される。この場合には、回路をガ
ラス基板１１上に集積できるメリットがある。

【００５１】なお、前記実施例では表示モードとして相
転移型ゲスト・ホストモードを取り上げたがこれに限定
されない。例えば、２層式ゲスト・ホストの様な他の光
吸収モード、高分子分散型ＬＣＤのような、光散乱型表
示モード、強誘電性ＬＣＤで、使用される複屈折表示モ
ードなど、本発明に係わる反射型アクティブマトリクス
基板２０及びその製造方法への適用は可能である。

【００５２】上記実施例ではスイッチング素子としてＴ
ＦＴ２１を用いているが、本発明はこれに限らず、他の
スイッチング素子、例えばＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓ
ｕｌａｔｅｒ−Ｍｅｔａｌ）素子、ダイオード、バリス
タ等を用いたアクティブマトリクス基板にも適用でき
る。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明にあっては、
反射機能を有する絵素電極が連続する波状に形成されて
いるので、波長依存性を少なくでき、これにより干渉色
のない良好な白色面を有する表示ができる。また、凸部
をフォトマスクを用いて光学的手法により形成すると、
凸部を再現性よく形成でき、これにより得られる絵素電
極の上表面も再現性のよいものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例の反射型アクティブマトリクス基板を
示す平面図。

【図２】図１のＡ−Ａ線に於ける断面図。

【図３】図１の絵素電極の形成工程を示す断面図。

【図４】本実施例の反射型アクティブマトリクス基板を
製造する際に用いるフォトマスクを示す平面図。

【図５】光反射機能を有する絵素電極の反射特性の測定
方法を示す図。

【図６】光干渉の発生を示す概念図。

【図７】比較例１及び比較例２の絵素電極の断面図。

【図８】本実施例の絵素電極における波長依存性を示す
図。

【図９】比較例１、比較例２の絵素電極における波長依
存性を示す図。

【図１０】本実施例に係る反射型液晶表示装置を示す断
面図。

【符号の説明】

１０ 反射型液晶表示装置 １１ ガラス基板 １２ レジスト膜 １３ フォトマスク １３ａ パターン孔 １３ｂ パターン孔 １４ａ′、１４ｂ′ 角のある凸部 １４ａ、１４ｂ 角落しされた凸部 １５ 高分子樹脂膜 １９ 絵素電極 ２０ 反射型アクティブマトリクス基板 ２１ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ２２ ゲートバスライン ２３ ゲート電極 ２４ ソースバスライン ２５ ソース電極 ２６ ドレイン電極 ２７ 半導体層 ２８ コンタクト層 ２９ コンタクトホール ３０ 対向電極 ３１ 補色カラーフィルタ板 ３２ 透明電極 ３３ 液晶配向膜 ３４ 液晶層

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−136085（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−70585（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−2821（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/136

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に、光反射機能を有する材
   料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素
   電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクテ
   ィブマトリクス基板の製造方法であって、 該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを異な
   らせた凸部を形成する工程と、 該凸部を形成した基板の上に、連続した波状をした上表
   面を有する高分子樹脂膜を形成する工程と、 該高分子樹脂膜の上に光反射機能を有する材料からなる
   絵素電極を形成する工程と、 を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。
2. 【請求項２】 絶縁性基板上に、光反射機能を有する材
   料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素
   電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクテ
   ィブマトリクス基板の製造方法であって、 該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを異な
   らせた凸部を高分子樹脂を用いて形成する工程と、 該凸部を形成した基板に加熱処理を施し、該凸部を形成
   する高分子樹脂を軟化し、該凸部の角部を丸くする工程
   と、 該凸部の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極
   を形成する工程と、 を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。
3. 【請求項３】 絶縁性基板上に、光反射機能を有する材
   料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素
   電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクテ
   ィブマトリクス基板の製造方法であって、 該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２以上の直径を異
   ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用
   いて、少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を光学
   的に形成する工程と、 該凸部の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極
   を形成する工程と、 を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。