JP3028413B1 - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
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- JP3028413B1 JP3028413B1 JP10268654A JP26865498A JP3028413B1 JP 3028413 B1 JP3028413 B1 JP 3028413B1 JP 10268654 A JP10268654 A JP 10268654A JP 26865498 A JP26865498 A JP 26865498A JP 3028413 B1 JP3028413 B1 JP 3028413B1
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- peeling
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 フィルム基板のパターン剥離を防止すること
により、歩留まりを向上させ、安価な電子回路装置及び
液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ＩＣを接続するパターンをＩＣの中心方
向に延長して、剥離防止パターンを形成した。
により、歩留まりを向上させ、安価な電子回路装置及び
液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ＩＣを接続するパターンをＩＣの中心方
向に延長して、剥離防止パターンを形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯機器等や、電
子手帳に使用されている液晶表示装置やＩＣをベアチッ
プ実装している電子回路装置に関する。
子手帳に使用されている液晶表示装置やＩＣをベアチッ
プ実装している電子回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置はドライバＩＣ実装とＣ，
Ｒ等のチップ部品やパッケージＩＣ等の電子部品をフィ
ルム基板に混在実装したＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ ＦＰ
Ｃ）を液晶パネルに実装した製品が量産され始めてい
る。従来、フィルム基板はポリイミドフィルムにフィル
ム状の接着剤をつけ、圧延や電界等の製法のＣｕ箔を貼
りつけてパターニングして形成し、レジストコートや電
界メッキや無電界メッキをしていた。
Ｒ等のチップ部品やパッケージＩＣ等の電子部品をフィ
ルム基板に混在実装したＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ ＦＰ
Ｃ）を液晶パネルに実装した製品が量産され始めてい
る。従来、フィルム基板はポリイミドフィルムにフィル
ム状の接着剤をつけ、圧延や電界等の製法のＣｕ箔を貼
りつけてパターニングして形成し、レジストコートや電
界メッキや無電界メッキをしていた。
【０００３】この３層の構成のフィルム基板は、接着剤
が熱や湿度によって変形するため、１００ミクロン以下
のファインパターンには寸法安定性の面で不向きであっ
た。そのため、この接着剤を取り除いたフィルム基板が
開発されるようになつた。接着剤層のない２層フィルム
基板には、２つの製法がある。一つはＣｕフィルムにポ
リアミック酸ワニスを塗り溶媒を除去した後硬化するキ
ャスティング法とポリイミドフィルムにＣｕをスパッタ
リングもしくは蒸着よりＣｕの薄膜を形成した後、電界
メッキでＣｕを積層する蒸着法である。
が熱や湿度によって変形するため、１００ミクロン以下
のファインパターンには寸法安定性の面で不向きであっ
た。そのため、この接着剤を取り除いたフィルム基板が
開発されるようになつた。接着剤層のない２層フィルム
基板には、２つの製法がある。一つはＣｕフィルムにポ
リアミック酸ワニスを塗り溶媒を除去した後硬化するキ
ャスティング法とポリイミドフィルムにＣｕをスパッタ
リングもしくは蒸着よりＣｕの薄膜を形成した後、電界
メッキでＣｕを積層する蒸着法である。
【０００４】この２つの製法のフィルム基板の違いは、
Ｃｕの厚みである。キャスティング法に使われるＣｕの
厚みは、一般的には１８ミクロンであり、最近では１２
ミクロンが量産化されている。また、９ミクロンが開発
中である。蒸着法ではＣｕの厚みは、２から１８ミクロ
ンまで可能である。ファインパターンを形成するには、
Ｃｕの厚みは薄い方が製法上容易であり、１００ミクロ
ン以下のパターンピッチでは、蒸着法のフィルム基板が
適していた。
Ｃｕの厚みである。キャスティング法に使われるＣｕの
厚みは、一般的には１８ミクロンであり、最近では１２
ミクロンが量産化されている。また、９ミクロンが開発
中である。蒸着法ではＣｕの厚みは、２から１８ミクロ
ンまで可能である。ファインパターンを形成するには、
Ｃｕの厚みは薄い方が製法上容易であり、１００ミクロ
ン以下のパターンピッチでは、蒸着法のフィルム基板が
適していた。
【０００５】また、ＩＣのベアチップ実装は、接着を用
いて接続する場合、 ＩＣのパットにＡｕからなるバン
プをメッキで形成したメッキバンプやワイヤーボンディ
ングを応用したスタッドバンプを用いて、回路基板に異
方性導電膜で圧着するか、または銀ペーストをバンプに
転写して基板と接続し、その間にアンダーフィルを充填
し接続していた。
いて接続する場合、 ＩＣのパットにＡｕからなるバン
プをメッキで形成したメッキバンプやワイヤーボンディ
ングを応用したスタッドバンプを用いて、回路基板に異
方性導電膜で圧着するか、または銀ペーストをバンプに
転写して基板と接続し、その間にアンダーフィルを充填
し接続していた。
【０００６】また、金属拡散接続を用いた場合、 ＩＣ
のバンプに半田を用い、基板の電極に半田付けしアンダ
ーフィルを充填する工法とＩＣのバンプにＡｕを用い基
板側の電極にＳｎメッキを行ない、Ａｕ−Ｓｎ拡散接続
を行いアンダーフィルを充填していた。ＩＣの外部接続
電極のバンプピッチは、例えば液晶駆動ＩＣでは８０ミ
クロンピッチが量産をされているが、５０ミクロンピッ
チや４０ミクロンピッチが開発され始めている。
のバンプに半田を用い、基板の電極に半田付けしアンダ
ーフィルを充填する工法とＩＣのバンプにＡｕを用い基
板側の電極にＳｎメッキを行ない、Ａｕ−Ｓｎ拡散接続
を行いアンダーフィルを充填していた。ＩＣの外部接続
電極のバンプピッチは、例えば液晶駆動ＩＣでは８０ミ
クロンピッチが量産をされているが、５０ミクロンピッ
チや４０ミクロンピッチが開発され始めている。
【０００７】フィルム基板にＩＣを接続し、更にフィル
ム基板を液晶パネルに接続して液晶表示装置を製造して
いた。
ム基板を液晶パネルに接続して液晶表示装置を製造して
いた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】４０ミクロンピッチで
パターンを形成するには、パターンの幅は１０から１５
ミクロンとなる。そのため、蒸着法のフィルム基板を用
いるが、蒸着法はポリイミドとＣｕの密着性があまり良
くない。密着性の改善にはポリイミド表面に、例えばク
ロム，クロム合金，クロム系セラミック，ニッケル，コ
バルト，パラジューム，チタン，ジルコニューム，モリ
ブデン，タングステン，ニクロム合金などの薄膜を蒸着
しＣｕを蒸着更にＣｕメッキをする技術が発表されてい
る。
パターンを形成するには、パターンの幅は１０から１５
ミクロンとなる。そのため、蒸着法のフィルム基板を用
いるが、蒸着法はポリイミドとＣｕの密着性があまり良
くない。密着性の改善にはポリイミド表面に、例えばク
ロム，クロム合金，クロム系セラミック，ニッケル，コ
バルト，パラジューム，チタン，ジルコニューム，モリ
ブデン，タングステン，ニクロム合金などの薄膜を蒸着
しＣｕを蒸着更にＣｕメッキをする技術が発表されてい
る。
【０００９】しかし、これらの技術を用いても、パター
ニング工程や表面処理工程で、パターン幅が細いほどパ
ターンがポリイミドから剥がれる不良が発生した。剥が
れはパターンの先端から、カールするように剥がれる。
この剥がれたパターンに、 ＩＣを接続するのは容易で
ない。本発明の目的は、このパターンの剥がれを防止す
るパターン形状を得ることにある。
ニング工程や表面処理工程で、パターン幅が細いほどパ
ターンがポリイミドから剥がれる不良が発生した。剥が
れはパターンの先端から、カールするように剥がれる。
この剥がれたパターンに、 ＩＣを接続するのは容易で
ない。本発明の目的は、このパターンの剥がれを防止す
るパターン形状を得ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、少なくとも絶縁フィルムに金属のパターンを形成し
たフィルム基板にＩＣがフェイスダウンで接続してなる
電子回路装置及びそれを液晶パネルに接続してなる液晶
表示装置において、フィルム基板にはＩＣの複数のバン
プを接続する複数のパターンが形成してあり、そのパタ
ーンをＩＣの中心方向に延長して、大きい剥離防止のパ
ターンが形成することで、この不良を防止した。
に、少なくとも絶縁フィルムに金属のパターンを形成し
たフィルム基板にＩＣがフェイスダウンで接続してなる
電子回路装置及びそれを液晶パネルに接続してなる液晶
表示装置において、フィルム基板にはＩＣの複数のバン
プを接続する複数のパターンが形成してあり、そのパタ
ーンをＩＣの中心方向に延長して、大きい剥離防止のパ
ターンが形成することで、この不良を防止した。
【００１１】また、パターンのピッチが特に微細である
場合は、一つひとつのパターンに剥離防止のパターンを
形成することができない。そこで、剥離防止パターン
を、数パターンおきに形成することで、歩留まりを向上
した。上記のように構成した電子回路装置及び液晶表示
装置に使用するフィルム基板は微細パターン剥がれを防
止可能であるか、または、発生率を下げることが可能と
なる。
場合は、一つひとつのパターンに剥離防止のパターンを
形成することができない。そこで、剥離防止パターン
を、数パターンおきに形成することで、歩留まりを向上
した。上記のように構成した電子回路装置及び液晶表示
装置に使用するフィルム基板は微細パターン剥がれを防
止可能であるか、または、発生率を下げることが可能と
なる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１は、本発明の実施例１の図であ
る。ポリイミドフィルム１にＩＣのバンプを接続するＣ
ｕからなる厚み８ミクロンのパターン２が形成してあ
る。パターン２は３０ミクロン幅である。ＩＣのバンプ
は接続位置４にボンデイングする。バンプのピッチは１
００ミクロンピッチである。パターン２は、ＩＣの中心
方向に延長し本発明の剥離防止パターン３が形成してあ
る。
づいて説明する。図１は、本発明の実施例１の図であ
る。ポリイミドフィルム１にＩＣのバンプを接続するＣ
ｕからなる厚み８ミクロンのパターン２が形成してあ
る。パターン２は３０ミクロン幅である。ＩＣのバンプ
は接続位置４にボンデイングする。バンプのピッチは１
００ミクロンピッチである。パターン２は、ＩＣの中心
方向に延長し本発明の剥離防止パターン３が形成してあ
る。
【００１３】剥離防止パターン３は、幅７０ミクロン幅
で長さ１００ミクロンである。このように形成した剥離
防止パターン３はポリイミドと密着する面積が大きいた
め、ポリイミドとＣｕの間に発生する剥離の応力より、
密着する力が大きいため、パターン２の剥離を防止でき
る。フィルム基板のパターンにＳｎメッキをしておき、
ＩＣを熱圧着で接続する。更にフィルム基板を液晶パ
ネルの端子に接続して液晶表示装置が完成する。
で長さ１００ミクロンである。このように形成した剥離
防止パターン３はポリイミドと密着する面積が大きいた
め、ポリイミドとＣｕの間に発生する剥離の応力より、
密着する力が大きいため、パターン２の剥離を防止でき
る。フィルム基板のパターンにＳｎメッキをしておき、
ＩＣを熱圧着で接続する。更にフィルム基板を液晶パ
ネルの端子に接続して液晶表示装置が完成する。
【００１４】図２は、本発明の実施例２の図である。ポ
リイミドフィルム１にＩＣのバンプを接続するＣｕから
なる厚み６ミクロンのパターン２が形成してある。パタ
ーン２は１５ミクロン幅である。ＩＣのバンプは接続位
置４にボンデイングする。バンプのピッチは４０ミクロ
ンピッチである。パターン２は、一パターンおきにＩＣ
の中心方向に延長し本発明の剥離防止パターン３が形成
してある。
リイミドフィルム１にＩＣのバンプを接続するＣｕから
なる厚み６ミクロンのパターン２が形成してある。パタ
ーン２は１５ミクロン幅である。ＩＣのバンプは接続位
置４にボンデイングする。バンプのピッチは４０ミクロ
ンピッチである。パターン２は、一パターンおきにＩＣ
の中心方向に延長し本発明の剥離防止パターン３が形成
してある。
【００１５】剥離防止パターン３は、幅５５ミクロン幅
で長さ１００ミクロンである。このように形成した剥離
防止パターン３はポリイミドと密着する面積が大きいた
め、ポリイミドとＣｕの間に発生する剥離の応力より、
密着する力が大きいため、パターン２の剥離を防止でき
る。４０ミクロンピッチでは、すべてのパターン２に剥
離防止パターン３を形成することはレイアウト上困難で
あるが剥離発生率を抑えることが出来る。
で長さ１００ミクロンである。このように形成した剥離
防止パターン３はポリイミドと密着する面積が大きいた
め、ポリイミドとＣｕの間に発生する剥離の応力より、
密着する力が大きいため、パターン２の剥離を防止でき
る。４０ミクロンピッチでは、すべてのパターン２に剥
離防止パターン３を形成することはレイアウト上困難で
あるが剥離発生率を抑えることが出来る。
【００１６】本実施例では、ＩＣの角の付近には剥離防
止パターン３をレイアウトできない。剥離防止パターン
３はニパターンおきでもよい。フィルム基板のパターン
にＳｎメッキをしておき、ＩＣを熱圧着で接続する。更
にフィルム基板を液晶パネルの端子に接続して液晶表示
装置が完成する。
止パターン３をレイアウトできない。剥離防止パターン
３はニパターンおきでもよい。フィルム基板のパターン
にＳｎメッキをしておき、ＩＣを熱圧着で接続する。更
にフィルム基板を液晶パネルの端子に接続して液晶表示
装置が完成する。
【００１７】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、パターン
形状でパターン剥離を防止が可能となり、歩留まりが向
上した。よってフィルム基板にＩＣを実装した電子回路
装置及び液晶表示装置を安価に提供できるようになっ
た。
形状でパターン剥離を防止が可能となり、歩留まりが向
上した。よってフィルム基板にＩＣを実装した電子回路
装置及び液晶表示装置を安価に提供できるようになっ
た。
【図１】本発明のパターンの実施例１
【図２】本発明のパターンの実施例２
【図３】従来技術の実施例
【図４】フィルム基板とＩＣと液晶パネルを接続した断
面図
面図
【図５】ＩＣの回路面の上面図
１ ポリイミドフィルム ２ パターン ３ 剥離防止パターン ４ ＩＣのバンプを接続する位置 ５ ＩＣ ６ アンダーフィル ７ バンプ ８ 液晶パネル
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−308398（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1345 H01L 23/12 H05K 1/18 H05K 3/34
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁フィルム基板に金属よりなる複数の
パターンを形成したフレキシブル基板にＩＣをフェイス
ダウンで実装した電子回路装置において、 前記パターンに設けられた前記ＩＣのバンプと接続する
接続位置から前記ＩＣの中心方向に剥離防止の為の剥離
防止パターンが延長して設けられ、前記剥離防止パター
ンの幅は、前記接続位置のパターン幅より広いことを特
徴とする電子回路装置。 - 【請求項２】 前記剥離防止パターンは、前記複数のパ
ターンの一つ置きに設けられている請求項１記載の電子
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268654A JP3028413B1 (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268654A JP3028413B1 (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3028413B1 true JP3028413B1 (ja) | 2000-04-04 |
| JP2000098412A JP2000098412A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17461562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268654A Expired - Fee Related JP3028413B1 (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3028413B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5001731B2 (ja) | 2007-07-02 | 2012-08-15 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板と電子部品との接続構造 |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP10268654A patent/JP3028413B1/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000098412A (ja) | 2000-04-07 |
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