JP3025334B2 - Crystalline glass frit, composition for multilayer circuit board, and multilayer circuit board - Google Patents
Crystalline glass frit, composition for multilayer circuit board, and multilayer circuit boardInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスフリット、回路
基板用組成物及び回路基板、特に結晶性ガラスフリッ
ト、多層回路基板用組成物及び多層回路基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass frit, a composition for a circuit board and a circuit board, and more particularly to a crystalline glass frit, a composition for a multilayer circuit board and a multilayer circuit board.
【０００２】電子機器の混成集積回路等に用いられる回
路基板として、所定の導体パターンが形成された基板を
複数枚積層して一体焼成した多層回路基板がある。この
多層回路基板には、熱膨張係数がＳｉの熱膨張係数
（３５×１０-7／℃前後）に近いこと、機械的強度が
大きいこと、誘電率が低いこと、８００〜１０００
℃程度の低温で焼成できること等が要請されている。
は、厳しい温度環境下でも、Ｓｉチップとの良好な接続
性を確保するために必要な特性である。は、多層回路
基板に種々の電子部品や入出力端子等を接続する工程上
で基板に加わる応力から、基板が破壊したり、欠けを生
じたりすることを防止するために必要な特性である。
は、多層回路基板に設けられた電子回路の信号伝播速度
を速めるために必要な特性である。は、金、銀、銅等
の配線抵抗が小さな低融点の金属を内部配線材料として
用いるのに必要な特性である。2. Description of the Related Art As a circuit board used for a hybrid integrated circuit or the like of an electronic device, there is a multilayer circuit board obtained by laminating a plurality of boards on which a predetermined conductor pattern is formed and integrally firing. This multilayer circuit board has a thermal expansion coefficient close to that of Si (about 35 × 10 −7 / ° C.), a large mechanical strength, a low dielectric constant, 800 to 1000
There is a demand for firing at a low temperature of about ° C.
Is a characteristic necessary for ensuring good connectivity with a Si chip even under severe temperature environment. Is a characteristic necessary to prevent the substrate from being broken or chipped due to stress applied to the substrate in a process of connecting various electronic components, input / output terminals, and the like to the multilayer circuit board.
Is a characteristic necessary for increasing the signal propagation speed of an electronic circuit provided on a multilayer circuit board. Is a characteristic necessary for using a low melting point metal such as gold, silver, or copper having a low wiring resistance as an internal wiring material.
【０００３】これらの特性を満たした多層回路基板を得
るための多層回路基板用組成物として、特開平２−３２
５８７号には、３０〜９５重量％の結晶性ガラスフリッ
トと、５〜７０重量％のアルミナフィラーとを含む多層
回路基板用組成物が開示されている。この多層回路基板
用組成物は、結晶性ガラスフリットが焼成後の結晶相中
にコージェライト及びウィレマイトが主に生成されるよ
うＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＢ2 Ｏ3
を所定の割合で含んでいる。As a composition for a multi-layer circuit board for obtaining a multi-layer circuit board satisfying these characteristics, JP-A-2-32
No. 587 discloses a composition for a multilayer circuit board containing 30 to 95% by weight of a crystalline glass frit and 5 to 70% by weight of an alumina filler. The composition for a multilayer circuit board is made of SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, ZnO and B 2 O 3 so that cordierite and willemite are mainly formed in the crystal phase after firing the crystalline glass frit.
At a predetermined ratio.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前記従来の多層回路基
板用組成物では、低温焼成が可能なため焼成時間は短縮
できるが、焼成中に長時間の熟成期間を設けなければウ
ィレマイトの結晶が生成されない。このため、前記の多
層回路基板用組成物による多層回路基板の製造は長時間
を要し、製造効率が悪い。The conventional composition for a multilayer circuit board can be fired at a low temperature, so that the firing time can be shortened. However, if a long aging period is not provided during firing, willemite crystals are formed. Not done. Therefore, the production of a multilayer circuit board using the composition for a multilayer circuit board requires a long time, and the production efficiency is poor.
【０００５】本発明の目的は、必要な特性を満たした多
層回路基板が効率よく製造できる多層回路基板用組成
物、この組成物に含まれる結晶性ガラスフリット、及び
前記多層回路基板用組成物を用いた多層回路基板を提供
することにある。[0005] An object of the present invention is to provide a composition for a multilayer circuit board capable of efficiently producing a multilayer circuit board satisfying the required properties, a crystalline glass frit contained in the composition, and a composition for the multilayer circuit board. It is to provide a multilayer circuit board used.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係る結晶性ガラ
スフリットは、焼成後の結晶相中に５〜３０重量％のガ
ーナイト及び５〜５０重量％のコージェライトが生成さ
れるようＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含
んでいる。Crystallizable glass frit according to the present invention In order to achieve the above object, according to, SiO 2 to gahnite and 5 to 50 wt% of cordierite 5-30 wt% to the crystalline phase after the firing is generated, It contains Al 2 O 3 , MgO and ZnO.
【０００７】このガラスフリットは、例えばＢ2 Ｏ3 を
更に含み、各成分が下記の割合で含まれている。 ＳｉＯ2 ４３〜５５モル％ Ａｌ2 Ｏ3 １５〜２４モル％ ＭｇＯ １４〜２１モル％ ＺｎＯ ３〜１５モル％ Ｂ2 Ｏ3 ２〜１４モル％The glass frit further contains, for example, B 2 O 3 , and each component is contained in the following ratio. SiO 2 43 to 55 mol% Al 2 O 3 15 to 24 mole% MgO 14 to 21 mol% ZnO 3 to 15 mole% B 2 O 3 2 to 14 mol%
【０００８】本発明の結晶性ガラスフリットは、多層回
路基板用組成物に用いられるガラスフリットである。[0008] The crystalline glass frit of the present invention is a glass frit used for a composition for a multilayer circuit board.
【０００９】本発明の結晶性ガラスフリットは、ＳｉＯ
2 とＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＯとＺｎＯとを含み、焼成すると
ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）及びコージェライト
（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を含む結晶相
を有するガラスが得られる。ここで、ＳｉＯ2 は、焼成
により得られたガラスのネットワークホーマーとなり、
またコージェライトの構成成分となる。Ａｌ2 Ｏ3 は、
ガーナイト及びコージェライトを構成する成分である。
ＺｎＯ及びＭｇＯは、それぞれガーナイト及びコーディ
エライトの構成成分となる。The crystalline glass frit of the present invention is made of SiO
A glass having a crystal phase including manganese (ZnO.Al 2 O 3 ) and cordierite (2MgO.2Al 2 O 3 .5SiO 2 ) is obtained by firing and containing 2 , Al 2 O 3 , MgO and ZnO. Here, SiO 2 becomes a network homer of the glass obtained by firing,
It also becomes a constituent component of cordierite. Al 2 O 3 is
It is a component constituting garnite and cordierite.
ZnO and MgO are constituents of garnite and cordierite, respectively.
【００１０】本発明の結晶性ガラスフリットに含まれる
Ｂ2Ｏ3は、結晶の生成には関与しないが、各結晶相が析
出する際の活性化エネルギーを小さくする効果があると
考えられる。よって、Ｂ2Ｏ3を添加すれば、ガーナイト
等の結晶生成速度が調整できるので、ガーナイト等の生
成量が調整し易くなる。なお、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ及びＺｎＯは全てが結晶となるわけではなく、Ｓｉ
Ｏ2−ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラスとなって焼
結体中に残存する。Although B 2 O 3 contained in the crystalline glass frit of the present invention is not involved in the formation of crystals, it is considered that B 2 O 3 has the effect of reducing the activation energy when each crystal phase is precipitated. Therefore, if B 2 O 3 is added, the rate of crystal formation of garnite and the like can be adjusted, and the amount of garnite and the like generated can be easily adjusted. Note that SiO 2 , Al 2 O 3 , M
Not all gO and ZnO are crystalline, but SiO
It becomes O 2 -MgO-Al 2 O 3 -ZnO based glass of remaining in the sintered body.
【００１１】本発明の結晶性ガラスフリットには、焼成
後の結晶相中に５〜３０重量％のガーナイトが生成され
るようにＡｌ2 Ｏ3 及びＺｎＯが含まれている。これ
は、ガーナイトの生成量が５重量％未満の場合はガラス
の機械的強度が充分に向上しないからであり、また生成
量が３０重量％を越えるとコージェライトの生成を阻害
し、ガラスの熱膨張係数が大きくなるからである。ま
た、本発明の結晶性ガラスフリットには、焼成後の結晶
相中に５〜５０重量％のコージェライトが生成されるよ
うにＡｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＳｉＯ2 が含まれている。
これは、コージェライトの生成量が５重量％未満の場合
はガラスの熱膨張係数が大きくなるからであり、また生
成量が５０重量％を越えると残存するガラスが不足する
ため、極端に焼結性が悪くなって吸水率が増加するから
である。The crystalline glass frit of the present invention contains Al 2 O 3 and ZnO so that 5 to 30% by weight of ganite is formed in the crystal phase after firing. This is because the mechanical strength of the glass is not sufficiently improved when the amount of garnite is less than 5% by weight, and when the amount exceeds 30% by weight, the production of cordierite is hindered and the heat of the glass is reduced. This is because the expansion coefficient increases. Further, the crystalline glass frit of the present invention contains Al 2 O 3 , MgO and SiO 2 so that 5 to 50% by weight of cordierite is generated in the crystal phase after firing.
This is because when the amount of cordierite produced is less than 5% by weight, the coefficient of thermal expansion of the glass becomes large, and when the amount produced exceeds 50% by weight, the remaining glass becomes insufficient, so that extreme sintering occurs. This is because the property deteriorates and the water absorption rate increases.
【００１２】なお、本発明の結晶性ガラスフリットに
は、その他の成分として、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 等
が含まれていてもよい。但し、その含有量は、結晶性ガ
ラスフリット全体の５重量％以下に設定される。The crystalline glass frit of the present invention may contain other components such as BaO, CaO, P 2 O 5 and the like. However, its content is set to 5% by weight or less of the entire crystalline glass frit.
【００１３】本発明の結晶性ガラスフリットとして好ま
しいのは、４３〜５５モル％のＳｉＯ2 と、１５〜２４
モル％のＡｌ2 Ｏ3 と、１４〜２１モル％のＭｇＯと、
３〜１５モル％のＺｎＯと、２〜１４モル％のＢ2 Ｏ3
とを含むものである。特に好ましいのは、４７〜５２モ
ル％のＳｉＯ2 と、１７〜２１モル％のＡｌ2 Ｏ3 と、
１７〜２０モル％のＭｇＯと、５〜１０モル％のＺｎＯ
と、４〜１０モル％のＢ2 Ｏ3 とを含むものである。Ｓ
ｉＯ2 が４３モル％未満の場合は、失透性が強くなり、
フリットの製造が困難になる。逆に、５５モル％を超え
ると、焼成温度が高くなり、低温焼成が困難になる。Ａ
ｌ2 Ｏ3 が１４モル％未満の場合は、ガーナイト及びコ
ージェライトの生成量が減少し、ガラスの機械的強度が
低下する。逆に、２４モル％を越えると、溶融温度が高
くなる。ＭｇＯが１４モル％未満の場合は、コージェラ
イトの生成量が減少し、熱膨張係数が高くなる。逆に、
２１モル％を超えると、失透しやすくなってフリットの
製造が困難になる。ＺｎＯが３モル％未満の場合は、ガ
ーナイトの生成量が減少してガラスの機械的強度が低下
する。逆に、１５モル％を超えると、失透しやすくなっ
てフリットの製造が困難になる。更に、Ｂ2 Ｏ3 が２モ
ル％未満の場合は、結晶量が多くなりすぎ、焼成後の気
孔が増加する。逆に、１４モル％を超えると、ガラスが
分相を生じやすくなって、安定したガラスが得られず、
またガラスの耐酸性が著しく劣化する。The crystalline glass frit of the present invention is preferably composed of 43 to 55 mol% of SiO 2 and 15 to 24 mol%.
A mole% Al 2 O 3, and 14-21 mol% of MgO,
3 to 15 mol% of ZnO and 2 to 14 mol% of B 2 O 3
And Particularly preferred are 47-52 mol% of SiO 2 , 17-21 mol% of Al 2 O 3 ,
17-20 mol% MgO and 5-10 mol% ZnO
When, is intended to include and 4-10 mole% B 2 O 3. S
When iO 2 is less than 43 mol%, devitrification becomes strong,
Frit production becomes difficult. Conversely, if it exceeds 55 mol%, the firing temperature will be high, and low-temperature firing will be difficult. A
If l 2 O 3 is less than 14 mol%, the production of garnet and cordierite decreases, and the mechanical strength of the glass decreases. Conversely, if it exceeds 24 mol%, the melting temperature will increase. When the content of MgO is less than 14 mol%, the amount of cordierite produced decreases, and the coefficient of thermal expansion increases. vice versa,
If it exceeds 21 mol%, devitrification tends to occur, and it becomes difficult to produce a frit. If ZnO is less than 3 mol%, the amount of garnite decreases and the mechanical strength of the glass decreases. On the other hand, if it exceeds 15 mol%, devitrification tends to occur, and it becomes difficult to produce a frit. Further, when B 2 O 3 is less than 2 mol%, the amount of crystals becomes too large, and the pores after firing increase. Conversely, if it exceeds 14 mol%, the glass tends to undergo phase separation, and a stable glass cannot be obtained.
Further, the acid resistance of the glass is significantly deteriorated.
【００１４】本発明の結晶性ガラスフリットは、短時間
の低温焼成によりガーナイト及びコージェライトの結晶
を形成するので、非晶質のガラスに比べて機械的強度の
大きなガラスを生成する。このため、本発明の結晶性ガ
ラスフリットは、例えば後述する多層回路基板用組成物
に用いられる。 ＊＊＊＊＊＊＊The crystalline glass frit of the present invention forms garnitite and cordierite crystals by firing at a low temperature for a short period of time, so that a glass having higher mechanical strength than an amorphous glass is produced. For this reason, the crystalline glass frit of the present invention is used, for example, in a composition for a multilayer circuit board described later. ********
【００１５】本発明に係る多層回路基板用組成物は、５
０〜９０重量％の結晶性ガラスフリットと、１０〜５０
重量％のフィラーとを含んでいる。そして、結晶性ガラ
スフリットは、焼成後の結晶相中にガーナイト及びコー
ジェライトが主に生成されるようＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含んでいる。The composition for a multilayer circuit board according to the present invention comprises 5
0-90% by weight of crystalline glass frit, 10-50
% Filler by weight. The crystalline glass frit is made of SiO 2 , Al so that garnitite and cordierite are mainly generated in the crystal phase after firing.
It contains 2 O 3 , MgO and ZnO.
【００１６】本発明の結晶性ガラスフリットには、Ｂ2
Ｏ3が更に含まれ、成分割合は例えば下記の通りであ
る。 ＳｉＯ2 ４３〜５５モル％ Ａｌ2Ｏ3 １５〜２４モル％ ＭｇＯ １４〜２１モル％ ＺｎＯ ３〜１５モル％ Ｂ2Ｏ3 ２〜１４モル％The crystalline glass frit of the present invention contains B 2
O 3 is further included, and the component ratio is, for example, as follows. SiO 2 43 to 55 mol% Al 2 O 3 15 to 24 mole% MgO 14 to 21 mol% ZnO 3 to 15 mole% B 2 O 3 2 to 14 mol%
【００１７】本発明で用いられる結晶性ガラスフリット
は、上述の本発明に係る結晶性ガラスフリットである。
特にＢ2 Ｏ3 を含むガラスフリットが好ましい。。この
結晶性ガラスフリットの成分割合は、焼成後の結晶相中
にガーナイト及びコージェライトが主に生成するように
設定される。具体的には、ＳｉＯ2 が４３〜５５モル
％、Ａｌ2 Ｏ3 が１５〜２４モル％、ＭｇＯが１４〜２
１モル％、ＺｎＯが３〜１５モル％及びＢ2 Ｏ3 が２〜
１４モル％の範囲で設定される。Ｂ2 Ｏ3 を上述の範囲
で添加した場合、ガーナイトやコージェライトの生成速
度が調整できるため、結晶の生成量が調整しやすくな
る。The crystalline glass frit used in the present invention is the above-mentioned crystalline glass frit according to the present invention.
Particularly, a glass frit containing B 2 O 3 is preferable. . The component ratio of the crystalline glass frit is set so that garnet and cordierite are mainly generated in the crystal phase after firing. Specifically, 43 to 55 mol% of SiO 2 , 15 to 24 mol% of Al 2 O 3 , and 14 to 2 mol of MgO
1 mol%, ZnO 3-15 mol% and B 2 O 3 2
It is set in the range of 14 mol%. When B 2 O 3 is added in the above-mentioned range, the generation rate of garnet or cordierite can be adjusted, so that the amount of crystals formed can be easily adjusted.
【００１８】結晶性ガラスフリットの粒径は、特に限定
されるものではないが、通常、平均粒径１〜５μｍ、好
ましくは１．５〜３μｍのものが使用される。The particle size of the crystalline glass frit is not particularly limited, but usually has an average particle size of 1 to 5 μm, preferably 1.5 to 3 μm.
【００１９】本発明で用いられるフィラーは、多層回路
基板の強度を向上させるための成分である。フィラーと
しては、アルミナ、ムライト等の酸化物セラミックスや
石英ガラス等のガラスフィラーが用いられるが、特にア
ルミナフィラーが望ましい。The filler used in the present invention is a component for improving the strength of the multilayer circuit board. As the filler, an oxide ceramic such as alumina or mullite or a glass filler such as quartz glass is used, and an alumina filler is particularly desirable.
【００２０】フィラーの粒径は、特に限定されるもので
はないが、通常、平均粒径が１〜５μｍ、好ましくは
１．５〜３μｍに設定される。平均粒径が１μｍ未満の
場合には、本発明の組成物をスラリー化するのが困難に
なる。逆に、平均粒径が５μｍを越えると、緻密な基板
が得られにくい。The particle size of the filler is not particularly limited, but is usually set to an average particle size of 1 to 5 μm, preferably 1.5 to 3 μm. When the average particle size is less than 1 μm, it becomes difficult to slurry the composition of the present invention. Conversely, if the average particle size exceeds 5 μm, it is difficult to obtain a dense substrate.
【００２１】本発明の多層回路基板用組成物は、１０〜
５０重量％の上述のフィラーと、５０〜９０重量％の上
述の結晶性ガラスフリットを含んでいる。フィラーが１
０重量％未満でありかつ結晶性ガラスフリットが９０重
量％を越える場合には、焼成によって得られる回路基板
の強度が不充分となる。一方、フィラーが５０重量％を
越えかつ結晶性ガラスフリットが５０重量％未満である
場合は、焼成後の回路基板中のガラス成分が不足するた
め、緻密な焼結体が得られず、回路基板として使用でき
なくなる。The composition for a multilayer circuit board of the present invention is
It contains 50% by weight of the above-mentioned filler and 50 to 90% by weight of the above-mentioned crystalline glass frit. Filler is 1
If the content is less than 0% by weight and the crystalline glass frit exceeds 90% by weight, the strength of the circuit board obtained by firing becomes insufficient. On the other hand, when the amount of the filler exceeds 50% by weight and the amount of the crystalline glass frit is less than 50% by weight, the glass component in the fired circuit board is insufficient, so that a dense sintered body cannot be obtained and the circuit board is not obtained. Can no longer be used.
【００２２】本発明の多層回路基板用組成物では、焼結
過程のはやい段階（例えば８００℃付近）でガーナイト
の結晶が生成する。このガーナイトは、ガラスのネット
ワークを補強する形態で存在するようになり、焼結体の
機械的強度を高める。また、本発明の多層回路基板用組
成物では、ガーナイトの結晶が生成した後のガラス成分
がＢ2 Ｏ3 を除いてコージェライトの結晶組成に近似す
るため、ガーナイトの結晶が生成された後であれば、結
晶化を促進するための結晶核となる成分が添加されてい
なくても、コージェライトの結晶化が起こり易い。した
がって、上述のようにガーナイトの結晶が焼成過程の早
い段階で生成され始めると、コージェライトの結晶は、
通常の結晶生成化温度よりも低い温度（例えば８５０
℃）で生成され始める。このため、本発明の組成物で
は、結晶の生成量が多い焼結体が短時間の焼成により得
られる。また、生成したコージェライトは熱膨張係数及
び誘電率が小さいため、焼結体の熱膨張係数及び誘電率
を小さく抑えることが可能である。このため、本発明の
多層回路基板用組成物によれば、必要な特性を備えた多
層回路基板が、短時間（通常、焼成時間の合計が１〜５
時間）の低温（８５０〜１０００℃）焼成により効率良
く製造できる。 ＊＊＊＊＊＊＊In the composition for a multilayer circuit board of the present invention, garnite crystals are formed at an early stage of the sintering process (for example, at around 800 ° C.). The garnite is present in a form that reinforces the glass network, and increases the mechanical strength of the sintered body. Further, in the composition for a multilayer circuit board of the present invention, the glass component after the garnite crystal is generated is similar to the cordierite crystal composition except for B 2 O 3 , so that after the garnite crystal is generated. If it is, crystallization of cordierite is likely to occur even if a component serving as a crystal nucleus for accelerating crystallization is not added. Therefore, as described above, when garnite crystals begin to form early in the firing process, cordierite crystals become:
A temperature lower than the normal crystallization temperature (for example, 850)
° C). Therefore, in the composition of the present invention, a sintered body having a large amount of crystals can be obtained by firing for a short time. Further, since the generated cordierite has a small coefficient of thermal expansion and a small dielectric constant, the coefficient of thermal expansion and the dielectric constant of the sintered body can be suppressed to a small value. Therefore, according to the composition for a multilayer circuit board of the present invention, the multilayer circuit board having the required characteristics can be prepared in a short time (usually, the total firing time is 1 to 5).
Time) at a low temperature (850-1000 ° C.). ********
【００２３】本発明に係る多層回路基板は、回路基板が
複数枚積層された本体と、本体内に配置された内部配線
とを備えている。そして、回路基板は、１０〜５０重量
％のフィラーと、焼成後の焼結体中に結晶相としてガー
ナイト及びコージェライトが主に生成されるようＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3、ＭｇＯ及びＺｎＯを含む、９０〜５０
重量％の結晶性ガラスフリットとを含んでいる。A multilayer circuit board according to the present invention includes a main body in which a plurality of circuit boards are stacked, and an internal wiring disposed in the main body. Then, the circuit board has a filler of 10 to 50% by weight and SiO 2 so that garnet and cordierite are mainly generated as crystal phases in the sintered body after firing.
2, Al 2 O 3, including MgO and ZnO, 90-50
% By weight of crystalline glass frit.
【００２４】図１は、本発明の一例に係る多層回路基板
の縦断面部分図である。図において、多層回路基板１
は、積層基板２と、内部配線３と、表面配線４とから構
成されている。FIG. 1 is a partial longitudinal sectional view of a multilayer circuit board according to an example of the present invention. In the figure, a multilayer circuit board 1
Is composed of a laminated substrate 2, internal wirings 3, and surface wirings 4.
【００２５】積層基板２は、多層回路基板用組成物のグ
リーンシートを３枚積層して一体焼成することによって
得られた一体化したシート２ａ、２ｂ、２ｃから構成さ
れている。各グリーンシートを構成する多層回路基板用
組成物は、本発明に係る上述の多層回路基板用組成物で
ある。したがって、積層基板２中には、ガーナイト及び
コージェライトの規定量が含まれている。The laminated substrate 2 is composed of integrated sheets 2a, 2b and 2c obtained by laminating three green sheets of the composition for a multilayer circuit board and integrally firing them. The composition for a multilayer circuit board constituting each green sheet is the above-described composition for a multilayer circuit board according to the present invention. Therefore, the laminated substrate 2 contains a specified amount of garnite and cordierite.
【００２６】内部配線３は、シート２ａ，２ｂ間、及び
シート２ｂ，２ｃ間に所定のパターンで形成されてい
る。各内部配線３は、スルーホール５を通じて互いに接
続されており、またスルーホール５を通じて積層基板２
の図上面及び図下面で表面配線４を形成している。な
お、内部配線３は、低温焼成可能な銀系、金系及び銅系
の導電性材料を用いて形成されている。The internal wiring 3 is formed in a predetermined pattern between the sheets 2a and 2b and between the sheets 2b and 2c. The respective internal wirings 3 are connected to each other through the through holes 5, and are connected to each other through the through holes 5.
The surface wiring 4 is formed on the upper surface and the lower surface of FIG. The internal wiring 3 is formed using a silver-based, gold-based, or copper-based conductive material that can be fired at a low temperature.
【００２７】表面配線４は、積層基板２の少なくとも一
方の主面（図では両主面６）に所定の高密度パターンで
形成されている。表面配線４は、例えばマイグレーショ
ンを起こしにくい銅系の導電性材料により形成されてい
る。The surface wiring 4 is formed on at least one main surface (both main surfaces 6 in the figure) of the laminated substrate 2 in a predetermined high-density pattern. The surface wiring 4 is formed of, for example, a copper-based conductive material that hardly causes migration.
【００２８】次に、前記多層回路基板１の製造方法につ
いて説明する。多層回路基板１の製造では、まず多層回
路基板用組成物のスラリーを調整する。多層回路基板用
組成物のスラリーは、上述の本発明に係る多層回路基板
用組成物に有機バインダーと、溶剤と、添加剤とを加え
て混合することにより得られる。有機バインダーとして
は、例えば、アクリル樹脂、フッ素樹脂、ポリビニルブ
チラール等が用いられる。溶剤には、例えば、水、アル
コール、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン等が
用いられる。添加剤としては、例えば、ポリカルボン酸
塩等の分散剤、ポリエチレングリコール等の消泡剤、及
びジブチルフタレート等の可塑剤等が添加される。な
お、これらの混合は、例えばボールミルを用いて、２４
〜７２時間程度行われる。Next, a method of manufacturing the multilayer circuit board 1 will be described. In the production of the multilayer circuit board 1, first, a slurry of the composition for a multilayer circuit board is prepared. The slurry of the composition for a multilayer circuit board can be obtained by adding an organic binder, a solvent, and an additive to the composition for a multilayer circuit board according to the present invention described above and mixing them. As the organic binder, for example, an acrylic resin, a fluorine resin, polyvinyl butyral, or the like is used. As the solvent, for example, water, alcohol, methyl ethyl ketone, toluene, xylene and the like are used. As the additive, for example, a dispersant such as a polycarboxylate, an antifoaming agent such as polyethylene glycol, and a plasticizer such as dibutyl phthalate are added. In addition, these mixing is carried out, for example, by using a ball mill.
It is performed for about 72 hours.
【００２９】次に、得られた多層回路基板用組成物のス
ラリーからグリーンシートを形成する。グリーンシート
の形成は、ドクターブレード法等の常法により行う。な
お、グリーンシートの厚みは、１００〜３００μｍ程度
に設定するのが好ましい。Next, a green sheet is formed from the obtained slurry of the composition for a multilayer circuit board. The green sheet is formed by a conventional method such as a doctor blade method. The thickness of the green sheet is preferably set to about 100 to 300 μm.
【００３０】次に、得られたグリーンシート２ａ，２
ｂ，２ｃに所定の内部配線３パターン及び表面配線４パ
ターンを形成する。ここでは、予めグリーンシートの所
定位置にスルーホール５を設けておく。そして、スルー
ホール５に導電性材料を充填し、次でグリーンシートの
表面に例えばスクリーン印刷により所定の配線パターン
で導電性材料を配置する。なお、導電性材料としては、
銀系、金系又は銅系の導電材に有機ビヒクルと少量のガ
ラスフリットとを混合したペーストが用いられる。導伝
材の選択は、基板の焼成雰囲気を考慮して、適宜選択さ
れる。例えば、大気雰囲気中で焼成する場合は、酸化さ
れやすい銅系の材料よりも銀系の材料を選択するのが好
ましい。Next, the obtained green sheets 2a, 2a
Predetermined three internal wiring patterns and four surface wiring patterns are formed on b and 2c. Here, a through hole 5 is provided in a predetermined position of the green sheet in advance. Then, the through hole 5 is filled with a conductive material, and then the conductive material is arranged on the surface of the green sheet in a predetermined wiring pattern by screen printing, for example. In addition, as the conductive material,
A paste in which an organic vehicle and a small amount of glass frit are mixed with a silver-based, gold-based, or copper-based conductive material is used. The selection of the conductive material is appropriately selected in consideration of the firing atmosphere of the substrate. For example, when firing in an air atmosphere, it is preferable to select a silver-based material rather than a copper-based material that is easily oxidized.
【００３１】次に、配線パターンが形成されたグリーン
シートを所定の順に積層して熱圧着し、積層体を得る。
そして、得られた積層体を焼成する。焼成は、２段階に
分けて行うのが好ましい。ここでは、まず第１段階目の
焼成で積層体に含まれている有機バインダー等の有機物
を除去する。これは、通常、５００℃前後の低温で行わ
れる。次に、第２段階目の焼成では、多層回路基板用組
成物と導電性材料との焼成を行う。この焼成は、多層回
路基板用組成物と導電性材料とが低温焼成可能なため、
通常８００〜１０００℃程度で行われる。このため、焼
成時間は、１〜５時間程度と短い。なお、第２段階目の
焼成では、ガーナイト及びコージェライトの結晶が充分
に生成されるよう温度調整を行う。この温度調整は、例
えば焼成温度を８５０〜９５０℃で１０〜３０分間保持
することにより行われる。Next, the green sheets on which the wiring patterns are formed are laminated in a predetermined order, and are thermocompression-bonded to obtain a laminate.
Then, the obtained laminate is fired. The firing is preferably performed in two stages. Here, first, an organic substance such as an organic binder contained in the laminate is removed by the first-stage baking. This is usually done at low temperatures around 500 ° C. Next, in the second stage baking, the multilayer circuit board composition and the conductive material are fired. In this firing, since the composition for a multilayer circuit board and the conductive material can be fired at a low temperature,
Usually, it is performed at about 800 to 1000 ° C. Therefore, the firing time is as short as about 1 to 5 hours. In the second-stage firing, the temperature is adjusted so that garnet and cordierite crystals are sufficiently generated. This temperature adjustment is performed, for example, by maintaining the firing temperature at 850 to 950 ° C. for 10 to 30 minutes.
【００３２】このように、本発明の多層回路基板１は、
本発明に係る多層回路基板用組成物を用いて製造される
ため、短時間の低温焼成で効率よく製造できる。As described above, the multilayer circuit board 1 of the present invention comprises:
Since it is manufactured using the composition for a multilayer circuit board according to the present invention, it can be efficiently manufactured by short-time low-temperature baking.
【００３３】本発明の多層回路基板１は、表面配線４に
ＩＣ等のシリコンチップ７が配置される。そして、この
シリコンチップ７は、表面配線４にはんだ付けされる。
これにより、内部配線３は表面配線４を介してシリコン
チップ７と接続される。また、抵抗体膜８は、表面配線
４の間に印刷・焼成することにより形成される。シリコ
ンチップ７が配置された多層回路基板１では、積層基板
２がコージェライト及びガーナイトを含み、熱膨張係数
がシリコンに近いため、厳しい温度環境下で使用しても
シリコンチップ７と表面配線４（又は内部配線３）との
接続不良が起こりにくい。In the multilayer circuit board 1 of the present invention, a silicon chip 7 such as an IC is disposed on the surface wiring 4. Then, the silicon chip 7 is soldered to the surface wiring 4.
Thus, the internal wiring 3 is connected to the silicon chip 7 via the surface wiring 4. The resistor film 8 is formed by printing and firing between the surface wirings 4. In the multilayer circuit board 1 on which the silicon chip 7 is arranged, the laminated board 2 contains cordierite and garnitite and has a thermal expansion coefficient close to that of silicon. Therefore, even when used under severe temperature environment, the silicon chip 7 and the surface wiring 4 ( Or, poor connection with the internal wiring 3) is unlikely to occur.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明の結晶性ガラスフリットは、焼成
後の結晶相に５〜３０重量％のガーナイトが生成される
ようＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎＯを含んで
いる。このため、本発明によれば、短時間で焼成可能な
結晶性ガラスフリットが実現できる。The crystalline glass frit of the present invention contains SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO and ZnO so that 5 to 30% by weight of garnite is formed in the crystal phase after firing. Therefore, according to the present invention, a crystalline glass frit that can be fired in a short time can be realized.
【００３５】本発明の多層回路基板用組成物は、焼成後
の結晶相体中にガーナイトおよびコージェライトが主に
生成されるようＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ及びＺｎ
Ｏを含む結晶性ガラスフリットをを含んでいる。このた
め、本発明によれば、必要な特性を備えた多層回路基板
が短時間の低温焼成で効率良く製造可能な多層回路基板
用組成物が実現できる。The composition for a multilayer circuit board according to the present invention comprises SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO and Zn so that garnet and cordierite are mainly formed in the fired crystalline phase.
Contains crystalline glass frit containing O. Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a composition for a multilayer circuit board that can efficiently produce a multilayer circuit board having the required characteristics in a short time at low temperature.
【００３６】本発明に係る多層回路基板は、上述の多層
回路基板用組成物により本体が形成されている。このた
め、本発明によれば、必要な特性を具備し、しかも製造
効率の良好な多層回路基板が実現できる。The multilayer circuit board according to the present invention has a main body formed of the composition for a multilayer circuit board described above. Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a multilayer circuit board having required characteristics and good manufacturing efficiency.
【００３７】[0037]
【実施例】ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ及び
Ｂ2 Ｏ3 を表１に示す割合で混合し、これを１４００〜
１６００℃で溶解した後水中に投下して急冷することに
よりガラスを得た。得られたガラスを水とアルミナボー
ルとともにアルミナポットに入れ、湿式粉砕して乾燥し
た。これにより、平均粒径が２〜３μｍの結晶性ガラス
フリットを得た。EXAMPLE SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, ZnO and B 2 O 3 were mixed at the ratio shown in Table 1, and this was mixed with 1400 to 1400.
After melting at 1600 ° C., it was dropped into water and rapidly cooled to obtain a glass. The obtained glass was put into an alumina pot together with water and alumina balls, wet-pulverized and dried. As a result, a crystalline glass frit having an average particle size of 2 to 3 μm was obtained.
【００３８】次に、得られた結晶性ガラスフリットに表
１に示す割合でアルミナ粉末を混合した。そして、この
混合物を水とアルミナボールとともにアルミナポットに
入れ、粉砕混合した後に乾燥して、多層回路基板用組成
物を得た。Next, alumina powder was mixed with the obtained crystalline glass frit in the ratio shown in Table 1. Then, this mixture was put into an alumina pot together with water and alumina balls, pulverized and mixed, and then dried to obtain a composition for a multilayer circuit board.
【００３９】得られた多層回路基板用組成物１０００ｇ
にアクリル樹脂１００ｇと水４００ｇとを加えてスラリ
ーを作製し、このスラリーに真空脱気処理を施した。1000 g of the obtained composition for a multilayer circuit board
A slurry was prepared by adding 100 g of acrylic resin and 400 g of water to the slurry, and the slurry was subjected to vacuum degassing.
【００４０】次に、得られたスラリーを用いて、ドクタ
ーブレード法により厚さ２００μｍのグリーンシートを
作製した。そして、このグリーンシートを３〜２０層積
層してホットプレスし、得られた積層体を焼成して多層
回路基板を得た。なお、焼成温度及び焼成に要した時間
は、表２の通りであった。得られた多層回路基板につい
て、熱膨張係数、抗折強度、誘電率、吸水率及びガラス
中の結晶量を測定した。測定方法は次の通りである。Next, using the obtained slurry, a green sheet having a thickness of 200 μm was prepared by a doctor blade method. Then, 3 to 20 layers of the green sheets were laminated and hot-pressed, and the obtained laminate was fired to obtain a multilayer circuit board. The firing temperature and the time required for firing were as shown in Table 2. With respect to the obtained multilayer circuit board, the coefficient of thermal expansion, bending strength, dielectric constant, water absorption, and the amount of crystals in glass were measured. The measuring method is as follows.
【００４１】熱膨張係数 角柱状の焼結体から２×２×１０ｍｍに研磨した評価用
試料を用いて、ＴＭＡ（サーマル メカニカル アナリ
シス）により、４０〜４００℃の温度範囲における平均
熱膨張率を測定した。 Thermal expansion coefficient The average thermal expansion coefficient in the temperature range of 40 to 400 ° C. was measured by TMA (thermal mechanical analysis) using an evaluation sample polished from a prismatic sintered body to 2 × 2 × 10 mm. did.
【００４２】抗折強度 ＪＩＳ−１６０１に準拠して、３点曲げ抗折試験により
測定した。The bending strength was measured by a three-point bending bending test in accordance with JIS-1601.
【００４３】誘電率 ＪＩＳ−Ｃ２１４１に準拠して、６０ｍｍφ×２ｍｍの
円板状の焼結体を試料として、Ｑメーターにより１ＭＨ
ｚにて測定した。According to the dielectric constant JIS-C2141, a disk-shaped sintered body of 60 mmφ × 2 mm was used as a sample, and 1 MH was measured with a Q meter.
It was measured at z.
【００４４】吸水率 ＪＩＳ−Ｃ２１４１に準拠して、アルキメデス法により
測定した。The water absorption was measured by the Archimedes method according to JIS-C2141.
【００４５】結晶量 各結晶相について検量線を作成し、内部標準としてＳｉ
を用いたＸ線回折による各結晶相の主ピークを重量法に
て測定した。[0045] A calibration curve for amount of crystals each crystal phase, Si as an internal standard
The main peak of each crystal phase by X-ray diffraction using was measured by a gravimetric method.
【００４６】結果を表２に示す。Table 2 shows the results.
【００４７】[0047]
【表１】 [Table 1]
【００４８】[0048]
【表２】 [Table 2]
【００４９】なお、＊印を付した試料番号は比較例であ
る。The sample numbers marked with * are comparative examples.
【００５０】評価基準として、熱膨張係数は、シリコン
チップ７の熱膨張係数を考慮して、４０〜４００℃にお
いて３．５〜５．０×１０-6／℃を良品の範囲とした。
抗折強度は、１５ｋｇ／ｍｍ2 以上、好ましくは２０ｋ
ｇ／ｍｍ2 を良品とした。誘電率は、６．４以下が好ま
しく、６．０以下であればより好ましい。吸水率は０．
１％以下を良品とした。As an evaluation criterion, in consideration of the coefficient of thermal expansion of the silicon chip 7, a good product range of 3.5 to 5.0 × 10 −6 / ° C. at 40 to 400 ° C.
Flexural strength of 15 kg / mm 2 or more, preferably 20 k / mm 2
g / mm 2 was regarded as a good product. The dielectric constant is preferably 6.4 or less, more preferably 6.0 or less. The water absorption is 0.
1% or less was regarded as good.
【００５１】試料番号１、２のように、焼成時間が例え
ば５時間以上になると、ガーナイトの結晶相が焼成の早
い段階で大量に生成されるので、コージェライトの生成
に必要なＡｌ2 Ｏ3 が不足し、コージェライトの生成量
が減少した。このため、熱膨張係数が５．０×１０-6／
℃以上となり、吸水率が０．１％以上となった。As shown in Sample Nos. 1 and 2, when the sintering time is, for example, 5 hours or more, a large amount of the garnite crystal phase is formed at an early stage of the sintering, so that Al 2 O 3 necessary for forming cordierite is formed. And the production of cordierite decreased. Therefore, the coefficient of thermal expansion is 5.0 × 10 −6 /
° C or more, and the water absorption became 0.1% or more.
【００５２】試料番号６、７では、焼成時間を短縮し
た。特に試料番号７のように焼成時間が１時間未満の場
合は、基板の焼結反応が充分に行われず、焼結不良とな
った。In Sample Nos. 6 and 7, the firing time was shortened. In particular, when the sintering time was less than 1 hour as in Sample No. 7, the sintering reaction of the substrate was not sufficiently performed, resulting in poor sintering.
【００５３】試料番号８〜１１では適正な焼成温度を求
めるべく、その温度を変化させた。試料番号８のように
焼成温度が８５０℃以下では基板の焼結反応が充分に行
われず、また、試料番号１１のように焼成温度が１００
０℃を越えると基板全体が溶融して型崩れが生じた。In Sample Nos. 8 to 11, the temperature was changed in order to obtain an appropriate firing temperature. When the sintering temperature is 850 ° C. or lower as in Sample No. 8, the sintering reaction of the substrate is not sufficiently performed.
When the temperature exceeded 0 ° C., the whole substrate was melted and the shape collapsed.
【００５４】試料番号１２〜１７ではフィラーと結晶化
ガラスフリットとの適正な重量比率を求めるべく、フィ
ラーの重量を変化させた。試料番号１２のように、フィ
ラーの重量が１０重量％未満では、ガラスフリットの組
成比の影響が大きく現れた。すなわち、試料番号１２で
は、コージェライトが多く生成され、その結果、熱膨張
係数が低下し、抗折強度が劣化した。また、試料番号１
６，１７のように、フィラーの重量が５０重量％を越え
ると、相対的にガラスフリットが不足するので、焼結反
応が不足して吸水率が悪化した。特に試料番号１７で
は、視覚により認識できる程の多孔な多層回路基板しか
得られなかった。In Sample Nos. 12 to 17, the weight of the filler was changed in order to obtain an appropriate weight ratio between the filler and the crystallized glass frit. As in Sample No. 12, when the weight of the filler was less than 10% by weight, the effect of the composition ratio of the glass frit appeared significantly. That is, in sample No. 12, a large amount of cordierite was generated, and as a result, the coefficient of thermal expansion was reduced and the transverse rupture strength was deteriorated. Sample No. 1
When the weight of the filler exceeds 50% by weight as in Nos. 6 and 17, the glass frit is relatively insufficient, so that the sintering reaction is insufficient and the water absorption is deteriorated. In particular, in the case of sample No. 17, only a multilayer circuit board having such a porosity as to be visually recognizable was obtained.
【００５５】試料番号１８、１９ではガラスフリット中
のＳｉＯ2 のモル比を変動させた。試料番号１８のよう
にＳｉＯ2 が４３モル％未満では、基板の焼結不良が発
生してしまい、視覚により認識できる程の多孔な多層回
路基板しか得られなかった。逆に試料番号１９のように
５５モル％を越えると、高温でないと焼結が達成でき
ず、さらに抗折強度、吸水率が劣化した。In Sample Nos. 18 and 19, the molar ratio of SiO 2 in the glass frit was varied. When SiO 2 is less than 43 mol% as in Sample No. 18, sintering failure of the substrate occurs, and only a multi-layer circuit board that is visually recognizable is obtained. Conversely, when the content exceeds 55 mol% as in sample No. 19, sintering cannot be achieved unless the temperature is high, and the bending strength and the water absorption are further deteriorated.
【００５６】試料番号２０、２１ではガラスフリット中
のＡｌ2 Ｏ3 のモル比を変動させた。その結果、試料番
号２０のように１５モル％未満では、ガーナイト、コー
ジェライトの生成が充分得られず、熱膨張率が５．０×
１０-6／℃を越えてしまい、抗折強度の低下が生じた。
逆に試料番号２１のように２４モル％を越えると、ガラ
スの溶融温度が高くなり、粘性が著しく高くなるので、
フリットの製造が困難となり、多層回路基板が製造でき
なかった。In Sample Nos. 20 and 21, the molar ratio of Al 2 O 3 in the glass frit was varied. As a result, when the content is less than 15 mol% as in Sample No. 20, garnet and cordierite cannot be sufficiently produced, and the coefficient of thermal expansion is 5.0 ×.
It exceeded 10 −6 / ° C., resulting in a decrease in bending strength.
Conversely, if the content exceeds 24 mol% as in sample No. 21, the melting temperature of the glass increases, and the viscosity becomes extremely high.
The production of frit became difficult, and a multilayer circuit board could not be produced.
【００５７】試料番号２２、２３ではガラスフリット中
のＭｇＯのモル比を変動させた。その結果、試料番号２
２のように１４モル％未満では、コージェライトの生成
が充分得られず、熱膨張率が５．０×１０-6／℃を越え
てしまい、抗折強度の低下が生じた。逆に試料番号２３
のように２１モル％を越えると、ガラスの溶融温度が高
くなって粘性が著しく高くなるので、フリットの製造が
困難となり、多層回路基板が製造できなかった。In Sample Nos. 22 and 23, the molar ratio of MgO in the glass frit was varied. As a result, sample number 2
If the content is less than 14 mol% as in 2, cordierite cannot be sufficiently produced, the coefficient of thermal expansion exceeds 5.0 × 10 −6 / ° C., and the bending strength decreases. Conversely, sample number 23
When the content exceeds 21 mol% as described above, the melting temperature of the glass becomes high and the viscosity becomes extremely high, so that it becomes difficult to produce a frit and a multilayer circuit board cannot be produced.
【００５８】試料番号２４、２５ではガラスフリット中
のＺｎＯのモル比を変動させた。その結果、試料番号２
４のように３モル％未満では、ガーナイトの生成が充分
得られず、抗折強度の低下が生じた。逆に試料番号２５
のように１５モル％を越えると、失透が起こって安定し
た特性のガラスが得られず、多層回路基板が製造できな
かった。In sample numbers 24 and 25, the molar ratio of ZnO in the glass frit was varied. As a result, sample number 2
When the amount is less than 3 mol% as in 4, the formation of garnite is not sufficiently obtained, and the bending strength is lowered. Conversely, sample number 25
When the content exceeds 15 mol%, devitrification occurs and a glass having stable characteristics cannot be obtained, and a multilayer circuit board cannot be manufactured.
【００５９】試料番号２６、２７ではガラスフリット中
のＢ2 Ｏ3 のモル比を変動させた。その結果、試料番号
２６のように２モル％未満では、ガラスの結晶性が高く
なり、吸水率の劣化が生じた。逆に試料番号２７のよう
に１５モル％を越えると失透が起こって安定した特性の
ガラスが得られず、多層回路基板が製造できなかった。In sample numbers 26 and 27, the molar ratio of B 2 O 3 in the glass frit was varied. As a result, when the content was less than 2 mol% as in Sample No. 26, the crystallinity of the glass was high, and the water absorption was deteriorated. Conversely, when the content exceeds 15 mol% as in sample No. 27, devitrification occurs, and glass having stable characteristics cannot be obtained, and a multilayer circuit board cannot be manufactured.
【００６０】試料番号２８、２９ではフィラーをムライ
ト、石英ガラスに変えた。表の結果から、ムライト及び
石英ガラスは、アルミナフィラーに比較して若干、抗折
強度が低下するが、回路基板材料として充分に使用可能
なことがわかる。In Sample Nos. 28 and 29, the filler was changed to mullite or quartz glass. From the results in the table, it can be seen that mullite and quartz glass have a slightly lower transverse rupture strength than the alumina filler, but can be sufficiently used as a circuit board material.
【図１】本発明に係る多層回路基板の一例の縦断面部分
図である。FIG. 1 is a partial vertical cross-sectional view of an example of a multilayer circuit board according to the present invention.
１ 多層回路基板 ２ 積層基板 ２ａ，２ｂ，２ｃ シート ３ａ，３ｂ，３ｃ 内部配線 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ 表面配線 ５ スルーホール ６ 両主面 ７ シリコンチップ ８ 接続導体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Multilayer circuit board 2 Multilayer board 2a, 2b, 2c Sheet 3a, 3b, 3c Internal wiring 4a, 4b, 4c, 4d Surface wiring 5 Through hole 6 Both main surfaces 7 Silicon chip 8 Connection conductor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者 関 宏志 千葉県船橋市海神町２丁目８番４号南海 神団地１−404 (72)発明者 横山 拓哉 千葉県鎌ケ谷市東道辺５丁目３番地17号 (56)参考文献 特開 昭62−252340（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−50345（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/15 C03C 1/00 - 14/00 H01L 23/12 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H01L 23/12 H01L 23/12 N (72) Inventor Hiroshi Seki 2-8-4 Kaijincho, Funabashi-shi, Chiba Nankai Shindanchi 1 -404 (72) Inventor Takuya Yokoyama 5-3-1, Higashimichibebe, Kamagaya-shi, Chiba (56) References JP-A-62-252340 (JP, A) JP-A-63-50345 (JP, A) (58) ) Surveyed field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/15 C03C 1/00-14/00 H01L 23/12
Claims (3)
ーナイト及び５〜５０重量％のコージェライトが生成さ
れるように、ＳｉＯ 2 を４３〜５５モル％、Ａｌ 2 Ｏ 3 を
１５〜２４モル％、ＭｇＯを１４〜２１モル％、ＺｎＯ
を３〜１５モル％、Ｂ 2 Ｏ 3 を２〜１４モル％含む結晶性
ガラスフリット。(1) 43-55 mol% of SiO 2 and Al 2 O 3 are contained in the crystal phase after firing so that 5-30% by weight of garnite and 5-50% by weight of cordierite are formed.
15-24 mol%, MgO 14-21 mol%, ZnO
3-15 mol%, crystalline glass frit containing B 2 O 3 2 to 14 mol%.
０重量％の結晶性ガラスフリットとを含み、 前記結晶性ガラスフリットが、焼成後の結晶相中に、５
〜３０重量％のガーナイト及び５〜５０重量％のコージ
ェライトが生成されるように、ＳｉＯ2を４３〜５５モ
ル％、Ａｌ2Ｏ3を１５〜２４モル％、ＭｇＯを１４〜２
１モル％、ＺｎＯを３〜１５モル％、Ｂ2Ｏ3を２〜１４
モル％含む、多層回路基板用組成物。 2. 10 to 50% by weight of a filler, 50 to 9% by weight.
0% by weight of a crystalline glass frit, wherein the crystalline glass frit contains 5%
As 30% of gahnite and 5 to 50 wt% of cordierite is produced, the SiO 2 forty-three to fifty-five mol%, the Al 2 O 3 15 to 24 mol%, the MgO fourteen to two
1 mol%, ZnO 3-15 mol%, B 2 O 3 2-14
A composition for a multilayer circuit board, comprising at least one mole%.
体内に配置された内部配線とを備えた多層回路基板にお
いて、 前記回路基板は、１０〜５０重量％のフィラーと、焼成
後の結晶相中に、５〜３０重量％のガーナイト及び５〜
５０重量％のコージェライトが生成されるように、Ｓｉ
Ｏ2を４３〜５５モル％、Ａｌ2Ｏ3を１５〜２４モル
％、ＭｇＯを１４〜２１モル％、ＺｎＯを３〜１５モル
％、Ｂ2Ｏ3を２〜１４モル％含む、９０〜５０重量％の
結晶性ガラスフリットとを含む多層回路基板。 3. A multilayer circuit board comprising: a main body on which a plurality of circuit boards are stacked; and an internal wiring arranged in the main body, wherein the circuit board comprises: 10 to 50% by weight of a filler; In the crystalline phase, 5 to 30% by weight of garnite and 5 to
Si so that 50% by weight of cordierite is produced,
O 2 and 43 to 55 mol%, the Al 2 O 3 15 to 24 mol%, the MgO 14 to 21 mol%, 3-15 mol% of ZnO, including B 2 O 3 2 to 14 mol%, 90 A multilayer circuit board comprising 50% by weight of crystalline glass frit.
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| JP3116865A JP3025334B2 (en) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Crystalline glass frit, composition for multilayer circuit board, and multilayer circuit board |
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