JP3010974U - Magnetoelectric conversion element - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金線接続性が良く、銀マイグレーションの発
生しない高信頼性で、外装はんだが不要のため低コスト
の磁電変換素子を提供する。
【構成】 磁電変換素子に適用されるリード部のめっき
構造は、銅、銅合金等の素材７上に０．１〜０．５μｍ
厚のニッケルをめっきし、次いで０．０１〜０．１μｍ
のパラジウムをめっきしてなる。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a magnetoelectric conversion element that has good gold wire connectivity, high reliability that does not cause silver migration, and does not require external soldering, and is low cost. [Constitution] The plating structure of the lead portion applied to the magnetoelectric conversion element is 0.1 to 0.5 μm on the material 7 such as copper or copper alloy.
Thick nickel plating, then 0.01-0.1 μm
It is made by plating palladium.
Description
【０００１】[0001]
本考案は磁電変換素子に関し、特に磁電変換素子のリード部のめっき構造に関 するものである。 The present invention relates to a magnetoelectric conversion element, and particularly to a plating structure of a lead portion of the magnetoelectric conversion element.
【０００２】[0002]
ホール素子やホールＩＣ等の磁電変換素子は、ビデオテープレコーダやフロッ ピーディスクドライブ等のドライブモータ用の位置検出センサーとして広く使用 されている。このような磁電変換素子は、他の電子部品と同じようにコストダウ ン、信頼性の向上が要求され、またセンサーとして小型化が要求されている。 Magnetoelectric conversion elements such as Hall elements and Hall ICs are widely used as position detection sensors for drive motors such as video tape recorders and floppy disk drives. Such a magnetoelectric conversion element is required to be cost-down and improved in reliability like other electronic parts, and is required to be miniaturized as a sensor.
【０００３】 例えば、コストに関してはダイオードやチップ抵抗並の低価格が要求され、信 頼性については高温多湿の厳しい環境の使用に耐えうる性能が要求されている。 また、小型化の実現に関しては、実装用にフォーミングされた後の大きさで、２ ．５ｍｍ×１．５ｍｍ×０．６ｍｍまで実現されているが、それ以下の大きさが 要求されている。従来の磁電変換素子は、図２に示すように、半導体ペレット１ （回路をパターニングしたウエハを所定の大きさに切断したもの）をペレット搭 載部２に接着し、極細の金線３でリード部４の内側のワイヤボンディング部５に 接続し、樹脂６で保持された構造となっている。For example, the cost is required to be as low as that of a diode or a chip resistor, and the reliability is required to have a performance capable of withstanding use in a severe environment of high temperature and high humidity. As for the realization of miniaturization, the size after forming for mounting is 2. It has been realized up to 5 mm x 1.5 mm x 0.6 mm, but a size smaller than that is required. As shown in FIG. 2, a conventional magneto-electric conversion element has a semiconductor pellet 1 (a circuit patterned wafer cut into a predetermined size) adhered to a pellet mounting portion 2 and is lead with an ultrafine gold wire 3. It is connected to the wire bonding portion 5 inside the portion 4 and is held by the resin 6.
【０００４】 ペレット搭載部２およびリード部４はリードフレームと呼ばれ、分離される前 は一体であり、例えば銅合金の薄板をプレス成形して形成されている。The pellet mounting portion 2 and the lead portion 4 are called a lead frame and are integrated before being separated, and are formed by pressing a thin plate of copper alloy, for example.
【０００５】 また、磁電変換素子は最終的にプリント基板上にリード部をはんだ付けされる ため、リード部は電気めっき法、コート法、またはディップ法により外装はんだ されるか、あるいは外装はんだを行わずに元のめっき状態のままにしている。Further, since the lead portion of the magnetoelectric conversion element is finally soldered on the printed board, the lead portion is externally soldered by an electroplating method, a coating method, or a dipping method, or externally soldered. Instead, they are left in their original plated state.
【０００６】 これらのめっきは金線の接続性が要求されることから、金めっきまたは銀めっ きされることが多かった。[0006] These platings are often gold-plated or silver-plated because they require the connectivity of gold wires.
【０００７】 しかし、銀めっきのままであれば、表面が酸化や硫化されやすく、高湿度の雰 囲気中で電界がかかると銅イオンが移動する銀マイグレーションが発生し、回路 の短絡等を引き起こす可能性があるため、信頼性で劣っていた。また、外装はん だを行うと余分に工数がかかるという問題があった。さらに、金めっきでは非常 にコストがかかるという問題があった。However, if silver plating is left as it is, the surface is likely to be oxidized or sulfided, and when an electric field is applied in an atmosphere of high humidity, copper ions move to cause silver migration, which may cause a circuit short circuit or the like. It was inferior in reliability due to its reliability. In addition, there is a problem that extra man-hours are required to perform the exterior soldering. Furthermore, there is a problem that gold plating is very expensive.
【０００８】 一方、このような問題を解決するために、集積回路用リードフレームにおいて 、リード素材上にニッケルをめっきし、次いで厚み０．５μｍ以上のパラジウム 又はパラジウム合金をめっきすることにより、外装はんだを不要にし、銀マイグ レーションの発生しない、低コスト高信頼性のリードフレームが示されている（ 特公昭６３−４９３８２号公報）。そこで、このようなリードフレームを磁電変 換素子に用いることが検討されている。On the other hand, in order to solve such a problem, in a lead frame for an integrated circuit, nickel is plated on a lead material, and then palladium or a palladium alloy having a thickness of 0.5 μm or more is plated. Is disclosed, and a low-cost and highly reliable lead frame that does not require silver migration and does not generate silver migration (Japanese Patent Publication No. 63-49382). Therefore, the use of such a lead frame in a magnetoelectric conversion element has been studied.
【０００９】[0009]
しかし、磁電変換素子は小型であるために、リードフレームの厚みも集積回路 用よりかなり薄くなっている。したがって、このメッキ構造で磁電変換素子を組 立後、プリント基板等に実装し易いようリードを折り曲げると、曲げが大きいた めにパラジウムに割れが生じ、脱落してしまうという問題があった。 However, due to the small size of the magnetoelectric conversion element, the thickness of the lead frame is considerably smaller than that for integrated circuits. Therefore, after assembling the magnetoelectric conversion element with this plating structure, if the leads are bent so as to be easily mounted on a printed circuit board or the like, there is a problem that the palladium is cracked due to the large bending, and the palladium falls off.
【００１０】 また、集積回路用リードフレームであればパッケージが大型でリードフレーム の占める割合が低く、パラジウムそのもののコストは問題になることは少ない。 しかし、磁電変換素子は、通常の集積回路と異なり、リードフレームの占める割 合が高く、コストの大きな部分を占めている。パラジウムは金よりはコストがか からないが、銀の３０倍も高い。パラジウムの厚みを０．５μｍ以上にするとい うことはリードフレームの低コストを実現しにくい。Further, in the case of a lead frame for an integrated circuit, the package is large and the ratio of the lead frame is low, and the cost of palladium itself is not a problem. However, unlike the ordinary integrated circuit, the magnetoelectric conversion element occupies a large proportion of the lead frame and occupies a large part of the cost. Palladium is less expensive than gold, but 30 times more expensive than silver. Setting the thickness of palladium to 0.5 μm or more makes it difficult to realize a low cost lead frame.
【００１１】 本考案は、上記問題を解決するもので、磁電変換素子において、薄いリード部 を大きく曲げても、パラジウムめっき部に割れが発生せず、外装はんだ不要で銀 マイグレーション等の発生しない低コスト、高信頼性の磁電変換素子を提供する ことを課題とする。The present invention solves the above problems. In a magnetoelectric conversion element, even if a thin lead portion is largely bent, the palladium plated portion does not crack, external solder is not required, and silver migration does not occur. It is an object to provide a cost-effective and highly reliable magnetoelectric conversion element.
【００１２】[0012]
本考案の磁電変換素子は、半導体ペレットに接着されたペレット搭載部とリー ド部とが細線により接続された磁電変換素子において、リード部がニッケルによ り被覆され、該ニッケル上にパラジウムまたはパラジウム合金が０．０１〜０． １μｍの厚さで被覆されていることを特徴とする。 The magnetoelectric conversion element of the present invention is a magnetoelectric conversion element in which a pellet mounting portion adhered to a semiconductor pellet and a lead portion are connected by a thin wire, and the lead portion is coated with nickel and palladium or palladium is deposited on the nickel. The alloy is 0.01-0. It is characterized by being coated with a thickness of 1 μm.
【００１３】 好ましくは、上記ニッケルの厚みが０．１〜０．５μｍである。Preferably, the nickel has a thickness of 0.1 to 0.5 μm.
【００１４】 好ましくは、上記パラジウムまたはパラジウム合金がめっき法により被覆され ている。Preferably, the above palladium or palladium alloy is coated by a plating method.
【００１５】 好ましくは、上記ニッケルがめっき法により被覆されている。Preferably, the nickel is coated by a plating method.
【００１６】 好ましくは、上記細線は金線である。Preferably, the thin wire is a gold wire.
【００１７】 好ましくは、上記半導体ペレット、ペレット搭載部、リード部の内側のワイヤ ボンディング部、および細線が樹脂によって保持されている。Preferably, the semiconductor pellet, the pellet mounting portion, the wire bonding portion inside the lead portion, and the thin wire are held by resin.
【００１８】 好ましくは、上記リード部が銅または銅合金からなる。Preferably, the lead portion is made of copper or copper alloy.
【００１９】 好ましくは、上記リード部の厚さが８０〜１５０μｍである。Preferably, the lead portion has a thickness of 80 to 150 μm.
【００２０】 また、本考案の磁電変換素子は、半導体ペレットに装着されたペレット搭載部 とリード部とが金線により接続された磁電変換素子において、上記半導体ペレッ ト、ペレット搭載部、リード部の内側のワイヤボンディング部、および金線が樹 脂によって保持されており、また前記リード部が銅または銅合金からなり、かつ 厚さが８０〜１５０μｍであり、さらに前記リード部が０．１〜０．５μｍの厚 さでニッケルめっきされ、かつ該ニッケル上にパラジウムまたはパラジウム合金 が０．０１〜０．１μｍの厚さでめっきされていることを特徴とする。Further, the magnetoelectric conversion element of the present invention is a magnetoelectric conversion element in which a pellet mounting portion mounted on a semiconductor pellet and a lead portion are connected by a gold wire, and the semiconductor pellet, the pellet mounting portion, and the lead portion are connected to each other. The inner wire bonding portion and the gold wire are held by a resin, the lead portion is made of copper or a copper alloy, and the thickness is 80 to 150 μm, and the lead portion is 0.1 to 0. It is characterized in that it is nickel-plated to a thickness of 0.5 μm, and palladium or a palladium alloy is plated to a thickness of 0.01 to 0.1 μm on the nickel.
【００２１】[0021]
リードフレームの表面は、細線、特に金線との接続性、高湿での安定性および はんだ付け性が要求されるが、パラメータは白金族で空気中では極めて安定であ る。また、銀では高湿の雰囲気中で電界がかかると銀イオンが移動するマイグレ ーションが発生するが、パラジウムまたはパラジウム合金では発生しない。さら に、下地にニッケルめっきを行うことにより金線の接続性やはんだ付け性が安定 する。 The surface of the lead frame is required to have connectivity with thin wires, especially gold wires, stability in high humidity, and solderability, but the parameters are platinum group and extremely stable in air. Also, silver causes migration where silver ions move when an electric field is applied in a high humidity atmosphere, but does not occur with palladium or palladium alloys. Furthermore, the nickel wire plating on the base stabilizes the gold wire connectivity and solderability.
【００２２】[0022]
以下、本考案について実施例により更に詳しく説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
【００２３】 本考案の磁電変換素子に適用されるめっき構造の一例を図１に示す。図１に示 すように厚さが８０〜１５０μｍの銅や銅合金等のリードフレーム素材７上に０ ．１〜０．５μｍ厚のニッケル８をめっきし、次いで０．０１〜０．１μｍのパ ラジウム９をめっきしている。めっき法は電気めっき法や化学メッキ法等で良い 。FIG. 1 shows an example of a plating structure applied to the magnetoelectric conversion element of the present invention. As shown in FIG. 1, the lead frame material 7 made of copper, copper alloy or the like having a thickness of 80 to 150 μm has a thickness of 0. Nickel 8 having a thickness of 1 to 0.5 μm is plated, and then palladium 9 having a thickness of 0.01 to 0.1 μm is plated. The plating method may be electroplating or chemical plating.
【００２４】 リードの厚さは８０μｍ以下の場合、強度的に問題があり、また１５０μｍよ り厚い場合には、小型化の障害となる。If the thickness of the lead is 80 μm or less, there is a problem in strength, and if it is thicker than 150 μm, it becomes an obstacle to miniaturization.
【００２５】 このような厚さのリードに行うニッケルとパラジウムまたはパラジウム合金の めっきの厚さは、それぞれ０．５μｍ、０．１μｍより厚い場合、リード部の９ ０度曲げ試験を行うとパラジウム表面に割れが生じてしまうため、０．５μｍ、 ０．１μｍ以下が良い。If the thickness of the nickel and palladium or palladium alloy plating applied to the lead having such a thickness is greater than 0.5 μm and 0.1 μm, respectively, a 90 ° bending test of the lead portion will result in a palladium surface. 0.5 μm, 0.1 μm or less is preferable because cracks will occur in the film.
【００２６】 また、ボンディング性やはんだ付け性の観点からは０．１μｍ以上は必要であ る。パラジウムまたはパラジウム合金の厚みは０．０１μｍ以上であれば問題な く、０．１μｍより厚い場合は割れを生じやすくなる。Further, from the viewpoint of bonding property and soldering property, 0.1 μm or more is necessary. If the thickness of palladium or palladium alloy is 0.01 μm or more, there is no problem, and if it is thicker than 0.1 μm, cracking is likely to occur.
【００２７】 （実施例１） 磁電変換素子の一つであるホールＩＣを製作した。このホールＩＣは、ホール 素子のペレットとホール素子の出力信号を処理する機能を持つ集積回路を１つの パッケージに組み込んだものである。パッケージの大きさは樹脂モールド部が４ ｍｍ×４．５ｍｍ×１．５ｍｍであり、リード部は３ピンある。Example 1 A Hall IC, which is one of the magnetoelectric conversion elements, was manufactured. This Hall IC is one in which an integrated circuit having a function of processing the pellet of the Hall element and the output signal of the Hall element is incorporated in one package. The size of the package is 4 mm × 4.5 mm × 1.5 mm in the resin mold portion, and the lead portion has 3 pins.
【００２８】 このホールＩＣは、リードフレームのペレット搭載部にホール素子のペレット と集積回路を接着し、直径２８μｍの金線で結線し、エポキシ樹脂で金型内で封 止し個々に分離し、電気検査により選別され、製品となる。In this Hall IC, the pellet of the Hall element and the integrated circuit are adhered to the pellet mounting portion of the lead frame, connected with a gold wire having a diameter of 28 μm, sealed with epoxy resin in the mold, and individually separated. Selected by electrical inspection and made into products.
【００２９】 リードフレームとして銅系で厚さが０．３ｍｍの１２ＳＮ−ＯＦＣ（日立電線 製）を用いている。この実施例では、リードフレームの表面に０．５μｍのニッ ケルめっきを行い、次いで０．２，０．０５，０．１μｍ３種の厚みでパラジウ ムめっきを行った。パラジウムは電解パラジウムめっき液、パラブライト−ＳＳ Ｔ（日本高純度化学製）を使用した。金線で結線後、リードフレームのパラジウ ムめっき表面と金線の接続強度を調べるために金線のループの頂点部分を垂直方 向に引っ張り、強度を測定した。この結果、十分な強度があり、表面が銀めっき よりもばらつきが小さく安定していることが確認された。また、出来上がった製 品について各種の加速試験を行ったが不良品は観測されなかった。はんだ付け性 については、メニスコグラフ法により試験を行い、濡れ時間が銀めっき品の０． ８秒に対して１秒であり実用上問題が無いことが確認された。As the lead frame, a copper-based 12SN-OFC (made by Hitachi Cable) having a thickness of 0.3 mm is used. In this example, the surface of the lead frame was nickel plated to a thickness of 0.5 μm, and then palladium was plated to a thickness of three types of 0.2, 0.05 and 0.1 μm. As palladium, an electrolytic palladium plating solution, Parabright-SST (manufactured by Nippon Kojundo Chemical Co., Ltd.) was used. After connecting with a gold wire, in order to check the connection strength between the palladium-plated surface of the lead frame and the gold wire, the apex of the gold wire loop was pulled vertically to measure the strength. As a result, it was confirmed that it has sufficient strength and the surface has less variation and is more stable than silver plating. In addition, various accelerated tests were conducted on the finished products, but no defective products were observed. The solderability was tested by the meniscograph method, and the wetting time was 0. It was 1 second for 8 seconds, and it was confirmed that there was no practical problem.
【００３０】 （実施例２） 実施例２のホール素子は、実施例１で述べたホールＩＣと同様な構造であり、 集積回路が組み込まれていない。リードフレームは、銅合金系で厚みが０．１ｍ ｍのＣ５１９１Ｒ−１／２Ｈ（日立電線製）である。Example 2 The Hall element of Example 2 has the same structure as the Hall IC described in Example 1, and does not include an integrated circuit. The lead frame is a copper alloy-based C5191R-1 / 2H (manufactured by Hitachi Cable) having a thickness of 0.1 mm.
【００３１】 このリードフレームの表面を０．２μｍのニッケルをめっきし、このニッケル 上に０．０２μｍのパラジウムめっきを行った。The surface of this lead frame was plated with nickel of 0.2 μm, and the nickel was plated with palladium of 0.02 μm.
【００３２】 実施例１と同様の方法で組立て、自動実装を行うためにリード曲げを行う。リ ード曲げ部表面のめっき状態を観察したが、めっき割れは無かった。Assembling is performed in the same manner as in Example 1, and lead bending is performed for automatic mounting. The plating state on the surface of the lead bend was observed, but there was no plating crack.
【００３３】 また、通常ははんだディップ法で外装はんだを行うのであるが、その場合はは んだの付着厚みのばらつきが大きいため、形状ばらつきやフォーミング装置を通 過するときに詰まる等の現象が発生しやすいが、本実施例のパラジウムめっき品 はこれらに関する不良が皆無であった。In addition, the outer soldering is usually performed by the solder dipping method, but in this case, since the variation in the adhesion thickness of the solder is large, there are phenomena such as shape variation and clogging when passing through the forming device. Although easily generated, the palladium-plated product of this example had no defects related to these.
【００３４】[0034]
以上のように本考案によれば、リード部の素材上にニッケルめっきし、パラジ ウムめっきすることにより金線接続性が良く、銀マイグレーションの発生しない 高信頼性で、外装はんだが不要で低コストの磁電変換素子を提供することが可能 になる。 As described above, according to the present invention, the lead material is nickel-plated and palladium-plated to achieve good gold wire connectivity, high reliability without silver migration, and no need for external soldering at low cost. It becomes possible to provide the magnetoelectric conversion element.
【図１】本考案の磁電変換素子に適用されるリード部の
めっき構造を説明する図面である。FIG. 1 is a view illustrating a plating structure of a lead portion applied to a magnetoelectric conversion device of the present invention.
【図２】磁電変換素子の構造を示す図面である。FIG. 2 is a drawing showing a structure of a magnetoelectric conversion element.
１ 半導体ペレット ２ ペレット搭載部 ３ 金線 ４ リード部 ５ ワイヤボンディング部 ６ 樹脂 ７ リードフレーム素材 ８ ニッケル ９ パラジウム 1 Semiconductor pellet 2 Pellet mounting part 3 Gold wire 4 Lead part 5 Wire bonding part 6 Resin 7 Lead frame material 8 Nickel 9 Palladium
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｄ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 23/50 D
Claims (9)
載部とリード部とが細線により接続された磁電変換素子
において、前記リード部がニッケルにより被覆され、か
つ該ニッケル上にパラジウムまたはパラジウム合金が
０．０１〜０．１μｍの厚さで被覆されていることを特
徴とする磁電変換素子。1. A magnetoelectric conversion element in which a pellet mounting portion adhered to a semiconductor pellet and a lead portion are connected by a thin wire, wherein the lead portion is covered with nickel, and palladium or a palladium alloy on the nickel is less than 0.1. A magnetoelectric conversion element characterized by being coated with a thickness of 01 to 0.1 μm.
前記ニッケルの厚みが０．１〜０．５μｍであることを
特徴とする磁電変換素子。2. The magnetoelectric conversion element according to claim 1, wherein
A magnetoelectric conversion element, wherein the nickel has a thickness of 0.1 to 0.5 μm.
おいて、前記パラジウムまたはパラジウム合金がめっき
法により被覆されていることを特徴とする磁電変換素
子。3. The magnetoelectric conversion element according to claim 1, wherein the palladium or palladium alloy is coated by a plating method.
磁電変換素子において、前記ニッケルがめっき法により
被覆されていることを特徴とする磁電変換素子。4. The magnetoelectric conversion element according to claim 1, wherein the nickel is coated by a plating method.
磁電変換素子において、細線が金線であることを特徴と
する磁電変換素子。5. The magnetoelectric conversion element according to claim 1, wherein the thin wire is a gold wire.
磁電変換素子において、前記半導体ペレット、前記ペレ
ット搭載部、前記リード部の内側のワイヤボンディング
部、および前記細線が樹脂によって保持されていること
を特徴とする磁電変換素子。6. The magnetoelectric conversion element according to claim 1, wherein the semiconductor pellet, the pellet mounting portion, the wire bonding portion inside the lead portion, and the thin wire are held by a resin. A magnetoelectric conversion element characterized by being present.
磁電変換素子において、前記リード部が銅または銅合金
からなることを特徴とする磁電変換素子。7. The magnetoelectric conversion element according to claim 1, wherein the lead portion is made of copper or a copper alloy.
磁電変換素子において、前記リード部の厚さが８０〜１
５０μｍであることを特徴とする磁電変換素子。8. The magnetoelectric conversion element according to claim 1, wherein the lead portion has a thickness of 80 to 1
A magnetoelectric conversion element having a thickness of 50 μm.
載部とリード部とが金線により接続された磁電変換素子
において、前記半導体ペレット、前記ペレット搭載部、
前記リード部の内側のワイヤボンディング部、および前
記金線が樹脂によって保持され、また前記リード部が銅
または銅合金からなり、かつ厚さが８０〜１５０μｍで
あり、さらに前記リード部が０．１〜０．５μｍの厚さ
でニッケルめっきされ、かつ該ニッケル上にパラジウム
またはパラジウム合金が０．０１〜０．１μｍの厚さで
めっきされていることを特徴とする磁電変換素子。9. A magnetoelectric conversion element in which a pellet mounting portion mounted on a semiconductor pellet and a lead portion are connected by a gold wire, wherein the semiconductor pellet, the pellet mounting portion,
The wire bonding portion inside the lead portion and the gold wire are held by a resin, the lead portion is made of copper or a copper alloy, and has a thickness of 80 to 150 μm. A magnetoelectric conversion element, characterized in that it is nickel-plated with a thickness of ˜0.5 μm, and palladium or palladium alloy is plated with a thickness of 0.01-0.1 μm on the nickel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1994013829U JP3010974U (en) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | Magnetoelectric conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1994013829U JP3010974U (en) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | Magnetoelectric conversion element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3010974U true JP3010974U (en) | 1995-05-09 |
Family
ID=43146719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1994013829U Expired - Lifetime JP3010974U (en) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | Magnetoelectric conversion element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3010974U (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026419A (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Sanken Electric Co Ltd | Magnetism-electricity conversion device |
| JP2014022505A (en) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Renesas Electronics Corp | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
-
1994
- 1994-11-09 JP JP1994013829U patent/JP3010974U/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026419A (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Sanken Electric Co Ltd | Magnetism-electricity conversion device |
| JP2014022505A (en) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Renesas Electronics Corp | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
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