JP2981385B2 - チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法 - Google Patents
チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種表示パネル、液晶
のバックライト、各種携帯機器のインジケータ、照光ス
イッチ、ＯＡ機器用光源等として利用される表面実装用
ＬＥＤランプの構造及びその製造方法に関する。
のバックライト、各種携帯機器のインジケータ、照光ス
イッチ、ＯＡ機器用光源等として利用される表面実装用
ＬＥＤランプの構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、チップ部品型のＬＥＤが種々
提案されている。
提案されている。
【０００３】図２４及び図２５は、このような従来のチ
ップ部品型ＬＥＤの構造の一例を示している。
ップ部品型ＬＥＤの構造の一例を示している。
【０００４】図２４に示すチップ部品型ＬＥＤは、金属
線リードフレーム５１，５２の先端部分５１ａ、５２ａ
が対向配置され、一方の金属線リードフレーム５１の先
端部分５１ａにＬＥＤチップ５３が載置されて、このＬ
ＥＤチップ５３の一方の電極と金属線リードフレーム５
１の先端部分５１ａとが導電性ペースト５４によって接
続されている。また、ＬＥＤチップ５３の他方の電極と
他方の金属線リードフレーム５２の先端部分５２ａと
は、金属細線５５によって接続されている。そして、こ
れらＬＥＤチップ５３と金属細線５５と両金属線リード
フレーム５１，５２の先端部分５１ａ、５２ａとが、透
明樹脂５６にて一体的に封止された構造となっている。
線リードフレーム５１，５２の先端部分５１ａ、５２ａ
が対向配置され、一方の金属線リードフレーム５１の先
端部分５１ａにＬＥＤチップ５３が載置されて、このＬ
ＥＤチップ５３の一方の電極と金属線リードフレーム５
１の先端部分５１ａとが導電性ペースト５４によって接
続されている。また、ＬＥＤチップ５３の他方の電極と
他方の金属線リードフレーム５２の先端部分５２ａと
は、金属細線５５によって接続されている。そして、こ
れらＬＥＤチップ５３と金属細線５５と両金属線リード
フレーム５１，５２の先端部分５１ａ、５２ａとが、透
明樹脂５６にて一体的に封止された構造となっている。
【０００５】また、図２５に示すチップ部品型ＬＥＤ
は、基板６０上に一対の金属層６１，６２がパターン形
成され、一方の金属層６１の先端部分６１ａにＬＥＤチ
ップ６３が載置されて、このＬＥＤチップ６３の一方の
電極と金属層６１の先端部分６１ａとが導電性ペースト
６４によって接続されている。また、ＬＥＤチップ６３
の他方の電極と他方の金属層６２の先端部分６２ａと
は、金属細線６５によって接続されている。そして、こ
れらＬＥＤチップ６３と金属細線６５と両金属層６１，
６２の先端部分６１ａ、６２ａとが、透明樹脂６６にて
一体的に封止された構造となっている。
は、基板６０上に一対の金属層６１，６２がパターン形
成され、一方の金属層６１の先端部分６１ａにＬＥＤチ
ップ６３が載置されて、このＬＥＤチップ６３の一方の
電極と金属層６１の先端部分６１ａとが導電性ペースト
６４によって接続されている。また、ＬＥＤチップ６３
の他方の電極と他方の金属層６２の先端部分６２ａと
は、金属細線６５によって接続されている。そして、こ
れらＬＥＤチップ６３と金属細線６５と両金属層６１，
６２の先端部分６１ａ、６２ａとが、透明樹脂６６にて
一体的に封止された構造となっている。
【０００６】つまり、従来のチップ部品型ＬＥＤは、金
属線リードフレーム５１，５２、若しくは金属層を有す
る基板６１，６２、ＬＥＤチップ５３，６３、金属細線
５５，６５、透明樹脂５６，６６によって構成されてい
る。
属線リードフレーム５１，５２、若しくは金属層を有す
る基板６１，６２、ＬＥＤチップ５３，６３、金属細線
５５，６５、透明樹脂５６，６６によって構成されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記構成のチップ部品
型ＬＥＤは、その構造上、以下に示す問題点を有してい
る。
型ＬＥＤは、その構造上、以下に示す問題点を有してい
る。
【０００８】すなわち、並列的に配置した金属線リード
フレーム５１，５２、あるいは基板上の金属層６１，６
２の一方にＬＥＤチップ５３，６３を導電性ペースト５
４，６４で接続し、他方の金属線リードフレーム５２，
６２とＬＥＤチップ５３，６３とを金属細線５５，６５
で接続し、さらに金属細線やＬＥＤチップ５３，６３を
保護するため、これら全体を透明樹脂５６，６６で封止
している。そのため、全体の大きさは、最低限でもＬＥ
Ｄチップ５３，６３に対して、厚み方向で２〜３倍、縦
及び横方向で２〜５倍程度の大きなものとなる。
フレーム５１，５２、あるいは基板上の金属層６１，６
２の一方にＬＥＤチップ５３，６３を導電性ペースト５
４，６４で接続し、他方の金属線リードフレーム５２，
６２とＬＥＤチップ５３，６３とを金属細線５５，６５
で接続し、さらに金属細線やＬＥＤチップ５３，６３を
保護するため、これら全体を透明樹脂５６，６６で封止
している。そのため、全体の大きさは、最低限でもＬＥ
Ｄチップ５３，６３に対して、厚み方向で２〜３倍、縦
及び横方向で２〜５倍程度の大きなものとなる。
【０００９】近年の機器の小型化に対応して従来部品の
各構成部品も小型化しているが、その反面、機械的、熱
的強度が弱くなっている。つまり、金属細線５５．６５
は通常２０〜３０μの太さであり、はんだ付けや実装さ
れた基板の反り等の外的なストレスあるいは熱ストレス
で金属細線が断線する場合がある。
各構成部品も小型化しているが、その反面、機械的、熱
的強度が弱くなっている。つまり、金属細線５５．６５
は通常２０〜３０μの太さであり、はんだ付けや実装さ
れた基板の反り等の外的なストレスあるいは熱ストレス
で金属細線が断線する場合がある。
【００１０】構成部品が多いため、組立に際し材料費、
加工費等の増大につながる。
加工費等の増大につながる。
【００１１】本発明は上記問題点を解決すべく創案され
たものであり、その目的は、ＬＥＤチップとほぼ同程度
の大きさであって、金属細線を用いずに部品を構成する
ため信頼性に優れ、かつ低コスト化を図ったチップ部品
型ＬＥＤを提供することを目的とする。
たものであり、その目的は、ＬＥＤチップとほぼ同程度
の大きさであって、金属細線を用いずに部品を構成する
ため信頼性に優れ、かつ低コスト化を図ったチップ部品
型ＬＥＤを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１に係わるチップ部品型ＬＥＤは、
導電性の金属層が形成された２枚の絶縁基板が、その金
属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両電極を挟み込
むようにして対向配置され、これら金属層と前記ＬＥＤ
チップの各電極とが導電性ペーストやはんだバンプ等で
接続され、かつ前記金属層間に透光性の樹脂が充填され
て前記ＬＥＤチップが封止された構造とする。
め、本発明の請求項１に係わるチップ部品型ＬＥＤは、
導電性の金属層が形成された２枚の絶縁基板が、その金
属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両電極を挟み込
むようにして対向配置され、これら金属層と前記ＬＥＤ
チップの各電極とが導電性ペーストやはんだバンプ等で
接続され、かつ前記金属層間に透光性の樹脂が充填され
て前記ＬＥＤチップが封止された構造とする。
【００１３】また、請求項１に係わるチップ部品型ＬＥ
Ｄを製造するための請求項２に係わる製造方法は、絶縁
基板の一側部を介して基板の両面に導電性の金属層が形
成されるとともに、このように形成された２枚の絶縁基
板を、その金属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両
電極を挟み込むようにして対向配置し、これら金属層と
前記ＬＥＤチップの各電極とを導電性ペーストやはんだ
バンプ等で接続し、前記金属層間に透光性の樹脂を充填
して前記ＬＥＤチップを封止するものである。また、請
求項１に係わるチップ部品型ＬＥＤを製造するための請
求項３に係わる製造方法は、絶縁基板に形成されたスル
ーホールを介して基板の両面に導電性の金属層が形成さ
れるとともに、このように形成された２枚の絶縁基板
を、その金属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両電
極を挟み込むようにして対向配置し、これら金属層と前
記ＬＥＤチップの各電極とを導電性ペーストやはんだバ
ンプ等で接続し、前記金属層間に透光性の樹脂を充填し
て前記ＬＥＤチップを封止し、この後、前記両絶縁基板
をスルーホール部分で切断することにより、このスルー
ホール部分の導電性ペーストやはんだ等が他基板への新
たな接続面となるものである。
Ｄを製造するための請求項２に係わる製造方法は、絶縁
基板の一側部を介して基板の両面に導電性の金属層が形
成されるとともに、このように形成された２枚の絶縁基
板を、その金属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両
電極を挟み込むようにして対向配置し、これら金属層と
前記ＬＥＤチップの各電極とを導電性ペーストやはんだ
バンプ等で接続し、前記金属層間に透光性の樹脂を充填
して前記ＬＥＤチップを封止するものである。また、請
求項１に係わるチップ部品型ＬＥＤを製造するための請
求項３に係わる製造方法は、絶縁基板に形成されたスル
ーホールを介して基板の両面に導電性の金属層が形成さ
れるとともに、このように形成された２枚の絶縁基板
を、その金属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両電
極を挟み込むようにして対向配置し、これら金属層と前
記ＬＥＤチップの各電極とを導電性ペーストやはんだバ
ンプ等で接続し、前記金属層間に透光性の樹脂を充填し
て前記ＬＥＤチップを封止し、この後、前記両絶縁基板
をスルーホール部分で切断することにより、このスルー
ホール部分の導電性ペーストやはんだ等が他基板への新
たな接続面となるものである。
【００１４】また、本発明の請求項４に係わるチップ部
品型ＬＥＤは、ＬＥＤチップの両電極を挟むようにして
２枚の導電性金属板が対向配置され、これら金属板と前
記ＬＥＤチップの各電極とが導電性ペーストやはんだバ
ンプ等で接続され、かつ前記金属板間に透光性の樹脂が
充填されて前記ＬＥＤチップが封止された構造とする。
品型ＬＥＤは、ＬＥＤチップの両電極を挟むようにして
２枚の導電性金属板が対向配置され、これら金属板と前
記ＬＥＤチップの各電極とが導電性ペーストやはんだバ
ンプ等で接続され、かつ前記金属板間に透光性の樹脂が
充填されて前記ＬＥＤチップが封止された構造とする。
【００１５】また、請求項４に係わるチップ部品型ＬＥ
Ｄを製造するための請求項５に係わる製造方法は、一面
に導電性の金属層が形成された２枚の保持基板を、その
金属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両電極を挟み
込むようにして対向配置し、これら金属層と前記ＬＥＤ
チップの各電極とを導電性ペーストやはんだバンプ等で
接続し、前記金属層間に透光性の樹脂を充填して前記Ｌ
ＥＤチップを封止し、この後、前記保持基板を除去する
ものである。
Ｄを製造するための請求項５に係わる製造方法は、一面
に導電性の金属層が形成された２枚の保持基板を、その
金属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両電極を挟み
込むようにして対向配置し、これら金属層と前記ＬＥＤ
チップの各電極とを導電性ペーストやはんだバンプ等で
接続し、前記金属層間に透光性の樹脂を充填して前記Ｌ
ＥＤチップを封止し、この後、前記保持基板を除去する
ものである。
【００１６】また、請求項６に係わるチップ部品型ＬＥ
Ｄは、請求項１または請求項４の構造において、ＬＥＤ
チップを複数個配したものである。
Ｄは、請求項１または請求項４の構造において、ＬＥＤ
チップを複数個配したものである。
【００１７】また、請求項７に係わるチップ部品型ＬＥ
Ｄは、請求項６の構造において、複数個のＬＥＤチップ
の少なくとも１つの電極に対向する箇所に絶縁部を設け
てなることを特徴とするものである。
Ｄは、請求項６の構造において、複数個のＬＥＤチップ
の少なくとも１つの電極に対向する箇所に絶縁部を設け
てなることを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】金属層を形成した２枚の絶縁基板若しくは２枚
の金属板を、ＬＥＤチップの両電極を挟んで対向配置し
たことにより、絶縁基板若しくは金属板の外周形状は、
ＬＥＤチップがこの絶縁基板間若しくは金属板間に充填
された樹脂により封止されればよいので、ＬＥＤチップ
の周囲形状より若干大きい程度でよい。つまり、本発明
のチップ部品型ＬＥＤは、その厚み方向の寸法がＬＥＤ
チップの厚みに両絶縁基板若しくは両金属板の厚みを加
えた寸法となり、縦及び横方向の寸法がＬＥＤチップの
周囲形状より若干大径に形成された絶縁基板若しくは金
属板の縦及び横方向の寸法となる。
の金属板を、ＬＥＤチップの両電極を挟んで対向配置し
たことにより、絶縁基板若しくは金属板の外周形状は、
ＬＥＤチップがこの絶縁基板間若しくは金属板間に充填
された樹脂により封止されればよいので、ＬＥＤチップ
の周囲形状より若干大きい程度でよい。つまり、本発明
のチップ部品型ＬＥＤは、その厚み方向の寸法がＬＥＤ
チップの厚みに両絶縁基板若しくは両金属板の厚みを加
えた寸法となり、縦及び横方向の寸法がＬＥＤチップの
周囲形状より若干大径に形成された絶縁基板若しくは金
属板の縦及び横方向の寸法となる。
【００１９】これにより、本発明のチップ部品型ＬＥＤ
の寸法は、厚み方向でＬＥＤチップの２倍以内、縦及び
横方向でＬＥＤチップの１．５〜３倍以内が実現でき
る。具体的には、１．０×０．５×０．５tｍｍの形状
が可能となる。
の寸法は、厚み方向でＬＥＤチップの２倍以内、縦及び
横方向でＬＥＤチップの１．５〜３倍以内が実現でき
る。具体的には、１．０×０．５×０．５tｍｍの形状
が可能となる。
【００２０】また、本発明のチップ部品型ＬＥＤは、金
属細線を用いずに導電ペーストやはんだバンプ等でＬＥ
Ｄチップを両電極部に固定しているので、外的ストレス
や熱的ストレスの影響を受けにくい構造となる。
属細線を用いずに導電ペーストやはんだバンプ等でＬＥ
Ｄチップを両電極部に固定しているので、外的ストレス
や熱的ストレスの影響を受けにくい構造となる。
【００２１】また、複数のＬＥＤチップを使用し、その
電極部に対向する箇所を絶縁部または導電部と任意に形
成することによって、様々な回路構成のチップ部品型Ｌ
ＥＤを実現できる。
電極部に対向する箇所を絶縁部または導電部と任意に形
成することによって、様々な回路構成のチップ部品型Ｌ
ＥＤを実現できる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００２３】図１は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの構
造の一例を示している。
造の一例を示している。
【００２４】同図において、本実施例のチップ部品型Ｌ
ＥＤは、ＬＥＤチップ１の両電極１ａ，１ｂを挟み込む
ようにして２枚の導電性金属板２，２が対向配置され、
これら導電性金属板２，２とＬＥＤチップ１の各電極１
ａ，１ｂとが導電性ペーストやはんだバンプ等（以下、
導電性ペースト等という）４で接続され、かつ導電性金
属板２，２間に透光性の樹脂５が充填されてＬＥＤチッ
プ１が封止された構造となっている。
ＥＤは、ＬＥＤチップ１の両電極１ａ，１ｂを挟み込む
ようにして２枚の導電性金属板２，２が対向配置され、
これら導電性金属板２，２とＬＥＤチップ１の各電極１
ａ，１ｂとが導電性ペーストやはんだバンプ等（以下、
導電性ペースト等という）４で接続され、かつ導電性金
属板２，２間に透光性の樹脂５が充填されてＬＥＤチッ
プ１が封止された構造となっている。
【００２５】ここで、導電性金属板２は、絶縁基板１０
の一側部を介して両面に金属層１１が形成されたもので
ある。なお、図中の符号１２は導電性ペーストである。
の一側部を介して両面に金属層１１が形成されたもので
ある。なお、図中の符号１２は導電性ペーストである。
【００２６】次に、上記構造のチップ部品型ＬＥＤの製
造方法について、図２乃至図１３を参照して説明する。
造方法について、図２乃至図１３を参照して説明する。
【００２７】まず、液晶ポリマー、ＰＰＳ等の樹脂、あ
るいはセラミックス等の絶縁物からなる絶縁基板１０の
両面に金属層１１を形成するのであるが、この絶縁基板
１０には、図２に示すように、一定間隔を置いて縦長の
スルーホール（開口部）１３，１３・・・が形成されて
いる。
るいはセラミックス等の絶縁物からなる絶縁基板１０の
両面に金属層１１を形成するのであるが、この絶縁基板
１０には、図２に示すように、一定間隔を置いて縦長の
スルーホール（開口部）１３，１３・・・が形成されて
いる。
【００２８】この絶縁基板１０を用いてメッキ、蒸着等
を行うことにより、スルーホール１３，１３・・・を介
して絶縁基板１０の両面に、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，
Ｐｄ等の金属層１１を形成する（図２乃至図４参照）。
そして後、スルーホール１３，１３・・・を導電性ペー
スト等１２で穴埋めする（図５参照）。
を行うことにより、スルーホール１３，１３・・・を介
して絶縁基板１０の両面に、Ａｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，
Ｐｄ等の金属層１１を形成する（図２乃至図４参照）。
そして後、スルーホール１３，１３・・・を導電性ペー
スト等１２で穴埋めする（図５参照）。
【００２９】次に、このように形成した絶縁基板１０の
一方の面の金属層１１上に、適当な間隔を存して複数個
の導電性ペースト等４，４・・・を形成し、この各導電
性ペースト等４，４・・・上にＬＥＤチップ１，１・・
・をそれぞれ配置する。そして、導電性ペースト等４，
４・・・で金属層１１と各ＬＥＤチップ１，１・・・の
一方の電極とをそれぞれボンディングする（図６及び図
７参照）。
一方の面の金属層１１上に、適当な間隔を存して複数個
の導電性ペースト等４，４・・・を形成し、この各導電
性ペースト等４，４・・・上にＬＥＤチップ１，１・・
・をそれぞれ配置する。そして、導電性ペースト等４，
４・・・で金属層１１と各ＬＥＤチップ１，１・・・の
一方の電極とをそれぞれボンディングする（図６及び図
７参照）。
【００３０】次に、各ＬＥＤチップ１，１・・・を配置
した絶縁基板１０の上部に、同じく複数個の導電性ペー
スト等４，４・・・を形成した別の絶縁基板１０を対向
させ、各導電性ペースト等４，４・・・と各ＬＥＤチッ
プ１，１・・・の他方の電極とを合わせるようにして配
置する（図８及び図９）。
した絶縁基板１０の上部に、同じく複数個の導電性ペー
スト等４，４・・・を形成した別の絶縁基板１０を対向
させ、各導電性ペースト等４，４・・・と各ＬＥＤチッ
プ１，１・・・の他方の電極とを合わせるようにして配
置する（図８及び図９）。
【００３１】この後、両絶縁基板１０，１０を加熱する
ことにより、導電性ペースト等４，４・・・を溶融、硬
化させることによって各ＬＥＤチップ１，１・・・の両
電極と各保持基板１０，１０の各金属層１１，１１とを
接続する（図９参照）。
ことにより、導電性ペースト等４，４・・・を溶融、硬
化させることによって各ＬＥＤチップ１，１・・・の両
電極と各保持基板１０，１０の各金属層１１，１１とを
接続する（図９参照）。
【００３２】次に、両絶縁基板１０，１０の周囲を例え
ばガラスクロステープで密封した後、両絶縁基板１０，
１０間に透光性の樹脂５を充填して、各ＬＥＤチップ
１，１・・・を封止する（図１０参照）。
ばガラスクロステープで密封した後、両絶縁基板１０，
１０間に透光性の樹脂５を充填して、各ＬＥＤチップ
１，１・・・を封止する（図１０参照）。
【００３３】この後、図１１乃至図１３に破線で示すよ
うに、絶縁基板１０，１０を縦方向（スルーホール１３
の中央部）及び横方向に切断して、図１に示すチップ部
品型ＬＥＤを得るものである。これにより、スルーホー
ル１３に充填されていた導電性ペースト等１２，１２・
・・の部分が、図示しない他の基板等への新たな接続面
となる。
うに、絶縁基板１０，１０を縦方向（スルーホール１３
の中央部）及び横方向に切断して、図１に示すチップ部
品型ＬＥＤを得るものである。これにより、スルーホー
ル１３に充填されていた導電性ペースト等１２，１２・
・・の部分が、図示しない他の基板等への新たな接続面
となる。
【００３４】図１４は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの
他の構造の一例を示している。
他の構造の一例を示している。
【００３５】同図において、本実施例のチップ部品型Ｌ
ＥＤは、ＬＥＤチップ２１の両電極２１ａ，２１ｂを挟
み込むようにして２枚の導電性金属板２２，２２が対向
配置され、これら導電性金属板２２，２２とＬＥＤチッ
プ２１の各電極２１ａ，２１ｂとが導電性ペーストやは
んだバンプ等（以下、導電性ペースト等という）２４で
接続され、かつ導電性金属板２２，２２間に透光性の樹
脂２５が充填されてＬＥＤチップ２１が封止された構造
となっている。
ＥＤは、ＬＥＤチップ２１の両電極２１ａ，２１ｂを挟
み込むようにして２枚の導電性金属板２２，２２が対向
配置され、これら導電性金属板２２，２２とＬＥＤチッ
プ２１の各電極２１ａ，２１ｂとが導電性ペーストやは
んだバンプ等（以下、導電性ペースト等という）２４で
接続され、かつ導電性金属板２２，２２間に透光性の樹
脂２５が充填されてＬＥＤチップ２１が封止された構造
となっている。
【００３６】次に、上記構造のチップ部品型ＬＥＤの製
造方法について、図１５乃至図２３を参照して説明す
る。
造方法について、図１５乃至図２３を参照して説明す
る。
【００３７】まず、アクリル樹脂等からなる保持基板３
０の片面に、メッキ、蒸着等により、Ａｕ，Ａｇ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属層（導電性金属板）２２を形成
する（図１５参照）。この金属層２２の厚みは、５〜５
００μ程度が望ましい。
０の片面に、メッキ、蒸着等により、Ａｕ，Ａｇ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属層（導電性金属板）２２を形成
する（図１５参照）。この金属層２２の厚みは、５〜５
００μ程度が望ましい。
【００３８】次に、このように形成した保持基板３０の
金属層２２上に、適当な間隔を存して複数個の導電性ペ
ースト等２４，２４・・・を形成し、この各導電性ペー
スト等２４，２４・・・上にＬＥＤチップ２１，２１・
・・をそれぞれ配置する。そして、導電性ペースト等２
４，２４・・・で金属層２２と各ＬＥＤチップ２１，２
１・・・の一方の電極とをそれぞれボンディングする
（図１６及び図１７参照）。
金属層２２上に、適当な間隔を存して複数個の導電性ペ
ースト等２４，２４・・・を形成し、この各導電性ペー
スト等２４，２４・・・上にＬＥＤチップ２１，２１・
・・をそれぞれ配置する。そして、導電性ペースト等２
４，２４・・・で金属層２２と各ＬＥＤチップ２１，２
１・・・の一方の電極とをそれぞれボンディングする
（図１６及び図１７参照）。
【００３９】次に、各ＬＥＤチップ２１，２１・・・を
配置した保持基板３０の上部に、同じく複数個の導電性
ペースト等２４，２４・・・を形成した別の保持基板３
０を、その金属層２２側を各ＬＥＤチップ２１，２１・
・・側に向けて対向させ、各導電性ペースト等２４，２
４・・・と各ＬＥＤチップ２１，２１・・・の他方の電
極とを合わせるようにして配置する（図１８及び図１
９）。
配置した保持基板３０の上部に、同じく複数個の導電性
ペースト等２４，２４・・・を形成した別の保持基板３
０を、その金属層２２側を各ＬＥＤチップ２１，２１・
・・側に向けて対向させ、各導電性ペースト等２４，２
４・・・と各ＬＥＤチップ２１，２１・・・の他方の電
極とを合わせるようにして配置する（図１８及び図１
９）。
【００４０】この後、両保持基板３０，３０を加熱する
ことにより、導電性ペースト等２４，２４・・・を溶
融、硬化させることによって各ＬＥＤチップ２１，２１
・・・の両電極と各保持基板３０，３０の各金属層２
２，２２とを接続する（図１９参照）。
ことにより、導電性ペースト等２４，２４・・・を溶
融、硬化させることによって各ＬＥＤチップ２１，２１
・・・の両電極と各保持基板３０，３０の各金属層２
２，２２とを接続する（図１９参照）。
【００４１】次に、両保持基板３０，３０の周囲を例え
ばガラスクロステープで閉じた後、両保持基板３０，３
０間に透光性の樹脂２５を充填して、各ＬＥＤチップ２
１，２１・・・を封止する（図２０参照）。
ばガラスクロステープで閉じた後、両保持基板３０，３
０間に透光性の樹脂２５を充填して、各ＬＥＤチップ２
１，２１・・・を封止する（図２０参照）。
【００４２】この後、図２１乃至図２３に破線で示すよ
うに、保持基板３０，３０を縦方向及び横方向に切断し
て、１個分のチップ部品型ＬＥＤとする。
うに、保持基板３０，３０を縦方向及び横方向に切断し
て、１個分のチップ部品型ＬＥＤとする。
【００４３】そして、最後に保持基板３０，３０を溶解
させる溶剤や加熱等にて、保持基板３０，３０を除去す
る。例えば、アセトン，ベンゾール等でアクリル樹脂を
溶解させて、両金属層（電極部）２２，２２のみを残
す。このとき、封止樹脂としてはアセトン、ベンゾール
に侵されないエポキシ樹脂やフェノール樹脂等を選択す
る。つまり、ＬＥＤチップを保護する封止材を侵さない
溶剤又は加熱方法で、両金属層２２，２２を保護する基
板を除去することにより、ＬＥＤチップの両金属層２
２，２２を出現させる。
させる溶剤や加熱等にて、保持基板３０，３０を除去す
る。例えば、アセトン，ベンゾール等でアクリル樹脂を
溶解させて、両金属層（電極部）２２，２２のみを残
す。このとき、封止樹脂としてはアセトン、ベンゾール
に侵されないエポキシ樹脂やフェノール樹脂等を選択す
る。つまり、ＬＥＤチップを保護する封止材を侵さない
溶剤又は加熱方法で、両金属層２２，２２を保護する基
板を除去することにより、ＬＥＤチップの両金属層２
２，２２を出現させる。
【００４４】これにより、図１４に示すチップ部品型Ｌ
ＥＤを得ることができるものである。
ＥＤを得ることができるものである。
【００４５】なお、保持基板３０の材料として耐熱性の
低い樹脂を用いれば、加熱及び洗浄することで保持基板
３０を除去することが可能である。また、機械加工によ
って除去してもよい。
低い樹脂を用いれば、加熱及び洗浄することで保持基板
３０を除去することが可能である。また、機械加工によ
って除去してもよい。
【００４６】なお、上記実施例では、最終的には保持基
板３０を除去して金属層２２のみとしているが、最初か
ら金属層２２のみで図１４に示すチップ部品型ＬＥＤを
製造することも可能である。ただし、ＬＥＤチップ２１
を多数個配置して量産性を考慮した製造を行おうとする
と、その分金属層２２の面積を広くする必要がある。し
かしながら、上記したように金属層２２の厚みが５〜５
００μと薄いため、面積を広くすると変形等を生じてＬ
ＥＤチップ２１を均一に挟み込めないといった問題を生
じることになる。そのため、量産性を考慮するならば、
上記したように保持基板３０を用いるのがより好ましい
方法である。
板３０を除去して金属層２２のみとしているが、最初か
ら金属層２２のみで図１４に示すチップ部品型ＬＥＤを
製造することも可能である。ただし、ＬＥＤチップ２１
を多数個配置して量産性を考慮した製造を行おうとする
と、その分金属層２２の面積を広くする必要がある。し
かしながら、上記したように金属層２２の厚みが５〜５
００μと薄いため、面積を広くすると変形等を生じてＬ
ＥＤチップ２１を均一に挟み込めないといった問題を生
じることになる。そのため、量産性を考慮するならば、
上記したように保持基板３０を用いるのがより好ましい
方法である。
【００４７】図２４は本発明のさらに他の実施例による
チップ部品型ＬＥＤを示す図で、（ａ），（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ側面図、底面図及び上面図である。
チップ部品型ＬＥＤを示す図で、（ａ），（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ側面図、底面図及び上面図である。
【００４８】本実施例のＬＥＤは図２４に示すように、
複数のＬＥＤチップ２１を有したものであり、アノード
がすべて導電性金属板２２によって共通とされる一方、
カソードは、絶縁部４０を有する導電性金属板２２によ
って個別に分離されている。この実施例の回路図は図２
５の（ａ）に相当するものである。
複数のＬＥＤチップ２１を有したものであり、アノード
がすべて導電性金属板２２によって共通とされる一方、
カソードは、絶縁部４０を有する導電性金属板２２によ
って個別に分離されている。この実施例の回路図は図２
５の（ａ）に相当するものである。
【００４９】図２４の実施例の他に、必要に応じて絶縁
部４０を任意に形成する、或いはＬＥＤチップ２１の向
きを反対にする等によって、図２５（ｂ）乃至（ｄ）に
示すような回路構成のチップ部品型ＬＥＤが得られる。
部４０を任意に形成する、或いはＬＥＤチップ２１の向
きを反対にする等によって、図２５（ｂ）乃至（ｄ）に
示すような回路構成のチップ部品型ＬＥＤが得られる。
【００５０】
【発明の効果】本発明のチップ部品型ＬＥＤは、ＬＥＤ
チップの両電極を挟むようにして２枚の絶縁基板若しく
は金属板を対向配置し、これら絶縁基板若しくは金属板
とＬＥＤチップの各電極とを導電性ペーストやはんだバ
ンプ等で接続し、かつ絶縁基板間若しくは金属板間に透
光性の樹脂を充填してＬＥＤチップを封止した構造とし
たので、厚み方向でＬＥＤチップの２倍以内、縦及び横
方向でＬＥＤチップの１．５〜３倍以内の極小のチップ
部品型ＬＥＤを実現することができる。また、従来のチ
ップ部品型ＬＥＤで用いられていた金属細線を用いず、
強固な導電性ペースト等でＬＥＤチップを固着している
ので、外的応力及び熱応力に強く、信頼性の高いチップ
部品型ＬＥＤが得られるとともに、コストの低減をも図
ることができる。
チップの両電極を挟むようにして２枚の絶縁基板若しく
は金属板を対向配置し、これら絶縁基板若しくは金属板
とＬＥＤチップの各電極とを導電性ペーストやはんだバ
ンプ等で接続し、かつ絶縁基板間若しくは金属板間に透
光性の樹脂を充填してＬＥＤチップを封止した構造とし
たので、厚み方向でＬＥＤチップの２倍以内、縦及び横
方向でＬＥＤチップの１．５〜３倍以内の極小のチップ
部品型ＬＥＤを実現することができる。また、従来のチ
ップ部品型ＬＥＤで用いられていた金属細線を用いず、
強固な導電性ペースト等でＬＥＤチップを固着している
ので、外的応力及び熱応力に強く、信頼性の高いチップ
部品型ＬＥＤが得られるとともに、コストの低減をも図
ることができる。
【００５１】さらに、ＬＥＤチップを複数配し、電極部
の対向する箇所に絶縁部を設けることによって、任意の
回路構成のチップ部品型ＬＥＤを実現できる。
の対向する箇所に絶縁部を設けることによって、任意の
回路構成のチップ部品型ＬＥＤを実現できる。
【図１】本発明に係わるチップ部品型ＬＥＤの構造の一
実施例を示す正面図である。
実施例を示す正面図である。
【図２】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図３】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図４】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図５】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図６】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図７】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図８】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図９】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図１０】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図１１】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図１２】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図１３】図１に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法の
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図１４】本発明に係わるチップ部品型ＬＥＤの構造の
他の実施例を示す正面図である。
他の実施例を示す正面図である。
【図１５】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図１６】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図１７】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図１８】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図１９】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図２０】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図２１】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図２２】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図２３】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤの製造方法
の手順を説明する図である。
の手順を説明する図である。
【図２４】（ａ），（ｂ），及び（ｃ）はそれぞれ、本
発明に係わるチップ部品型ＬＥＤのさらに他の実施例の
側面図、底面図及び上面図である。
発明に係わるチップ部品型ＬＥＤのさらに他の実施例の
側面図、底面図及び上面図である。
【図２５】（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ、本発明に係わ
るチップ部品型ＬＥＤのさらに他の実施例の回路構成図
である。
るチップ部品型ＬＥＤのさらに他の実施例の回路構成図
である。
【図２６】従来のチップ部品型ＬＥＤの構造の一例を示
す正面図である。
す正面図である。
【図２７】従来のチップ部品型ＬＥＤの構造の他の例を
示す正面図である。
示す正面図である。
１，２１ ＬＥＤチップ ２，２２ 導電性金属板 ４，２４ 導電性ペーストやはんだバンプ等 ５，２５ 樹脂 １０ 絶縁基板 ３０ 保持基板 ４０ 絶縁部
Claims (7)
- 【請求項１】 導電性の金属層が形成された２枚の絶縁
基板が、その金属層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの
両電極を挟み込むようにして対向配置され、これら金属
層と前記ＬＥＤチップの各電極とが導電性ペーストやは
んだバンプ等で接続され、かつ前記金属層間に透光性の
樹脂が充填されて前記ＬＥＤチップが封止されたことを
特徴とするチップ部品型ＬＥＤの構造。 - 【請求項２】 絶縁基板の一側部を介して基板の両面に
導電性の金属層が形成されるとともに、このように形成
された２枚の絶縁基板を、その金属層側を内側に向け
て、ＬＥＤチップの両電極を挟み込むようにして対向配
置し、これら金属層と前記ＬＥＤチップの各電極とを導
電性ペーストやはんだバンプ等で接続し、前記金属層間
に透光性の樹脂を充填して前記ＬＥＤチップを封止する
ことを特徴とするチップ部品型ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項３】 絶縁基板に形成されたスルーホールを介
して基板の両面に導電性の金属層が形成されるととも
に、このように形成された２枚の絶縁基板を、その金属
層側を内側に向けて、ＬＥＤチップの両電極を挟み込む
ようにして対向配置し、これら金属層と前記ＬＥＤチッ
プの各電極とを導電性ペーストやはんだバンプ等で接続
し、前記金属層間に透光性の樹脂を充填して前記ＬＥＤ
チップを封止し、この後、前記両絶縁基板をスルーホー
ル部分で切断することにより、このスルーホール部分の
導電性ペーストやはんだバンプ等が他基板への新たな接
続面となることを特徴とするチップ部品型ＬＥＤの製造
方法。 - 【請求項４】 ＬＥＤチップの両電極を挟むようにして
２枚の導電性金属板が対向配置され、これら金属板と前
記ＬＥＤチップの各電極とが導電性ペーストやはんだバ
ンプ等で接続され、かつ前記金属板間に透光性の樹脂が
充填されて前記ＬＥＤチップが封止されたことを特徴と
するチップ部品型ＬＥＤの構造。 - 【請求項５】 一面に導電性の金属層が形成された２枚
の保持基板を、その金属層側を内側に向けて、ＬＥＤチ
ップの両電極を挟み込むようにして対向配置し、これら
金属層と前記ＬＥＤチップの各電極とを導電性ペースト
やはんだバンプ等で接続し、前記金属層間に透光性の樹
脂を充填して前記ＬＥＤチップを封止し、この後、前記
保持基板を除去することを特徴とするチップ部品型ＬＥ
Ｄの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１または請求項４に記載のチップ
部品型ＬＥＤの構造において、前記ＬＥＤチップを複数
個配してなることを特徴とするチップ部品型ＬＥＤの構
造。 - 【請求項７】 前記導電性金属層が形成された絶縁基板
または、導電性金属板は、前記複数個のＬＥＤチップの
少なくとも１つの電極に対向する箇所に絶縁部を有して
なることを特徴とする請求項６に記載のチップ部品型Ｌ
ＥＤの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299255A JP2981385B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-11-30 | チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-221230 | 1993-09-06 | ||
| JP22123093 | 1993-09-06 | ||
| JP5299255A JP2981385B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-11-30 | チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122787A JPH07122787A (ja) | 1995-05-12 |
| JP2981385B2 true JP2981385B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=26524170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5299255A Expired - Fee Related JP2981385B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-11-30 | チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2981385B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150176779A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electronic component mounting system, electronic component mounting method, and electronic component mounting machine |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8525314B2 (en) * | 2004-11-03 | 2013-09-03 | Tessera, Inc. | Stacked packaging improvements |
| US8058101B2 (en) | 2005-12-23 | 2011-11-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
| JP5162979B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP5091846B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
| US8482111B2 (en) | 2010-07-19 | 2013-07-09 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages |
| US9159708B2 (en) | 2010-07-19 | 2015-10-13 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors |
| KR101075241B1 (ko) | 2010-11-15 | 2011-11-01 | 테세라, 인코포레이티드 | 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지 |
| US20120146206A1 (en) | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Tessera Research Llc | Pin attachment |
| KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
| US8618659B2 (en) | 2011-05-03 | 2013-12-31 | Tessera, Inc. | Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
| US9105483B2 (en) | 2011-10-17 | 2015-08-11 | Invensas Corporation | Package-on-package assembly with wire bond vias |
| US8946757B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-02-03 | Invensas Corporation | Heat spreading substrate with embedded interconnects |
| US8372741B1 (en) | 2012-02-24 | 2013-02-12 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
| US9349706B2 (en) | 2012-02-24 | 2016-05-24 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
| US8835228B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect |
| US9391008B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-07-12 | Invensas Corporation | Reconstituted wafer-level package DRAM |
| US9502390B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | BVA interposer |
| US8975738B2 (en) | 2012-11-12 | 2015-03-10 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass |
| US8878353B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-11-04 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface |
| US9136254B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-09-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer |
| US9034696B2 (en) | 2013-07-15 | 2015-05-19 | Invensas Corporation | Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation |
| US9023691B2 (en) | 2013-07-15 | 2015-05-05 | Invensas Corporation | Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation |
| US8883563B1 (en) | 2013-07-15 | 2014-11-11 | Invensas Corporation | Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation |
| US9167710B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-10-20 | Invensas Corporation | Embedded packaging with preformed vias |
| US9685365B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-06-20 | Invensas Corporation | Method of forming a wire bond having a free end |
| US20150076714A1 (en) | 2013-09-16 | 2015-03-19 | Invensas Corporation | Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface |
| JP6496664B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2019-04-03 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置 |
| US9087815B2 (en) | 2013-11-12 | 2015-07-21 | Invensas Corporation | Off substrate kinking of bond wire |
| US9082753B2 (en) | 2013-11-12 | 2015-07-14 | Invensas Corporation | Severing bond wire by kinking and twisting |
| US9263394B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
| US9583456B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
| US9379074B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-06-28 | Invensas Corporation | Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects |
| CN105518884B (zh) | 2013-12-02 | 2018-10-26 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| CN105518886A (zh) | 2013-12-02 | 2016-04-20 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光单元、发光装置及发光单元的制造方法 |
| US9583411B2 (en) | 2014-01-17 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing |
| US9214454B2 (en) | 2014-03-31 | 2015-12-15 | Invensas Corporation | Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies |
| US10381326B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-08-13 | Invensas Corporation | Structure and method for integrated circuits packaging with increased density |
| US9646917B2 (en) | 2014-05-29 | 2017-05-09 | Invensas Corporation | Low CTE component with wire bond interconnects |
| US9412714B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-08-09 | Invensas Corporation | Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom |
| JPWO2016047132A1 (ja) | 2014-09-26 | 2017-07-13 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光モジュール |
| EP3200250B1 (en) * | 2014-09-26 | 2020-09-02 | Toshiba Hokuto Electronics Corp. | Production method for light-emission module |
| US9735084B2 (en) | 2014-12-11 | 2017-08-15 | Invensas Corporation | Bond via array for thermal conductivity |
| US9888579B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-02-06 | Invensas Corporation | Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips |
| US9502372B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer |
| US9761554B2 (en) | 2015-05-07 | 2017-09-12 | Invensas Corporation | Ball bonding metal wire bond wires to metal pads |
| US9490222B1 (en) | 2015-10-12 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wire bond wires for interference shielding |
| US10490528B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-26 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires |
| US10332854B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
| US10181457B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-01-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out |
| US9911718B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-03-06 | Invensas Corporation | ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device |
| US9659848B1 (en) | 2015-11-18 | 2017-05-23 | Invensas Corporation | Stiffened wires for offset BVA |
| US9984992B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-05-29 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces |
| US9935075B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-04-03 | Invensas Corporation | Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding |
| US10299368B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-05-21 | Invensas Corporation | Surface integrated waveguides and circuit structures therefor |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP5299255A patent/JP2981385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150176779A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electronic component mounting system, electronic component mounting method, and electronic component mounting machine |
| US9227387B2 (en) * | 2013-12-20 | 2016-01-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electronic component mounting system, electronic component mounting method, and electronic component mounting machine |
| US9572295B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-02-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electronic component mounting system, electronic component mounting method, and electronic component mounting machine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07122787A (ja) | 1995-05-12 |
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