JP2973794B2 - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32316—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm comprising only (Al)GaAs
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザーに関
し、特に、複数段積層され、かつ動作電圧が低い半導体
レーザーに関するものである。
し、特に、複数段積層され、かつ動作電圧が低い半導体
レーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来からレーザーダイオードが使用され
ている。特開平２−２６０６８２号公報はこの従来例を
開示している。また、レーザーダイオードを高出力化す
るためには、このレーザーダイオード構造を積層するこ
とが考えられる。図５は、レーザーダイオード構造を２
層積層した断面構造を示す。図５において、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板（厚さが約１００μｍ、キャリア濃度が１〜３×
１０18ｃｍ-3である。）６１、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａ
ｓ第１クラッド層（厚さが１．０〜１．５μｍ、キャリ
ア濃度が０．５〜１×１０18ｃｍ-3である。）６２、ア
ンドープドＧａＡｓ第１活性層（厚さが０．０１〜０．
１μｍである。）６３、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２
クラッド層（厚さが１．０〜１．５μｍ、キャリア濃度
が０．５〜１×１０18ｃｍ-3である。）６４、ｎ−Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第３クラッド層（厚さが１．０〜１．
５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃｍ-3であ
る。）６５、アンドープドＧａＡｓ第２活性層（厚さが
０．０１〜０．１μｍである。）６６、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓ第４クラッド層（厚さが１．０〜１．５μ
ｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃｍ-3であ
る。）６７及びｐ+ ＧａＡｓコンタクト層（厚さが０．
３〜１．０μｍ、キャリア濃度が１〜１０×１０18ｃｍ
-3である。）６８が順次積層形成されている。更に、Ｎ
用電極７１がｎ−ＧａＡｓ基板６１の表面（図示下面）
に固定され、Ｐ用電極７２がｐ+ ＧａＡｓコンタクト層
６８の表面（図示上面）に固定されている。以上の構成
によって、１つの半導体レーザーが第１活性層６３及び
第２活性層６６を有するので、１つの半導体レーザーか
ら２つのレーザー光ビームを発生することができる。
ている。特開平２−２６０６８２号公報はこの従来例を
開示している。また、レーザーダイオードを高出力化す
るためには、このレーザーダイオード構造を積層するこ
とが考えられる。図５は、レーザーダイオード構造を２
層積層した断面構造を示す。図５において、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板（厚さが約１００μｍ、キャリア濃度が１〜３×
１０18ｃｍ-3である。）６１、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａ
ｓ第１クラッド層（厚さが１．０〜１．５μｍ、キャリ
ア濃度が０．５〜１×１０18ｃｍ-3である。）６２、ア
ンドープドＧａＡｓ第１活性層（厚さが０．０１〜０．
１μｍである。）６３、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２
クラッド層（厚さが１．０〜１．５μｍ、キャリア濃度
が０．５〜１×１０18ｃｍ-3である。）６４、ｎ−Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第３クラッド層（厚さが１．０〜１．
５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃｍ-3であ
る。）６５、アンドープドＧａＡｓ第２活性層（厚さが
０．０１〜０．１μｍである。）６６、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓ第４クラッド層（厚さが１．０〜１．５μ
ｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃｍ-3であ
る。）６７及びｐ+ ＧａＡｓコンタクト層（厚さが０．
３〜１．０μｍ、キャリア濃度が１〜１０×１０18ｃｍ
-3である。）６８が順次積層形成されている。更に、Ｎ
用電極７１がｎ−ＧａＡｓ基板６１の表面（図示下面）
に固定され、Ｐ用電極７２がｐ+ ＧａＡｓコンタクト層
６８の表面（図示上面）に固定されている。以上の構成
によって、１つの半導体レーザーが第１活性層６３及び
第２活性層６６を有するので、１つの半導体レーザーか
ら２つのレーザー光ビームを発生することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来例におい
て、Ｐ用電極７２とＮ用電極７１との間に、Ｐ用電極７
２がＮ用電極７１よりも高い電位になるように電圧を印
加すると、ｐ型第２クラッド層６４とｎ型第３クラッド
層６５との境界に形成されるＰＮ接合が逆バイアスされ
る。このため、このＰＮ接合の降伏電圧が１０Ｖ以上に
なるので、半導体レーザー中の電力消費が極めて大きく
なるため、この場合の半導体レーザーは実用的ではなか
った。したがって、本発明の課題は、上述の従来例の欠
点をなくし、消費電力が小さくて実用的な高出力半導体
レーザーを提供することである。
て、Ｐ用電極７２とＮ用電極７１との間に、Ｐ用電極７
２がＮ用電極７１よりも高い電位になるように電圧を印
加すると、ｐ型第２クラッド層６４とｎ型第３クラッド
層６５との境界に形成されるＰＮ接合が逆バイアスされ
る。このため、このＰＮ接合の降伏電圧が１０Ｖ以上に
なるので、半導体レーザー中の電力消費が極めて大きく
なるため、この場合の半導体レーザーは実用的ではなか
った。したがって、本発明の課題は、上述の従来例の欠
点をなくし、消費電力が小さくて実用的な高出力半導体
レーザーを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の構成は、一導電型第１クラッド層、第１活
性層、他導電型第２クラッド層、一導電型第３クラッド
層、第２活性層、他導電型第４クラッド層を順次積層し
た半導体レーザーにおいて、前記他導電型第２クラッド
層又は前記一導電型第３クラッド層のいずれか一方の層
厚を、前記他導電型第２クラッド層と前記一導電型第３
クラッド層との境界に形成されるＰＮ接合の空乏層の動
作時の厚さよりも小さくしたことである。
め、本発明の構成は、一導電型第１クラッド層、第１活
性層、他導電型第２クラッド層、一導電型第３クラッド
層、第２活性層、他導電型第４クラッド層を順次積層し
た半導体レーザーにおいて、前記他導電型第２クラッド
層又は前記一導電型第３クラッド層のいずれか一方の層
厚を、前記他導電型第２クラッド層と前記一導電型第３
クラッド層との境界に形成されるＰＮ接合の空乏層の動
作時の厚さよりも小さくしたことである。
【０００５】
【作用】上記構成によって、半導体レーザーの動作時に
おいて、他導電型第２クラッド層又は一導電型第３クラ
ッド層の内いずれか一方の空乏層の層厚よりも薄い層が
パンチスルーするので、前記他導電型第２クラッド層と
一導電型第３クラッド層との境界のＰＮ接合の逆方向バ
イアス電圧が小さくなる。このため、半導体レーザーの
動作時電圧降下を小さくすることができる。
おいて、他導電型第２クラッド層又は一導電型第３クラ
ッド層の内いずれか一方の空乏層の層厚よりも薄い層が
パンチスルーするので、前記他導電型第２クラッド層と
一導電型第３クラッド層との境界のＰＮ接合の逆方向バ
イアス電圧が小さくなる。このため、半導体レーザーの
動作時電圧降下を小さくすることができる。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の第１実施例の断面構造を示す。図
１において、ｎ−ＧａＡｓ基板（厚さが約１００μｍ、
キャリア濃度が１〜３×１０18ｃｍ-3である。）１１、
ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第１クラッド層（厚さが１．
０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃ
ｍ-3である。）１２、アンドープドＧａＡｓ第１活性層
（厚さが０．０１〜０．１μｍである。）１３、ｐ−Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓ第２クラッド層（厚さが１．０〜
１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃｍ-3
である。）１４、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第３クラッ
ド層（厚さが０．０３６μｍ未満、キャリア濃度が１×
１０18ｃｍ-3である。）１５ａ、アンドープドＧａＡｓ
第２活性層（厚さが０．０１〜０．１μｍである。）１
６、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第４クラッド層（厚さが
１．０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０
18ｃｍ-3である。）１７及びｐ+ ＧａＡｓコンタクト層
（厚さが０．３〜１．０μｍ、キャリア濃度が１〜１０
×１０18ｃｍ-3である。）１８が順次積層形成されてい
る。更に、Ｎ用電極５１がｎ−ＧａＡｓ基板１１の表面
（図示下面）に固定され、Ｐ用電極５２がｐ+ ＧａＡｓ
コンタクト層１８の表面（図示上面）に固定されてい
る。
する。図１は本発明の第１実施例の断面構造を示す。図
１において、ｎ−ＧａＡｓ基板（厚さが約１００μｍ、
キャリア濃度が１〜３×１０18ｃｍ-3である。）１１、
ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第１クラッド層（厚さが１．
０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃ
ｍ-3である。）１２、アンドープドＧａＡｓ第１活性層
（厚さが０．０１〜０．１μｍである。）１３、ｐ−Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓ第２クラッド層（厚さが１．０〜
１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃｍ-3
である。）１４、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第３クラッ
ド層（厚さが０．０３６μｍ未満、キャリア濃度が１×
１０18ｃｍ-3である。）１５ａ、アンドープドＧａＡｓ
第２活性層（厚さが０．０１〜０．１μｍである。）１
６、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第４クラッド層（厚さが
１．０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０
18ｃｍ-3である。）１７及びｐ+ ＧａＡｓコンタクト層
（厚さが０．３〜１．０μｍ、キャリア濃度が１〜１０
×１０18ｃｍ-3である。）１８が順次積層形成されてい
る。更に、Ｎ用電極５１がｎ−ＧａＡｓ基板１１の表面
（図示下面）に固定され、Ｐ用電極５２がｐ+ ＧａＡｓ
コンタクト層１８の表面（図示上面）に固定されてい
る。
【０００７】以上の構成によって、半導体レーザーの動
作時においては、Ｐ用電極５２とＮ用電極５１との間
に、Ｐ用電極５２がＮ用電極５１よりも高い電位になる
ように電圧が印加される。このとき、ｐ型第２クラッド
層１４とｎ型第３クラッド層１５ａとの境界に形成され
るＰＮ接合が逆バイアスされる。しかしながら、動作時
において、上述のように薄い層厚のｎ型第３クラッド層
１５ａがパンチスルーするので、前記ｐ型第２クラッド
層１４とｎ型第３クラッド層１５ａとの境界に形成され
るＰＮ接合の逆方向バイアス電圧が小さくなる。このた
め、半導体レーザーの動作時電圧降下を小さくすること
ができる。この場合の具体的数値は、次のようになる。
ｎ型第３クラッド層１５ａの逆バイアス時のパンチスル
ー電圧ＶP を１Ｖとすると、階段形ＰＮ接合の空乏層厚
Ｗは （１／２）Ｗ＝（２εＶP ／ｑＮ）2/1 ただし、εは誘電率、ｑは素電荷、Ｎはキャリア濃度で
ある。上式により計算すると、Ｗは約０．０３６μｍと
なる。このため、上述のように第３クラッド層１５ａの
層厚を０．０３６未満とすると、動作時において１Ｖの
パンチスルー電圧でパンチスルーすることになる。
作時においては、Ｐ用電極５２とＮ用電極５１との間
に、Ｐ用電極５２がＮ用電極５１よりも高い電位になる
ように電圧が印加される。このとき、ｐ型第２クラッド
層１４とｎ型第３クラッド層１５ａとの境界に形成され
るＰＮ接合が逆バイアスされる。しかしながら、動作時
において、上述のように薄い層厚のｎ型第３クラッド層
１５ａがパンチスルーするので、前記ｐ型第２クラッド
層１４とｎ型第３クラッド層１５ａとの境界に形成され
るＰＮ接合の逆方向バイアス電圧が小さくなる。このた
め、半導体レーザーの動作時電圧降下を小さくすること
ができる。この場合の具体的数値は、次のようになる。
ｎ型第３クラッド層１５ａの逆バイアス時のパンチスル
ー電圧ＶP を１Ｖとすると、階段形ＰＮ接合の空乏層厚
Ｗは （１／２）Ｗ＝（２εＶP ／ｑＮ）2/1 ただし、εは誘電率、ｑは素電荷、Ｎはキャリア濃度で
ある。上式により計算すると、Ｗは約０．０３６μｍと
なる。このため、上述のように第３クラッド層１５ａの
層厚を０．０３６未満とすると、動作時において１Ｖの
パンチスルー電圧でパンチスルーすることになる。
【０００８】図２は、本発明の第２実施例の断面構造を
示す。図２において、１４ａは、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓ第２クラッド層（厚さが０．０３６μｍ未満、キャ
リア濃度が１×１０18ｃｍ-3である。）である。また、
１５は、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0. 5 Ａｓ第３クラッド層（厚
さが１．０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×
１０18ｃｍ-3である。）である。上記第２クラッド層１
４ａ及び第３クラッド層１５以外の部分は、上述の第１
実施例と同じである。以上の構成によって、動作時にお
いて、第２クラッド層１４ａがパンチスルーするので、
前記第２クラッド層１４ａと第３クラッド層１５との境
界に形成されるＰＮ接合の逆方向バイアス電圧が小さく
なる。このため、半導体レーザーの動作時電圧降下を小
さくすることができる。
示す。図２において、１４ａは、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓ第２クラッド層（厚さが０．０３６μｍ未満、キャ
リア濃度が１×１０18ｃｍ-3である。）である。また、
１５は、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0. 5 Ａｓ第３クラッド層（厚
さが１．０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×
１０18ｃｍ-3である。）である。上記第２クラッド層１
４ａ及び第３クラッド層１５以外の部分は、上述の第１
実施例と同じである。以上の構成によって、動作時にお
いて、第２クラッド層１４ａがパンチスルーするので、
前記第２クラッド層１４ａと第３クラッド層１５との境
界に形成されるＰＮ接合の逆方向バイアス電圧が小さく
なる。このため、半導体レーザーの動作時電圧降下を小
さくすることができる。
【０００９】図３は、本発明の第３実施例の断面構造を
示す。第３実施例では、前記第１実施例と同様のものが
Ｎ個積層されている。図３において、ｎ−ＧａＡｓ基板
１１、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第１クラッド層１２、
アンドープドＧａＡｓ第１活性層１３、──、ｎ−Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5Ａｓ第２Ｎ−３クラッド層（厚さが０．０
３６μｍ未満、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3であ
る。）３５ａ、アンドープドＧａＡｓ第Ｎ−１活性層
（厚さが０．０１〜０．１μｍである。）３６、ｐ−Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２Ｎ−２クラッド層（厚さが１．
０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃ
ｍ-3である。）３７、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２Ｎ
−１クラッド層（厚さが０．０３６μｍ未満、キャリア
濃度が１×１０18ｃｍ-3である。）４５ａ、アンドープ
ドＧａＡｓ第Ｎ活性層（厚さが０．０１〜０．１μｍで
ある。）４６、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２Ｎクラッ
ド層（厚さが１．０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．
５〜１×１０18ｃｍ-3である。）４７及びｐ+ ＧａＡｓ
コンタクト層１８が順次積層されている。他の部分は、
上述の第１実施例と同様である。以上の構成によって、
第１実施例と同様に動作時において、ｐ型第２Ｎ−２ク
ラッド層３７とｎ型第２Ｎ−１クラッド層４５ａとの間
のＰＮ接合等がパンチスルーするので、半導体レーザー
の電圧降下を小さくすることができる。
示す。第３実施例では、前記第１実施例と同様のものが
Ｎ個積層されている。図３において、ｎ−ＧａＡｓ基板
１１、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第１クラッド層１２、
アンドープドＧａＡｓ第１活性層１３、──、ｎ−Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5Ａｓ第２Ｎ−３クラッド層（厚さが０．０
３６μｍ未満、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3であ
る。）３５ａ、アンドープドＧａＡｓ第Ｎ−１活性層
（厚さが０．０１〜０．１μｍである。）３６、ｐ−Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２Ｎ−２クラッド層（厚さが１．
０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．５〜１×１０18ｃ
ｍ-3である。）３７、ｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２Ｎ
−１クラッド層（厚さが０．０３６μｍ未満、キャリア
濃度が１×１０18ｃｍ-3である。）４５ａ、アンドープ
ドＧａＡｓ第Ｎ活性層（厚さが０．０１〜０．１μｍで
ある。）４６、ｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２Ｎクラッ
ド層（厚さが１．０〜１．５μｍ、キャリア濃度が０．
５〜１×１０18ｃｍ-3である。）４７及びｐ+ ＧａＡｓ
コンタクト層１８が順次積層されている。他の部分は、
上述の第１実施例と同様である。以上の構成によって、
第１実施例と同様に動作時において、ｐ型第２Ｎ−２ク
ラッド層３７とｎ型第２Ｎ−１クラッド層４５ａとの間
のＰＮ接合等がパンチスルーするので、半導体レーザー
の電圧降下を小さくすることができる。
【００１０】図４は、上述の第１実施例の実際の断面構
造を示す。図４において、電流狭窄用絶縁膜５３がＰ用
電極５２ａとｐ+ ＧａＡｓコンタクト層１８との間に形
成されている。その他は、上述の第１実施例と同様であ
る。このため、動作電流の流れる領域が電流狭窄用絶縁
膜５３で制限されるので、発光パターンの形状を設定で
き、更に発光効率を高くすることができる。なお、上述
の実施例において、各Ａｌx Ｇａ1-X Ａｓクラッド層の
組成比ｘを０．５としたが、これに限定されず、ｘは１
〜０の値をとり得る。また、ｎ型とｐ型とを逆にしても
よい。更に、上述の各実施例において、活性層としてＧ
ａＡｓ層の代わりにＡｌx Ｇａ1-X Ａｓ層を使用するこ
とができる。更に、活性層の構造として、ＬＯＣ（Ｌａ
ｒｇｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ）又はＳＣＨ
（Ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔ
ｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌａｓｅｒ）を使用するこ
とができる。
造を示す。図４において、電流狭窄用絶縁膜５３がＰ用
電極５２ａとｐ+ ＧａＡｓコンタクト層１８との間に形
成されている。その他は、上述の第１実施例と同様であ
る。このため、動作電流の流れる領域が電流狭窄用絶縁
膜５３で制限されるので、発光パターンの形状を設定で
き、更に発光効率を高くすることができる。なお、上述
の実施例において、各Ａｌx Ｇａ1-X Ａｓクラッド層の
組成比ｘを０．５としたが、これに限定されず、ｘは１
〜０の値をとり得る。また、ｎ型とｐ型とを逆にしても
よい。更に、上述の各実施例において、活性層としてＧ
ａＡｓ層の代わりにＡｌx Ｇａ1-X Ａｓ層を使用するこ
とができる。更に、活性層の構造として、ＬＯＣ（Ｌａ
ｒｇｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ）又はＳＣＨ
（Ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔ
ｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌａｓｅｒ）を使用するこ
とができる。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体レーザーによれば、複数段レーザーダイオード構造
を積層した半導体レーザーの動作時電圧降下を実用的な
値まで小さくすることができる。このため、前記半導体
レーザーの動作時電力損失を小さくすることができると
ともに、前記半導体レーザーの高寿命化を図ることがで
きる。また、前記半導体レーザーの動作電圧を低減する
ことにより、レーザー駆動用電源の最大印加電圧を低減
することができるため、レーザー駆動用電源を安価なも
のにすることができる。
導体レーザーによれば、複数段レーザーダイオード構造
を積層した半導体レーザーの動作時電圧降下を実用的な
値まで小さくすることができる。このため、前記半導体
レーザーの動作時電力損失を小さくすることができると
ともに、前記半導体レーザーの高寿命化を図ることがで
きる。また、前記半導体レーザーの動作電圧を低減する
ことにより、レーザー駆動用電源の最大印加電圧を低減
することができるため、レーザー駆動用電源を安価なも
のにすることができる。
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の断面図である。
【図３】本発明の第３実施例の断面図である。
【図４】前記第１実施例の実際の構造の断面図である。
【図５】従来例の断面図である。
１２ 第１クラッド層 １３ 第１活性層 １４、１４ａ 第２クラッド層 １５、１５ａ 第３クラッド層 １６ 第２活性層 １７ 第４クラッド層 ３５ａ 第２Ｎ−３クラッド層 ４５ａ 第２Ｎ−１クラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−167083（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−23378（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−86586（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−302887（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−115795（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−318793（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−305487（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型第１クラッド層、第１活性層、
他導電型第２クラッド層、一導電型第３クラッド層、第
２活性層、他導電型第４クラッド層を順次積層した半導
体レーザーにおいて、 前記他導電型第２クラッド層又は前記一導電型第３クラ
ッド層のいずれか一方の層厚を、前記他導電型第２クラ
ッド層と前記一導電型第３クラッド層との境界に形成さ
れるＰＮ接合に、該半導体レーザー動作時に形成される
空乏層の厚さよりも小さくしたことを特徴とする半導体
レーザー。
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