JP2938568B2 - 照明装置 - Google Patents
照明装置Info
- Publication number
- JP2938568B2 JP2938568B2 JP3508122A JP50812291A JP2938568B2 JP 2938568 B2 JP2938568 B2 JP 2938568B2 JP 3508122 A JP3508122 A JP 3508122A JP 50812291 A JP50812291 A JP 50812291A JP 2938568 B2 JP2938568 B2 JP 2938568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light modulator
- light
- lens
- schlieren
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
ルおよびマスクのようなモデルを製造するため、また
は、製造に必要なフォトリソグラフィ工程の間ウェハお
よび基板を直接照明するための、もしくは、感光性層を
含む構造を直接照明するための照明装置または露光装置
に関するものであり、前記照明または露光装置は光源お
よびパターン発生器を含む。
造に関し、または、照明方法が用いられる場合の同様の
製造方法だけでなく、半導体製造、集積回路の製造、ハ
イブリッド製造およびフラットスクリーンの製造の分野
における微小範囲の直接照明に関するものである。この
発明は特に、半導体製造の分野において半導体ウェハの
直接照明に用いられるように、かつハイブリッドおよび
ボンディング技術の分野において基板の直接照明に用い
られるように適合された照明装置に関する。
く、フォトリソグラフィによる回路の製造のための照明
型板であるレチクルの製造には、電子ビーム描画装置、
レーザビームユニット、およびレーザ光源または水銀灯
を含む光学パターン発生器が使用される。先行技術によ
る光学パターン発生器は、機械的な長方形シールドによ
って規定された長方形の窓の連続的な個々の照明を行な
うことによって所望の構造を作る。作成されるべき構造
の複雑さは、必要とされる照明長方形の数を決定し、前
記数は順に、構造のための描画時間または露光時間を決
定する。これらの公知のパターン発生器によって作成さ
れ得る構造の精度は、順に、使用される機械的長方形シ
ールドの精度によって限定される。
されるべき表面がレーザビームによってラスタされる。
ラスタ方法に必要とされるシリアルデータフローのた
め、このようなレーザビームユニットの描画速度または
照明速度が限定される。さらに、このようなレーザビー
ムユニットは高い機械光学投資を必要とする。
応性の特別なフォトレジスト系の照明に用いられ得るだ
けであり、かつ、上記のレーザビームユニットと比較し
て、電子ビームユニットはさらに真空技術の使用を必要
とする。したがって、電子ビームユニットは非常に高い
資本の出資および作業コストを必要とする。
る、SPIEの予稿集、1989年、第1018巻の「能動マトリク
スアドレスされた空間光変調器で用いられる薄い粘弾性
層の変形作用」(Deformation behavior of thin visco
elastic layers Used in an active,matrix−addressed
spatial light modulator)は、テレビ画像の作成また
は画像表示のための、能動マトリクスアドレスされた粘
弾性表面光変調器を含む反射性光学シュリーレン系の使
用をすでに開示している。この表面光変調器は適切な光
学系を介して光が表面光変調器の表面上に垂直に達する
永久的光源を含む。表面光変調器の表面領域は、表面に
達した光が、アドレスされた表面素子の場合は回折光と
して、かつアドレスされていない表面素子の場合は非回
折光として反射されるように、制御電極のアドレシング
に応答して変形されるよう適合されている。非回折光は
光源に戻るであろうが、ところが一方、回折光は、テレ
ビの画面または画像表示領域上での画像作成のための光
学シュリーレン系を介して使用されるであろう。
0、10/87は、その反射性表面が複数の電気的にアドレス
可能な機械的に変形され得るリードを含んでいる表面光
変調器を開示している。
回路のフォトリソグラフィによる製造の際、感光性層を
直接照明する役割を果たす照明装置を一般的に開示して
いる。このフォトプロッタでは、コンピュータの制御の
下での所定領域の照明が、パラレル光のための光源と、
照明されるべき感光性層との間に、個々に制御可能な弁
部分を含む光弁として形成された装置を配置することに
よって確立される。光弁に関する限り、それはネガティ
ブのように作用するべきであり、かつしたがって、感光
性層の対応領域が非照明の状態に保たれるように、光の
通過を妨げる状態で、電子制御によってアドレス可能領
域を切換える役割を果たすべきであると開示されてい
る。
純かつ安価な構造に基づいて、露光時間または描画時間
が、レーザビーム系または電子ビーム系の形式での照明
装置の露光時間または描画時間と比較して減少されてい
るような態様で、初めに述べられた型の照明装置をさら
に発展させたものに基づいている。
請求項1の特徴項で開示された特徴によって解決され
る。
ン系および能動マトリクスアドレス可能表面光変調器に
よって形成され、二次元光変調器とまた呼ばれ得る前記
表面光変調器には、そのアドレスされた表面領域が回折
光としての入射光を反射し、かつそのアドレスされてい
ない表面領域が非回折光としての入射光を反射する反射
性表面が設けられる。シュリーレン系は、表面光変調器
の側に配置されたシュリーレンレンズと、表面光変調器
とは対面していない投影レンズとを含み、さらに、これ
らのレンズ間に配置され、光源からの光を表面光変調器
の表面に向けるミラー装置をも含む。集束手段は光源か
らの光をミラー装置上に集束させる。シュリーレンレン
ズはレンズの焦点距離に関して短い距離、表面光変調器
から離れたところに配置される。フィルタ装置がシュリ
ーレンレンズと投影レンズとの間に配置され、前記フィ
ルタ装置には、表面光変調器のアドレスされていない表
面領域により反射された非回折光をフィルタ処理し、か
つ、アドレスされた表面領域により反射された回折光が
投影レンズを介してモデル、電子素子または構造に達す
ることができるようにするだけである性質の構造の設計
がなされる。モデル、電子素子または構造は、表面光変
調器のアドレスされた表面領域の鮮明な画像がモデル、
電子素子または構造上に形成され得るような態様で、位
置決めテーブル上の位置に固定され得る。好ましくは、
ミラー装置は前記シュリーレンレンズの焦点距離に対応
する距離、シュリーレンレンズから離れたところに配置
され、そのため、前記ミラー装置は二重機能、すなわ
ち、一方では、光源からの光を表面光変調器に偏向させ
る機能と、他方、この非回折光を光源に反射し戻すこと
によって、反射された0次光のためのフィルタ装置とし
て作用する機能とを達成することができる。
照明装置の光源は、位置決めテーブルの変位率で除算さ
れた、作成されるべき構造の最小寸法よりも短いパルス
持続時間を有するパルスレーザ光源である。この実施例
に基づいて、この発明に従った照明装置は、位置決めテ
ーブルの本質的に連続的な変位の際、モデル、電子素子
または構造のストロボのような照明を可能にし、それに
よって、非常に高速な描画速度と露光速度が達成され
る。
ず、この発明は、照明強度が非常に低い場合のみに、た
とえば、テレビ画面の場合であるが、使用される先行技
術で適用された型の表面光変調器を使用している。しか
し、この発明に従った照明装置のレーザ光パルスが短い
持続期間のパルスのみであるという事実に鑑みて、表面
光変調器は依然として熱条件を満たすであろう。表面光
変調器の迅速なプログラム可能なまたはアドレス可能な
性質に基づいて、前記光変調器は、作成されるべき構造
全体の2つの連続した部分画像の間での位置決めテーブ
ルの変位移動の際、再びプログラムまたはアドレスされ
得る。これは、反復構造を有する半導体ウェハの直接照
明の場合に短い露光パルスシーケンスを可能とするだけ
でなく、表面光変調器の高速な再プログラム可能性に基
づいて不規則な構造の製造をも可能とするであろう。
開示されている。
付の図面を参照して以下に詳細に説明される。
す。
光学シュリーレン系および位置決めテーブルの詳細図を
示す。
図2に従った実施例と比較して修正された光学シュリー
レン系の実施例、およびこの発明に従った照明装置の位
置決めテーブルの詳細図を示す。
「1」が付与されており、この装置は電子素子の製造の
ためのレチクルおよびマスクのようなモデルを製造し、
または、基板もしくは感光性層を有する構造の直接照明
を行なう役割を果たす。この発明に従った照明装置1は
エキシマレーザ光源2を含む。このエキシマレーザ光源
は、紫外線領域内の波長が約450nmないし150nmであるガ
ス放出レーザ装置であり、制御可能な態様で、1パルス
につき非常に高い光強度を有しかつ高い繰返し率を有す
る光パルスを出す。エキシマレーザ光源2は照明光学ユ
ニット4を介してパターン発生器3に接続される。照明
光学ユニット4はエキシマレーザ光源2からの光を表面
光変調器13に、エキシマレーザ光源2の光アパーチャが
表面光変調器のの表面に適合されるような態様で、与え
るようにするものであり、表面光変調器13はパターン発
生器3の一部を形成しかつ以下に説明される。図2およ
び図3に関して以下に説明される好ましい実施例の場
合、照明光学ユニット4は、その構造がそれ自身公知で
あるレンズ系によって規定される。
下に詳細に述べられる態様でモデル6上にパターンの画
像を形成し、前記モデル6はx−y−θ位置決めテーブ
ルによって保持される。
されるパターンの画像をモデル6上に形成するばかりで
なく、画像を形成する際所望の倍率拡大または縮小を行
ない、かつこれが所望される限り、モデル6上に画像を
オートフォーカスするものである。
クルまたはマスクであり得る。初めにも説明された直接
照明の場合、x−y−θ位置決めテーブル7は、モデル
6の代わりに、照明されるべき半導体ウェハ、フォトリ
ソグラフィによって作成されるべき他のいくつかの素
子、または、描画されるべきかもしくは照明されるべき
である感光性層を有する構造を支持する。
れる。この支持構造8には、その上に、追加モデル6も
しくは半導体素子のための、または、照明されるべき構
造のためのローディングおよびアンローディングステー
ション9が設けられ得る。ローディングおよびアンロー
ディングステーション9には、半導体製造技術の分野で
通常使用され、かつ照明されるべきモデルもしくは基板
で、または他の半導体素子で位置決めテーブル7を自動
的に装填するのに適切である構造上の設計が与えられ得
る。
11は、露光装置のためのすべての制御機能を実行する。
制御コンピュータ10および制御エレクトロニクス11は特
に、位置決めテーブル7のコンピュータ制御された位置
合わせを目的として位置決めテーブル7と交信する。制
御コンピュータ10は、露光された構造全体を結果として
もたらすモデル6上に連続的に部分画像を作成するため
に、位置決めテーブル7の各制御位置に応答してパター
ン発生器3をそれぞれプログラムしかつアドレスする。
磁気テープユニットまたはLANインタフェース(図示さ
れていない)がデータキャリアとして使用される。
光変調器または二次元光変調器13を含み、さらに、表面
光変調器13と対面するシュリーレンレンズ15と、表面光
変調器13とは対面しない投影レンズ16と、シュリーレン
レンズ15と投影レンズ16との間に配置されるミラー装置
17とを含む光学シュリーレン系をも含む。
光変調器13から短い距離離れたところに配置される。
に、その光軸にも位置付けられる。ビーム拡大光学系4a
および4bと集束光学系4cは、エキシマレーザ光源2によ
り放された光をミラー装置17上にウォーカスするもので
あり、かつ照明光学ユニット4の構成要素であるが、エ
キシマレーザ光源とミラー装置17との間に位置付けられ
る。
反射性表面19により封止されている粘弾性制御層18を含
み、前記反射性表面は、たとえば、金属膜により形成さ
れている。さらに、表面光変調器13は、関連の制御電極
対を有するMOSトランジスタのモノリシックな集積化ア
レイから構成され得る、いわゆる能動アドレシングマト
リクス20を含む。典型的に、アドレシングマトリクス20
は2000×2000個の画素を含むであろう。アドレシングマ
トリクス20の反射性表面19の各画素または表面領域19
a、19b、…は、それと関連して、粘弾性層18とその反射
性表面19とともに、1つまたはいくつかの格子間隔を有
する回折格子を各々形成する1つまたはいくつかの電極
対を有する2つのトランジスタを有する。
領域(論理「1」)の1対の電極の2つの電極に印加す
ることによってアドレスされると、反射性表面19はほぼ
正弦状の断面を有する形を帯びるであろう。もしアドレ
スされないならば、それぞれの表面領域19a、19b、…は
平坦になるであろう。光ビームがアドレスされていない
表面領域19a、19b、…上に達すると、ビームは反射され
てミラー装置17のミラーを介して光源に戻るであろう。
続いて、シュリーレンレンズ15の焦点面に配置されたミ
ラー装置17は、一方では、光源2から来る光を表面光変
調器13に向けて偏向させる働きをし、他方では、アドレ
スされていない表面領域19a、19b、…によって回折され
ることなく反射される光成分をフィルタ処理するための
フィルタ装置としての働きをする。
の別個の構成要素を使用することによって2つの機能を
光の導入およびフィルタ処理に分割することが可能であ
ることは自明であろう。この場合、ミラー装置17は、シ
ュリーレンレンズ15の焦点面に関して、それが光軸に沿
って前記シュリーレンレンズに向かって変位されるよう
に、配置されなければならないであろう。これに関連し
て、部分的に反射するミラーを使用することが可能であ
る。したがって、0次回折光をフィルタ処理するため
に、シャッタをビーム経路内に挿入することがさらに必
要であり、かつこのシャッタが、シュリーレンレンズ15
の焦点面に関して、投影レンズ16の方向に変位されるよ
うに配置されなければならないように、反対方向に回折
面が変位されるであろう。
ミラー装置17をより高い回折次数が通過するように、か
つ、前記高回折次数の鮮明画像が投影レンズ16の援助に
よりモデル6上に形成され得るように、入射光が回折さ
れるであろう。この方法で、モデル6の位置に作成され
た画像が表面光変調器13のプログラムされた論理状態に
対応するように、アドレスされた表面領域19a、19b、…
のみが投影されるであろう。
達するレーザの強度の90%までが、画像作成に貢献する
ことができる。
調器13が照明される、単一の点光源が、エキシマレーザ
光源2からの光を前記ミラー装置17に集束させることに
よってミラー装置の位置に形成される。
れは以下に図3に関して述べられるが、第1実施例に従
った焦点面内に作成された単一点光源が、焦点面内に本
質的に配置されかつその各々は表面光変調器13の表面全
体を照明する複数の実質的に点対称の点光源によって置
換えられる。
は、図2に従った実施例に対応する部分には同じ参照数
字が付与され、そのため、これらの系の構成要素の新し
い説明は省くことができる。
の発明に従った照明装置の実施例は、単一のミラー装置
17だけでなく、現在の関係で示された実施例の場合に、
3つの棒型ミラーが設けられる棒型ミラー配置17a、17
b、17cを含む。しかしながら、より多数の棒型ミラーを
含む棒型ミラー配置を使用することもまた可能である。
に位置付けられる。2つの追加の棒型ミラー17bおよび1
7cは、レーザ光源2からの、前記棒型ミラー17bおよび1
7cの1つによって表面光変調器に向かって偏向された光
が、表面光変調器13のアドレスされていない表面領域19
a、19b、…による非回折反射の場合に他方の棒型ミラー
17c、17b上に達して、かつ、前記他方の棒型ミラー17
c、17bによってレーザ光源2の方向に戻されるように、
配置されている。言換えれば、以下に述べられる集束に
よって棒型ミラー上に形成された点光源の光が非回折反
射する場合、反射光が前記最初に述べられた棒型ミラー
のためのフィルタとして結果として作用する他方の棒型
ミラー上に達するように、これらの点光源が表面光変調
器13の表面全体を照明するような態様で、棒型ミラーが
それぞれ対をなして配置される。
部図は上部図の断面線IIに沿ったy−z面での照明装置
を示す。
はy方向にあり、かつしたがって、表面光変調器13の表
面19の波状によって形成された相構造に平行である。
するために、照明光学ユニット4は、ビーム拡大光学系
4a、4bに追加して、各棒型ミラー毎に円柱レンズ系21、
22、23を含み、前記円柱レンズ系は相構造に平行に、す
なわち、y方向に配向されている。図3から理解され得
るように、これらの円柱形レンズ系はそこから異なった
距離に配置された棒型ミラー17a、17bおよび17c上に集
束させるための異なった焦点距離を有する。さらに、光
軸の外側に配置された円柱形レンズ系21および23は、各
々の場合に表面光変調器13がその表面全体にわたって照
明されるような角度で、それぞれの棒型ミラー17bおよ
び17c上に光が達するようなプリズムを含んでいる。相
構造に平行に配置された円柱形レンズ系21、22、23の後
ろにある光路に、相構造に垂直に配置されかつその構造
上の設計および配置が上記の円柱形レンズ糸の設計およ
び配置に対応する円柱形レンズ系24、25、26が設けられ
る。順に背後に位置付けられた円柱形レンズ系は、示さ
れた実施例の場合において3つの棒型ミラー17a、17bお
よび17c上に9つの点光源を形成する。
続して移動され、かつこの運動の間に、結像されるべき
全体構造の重なった部分画像の画像が、エキシマレーザ
光源2をパルス化することによってモデル6上に形成さ
れるであろう。アドレッシングマトリックス20は通常、
製造欠陥の結果機能することができない、複数個の画素
を含み、そのため、これらの画素はそれぞれ論理状態
「1」および「0」に切換えられないか、または必ずし
も完全に切換えられない場合がある。マトリックス20の
これらの欠陥については、すべての欠陥のある画素の位
置を突き止め、かつその画素に論理「0」を与える。こ
れらの画素を無効にすることにより、製造欠陥が補償さ
れる。モデル6上の各構造が重なった複数の部分画像に
よって形成されるため、上記無効となった画素がいくつ
かあっても照明されるべき構造の各部分は正常な1個の
画素すなわち、正常な1つの表面領域により少なくとも
1回必ず照明される。
間は、形成されるべき構造の最小寸法を位置決めテーブ
ル7の移動速度で除して得られる時間よりも短いため、
位置決めテーブル7を連続的に移動しても全構造の画像
は鮮明に形成される。
造は本質的に、先行技術に従ったラスタ配向されたレー
ザビームまたは電子ビームユニットを制御するためのデ
ータ構造に対応する。
Claims (15)
- 【請求項1】電子素子を製造するのに用いられるモデル
を作成するための、または、製造に必要とされるフォト
リソグラフィ工程の際、ウェハもしくは基板を直接照明
するための、または、感光性層を含んだ構造の直接照明
のための照明装置であって、光源(2)とパターン発生
器(3)とを含み、 パターン発生器(3)は光学シュリーレン系と、能動の
マトリクスアドレス可能な表面光変調器(13)とを含
み、 表面光変調器(13)は、そのアドレスされた表面領域
(19a、19b)が入射光を回折させ、かつそのアドレスさ
れていない表面領域(19a、19b)が入射光を反射させる
反射性表面(19)を有し、 シュリーレン系は、表面光変調器(13)の側に配置され
たシュリーレンレンズ(15)と、表面光変調器(13)と
対面していない投影レンズ(16)と、これらのレンズ
(15、16)の間に配置されかつ光源(2)から来る光を
表面光変調器(13)の表面(19)上に向けるミラー装置
(17)とを含み、 光源(2)から来る光をミラー装置(17)上に集束させ
るのに使用される集束手段(4)が設けられ、 シュリーレンレンズ(15)は、前記レンズの焦点距離に
関して短い距離、表面光変調器(13)から離れたところ
に配置され、 フィルタ装置(17)はシュリーレンレンズ(15)と投影
レンズ(16)間に配置され、前記フィルタ装置には、表
面光変調器(13)のアドレスされていない表面領域(19
a、19b)により反射された非回折光をフィルタ処理し、
かつ、アドレスされた表面領域(19a、19b)により反射
される回折光が投影レンズ(16)を介してモデル
(6)、電子素子または構造に達することができるよう
な性質の構造設計が与えられ、 表面光変調器(13)のアドレスされた表面領域(19a、1
9b)の鮮明な画像がモデル(6)、電子素子または構造
上に形成され得るような態様で、モデル(6)、電子素
子または構造が位置に固定され得る移動可能な位置決め
テーブル(7)が設けられ、 光源はパルス化されたレーザ光源(2)であり、 パルス化されたレーザ光源(2)のパルス持続時間は、
作成されるべきモデル、電子素子、または構造の最小構
造寸法を位置決めテーブル(7)の移動速度により除し
て表わされる時間よりも短く、さらに、 位置決めテーブルの移動の間、モデル(6)、電子素子
または構造が表面光変調器(13)の適切なアドレシング
により複数個の連続した部分画像を用いて組み立てら
れ、 表面光変調器(13)および位置決めテーブル(7)は、
照明されるべきモデル、素子または構造の各画素が、結
像された画素の変位が位置決めテーブルの、画像を形成
するためのパルス間で変位された距離に対応するような
態様で、部分的に重なった画像で少なくとも2回照明さ
れるように制御されることを特徴とする、照明装置。 - 【請求項2】ミラー装置(17)は、シュリーレンレンズ
(15)の焦点距離に対応する、前記レンズ(15)から離
れた距離に配置され、かつ、 ミラー装置(17)は、アドレスされていない表面領域
(19a、19b)により反射される非回折光を光源(2)に
戻す限りにおいてフィルタ装置を構成することを特徴と
する、請求項1に記載の照明装置。 - 【請求項3】ミラー装置(17)は、シュリーレンレンズ
(15)の焦点距離よりも短い、前記レンズ(15)から離
れた距離に配置され、かつ、 フィルタ装置は、アドレスされていない表面領域(19
a、19b)により反射された非回折光のためのシャッタと
して構成され、前記シャッタはシュリーレンレンズ(1
5)の焦点距離よりも大きい、前記レンズ(15)から離
れた距離に配置されることを特徴とする、請求項1また
は2に記載の照明装置。 - 【請求項4】ミラー装置は、その縦軸(y)が表面光変
調器(13)の表面(19)の波状により形成された相構造
と平行である棒型ミラー(17)を含むことを特徴とす
る、請求項1ないし3の1つに記載の照明装置。 - 【請求項5】ミラー装置は複数個の棒型ミラー(17a、1
7b、17c)を含み、前記棒型ミラーの1つはシュリーレ
ンレンズ(15)の焦点に配置され、かつ、 2つの追加の棒型ミラー(17b、17c)は、光源(2)か
らの光であってかつ棒型ミラー(17b、17c)の1つによ
り表面光変調器(13)に向かって偏向された光が、表面
光変調器(13)のアドレスされていない表面領域(19
a、19b)による非回折反射の場合に他方の棒型ミラー
(17c、17b)に達するように、配置されることを特徴と
する、請求項4に記載の照明装置。 - 【請求項6】光源(2)からの光を、広くかつ本質的に
平行な光束へと変形させるビーム拡大光学系(4a、4b)
と、 相構造の方向に配向され、かつ、棒型ミラー(17a、17
b、17c)の数に対応する数の円柱レンズ(21、22、23)
を含む、円柱レンズ系と、 前記最初に述べられた円柱レンズ系に垂直に配置された
第2の円柱レンズ系(24、25、26)とを特徴とする、請
求項5に記載の照明装置。 - 【請求項7】パルス化されたレーザ光源はエキシマレー
ザー光源(2)であることを特徴とする、請求項1ない
し6の1つに記載の照明装置。 - 【請求項8】表面光変調器(13)のマトリックスアドレ
シングを実行する際、機能することが不可能と認識され
た表面領域(19a、19b)がアドレスされないことを特徴
とする、請求項1ないし7の1つに記載の照明装置。 - 【請求項9】表面光変調器(13)の各表面領域(19a、1
9b)は、各々、1対の制御電極層または数対の制御電極
層が設けられた2つのトランジスタに関連しており、そ
れぞれの表面領域(19a、19b)のアドレシングに応答し
て、各制御電極は、粘弾性制御層(18)の反射性表面
(19)が前記トランジスタを覆った状態で、1つまたは
数個の回折格子を形成することを特徴する、請求項1な
いし8の1つに記載の照明装置。 - 【請求項10】一群のウェハまたは基板の完全自動照明
を可能とする、ウェハまたは基板のための自動ローディ
ングおよびアンローディング装置を特徴とする、請求項
1ないし9の1つに記載の照明装置。 - 【請求項11】製造工程の間、基板の正確な反復照明を
可能にする前調整手段および微細調整手段を特徴とす
る、請求項1ないし10の1つに記載の照明装置。 - 【請求項12】表面光変調器(13)は、前調整および微
細調整の間、プログラム可能な基準マークとして使用さ
れることを特徴とする、請求項11に記載の照明装置。 - 【請求項13】表面光変調器(13)には、反射性表面
(19)をその上に配置した粘弾性制御層(18)が設けら
れることを特徴とする、請求項1ないし12の1つに記載
の照明装置。 - 【請求項14】表面光変調器(13)に反射性表面を液晶
層で被覆され、かつ、電気的にアドレス可能な表面領域
(19a、19b)により、位相変位、またしたがって、入射
光の回折が生じることを特徴とする、請求項13に記載の
照明装置。 - 【請求項15】表面光変調器(13)にはアドレス可能な
機械的リードから構成された反射性表面が設けられ、か
つ、前記リードの折り曲げにより、位相変位またはした
がって、光の回折が生じることを特徴とする、請求項1
ないし14の1つに記載の照明装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4014131 | 1990-05-02 | ||
DE4014131.4 | 1990-05-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05502141A JPH05502141A (ja) | 1993-04-15 |
JP2938568B2 true JP2938568B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=6405602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3508122A Expired - Lifetime JP2938568B2 (ja) | 1990-05-02 | 1991-05-02 | 照明装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5296891A (ja) |
EP (1) | EP0527166B1 (ja) |
JP (1) | JP2938568B2 (ja) |
AT (1) | ATE123885T1 (ja) |
DE (1) | DE59105735D1 (ja) |
WO (1) | WO1991017483A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101731530B1 (ko) | 2015-07-06 | 2017-05-02 | 연세대학교 원주산학협력단 | 다채널 초음파 변환기의 초점 위치 보정 방법 |
Families Citing this family (570)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE59105477D1 (de) * | 1991-10-30 | 1995-06-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
EP0610184B1 (de) * | 1991-10-30 | 1995-05-03 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Belichtungsvorrichtung |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JP2875125B2 (ja) * | 1992-12-25 | 1999-03-24 | クレオ プロダクツ インコーポレイテッド | 平面基板上にデータパターンを記録するためのシステム |
US5521748A (en) * | 1994-06-16 | 1996-05-28 | Eastman Kodak Company | Light modulator with a laser or laser array for exposing image data |
DE19522936C2 (de) * | 1995-06-23 | 1999-01-07 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zum Strukturieren einer photolithographischen Schicht |
EP0914626A4 (en) * | 1996-07-25 | 2002-02-20 | Anvik Corp | MASKLESS AND DISCONTINUOUS LITHOGRAPHIC SYSTEM INCLUDING A LIGHT SPACE MODULATOR |
US8527026B2 (en) | 1997-03-04 | 2013-09-03 | Dexcom, Inc. | Device and method for determining analyte levels |
US20080248046A1 (en) * | 1997-03-17 | 2008-10-09 | Human Genome Sciences, Inc. | Death domain containing receptor 5 |
US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6387597B1 (en) | 1998-06-05 | 2002-05-14 | Creo Srl | Method for exposing features on non-planar resists |
US6136509A (en) * | 1998-06-05 | 2000-10-24 | Creo Srl | Method of exposing thermoresist |
US6130770A (en) | 1998-06-23 | 2000-10-10 | Silicon Light Machines | Electron gun activated grating light valve |
US6101036A (en) | 1998-06-23 | 2000-08-08 | Silicon Light Machines | Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display |
US6251550B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-06-26 | Ball Semiconductor, Inc. | Maskless photolithography system that digitally shifts mask data responsive to alignment data |
US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
US6872984B1 (en) | 1998-07-29 | 2005-03-29 | Silicon Light Machines Corporation | Method of sealing a hermetic lid to a semiconductor die at an angle |
US6188519B1 (en) * | 1999-01-05 | 2001-02-13 | Kenneth Carlisle Johnson | Bigrating light valve |
DE19932487A1 (de) * | 1999-07-09 | 2001-02-08 | Epigenomics Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur photolithographischen Belichtung von biologischen Stoffen |
TW546551B (en) * | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
US6956878B1 (en) | 2000-02-07 | 2005-10-18 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for reducing laser speckle using polarization averaging |
TW588222B (en) * | 2000-02-10 | 2004-05-21 | Asml Netherlands Bv | Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus |
TWI240849B (en) * | 2000-02-10 | 2005-10-01 | Asml Netherlands Bv | Object positioning method for a lithographic projection apparatus |
TW509823B (en) | 2000-04-17 | 2002-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7508487B2 (en) * | 2000-06-01 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6630984B2 (en) * | 2000-08-03 | 2003-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
TW548524B (en) * | 2000-09-04 | 2003-08-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
TWI232356B (en) | 2000-09-04 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
EP1197803B1 (en) | 2000-10-10 | 2012-02-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP2081086B1 (en) | 2000-11-07 | 2013-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW591342B (en) * | 2000-11-30 | 2004-06-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method using a lithographic projection apparatus |
US7113258B2 (en) * | 2001-01-15 | 2006-09-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US6624880B2 (en) | 2001-01-18 | 2003-09-23 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for microlithography |
US6792591B2 (en) * | 2001-02-28 | 2004-09-14 | Asml Masktools B.V. | Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs |
US7177081B2 (en) | 2001-03-08 | 2007-02-13 | Silicon Light Machines Corporation | High contrast grating light valve type device |
DE60202230T2 (de) | 2001-03-14 | 2005-12-15 | Asml Masktools B.V. | Naheffektkorrektur mittels nicht aufgelöster Hilfsstrukturen in Form von Leiterstäben |
US6707591B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-03-16 | Silicon Light Machines | Angled illumination for a single order light modulator based projection system |
US7735052B2 (en) * | 2001-04-24 | 2010-06-08 | Asml Masktools Netherlands B.V. | Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs |
JP3970106B2 (ja) | 2001-05-23 | 2007-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 実質的に透過性のプロセス層に整列マークを備える基板、上記マークを露出するためのマスク、およびデバイス製造方法 |
US6865346B1 (en) | 2001-06-05 | 2005-03-08 | Silicon Light Machines Corporation | Fiber optic transceiver |
US6879374B2 (en) * | 2001-06-20 | 2005-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, device manufactured thereby and a mask for use in the method |
US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US6639722B2 (en) | 2001-08-15 | 2003-10-28 | Silicon Light Machines | Stress tuned blazed grating light valve |
US6930364B2 (en) | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
US7026081B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-04-11 | Asml Masktools B.V. | Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features |
US6803993B2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-10-12 | Asml Netherlands-B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6956995B1 (en) | 2001-11-09 | 2005-10-18 | Silicon Light Machines Corporation | Optical communication arrangement |
US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
JP3727317B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2005-12-14 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | リソグラフィに使用するためのマスク、マスクを作成する方法、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
US7333178B2 (en) * | 2002-03-18 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7170587B2 (en) * | 2002-03-18 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1349008A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1349010B1 (en) | 2002-03-28 | 2014-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6767751B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
US7054515B1 (en) | 2002-05-30 | 2006-05-30 | Silicon Light Machines Corporation | Diffractive light modulator-based dynamic equalizer with integrated spectral monitor |
US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
EP1367446A1 (en) | 2002-05-31 | 2003-12-03 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR100526717B1 (ko) * | 2002-06-14 | 2005-11-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 자체-조합된 단일층을 갖는 광학요소를 포함하는 euv리소그래피 투영장치, 자체-조합된 단일층을 갖는광학요소, 자체-조합된 단일층을 적용하는 방법, 디바이스제조방법 및 이에 따라 제조된 디바이스 |
US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
US6908201B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-06-21 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-support structures |
US6714337B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response |
US7049592B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1383007A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, and device manufacturing method |
DE10233491B4 (de) * | 2002-07-24 | 2012-12-20 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Kompakte Einrichtung zur Bebilderung einer Druckform |
KR100589236B1 (ko) * | 2002-08-15 | 2006-06-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영장치 및 상기 장치에 사용하는 반사기조립체 |
US7057795B2 (en) | 2002-08-20 | 2006-06-06 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-structures with individually addressable ribbon pairs |
US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
EP2204697A3 (en) | 2002-09-20 | 2012-04-18 | ASML Netherlands B.V. | Marker structure, lithographic projection apparatus, method for substrate alignment using such a structure, and substrate comprising such marker structure |
CN1495540B (zh) | 2002-09-20 | 2010-08-11 | Asml荷兰有限公司 | 利用至少两个波长的光刻系统的对准系统和方法 |
US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
CN100421024C (zh) * | 2002-09-30 | 2008-09-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置及器件制造方法 |
CN100437355C (zh) * | 2002-09-30 | 2008-11-26 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置及器件制造方法 |
CN100559273C (zh) * | 2002-09-30 | 2009-11-11 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和测量系统 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1429188B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG137657A1 (en) * | 2002-11-12 | 2007-12-28 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination |
JP3953460B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
TWI295413B (en) * | 2002-11-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method to determine beam size and divergence. |
EP1424598B1 (en) * | 2002-11-27 | 2008-04-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
SG111171A1 (en) | 2002-11-27 | 2005-05-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
SG115590A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US6928207B1 (en) | 2002-12-12 | 2005-08-09 | Silicon Light Machines Corporation | Apparatus for selectively blocking WDM channels |
DE60323927D1 (de) * | 2002-12-13 | 2008-11-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7057819B1 (en) | 2002-12-17 | 2006-06-06 | Silicon Light Machines Corporation | High contrast tilting ribbon blazed grating |
US6987600B1 (en) | 2002-12-17 | 2006-01-17 | Silicon Light Machines Corporation | Arbitrary phase profile for better equalization in dynamic gain equalizer |
US6934070B1 (en) | 2002-12-18 | 2005-08-23 | Silicon Light Machines Corporation | Chirped optical MEM device |
JP4058405B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2008-03-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | デバイス製造方法およびこの方法により製造したデバイス |
EP1434092A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-06-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
CN100476585C (zh) * | 2002-12-23 | 2009-04-08 | Asml荷兰有限公司 | 具有可扩展薄片的杂质屏蔽 |
US6927891B1 (en) | 2002-12-23 | 2005-08-09 | Silicon Light Machines Corporation | Tilt-able grating plane for improved crosstalk in 1×N blaze switches |
TWI237744B (en) * | 2003-01-14 | 2005-08-11 | Asml Netherlands Bv | Level sensor for lithographic apparatus |
DE602004003125T2 (de) * | 2003-01-15 | 2007-08-23 | Micronic Laser Systems Ab | Verfahren zur erkennung eines defekten pixels |
TWI304158B (en) * | 2003-01-15 | 2008-12-11 | Asml Netherlands Bv | Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly |
US7068372B1 (en) | 2003-01-28 | 2006-06-27 | Silicon Light Machines Corporation | MEMS interferometer-based reconfigurable optical add-and-drop multiplexor |
US7286764B1 (en) | 2003-02-03 | 2007-10-23 | Silicon Light Machines Corporation | Reconfigurable modulator-based optical add-and-drop multiplexer |
US6947613B1 (en) | 2003-02-11 | 2005-09-20 | Silicon Light Machines Corporation | Wavelength selective switch and equalizer |
US6922272B1 (en) | 2003-02-14 | 2005-07-26 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for leveling thermal stress variations in multi-layer MEMS devices |
US7206059B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
US7391973B1 (en) | 2003-02-28 | 2008-06-24 | Silicon Light Machines Corporation | Two-stage gain equalizer |
US6922273B1 (en) | 2003-02-28 | 2005-07-26 | Silicon Light Machines Corporation | PDL mitigation structure for diffractive MEMS and gratings |
US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
US7027202B1 (en) | 2003-02-28 | 2006-04-11 | Silicon Light Machines Corp | Silicon substrate as a light modulator sacrificial layer |
US7042611B1 (en) | 2003-03-03 | 2006-05-09 | Silicon Light Machines Corporation | Pre-deflected bias ribbons |
SG115641A1 (en) * | 2003-03-06 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Device and method for manipulation and routing of a metrology beam |
TWI264620B (en) * | 2003-03-07 | 2006-10-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1457833B1 (en) | 2003-03-11 | 2012-05-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
SG115630A1 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock |
TWI234692B (en) * | 2003-03-11 | 2005-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate |
SG115631A1 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects |
EP1457827A1 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
EP1457825A1 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
SG125108A1 (en) * | 2003-03-11 | 2006-09-29 | Asml Netherlands Bv | Assembly comprising a sensor for determining at least one of tilt and height of a substrate, a method therefor and a lithographic projection apparatus |
EP1457826A1 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG115629A1 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for maintaining a machine part |
US7397539B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-07-08 | Asml Netherlands, B.V. | Transfer apparatus for transferring an object, lithographic apparatus employing such a transfer apparatus, and method of use thereof |
SG125948A1 (en) * | 2003-03-31 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Supporting structure for use in a lithographic apparatus |
US7126671B2 (en) * | 2003-04-04 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4394500B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2010-01-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びコンピュータ・プログラム |
SG115678A1 (en) | 2003-04-22 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Substrate carrier and method for making a substrate carrier |
SG141416A1 (en) * | 2003-04-30 | 2008-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus,device manufacturing methods, mask and method of characterising a mask and/or pellicle |
EP1475666A1 (en) | 2003-05-06 | 2004-11-10 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder for lithographic apparatus |
EP1475667A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20040263816A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1477861A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | A method of calibrating a lithographic apparatus, an alignment method, a computer program, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
US7063920B2 (en) * | 2003-05-16 | 2006-06-20 | Asml Holding, N.V. | Method for the generation of variable pitch nested lines and/or contact holes using fixed size pixels for direct-write lithographic systems |
SG141228A1 (en) * | 2003-05-19 | 2008-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI304522B (en) * | 2003-05-28 | 2008-12-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method of calibrating and device manufacturing method |
US7061591B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-06-13 | Asml Holding N.V. | Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays |
US6989920B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-01-24 | Asml Holding N.V. | System and method for dose control in a lithographic system |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1482373A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1486828B1 (en) | 2003-06-09 | 2013-10-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1486824A1 (en) * | 2003-06-11 | 2004-12-15 | ASML Netherlands B.V. | A movable stage system for in a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
EP1489449A1 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Spatial light modulator |
SG118283A1 (en) * | 2003-06-20 | 2006-01-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110082B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-09-19 | Asml Holding N.V. | Optical system for maskless lithography |
SG119224A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-02-28 | Asml Netherlands Bv | Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1491966A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-29 | ASML Netherlands B.V. | Calibration method for a lithographic apparatus |
TWI251129B (en) * | 2003-06-27 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and integrated circuit manufacturing method |
EP1491967A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-29 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for positioning a substrate on a substrate table |
US7158215B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-01-02 | Asml Holding N.V. | Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays |
US7154587B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-12-26 | Asml Netherlands B.V | Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1975721A1 (en) | 2003-06-30 | 2008-10-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7355673B2 (en) * | 2003-06-30 | 2008-04-08 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout |
TWI284253B (en) * | 2003-07-01 | 2007-07-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7248339B2 (en) * | 2003-07-04 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1496397A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Method and system for feedforward overlay correction of pattern induced distortion and displacement, and lithographic projection apparatus using such a method and system |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500987A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1500979A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI245170B (en) | 2003-07-22 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1500980A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
KR100697299B1 (ko) | 2003-07-23 | 2007-03-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 따라 제조된디바이스 |
US7456932B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7224504B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-05-29 | Asml Holding N. V. | Deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit and method of use |
US6831768B1 (en) | 2003-07-31 | 2004-12-14 | Asml Holding N.V. | Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography |
US7145643B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method |
US7265817B2 (en) * | 2003-08-27 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and slide assembly |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6873938B1 (en) | 2003-09-17 | 2005-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Adaptive lithographic critical dimension enhancement |
US8064730B2 (en) * | 2003-09-22 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, orientation determination method and lithographic apparatus |
SG110196A1 (en) | 2003-09-22 | 2005-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7414701B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-08-19 | Asml Holding N.V. | Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems |
JP4387359B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2009-12-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学特性の測定方法、及び波面検出系を備えた投影露光システム |
US7023526B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-04-04 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation |
US6876440B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-05 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region |
US7410736B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-08-12 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones |
US7109498B2 (en) * | 2003-10-09 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
US7116398B2 (en) * | 2003-11-07 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7196772B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253077B2 (en) * | 2003-12-01 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, method of preparing a substrate, method of measurement, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, and machine-readable storage medium |
US7565219B2 (en) * | 2003-12-09 | 2009-07-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of determining a model parameter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7001232B2 (en) * | 2003-12-11 | 2006-02-21 | Montgomery Robert E | Personal watercraft air intake assembly |
US20050134865A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a map, device manufacturing method, and lithographic apparatus |
US7288779B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Method for position determination, method for overlay optimization, and lithographic projection apparatus |
US6992753B2 (en) * | 2003-12-24 | 2006-01-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection optical system |
US7349101B2 (en) * | 2003-12-30 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, overlay detector, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7145641B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-12-05 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7012674B2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | Maskless optical writer |
US7256873B2 (en) * | 2004-01-28 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Enhanced lithographic resolution through double exposure |
US6847461B1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-01-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry |
US7580559B2 (en) * | 2004-01-29 | 2009-08-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator |
JP4083751B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2008-04-30 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 空間光変調器アレイを較正するシステムおよび空間光変調器アレイを較正する方法 |
US7133118B2 (en) * | 2004-02-18 | 2006-11-07 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352472B2 (en) * | 2004-02-18 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method for determining z-displacement |
US7190434B2 (en) * | 2004-02-18 | 2007-03-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7113256B2 (en) * | 2004-02-18 | 2006-09-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control |
JP2005243928A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Fujitsu Ltd | トレンチアイソレーションで分離されたトランジスタ対を有する半導体装置 |
US7081947B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7094506B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-08-22 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43515E1 (en) | 2004-03-09 | 2012-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6967711B2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7184123B2 (en) * | 2004-03-24 | 2007-02-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic optical system |
US7561251B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7153616B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-12-26 | Asml Holding N.V. | System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool |
US7053981B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-05-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102004035595B4 (de) * | 2004-04-09 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives |
US7002666B2 (en) * | 2004-04-16 | 2006-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6963434B1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-08 | Asml Holding N.V. | System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator |
US20050243295A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing |
US20050259269A1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Asml Holding N.V. | Shearing interferometer with dynamic pupil fill |
US7289858B2 (en) * | 2004-05-25 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic motion control system and method |
US7242456B2 (en) * | 2004-05-26 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions |
DE102004026019A1 (de) * | 2004-05-27 | 2005-12-22 | Infineon Technologies Ag | Programmierbare Reflexionsmaske und Belichtungsanlage mit einer solchen programmierbaren Reflexionsmaske |
US7477403B2 (en) * | 2004-05-27 | 2009-01-13 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
US7123348B2 (en) * | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
JP4623095B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィレンズの流体圧力補正 |
US7016016B2 (en) * | 2004-06-25 | 2006-03-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7116403B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7116404B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7158208B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7426014B2 (en) | 2004-07-01 | 2008-09-16 | Nikon Corporation | Dynamic fluid control system for immersion lithography |
US20060001890A1 (en) * | 2004-07-02 | 2006-01-05 | Asml Holding N.V. | Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor |
US7403264B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
US7573574B2 (en) * | 2004-07-13 | 2009-08-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060012779A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7259829B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7227613B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-06-05 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus having double telecentric illumination |
US7335398B2 (en) * | 2004-07-26 | 2008-02-26 | Asml Holding N.V. | Method to modify the spatial response of a pattern generator |
US7142286B2 (en) * | 2004-07-27 | 2006-11-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7511798B2 (en) * | 2004-07-30 | 2009-03-31 | Asml Holding N.V. | Off-axis catadioptric projection optical system for lithography |
US7251020B2 (en) * | 2004-07-30 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7538855B2 (en) * | 2004-08-10 | 2009-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7102733B2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-09-05 | Asml Holding N.V. | System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool |
US7304718B2 (en) * | 2004-08-17 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7500218B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same |
US7301707B2 (en) * | 2004-09-03 | 2007-11-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection optical system and method |
US7079225B2 (en) * | 2004-09-14 | 2006-07-18 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7177012B2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
US7423732B2 (en) * | 2004-11-04 | 2008-09-09 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane |
US7609362B2 (en) * | 2004-11-08 | 2009-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1816502B1 (en) * | 2004-11-10 | 2011-06-22 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure equipment and exposure method |
US7170584B2 (en) * | 2004-11-17 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7061581B1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474384B2 (en) * | 2004-11-22 | 2009-01-06 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus |
US7643192B2 (en) * | 2004-11-24 | 2010-01-05 | Asml Holding N.V. | Pattern generator using a dual phase step element and method of using same |
US7333177B2 (en) * | 2004-11-30 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7713667B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-05-11 | Asml Holding N.V. | System and method for generating pattern data used to control a pattern generator |
US7262831B2 (en) * | 2004-12-01 | 2007-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
US7365848B2 (en) * | 2004-12-01 | 2008-04-29 | Asml Holding N.V. | System and method using visible and infrared light to align and measure alignment patterns on multiple layers |
US7391499B2 (en) * | 2004-12-02 | 2008-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7362415B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060119811A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system |
US7355677B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | System and method for an improved illumination system in a lithographic apparatus |
US7349068B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7180577B2 (en) * | 2004-12-17 | 2007-02-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane |
US7256867B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7391676B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Ultrasonic distance sensors |
US7230677B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids |
US7274502B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-09-25 | Asml Holding N.V. | System, apparatus and method for maskless lithography that emulates binary, attenuating phase-shift and alternating phase-shift masks |
US7202939B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7375795B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7538857B2 (en) * | 2004-12-23 | 2009-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler |
US7656506B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler |
US7426076B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-09-16 | Asml Holding N.V. | Projection system for a lithographic apparatus |
US7242458B2 (en) * | 2004-12-23 | 2007-07-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple substrate carrier for flat panel display substrates |
US7279110B2 (en) * | 2004-12-27 | 2007-10-09 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for creating a phase step in mirrors used in spatial light modulator arrays |
US7126672B2 (en) * | 2004-12-27 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060138349A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7459247B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317510B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7145636B2 (en) * | 2004-12-28 | 2006-12-05 | Asml Netherlands Bv | System and method for determining maximum operational parameters used in maskless applications |
US7403865B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | System and method for fault indication on a substrate in maskless applications |
US7274029B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-09-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7756660B2 (en) * | 2004-12-28 | 2010-07-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7342644B2 (en) * | 2004-12-29 | 2008-03-11 | Asml Netherlands B.V. | Methods and systems for lithographic beam generation |
US7253881B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-08-07 | Asml Netherlands Bv | Methods and systems for lithographic gray scaling |
CN101107570B (zh) * | 2004-12-30 | 2011-02-09 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 投影光学系统 |
US7567368B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-07-28 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography |
CN101111850A (zh) * | 2005-01-28 | 2008-01-23 | Asml控股股份有限公司 | 用于基于全局优化的无掩模光刻光栅化技术的方法和系统 |
US7542013B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-06-02 | Asml Holding N.V. | System and method for imaging enhancement via calculation of a customized optimal pupil field and illumination mode |
US7460208B2 (en) * | 2005-02-18 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7286137B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-23 | Asml Holding N.V. | Method and system for constrained pixel graytones interpolation for pattern rasterization |
US7499146B2 (en) * | 2005-03-14 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method, an integrated circuit, a flat panel display, and a method of compensating for cupping |
US7812930B2 (en) * | 2005-03-21 | 2010-10-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using repeated patterns in an LCD to reduce datapath volume |
US7209216B2 (en) * | 2005-03-25 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography |
US7317506B2 (en) * | 2005-03-29 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Variable illumination source |
US7548302B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403265B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering |
US7728956B2 (en) * | 2005-04-05 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data |
US7456935B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a positioning device for positioning an object table |
US7330239B2 (en) * | 2005-04-08 | 2008-02-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device |
US7209217B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing plural patterning devices |
US7221514B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-05-22 | Asml Netherlands B.V. | Variable lens and exposure system |
US20060244805A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Ming-Hsiang Yeh | Multicolor pen |
US7400382B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-07-15 | Asml Holding N.V. | Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form |
US7738081B2 (en) * | 2005-05-06 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a flat panel display handler with conveyor device and substrate handler |
US7738075B2 (en) * | 2005-05-23 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic attribute enhancement |
US7477772B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-01-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression |
US7197828B2 (en) * | 2005-05-31 | 2007-04-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing FPD chuck Z position measurement |
US7292317B2 (en) * | 2005-06-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing substrate stage compensating |
US7742148B2 (en) * | 2005-06-08 | 2010-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method for writing a digital image |
US7233384B2 (en) * | 2005-06-13 | 2007-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor |
US7321416B2 (en) * | 2005-06-15 | 2008-01-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, and controllable patterning device utilizing a spatial light modulator with distributed digital to analog conversion |
US7408617B2 (en) * | 2005-06-24 | 2008-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a large area FPD chuck equipped with encoders an encoder scale calibration method |
US7965373B2 (en) * | 2005-06-28 | 2011-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load |
US7522258B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination |
US7307694B2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation beam inspection device, method of inspecting a beam of radiation and device manufacturing method |
US8139218B2 (en) * | 2005-07-06 | 2012-03-20 | Asml Netherlands B.V. | Substrate distortion measurement |
US7576835B2 (en) * | 2005-07-06 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Substrate handler, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070013889A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus |
US7251019B2 (en) * | 2005-07-20 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a continuous light beam in combination with pixel grid imaging |
JP5069232B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2012-11-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ |
US8194242B2 (en) * | 2005-07-29 | 2012-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Substrate distortion measurement |
US7606430B2 (en) * | 2005-08-30 | 2009-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple dictionary compression method for FPD |
US20070046917A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU |
JP2007114750A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-05-10 | Asml Netherlands Bv | 投影システム設計方法、リソグラフィー装置およびデバイス製造方法 |
US7391503B2 (en) * | 2005-10-04 | 2008-06-24 | Asml Netherlands B.V. | System and method for compensating for thermal expansion of lithography apparatus or substrate |
US7830493B2 (en) * | 2005-10-04 | 2010-11-09 | Asml Netherlands B.V. | System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system |
US7332733B2 (en) * | 2005-10-05 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | System and method to correct for field curvature of multi lens array |
US20070127005A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Asml Holding N.V. | Illumination system |
US7626181B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070133007A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using laser trimming of a multiple mirror contrast device |
US7440078B2 (en) * | 2005-12-20 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units |
US20070153249A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types |
US7466394B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-12-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using a compensation scheme for a patterning array |
US7751130B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-07-06 | Asml Holding N.V. | Optical element damping systems |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804646B2 (en) * | 2006-01-31 | 2010-09-28 | Asml Masktools B.V. | Method for decomposition of a customized DOE for use with a single exposure into a set of multiple exposures using standard DOEs with optimized exposure settings |
US7532403B2 (en) * | 2006-02-06 | 2009-05-12 | Asml Holding N.V. | Optical system for transforming numerical aperture |
US7368744B2 (en) * | 2006-02-17 | 2008-05-06 | Asml Netherlands B.V. | Photon sieve for optical systems in micro-lithography |
ATE525679T1 (de) * | 2006-02-17 | 2011-10-15 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Optischer integrator für eine beleuchtungssystem einer mikrolithographie-projektions- belichtungsvorrichtung |
TWI456267B (zh) | 2006-02-17 | 2014-10-11 | Zeiss Carl Smt Gmbh | 用於微影投射曝光設備之照明系統 |
US20070212649A1 (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for enhanced lithographic patterning |
US7598024B2 (en) | 2006-03-08 | 2009-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for enhanced lithographic alignment |
US7728955B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation supply and device manufacturing method |
US7528933B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement |
EP1843202B1 (en) * | 2006-04-06 | 2015-02-18 | ASML Netherlands B.V. | Method for performing dark field double dipole lithography |
US7508491B2 (en) * | 2006-04-12 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity |
US7948606B2 (en) * | 2006-04-13 | 2011-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns |
US7839487B2 (en) * | 2006-04-13 | 2010-11-23 | Asml Holding N.V. | Optical system for increasing illumination efficiency of a patterning device |
US8264667B2 (en) * | 2006-05-04 | 2012-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure |
US7583359B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Reduction of fit error due to non-uniform sample distribution |
US7728462B2 (en) * | 2006-05-18 | 2010-06-01 | Nikon Corporation | Monolithic stage devices providing motion in six degrees of freedom |
US20080024749A1 (en) * | 2006-05-18 | 2008-01-31 | Nikon Corporation | Low mass six degree of freedom stage for lithography tools |
US20070267995A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-22 | Nikon Corporation | Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus |
US8934084B2 (en) * | 2006-05-31 | 2015-01-13 | Asml Holding N.V. | System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system |
US7728954B2 (en) * | 2006-06-06 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Reflective loop system producing incoherent radiation |
US7532309B2 (en) * | 2006-06-06 | 2009-05-12 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid |
US7649676B2 (en) * | 2006-06-14 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | System and method to form unpolarized light |
US7936445B2 (en) * | 2006-06-19 | 2011-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Altering pattern data based on measured optical element characteristics |
US8896808B2 (en) * | 2006-06-21 | 2014-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US7697115B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-04-13 | Asml Holding N.V. | Resonant scanning mirror |
US7593094B2 (en) * | 2006-06-26 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device |
US20080002174A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Asml Netherlands B.V. | Control system for pattern generator in maskless lithography |
US7630136B2 (en) | 2006-07-18 | 2009-12-08 | Asml Holding N.V. | Optical integrators for lithography systems and methods |
US7548315B2 (en) * | 2006-07-27 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system |
US7738077B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device utilizing sets of stepped mirrors and method of using same |
US7567338B2 (en) * | 2006-08-30 | 2009-07-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7626182B2 (en) * | 2006-09-05 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Radiation pulse energy control system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7628875B2 (en) * | 2006-09-12 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | MEMS device and assembly method |
US8049865B2 (en) * | 2006-09-18 | 2011-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method |
US7804603B2 (en) | 2006-10-03 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus and method |
US7683300B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Using an interferometer as a high speed variable attenuator |
US20080100812A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having a wafer chuck made of a porous material |
US20080100816A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP4700672B2 (ja) | 2006-11-08 | 2011-06-15 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | ライン幅粗さおよびレジストパターン不良を予測する方法、プログラム、および装置、ならびにそのリソグラフィシミュレーションプロセスでの使用 |
JP4707701B2 (ja) * | 2006-11-08 | 2011-06-22 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | 瞳を有する光学結像システムの結像性能をシミュレーションするモデルを生成する方法およびコンピュータプログラム |
US20080111977A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-05-15 | Asml Holding N.V. | Compensation techniques for fluid and magnetic bearings |
US7453551B2 (en) * | 2006-11-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Increasing pulse-to-pulse radiation beam uniformity |
US7738079B2 (en) * | 2006-11-14 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Radiation beam pulse trimming |
US8054449B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-11-08 | Asml Holding N.V. | Enhancing the image contrast of a high resolution exposure tool |
US8259285B2 (en) * | 2006-12-14 | 2012-09-04 | Asml Holding N.V. | Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data |
US7965378B2 (en) * | 2007-02-20 | 2011-06-21 | Asml Holding N.V | Optical system and method for illumination of reflective spatial light modulators in maskless lithography |
US8009269B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-08-30 | Asml Holding N.V. | Optimal rasterization for maskless lithography |
US8009270B2 (en) * | 2007-03-22 | 2011-08-30 | Asml Netherlands B.V. | Uniform background radiation in maskless lithography |
CN101669071B (zh) * | 2007-04-25 | 2012-03-21 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻曝光装置中照明掩模的照明系统 |
US20080285004A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Nikon Corporation | Monolithic, Non-Contact Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus |
US7714986B2 (en) * | 2007-05-24 | 2010-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Laser beam conditioning system comprising multiple optical paths allowing for dose control |
JP5479328B2 (ja) | 2007-06-04 | 2014-04-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | モデルベースのリソグラフィ誘導レイアウト設計を実行するための方法 |
US7816658B2 (en) * | 2007-06-07 | 2010-10-19 | Asml Netherlands B.V. | Extreme ultra-violet lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080304034A1 (en) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Dose control for optical maskless lithography |
US8692974B2 (en) * | 2007-06-14 | 2014-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control |
US7768627B2 (en) * | 2007-06-14 | 2010-08-03 | Asml Netherlands B.V. | Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system |
US8189172B2 (en) * | 2007-06-14 | 2012-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8493548B2 (en) * | 2007-08-06 | 2013-07-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7872244B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7999920B2 (en) | 2007-08-22 | 2011-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Method of performing model-based scanner tuning |
US9779186B2 (en) | 2007-08-28 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Methods for performing model-based lithography guided layout design |
JP2010537414A (ja) * | 2007-08-30 | 2010-12-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム |
EP2048540A1 (en) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | Carl Zeiss SMT AG | Microlithographic projection exposure apparatus |
NL1036189A1 (nl) | 2007-12-05 | 2009-06-08 | Brion Tech Inc | Methods and System for Lithography Process Window Simulation. |
NL1036272A1 (nl) * | 2007-12-19 | 2009-06-22 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL1036321A1 (nl) * | 2007-12-20 | 2009-06-29 | Asml Netherlands Bv | Device control method and apparatus. |
EP2388649B1 (en) * | 2007-12-21 | 2013-06-19 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
NL1036750A1 (nl) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Brion Tech Inc | A Method Of Performing Mask-Writer Tuning and Optimization. |
TW201007383A (en) * | 2008-07-07 | 2010-02-16 | Brion Tech Inc | Illumination optimization |
US8390786B2 (en) | 2008-09-23 | 2013-03-05 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
US8390781B2 (en) | 2008-09-23 | 2013-03-05 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
US8253923B1 (en) | 2008-09-23 | 2012-08-28 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
US8395752B2 (en) | 2008-09-23 | 2013-03-12 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
US8670106B2 (en) | 2008-09-23 | 2014-03-11 | Pinebrook Imaging, Inc. | Optical imaging writer system |
NL2003364A (en) * | 2008-09-26 | 2010-03-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
NL2003654A (en) | 2008-11-06 | 2010-05-10 | Brion Tech Inc | Methods and system for lithography calibration. |
NL2003702A (en) | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Pattern selection for lithographic model calibration. |
NL2003718A (en) | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Methods and system for model-based generic matching and tuning. |
NL2003696A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Scanner model representation with transmission cross coefficients. |
US8092122B2 (en) | 2008-11-10 | 2012-01-10 | Reynolds Consumer Products, Inc. | Connection device for fastening expanded cell confinement structures and methods for doing the same |
CN102224459B (zh) | 2008-11-21 | 2013-06-19 | Asml荷兰有限公司 | 用于优化光刻过程的方法及设备 |
NL2003699A (en) | 2008-12-18 | 2010-06-21 | Brion Tech Inc | Method and system for lithography process-window-maximixing optical proximity correction. |
NL2005523A (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-02 | Asml Netherlands Bv | Selection of optimum patterns in a design layout based on diffraction signature analysis. |
CN101710202B (zh) * | 2009-11-13 | 2012-07-11 | 深圳超多维光电子有限公司 | 对位装置、采用所述对位装置的光栅对位系统及其对位方法 |
TWI448830B (zh) | 2010-02-09 | 2014-08-11 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
WO2011104178A1 (en) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2006253A (en) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5580434B2 (ja) | 2010-02-23 | 2014-08-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2011104171A1 (en) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2011104176A1 (en) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2011104174A1 (en) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2011104175A1 (en) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5603956B2 (ja) | 2010-02-23 | 2014-10-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
KR101496877B1 (ko) | 2010-02-23 | 2015-03-02 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
SG183393A1 (en) | 2010-02-25 | 2012-09-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2006385A (en) | 2010-04-12 | 2011-10-13 | Asml Netherlands Bv | Substrate handling apparatus and lithographic apparatus. |
NL2006573A (en) | 2010-05-18 | 2011-11-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2007642A (en) | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Optimization flows of source, mask and projection optics. |
NL2007577A (en) | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Optimization of source, mask and projection optics. |
NL2007579A (en) | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Pattern-dependent proximity matching/tuning including light manipulation by projection optics. |
NL2007578A (en) | 2010-11-17 | 2012-05-22 | Asml Netherlands Bv | Pattern-independent and hybrid matching/tuning including light manipulation by projection optics. |
WO2012076300A1 (en) | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2012130532A1 (en) | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Asml Netherlands B.V. | Measurement of the position of a radiation beam spot in lithography |
WO2012136434A2 (en) | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
NL2008500A (en) | 2011-04-21 | 2012-10-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method for maintaining a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
WO2013023874A1 (en) | 2011-08-16 | 2013-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
CN103765316B (zh) | 2011-08-18 | 2016-06-29 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和器件制造方法 |
NL2009342A (en) | 2011-10-31 | 2013-05-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
KR101616764B1 (ko) | 2011-11-29 | 2016-04-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 및 컴퓨터 프로그램 |
US10346729B2 (en) | 2011-11-29 | 2019-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for converting a vector-based representation of a desired device pattern for a lithography apparatus, apparatus and method for providing data to a programmable patterning device, a lithography apparatus and a device manufacturing method |
US9341960B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-05-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5881851B2 (ja) | 2011-12-06 | 2016-03-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、セットポイントデータを提供する装置、デバイス製造方法、セットポイントデータの計算方法、およびコンピュータプログラム |
NL2009902A (en) | 2011-12-27 | 2013-07-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2009982A (en) | 2012-01-10 | 2013-07-15 | Asml Netherlands Bv | Source mask optimization to reduce stochastic effects. |
KR101633759B1 (ko) | 2012-01-12 | 2016-06-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 세트포인트 데이터를 제공하는 장치, 디바이스 제조 방법, 세트포인트 데이터를 제공하는 방법, 및 컴퓨터 프로그램 |
US9568831B2 (en) | 2012-01-17 | 2017-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2010196A (en) | 2012-02-09 | 2013-08-13 | Asml Netherlands Bv | Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography. |
KR101650830B1 (ko) | 2012-02-23 | 2016-08-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 디바이스, 리소그래피 장치, 방사선을 안내하는 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
WO2013178459A1 (en) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Gradient-based pattern and evaluation point selection |
NL2011592A (en) | 2012-10-31 | 2014-05-06 | Asml Netherlands Bv | Compensation for patterning device deformation. |
NL2012052A (en) | 2013-01-29 | 2014-08-04 | Asml Netherlands Bv | A radiation modulator for a lithography apparatus, a lithography apparatus, a method of modulating radiation for use in lithography, and a device manufacturing method. |
CN105074575B (zh) | 2013-02-22 | 2018-06-22 | Asml荷兰有限公司 | 用于三维图案形成装置的光刻模型 |
US10191384B2 (en) | 2013-02-25 | 2019-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Discrete source mask optimization |
SG11201602179WA (en) | 2013-10-01 | 2016-04-28 | Asml Netherlands Bv | Profile aware source-mask optimization |
CN105849643B (zh) | 2013-12-17 | 2019-07-19 | Asml荷兰有限公司 | 良品率估计和控制 |
SG11201606179QA (en) | 2014-02-11 | 2016-08-30 | Asml Netherlands Bv | Model for calculating a stochastic variation in an arbitrary pattern |
KR102146437B1 (ko) | 2014-03-18 | 2020-08-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패턴 배치 에러 인식의 최적화 |
TWI624765B (zh) | 2014-04-14 | 2018-05-21 | Asml荷蘭公司 | 用以改良微影程序之電腦實施方法及電腦程式產品 |
CN106462086B (zh) | 2014-06-25 | 2019-10-15 | Asml荷兰有限公司 | 蚀刻变化容差优化 |
WO2016008711A1 (en) | 2014-07-14 | 2016-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of assist features and source |
CN107111237B (zh) | 2014-10-02 | 2020-02-28 | Asml荷兰有限公司 | 辅助特征的基于规则的部署 |
CN104267482A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-07 | 重庆卓美华视光电有限公司 | 一种用于柱镜式裸眼3d显示器装配及校验的治具 |
US10409165B2 (en) | 2014-12-15 | 2019-09-10 | Asml Netherlands B.V. | Optimization based on machine learning |
WO2016096668A1 (en) | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Hotspot aware dose correction |
WO2016096333A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Asml Netherlands B.V. | A lithography model for 3d features |
US10514614B2 (en) | 2015-02-13 | 2019-12-24 | Asml Netherlands B.V. | Process variability aware adaptive inspection and metrology |
TWI620980B (zh) | 2015-02-13 | 2018-04-11 | Asml荷蘭公司 | 影像對數斜率(ils)最佳化 |
US10459345B2 (en) | 2015-03-06 | 2019-10-29 | Asml Netherlands B.V. | Focus-dose co-optimization based on overlapping process window |
SG11201706686YA (en) | 2015-03-16 | 2017-09-28 | Asml Netherlands Bv | Methods for determining resist deformation |
WO2016184664A1 (en) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Asml Netherlands B.V. | Coloring aware optimization |
CN107667315B (zh) | 2015-05-29 | 2021-04-16 | Asml荷兰有限公司 | 使用对源辐射的角分布的多次采样的光刻术模拟 |
NL2016937A (en) | 2015-06-17 | 2016-12-22 | Asml Netherlands Bv | Recipe selection based on inter-recipe consistency |
EP3387481B1 (en) | 2015-12-07 | 2024-09-25 | ASML Holding N.V. | Objective lens system |
WO2017102321A1 (en) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | Cymer, Llc | Optimization of source and bandwidth for new and existing patterning devices |
US11016397B2 (en) | 2015-12-17 | 2021-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Source separation from metrology data |
WO2017108432A1 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for process-window characterization |
US10712669B2 (en) | 2015-12-30 | 2020-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for direct write maskless lithography |
US10928736B2 (en) | 2015-12-30 | 2021-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for direct write maskless lithography |
WO2017114659A1 (en) | 2015-12-30 | 2017-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for direct write maskless lithography |
KR102148875B1 (ko) | 2015-12-31 | 2020-08-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 에칭-어시스트 피처 |
KR102190292B1 (ko) | 2015-12-31 | 2020-12-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패터닝 공정들을 위한 측정 위치들의 선택 |
WO2017114672A1 (en) | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Metrology by reconstruction |
US11112700B2 (en) | 2016-03-24 | 2021-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of a lithographic projection apparatus accounting for an interlayer characteristic |
WO2017178276A1 (en) | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Asml Netherlands B.V. | Mapping of patterns between design layout and patterning device |
US10983440B2 (en) | 2016-05-23 | 2021-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Selection of substrate measurement recipes |
TWI647528B (zh) | 2016-07-12 | 2019-01-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於視覺化設計佈局之計算分析之效能度量的方法及系統 |
KR102185748B1 (ko) | 2016-07-19 | 2020-12-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 직접 기록 마스크리스 리소그래피용 장치 |
CN109564390B (zh) | 2016-07-19 | 2021-03-23 | Asml荷兰有限公司 | 确定在光刻步骤中待施加到衬底的图案的组合 |
KR20190039579A (ko) | 2016-08-19 | 2019-04-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 노광후 공정들의 모델링 |
CN114578661A (zh) | 2016-12-28 | 2022-06-03 | Asml荷兰有限公司 | 在制造过程中引导过程模型和检查的方法 |
US11016395B2 (en) | 2016-12-28 | 2021-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Methods of determining scattering of radiation by structures of finite thicknesses on a patterning device |
CN110325921B (zh) | 2017-01-26 | 2022-02-18 | Asml荷兰有限公司 | 微调过程模型的方法 |
EP3596546B1 (en) | 2017-03-15 | 2021-04-07 | ASML Netherlands B.V. | A sensor mark |
NL2020556A (en) | 2017-04-20 | 2018-10-24 | Asml Netherlands Bv | A Method of Performance Testing Working Parameters of a Fluid Handling Structure and A Method of Detecting Loss of Immersion Liquid from a Fluid Handing Structure in an Immersion Lithographic Apparatus |
WO2018202361A1 (en) | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Method to predict yield of a device manufacturing process |
EP3467589A1 (en) | 2017-10-06 | 2019-04-10 | ASML Netherlands B.V. | Determining edge roughness parameters |
CN110799903B (zh) | 2017-06-20 | 2021-11-16 | Asml荷兰有限公司 | 确定边缘粗糙度参数 |
US11403453B2 (en) | 2017-07-12 | 2022-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Defect prediction |
US10948837B2 (en) | 2017-07-17 | 2021-03-16 | Asml Netherlands B.V. | Information determining apparatus and method |
EP3432071A1 (en) | 2017-07-17 | 2019-01-23 | ASML Netherlands B.V. | Information determining apparatus and method |
WO2019020484A1 (en) | 2017-07-25 | 2019-01-31 | Asml Netherlands B.V. | METHOD FOR DETERMINING PARAMETERS AND ASSOCIATED APPARATUS |
EP3444675A1 (en) | 2017-08-14 | 2019-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Optical detector |
EP3462239A1 (en) | 2017-09-27 | 2019-04-03 | ASML Netherlands B.V. | Metrology in lithographic processes |
KR102390687B1 (ko) | 2017-09-11 | 2022-04-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 프로세스들에서의 계측 |
EP3457211A1 (en) | 2017-09-13 | 2019-03-20 | ASML Netherlands B.V. | A method of aligning a pair of complementary diffraction patterns and associated metrology method and apparatus |
KR102473979B1 (ko) | 2017-09-27 | 2022-12-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 디바이스 제조 공정의 제어 파라미터들을 결정하는 방법 |
EP3462240A1 (en) | 2017-09-27 | 2019-04-03 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining control parameters of a device manufacturing process |
EP3467588A1 (en) | 2017-10-03 | 2019-04-10 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining alignment properties of a beam of radiation |
EP3480659A1 (en) | 2017-11-01 | 2019-05-08 | ASML Netherlands B.V. | Estimation of data in metrology |
US11354484B2 (en) | 2018-11-08 | 2022-06-07 | Asml Netherlands B.V. | Failure model for predicting failure due to resist layer |
EP3650940A1 (en) | 2018-11-09 | 2020-05-13 | ASML Netherlands B.V. | A method in the manufacturing process of a device, a non-transitory computer-readable medium and a system configured to perform the method |
EP3705959A1 (en) | 2019-03-04 | 2020-09-09 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process |
EP3657281B1 (en) | 2018-11-26 | 2022-11-30 | ASML Netherlands B.V. | Control strategy evaluation tool for a semiconductor manufacturing process and its user interface |
US12055904B2 (en) | 2018-12-03 | 2024-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Method to predict yield of a device manufacturing process |
KR102603071B1 (ko) | 2018-12-07 | 2023-11-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 반도체 제조 프로세스에서 수율에 영향을 주는 근본 원인을 결정하기 위한 방법 |
EP3693795A1 (en) | 2019-02-06 | 2020-08-12 | ASML Netherlands B.V. | Method for decision making in a semiconductor manufacturing process |
WO2020156769A1 (en) | 2019-01-29 | 2020-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for decision making in a semiconductor manufacturing process |
KR102641682B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 반도체 디바이스의 제조 프로세스를 특성화하기 위한 방법 |
US20220137503A1 (en) | 2019-02-21 | 2022-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Method for training machine learning model to determine optical proximity correction for mask |
WO2020173654A1 (en) | 2019-02-25 | 2020-09-03 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining stochastic variation of printed patterns |
WO2020193095A1 (en) | 2019-03-25 | 2020-10-01 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining pattern in a patterning process |
CN113661447B (zh) | 2019-04-04 | 2025-03-07 | Asml荷兰有限公司 | 用于预测衬底图像的方法和设备 |
WO2020212107A1 (en) | 2019-04-15 | 2020-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining corrections to features of a mask |
US12092963B2 (en) | 2019-04-25 | 2024-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining characteristic of patterning process based on defect for reducing hotspot |
CN113874787B (zh) | 2019-05-21 | 2024-04-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定与期望图案相关联的随机变化的方法 |
WO2021032484A1 (en) | 2019-08-19 | 2021-02-25 | Asml Netherlands B.V. | Micromirror arrays |
WO2021069153A1 (en) | 2019-10-08 | 2021-04-15 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a field-of-view setting |
EP3822703A1 (en) | 2019-11-18 | 2021-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining a field-of-view setting |
US11327409B2 (en) | 2019-10-23 | 2022-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Systems and methods for curing an imprinted field |
CN114600047A (zh) | 2019-10-24 | 2022-06-07 | Asml荷兰有限公司 | 用于目标图案的基于规则的重靶向的方法 |
CN114585973A (zh) | 2019-11-07 | 2022-06-03 | Asml控股股份有限公司 | 在光刻设备中使用的光学部件和夹具 |
WO2021099047A1 (en) | 2019-11-19 | 2021-05-27 | Asml Netherlands B.V. | A method of obtaining performance information about a lithography process |
EP3862813A1 (en) | 2020-02-07 | 2021-08-11 | ASML Netherlands B.V. | Methods and systems for maskless lithography |
US20230100578A1 (en) | 2020-02-12 | 2023-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a mask pattern comprising optical proximity corrections using a trained machine learning model |
US20230185204A1 (en) | 2020-03-27 | 2023-06-15 | Asml Holding N.V. | Optical apparatus and lithographic apparatus using the optical apparatus |
EP3910417A1 (en) | 2020-05-13 | 2021-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining an inspection strategy for a group of substrates in a semiconductor manufacturing process |
CN115398345A (zh) | 2020-04-02 | 2022-11-25 | Asml荷兰有限公司 | 在半导体制造过程中用于确定对于一组衬底的检查策略的方法 |
KR20230004633A (ko) | 2020-05-14 | 2023-01-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 확률적 기여자를 예측하는 방법 |
EP3910418A1 (en) | 2020-05-14 | 2021-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Method for direct decomposition of stochastic contributors |
JP7477652B2 (ja) | 2020-06-08 | 2024-05-01 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用基板ホルダ及び基板ホルダの製造方法 |
TW202429218A (zh) | 2020-06-24 | 2024-07-16 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於判定輔助特徵之列印機率之系統、方法和產品及其應用 |
US20240004184A1 (en) | 2020-11-30 | 2024-01-04 | Asml Netherlands B.V. | High accuracy temperature-compensated piezoresistive position sensing system |
KR20230112640A (ko) | 2020-11-30 | 2023-07-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 고출력 저전압 압전 마이크로미러 액추에이터 |
WO2022112037A1 (en) | 2020-11-30 | 2022-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Mems array interconnection design |
KR20230114752A (ko) | 2020-12-14 | 2023-08-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 마이크로미러 어레이 |
KR20230117366A (ko) | 2020-12-18 | 2023-08-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 마스크 패턴을 결정하고 기계학습 모델을 트레이닝하는 방법 |
WO2022135953A1 (en) | 2020-12-23 | 2022-06-30 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of lithographic process based on bandwidth and speckle |
EP4050328A1 (en) | 2021-02-25 | 2022-08-31 | ASML Netherlands B.V. | Method to predict metrology offset of a semiconductor manufacturing process |
US20240119212A1 (en) | 2021-03-03 | 2024-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Configuration of patterning process |
US20240241436A1 (en) | 2021-05-25 | 2024-07-18 | Asml Netherlands B.V. | Determining mask rule check violations and mask design |
US20240272543A1 (en) | 2021-06-07 | 2024-08-15 | Asml Netherlands B.V. | Determining rounded contours for lithography related patterns |
EP4120019A1 (en) | 2021-07-12 | 2023-01-18 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a correction for at least one control parameter in a semiconductor manufacturing process |
WO2023041488A1 (en) | 2021-09-15 | 2023-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Source separation from metrology data |
EP4194950A1 (en) | 2021-12-08 | 2023-06-14 | ASML Netherlands B.V. | Systems and methods for reducing pattern shift in a lithographic apparatus |
KR20240116543A (ko) | 2021-12-16 | 2024-07-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 이미지 기반 실패율 모델을 사용하여 리소그래피 디자인 변수를 최적화하기 위한 시스템 및 방법 |
KR20240142443A (ko) | 2022-01-31 | 2024-09-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 테이블, 리소그래피 장치, 스티커, 커버 링 및 리소그래피 장치 작동 방법 |
CN119256270A (zh) | 2022-07-11 | 2025-01-03 | Asml荷兰有限公司 | 用于预测蚀刻后随机变化的系统和方法 |
CN119053915A (zh) | 2022-07-12 | 2024-11-29 | Asml荷兰有限公司 | 用于微反射镜阵列的反射镜组件 |
TW202419963A (zh) | 2022-07-14 | 2024-05-16 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 基於局部特徵維度判定光罩規則檢查違反及光罩設計 |
WO2024022854A1 (en) | 2022-07-28 | 2024-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Training a machine learning model to generate mrc and process aware mask pattern |
CN115144842B (zh) * | 2022-09-02 | 2023-03-14 | 深圳阜时科技有限公司 | 发射模组、光电检测装置、电子设备及三维信息检测方法 |
EP4357854A1 (en) | 2022-10-20 | 2024-04-24 | ASML Netherlands B.V. | Method of predicting a parameter of interest in a semiconductor manufacturing process |
WO2025031711A1 (en) | 2023-08-10 | 2025-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Mask pattern optimization |
EP4521181A1 (en) | 2023-09-11 | 2025-03-12 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process |
WO2025056265A1 (en) | 2023-09-11 | 2025-03-20 | Asml Netherlands B.V. | Method for reducing stochastic failures via source-mask optimization |
WO2025056258A1 (en) | 2023-09-11 | 2025-03-20 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4728185A (en) * | 1985-07-03 | 1988-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Imaging system |
US4675702A (en) * | 1986-03-14 | 1987-06-23 | Gerber Scientific Inc. | Photoplotter using a light valve device and process for exposing graphics |
JP2569711B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | 露光制御装置及び該装置による露光方法 |
JP2631395B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1997-07-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置の制御方法 |
US5191374A (en) * | 1988-11-17 | 1993-03-02 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus |
US5097291A (en) * | 1991-04-22 | 1992-03-17 | Nikon Corporation | Energy amount control device |
-
1991
- 1991-05-02 AT AT91908272T patent/ATE123885T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-05-02 WO PCT/DE1991/000375 patent/WO1991017483A1/de active IP Right Grant
- 1991-05-02 JP JP3508122A patent/JP2938568B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-02 DE DE59105735T patent/DE59105735D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-02 EP EP91908272A patent/EP0527166B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-02 US US07/940,958 patent/US5296891A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Proceedings of SPIE,Vol.1018,PP79−85(1988) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101731530B1 (ko) | 2015-07-06 | 2017-05-02 | 연세대학교 원주산학협력단 | 다채널 초음파 변환기의 초점 위치 보정 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE123885T1 (de) | 1995-06-15 |
WO1991017483A1 (de) | 1991-11-14 |
DE59105735D1 (de) | 1995-07-20 |
EP0527166B1 (de) | 1995-06-14 |
EP0527166A1 (de) | 1993-02-17 |
US5296891A (en) | 1994-03-22 |
JPH05502141A (ja) | 1993-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2938568B2 (ja) | 照明装置 | |
US5486851A (en) | Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undifracted light | |
US5495280A (en) | Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system, and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undiffracted light | |
US7948606B2 (en) | Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns | |
JP4854765B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR100545297B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
US6251550B1 (en) | Maskless photolithography system that digitally shifts mask data responsive to alignment data | |
US8159651B2 (en) | Illumination system coherence remover with a series of partially reflective surfaces | |
JP4246692B2 (ja) | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 | |
JP4898262B2 (ja) | 複数のパターン形成デバイスを利用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP3920248B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4740742B2 (ja) | マルチslmマスクレスリソグラフィにおける散乱光を最小化する方法、投影光学系および装置 | |
US8937705B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method with radiation beam inspection using moveable reflecting device | |
US7736825B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a resettable or reversible contrast enhancing layer in a multiple exposure system | |
US20060227069A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device | |
JP2009065173A (ja) | リソグラフ装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2006049904A (ja) | リソグラフィ用のオフアクシス反射屈折投影光学系 | |
JP4386861B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US7626182B2 (en) | Radiation pulse energy control system, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JPH10209019A (ja) | 露光パターン投影デバイス及び露光装置 | |
US7499146B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method, an integrated circuit, a flat panel display, and a method of compensating for cupping |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080611 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110611 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |