[go: up one dir, main page]

JP2914741B2 - 分布帰還型半導体レーザ - Google Patents

分布帰還型半導体レーザ

Info

Publication number
JP2914741B2
JP2914741B2 JP2267078A JP26707890A JP2914741B2 JP 2914741 B2 JP2914741 B2 JP 2914741B2 JP 2267078 A JP2267078 A JP 2267078A JP 26707890 A JP26707890 A JP 26707890A JP 2914741 B2 JP2914741 B2 JP 2914741B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diffraction grating
semiconductor laser
active layer
optical waveguide
distributed feedback
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2267078A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04142788A (ja
Inventor
幸勇 知念
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2267078A priority Critical patent/JP2914741B2/ja
Priority to DE69110605T priority patent/DE69110605T2/de
Priority to US07/769,707 priority patent/US5271030A/en
Priority to EP91116846A priority patent/EP0479279B1/en
Publication of JPH04142788A publication Critical patent/JPH04142788A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2914741B2 publication Critical patent/JP2914741B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1039—Details on the cavity length
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
    • H01S5/1215—Multiplicity of periods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
    • H01S5/1215—Multiplicity of periods
    • H01S5/1218—Multiplicity of periods in superstructured configuration, e.g. more than one period in an alternate sequence
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は特に光ファイバ通信等に用いられる分布帰
還型半導体レーザに関する。
（従来の技術） 光ファイバ通信は周知のように、半導体レーザ等の発
光素子を変調して得られる光信号を光ファイバで伝送す
るものであり、長距離伝送には光ファイバ内での光信号
の分散による劣化を避けるために縦単一モード半導体レ
ーザが用いられる。特に、ケーブルテレビジョン等のア
ナログ多チャンネル映像伝送には低雑音特性の優れた単
一モード半導体レーザが用いられる。
上記縦単一モード半導体レーザは、分散帰還型半導体
レーザで実施されている。分布帰還型半導体レーザは例
えば第２図に示すように半導体基板21上に順次形成され
た回折格子22、光導波路23、活性層24、クラッド層25、
コンタクト層26からなり、これらの層を挟む電極27と28
にバイアス電流を印加することにより、活性層24に電流
を注入し発振させ、回折格子ピッチと光導波路23、活性
層24の組成とディメンジョンで定まる単一波長を取り出
すことができる。
上記構成によれば、活性層24と光導波路23での光子と
電子の相互作用が単一波長モードに関してのみ行われる
ため、内部の電界分布は回折格子22のピッチ、活性層2
4、光導波路23の寸法、精度に強く影響され、最適条件
からはずれると、注入電流密度の大きさによっては極端
な非線形出力特性（キンク）や複数波長発振などが観測
され、製造上の歩留り低下や使用上の信頼性低下などの
問題がある。
アナログ多チャンネル映像伝送には、低雑音特性と低
歪特性を兼ね備えた縦単一モード半導体レーザが最適で
あるが、上記のようにキンク発生の問題がある。一方、
回折格子22のないファブリ・ペロー型半導体レーザは光
子と電子の相互作用が複数のモードで行われるため、光
出力特性における線形性ははるかに優れており、アナロ
グ変調に適している。しかし、複数のモード間で行われ
る電子、光子の相互作用はモード分配雑音となり、相対
雑音強度（RIN）が縦単一モード半導体レーザよりも約2
0dB大きく、アナログ的には使えない。
（発明が解決しようとする課題） このように、従来では低雑音特性及び低歪特性を有す
る縦単一モード半導体レーザは活性層と光導波路での光
子の電子の相互作用が単一波長モードに関してのみ行わ
れるため、内部の電界分布は回折格子のピッチ、活性
層、光導波路の寸法、精度に強く影響される。よって、
最適条件からは数波長発振などが発生しない高信頼性で
低雑音特性及び低歪特性を有する分布帰還型半導体レー
ザを提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明の分布帰還型半導体レーザは、半導体基板上
に少なくとも活性層と、前記活性層よりもバンドギャッ
プが大きくかつ一方面に回折格子が形成された光ガイド
層とを備え、前記回折格子が所定長領域異なったピッチ
を有して光導波方向に複数形成されることによって、複
数の主発振モードを得ることを特徴としている。
（作用） この発明では、異なったピッチの回折格子を配置する
ことにより発振波長モード数を制御し、モード分布雑音
を低減し、非線形出力を改善する。
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明す
る。
第１図はこの発明の一実施例による分布帰還型半導体
レーザの構成を示す断面図である。InPを導入したＮ型
半導体基板１上に、所定長ずつ異なったピッチを有する
回折格子２が形成されている。この回折格子２のピッチ
は次式に示されるような値を中心として一定のずれ量を
持たせている。
Λ＝λ/2nr …（１） ただし、 Λ：格子ピッチ λ：発振波長 nr:光導波路の実効屈折率 従って、例えば半導体レーザにおける1.3μｍ帯の発
振波長の場合、nr＝3.7を用いれば、上記（１）式によ
り、Λ０＝1770Åが所定のピッチ長となる。他にΛ１＝
1771.6Åのピッチを有する回折格子を上記Λ０のピッチ
の回折格子と交互に50μｍずつ配置する。
上記異なったピッチを有する回折格子２上にInGaAsP
導入の光導波路層（光ガイド層）３、活性層４、InP導
入Ｐ型のクラッド層５、InGaAsP導入P+型のコンタクト
層６が順次積層されている。基板下及びコンタクト層６
上にはそれぞれ電極7,8が形成されている。
第２図は第１図の構成の光出力側付近の断面図であ
る。単一横モードを得るために活性層４と光導波路の幅
ｗは１μｍ程度になっている。これらの活性層、光導波
路の両側はInPのＮ−Ｐ型逆接合ブロックキング層９で
光学的にも電気的にも閉じ込められている。
このように構成された分布帰還型半導体レーザは、発
振波長1310nmと1311nmを有し、それぞれ２つの発振モー
ドのサイドモード抑圧比は35dB以上である。光子と電子
の相互作用はこれらの２モードに分配されるため、回折
格子ピッチ、活性層寸法、光導波路寸法の最適条件から
のずれたとしても非線形出力特性は大幅に改善される。
これにより、製品歩留まりの向上が達成される。
また、例えば、抑圧比が30dBであっても２つの発振モ
ードの波長間隔が1nmなので長距離伝送時の分散にほと
んど影響されない。
なお、上記実施例において、1.3μｍ帯の回折格子ピ
ッチを用いたが、1.55μｍ帯でも同様の効果が得られ
る。その場合、必要に応じて活性層４上にバッファ層を
形成してもよい。
また、回折格子２は活性層４上に形成してもよい。さ
らに回折格子２のピッチは50μｍで変更するように構成
したが、これに限らず、均等な割合で回折格子２のピッ
チが変化すればよく、不等間隔、任意の順列でもかまわ
ない。
次に、この発明の他の実施例を上記第１図を参照して
説明する。
アナログ多チャンネル映像伝送においては、低雑音多
モード半導体レーザが、戻り光耐量の点からも理想的で
ある。従って、次式で表されるファブリ・ベローモード
の波長間隔Δλｍと同じ発振波長をもたらす回折格子ピ
ッチを複数形成すればよい。ファブリ・ベローモードの
波長間隔Δλｍは次式で表される。
Δλｍ＝λ2/2nrL …（２） ただし、 Δλm:波長間隔 nr :光導波路の実効屈折率 λ :発振波長 Ｌ :共振器長 そして、この場合の回折格子ピッチΛｍは、 （２）式を代入して、 で表される。中心波長Λ０としてこれを軸にｍ＝１の条
件で３種類の回折格子ピッチを形成する。各々の配置は
Λ０を中央にして左右に交互にΛ１を分配する。λ＝13
10nmとすれば、Λ０＝1770Å、Λ１＝1771.3Å,1769.2
Åが回折格子２のピッチとなる。
このような構成による分布帰還型半導体レーザは発振
波長が３モードであるので、３〜４本の主発振モードを
持つファブリ・ペローモードと合致する。これにより、
端面反射により位相変化の影響を受けない。また、光子
と電子の相互作用が３モードに分配されて行われるた
め、キング等の非線形出力特性がほとんど見られなくな
る。また、モード分配も回折格子で利得が特定されてい
るためほとんどなく、ファブリ・ペロー特有の大きな相
対雑音強度が改善されている。
なお、この実施例ではλ＝1310nmとしたが、1550nmや
他の波長でもよい。また、波長モードは３種類としたが
２本以上であればこの発明の効果は期待できる。さらに
発振器端面の反射率は任意に設定しても良い。
［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明によれば、異なるピッチ
の回折格子を複数配置したので、マルチモードでありな
がら、縦単一モードの特性を持つ発振モードが得られる
ので、非線形特性のない、低雑音特性を有する分布帰還
型半導体レーザを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による分布帰還型半導体レ
ーザの構成を示す断面図、 第２図はこの発明の一実施例による分布帰還型半導体レ
ーザの光出力側の一部の断面図、 第３図は従来の分布帰還型半導体レーザの構成を示す断
面図 である。 １……Ｎ型半導体基板、２……回折格子、３……光導波
路層、４……活性層、５……クラッド層、６……コンタ
クト層、7,8……電極、９……逆接合ブロッキング層。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に少なくとも活性層と、 前記活性層よりもバンドギャップが大きくかつ一方面に
    回折格子が形成された光ガイド層とを備え、 前記回折格子ピッチは Λ＝λ/2nr （ただし、Λ：格子ピッチ、λ：発振波長、nr:光導波
    路の実効屈折率） で与えられる所定長の第１領域と、上記Λの値を中心と
    して一定のずれ量が与えられた別の回折格子ピッチの所
    定長の第２領域を有し、第１、第２領域が交互に光導波
    方向に複数形成され、複数の波長モードを得ることを特
    徴とする分布帰還型半導体レーザ。
  2. 【請求項２】半導体基板上に少なくとも活性層と、 前記活性層よりもバンドギャップが大きくかつ一方向に
    回折格子が形成された光ガイド層とを備え、 前記回折格子ピッチは ただし、 Λm:格子ピッチ nr :光導波路の実効屈折率 L :共振器長 m :正の整数 λ :発振波長 で与えられる所定長の領域を有して光導波方向に複数形
    成され、複数の波長モードを得ることを特徴とする請分
    布帰還型半導体レーザ。
JP2267078A 1990-10-03 1990-10-03 分布帰還型半導体レーザ Expired - Fee Related JP2914741B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2267078A JP2914741B2 (ja) 1990-10-03 1990-10-03 分布帰還型半導体レーザ
DE69110605T DE69110605T2 (de) 1990-10-03 1991-10-02 Halbleiterlaser mit verteilter Rückkoppelung.
US07/769,707 US5271030A (en) 1990-10-03 1991-10-02 Distributed feedback semiconductor laser
EP91116846A EP0479279B1 (en) 1990-10-03 1991-10-02 Distributed feedback semiconductor laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2267078A JP2914741B2 (ja) 1990-10-03 1990-10-03 分布帰還型半導体レーザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04142788A JPH04142788A (ja) 1992-05-15
JP2914741B2 true JP2914741B2 (ja) 1999-07-05

Family

ID=17439726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2267078A Expired - Fee Related JP2914741B2 (ja) 1990-10-03 1990-10-03 分布帰還型半導体レーザ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5271030A (ja)
EP (1) EP0479279B1 (ja)
JP (1) JP2914741B2 (ja)
DE (1) DE69110605T2 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3194503B2 (ja) * 1992-06-04 2001-07-30 キヤノン株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
SE470454B (sv) * 1992-08-26 1994-04-11 Ericsson Telefon Ab L M Optisk filteranordning
US5517303A (en) * 1993-03-08 1996-05-14 Dylor Corporation Coherence selective sensor system
DE4334525A1 (de) * 1993-10-09 1995-04-13 Deutsche Bundespost Telekom Optoelektronisches Bauelement mit verteilter Rückkopplung und variierbarem Kopplungskoeffizienten
DE4407832A1 (de) * 1994-03-09 1995-09-14 Ant Nachrichtentech Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einer definierten axialen Variation des Kopplungskoeffizienten und definierter axialer Verteilung der Phasenverschiebung
US6501777B1 (en) * 1999-01-29 2002-12-31 Nec Corporation Distributed feedback semiconductor laser emitting device having asymmetrical diffraction gratings
US6611544B1 (en) 2000-04-11 2003-08-26 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for narrow bandwidth distributed bragg reflector semiconductor lasers
US6947463B2 (en) 2000-10-23 2005-09-20 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device for use in a laser module
GB2379084B (en) * 2001-08-24 2006-03-29 Marconi Caswell Ltd Surface emitting laser
JP4570319B2 (ja) * 2001-09-28 2010-10-27 古河電気工業株式会社 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ制御方法
CN1306668C (zh) * 2002-04-23 2007-03-21 古河电气工业株式会社 激光模块中使用的半导体激光装置
JP4373063B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
US8283679B2 (en) * 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates
DE102014207723A1 (de) * 2014-04-24 2015-10-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Laser mit verteilter Rückkopplung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4775980A (en) * 1983-12-14 1988-10-04 Hitachi, Ltd. Distributed-feedback semiconductor laser device
JPS61255087A (ja) * 1985-05-07 1986-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ発振装置
US4786132A (en) * 1987-03-31 1988-11-22 Lytel Corporation Hybrid distributed bragg reflector laser
JP2825508B2 (ja) * 1987-10-09 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置および光通信システム
JPH02234485A (ja) * 1989-03-08 1990-09-17 Canon Inc 光増幅器
DE3915625A1 (de) * 1989-05-12 1990-11-15 Standard Elektrik Lorenz Ag Halbleiterlaser
JPH03150890A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Hitachi Ltd コヒーレント通信用半導体レーザ
US5070509A (en) * 1990-08-09 1991-12-03 Eastman Kodak Company Surface emitting, low threshold (SELTH) laser diode
US5091916A (en) * 1990-09-28 1992-02-25 At&T Bell Laboratories Distributed reflector laser having improved side mode suppression

Also Published As

Publication number Publication date
DE69110605D1 (de) 1995-07-27
EP0479279A3 (en) 1992-09-30
DE69110605T2 (de) 1996-01-11
US5271030A (en) 1993-12-14
EP0479279A2 (en) 1992-04-08
JPH04142788A (ja) 1992-05-15
EP0479279B1 (en) 1995-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0606093B1 (en) Semiconductor optical integrated circuits and method for fabricating the same
EP0847116B1 (en) Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser
US4665528A (en) Distributed-feedback semiconductor laser device
EP0735635B1 (en) Optical semiconductor apparatus, driving method therefor, light source apparatus and optical communication system using the same
JP2914741B2 (ja) 分布帰還型半導体レーザ
US7242699B2 (en) Wavelength tunable semiconductor laser apparatus
US8787420B2 (en) Integrated semiconductor laser element
US5187717A (en) Tunable semiconductor laser
JP3237733B2 (ja) 半導体レーザ
JP2659187B2 (ja) 光フィルタ素子
JP3336994B2 (ja) 半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子
JP2003289169A (ja) 半導体レーザ装置
JPH0715092A (ja) 半導体レーザアレイおよびその製造方法
JP3778260B2 (ja) 半導体レーザとこれを用いたデジタル光通信システムと方法
JP2907234B2 (ja) 半導体波長可変装置
JPH08334796A (ja) 光波長変換集積素子
US5440581A (en) Semiconductor optical filter and an optical communication system using the same
US5675602A (en) Optical integrated circuit device and driving method therefor
JP2655600B2 (ja) 光フィルタ素子
US6771681B2 (en) Distributed feedback semiconductor laser
JP2770900B2 (ja) 分布反射器及びそれを用いた波長可変半導体レーザ
JPH0770789B2 (ja) 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
JPH07118568B2 (ja) 分布帰還型半導体レーザ
JPH0271573A (ja) 分布帰還型半導体アレーレーザ
JPH0983087A (ja) 偏波制御および波長制御可能な半導体光デバイスおよびそれを用いた光ネットワーク

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees