JP2913537B2 - 防食構造 - Google Patents
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体製造装置、特に
ドライエッチング装置の排気に用いる、ターボ分子ポン
プその他の真空ポンプの防食構造に関する。
ドライエッチング装置の排気に用いる、ターボ分子ポン
プその他の真空ポンプの防食構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ターボ分子ポンプを半導体製造装置の排
気ポンプとして用いる場合、この種の装置の中には腐食
作用の強いガスを使用するものがあるため、そのガスや
反応生成物に晒されるターボ分子ポンプの回転翼や固定
翼は、耐食性に優れた材料で製作しておく必要がある。
気ポンプとして用いる場合、この種の装置の中には腐食
作用の強いガスを使用するものがあるため、そのガスや
反応生成物に晒されるターボ分子ポンプの回転翼や固定
翼は、耐食性に優れた材料で製作しておく必要がある。
【０００３】一方、ターボ分子ポンプは回転翼を高速回
転させることにより排気作用を生じさせるものであるた
め、回転翼については高力アルミ合金を用いて形成し、
また回転翼に対向する固定翼についても、成形加工性や
コストの面からアルミ合金を用いて形成している。
転させることにより排気作用を生じさせるものであるた
め、回転翼については高力アルミ合金を用いて形成し、
また回転翼に対向する固定翼についても、成形加工性や
コストの面からアルミ合金を用いて形成している。
【０００４】しかし、アルミ合金は半導体製造装置や真
空ポンプの構成材料として通常用いられるステンレス鋼
（ＳＵＳ３０４等）に比し、耐食性に劣り、このままで
は上述のガスに対する耐食性を満足できないため、加工
成形後のアルミ合金表面には何らかの防食処理を施す必
要がある。
空ポンプの構成材料として通常用いられるステンレス鋼
（ＳＵＳ３０４等）に比し、耐食性に劣り、このままで
は上述のガスに対する耐食性を満足できないため、加工
成形後のアルミ合金表面には何らかの防食処理を施す必
要がある。
【０００５】このような観点から、従来はこの種の防食
処理としてアルミ合金からなる回転翼と固定翼の全面
に、無電解のＮｉ−Ｐ合金メッキ被膜を２０μｍの厚さ
で形成するものとしている。
処理としてアルミ合金からなる回転翼と固定翼の全面
に、無電解のＮｉ−Ｐ合金メッキ被膜を２０μｍの厚さ
で形成するものとしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近開
発されるに至ったアルミ合金用の反応性イオンエッチン
グ装置（ＲＩＥ）のように、Ｃｌ2 ，ＣＣｌ4 ，ＢＣｌ
3 等の腐食作用の強い塩素系ガスを使用する装置におい
ては、従来の２０μｍ厚の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ
被膜では、十分な防食作用を果たすことができず、母材
のアルミ合金に孔食が発生し、アルミ合金の腐食と、メ
ッキ膜の膨れや剥離が起こる等の事例が出てきた。この
ような腐食のメカニズムは次の通りである。
発されるに至ったアルミ合金用の反応性イオンエッチン
グ装置（ＲＩＥ）のように、Ｃｌ2 ，ＣＣｌ4 ，ＢＣｌ
3 等の腐食作用の強い塩素系ガスを使用する装置におい
ては、従来の２０μｍ厚の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ
被膜では、十分な防食作用を果たすことができず、母材
のアルミ合金に孔食が発生し、アルミ合金の腐食と、メ
ッキ膜の膨れや剥離が起こる等の事例が出てきた。この
ような腐食のメカニズムは次の通りである。
【０００７】アルミ合金のエッチングは、塩素系ガスを
イオン化し、その塩素イオンをシリコン基板上のアルミ
膜に衝突させ、これによりエッチングを実行するもので
あるが、その際大量に発生する反応生成物（ＡｌＣ
ｌ3 ）の蒸気が、排気の途中で温度が低く圧力が高くな
る場所、すなわち、このイオンエッチング装置の排気ポ
ンプとして用いられているターボ分子ポンプの内面に付
着折出する。このような付着生成物（ＡｌＣｌ3 ）の昇
華温度は１ａｔｍでは１７８℃、０．３Ｔｏｒｒでは約
４０℃である。
イオン化し、その塩素イオンをシリコン基板上のアルミ
膜に衝突させ、これによりエッチングを実行するもので
あるが、その際大量に発生する反応生成物（ＡｌＣ
ｌ3 ）の蒸気が、排気の途中で温度が低く圧力が高くな
る場所、すなわち、このイオンエッチング装置の排気ポ
ンプとして用いられているターボ分子ポンプの内面に付
着折出する。このような付着生成物（ＡｌＣｌ3 ）の昇
華温度は１ａｔｍでは１７８℃、０．３Ｔｏｒｒでは約
４０℃である。
【０００８】それ故、この種の付着生成物（ＡｌＣ
ｌ3 ）はポンプの停止、リーク等によって大気中の水分
と反応し、ＨＣｌ、すなわち塩素イオンを生成する。ま
た定期的なメンテナンスの際、洗浄除去を行うときに
も、水分と反応して塩素イオンを生成することがある。
ｌ3 ）はポンプの停止、リーク等によって大気中の水分
と反応し、ＨＣｌ、すなわち塩素イオンを生成する。ま
た定期的なメンテナンスの際、洗浄除去を行うときに
も、水分と反応して塩素イオンを生成することがある。
【０００９】特に、塩素イオンはアルミ合金やステンレ
ス鋼の不働態被膜を簡単に破壊し孔食を引き起こし、一
度孔食が起きると、そこは局部電池となるため加速的に
腐食が進行する。
ス鋼の不働態被膜を簡単に破壊し孔食を引き起こし、一
度孔食が起きると、そこは局部電池となるため加速的に
腐食が進行する。
【００１０】また、このイオンエッチング装置では、Ｃ
ｌ2 やＢＣｌ3 のような腐食作用の強い原料ガスについ
ても一部がそのままターボ分子ポンプを通じて排気され
るので、これが当該ターボ分子ポンプの内面に吸着し、
上記と同様に塩素イオンを生成する場合もある。
ｌ2 やＢＣｌ3 のような腐食作用の強い原料ガスについ
ても一部がそのままターボ分子ポンプを通じて排気され
るので、これが当該ターボ分子ポンプの内面に吸着し、
上記と同様に塩素イオンを生成する場合もある。
【００１１】以上のように塩素イオンが大量に発生する
のであるが、このような大量の塩素イオンの存在に対し
ては、従来回転翼や固定翼に防食処理として施していた
２０μｍ厚の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ膜では、母材
のアルミ合金を完璧に防護することができない。
のであるが、このような大量の塩素イオンの存在に対し
ては、従来回転翼や固定翼に防食処理として施していた
２０μｍ厚の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ膜では、母材
のアルミ合金を完璧に防護することができない。
【００１２】つまり、メッキ膜中に存在する細孔（ピン
ホール）から塩素イオンが容易に侵入し、アルミ素地ま
で達した所で孔食が起きるのであり、このようにして孔
食が起きると、メッキ膜中に存在するＮｉ合金との関係
から、局部電池作用がより一層増幅され、これにより激
しく孔食が進行し、そして腐食生成物がメッキ膜を押し
上げ、メッキ膜の剥離が生じる。
ホール）から塩素イオンが容易に侵入し、アルミ素地ま
で達した所で孔食が起きるのであり、このようにして孔
食が起きると、メッキ膜中に存在するＮｉ合金との関係
から、局部電池作用がより一層増幅され、これにより激
しく孔食が進行し、そして腐食生成物がメッキ膜を押し
上げ、メッキ膜の剥離が生じる。
【００１３】なお、上記のような無電解メッキ処理は、
通常の電気メッキ処理と異なり、凹部や穴の内側にも平
坦部と同一の厚みで膜を成長させることができる点では
防食用被膜の形成処理としては好ましく、もちろんＮｉ
−Ｐ合金自身も塩素イオンに犯されることはない。
通常の電気メッキ処理と異なり、凹部や穴の内側にも平
坦部と同一の厚みで膜を成長させることができる点では
防食用被膜の形成処理としては好ましく、もちろんＮｉ
−Ｐ合金自身も塩素イオンに犯されることはない。
【００１４】しかし、無電解メッキ処理とはいえ、被膜
中のピンホールを完全になくすことはできず、特に機械
加工面あるいは放電加工面の凹部や、アルミ組織の不均
一な箇所にはメッキが着かない場所がある。この点から
見ると、無電解メッキ処理の対象がアルミの場合には、
アルミ表面からメッキ表面までの間を貫通するピンホー
ルが生じることもあると考えられる。そして、このよう
な貫通のピンホールを現在のメッキ技術で完璧になくす
ことは困難であり、そのままでは塩素イオンがメッキ表
面から当該ピンホールを経てアルミ素地まで到達し、こ
れによりアルミの腐食が生じることは避けられない。
中のピンホールを完全になくすことはできず、特に機械
加工面あるいは放電加工面の凹部や、アルミ組織の不均
一な箇所にはメッキが着かない場所がある。この点から
見ると、無電解メッキ処理の対象がアルミの場合には、
アルミ表面からメッキ表面までの間を貫通するピンホー
ルが生じることもあると考えられる。そして、このよう
な貫通のピンホールを現在のメッキ技術で完璧になくす
ことは困難であり、そのままでは塩素イオンがメッキ表
面から当該ピンホールを経てアルミ素地まで到達し、こ
れによりアルミの腐食が生じることは避けられない。
【００１５】この発明は上述の事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところはアルミ合金、鉄等からな
る金属部品の腐食を抑制し、その寿命を延ばすのに好適
な防食構造を提供することにある。
ので、その目的とするところはアルミ合金、鉄等からな
る金属部品の腐食を抑制し、その寿命を延ばすのに好適
な防食構造を提供することにある。
【００１６】
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、半導体製造装置の塩素系ガス排気に用
いるターボ分子ポンプの塩素系ガスに接するアルミ合金
部に、２０μｍ厚程度のＮｉ−Ｐ系合金のメッキ膜を設
け、上記メッキ膜上に、フッ素樹脂薄膜形成用の処理液
に浸漬後、乾燥してフッ素樹脂の防護膜を形成したこと
を特徴とする。
に、この発明は、半導体製造装置の塩素系ガス排気に用
いるターボ分子ポンプの塩素系ガスに接するアルミ合金
部に、２０μｍ厚程度のＮｉ−Ｐ系合金のメッキ膜を設
け、上記メッキ膜上に、フッ素樹脂薄膜形成用の処理液
に浸漬後、乾燥してフッ素樹脂の防護膜を形成したこと
を特徴とする。
【００１８】
【作用】この発明では、メッキ膜の表面に開口している
ピンホールに防護膜のフッ素樹脂が入り込み、これによ
りピンホールの開口部が塞がれ、金属部品表面（素地）
への塩素イオンの侵入経路が閉ざされる、および、メッ
キ膜の表面をフッ素樹脂の防護膜が覆うため、金属部品
全体として表面の発水性が向上し、ＡｌＣｌ3 、塩素系
ガス等、腐食の原因となる物質が吸着し難くなる。
ピンホールに防護膜のフッ素樹脂が入り込み、これによ
りピンホールの開口部が塞がれ、金属部品表面（素地）
への塩素イオンの侵入経路が閉ざされる、および、メッ
キ膜の表面をフッ素樹脂の防護膜が覆うため、金属部品
全体として表面の発水性が向上し、ＡｌＣｌ3 、塩素系
ガス等、腐食の原因となる物質が吸着し難くなる。
【００１９】
【実施例】以下、この発明に係る防食構造について図１
ないし図５を用いて詳細に説明する。
ないし図５を用いて詳細に説明する。
【００２０】この防食構造は図１に示すように金属部品
１の表面にメッキ膜２を有し、このメッキ膜２の上にさ
らに防護膜３を備えるもので、メッキ膜２はＮｉ−Ｐ系
合金により、また防護膜３はフッ素樹脂により形成され
ている。
１の表面にメッキ膜２を有し、このメッキ膜２の上にさ
らに防護膜３を備えるもので、メッキ膜２はＮｉ−Ｐ系
合金により、また防護膜３はフッ素樹脂により形成され
ている。
【００２１】ターボ分子ポンプのアルミ合金部として周
知の回転翼、固定翼を腐食から保護するには、その回転
翼、固定翼の一部でなく全表面に、上記Ｎｉ−Ｐ系合金
のメッキ膜２を設け、このメッキ膜２の上にさらに上記
フッ素樹脂の防護膜３を設ける。
知の回転翼、固定翼を腐食から保護するには、その回転
翼、固定翼の一部でなく全表面に、上記Ｎｉ−Ｐ系合金
のメッキ膜２を設け、このメッキ膜２の上にさらに上記
フッ素樹脂の防護膜３を設ける。
【００２２】なお、回転翼のみがアルミ合金から形成さ
れ、固定翼は鉄系材料から形成されている場合でも、ア
ルミ合金の回転翼のみならず、鉄製固定翼の全表面にも
上記と同様にＮｉ−Ｐ系合金のメッキ膜２とフッ素樹脂
の防護膜３をその順に重ねて設けることができる。
れ、固定翼は鉄系材料から形成されている場合でも、ア
ルミ合金の回転翼のみならず、鉄製固定翼の全表面にも
上記と同様にＮｉ−Ｐ系合金のメッキ膜２とフッ素樹脂
の防護膜３をその順に重ねて設けることができる。
【００２３】このようなメッキ膜２と防護膜３との２層
構造は次の処理を経て作成することができる。
構造は次の処理を経て作成することができる。
【００２４】先ず、回転翼、固定翼の全表面に、公知の
無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ処理を施し、Ｎｉ−Ｐ合金の
メッキ膜２を形成する。
無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ処理を施し、Ｎｉ−Ｐ合金の
メッキ膜２を形成する。
【００２５】すなわち、回転翼、固定翼につき所定の前
処理を行った後、規定の浴組成のメッキ浴中に当該回転
翼と固定翼を浸漬し、これにより回転翼および固定翼の
全表面にＮｉ−Ｐ合金メッキ膜を形成する。
処理を行った後、規定の浴組成のメッキ浴中に当該回転
翼と固定翼を浸漬し、これにより回転翼および固定翼の
全表面にＮｉ−Ｐ合金メッキ膜を形成する。
【００２６】Ｎｉ−Ｐ合金メッキ膜は厚く着けるほど、
それだけ耐孔食性の向上を図ることができる。これは膜
厚を厚く形成すると、膜の成長の途中で膜内のピンホー
ルが塞がり、表面に開口するピンホールの数が減り、こ
のためメッキ表面からアルミ素地への塩素イオン侵入量
が減少するからであると考えられる。したがって、経済
性も考慮に入れると、第１のメッキ膜２として形成する
Ｎｉ−Ｐ合金メッキ膜は２０μｍ厚程度とするのが好適
である。
それだけ耐孔食性の向上を図ることができる。これは膜
厚を厚く形成すると、膜の成長の途中で膜内のピンホー
ルが塞がり、表面に開口するピンホールの数が減り、こ
のためメッキ表面からアルミ素地への塩素イオン侵入量
が減少するからであると考えられる。したがって、経済
性も考慮に入れると、第１のメッキ膜２として形成する
Ｎｉ−Ｐ合金メッキ膜は２０μｍ厚程度とするのが好適
である。
【００２７】次に、メッキ膜２形成後の回転翼と固定翼
の全表面に、フッ素樹脂の薄膜を形成する、つまり当該
メッキ膜２の上に、さらに防護膜３としてフッ素樹脂の
薄膜を設ける。
の全表面に、フッ素樹脂の薄膜を形成する、つまり当該
メッキ膜２の上に、さらに防護膜３としてフッ素樹脂の
薄膜を設ける。
【００２８】フッ素樹脂の薄膜は例えば下記組成の処理
液（フッ素樹脂薄膜形成用の処理液）を用いて次のよう
に形成することができる。 １．フロロコートＥＣ−１０４（商品名、旭硝子（株）
製）…１容 ２．フッ素系潤滑剤ＡＧ−Ｌｕｂ−Ｓ（商品名、旭硝子
（株）製）…１／５容 ３．トリクロロトリフルオロエタン…１容 すなわち、回転翼、固定翼をトリクロロトリフルオロエ
タンに１分間程度浸漬し、脱脂した後、その溶剤を振り
切る。
液（フッ素樹脂薄膜形成用の処理液）を用いて次のよう
に形成することができる。 １．フロロコートＥＣ−１０４（商品名、旭硝子（株）
製）…１容 ２．フッ素系潤滑剤ＡＧ−Ｌｕｂ−Ｓ（商品名、旭硝子
（株）製）…１／５容 ３．トリクロロトリフルオロエタン…１容 すなわち、回転翼、固定翼をトリクロロトリフルオロエ
タンに１分間程度浸漬し、脱脂した後、その溶剤を振り
切る。
【００２９】その後、当該回転翼、固定翼を上記処理液
に３０秒間浸漬する。このとき処理液は激しく攪拌す
る。
に３０秒間浸漬する。このとき処理液は激しく攪拌す
る。
【００３０】浸漬完了後は、直ちに処理液より回転翼、
固定翼を取り出し、この回転翼、固定翼から処理液を除
去する。除去は回転翼、固定翼の回転による振り切りに
よるものとする。そして処理液除去後は、回転翼、固定
翼を室内で１０分間自然乾燥する。
固定翼を取り出し、この回転翼、固定翼から処理液を除
去する。除去は回転翼、固定翼の回転による振り切りに
よるものとする。そして処理液除去後は、回転翼、固定
翼を室内で１０分間自然乾燥する。
【００３１】このような処理を経ると、メッキ膜２の上
に、さらに防護膜３としてフッ素樹脂の薄膜が形成さ
れ、メッキ膜２と防護膜３の２層構造となる。
に、さらに防護膜３としてフッ素樹脂の薄膜が形成さ
れ、メッキ膜２と防護膜３の２層構造となる。
【００３２】なお、フッ素系潤滑剤を省略することもで
きる。
きる。
【００３３】すなわち、本実施例の防食構造にあって
は、アルミ合金からなる回転翼、固定翼その他の金属部
品１の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金のメッキ膜２を設け、さ
らにその上に、フッソ樹脂の防護膜３を設けたものであ
る。このため母材の金属部品への塩素イオン侵入量が可
及的に減少し、軽度の孔食しか起こらず、金属部品の寿
命が伸びる。
は、アルミ合金からなる回転翼、固定翼その他の金属部
品１の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金のメッキ膜２を設け、さ
らにその上に、フッソ樹脂の防護膜３を設けたものであ
る。このため母材の金属部品への塩素イオン侵入量が可
及的に減少し、軽度の孔食しか起こらず、金属部品の寿
命が伸びる。
【００３４】このような塩素イオン侵入量の減少作用
は、図１に示すようにメッキ膜２の表面に開口している
ピンホールＨに防護膜３のフッ素樹脂が入り込み、これ
によりピンホールＨの開口部が塞がれ、金属部品表面
（素地）への塩素イオンの侵入経路が閉ざされる、およ
び、メッキ膜２の表面をフッ素樹脂の防護膜３が覆うた
め、金属部品全体として表面の発水性が向上し、ＡｌＣ
ｌ3 、塩素系ガス等、腐食の原因となる物質が吸着し難
くなることによるものと考えられる。
は、図１に示すようにメッキ膜２の表面に開口している
ピンホールＨに防護膜３のフッ素樹脂が入り込み、これ
によりピンホールＨの開口部が塞がれ、金属部品表面
（素地）への塩素イオンの侵入経路が閉ざされる、およ
び、メッキ膜２の表面をフッ素樹脂の防護膜３が覆うた
め、金属部品全体として表面の発水性が向上し、ＡｌＣ
ｌ3 、塩素系ガス等、腐食の原因となる物質が吸着し難
くなることによるものと考えられる。
【００３５】以上の作用効果は実験によって確認されて
いる。次にその実験について説明する。
いる。次にその実験について説明する。
【００３６】この実験は、金属部品１としてターボ分子
ポンプの回転翼（２０００番系高力アルミ合金）を用
い、これに下記（１）および（２）の処理を施し本願発
明品と従来品を作成し、これらの実験試料をデシケータ
内に並べ、そしてデシケータの底部には水で希釈した塩
酸を入れておく。このようにして上記実験試料を塩酸の
蒸気中に暴露したものであり、このとき塩酸濃度は１８
ｐｐｍ以上、暴露時間は１４８時間とした。
ポンプの回転翼（２０００番系高力アルミ合金）を用
い、これに下記（１）および（２）の処理を施し本願発
明品と従来品を作成し、これらの実験試料をデシケータ
内に並べ、そしてデシケータの底部には水で希釈した塩
酸を入れておく。このようにして上記実験試料を塩酸の
蒸気中に暴露したものであり、このとき塩酸濃度は１８
ｐｐｍ以上、暴露時間は１４８時間とした。
【００３７】（１）無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ処理（２
０μｍ厚）、およびその後にフッ素樹脂膜の形成処理…
本願発明品 （２）無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ処理（２０μｍ厚）…
従来品 そして、この実験終了後、各実験試料の一部、具体的に
は回転翼先端部を断面し、これを金属顕微鏡で観察し写
真撮影したところ、従来品では、図４および図５に示す
如く激しい孔食が全面で発生し、腐食生成物がメッキを
盛り上げ、メッキの剥離が生じている場所が認められ
る。これに対し、本願発明品では、図２および図３に示
す如く孔食が一部で発生してはいるものの、その程度は
軽いものであることが分かる。
０μｍ厚）、およびその後にフッ素樹脂膜の形成処理…
本願発明品 （２）無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ処理（２０μｍ厚）…
従来品 そして、この実験終了後、各実験試料の一部、具体的に
は回転翼先端部を断面し、これを金属顕微鏡で観察し写
真撮影したところ、従来品では、図４および図５に示す
如く激しい孔食が全面で発生し、腐食生成物がメッキを
盛り上げ、メッキの剥離が生じている場所が認められ
る。これに対し、本願発明品では、図２および図３に示
す如く孔食が一部で発生してはいるものの、その程度は
軽いものであることが分かる。
【００３８】なお、本実施例の防食構造は、アルミ合金
の防食対策として好適であるが、アルミ合金以外の材
料、たとえば鉄系材料からなる金属部品の防食構造とし
て適用してもよい。
の防食対策として好適であるが、アルミ合金以外の材
料、たとえば鉄系材料からなる金属部品の防食構造とし
て適用してもよい。
【００３９】本実施例の防食構造は、半導体製造装置の
ガス排気に用いるターボ分子ポンプの、アルミ合金部そ
の他の金属材料部のみならず、例えば次のような他の金
属部品にも適用することができる。
ガス排気に用いるターボ分子ポンプの、アルミ合金部そ
の他の金属材料部のみならず、例えば次のような他の金
属部品にも適用することができる。
【００４０】（１）半導体製造装置のガス排気に用いる
ドライポンプのアルミ合金部、またはアルミ合金部とそ
の他の金属材料部 （２）同装置へのガス供給若しくは同装置からのガス排
気に用いる配管の内面、または内外両面 （３）上記配管のバルブの、少なくとも可動部 （４）同装置のチャンバ内の、少なくとも可動部および
摺動部
ドライポンプのアルミ合金部、またはアルミ合金部とそ
の他の金属材料部 （２）同装置へのガス供給若しくは同装置からのガス排
気に用いる配管の内面、または内外両面 （３）上記配管のバルブの、少なくとも可動部 （４）同装置のチャンバ内の、少なくとも可動部および
摺動部
【００４１】
【発明の効果】この発明に係る防食構造にあっては、上
記の如く、ターボ分子ポンプの塩素系ガスに接するアル
ミ合金部に、２０μｍ厚程度のＮｉ−Ｐ系合金のメッキ
膜を設け、上記メッキ膜上に、フッ素樹脂薄膜形成用の
処理液に浸漬後、乾燥してフッ素樹脂の防護膜を形成し
て、メッキ膜中に存在する細孔を塞ぐものである。この
ため母材の金属部品への塩素イオン侵入量が可及的に減
少し、軽度の孔食しか起こらず、金属部品の長寿命化を
図れる。
記の如く、ターボ分子ポンプの塩素系ガスに接するアル
ミ合金部に、２０μｍ厚程度のＮｉ−Ｐ系合金のメッキ
膜を設け、上記メッキ膜上に、フッ素樹脂薄膜形成用の
処理液に浸漬後、乾燥してフッ素樹脂の防護膜を形成し
て、メッキ膜中に存在する細孔を塞ぐものである。この
ため母材の金属部品への塩素イオン侵入量が可及的に減
少し、軽度の孔食しか起こらず、金属部品の長寿命化を
図れる。
【００４２】なお、このような塩素イオン侵入量の減少
作用は、メッキ膜の表面に開口しているピンホールに防
護膜のフッ素樹脂が入り込み、これによりピンホールの
開口部が塞がれ、素地（金属部品表面）への塩素イオン
の侵入経路が閉ざされる、および、メッキ膜の表面をフ
ッ素樹脂の防護膜が覆うため、金属部品全体として表面
の発水性が向上し、ＡｌＣｌ3 、塩素系ガス等、腐食の
原因となる物質が吸着し難くなることによるものと考え
られる。
作用は、メッキ膜の表面に開口しているピンホールに防
護膜のフッ素樹脂が入り込み、これによりピンホールの
開口部が塞がれ、素地（金属部品表面）への塩素イオン
の侵入経路が閉ざされる、および、メッキ膜の表面をフ
ッ素樹脂の防護膜が覆うため、金属部品全体として表面
の発水性が向上し、ＡｌＣｌ3 、塩素系ガス等、腐食の
原因となる物質が吸着し難くなることによるものと考え
られる。
【図１】この発明に係る防食構造の説明図。
【図２】本願発明品の一断面を示す金属組織の写真。
【図３】本願発明品の他の断面を示す金属組織の写真。
【図４】従来品の一断面を示す金属組織の写真。
【図５】従来品の一断面を示す金属組織の写真。
１ 金属部品 ２ メッキ膜 ３ 防護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (56)参考文献 特開 昭57−114656（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−263993（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−80474（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−174494（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B32B 15/08 B05D 7/24 C23F 4/00 C23F 15/00 F04D 19/04 H01L 21/302 H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体製造装置の塩素系ガス排気に用い
るターボ分子ポンプの塩素系ガスに接するアルミ合金部
に、２０μｍ厚程度のＮｉ−Ｐ系合金のメッキ膜を設
け、上記メッキ膜上に、フッ素樹脂薄膜形成用の処理液
に浸漬後、乾燥してフッ素樹脂の防護膜を形成したこと
を特徴とする防食構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11031295A JP2913537B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 防食構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11031295A JP2913537B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 防食構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08281868A JPH08281868A (ja) | 1996-10-29 |
| JP2913537B2 true JP2913537B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=14532526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11031295A Expired - Lifetime JP2913537B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 防食構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2913537B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005040648A1 (de) * | 2005-08-27 | 2007-03-01 | Leybold Vacuum Gmbh | Beschichtete Gegenstände |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444083B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| DE10163864A1 (de) | 2001-12-22 | 2003-07-10 | Leybold Vakuum Gmbh | Beschichtung von Gegenständen |
| JP2005325792A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Osaka Vacuum Ltd | ターボ分子ポンプ |
-
1995
- 1995-04-12 JP JP11031295A patent/JP2913537B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005040648A1 (de) * | 2005-08-27 | 2007-03-01 | Leybold Vacuum Gmbh | Beschichtete Gegenstände |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08281868A (ja) | 1996-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980921 |
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