JP2893782B2 - 導電性接着剤および半導体装置 - Google Patents
導電性接着剤および半導体装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- C08L2666/14—Macromolecular compounds according to C08L59/00 - C08L87/00; Derivatives thereof
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は導電性接着剤、詳しくは速硬化性、耐湿信頼
性および耐加水分解性に優れた導電性接着剤およびこれ
を用いた半導体装置に関する。
性および耐加水分解性に優れた導電性接着剤およびこれ
を用いた半導体装置に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置の組立において、リード
フレームにIC、LSIを接合する工程の低コスト化を目的
として半田またはエポキシ系導電性ペーストが使用され
ている。しかし、近年、LSIの大型化に対応し、さらに
高性能の導電性接着剤が望まれている。
フレームにIC、LSIを接合する工程の低コスト化を目的
として半田またはエポキシ系導電性ペーストが使用され
ている。しかし、近年、LSIの大型化に対応し、さらに
高性能の導電性接着剤が望まれている。
また導電性接着剤には、特公昭63−4701号公報に示さ
れているように、通常、銀(Ag)粉末を配合したエポキ
シ樹脂が用いられており、該エポキシ樹脂(ビスフェノ
ールA型またはノボラック型)の硬化剤としてノボラッ
クフェノール樹脂が用いられ、また硬化促進剤としてイ
ミダゾール類が用いられているため、耐湿信頼性および
耐加水分解性には優れている。しかし、上記接着剤の硬
化の際には150〜180℃の熱風環式のオーブンで1〜2時
間が必要であるため、生産性向上による低コスト化を図
るために、速硬化型の導電性接着剤が要求されている。
れているように、通常、銀(Ag)粉末を配合したエポキ
シ樹脂が用いられており、該エポキシ樹脂(ビスフェノ
ールA型またはノボラック型)の硬化剤としてノボラッ
クフェノール樹脂が用いられ、また硬化促進剤としてイ
ミダゾール類が用いられているため、耐湿信頼性および
耐加水分解性には優れている。しかし、上記接着剤の硬
化の際には150〜180℃の熱風環式のオーブンで1〜2時
間が必要であるため、生産性向上による低コスト化を図
るために、速硬化型の導電性接着剤が要求されている。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、耐
湿信頼性および耐加水分解性を維持しつつ、速硬化が可
能な導電性接着剤およびこれを用いた半導体装置を提供
することにある。
湿信頼性および耐加水分解性を維持しつつ、速硬化が可
能な導電性接着剤およびこれを用いた半導体装置を提供
することにある。
本発明は、(a)ノボラック型エポキシ樹脂、(b)
フェノールアラルキル樹脂および/またはノボラック型
フェノール樹脂、(c)(a)に対して30〜500重量%
のグリシジル基含有シラン系カップリング剤、(d)有
機ボレート塩および(e)銀粉末を含有してなる導電性
接着剤およびこの接着剤で半導体素子をリードフレーム
に接合した半導体装置に関する。
フェノールアラルキル樹脂および/またはノボラック型
フェノール樹脂、(c)(a)に対して30〜500重量%
のグリシジル基含有シラン系カップリング剤、(d)有
機ボレート塩および(e)銀粉末を含有してなる導電性
接着剤およびこの接着剤で半導体素子をリードフレーム
に接合した半導体装置に関する。
本発明に用いられるノボラック型エポキシ樹脂として
は、例えばダウケミカル社製商品名DEN−431、DEN−43
8、Quatrex2010、チバガイギー社製商品名EPN−1138、E
PN−1139、ECN−1273、ECN−1280、ECN−1299、シェル
化学社製商品名エピコート152、エピコート154等の市販
品が挙げられる。このノボラック型エポキシ樹脂は、キ
シレン、トルエン等の芳香族系溶剤または後述するシラ
ンカップリング剤に溶解して用いるのが好ましい。また
該樹脂のエポキシ当量は100〜300を有するものが好まし
く、特に好ましいのは160〜220を有するものである。
は、例えばダウケミカル社製商品名DEN−431、DEN−43
8、Quatrex2010、チバガイギー社製商品名EPN−1138、E
PN−1139、ECN−1273、ECN−1280、ECN−1299、シェル
化学社製商品名エピコート152、エピコート154等の市販
品が挙げられる。このノボラック型エポキシ樹脂は、キ
シレン、トルエン等の芳香族系溶剤または後述するシラ
ンカップリング剤に溶解して用いるのが好ましい。また
該樹脂のエポキシ当量は100〜300を有するものが好まし
く、特に好ましいのは160〜220を有するものである。
本発明に用いられるフェノールアラルキル樹脂は、
α,α′−ジメトキシ−p−キシレンとフェノールモノ
マをフリーデルクラフツ触媒で重縮合させて得られる樹
脂であり、上記ノボラック型エポキシ樹脂の硬化剤とし
て用いられる。この市販品としては、三井東圧化学社製
商品名XL−225、アルブライトアンドウィルソン社製商
品名XYLOK−225などが挙げられる。
α,α′−ジメトキシ−p−キシレンとフェノールモノ
マをフリーデルクラフツ触媒で重縮合させて得られる樹
脂であり、上記ノボラック型エポキシ樹脂の硬化剤とし
て用いられる。この市販品としては、三井東圧化学社製
商品名XL−225、アルブライトアンドウィルソン社製商
品名XYLOK−225などが挙げられる。
本発明に用いられるノボラック型フェノール樹脂は、
フェノール類とアルデヒド類を酸性触媒下で反応させた
縮合物であって、未反応のフェノール類が可及的に含ま
れない物が用いられる。例えば、石炭酸とホルムアルデ
ヒドとを希薄水溶液中弱酸性下で反応させて得られる低
分子のノボラック樹脂が用いられる。
フェノール類とアルデヒド類を酸性触媒下で反応させた
縮合物であって、未反応のフェノール類が可及的に含ま
れない物が用いられる。例えば、石炭酸とホルムアルデ
ヒドとを希薄水溶液中弱酸性下で反応させて得られる低
分子のノボラック樹脂が用いられる。
フェノールアラルキル樹脂とノボラックフェノール樹
脂はいずれかを用いても両者を用いても良いが、これら
の合計の使用量は、ノボラック型エポキシ樹脂のエポキ
シ基1個に対しフェノール性OHの数が0.6〜1.5個になる
ことが好ましく、特に0.8〜1.2個の範囲が、硬化物の特
性上好ましい。
脂はいずれかを用いても両者を用いても良いが、これら
の合計の使用量は、ノボラック型エポキシ樹脂のエポキ
シ基1個に対しフェノール性OHの数が0.6〜1.5個になる
ことが好ましく、特に0.8〜1.2個の範囲が、硬化物の特
性上好ましい。
本発明に用いられるグリシジル基含有シラン系カップ
リング剤としては、信越化学社製商品名KBM−403、γ−
グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン(東芝シ
リコーン社製TSL−8355)、γ−グリシドキシプロピル
−ペンタメトキシジシロキサン(東芝シリコーン社製TS
L−9905)、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキ
シシラン(チッソ社製)、γ−グリシドキシプロピルジ
メチルエトキシシラン(チッソ社製)、(γ−グリシド
キシプロピル)−ビス−(トリメチルシロキシ)メチル
シラン(チッソ社製)などが挙げられる。
リング剤としては、信越化学社製商品名KBM−403、γ−
グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン(東芝シ
リコーン社製TSL−8355)、γ−グリシドキシプロピル
−ペンタメトキシジシロキサン(東芝シリコーン社製TS
L−9905)、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキ
シシラン(チッソ社製)、γ−グリシドキシプロピルジ
メチルエトキシシラン(チッソ社製)、(γ−グリシド
キシプロピル)−ビス−(トリメチルシロキシ)メチル
シラン(チッソ社製)などが挙げられる。
この使用量はノボラックエポキシ樹脂に対して30〜50
0重量%とされ、30重量%より少なければ溶液粘度が高
くなり、またフェノールアラルキル樹脂に対しては相溶
性が悪くなり、逆に500重量%を超えると硬化物の接着
性、耐熱性が低下する。
0重量%とされ、30重量%より少なければ溶液粘度が高
くなり、またフェノールアラルキル樹脂に対しては相溶
性が悪くなり、逆に500重量%を超えると硬化物の接着
性、耐熱性が低下する。
本発明に用いられる有機ボレート塩としては、例えば
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート
(北興化学社製)、2−エチル−4−メチルイミダゾー
ルテトラフェニルボレート(北興化学社製)、1,8−ジ
アザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7のフェニルボレ
ート塩(サンアプロ社製商品名U−CAT5002)等が挙げ
られる。これらは単独使用でも2種以上の併用でもよ
く、使用量は、接着剤の硬化性および粘度安定性の点か
ら、上記フェノールアラルキル樹脂および/またはノボ
ラック型フェノール樹脂に対して0.5〜30重量%が好ま
しく、特に1〜20重量%が好ましい。
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート
(北興化学社製)、2−エチル−4−メチルイミダゾー
ルテトラフェニルボレート(北興化学社製)、1,8−ジ
アザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7のフェニルボレ
ート塩(サンアプロ社製商品名U−CAT5002)等が挙げ
られる。これらは単独使用でも2種以上の併用でもよ
く、使用量は、接着剤の硬化性および粘度安定性の点か
ら、上記フェノールアラルキル樹脂および/またはノボ
ラック型フェノール樹脂に対して0.5〜30重量%が好ま
しく、特に1〜20重量%が好ましい。
本発明に用いられる銀粉末としては、徳力化学社製商
品名TCG−1、TCG−7−6、E−20、TCG−11N、福田金
属箔粉社製商品名Agc−Aなどのフレーク状粉末が好ま
しく用いられる。該粉末の平均粒径は1〜3μm程度の
ものが好ましい。また必要に応じてフレーク状粉末と球
状粉末を併用することもできる。該球状粉末として、徳
力化学社製商品名H−1、福田金属箔粉社製商品名Agc
−Gなどが用いられる。
品名TCG−1、TCG−7−6、E−20、TCG−11N、福田金
属箔粉社製商品名Agc−Aなどのフレーク状粉末が好ま
しく用いられる。該粉末の平均粒径は1〜3μm程度の
ものが好ましい。また必要に応じてフレーク状粉末と球
状粉末を併用することもできる。該球状粉末として、徳
力化学社製商品名H−1、福田金属箔粉社製商品名Agc
−Gなどが用いられる。
該銀粉末の固形分(上記の(a)、(b)、(d)お
よび(e))中に占める割合は、導電性と粘度の点から
好ましくは65〜85重量%、より好ましくは70〜80重量%
の範囲とされる。
よび(e))中に占める割合は、導電性と粘度の点から
好ましくは65〜85重量%、より好ましくは70〜80重量%
の範囲とされる。
本発明の接着剤は上記成分を混合して得られるが、ノ
ボラック型エポキシ樹脂およびフェノールアラルキル樹
脂の使用により硬化性が向上し、また有機ボレート塩の
使用によりさらに硬化性が向上し、速硬化が可能とな
る。さらに上記のシランカップリング剤の使用により、
速硬化でしかも高接着力を保持する接着剤が得られる。
ボラック型エポキシ樹脂およびフェノールアラルキル樹
脂の使用により硬化性が向上し、また有機ボレート塩の
使用によりさらに硬化性が向上し、速硬化が可能とな
る。さらに上記のシランカップリング剤の使用により、
速硬化でしかも高接着力を保持する接着剤が得られる。
本発明の接着剤は、2−ブトキシエタノール、酢酸2
−ブトキシエチルエステル等の溶剤を必要に応じて含ん
でもよい。
−ブトキシエチルエステル等の溶剤を必要に応じて含ん
でもよい。
本発明の導電性接着剤を用いてIC、LSI等の半導体素
子をリードフレームに接合し、これを通常の方法で樹脂
封止することにより、耐湿信頼性に優れ、かつ生産性に
優れた半導体装置が得られる。
子をリードフレームに接合し、これを通常の方法で樹脂
封止することにより、耐湿信頼性に優れ、かつ生産性に
優れた半導体装置が得られる。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。なお、
例中、部とあるのは断らない限り重量部を意味する。
例中、部とあるのは断らない限り重量部を意味する。
実施例1 ノボラック型エポキシ樹脂としてDEN−438、4.8部をK
BM−403、2.0部に加え、100℃で30分間加熱して溶解し
た。またフェノールアラルキル樹脂としてXL−225、6.5
部を2−ブトキシエタノール14.0部に加え、100℃で30
分間加熱して溶解し、XL−225溶液を得た。これらを室
温で混合した後、テトラフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレートを0.2部および銀粉末としてTCG−1を4
0.0部加えて混合し、導電性接着剤を調整した。
BM−403、2.0部に加え、100℃で30分間加熱して溶解し
た。またフェノールアラルキル樹脂としてXL−225、6.5
部を2−ブトキシエタノール14.0部に加え、100℃で30
分間加熱して溶解し、XL−225溶液を得た。これらを室
温で混合した後、テトラフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレートを0.2部および銀粉末としてTCG−1を4
0.0部加えて混合し、導電性接着剤を調整した。
実施例2 ノボラック型エポキシ樹脂としてQuatrex2010、4.8部
およびKBM−403、2.0部を100℃で30分間加熱し、溶解し
た溶液を得、これに実施例1で用いたXL−225溶液20.5
部を加えて混合し、さらにテトラフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレートおよび銀粉末を実施例1と同様
に加えて混合し、導電性接着剤を調整した。
およびKBM−403、2.0部を100℃で30分間加熱し、溶解し
た溶液を得、これに実施例1で用いたXL−225溶液20.5
部を加えて混合し、さらにテトラフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレートおよび銀粉末を実施例1と同様
に加えて混合し、導電性接着剤を調整した。
実施例3 ノボラック型エポキシ樹脂としてQuatrex2010、4.8部
およびKBM−403、2.0部を100℃で30分間加熱し、溶解し
た。またノボラック型フェノール樹脂HP−607N(日立化
成工業社製)3.8部を2−ブトキシエタノール10部に加
え、100℃で30分加熱溶解してHP−607N溶液を得た。こ
れらを室温で混合した後、U−CAT5002を0.04部および
銀粉としてTCG−1を32.0部加えて混合し、導電性接着
剤を調整した。
およびKBM−403、2.0部を100℃で30分間加熱し、溶解し
た。またノボラック型フェノール樹脂HP−607N(日立化
成工業社製)3.8部を2−ブトキシエタノール10部に加
え、100℃で30分加熱溶解してHP−607N溶液を得た。こ
れらを室温で混合した後、U−CAT5002を0.04部および
銀粉としてTCG−1を32.0部加えて混合し、導電性接着
剤を調整した。
実施例4 前記実施例2で得たKBM−403を含むQuatrex2010の溶
液6.8部、前記実施例1で得たXL−225溶液10.2部、上記
実施例3で得たHP−607N溶液6.9部、2−エチル−4−
メチルイミダゾールテトラフェニルボレート0.1部、銀
粉としてAgc−A30.0部、Agc−G5.7部を混合し、導電性
接着剤を調整した。
液6.8部、前記実施例1で得たXL−225溶液10.2部、上記
実施例3で得たHP−607N溶液6.9部、2−エチル−4−
メチルイミダゾールテトラフェニルボレート0.1部、銀
粉としてAgc−A30.0部、Agc−G5.7部を混合し、導電性
接着剤を調整した。
比較例1 エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹
脂、硬化剤としてノボラックフェノール樹脂および硬化
促進剤としてイミダゾール類を用いた市販の導電性接着
剤を用いた。
脂、硬化剤としてノボラックフェノール樹脂および硬化
促進剤としてイミダゾール類を用いた市販の導電性接着
剤を用いた。
比較例2 実施例1のテトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレートをトリフェニルホスフィンに変えて、他は実
施例1と同様にして導電性接着剤を調整した。
ルボレートをトリフェニルホスフィンに変えて、他は実
施例1と同様にして導電性接着剤を調整した。
<試験例> 実施例1〜4および比較例1〜2の導電性接着剤を用
いてSiチップとリードフレームを第1表に示す接着条件
で接着した。これらの接着強度および加水分解性Cl-濃
度の測定を行い、その結果を第1表に示した。
いてSiチップとリードフレームを第1表に示す接着条件
で接着した。これらの接着強度および加水分解性Cl-濃
度の測定を行い、その結果を第1表に示した。
また実施例1,3および比較例2の接着剤3mgを10℃/min
で昇温した時の硬化発熱カーブ(J/g)を示差熱天秤で
測定した。その結果を第1図に示した。
で昇温した時の硬化発熱カーブ(J/g)を示差熱天秤で
測定した。その結果を第1図に示した。
*1:銀メッキした銅フレームに2mm□のSiチップを各温
度および時間で接着し、プッシュプルゲージを用いて室
温(23℃)における接着強さを測定した。
度および時間で接着し、プッシュプルゲージを用いて室
温(23℃)における接着強さを測定した。
*2:導電性接着剤を180℃で1時間加熱硬化し、100メッ
シュに粉砕した粉末10gを50mlの脱イオン水に入れ、120
℃で20時間抽出し、Cl-1濃度を測定した。
シュに粉砕した粉末10gを50mlの脱イオン水に入れ、120
℃で20時間抽出し、Cl-1濃度を測定した。
実施例の接着剤は、第1図に示されるように発熱ピー
ク温度が比較例より約10℃低く、硬化性がよく、また第
1表に示されるように加水分解性Cl-1濃度が少なく、ヒ
ートブロック上で20秒間で硬化することにより十分な接
着強度が得られる。
ク温度が比較例より約10℃低く、硬化性がよく、また第
1表に示されるように加水分解性Cl-1濃度が少なく、ヒ
ートブロック上で20秒間で硬化することにより十分な接
着強度が得られる。
本発明により、速硬化性であり、耐加水分解性に優れ
た接着剤が得られ、耐湿信頼性に優れた半導体装置を硬
化時間を短縮して生産性を向上し、コストダウンを図っ
て得ることができる。
た接着剤が得られ、耐湿信頼性に優れた半導体装置を硬
化時間を短縮して生産性を向上し、コストダウンを図っ
て得ることができる。
第1図は、実施例および比較例で得た接着剤の硬化発熱
カーブを示す図である。
カーブを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−71380(JP,A) 特開 昭60−1221(JP,A) 特開 昭63−161014(JP,A) 特開 平1−189806(JP,A) 特開 平1−271415(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C09J 163/00 - 163/10 C09J 9/02 H01L 21/58 C08G 59/62 C08G 59/68
Claims (2)
- 【請求項1】(a)ノボラック型エポキシ樹脂、 (b)フェノールアラルキル樹脂および/またはノボラ
ック型フェノール樹脂、 (c)(a)に対して30〜500重量%のグリシジル基含
有シラン系カップリング剤、 (d)有機ボレート塩および (e)銀粉末を含有してなる導電性接着剤。 - 【請求項2】請求項1記載の導電性接着剤で半導体素子
をリードフレームに接合した半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011635A JP2893782B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 導電性接着剤および半導体装置 |
US07/639,020 US5183592A (en) | 1990-01-19 | 1991-01-09 | Electroconductive adhesive comprising an epoxy novolak resin and phenol-aralkyl resin |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011635A JP2893782B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 導電性接着剤および半導体装置 |
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---|---|
JPH03215583A JPH03215583A (ja) | 1991-09-20 |
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ID=11783407
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2011635A Expired - Lifetime JP2893782B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 導電性接着剤および半導体装置 |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US5183592A (ja) |
JP (1) | JP2893782B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355261B2 (en) | 2005-07-26 | 2008-04-08 | Tdk Corporation | Thin film device, thin film device module, and method of forming thin film device module |
CN110760284A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-02-07 | 林雨露 | 一种有效控制Ag离子迁移的复合Ag导电胶 |
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---|---|---|---|---|
US5908881A (en) * | 1996-11-29 | 1999-06-01 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Heat-conductive paste |
WO2003105160A1 (ja) * | 2002-05-31 | 2003-12-18 | タツタ電線株式会社 | 導電性ペースト、これを用いた多層基板及びその製造方法 |
ATE397647T1 (de) * | 2006-03-06 | 2008-06-15 | Umicore Ag & Co Kg | Zusammensetzung zur befestigung von hochleistungshalbleiter |
KR100800214B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-02-01 | 제일모직주식회사 | 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 접착 필름 |
TW201144345A (en) * | 2010-03-10 | 2011-12-16 | Ajinomoto Kk | Resin composition |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3909480A (en) * | 1974-03-27 | 1975-09-30 | Hitachi Ltd | Epoxy resin compositions containing tetraphenylborates of imidazoles |
JPS57111034A (en) * | 1980-12-10 | 1982-07-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
US4696764A (en) * | 1983-12-02 | 1987-09-29 | Osaka Soda Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive composition |
US4652398A (en) * | 1985-09-12 | 1987-03-24 | Stauffer Chemical Company | Rapid curing, thermally stable adhesive composition comprising epoxy resin, polyimide, reactive solvent, and crosslinker |
US4780371A (en) * | 1986-02-24 | 1988-10-25 | International Business Machines Corporation | Electrically conductive composition and use thereof |
US4880570A (en) * | 1986-03-31 | 1989-11-14 | Harris Corporation | Electroconductive adhesive |
US5043102A (en) * | 1989-11-29 | 1991-08-27 | Advanced Products, Inc. | Conductive adhesive useful for bonding a semiconductor die to a conductive support base |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011635A patent/JP2893782B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-09 US US07/639,020 patent/US5183592A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355261B2 (en) | 2005-07-26 | 2008-04-08 | Tdk Corporation | Thin film device, thin film device module, and method of forming thin film device module |
CN110760284A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-02-07 | 林雨露 | 一种有效控制Ag离子迁移的复合Ag导电胶 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5183592A (en) | 1993-02-02 |
JPH03215583A (ja) | 1991-09-20 |
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