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JP2890759B2 - 光学活性なナフタレン誘導体、その製造法、それを有効成分とする液晶組成物およびこれを用いてなる液晶素子 - Google Patents

光学活性なナフタレン誘導体、その製造法、それを有効成分とする液晶組成物およびこれを用いてなる液晶素子

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JP2890759B2
JP2890759B2 JP2236843A JP23684390A JP2890759B2 JP 2890759 B2 JP2890759 B2 JP 2890759B2 JP 2236843 A JP2236843 A JP 2236843A JP 23684390 A JP23684390 A JP 23684390A JP 2890759 B2 JP2890759 B2 JP 2890759B2
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JP
Japan
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optically active
reaction
alkyl
acid
carbon atoms
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隆行 東井
勲 栗本
正好 南井
千津 関根
猛 谷
幸一 藤沢
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉 本発明は新規な有機化合物、その製造法、それを有効
成分とする液晶組成物およびこれを用いてなる液晶素子
に関し、さらに詳しくは、強誘電性液晶組成物の配合成
分として有用な、光学活性なナフタレン誘導体、その製
造法、それを有効成分とする液晶組成物およびこれを用
いてなる液晶素子に関する。 〈従来の技術〉 現在、液晶表示素子としてTN（ねじれネマチック）型
表示方式が最も広範に使用されている。このTN液晶表示
は、駆動電圧が低い、消費電力が少ないなど、多くの利
点を持っている。 しかしながら、応答速度の点においては、陰極管、エ
レクトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等の発
光型表示素子に劣っている。ねじれ角を180〜270°にし
た新しいTN型表示素子も開発されているが、応答速度は
依然十分ではない。このように種々の改善の努力は行わ
れているが、応答速度の速いTN型表示素子は実現に至っ
ていない。 しかしながら、最近、盛んに研究が進められている強
誘電性液晶を用いる新しい表示方式においては、著しい
応答速度の改善の可能性がある（Clarkら;Applid. Phy
s. Lett., 36,899（1980））。この方式は強誘電性を示
すカイラルスメクチックＣ相（以下、Sc＊と略称する）
等のカイラルスメクチック相を利用する方法である。強
誘電性を示す相はSc＊相のみではなく、カイラルスメク
チックＦ、Ｇ、Ｈ、Ｉ等の相が強誘電性を示すことが知
られている。 実際に利用される強誘電性液晶素子に使用される強誘
電性液晶材料には多くの特性が要求されるが、それらを
満たすには現在のところ、１つの化合物では応じられ
ず、いくつかの液晶化合物または非液晶化合物を混合し
て得られる強誘電性液晶組成物を使用する必要がある。 また、強誘電性液晶化合物のみからなる強誘電性液晶
組成物ばかりではなく、特開昭61-195187号公報には非
カイラルなスメクチックＣ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ等の相（以
下、Sc等の相と略称する）を呈する化合物および組成物
を基本物質として、これに強誘電性液晶相を呈する１種
または複数の化合物を混合して全体を強誘電性液晶組成
物として得ることが報告されている。さらにSc等の相を
呈する化合物および組成物を基本物質として、光学活性
ではあるが強誘電性液晶相は呈しない１種あるいは複数
の化合物を混合して全体を強誘電性液晶組成物とする報
告も見受けられる（Mol. Cryst. Liq. Cryst., 89, 327
（1982））。 これらのことを総合すると強誘電性液晶相を呈するか
否かに関わらず光学活性である化合物の１種または複数
を基本物質として強誘電性液晶組成物を構成できること
がわかる。 しかしながら、光学活性物質は、望むらくは液晶相を
呈することが好ましく、液晶相を呈しない場合でも、そ
の構造が液晶化合物に類似したもの、いわば疑似液晶物
質であることが望ましい。しかしながら、これまでのと
ころ高速応答に必要な自発分極を有し、低粘性でかつ室
温域を含む広い温度領域で強誘電性液晶相を呈する液晶
材料は見い出されていない。 〈発明が解決しようとする課題〉 本発明は、充分な自発分極を有し、かつ高速応答可能
で、しかも室温付近の温度領域で強誘電性液晶相を呈す
る強誘電性液晶材料およびその成分として有用な光学活
性なナフタレン誘導体およびその製造法を提供する。 〈課題を解決するための手段〉 すなわち本発明は、一般式〔１〕 （式中、R1は炭素数３〜20のアルキル基を、R2は炭素数
１〜20のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル
基または炭素数２〜20のハロゲン原子で置換されていて
もよいアルコキシアルキル基を示す。Ｘは、−COO−ま
たは−OCO−示す。ｋ、ｌおよびｍは０または１を、ｎ
は０〜６までの整数を、ｐは０または１を示す。＊印は
不斉炭素原子を示す。但し、ｋが０のとき、ｌとｍが同
時に１となることはなく、またｋが１のとき、ｍは１で
あり、ｎが０でかつｍが１のとき、Ｘは−COO−であ
る。） で示される光学活性なナフタレン誘導体、その製造法、
それを有効成分とする液晶組成物およびこれを用いてな
る液晶素子に関する。 本発明の光学活性なナフタレン誘導体のうち、ｍが１
でかつＸが−OCO−である化合物は、次に示すような２
通りの方法で製造することができる。 第一の方法は、一般式〔２〕 （式中、R2、ｎ、ｐおよび＊印は前記と同じ意味を表
し、Ｒ′は水酸基またはハロゲン原子を示す。） で示される光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体と一
般式〔３〕 （式中、R1前記と同じ意味を表し、ｋおよびｌは、各々
０または１を示す。但し、ｋが０のとき、ｌは０であ
る。） で示されるアルコール類とを反応させる方法である。 ここで、アルコール類〔３〕の置換基R1として具体的
には、以下のものがあげられる。 プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、
オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、ト
リデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシ
ル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシルおよびエ
イコシル。 以上のような置換基を持つアルコール類として具体的
には，プロピルアルコール、ブチルアルコール、ペンチ
ルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコー
ル、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルア
ルコール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコー
ル、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、
ペンタデシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘ
プタデシルアルコール、オクタデシルアルコール、ノナ
デシルアルコールおよびエイコシルアルコール、４−プ
ロピルオキシフェノール、４−ブチルオキシフェノー
ル、４−ペンチルオキシフェノール、４−ヘキシルオキ
シフェノール、４−ヘプチルオキシフェノール、４−オ
クチルオキシフェノール、４−ノニルオキシフェノー
ル、４−デシルオキシフェノール、４−ウンデシルオキ
シフェノール、４−ドデシルオキシフェノール、４−ト
リデシルオキシフェノール、４−テトラデシルオキシフ
ェノール、４−ペンタデシルオキシフェノール、４−ヘ
キサデシルオキシフェノール、４−ヘプタデシルオキシ
フェノール、４−オクタデシルオキシフェノール、４−
ノナデシルオキシフェノールおよび４−エイコシルオキ
シフェノール、４−プロピルフェノール、、４−ブチル
フェノール、４−ペンチルフェノール、４−ヘキシルフ
ェノール、４−ヘプチルフェノール、４−オクチルフェ
ノール、４−ノニルフェノール、４−デシルフェノー
ル、４−ウンデシルフェノール、４−ドデシルフェノー
ル、４−トリデシルフェノール、４−テトラデシルフェ
ノール、４−ペンタデシルフェノール、４−ヘキサデシ
ルフェノール、４−ヘプタデシルフェノール、４−オク
タデシルフェノール、４−ノナデシルフェノールおよび
４−エイコシルフェノール等があげられる。 これらのアルコール類〔３〕は、金属アルコラートと
して前記の光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体
〔２〕と反応させることもできる。 もう一方の原料である光学活性なナフタレンカルボン
酸誘導体〔２〕としては、例えば、６−（２−アルコキ
シプロピル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（３−
アルコキシブチル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−
（４−アルコキシペンチル）−２−ナフタレンカルボン
酸、６−（５−アルコキシヘキシル）−２−ナフタレン
カルボン酸、６−（６−アルコキシヘプチル）−２−ナ
フタレンカルボン酸、６−（７−アルコキシオクチル）
−２−ナフタレンカルボン酸、６−（２−アルコキシア
ルコキシプロピル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−
（３−アルコキシアルコキシブチル）−２−ナフタレン
カルボン酸、６−（４−アルコキシアルコキシペンチ
ル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（５−アルコキ
シアルコキシヘキシル）−２−ナフタレンカルボン酸、
６−（６−アルコキシアルコキシヘプチル）−２−ナフ
タレンカルボン酸、６−（７−アルコキシアルコキシオ
クチル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（２−アル
カノイルオキシプロピル）−２−ナフタレンカルボン
酸、６−（３−アルカノイルオキシブチル）−２−ナフ
タレンカルボン酸、６−（４−アルカノイルオキシペン
チル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（５−アルカ
ノイルオキシヘキシル）−２−ナフタレンカルボン酸、
６−（６−アルカノイルオキシヘプチル）−２−ナフタ
レンカルボン酸、６−（７−アルカノイルオキシオクチ
ル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（２−アルコキ
シアルカノイルオキシプロピル）−２−ナフタレンカル
ボン酸、６−（３−アルコキシアルカノイルオキシブチ
ル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（４−アルコキ
シアルカノイルオキシペンチル）−２−ナフタレンカル
ボン酸、６−（５−アルコキシアルカノイルオキシヘキ
シル）−２−ナフタレンカルボン酸、６−（６−アルコ
キシアルカノイルオキシヘプチル）−２−なふたれｎカ
ルボン酸、６−（７−アルコキシアルカノイルオキシオ
クチル）−２−ナフタレンカルボン酸等があげられ、こ
れらは、酸クロリド、酸ブロミド等の酸ハイライドとし
ても使用することができる。 上記の例示中、アルコキシ、アルコキシアルコキシ、
アルカノイルオキシおよびアルコキシアルカノイルオキ
シは前記一般式〔２〕における に相当し、その置換基R2は、炭素数１〜20のハロゲン原
子で置換されていてもよいアルキル基または炭素数２〜
20のハロゲン原子で置換されていてもよいアルコキシア
ルキル基であって、これらのアルキル基またはアルコキ
シアルキル基は直鎖状または分岐状であり、分岐状の場
合は光学活性基であってもよい。 前記一般式〔２〕におけるｐが０の場合、上記のアル
キル基またはアルコキシアルキル基として具体的には、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシ
ル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナ
デシル、エイコシル、メトキシメチル、メトキシエチ
ル、メトキシプロピル、メトキシブチル、メトキシペン
チル、メトキシヘキシル、メトキシヘプチル、メトキシ
オクチル、メトキシノニル、メトキシデシル、エトキシ
メチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、エトキシ
ブチル、エトキシペンチル、エトキシヘキシル、エトキ
シヘプチル、エトキシオクチル、エトキシノニル、エト
キシデシル、プロポキシメチル、プロポキシエチル、プ
ロポキシプロピル、プロポキシブチル、プロポキシペン
チル、プロポキシヘキシル、プロポキシヘプチル、プロ
ポキシオクチル、プロポキシノニル、プロポキシデシ
ル、ブトキシメチル、ブトキシエチル、ブトキシプロピ
ル、ブトキシブチル、ブトキシペンチル、ブトキシヘキ
シル、ブトキシヘプチル、ブトキシオクチル、ブトキシ
ノニル、ブトキシデシル、ペンチルオキシメチル、ペン
チルオキシエチル、ペンチルオキシプロピル、ペンチル
オキシブチル、ペンチルオキシペンチル、ペンチルオキ
シヘキシル、ペンチルオキシヘプチル、ペンチルオキシ
オクチル、ペンチルオキシノニル、ペンチルオキシデシ
ル、ヘキシルオキシメチル、ヘキシルオキシエチル、ヘ
キシルオキシプロピル、ヘキシルオキシブチル、ヘキシ
ルオキシペンチル、ヘキシルオキシヘキシル、ヘキシル
オキシヘプチル、ヘキシルオキシオクチル、ヘキシルオ
キシノニル、ヘキシルオキシデシル、ヘプチルオキシメ
チル、ヘプチルオキシエチル、ヘプチルオキシプロピ
ル、ヘプチルオキシブチル、ヘプチルオキシペンチル、
オクチルオキシメチル、オクチルオキシエチル、オクチ
ルオキシプロピル、デシルオキシメチル、デシルオキシ
エチル、デシルオキシプロピル、１−メチルエチル、１
−メチルプロピル、１−メチルブチル、１−メチルペン
チル、１−メチルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−
メチルオクチル、２−メチルエチル、２−メチルブチ
ル、2,3−ジメチルブチル、2,3,3−トリメチルブチル、
２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、2,3−ジメ
チルペンチル、2,4−ジメチルペンチル、2,3,3,4−テト
ラメチルペンチル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘ
キシル、４−メチルヘキシル、2,5−ジメチルヘキシ
ル、２−メチルヘプチル、２−メチルオクチル、２−ト
リハロメチルペンチル、２−トリハロメチルヘキシル、
２−トリハロメチルヘプチル、２−ハロエチル、２−ハ
ロプロピル、３−ハロプロピル、３−ハロ−２−メチル
プロピル、2,3−ジハロプロピル、２−ハロブチル、３
−ハロブチル、４−ハロブチル、2,3−ジハロブチル、
2,4−ジハロブチル、3,4−ジハロブチル、２−ハロ−３
−メチルブチル、２−ハロ−3,3−ジメチルブチル、２
−ハロペンチル、３−ハロペンチル、４−ハロペンチ
ル、５−ハロペンチル、2,4−ジハロペンチル、2,5−ジ
ハロペンチル、２−ハロ−３−メチルペンチル、２−ハ
ロ−４−メチルペンチル、２−ハロ−３−モノハロメチ
ル−４−メチルペンチル、２−ハロヘキシル、３−ハロ
ヘキシル、４−ハロヘキシル、５−ハロヘキシル、６−
ハロヘキシル、２−ハロヘプチル、２−ハロオクチル
（但し、上記例示中ハロとは、フッ素、塩素、臭素また
はヨウ素を表す。）などがあげられる。 さらにｐが１の場合には、上記例示の他、ハロメチ
ル、１−ハロメチル、１−ハロプロピル、１−ハロブチ
ル、１−ハロペンチル、１−ハロヘキシル、１−ハロヘ
プチル、１−ハロオクチルなどがあげられる。 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕とアル
コール類〔３〕との反応は、通常のエステル化法を適用
することができ、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒
もしくは縮合剤を用いて反応させることにより行うこと
ができる。 この反応において溶媒を使用する場合、その溶媒とし
ては例えば、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ア
セトン、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、ク
ロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素、ジメチルホルアミド、ヘキサン
またはピリジン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エ
ーテル、ハロゲン化炭化水素、有機アミン等の反応に不
活性な溶媒の単独または混合物があげられる。 このような溶媒の使用量については、特に制限なく使
用することができる。 この反応においては、光学活性なナフタレンカルボン
酸誘導体〔２〕が比較的高価であるため、これを有効に
使用するためにもう一方の原料であるアルコール類
〔３〕を過剰量用いて反応を行うことが好ましく、通常
１〜４当量倍、好ましくは１〜２当量倍用いて反応を行
う。 触媒を用いる場合、かかる触媒としては、例えば、ジ
メチルアミノピリジン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリ
ジン、リジン、イミダゾール、炭酸ナトリウム、ナトリ
ウムメチラート、炭酸水素カリウム等の有機または無機
塩基性物質があげられる。 また、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸
等の有機酸あるいは無機酸を触媒として用いることもで
きる。 触媒の使用量は、使用する各原料の種類と使用する触
媒の組み合わせ等によっても異なり、必ずしも特定でき
ないが、例えば酸ハライドを使用する場合には当該酸ハ
ライドに対して１当量倍以上の塩基性物質が使用され
る。 さらには、光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体
〔２〕が光学活性なナフタレンカルボン酸である場合に
は、N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ−シ
クロヘキシル−Ｎ′−（４−ジエチルアミノ）シクロヘ
キシルカルボジイミド等のカルボジイミド類が縮合剤と
して好ましく使用され、必要により４−ピロリジノピリ
ジン、ピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基を併用
することもできる。 この場合の縮合剤の使用量は光学活性なナフタレンカ
ルボン酸に対して通常１〜1.2当量倍であり、有機塩基
を併用する場合、有機塩基の使用量は、縮合剤に対して
0.01〜0.2当量倍である。 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕とアル
コール類〔３〕との反応における反応温度は通常−30℃
〜100℃であり、好ましくは−25℃〜80℃である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタ
レンカルボン酸誘導体〔２〕の消失をもって反応終了と
することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式
〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、
ｍが１でかつＸが−OCO−）を単離することができ、必
要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製
することもできる。 本発明の光学活性なナフタレン誘導体のうち、ｍが１
でかつＸが−OCO−である化合物の第二の製造方法は、
前記一般式〔２〕で示される光学活性なナフタレンカル
ボン酸誘導体のうち置換基Ｒ′が水酸基である化合物と
一般式〔４〕 R1−Ｚ 〔４〕 （式中、R1は前記と同じ意味を表し、Ｚはハロゲン原子
を示す。） で示されるハロゲン化合物〔４〕とを溶媒中、塩基性物
質の存在下に反応させる方法である。 ハロゲン化合物〔４〕として、具体的には、ヨウ化ア
ルキル、臭化アルキル、塩化アルキル、等があげられ、
その置換基R1としては前記例示のものがあげられる。 かかるハロゲン化合物の使用量は、通常、光学活性な
ナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕のうち置換基Ｒ′が
水酸基である化合物に対して１〜５当量倍、好ましくは
１〜３当量倍の範囲である。 溶媒としては、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ジメ
チルホルムアミド、アセトニトリル等の芳香族または脂
肪族炭化水素、非プロトン性極性溶媒等の単独もしくは
混合物があげられる。これらの溶媒の使用量は、特に制
限されない。 塩基性物質としては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素ナトリウム、1,5−ジアザビシクロ
［3,4,0］５−ノネン、1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］
７−ウンデセン等の無機または有機塩基があげられ、こ
れらの塩基性物質の使用量は、光学活性なナフタレンカ
ルボン酸誘導体〔２〕のうち置換基Ｒ′が水酸基である
化合物に対して１当量以上必要であり、上限については
特に制限されないが、通常５当量倍である。 反応温度は、通常、−20〜120℃、好ましくは０〜100
℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタ
レンカルボン酸誘導体〔２〕のうち置換基Ｒ′が水酸基
である化合物の消失をもって反応終了とすることができ
る。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式
〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、
ｍが１でかつＸが−OCO−）を単離することができ、必
要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製
することもできる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕の
うちｍが１でかつＸが−OCO−である化合物についての
製造法を説明する。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のうち
ｍが１でかつＸが−COO−である化合物は、一般式
〔５〕 （式中、R2、ｎ、ｐおよび＊印派前記と同じ意味を表
す。） で示される光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体と一
般式〔６〕 （式中、R1およびＲ′は前記と同じ意味を表し、ｋおよ
びｌは０または１を示す。但し、ｋが０のときｌは０で
ある。） で示されるカルボン酸類とを反応させることにより得ら
れる。 ここでカルボン酸類〔６〕としては、先に例示した置
換基R1を有するカルボン酸、４−アルコキシ安息香酸お
よび、４−アルキル安息香酸があげられ、これらは、酸
ハライド、すなわち酸クロリド、酸ブロミド等としても
使用される。 もう一方の原料である光学活性なヒドロキシナフタレ
ン誘導体〔５〕としては、例えば、６−（１−アルコキ
シエチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（２−ア
ルコキシプロピル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−
（３−アルコキシブチル）−２−ヒドロキシナフタレ
ン、６−（４−アルコキシペンチル）−２−ヒドロキシ
ナフタレン、６−（５−アルコキシヘキシル）−２−ヒ
ドロキシナフタレン、６−（６−アルコキシヘプチル）
−２−ヒドロキシナフタレン、６−（７−アルコキシオ
クチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（１−アル
コキシアルコキシエチル）−２−ヒドロキシナフタレ
ン、６−（２−アルコキシアルコキシプロピル）−２−
ヒドロキシナフタレン、６−（３−アルコキシアルコキ
シブチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（４−ア
ルコキシアルコキシペンチル）−２−ヒドロキシナフタ
レン、６−（５−アルコキシアルコキシヘキシル）−２
−ヒドロキシナフタレン、６−（６−アルコキシアルコ
キシヘプチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（７
−アルコキシアルコキシオクチル）−２−ヒドロキシナ
フタレン、６−（１−アルカノイルオキシエチル）−２
−ヒドロキシナフタレン、６−（２−アルカノイルオキ
シプロピル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（３−
アルカノイルオキシブチル）−２−ヒドロキシナフタレ
ン、６−（４−アルカノイルオキシペンチル）−２−ヒ
ドロキシナフタレン、６−（５−アルカノイルオキシヘ
キシル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−（６−アル
カノイルオキシヘプチル）−２−ヒドロキシナフタレ
ン、６−（７−アルカノイルオキシオクチル）−２−ヒ
ドロキシナフタレン、６−（１−アルコキシアルカノイ
ルオキシエチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−
（２−アルコキシアルカノイルオキシプロピル）−２−
ヒドロキシナフタレン、６−（３−アルコキシアルカノ
イルオキシブチル）−２−ヒドロキシナフタレン、６−
（４−アルコキシアルカノイルオキシペンチル）−２−
ヒドロキシナフタレン、６−（５−アルコキシアルカノ
イルオキシヘキシル）−２−ヒドロキシナフタレン、６
−（６−アルコキシアルカノイルオキシヘプチル）−２
−ヒドロキシナフタレン、６−（７−アルコキシアルカ
ノイルオキシオクチル）−２−ヒドロキシナフタレン等
があげられる。 上記の例示中、アルコキシ、アルコキシアルコキシ、
アルカノイルオキシおよびアルコキシアルカノイルオキ
シは前記一般式〔５〕における に相当し、その置換基R2としては既述した前記一般式
〔２〕におけるR2として例示したものがあげられる。 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕とカル
ボン酸類〔６〕との反応は、前述した光学活性なナフタ
レン誘導体〔１〕（但し、ｍが１でかつＸが−COC−）
の第１の製造法と同様にして行うことができる。 ただし、比較的高価な光学活性なヒドロキシナフタレ
ン誘導体〔５〕を有効に使用するため、これらの相手原
料であるカルボン酸類〔６〕を過剰量用いて反応を行う
ことが好ましく、通常１〜４当量倍、より好ましくは１
〜２当量倍用いて反応を行う。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式
〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、
ｍが１でかつＸが−COO−）を単離することができ、必
要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製
することもできる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕の
うち、ｌが１でかつｋおよびｍが０である化合物につい
ての製造法を説明する。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のう
ち、ｌが１でかつｋおよびｍが０である化合物は、前記
一般式〔５〕で示される光学活性なヒドロキシナフタレ
ン誘導体と一般式〔７〕 R1−Ｙ 〔７〕 （式中、R1およびＹは前記と同じ意味を表す。） で示されるアルキル化剤とを溶媒中、塩基性物質の存在
下に反応させることにより製造することができる。 アルキル化剤〔７〕は、その大部分が公知化合物であ
り、文献記載の方法に準じて製造することができる。な
お、その置換基R1としては先に例示したものがあげられ
る。 かかるアルキル化剤〔７〕の使用量は、光学活性なヒ
ドロキシナフタレン誘導体〔５〕に対して１当量以上任
意であるが、通常は１〜５当量の範囲である。 反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エ
チルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエ
ン、ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジク
ロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ヘキサン、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメ
チルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の脂肪
族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化
水素、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活性な溶媒の
単独もしくは混合物があげられる。かかる溶媒の使用量
については特に制限されない。 塩基性物質としては、例えば、水素化ナトリウム、水
素化カリウム等のアルカリ金属水素化物、リチウム、ナ
トリウム、カリウム等のアルカリ金属、ナトリウムエチ
ラート、ナトリウムメチラート等のアルカリ金属アルコ
ラート、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカ
リ金属、ブチルリチウム等があげられる。 かかる塩基性物質は、光学活性なヒドロキシナフタレ
ン誘導体〔５〕に対して１当量以上必要であり、上限に
ついては特に制限されないが、通常は５当量倍である。 反応温度は、通常、−50〜120℃、好ましくは−30〜1
00℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なヒドロ
キシナフタレン誘導体〔５〕の消失をもって反応終了と
することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式
〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、
ｌが１でかつｋおよびｍが０）を単離することができ、
必要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精
製することもできる。 また、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕の
うちｌが１でかつｋおよびｍが０である化合物におい
て、ｐが１である場合には、上記の方法に代えて以下に
示す方法によっても製造することができる。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のうち
ｌが１で、ｋおよびｍが０でかつｐが１である化合物
は、一般式〔８〕 （式中、R1、ｎ、および＊印は前記と同じ意味を表
す。） で示される光学活性なアルコキシナフタレンアルカノー
ル誘導体と一般式
〔９〕 R2COR′
〔９〕 （式中、R2およびＲ′は前記と同じ意味を表す。） で示されるカルボン酸類とを反応させることにより得ら
れる。 ここでカルボン酸類
〔９〕としては、先に例示した置
換基R2を有するカルボン酸があげられ、これらのカルボ
ン酸は、酸ハライド、すなわち酸クロリド、酸ブロミド
等としても使用される。 もう一方の原料である光学活性なアルコキシナフタレ
ンアルカノール誘導体〔８〕としては、例えば、６−ア
ルコキシ−２−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、
６−アルコキシ−２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフ
タレン、６−アルコキシ−２−（３−ヒドロキシブチ
ル）ナフタレン、６−アルコキシ−２−（４−ヒドロキ
シペンチル）ナフタレン、６−アルコキシ−２−（５−
ヒドロキシヘキシル）ナフタレン、６−アルコキシ−２
−（６−ヒドロキシヘプチル）ナフタレン、６−アルコ
キシ−２−（７−ヒドロキシオクチル）ナフタレン等が
あげられる。 光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体
〔８〕とカルボン酸類
〔９〕との反応は前述した光学活
性なナフタレン誘導体〔１〕（但し、ｍが１でかつＸが
−OCO−）の第１の製造法と同様にして行うことができ
る。 すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もし
くは縮合剤を用いて光学活性なアルコキシナフタレンア
ルカノール誘導体〔８〕とカルボン酸類
〔９〕を反応さ
せることにより製造することができる。 ただし、比較的高価な光学活性なアルコキシナフタレ
ンアルカノール誘導体〔８〕を有効に使用するため、こ
れらの相手原料であるカルボン酸類
〔９〕を過剰量用い
て反応を行うことが好ましく、通常１〜４当量倍、より
好ましくは１〜２当量倍用いて反応を行う。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式
〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、
ｌが１でかつｋおよびｍが０でかつｐが１）を単離する
ことができ、必要によりカラムクロマトグラフィー、再
結晶などで精製することもできる。 先に製造法を説明した本発明の光学活性なナフタレン
誘導体〔１〕のうちｌが１でかつｋおよびｍが０である
化合物において、ｐが０である場合には、前記の方法に
代えて以下に示す方法によっても製造することができ
る。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のうち
ｌが１でかつｋおよびｍが０でかつｐが０である化合物
は、前記一般式〔８〕で示される光学活性なアルコキシ
ナフタレンアルカノール誘導体と一般式〔10〕 R2−Ｙ 〔10〕 （式中、R2およびＹは前記と同じ意味を表す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることにより製造
することができる。 ここでアルキル化剤〔10〕とは、先に例示した置換基
R2を有するハロゲン化物もしくはスルホン酸エステルで
あり、対応するアルコールより公知の方法によって製造
することができる。 なお、アルキル化剤〔10〕における置換基R2は光学活
性基であってもよく、このようなアルキル化剤、すなわ
ちハロゲン化物もしくはスルホン酸エステルは、対応す
る光学活性なアルコールより公知の方法によって容易に
製造することができる。 該光学活性なアルコールのうちあるものは、対応する
ケトンの不斉金属触媒または微生物もしくは酵素による
不斉還元により得られる。また、あるものは天然に存在
するか、または光学分割により得られる次のような光学
活性アミノ酸または光学活性オキシ酸から誘導すること
ができる。 バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアラニ
ン、スレオニン、アロスレオニン、ホモセリン、アロイ
ソロイシン、tert−ロイシン、２−アミノ酪酸、ノルバ
リン、ノルロイシン、オルニチン、リジン、ヒドロキシ
リジン、フェニルグリシン、アスパラギン酸、グルタミ
ン酸、マンデル酸、トロパ酸、３−ヒドロキシ酪酸、リ
ンゴ酸、酒石酸またはイソプロピルリンゴ酸等。 光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体
〔８〕とアルキル化剤〔10〕との反応は前述した光学活
性なナフタレン誘導体〔１〕（但し、ｌが１でかつｋお
よびｍが０）の製造法と同様にして行うことができる。 すなわち、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活性な
アルコキシナフタレンアルカノール誘導体〔８〕とアル
キル化剤〔10〕とを反応させることにより製造すること
ができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式
〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、
ｌが１でかつｋおよびｍが０でかつｐが０）を単離する
ことができ、必要によりカラムクロマトグラフィー、再
結晶などで精製することもできる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕の
うちｋ、ｌおよびｍが０でかつｐが１である化合物につ
いての製造法を説明する。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のうち
k,lおよびｍが０でかつｐが１である化合物は一般式〔1
1〕 （式中、R1、ｎおよび＊印は前記と同じ意味を表す。） で示される光学活性なアルキルナフタレンアルカノール
誘導体と前記一般式
〔９〕で示されるカルボン酸類と反
応させることにより得られる。 原料である光学活性なアルキルナフタレンアルカノー
ル誘導体〔11〕としては、例えば、６−アルキル−２−
（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、６−アルキル−
２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタレン、６−アル
キル−２−（３−ヒドロキシブチル）ナフタレン、６−
アルキル−２−（４−ヒドロキシペンチル）ナフタレ
ン、６−アルキル−２−（５−ヒドロキシヘキシル）ナ
フタレン、６−アルキル−２−（６−ヒドロキシヘプチ
ル）ナフタレン、６−アルキル−２−（７−ヒドロキシ
オクチル）ナフタレン等があげられる。 光学活性なアルキルナフタレンアルカノール誘導体
〔11〕とカルボン酸類
〔９〕との反応は前述した光学活
性なナフタレン誘導体〔１〕（但し、ｍが１でかつＸが
−OCO−）の第１の製造法と同様にして行うことができ
る。 すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もし
くは縮合剤を用いて光学活性なアルキルナフタレンアル
カノール誘導体〔11〕とカルボン酸類
〔９〕を反応させ
ることにより製造することができる。 ただし、比較的高価な光学活性なアルキルナフタレン
アルカノール誘導体〔11〕を有効に使用するため、これ
らの相手原料であるカルボン酸類
〔９〕を過剰量用いて
反応を行うことが好ましく、通常１〜４当量倍、より好
ましくは１〜２当量倍用いて反応を行う。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式
〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、
k,lおよびｍが０でかつｐが１）を単離することがで
き、必要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶など
で精製することもできる。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕の
うちk,lおよびｍが０でかつｐが０である化合物につい
ての製造法を説明する。 すなわち、光学活性なナフタレン誘導体〔１〕のうち
k,lおよびｍが０でかつｐが０である化合物は前記一般
式〔11〕で示される光学活性なアルキルナフタレンアル
カノール誘導体と前記一般式〔10〕で示されるアルキル
化剤とを反応させることにより製造することができる。 この反応は前述した光学活性なナフタレン誘導体
〔１〕（但し、ｌが１でかつｋおよびｍが０）の製造法
と同様にして、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活性
なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体〔11〕とア
ルキル化剤〔10〕とを反応させることにより行うことが
できる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式
〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体（但し、
k,lおよびｍが０でかつｐが０）を単離することがで
き、必要によりカラムクロマトグラフィー、再結晶など
で精製することもできる。 以上の製造法により得られる本発明の光学活性なナフ
タレン誘導体〔１〕として具体的には以下に示す化合物
があげられる。 （１） ｋおよびｌが０で、ｍが１でかつＸが−OCO−
である場合 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）オキシプロピ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜
20の）エステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）オキシブチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜
20の）エステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）オキシペンチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜
20の）エステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘキシ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜
20の）エステル、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘプチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜
20の）エステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）オキシオクチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭素数３〜
20の）エステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭
素数３〜20の）エステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル（炭
素数３〜20の）エステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸アルキル
（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸ア
ルキル（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜20の）エステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸
アルキル（炭素数３〜20の）エステル。 （２） ｌが０で、ｋおよびｍが１でかつＸが−OCO−
である場合 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）オキシプロピ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜20の）フェニルエステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）オキシブチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜20の）フェニルエステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）オキシペンチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜20の）フェニルエステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘキシ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜20の）フェニルエステル、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘプチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜20の）フェニルエステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）オキシオクチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル（炭素数
３〜20の）フェニルエステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル
（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキル
（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルキ
ル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルキル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４
−アルキル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルキル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルキル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルキル（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルキル（炭素数３〜20の）フェニルエステル。 （３） ｋ、ｌおよびｍが１でかつＸが−OCO−である
場合 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）オキシプロピ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）オキシブチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）オキシペンチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘキシ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘプチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）オキシオクチ
ル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキシ（炭素
数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキ
シ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコキ
シ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸４−アルコ
キシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシプロピル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシブチル］−２−ナフタレンカルボン酸４
−アルコキシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシペンチル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシヘキシル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシヘプチル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシオクチル］−２−ナフタレンカルボン酸
４−アルコキシ（炭素数３〜20の）フェニルエステル。 （４） ｋおよびｌが０で、ｍが１でかつＸが−COO−
である場合 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［１−ア
ルキル（炭素数１〜20の）オキシエチル］−２−ナフチ
ルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［２−ア
ルキル（炭素数１〜20の）オキシプロピル］−２−ナフ
チルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［３−ア
ルキル（炭素数１〜20の）オキシブチル］−２−ナフチ
ルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［４−ア
ルキル（炭素数１〜20の）オキシペンチル］−２−ナフ
チルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［５−ア
ルキル（炭素数１〜20の）オキシヘキシル］−２−ナフ
チルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［６−ア
ルキル（炭素数１〜20の）オキシヘプチル］−２−ナフ
チルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［７−ア
ルキル（炭素数１〜20の）オキシオクチル］−２−ナフ
チルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［１−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシエチル］−
２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［２−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシプロピル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［３−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシブチル］−
２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［４−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシペンチル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［５−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシヘキシル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［６−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシヘプチル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［７−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシオクチル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［１−ア
ルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシエチル］−
２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［２−ア
ルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシプロピル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［３−ア
ルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシブチル］−
２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［４−ア
ルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシペンチル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［５−ア
ルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシヘキシル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［６−ア
ルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシヘプチル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［７−ア
ルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシオクチル］
−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［１−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキシ
エチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［２−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキシ
プロピル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［３−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキシ
ブチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［４−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキシ
ペンチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［５−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキシ
ヘキシル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［６−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキシ
ヘプチル］−２−ナフチルエステル、 アルキル（炭素数３〜20の）カルボン酸６−［７−ア
ルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキシ
オクチル］−２−ナフチルエステル。 （５） ｌが０で、ｋおよびｍが１でかつＸが−COO−
である場合 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［１−
アルキル（炭素数１〜20の）オキシエチル］−２−ナフ
チルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［２−
アルキル（炭素数１〜20の）オキシプロピル］−２−ナ
フチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［３−
アルキル（炭素数１〜20の）オキシブチル］−２−ナフ
チルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［４−
アルキル（炭素数１〜20の）オキシペンチル］−２−ナ
フチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［５−
アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘキシル］−２−ナ
フチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［６−
アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘプチル］−２−ナ
フチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［７−
アルキル（炭素数１〜20の）オキシオクチル］−２−ナ
フチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［１−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシエチル］
−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［２−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシプロピ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［３−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシブチル］
−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［４−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシペンチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［５−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシヘキシ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［６−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシヘプチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［７−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシオクチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［１−
アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシエチル］
−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［２−
アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシプロピ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［３−
アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシブチル］
−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［４−
アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシペンチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［５−
アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシヘキシ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［６−
アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシヘプチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［７−
アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシオクチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［１−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキ
シエチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［２−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキ
シプロピル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［３−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキ
シブチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［４−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキ
シペンチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［５−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキ
シヘキシル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［６−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキ
シヘプチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルキル（炭素数３〜20の）安息香酸６−［７−
アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオキ
シオクチル］−２−ナフチルエステル。 （６） ｋ、ｍおよびｌが１でかつＸが−COO−である
場合 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［１
−アルキル（炭素数１〜20の）オキシエチル］−２−ナ
フチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［２
−アルキル（炭素数１〜20の）オキシプロピル］−２−
ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［３
−アルキル（炭素数１〜20の）オキシブチル］−２−ナ
フチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［４
−アルキル（炭素数１〜20の）オキシペンチル］−２−
ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［５
−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘキシル］−２−
ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［６
−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘプチル］−２−
ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［７
−アルキル（炭素数１〜20の）オキシオクチル］−２−
ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［１
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシエチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［２
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシプロピ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［３
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシブチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［４
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシペンチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［５
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシヘキシ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［６
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシヘプチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［７
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オキシオクチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［１
−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシエチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［２
−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシプロピ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［３
−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシブチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［４
−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシペンチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［５
−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシヘキシ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［６
−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシヘプチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［７
−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオキシオクチ
ル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［１
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオ
キシエチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［２
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［３
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオ
キシブチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［４
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［５
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［６
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオ
キシヘプチル］−２−ナフチルエステル、 ４−アルコキシ（炭素数３〜20の）安息香酸６−［７
−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−ナフチルエステル。 （７） ｋおよびｍが０で、ｌが１である場合 ６−［１−アルキル（炭素数１〜20の）オキシエチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレ
ン、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）オキシプロピ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレ
ン、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）オキシブチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレ
ン、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）オキシペンチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレ
ン、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘキシ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレ
ン、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘプチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレ
ン、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）オキシオクチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレ
ン、 ６−［１−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシエチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシ
ナフタレン、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシプロピル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシ
ナフタレン、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［１−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシエチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシ
ナフタレン、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキシ
ナフタレン、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）オキ
シナフタレン、 ６−［１−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシエチル］−２−アルキル（炭素数３〜20
の）オキシナフタレン、 ６−［２−アルコキシアルキ
ル（炭素数２〜20の）カルボニルオキシプロピル］−２
−アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレン、 ６
−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボ
ニルオキシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）
オキシナフタレン、 ６−［４−アルコキシアルキル
（炭素数２〜20の）カルボニルオキシペンチル］−２−
アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレン、 ６−
［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニ
ルオキシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）
オキシナフタレン、 ６−［６−アルコキシアルキル
（炭素数２〜20の）カルボニルオキシヘプチル］−２−
アルキル（炭素数３〜20の）オキシナフタレン、 ６−
［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カルボニ
ルオキシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）
オキシナフタレン。 （８）k,lおよびｍが０である場
合 ６−［１−アルキル（炭素数１〜20の）オキシエチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタレン、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）オキシプロピ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタレン、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）オキシブチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタレン、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）オキシペンチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタレン、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘキシ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタレン、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）オキシヘプチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタレン、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）オキシオクチ
ル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタレン、 ６−［１−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシエチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタ
レン、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシプロピル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタ
レン、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）オ
キシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［１−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシエチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタ
レン、 ６−［２−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシプロピル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［３−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフタ
レン、 ６−［４−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［５−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［６−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［７−アルキル（炭素数１〜20の）カルボニルオ
キシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜20の）ナフ
タレン、 ６−［１−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシエチル］−２−アルキル（炭素数３〜20
の）ナフタレン、 ６−［２−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシプロピル］−２−アルキル（炭素数３〜
20の）ナフタレン、 ６−［３−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシブチル］−２−アルキル（炭素数３〜20
の）ナフタレン、 ６−［４−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシペンチル］−２−アルキル（炭素数３〜
20の）ナフタレン、 ６−［５−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシヘキシル］−２−アルキル（炭素数３〜
20の）ナフタレン、 ６−［６−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシヘプチル］−２−アルキル（炭素数３〜
20の）ナフタレン、 ６−［７−アルコキシアルキル（炭素数２〜20の）カ
ルボニルオキシオクチル］−２−アルキル（炭素数３〜
20の）ナフタレン。 なお、上記例示において、アルキル（炭素数１〜20の
もしくは炭素数３〜20の）およびアルコキシアルキル
（炭素数２〜20の）は、先に例示したものがあげられ
る。 次に、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕の
原料化合物のうち光学活性なナフタレンカルボン酸誘導
体〔２〕、光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体
〔５〕および光学活性なアルコキシナフタレンアルカノ
ール誘導体〔８〕の製造法について説明する。 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕、光学
活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕および光学活
性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体〔８〕
は、一般式〔12〕 （式中、ｎ′は１〜６の整数を示す。） で示されるアルコール化合物を共通の原料として製造す
ることができる。以下、順にその製造法を説明する。 （１） 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕
の製造法 （１−ａ） ｐが０の場合 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕におい
てｐが０である場合には以下に示した方法により該化合
物を製造することができる。 （上記反応式中、R2、Ｒ′、ｎおよび＊印は前記と同じ
意味を表し、R3は低級アルキル基を示す。） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔13〕で示される低級アルキルエステル類
はアルコール化合物〔12〕を、一般式 R3COOH 〔18〕 （式中、R3は前記と同じ意味を表す。） で示されるカルボン酸もしくはその誘導体でエステル化
することにより製造される。 カルボン酸〔18〕もしくはその誘導体としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、無水酢酸、無水プロピオン
酸、酢酸クロリドもしくはブロミド、プロピオン酸クロ
リドもしくはブロミド、ブチリルクロリドもしくはブロ
ミド、バレロイルクロリドもしくはブロミド等があげら
れる。 これらは、アルコール化合物〔12〕に対して１当量倍
以上必要であり、上限については特に制限されないが、
好ましくは４当量倍である。 エステル化は、通常、触媒の存在下に行われ、該触媒
としては、例えば、ジメチルアミノピリジン、トリエチ
ルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、リジ
ン、イミダゾール、炭酸ナトリウム、ナトリウムメチラ
ート、炭酸水素カリウム等の有機または無機塩基性物質
があげられる。また、トルエンスルホン酸、メタンスル
ホン酸、硫酸等の有機酸あるいは無機酸を触媒として用
いることもできる。 その使用量は特に制限されないが、通常、アルコール
化合物〔12〕に対して１〜５当量倍の範囲である。 このエステル化反応において溶媒を使用する場合、そ
の溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エチル
エーテル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、
ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロル
エタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジメチルホルアミ
ド、ヘキサンまたはピリジン等の脂肪族もしくは芳香族
炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化水素、有機アミン
等の反応に不活性な溶媒の単独または混合物があげられ
る。このような溶媒の使用量については、特に制限なく
使用することができる。 反応は通常、−30℃〜100℃、好ましくは−20℃〜90
℃で行う。 反応時間は特に制限されず、原料のアルコール化合物
〔12〕の消失した時点を反応の終点とすることができ
る。 低級アルキルエステル類〔13〕の反応混合物からの取
り出しは、反応混合物に通常の分離手段、例えば抽出、
分液、濃縮等の操作を加えることにより行われる。 前記一般式〔14〕で示されるアセチルナフタレン類
は、上で得た低級アルキルエステル類〔13〕をアセチル
化することにより製造することができる。 このアセチル化は通常のフリーデルクラフト反応が適
用される。 アセチル化剤としては、酢酸、アセチルクロリドおよ
びアセチルブロミド等があげられ、これらの使用量は、
原料の低級アルキルエステル類〔13〕に対して１当量以
上必要であり、その上限は特に制限されないが好ましく
は３当量倍以下である。 このフリーデルクラフト反応には通常、触媒が使用さ
れ、かかる触媒としては、塩化アルミニウム、臭化アル
ミニウム、塩化亜鉛、臭化亜鉛、四塩化チタン、ポリリ
ン酸、三フッ化ホウ素等が例示され、これらの触媒は低
級アルキルエステル類〔13〕に対して0.3〜３当量倍の
範囲で使用される。また、この反応は通常、溶媒中で行
われ、かかる溶媒としては塩化メチレン、1,2−ジクロ
ルエタン等のハロゲン化炭化水素類のほかニトロベンゼ
ン、ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパン等の
ニトロ化合物があげられる。 反応温度は通常、−30〜150℃、好ましくは−10〜100
℃である。反応時間は特に制限されないが、通常、１〜
10時間である。 アセチルナフタレン類〔14〕の反応混合物からの取り
出しは、反応混合物に通常の分離手段、例えば抽出、分
液、濃縮等の操作を加えることにより行われる。 前記一般式〔15〕で示される光学活性なアルカノール
類および前記一般式〔16〕で示される光学活性な低級ア
ルキルエステル類は、上で得たアセチルナフタレン類
〔14〕を、該アセチルナフタレン類の光学異性体のうち
いずれか一方のみを優先的に加水分解する能力を有する
エステラーゼを用いて不斉加水分解することにより製造
することができる。 この不斉加水分解反応で用いられるエステラーゼとし
ては、動物、植物、微生物から得られた酵素があげら
れ、その使用形態としては、精製酵素、粗酵素、酵素含
有物、微生物培養液、培養物、菌体、培養濾液およびそ
れらを処理したもの等、種々の形態で必要に応じて用い
ることができ、酵素と微生物を組み合わせて用いること
もできる。 あるいは、樹脂等に固定化した固定化酵素、固定化菌
体としても用いることができる。 なお、ここで言うエステラーゼとはリパーゼを含む広
義のエステラーゼを意味する。 この不斉加水分解反応で用いられるエステラーゼを生
産する微生物としては、アセチルナフタレン類〔14〕を
不斉加水分解する能力を有するエステラーゼを生産する
微生物であればよく、特に限定されるものではない。 このような微生物の具体例としては、例えば、エンテ
ロバクター属、アルスロバクター属、プレビバクテリウ
ム属、シュードモナス属、アルカリゲネス属、ミクロコ
ッカス属、クロモバクテリウム属、ミクロバクテリウム
属、コリネバクテリウム属、バシルス属、ラクトバシル
ス属、トリコデルマ属、キャンディダ属、サッカロミセ
ス属、ロドトルラ属、クリプトコッカス属、トルロプシ
ス属、ピヒア属、ペニシリウム属、アスペルギルス属、
リゾプス属、ムコール属、オーレオパシディウム属、ア
クチノムコール属、ノカルディア属、ストレプトミセス
属、ハンゼヌラ属、アクロモバクター属に属する微生物
があげられる。 上記微生物の培養は、通常、常法に従って行われ、液
体培養を行うことにより培養液を得ることができる。 例えば、滅菌した液体培地［かび類、酵母類用には麦
芽エキス・酵母エキス培地（水1Lににペプトン5g,グル
コース10g,麦芽エキス3g,酵母エキス3gを溶解し、pH6.5
とする）、細菌用には加糖ブイヨン培地（水1Lにグルコ
ース10g,ペプトン5g,肉エキス5g,塩化ナトリウム3gを溶
解し、pH7.2とする）］に微生物を接種し、通常20〜40
℃で１〜３日間往復振とう培養をすることにより行わ
れ、また必要に応じて固体培養を行ってもよい。 また、これらの微生物起源のエステラーゼのなかには
市販されているものがあり、容易に入手することができ
る。市販エステラーゼの具体例としては、例えば以下の
ものがあげられる。 シュードモナス属のリパーゼ［リパーゼＰ（天野製薬
製）］、アスペルギルス属のリパーゼ［リパーゼAP（天
野製薬製）］、ムコール属のリパーゼ［リパーゼM-AP
（天野製薬製）］、キャンディダ・シリンドラッセのリ
パーゼ［リパーゼMY（名糖産業製）］、アルカリゲネス
属のリパーゼ［リパーゼPL（名糖産業製）］、アクロモ
バクター属のリパーゼ［リパーゼAL（名糖産業製）］、
アルスロバクター属のリパーゼ［リパーゼ合同BSL（合
同酒精製）］、クロモバクテリウム属のリパーゼ（東洋
醸造製）、リゾプス・デレマーのリパーゼ［タリパーゼ
（田辺製薬製）］、リゾプス属のリパーゼ［リパーゼサ
イケン（大阪細菌研究所）］。 また、動物・植物のエステラーゼを用いることもで
き、これらの具体的なエステラーゼとしては以下のもの
をあげることができる。 ステアプシン、パンクレアチン、ブタ肝臓エステラー
ゼ、Wheat Germエステラーゼ。 不斉加水分解反応は、原料のアセチルナフタレン類
〔14〕と上記酵素もしくは微生物の混合物を、通常、緩
衝液中で激しく撹拌することによって行われる。 緩衝液としては、通常用いられるリン酸ナトリウム、
リン酸カリウムのごとき無機酸塩の緩衝液、酢酸ナトリ
ウム、クエン酸ナトリウムのごとき有機酸塩の緩衝液等
が用いられ、そのpHは、好アルカリ性菌の培養液やアル
カリ性エステラーゼではpH8〜11、好アルカリ性でない
微生物の培養液や耐アルカリ性を有しないエステラーゼ
ではpH5〜８が好ましい。緩衝液の濃度は通常0.05〜2
M、好ましくは0.05〜0.5Mの範囲である。 反応温度は通常10〜60℃であり、反応時間は一般的に
は10〜70時間であるが、これに限定されることはない。 なお、この不斉加水分解反応でエステラーゼとしてシ
ュードモナス属あるいはアルスロバクター属に属するリ
パーゼを用いる場合には、比較的高い光学純度で光学活
性なアルカノール類〔15〕および光学活性な低級アルキ
ルエステル類〔16〕を得ることができる。 また、この不斉加水分解反応を行うにあたって、緩衝
液に加えてトルエン、クロロホルム、メチルイソブチル
ケトン、ジクロルメタン等の反応に不活性な有機溶媒を
使用することもでき、これらを使用することによって不
斉加水分解反応を有利に行うことができる。 かかる不斉加水分解反応により、原料のアセチルナフ
タレン類〔14〕の光学異性体のうちいずれか一方のみが
不斉加水分解されて、光学活性なアルカノール類〔15〕
が生成し、一方、他方の光学異性体、すなわち光学活性
な低級アルキルエステル類〔16〕は不斉加水分解残とし
て残存することになる。 このような光学活性なアルカノール類〔15〕および光
学活性な低級アルキルエステル類〔16〕の反応混合物か
らの取り出しおよび分離は、反応混合物に通常の後処
理、例えば、酢酸エチル等の溶媒により抽出処理し、得
られた有機層から溶媒を留去した後、濃縮残査をカラム
クロマトグラフィーで処理する等の方法により行われ
る。 また、このようにして得られた光学活性な低級アルキ
ルエステル類〔16〕は、必要に応じて更に加水分解する
ことにより、光学活性なアルカノール類〔15〕を得るこ
とができる。 ここで得られる光学活性なアルカノール類〔15〕は、
先に不斉加水分解反応により得た光学活性なアルカノー
ル類〔15〕とは対掌体の関係にある。 なお、光学活性な低級アルキルエステル類〔16〕の加
水分解は、一般的なエステル化合物の加水分解反応の条
件が適用され、特に限定されるものではない。 前記一般式〔17〕で示される光学活性なエーテル類
は、上で得た光学活性なアルカノール類〔15〕と前記一
般式〔10〕示されるアルキル化剤とを反応させることに
より製造することができる。 このアルキル化反応は、通常、塩基性物質の存在下に
行われる。かかる塩基性物質としては、具体的には、水
素化ナトリウム、水素化カリウム等のアルカリ金属水素
化物、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金
属、ナトリウムエチラート、ナトリウムメチラート等の
アルカリ金属アルコラート、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム等の炭酸アルカリ金属、ブチルリチウム等があげら
れる。 かかる塩基性物質は、光学活性なアルカノール類〔1
5〕に対して１当量以上必要であり、上限については特
に制限されないが、通常は５当量倍である。 また、アルキル化剤〔10〕使用量は、光学活性なアル
カノール類〔15〕に対して１当量以上任意であるが、通
常は１〜５当量の範囲である。 反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エ
チルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエ
ン、ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジク
ロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ヘキサン、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメ
チルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の脂肪
族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化
水素、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活性な溶媒の
単独もしくは混合物があげられる。かかる溶媒の使用量
については特に制限されない。 反応温度は、通常、−50〜120℃、好ましくは−30〜1
00℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカ
ノール類〔15〕の消失をもって反応終了とすることがで
きる。 光学活性なエーテル類〔17〕の反応混合物からの取り
出しは、例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操
作を加えることにより行われる。 また、該アルキル化反応において、アルキル化剤〔1
0〕の置換基Ｙがヨウ素原子である場合には、前記の塩
基性物質に代えて、酸化銀を用いることもできる。 この場合、かかる酸化銀は、光学活性なアルカノール
類〔15〕に対して１当量倍以上必要であり、上限につい
ては特に制限されないが、好ましくは５当量倍である。 酸化銀の存在下にアルキル化反応を行う場合、アルキ
ル化剤〔10〕（但し、置換基Ｙがヨウ素原子）の使用量
は、光学活性なアルカノール類〔15〕に対して１当量倍
以上任意であるが、好ましくは、２〜10当量倍である。 反応溶媒としては、過剰のアルキル化剤〔10〕（但
し、置換基Ｙがヨウ素原子）を溶媒として用いることが
できる他、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオ
キサン、アセトン、メチルエチルケトン、ベンゼン、ト
ルエン、ヘキサン等のエーテル、ケトンあるいは炭化水
素系溶媒等の反応に不活性な溶媒の単独または混合物を
使用してもよい。 反応温度は、通常、０〜150℃、好ましくは20〜100℃
の範囲である。 反応時間は、通常、１時間〜20日間である。 光学活
性なエーテル類〔17〕の反応混合物からの取り出しは、
濾過により銀塩を除去したのち、例えば、抽出、分液、
濃縮等の通常の後処理操作を加えることにより行われ
る。 目的化合物である光学活性なナフタレンカルボン酸誘
導体〔２〕（但し、ｐが０）は、上で得た光学活性なエ
ーテル類〔17〕を水の存在下に酸化することにより製造
することができる。 この酸化反応において用いられる酸化剤としては、ア
セチル基を酸化してカルボン酸とするものであれば特に
制限なく用いることができる。かかる酸化剤としては、
例えば、重クロム酸カリウム、重クロム酸ナトリウム、
過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム、次亜
塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、次亜臭素酸カ
リウム、次亜臭素酸ナトリウム等があげられる。 かかる酸化剤は光学活性なエーテル類〔17〕に対して
１当量倍以上必要であり、上限については特に制限され
ないが、好ましくは10当量倍以下の使用量である。 この反応においては、水が必須であるが、有機溶媒を
併用することもでき、かかる溶媒としては、例えば、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン
等の反応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物があげら
れる。これらの溶媒の使用量は、特に制限されない。 反応温度は、通常、−20〜130℃、好ましくは−10〜1
00℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なエーテ
ル類〔17〕の消失をもって反応終了とすることができ
る。 目的化合物である光学活性なナフタレンカルボン酸誘
導体〔２〕（但し、ｐが０）の反応混合物からの取り出
しは、例えば、濾過、酸析、抽出、分液、濃縮等の後処
理操作を加えることにより行われる。 なお、ここで得られた光学活性なナフタレンカルボン
酸誘導体〔２〕（但し、ｐが０）は、一般式〔２〕にお
ける置換基Ｒ′が水酸基である化合物であり、このもの
はさらに必要に応じて公知の方法により酸ハライド化し
て一般式〔２〕における置換基Ｒ′がハロゲン原子であ
る化合物へ誘導することができる。 （１−ｂ） ｐが１の場合 光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕におい
てｐが１である場合には以下に示した方法により、前述
した光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕の製
造法（１−ａ）で得た光学活性なアルカノール類〔15〕
から誘導することができる。 （上記反応式中、Ｒ′、R2、ｎおよび＊印は前記と同
じ意味を表す。） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔19〕で示される光学活性なアセチルナフ
タレン類は、光学活性なアルカノール類〔15〕の水酸基
を保護することにより製造することができる。 この保護基導入反応は、光学活性なアルカノール類
〔15〕と水酸基の保護化剤とを触媒の存在下に反応させ
ることにより行われる。 水酸基の保護基としては、例えば、メチル基、ベンジ
ル基、トリチル基のごときアルキルまたはアラアルキル
基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、エ
トキシエチル基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロ
ピラニル基のごときアルコキシアルキル基、さらには、
トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基のご
ときシリル基があげられ。 この反応で用いられる触媒は、用いる保護化剤により
異なるが、例えば、水酸基の保護基がアルキル、アラア
ルキルまたは一部のアルコキシアルキル基の場合には、
塩基性物質が好ましく用いられる。かかる塩基性物質と
しては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、
炭酸水素カリウム、ナトリウムメチラート、ナトリウム
エチラート、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ｎ−
ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム等の無機あるい
は有機塩基性物質があげられる。 この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、
ヨウ化メチル、臭化メチル、ベンジルクロリド、ベンジ
ルブロミド、トリチルクロリド、クロロメチルメチルエ
ーテル、クロロメチルメトキシエトキシエーテル等があ
げられる。 これらの保護化剤および触媒の使用量は、使用する保
護化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通
常、原料の光学活性なアルカノール類〔15〕に対して、
保護化剤１〜５当量倍、触媒１〜４当量倍の範囲であ
る。 この反応は、通常、溶媒の存在下に行われ、かかる溶
媒としては、例えば、エチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、ト
ルエン、ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、
1,2−ジクロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、酢
酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホリルトリアミド、アセトニトリ
ル、ヘキサン、ヘプタン等のエーテル、ハロゲン化炭化
水素、エステル、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活
性な溶媒の単独もしくは混合物があげられ、その使用量
については特に制限されない。 反応温度は、使用する保護化剤によって異なり、必ず
しも特定できないが、通常、−20℃〜150℃の範囲であ
る。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカ
ノール類〔15〕の消失をもって反応終了とすることがで
きる。 また、水酸基の保護基がアルコキシアルキル基の場合
には、触媒としては、酸性物質が好ましく用いられる。
かかる酸性物質としては、ベンゼンスルホン酸、ｐ−ト
ルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、硫酸水素
カリウム、塩酸、リン酸、酢酸、塩化アンモニウム等の
無機あるいは有機酸性物質があげられる。 この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、
ジメトキシメタン、エチルビニルエーテル、ジヒドロフ
ラン、ジヒドロピラン等があげられる。 これらの保護化剤および触媒の使用量は、使用する保
護化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通
常、原料の光学活性なアルカノール類（XV）に対して、
保護化剤１〜５当量倍、触媒0.005〜１当量倍の範囲で
ある。 反応溶媒、反応温度及び反応時間は前述の塩基性物質
を触媒とする保護基導入反応の場合と同様である。 水酸基の保護基がシリル基の場合、触媒としては塩基
性物質が好ましく用いられる。かかる塩基性物質として
は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸
水素カリウム、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチ
ラート、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ｎ−ブチ
ルリチウム、sec−ブチルリチウム、イミダゾール、ピ
リジン、４−ジメチルアミノピウリジン等の無機あるい
は有機塩基性物質があげられる。 この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、
トリメチルシリルクロリド、トリメチルシリルブロミ
ド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド等があげられ
る。 これらの保護化剤および触媒の使用量は、使用する保
護化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通
常、原料の光学活性なアルカノール類〔15〕に対して、
保護化剤１〜５当量倍、触媒１〜４当量倍の範囲であ
る。 反応溶媒、反応温度及び反応時間は前述の塩基性物質
を触媒とする保護基導入反応の場合と同様である。 以上の様にして得られる光学活性なアセチルナフタレ
ン類〔19〕の反応混合物からの取り出しは、例えば、抽
出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えることによ
り行われる。 前記一般式〔20〕で示される光学活性なナフタレンカ
ルボン酸類は、上で得た光学活性なアセチルナフタレン
類〔19〕を水の存在下に酸化することにより製造するこ
とができる。 この酸化反応は、前述した光学活性なナフタレンカル
ボン酸誘導体〔２〕の製造法（１−ａ）における光学活
性なエーテル類〔17〕から光学活性なナフタレンカルボ
ン酸誘導体〔２〕（但し、ｐが０）を製造する反応と同
様にして行うことができる。 すなわち、光学活性なアセチルナフタレン類〔19〕を
水の存在下に前述したアセチル基をカルボン酸とする能
力を有する酸化剤により酸化することにより、光学活性
なナフタレンカルボン酸類〔20〕を得ることができる。 光学活性なナフタレンカルボン酸類〔20〕の反応混合
物からの取り出しは、例えば、濾過、酸析、抽出、分
液、濃縮等の後処理操作を加えることにより行われる。 前記一般式〔21〕で示される光学活性なヒドロキシカ
ルボン酸類は、上で得た光学活性なナフタレンカルボン
酸類〔20〕の水酸基の保護基を脱保護剤を用いて脱保護
することにより製造することができる。 この脱保護反応は、一般式〔20〕における水酸基の保
護基Ａの種類により方法が異なる。以下、その方法につ
いて説明する。 水酸基の保護基Ａがアルキルまたはアラアルキル基の
場合には、脱保護剤としては、ルイス酸が好ましく用い
られる。 かかるルイス酸としては、例えば、三臭化リン、三フ
ッ化ホウ素、塩化アルミニウム等があげられる。このよ
うなルイス酸の使用量は、通常、原料の光学活性なナフ
タレンカルボン酸類〔20〕に対して１〜５当量倍の範囲
である。 この反応は、通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒とし
ては、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、ジク
ロルメタン、1,2−ジクロルエタン、クロロホルム等の
炭化水素、ハロゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒
の単独もしくは混合物があげられ、その使用量について
は特に制限されない。 反応温度は、通常、−20℃〜150℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタ
レンカルボン酸類〔20〕の消失をもって反応終了とする
ことができる。 また、水酸基の保護基Ａがアラアルキル基の場合、特
にベンジル基もしくはトリチル基の場合には、水添触媒
の存在下、接触水素添加することにより脱保護を行うこ
ともできる。 この触媒水素添加反応において水添触媒としては遷移
金属触媒が好ましく用いられ、かかる遷移金属触媒とし
ては、例えば、酸化白金、Pt-c等の白金系、Pd-c、Pd-B
aSO4、パラジウム黒等のパラジウム系、Rh-C、Rh-Al2O3
等のロジウム系、酸化ルテニウム、Ru-C等のルテニウム
系もしくはラネーニッケル等のニッケル系触媒があげら
れるが、これらの中でもパラジウム系触媒が特に好まし
く用いられる。 これらの水添触媒の使用量は、原料の光学活性なナフ
タレンカルボン酸類〔20〕に対して通常、0.01〜100重
量％、好ましくは、0.1〜50重量％の範囲である。 反応溶媒としては、メタノール、エタノール等のアル
コール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキ
サン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸エチ
ル等のエステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロト
ン性極性溶媒類、酢酸等の脂肪酸類もしくは水などの反
応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、こ
れらの使用量は特に制限されない。 反応時の水素圧は、通常、１〜200気圧の範囲であ
る。 反応温度は、通常、０℃〜200℃、好ましくは20℃〜1
80℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタ
レンカルボン酸類〔20〕の消失もしくは水素吸収の停止
をもって反応終了とすることができる。 次に、水酸基の保護基Ａがアルコキシアルキル基もし
くはシリル基である場合の脱保護法について説明する。 この場合の脱保護剤としては、酸触媒が好ましく用い
られる。かかる酸触媒としては、ベンゼンスルホン酸、
ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、硫
酸水素カリウム、塩酸、リン酸、酢酸、トリフルオロ酢
酸等の無機あるいは有機酸性物質があげられる。 このような酸触媒の使用量は、通常、原料の光学活性
なナフタレンカルボン酸類〔20〕に対して、0.001〜１
当量倍の範囲である。 この反応に際しては、反応系内に水、メタノールもし
くはエタノール等のプロトン性溶媒の存在が必要であ
る。 反応溶媒としては、水、メタノールもしくはエタノー
ル等のプロトン性溶媒の単独もしくは混合物があげられ
る他、これらのプロトン性溶媒と以下に示す溶媒の単独
もしくは混合物を併用して用いることもできる。 ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセト
ニトリル、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、ベンゼ
ン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、ジクロルメタン、
1,2−ジクロルエタン、クロロホルム等。 反応温度は、通常、−20℃〜150℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタ
レンカルボン酸類〔20〕の消失をもって反応終了とする
ことができる。 また、特に水酸基の保護基Ａがシリル基である場合に
は、フッ素イオンの存在下、脱保護反応を行うこともで
きる。 この反応におけるフッ素イオンの発生源としては、テ
トラブチルアンモニウムフルオライド、フッ化水素、リ
チウムテトラフルオロボレート等があげられ、その使用
量は、通常、原料の光学活性なナフタレンカルボン酸類
〔20〕に対して、１〜５当量倍の範囲である。 反応溶媒としては、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、アセトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミ
ド、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプ
タン、ジクロルメタン、1,2−ジクロルエタン、クロロ
ホルム等のエーテル、ケトン、エステル、非プロトン性
極性溶媒、炭化水素、ハロゲン化炭化水素等の反応に不
活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、これらの
使用量は特に制限されない。 反応温度は、通常、−20℃〜150℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なナフタ
レンカルボン酸類〔20〕の消失をもって反応終了とする
ことができる。 以上の様にして得られる光学活性なヒドロキシカルボ
ン酸類〔21〕の反応混合物からの取り出しは、例えば、
抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えることに
より行われる。 目的化合物である光学活性なナフタレンカルボン酸誘
導体〔２〕（但し、ｐが１）は、上で得た光学活性なヒ
ドロキシカルボン酸類〔21〕を一般式 R2COR4 〔22〕 （式中、R2は前記と同じ意味を表し、R4はハロゲン原子
またはR2COOを示す。） で示される酸ハライドもしくは酸無水物と反応させるこ
とにより製造することができる。 ここで酸ハライドもしくは酸無水物〔22〕における置
換基R2としては、先に例示したものがあげられる。 この反応は、通常のエステル化法を適用することがで
き、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒を用いて反応
させることにより行うことができる。 この反応で用いられる触媒としては、例えば、ジメチ
ルアミノピリジン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジ
ン、リジン、イミダゾール、炭酸ナトリウム、ナトリウ
ムメチラート、炭酸水素カリウム等の有機または無機塩
基性物質があげられる。 また、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸
等の有機酸あるいは無機酸を触媒として用いることもで
きる。 触媒の使用量は、使用する各原料の種類と使用する触
媒の組み合わせ等によっても異なり、必ずしも特定でき
ないが、例えば、触媒として塩基性物質を使用する場合
には、通常、酸ハライドもしくは酸無水物〔22〕に対し
て１当量倍以上使用される。 酸ハライドもしくは酸無水物〔22〕の使用量は、原料
の光学活性なヒドロキシカルボン酸類〔21〕に対して、
通常、１〜４当量倍、好ましくは１〜２当量倍の範囲で
ある。 この反応において溶媒を使用する場合、その溶媒とし
ては例えば、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ア
セトン、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、ク
ロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、クロ
ロホルム、四塩化炭素、ジメチルホルアミド、ヘキサン
またはピリジン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エ
ーテル、ハロゲン化炭化水素、有機アミン等の反応に不
活性な溶媒の単独もしくは混合物があげられる。このよ
うな溶媒の使用量については、特に制限されない。 反応温度は通常−30℃〜100℃であり、好ましくは−2
5℃〜80℃である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なヒドロ
キシカルボン酸類〔21〕の消失をもって反応終了とする
ことができる。 目的化合物である光学活性なナフタレンカルボン酸誘
導体〔２〕（但し、ｐが１）の反応混合物からの取り出
しは、例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作
を加えることにより行われる。 なお、ここで得られた光学活性なナフタレンカルボン
酸誘導体〔２〕（但し、ｐが１）は、一般式〔２〕にお
ける置換基Ｒ′が水酸基である化合物であり、このもの
はさらに必要に応じて公知の方法により酸ハライド化し
て一般式〔２〕における置換基Ｒ′がハロゲン原子であ
る化合物へ誘導することができる。 （２） 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕
の製造方法 （２−ａ） ｐが０の場合 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕におい
てｐが０である場合には、以下に示した方法により、前
述した光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体〔２〕に
製造法（１−ａ）で得た光学活性なエーテル類〔17〕か
ら誘導することができる。 （上記反応式中、R2、ｎおよび＊印は前記と同じ意味
を表す。） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔23〕で示される光学活性なアセトキシナ
フタレン類は、光学活性なエーテル類〔17〕をバイヤー
ビリガー酸化することにより製造することができる。
このバイヤービリガー酸化反応に用いられる酸化剤とし
ては、例えば、過酢酸、過ギ酸、メタクロル過安息香
酸、過安息香酸等の過酸が例示される。 かかる過酸は、例えば、対応するカルボン酸と過酸化
水素から生じせしめることもでき、反応系中で過酸を合
成しながら、該反応を行うこともできる。 かかる過酸は、通常、原料の光学活性なエーテル類
〔17〕に対して１当量倍以上必要であり、上限について
は特に制限されないが、好ましくは２当量倍以下であ
る。 この反応は、通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒とし
ては、例えば、ジクロルメタン、1,2−ジクロルエタ
ン、クロロホルム、クロルベンゼン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン等のハロゲン
化炭化水素、芳香族もしくは脂肪族炭化水素等の反応に
不活性な溶媒の単独もしくは混合物があげられる。 反応温度は、通常、−20℃〜130℃、好ましくは、−1
0℃〜100℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なエーテ
ル類〔17〕の消失をもって反応終了とすることができ
る。 光学活性なアセトキシナフタレン類〔23〕の反応混合
物からの取り出しは、通常、過剰の過酸の除去、抽出、
分液、濃縮等の後処理操作を加えることにより行われ
る。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘
導体〔５〕（但し、ｐが０）は、上で得た光学活性なア
セトキシナフタレン類〔23〕を加水分解することにより
製造することができる。 この加水分解反応は、水の存在下に、酸もしくはアル
カリを用いて行われる。 ここで用いられる酸としては、例えば、硫酸、リン
酸、塩酸のごとき無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸のごとき有機酸が
あげられる。 また、アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリ
ウム、1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］７−ウンデセン等
の無機または有機塩基があげられる。 かかる酸およびアルカリの使用量は、酸を使用する場
合には、原料の光学活性なアセトキシナフタレン類〔2
3〕に対して、通常、0.02〜10当量倍の範囲で使用さ
れ、アルカリを使用する場合には、原料の光学活性なア
セトキシナフタレン類〔23〕に対して、１当量倍以上、
好ましくは10当量倍以下が使用される。 この反応は、水中で行ってもかまわないが、通常は、
水と有機溶媒の共存下で反応を行う。 かかる有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、アセトン、メチルエチルケト
ン、クロロホルム、ジクロルメタン、トルエン、キシレ
ン、ヘキサン、ヘプタン、エチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エ
ーテル、アルコール、ケトン、非プロトン性極性溶媒あ
るいはハロゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒の単
独もしくは混合物があげられる。 反応温度は、通常、
−30℃〜150℃、好ましくは、−20℃〜100℃の範囲であ
る。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアセト
キシナフタレン類〔23〕の消失をもって反応終了とする
ことができる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘
導体〔５〕（但し、ｐが０）の反応混合物からの取り出
しは、例えば、酸析、抽出、分液、濃縮等の通常の後処
理操作を加えることにより行われる。 また、光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕
（但し、ｐが０）は、前述した光学活性なナフタレンカ
ルボン酸誘導体〔２〕の製造法（１−ａ）で得た光学活
性なアルカノール類〔15〕または光学活性な低級アルキ
ルエステル類〔16〕から製造することもできる。 （上記反応式中、R2、R3、ｎおよび＊印は前記と同じ意
味を表す。） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔24〕で示される光学活性なアルカノール
類および上記一般式〔25〕で示される光学活性な低級ア
ルキルエステル類は、それぞれ対応する光学活性なアル
カノール類〔15〕または光学活性な低級アルキルエステ
ル類〔16〕をバイヤービリガー酸化することにより製造
することができる。 この反応は、前述した光学活性なエーテル類〔17〕か
ら光学活性なアセトキシナフタレン類〔23〕を得る反応
と同様の反応であり、該反応と同様の反応、後処理条件
を光学活性なアルカノール類〔15〕または光学活性な低
級アルキルエステル類〔16〕に適用することにより、そ
れぞれ対応する光学活性なアルカノール類〔24〕または
光学活性な低級アルキルエステル類〔25〕を得ることが
できる。 前記一般式〔26〕で示される光学活性なジオール類
は、上で得た光学活性なアルカノール類〔24〕または光
学活性な低級アルキルエステル類〔25〕を加水分解する
ことにより製造することができる。 この加水分解反応は、水の存在下に、酸もしくはアル
カリを用いて行われる。 ここで用いられる酸としては、例えば、硫酸、リン
酸、塩酸のごとき無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸のごとき有機酸が
あげられる。 また、アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリ
ウム、1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］７−ウンデセン等
の無機または有機塩基があげられる。 かかる酸およびアルカリの使用量は、以下に示すとお
りである。 酸を使用する場合には、原料の光学活性なアルカノー
ル類〔24〕または光学活性な低級アルキルエステル類
〔25〕に対して、通常、0.02〜10当量倍の範囲で使用さ
れる。また、アルカリを使用する場合には、原料が光学
活性なアルカノール類〔24〕であるときは１当量倍以
上、原料が光学活性な低級アルキルエステル類〔25〕で
あるときは２当量倍以上必要であり、上限については特
に制限されないが、通常、10当量倍である。 この反応は、水中で行ってもかまわないが、通常は、
水と有機溶媒の共存下で反応を行う。 かかる有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタ
ノール、プロパノール、アセトン、メチルエチルケト
ン、クロロホルム、ジクロルメタン、トルエン、キシレ
ン、ヘキサン、ヘプタン、エチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エ
ーテル、アルコール、ケトン、非プロトン性極性溶媒あ
るいはハロゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒の単
独もしくは混合物があげられる。 反応温度は、通常、−30℃〜150℃、好ましくは、−2
0℃〜100℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカ
ノール類〔24〕または光学活性な低級アルキルエステル
類〔25〕の消失をもって反応終了とすることができる。 光学活性なジオール類〔26〕の反応混合物からの取り
出しは、例えば、酸析、抽出、分液、濃縮等の通常の後
処理操作を加えることにより行われる。 なお、光学活性なアルカノール類〔24〕から得られる
光学活性なジオール類〔26〕と光学活性な低級アルキル
エステル類〔25〕から得られる光学活性なジオール類
〔26〕とは、対掌体の関係にある。 前記一般式〔27〕で示される光学活性なベンジルオキ
シナフタレンアルカノール類は、上で得た光学活性なジ
オール類〔26〕を一般式 （式中、Ｚは前記と同じ意味を表す。） で示されるハロゲン化ベンジル類と反応させ、光学活性
なジオール類〔26〕のフェノール性水酸基のみを選択的
にベンジル化することにより製造することができる。 このベンジル化反応では、触媒として塩基が使用され
る。かかる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等の炭酸アルカリ金属、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、ナトリウムメ
チラート、ナトリウムエチラート等のアルカリ金属アル
コラート等があげられる。 このような塩基は、原料の光学活性なジオール類〔2
6〕に対して１当量倍以上必要であり、通常、１〜５当
量倍用いられる。 反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチルエーテル、アセトン、メチルエチルケ
トン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等
のエーテル、ケトンまたは非プロトン性極性溶媒等の反
応に不活性な溶媒の単独または混合物が用いられる。 一般式〔29〕で示されるハロゲン化ベンジル類として
は、具体的には、ベンジルクロリド、ベンジルブロミド
等が例示され、これらは原料の光学活性なジオール類
〔26〕に対して１当量倍以上必要であり、上限について
は特に制限されないが、通常、１〜５当量倍用いられ
る。 反応温度は、通常、−20℃〜150℃、好ましくは、０
℃〜130℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なジオー
ル類〔26〕の消失をもって反応終了とすることができ
る。 光学活性なベンジルオキシナフタレンアルカノール類
〔27〕の反応混合物からの取り出しは、例えば、抽出、
分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えることにより行
われる。 前記一般式〔28〕で示される光学活性なベンジルオキ
シナフタレン類は、上で得た光学活性なベンジルオキシ
ナフタレンアルカノール類〔27〕を前記一般式〔10〕示
されるアルキル化剤と反応させることにより製造するこ
とができる。 この反応は、前述した光学活性なナフタレン誘導体
〔１〕（但し、ｋおよびｍが０でかつｌが１）の製造法
と同様にして行うことができる。 すなわち、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活性な
ベンジルオキシナフタレンアルカノール類〔27〕とアル
キル化剤〔10〕を反応させることにより製造することが
できる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする光学活性な
ベンジルオキシナフタレン類〔28〕を単離することがで
きる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘
導体〔５〕（但し、ｐが０）は、上で得た光学活性なベ
ンジルオキシナフタレン類〔28〕を水添触媒の存在下、
接触水素添加して脱ベンジル化することにより製造する
ことができる。 この接触水素添加反応において水添触媒としては遷移
金属触媒が好ましく用いられ、かかる遷移金属触媒とし
ては、例えば、酸化白金、Pt-C等の白金系、Pd-C、Pd-B
aSO4、パラジウム黒等のパラジウム系、Rh-C、Rh-Al2O3
等のロジウム系、酸化ルテニウム、Ru-C等のルテニウム
系もしくはラネーニッケル等のニッケル系触媒があげら
れるが、これらの中でもパラジウム系触媒が特に好まし
く用いられる。 これらの水添触媒の使用量は、原料の光学活性なベン
ジルオキシナフタレン類〔28〕に対して通常、0.01〜10
0重量％、好ましくは、0.1〜50重量％の範囲である。 反応溶媒としては、メタノール、エタノール等のアル
コール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキ
サン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸エチ
ル等のエステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロト
ン性極性溶媒類、酢酸等の脂肪酸類もしくは水などの反
応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、こ
れらの使用量は特に制限されない。 反応時の水素圧は、通常、１〜200気圧の範囲であ
る。 反応温度は、通常、０℃〜200℃、好ましくは20℃〜1
80℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なベンジ
ルオキシナフタレン類〔28〕の消失もしくは水素吸収の
停止をもって反応終了とすることができる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘
導体〔５〕（但し、ｐが０）の反応混合物からの取り出
しは、例えば、濾過、抽出、分液、濃縮等の通常の後処
理操作を加えることにより行われる。 （２−ｂ） ｐが１の場合 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕におい
てｐが１である場合には、以下に示した方法により、前
述した光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕の
製造法（２−ａ）で得た光学活性なベンジルオキシナフ
タレンアルカノール類〔27〕から誘導することができ
る。 （上記反応式中、R2、ｎ、および＊印は前記と同じ意
味を表す。） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔30〕で示されるベンジルオキシナフタレ
ン類は、光学活性なベンジルオキシナフタレンアルカノ
ール類〔27〕を前記一般式
〔９〕で示されるカルボン酸
類と反応させることにより製造することができる。 この反応は、前述した光学活性なナフタレン誘導体
〔１〕（但し、ｋおよびｍが０でかつｌが１）の第１の
製造法と同様にして行うことができる。 すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もし
くは縮合剤を用いて光学活性なベンジルオキシナフタレ
ンアルカノール類〔27〕とカルボン酸類
〔９〕を反応さ
せることにより製造することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする光学活性な
ベンジルオキシナフタレン類〔30〕を単離することがで
きる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘
導体〔５〕（但し、ｐが１）は、上で得た光学活性なベ
ンジルオキシナフタレン類〔30〕を水添触媒の存在下、
触媒水素添加して脱ベンジル化することにより製造する
ことができる。 この反応は、前述した光学活性なヒドロキシナフタレ
ン誘導体〔５〕の製造法（２−ａ）における光学活性な
ベンジルオキシナフタレン類〔28〕から光学活性なヒド
ロキシナフタレン誘導体〔５〕（但し、ｐが０）を得る
反応と同様にして行うことができる。 反応混合物からの目的化合物である光学活性なヒドロ
キシナフタレン誘導体〔５〕（但し、ｐが１）の取り出
しは、例えば、濾過、抽出、分液、濃縮等の通常の後処
理操作を加えることにより行われる。 （２−ｃ） ｎが２〜６の場合 光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕におい
てｎが２〜６の場合には、以下に示した方法により製造
することができる。 （上記反応式中、R2、R3、ｎ、ｐおよび＊印は前記と
同じ意味を表し、Ｘ′は臭素またはヨウ素原子を示
す。） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔33〕で示される不飽和低級エステル類
は、上記の２−ベンジルオキシ−６−ハロナフタレン
〔31〕と一般式〔32〕 （式中、R3およびｎは前記と同じ意味を表す。） で示されるオレフィン類〔32〕とを、金属触媒と塩基性
物質存在化で反応させることにより製造することができ
る。 ２−ベンジルオキシ−６−ハロナフタレン〔31〕は公
知化合物であり、具体的には２−ベンジルオキシ−６−
ブロモナフタレン、２−ベンジルオキシ−６−ヨ−ドナ
フタレンが挙げられ、上記一般式〔32〕で示されるオレ
フィン類も文献記載の方法に準じて製造することができ
る。 オレフィン類〔32〕の使用量は、２−ベンジルオキシ
−６−ハロナフタレン〔31〕に対して通常、0.9〜10倍
等量であるが、好ましくは、１〜２倍等量である。 金属触媒としては、パラジウム系では塩化パラジウ
ム、酢酸パラジウム、トリフェニルホスフィンパラジウ
ム錯体、パラジウム／炭素などが用いられ、ニッケル系
およびロジウム系についても前記と同様な触媒が用いら
れる。 これらの金属触媒の使用量は、２−ベンジルオキシ−
６−ハロナフタレン〔31〕に対して10-3〜10-1倍等量の
範囲である。 この反応では、上記金属触媒のほかに、助触媒として
３価のリン化合物が必要であり、それらとしては一般式
〔34〕 （式中、ＱはＰまたはAs原子を表わし、R5、R6およびR7
は同一または異なっていてもよいアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原
子を示す。） で示される化合物であって、具体的にはトリ−ｎ−ブチ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−ト
リルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスファイト、三塩
化リン、トリフェニルヒ素などが例示される。 これらのリン化合物またはヒ素化合物の使用量は、上
記の金属触媒に対して0.5〜50倍等量、好ましくは10〜3
0倍等量である。 塩基としては、アルカリ金属の炭酸塩、カルボン酸
塩、アルコキサイド、水酸化物などや、有機塩基が挙げ
られるが、３級アミンまたは２級アミン（有機塩基）が
好ましく用いられ、これらはトリエチルアミン、ジ−イ
ソプロピルエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ
−メチルピロリドン、ジメチルアニリンなどが例示され
る。 塩基の使用量は、２−ベンジルオキシ−６−ハロナフ
タレン〔31〕に対して0.95〜1.1倍等量である。 必要により、適当な溶媒、たとえば、アセトニトリ
ル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ヘキ
サメチルホスホリルアミド,N−メチルピロリドン、メタ
ノールなどを反応溶媒として使用することもできる。 これらの反応溶媒の使用量は特に制限されない。 なお、本反応は通常窒素、アルゴン等の不活性ガス中
で行われる。 本方法においては、反応温度を高めることにより、目
的とする不飽和ナフタレン類〔33〕の収率を向上させる
ことができるが、あまり高温では副生物が増加するの
で、通常反応温度は15〜190℃であり、好ましくは100〜
150℃である。 不飽和ナフタレン類〔33〕の反応混合物からの取り出
しは、抽出、分液、濃縮、再結晶等の後処理操作を加え
ることにより行われる。 光学活性な不飽和アルカノール類〔35〕および光学活
性な不飽和低級エステル類〔36〕は、上で得た不飽和ナ
フタレン類〔33〕を、該不飽和ナフタレン類の光学異性
体のうちいずれか一方のみを優先的に加水分解する能力
を有するエステラーゼを用いて不斉加水分解することに
より製造することができる。 この反応は（１−ａ）で説明した光学活性なナフタレ
ンカルボン酸誘導体〔２〕の製造方法における、光学活
性なアルカノール類〔15〕および〔16〕で示される光学
活性な低級アルキルエステル類を、アセチルナフタレン
類〔14〕から製造する反応と同様にして、製造すること
ができる。 このような光学活性な不飽和アルカノール類〔35〕お
よび光学活性な不飽和低級エステル類〔36〕の反応混合
物からの取り出しおよび分離は、反応混合物に通常の後
処理、例えば、酢酸エチル等の溶媒により抽出処理し、
得られた有機層から溶媒を留去した後、濃縮残査をカラ
ムクロマトグラフィーで処理する等の方法により行われ
る。 また、このようにして得られた光学活性な不飽和低級
エステル類〔36〕は、必要に応じて更に加水分解するこ
とにより、光学活性な不飽和アルカノール類〔35〕を得
ることができる。 ここで得れられる光学活性な不飽和アルカノール類
〔35〕は、先に不斉加水分解反応により得た光学活性な
不飽和アルカノール類〔35〕とは対掌体の関係にある。 なお、光学活性な不飽和低級エステル類〔36〕の加水
分解は、一般的なエステル化合物の加水分解反応の条件
が適用され、特に限定されるものではない。 次に光学活性な不飽和ナフタレン類（ただし、ｐ＝
０）〔37〕は、上で得た光学活性な不飽和アルカノール
類〔35〕を前記一般式〔10〕示されるアルキル化剤と反
応させることにより製造することができる。 この反応は、前述した光学活性なナフタレン誘導体
〔１〕（但し、ｋおよびｍが０でかつｌが１）の製造法
と同様にして行うことができる。 すなわち、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活性な
不飽和アルカノール類〔35〕とアルキル化剤〔10〕とを
反応させることにより製造することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする光学活性な
不飽和ナフタレン類〔37〕を単離することができる。 次に光学活性な不飽和ナフタレン類〔37〕（ただし、
ｐ＝１）は、上で得た光学活性な不飽和アルカノール類
〔35〕を前記一般式
〔９〕で示されるカルボン酸類と反
応させることにより製造することができる。 この反応は、前述した光学活性なナフタレン誘導体
（Ｉ）（但し、ｍが１でかつＸが−COO−）の製造法と
同様にして行うことができる。 すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もし
くは縮合剤を用いて光学活性な不飽和アルカノール誘導
体〔35〕とカルボン酸類
〔９〕を反応させることにより
製造することができる。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とする光学活性な
不飽和ナフタレン類〔37〕（ただし、ｐ＝１）を単離す
ることができる。 また目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレ
ン誘導体〔５〕は、上で得た光学活性な不飽和ナフタレ
ン類〔37〕を水添触媒の存在下、接触水素添加して脱ベ
ンジル化すると同時に二重結合を飽和化することにより
製造することができる。 この接触水素添加反応において水添触媒としては遷移
金属触媒が好ましく用いられ、かかる遷移金属触媒とし
ては、例えば、酸化白金、Pt-C等の白金系、Pd-C、Pd-B
aSO4、パラジウム黒等のパラジウム系、Rh-C、Rh-Al2O3
等のロジウム系、酸化ルテニウム、Ru-C等のルテニウム
系もしくはラネーニッケル等のニッケル系触媒があげら
れるが、これらの中でもパラジウム系触媒が特に好まし
く用いられる。 これらの水添触媒の使用量は、原料の光学活性な不飽
和ナフタレン類〔37〕に対して通常、0.01〜100重量
％、好ましくは0.1〜50重量％の範囲である。 反応溶媒としては、メタノール、エタノール等のアル
コール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキ
サン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸エチ
ル等のエステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロト
ン性極性溶媒類、酢酸等の脂肪酸類もしくは水などの反
応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、こ
れらの使用量は特に制限されない。 反応時の水素圧は、通常、１〜200気圧の範囲であ
る。 反応温度は、通常、０℃〜200℃、好ましくは20℃〜1
80℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性な不飽和
ナフタレン類〔37〕の消失もしくは水素吸収の停止をも
って反応終了とすることができる。 目的化合物である光学活性なヒドロキシナフタレン誘
導体〔５〕の反応混合物からの取り出しは、例えば、濾
過、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えるこ
とにより行われる。 （２−ｄ）ｎが０の場合 一般式〔５〕で示される光学活性なヒドロキシナフタ
レン誘導体は、一般式〔42〕 （式中、R2,pおよび＊印は前記と同じ意味を表わす。） で示される光学活性なベンジルオキシナフタレン誘導体
を、溶媒中で、水添触媒および水素の存在下に脱ベンジ
ル化することにより製造することができる。 ここで、水添触媒としては、PtO2、Pt-C等の白金糸も
しくはPd-C、Pd-BaSO4、パラジウム黒等のパラジウム系
もしくはRh-C、Rh-Al2O3等のロジウム系もしくはRUO2、
Ru-C等のルテニウム系もしくはラネーニッケル等のニッ
ケル系触媒などが挙げられ、パラジウム系触媒が好まし
く使用される。 水添触媒は、一般式〔42〕で示される光学活性なベン
ジルオキシナフタレン誘導体に対して通常0.01〜100重
量％、好ましくは0.1〜50重量％使用される。 ここで、溶媒としてはメタノール、エタノール等のア
ルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエー
テル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ｎ
−ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢
酸エチル等のエステル類、ジメチルホルムアミド等のア
ミド類、酢酸等の脂肪酸類もしくは水などの単独または
混合物が例示される。 反応での水素圧は通常１〜200気圧である。 反応温度は、通常０〜200℃、より好ましくは20〜180
℃で行う。反応時間は水添触媒の種類、反応温度および
水素圧により異なり特に限定されないが、反応終点は通
常光学活性なベンジルオキシナフタレン誘導体〔42〕の
反応系からの消失もしくは水素吸収の停止により決定さ
れる。 反応混合物からの一般式〔42〕で示される光学活性な
ヒドロキシナフタレン誘導体の取出しは、濾過、濃縮、
再結晶、蒸留またはカラムクロマトグラフィー等の通常
の後処理操作を加えることにより行われる。 一般式〔42〕で示され、かつｐが１である光学活性な
ベンジルオキシナフタレン誘導体は、式〔43〕 （式中、＊印は前記と同じ意味を表す。） で示される光学活性なアルコール化合物と一般式
〔９〕 R2COOH
〔９〕 （式中、R2は前記と同じ意味を表す。） で示されるカルボン酸もしくはその誘導体とを、触媒も
しくは縮合剤の存在下に反応させることにより製造する
ことができる。 一般式
〔９〕における置換基Ｒとしては、具体的に
は、前記したものが例示される。 この反応においては、これらの置換基を有するカルボ
ン酸またはそれらの酸無水物あるいは酸クロリドもしく
は酸ブロミド等の酸ハライドが使用される。 なお、これらのカルボン酸もしくはその誘導体はラセ
ミ体あるいは光学活性体のいずれであってもよく、カル
ボン酸が光学活性体である場合に、その中のあるものは
対応するアルコールの酸化またはアミノ酸の還元的脱ア
ミノ化により得られ、また、あるものは天然に存在する
かあるいは分割により得られる以下に示すような光学活
性アミノ酸または光学活性オキシ酸より誘導することが
できる。 アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニ
ルアラニン、セリン、スレオニン、アロスレニオン、ホ
モセリン、アロイソロイシン、tert−ロイシン、２−ア
ミノ酪酸、ノルバリン、ノルロイシン、オルニチン、リ
ジン、ヒドロキシリジン、フェニルグリシン、トリフル
オロアラニン、アルパラギン酸、グルタミン酸、乳酸、
マンデル酸、トロパ酸、３−ヒドロキシ酪酸、リンゴ
酸、酒石酸、イソプロピルリンゴ酸等。 このようなカルボン酸もしくはその誘導体と一般式
〔43〕で示される光学活性なアルコール化合物との反応
は、溶媒の存在下または非存在下に行われる。溶媒とし
ては、たとえばテトラヒドロフラン、エチルエーテル、
アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、
クロロホルム、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジク
ロルエタン、四塩化炭素、ジメチルホルムアミド、ヘキ
サン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ケ
トン、アミドあるいはハロゲン化炭化水素等の反応に不
活性な溶媒の単独または混合物が挙げられ、その使用量
は特に制限されない。 この反応において酸無水物または酸ハライドを用いる
場合には、該反応は触媒を用いて行われる。 酸無水物または酸ハライドの使用量は光学活性なアル
コール化合物〔43〕に対して１当量倍以上用いられ、上
限については特に制限されないが、好ましくは４当量倍
以下である。 触媒としては、たとえばジメチルホルムアミノピリジ
ン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピコ
リン、イミダゾール、炭酸ナトリウムもしくは炭酸水素
カリウム等の有機あるいは無機塩基性物質が挙げられ、
また、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸な
どの有機酸あるいは無機酸が挙げられる。 触媒の使用量は、特に制限されるものではないが、例
えば酸ハライドを使用する場合には、該酸ハライドに対
して１当量倍以上である。 また、反応においてカルボン酸
〔９〕を使用する場合
には、該反応は縮合剤を用いて行われる。カルボン酸の
使用量は、通常、光学活性なアルコール化合物〔43〕に
対して１〜２当量倍である。 縮合剤としてはN,N′−ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ′−（４−ジエチルアミ
ノ）シクロヘキシルカルボジイミドの如きカルボジイミ
ドが好ましく用いられ、また必要により４−ピロリジノ
ピリジン、ピリジン、トリエチルアミンの如き有機塩基
が併用される。 縮合剤の使用量はカルボン酸
〔９〕に対して１〜1.2
当量倍であり、有機塩基を使用する場合にその使用量
は、縮合剤に対して0.01〜0.2当量倍である。 反応温度は通常、−80℃〜120℃好ましくは−20℃〜9
0℃で行われる。 反応時間は特に制限されず、光学活性なアルコール化
合物〔43〕が反応系から消失した時点を反応終点とする
ことができる。 一般式〔42〕で示され、かつｐが１である光学活性な
ベンジルオキシナフタレン誘導体の反応混合物からの取
出しは、例えば抽出、分液、濃縮、再結晶またはカラム
クロマトグラフィー等の通常の後処理操作を加えること
により行われる。 一般式〔42〕で示され、かつｐが０である光学活性な
ベンジルオキシナフタレン誘導体は、一般式〔43〕で示
される光学活性なアルコール化合物と、一般式〔10〕で
示されるアルキル化剤とを、溶媒中、塩基性物質の存在
下に反応させることにより製造することができる。 塩基性物質としては水素化ナトリウム、水素化カリウ
ムのごときアルカリ金属水素化物、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化カルシウムのごとき水酸化アル
カリ金属あるいは水酸化アルカリ土類金属、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウムのごとき炭酸アルカリ金属、ブチル
リチウムなどが、またリチウム、ナトリウム、カリウム
等のアルカリ金属類が例示さる。 かかる塩基性物質は光学活性なアルコール類〔43〕に
対して１当量倍以上用いられ、上限については特に制限
されないが、好ましくは１〜５当量倍使用される。 この反応で使用されるアルキル化剤とは、炭素数１〜
20のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基ま
たはアルコキシアルキル基を有するクロリド、ブロミ
ド、アイオダイド等のハロゲン化物あるいは硫酸エステ
ル類（メタンスルホン酸エステル、エタンスルホン酸エ
ステル、ベンゼンスルホン酸エステル、トルエンスルホ
ン酸エステル等）である。なお、アルキル化剤〔10〕に
おける置換基R2の具体的例示は、カルボン酸
〔９〕にお
ける置換基R2と同様である。 これらのアルキル化剤は、必要により相当するアルコ
ールから容易に合成することができる。 また、アルキル化剤〔10〕おける置換基R2は光学活性
基であってもよく、これらの光学活性基を有するアルキ
ル化剤（ハロゲン化物あるいは硫酸エステル類）は必要
により相当する光学活性アルコールから合成される。 該光学活性アルコールのうちのあるものは、対応する
ケトンの不斉金属触媒または微生物もしくは酵素による
不斉還元により容易に得られる。またあるものは、天然
に存在するか、または分割により得られる次のような光
学活性アミノ酸及び光学活性オキシ酸から誘導できる。
バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、
スレオニン、アロスレオニン、ホモセリン、アロイソロ
イシン、tert−ロイシン、２−アミノ酪酸、ノルバリ
ン、ノルロイシン、オルニチン、リジン、ヒドロキシリ
ジン、フェニルグリシン、アスパラギン酸、グルタミン
酸、マンデル酸、トロパ酸、３−ヒドロキシ酪酸、リン
ゴ酸、酒石酸、イソプロピルリンゴ酸等。 このようなアルキル化剤〔10〕は、光学活性なアルコ
ール化合物〔43〕に対して１当量倍以上任意であるが、
通常は１〜５当量倍使用される。 反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン類、トルエン、ベンゼン等の芳香族炭化
水素類、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタ
ンもしくはクロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、
ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホス
ホリルアミドもしくはＮ−メチルピロリドン等の極性溶
媒などを使用することができる。 反応温度は、通常−50℃〜120℃、好ましくは−80℃
〜100℃で行われる。 反応時間は特に制限されず、通常、一般式〔43〕で示
される光学活性なアルコール化合物が反応系から消失し
た時点をもって反応終点とすることができる。 一般式〔42〕で示され、かつｐが０であるベンジルオ
キシナフタレン誘導体の反応混合物からの取出しは、例
えば抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えるこ
とにより行われる。 一般式〔43〕で示される光学活性なアルコール化合物
は、一般式〔44〕 （式中、R3は前記と同じ意味を表す。） で示されるエステル類を、該エステル類の光学異性体の
うちいずれか一方のみを加水分解する能力を有するエス
テラーゼを用いて、不斉加水分解することにより製造す
ることができる。 この反応は（１−ａ）で説明した光学活性なナフタレ
ンカルボン酸誘導体の製造方法における、光学活性なア
ルカノール類〔15〕および〔16〕で示される光学活性な
低級アルキルエステル類を、アセチルナフタレン類〔1
4〕から製造する反応と同様にして製造することができ
る。 光学活性なアルコール化合物〔43〕の反応混合物から
の取出しは、反応混合物を通常の後処理、例えば酢酸エ
チル等の溶媒により抽出処理し、得られた有機層から溶
媒を留去した後、濃縮残渣をカラムクロマトグラフィー
で処理する等の方法により行われる。 このようにして、不斉加水分解生成物として光学活性
なアルコール化合物〔43〕と不斉加水分解残として一般
式〔44〕で示され、かつ光学活性体であるエステル類が
得られるが、不斉加水分解残である光学活性なエステル
類は、必要に応じて更に加水分解することにより、先の
不斉加水分解反応で得たものとは体掌体の光学活性なア
ルコール化合物〔43〕を得ることができる。 一般式〔44〕で示されるエステル類は、式〔45〕 で示されるエタノール誘導体を、一般式〔18〕で示され
るカルボン酸もしくはその誘導体と、溶媒中、触媒の存
在下にエステル化することにより製造される。 カルボン酸〔18〕もしくはその誘導体としては、例え
ば酢酸、プロピオン酸、無水酢酸、無水プロピオン酸、
酢酸クロリドもしくはプロミド、プロピオン酸クロリド
もしくはブロミド、ブチリルクロリドもしくはブロミ
ド、バレロイルクロリドもしくはブロミドなどが挙げら
れる。 これらは、エタノール誘導体〔45〕に対して１当量倍
以上必要であり、上限については特に制限されないが、
好ましくは４当量倍使用される。 エステル化は触媒の存在下に行われ、該触媒として
は、たとえばジメチルアミノピリジン、トリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、ピコリン、イ
ミダゾール、炭酸ナトリウム、ナトリウムメチラート、
炭酸水素カリウム等の有機あるいは無機塩基物質があげ
られる。又、トリエンスルホン酸、メタンスルホン酸、
硫酸当の酸類を触媒として用いることもできる。 その使用量は特に制限されないが、通常、エタノール
誘導体〔45〕に対して１〜５当量倍である。 このエステル化反応において、使用する溶媒としては
たとえばテトラヒドロフラン、エチルエーテル、アセト
ン、メチルエチルケトン、ヘキサン、トルエン、ベンゼ
ン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、ジメチルホルムアミ
ド、ピリジン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エー
テル、ハロゲン化炭化水素、非プロトン性極性溶媒また
は有機アミン等の反応に不活性な溶媒の単独または混合
物があげられる。 その使用量については特に制限なく使用することがで
きる。 溶媒として有機アミンを使用する場合は、該アミンが
触媒として作用することもある。 反応温度は通常−30℃〜100℃、好ましくは−20℃〜9
0℃で行われる。 反応時間は特に制限されず、原料のエタノール誘導体
〔45〕が消失した時点を反応の終点とすることができ
る。 エステル類〔44〕の取出しは、反応混合物に通常の分
離手段、たとえば抽出、分液、濃縮、再結晶等の後処理
操作を加えることにより行われる。 一般式〔45〕で示されるエタノール誘導体は、一般式
〔46〕 （式中、Ｙ′は塩素、臭素又は沃素原子を示す。） で示されるグリニャール化合物とアセトアルヒデドを反
応させることにより製造することができる。 グリニャール化合物〔46〕は、対応するハロゲンナフ
タリン誘導体とマグネシウムから容易に製造することが
できる。 この反応は、通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒とし
てはエチルエーテルもしくはテトラヒドロフラン等のエ
ーテル類あるいはベンゼン、トルエンもしくはキシレン
等の芳香族炭化水素類などの単独もしくは混合物が挙げ
られ、これらの使用量は特に制限されない。 反応温度は、通常、−100℃〜80℃、好ましくは−80
℃〜50℃で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのエタノール誘導体〔45〕の取出し
は、例えば、酸による加水分解、抽出、分液、濃縮およ
び再結晶またはカラムクロマトグラフィー等の通常の後
処理により行われる。 （３） 光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール
誘導体〔８〕の製造法 光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体
〔８〕は、以下に示した方法により前述した光学活性な
ヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕の製造法（２−ａ）
で得た光学活性なジオール類〔26〕から誘導することが
できる。 （上記反応式中、R1、ｎおよび＊印は前記と同じ意味
を表す。） 以下、詳細に説明する。 目的化合物である光学活性なアルコキシナフタレンア
ルカノール誘導体〔８〕は、光学活性なジオール類〔2
6〕を前記一般式〔７〕で示されるアルキル化剤と反応
させ、光学活性なジオール類〔26〕のフェノール性水酸
基のみを選択的にアルキル化することにより製造するこ
とができる。 このアルキル化反応では、触媒として塩基が使用され
る。 かかる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム等の炭酸アルカリ金属、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、ナトリウムメチ
ラート、ナトリウムエチラート等のアルカリ金属アルコ
ラート等があげられる。 このような塩基は、原料の光学活性なジオール類〔2
6〕に対して１当量倍以上必要であり、通常、１〜５当
量倍用いられる。 反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチルエーテル、アセトン、メチルエチルケ
トン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等
のエーテル、ケトンまたは非プロトン性極性溶媒等の反
応に不活性な溶媒の単独または混合物が用いられる。 アルキル化剤〔７〕の使用量は、原料の光学活性なジ
オール類〔26〕に対して１当量倍以上任意であるが、通
常、１〜５当量倍の範囲である。 反応温度は、通常、−20℃〜150℃、好ましくは、０
℃〜130℃の範囲である。 反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なジオー
ル類〔26〕の消失をもって反応終了とすることができ
る。 目的化合物である光学活性なアルコキシナフタレンア
ルカノール誘導体〔８〕の反応混合物からの取り出し
は、例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を
加えることにより行われる。 また光学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘
導体〔８〕のうち、ｎが２〜６の場合は以下に示す方法
により製造することができる。 （上記反応式中、R1、R3、、ｎおよび＊印は前記と同
じ意味を表し、Ｘ′は臭素またはヨウ素原子を示す。） 以下、各工程について詳細に説明する。 上記一般式〔38〕）で示される、２−アルコキシ−６
−ハロナフタレンと、オレフィン類〔32〕とを、金属触
媒と塩基性物質存在化で反応させることにより製造する
ことができる。 ２−アルコキシ−６−ハロナフタレン〔38〕は公知化
合物であり、オレフィン類〔32〕も文献記載の方法に準
じて製造することができる。 この反応は、（２−ｃ）の光学活性なヒドロキシナフ
タレン誘導体〔５〕製造方法において、２−ベンジルオ
キシ−６−ハロナフタレン〔31〕とオレフィン類〔32〕
とを、金属触媒と塩基性物質存在化で反応させることに
より不飽和ナフタレン類〔33〕を製造する方法と同様で
ある。 反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃
縮等の操作により反応混合物から目的とするアルコキシ
ナフタレン不飽和低級エステル化合物〔39〕）を単離す
ることができる。 次に、光学活性なアルコキシナフタレン不飽和アルカ
ノール類〔40〕および光学活性なアルコキシナフタレン
不飽和低級エステル類〔41〕は、上で得たアルコキシナ
フタレン不飽和低級エステル化合物〔39〕を、該アルコ
キシナフタレン不飽和低級エステル化合物の光学異性体
のうちいずれか一方のみを加水分解する能力を有するエ
ステラーゼを用いて不斉加水分解することにより製造す
ることができる。 この反応、は（１−ａ）で説明した光学活性なナフタ
レンカルボン酸誘導体〔２〕の製造方法における、光学
活性なアルカノール類〔15〕および〔16〕で示される光
学活性な低級アルキルエステル類を、アセチルナフタレ
ン類〔14〕から製造する反応と同様にして、製造するこ
とができる。 このような光学活性なアルコキシナフタレン不飽和ア
ルカノール類〔40〕および光学活性なアルコキシナフタ
レン不飽和低級エステル類〔41〕の反応混合物からの取
り出しおよび分離は、反応混合物に通常の後処理、例え
ば、酢酸エチル等の溶媒により抽出処理し、得られた有
機層から溶媒を留去した後、濃縮残査をカラムクロマト
グラフィーで処理する等の方法により行われる。 また、このようにして得られた光学活性なアルコキシ
ナフタレン不飽和低級エステル類〔41〕は、必要に応じ
て更に加水分解することにより、光学活性なアルコキシ
ナフタレン不飽和アルカノール類〔40〕を得ることがで
きる。 ここで得られる光学活性なアルコキシナフタレン不飽
和アルカノール類〔40〕は、先に不斉加水分解反応によ
り得た光学活性なアルコキシナフタレン不飽和アルカノ
ール類〔40〕とは対掌体の関係にある。 なお、光学活性なアルコキシナフタレン不飽和低級エ
ステル類〔41〕の加水分解は、一般的なエステル化合物
の加水分解反応の条件が適用され、特に限定されるもの
ではない。 また目的化合物である光学活性なアルコキシナフタレ
ン誘導体〔８〕は、上で得た光学活性なアルコキシナフ
タレン不飽和アルカノール類〔40〕を水添触媒の存在
下、接触水素添加して二重結合を飽和化することにより
製造することができる。 この反応は前述した光学活性な不飽和ナフタレン類
〔37〕を水添触媒の存在下、接触水素添加して光学活性
なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕を得る反応と同様
である。 次に、光学活性なナフタレンカルボ酸誘導体〔２〕、
光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕および光
学活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体
〔８〕の共通の原料化合物であるアルコール化合物〔1
2〕の製造法について説明する アルコール化合物〔12〕は、種々の方法により製造す
ることができるが、以下にその主な製造法を示す。 ［製造法１］ （式中、Ｚおよびｎは前記と同じ意味を表す。） で示されるハロアルキルナフタレン類をマグネシウム
と反応させてグリニャール試薬を製造し、このグリニャ
ール試薬をアセトアルデヒドと反応させることにより製
造することができる。 この反応は、一般的なグリニャール反応の条件が適用
され、特に制限されない。 なお、原料となるハロアルキルナフタレン類〔47〕
は、以下に示すような方法で得ることができる。 ｎが１から３の場合には、一般式〔48〕 （式中、Ｚは前記と同じ意味を表す。） で示されるハロゲン化ナフタレン類をマグネシウムと
反応させてグリニャール試薬を製造し、このグリニャー
ル試薬をホルムアルデヒド、酸化エチレンまたはオキセ
タンと反応させて、ハロアルキルナフタレン類〔47〕に
対応するヒドロキシアルキルナフタレン類を得、さらに
このヒドロキシアルキルナフタレン類の水酸基を公知の
方法により、ハロゲン原子に置換することにより製造す
ることができる。 また、ｎが３から６の場合には、ハロゲン化ナフタレ
ン類〔43〕とマグネシウムから製造されるグリニャール
試薬をJ.Am.Chem.Soc.,96,7101（1974）に記載の方法に
準じて、テトラクロロ銅（II）ジリチウムを触媒とし
て、一般式〔49〕 （式中、Ｚは前記と同じ意味を表す。） で示されるジハロアルカン類とカップリング反応させ
ることにより製造することができる。 ［製造法２］ アルコール化合物〔12〕は一般式〔50〕 （式中、Ｚおよびｎは前記と同じ意味を表す。） で示されるハロアルキルナフタレン類をマグネシウム
と反応させてグリニャール試薬を製造し、このグリニャ
ール試薬を酸化プロピレンと反応させることにより製造
することができる。 この反応は、一般的なグリニャール反応の条件が適用
され、特に制限されない。 なお、原料となるハロアルキルナフタレン類〔50〕
は、先に説明したハロアルキルナフタレン類〔47〕と同
様にして得ることができる。 ［製造法３］ アルコール化合物〔12〕は、以下に示す方法によって
も製造することができる。 すなわち、前記一般式〔48〕で示されるハロゲン化ナ
フタレン類をニッケル触媒の存在下、一般式〔51〕 （式中、Ｚおよびｎは前記と同じ意味を表す。） で示される環状ケタール化合物とマグネシウムから調
製されるグリニャール試薬と反応させて一般式〔52〕 （式中、ｎおよびｑは前記と同じ意味を表す。） で示される環状ケタール類を得、次いで、該環状ケタ
ール類を加水分解して、一般式〔53〕 （式中、ｎは前記と同じ意味を表す。） で示されるケトン類を得、さらに該ケトン類を還元す
ることにより、目的とするアルコール化合物〔12〕を製
造することができる。 第一段目のグリニャール反応において用いられるグリ
ニャール試薬は、環状ケタール化合物〔51〕とマグネシ
ウムから公知の方法によって製造することができ、該グ
リニャール試薬は、原料のハロゲン化ナフタレン類〔4
8〕に対して１当量倍以上、好ましくは、１〜３当量倍
使用される。 ニッケル触媒としては、塩化ニッケル、臭化ニッケ
ル、ヨウ化ニッケル、ビス（アセチルアセトナト）ニッ
ケル、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケ
ル、ジクロロ［1,2−ビス（ジフェニルホスフィノ）エ
タン］ニッケル、ジクロロ［1,3−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）プロパン］ニッケルまたはジクロロ［1,4−
ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］ニッケル等が例
示され、これらの中でもジフェニルホスフィノ基または
トリフェニルホスフィン基を有するニッケル触媒が好ま
しく使用される。 該ニッケル触媒は、通常、原料のハロゲン化ナフタレ
ン類〔48〕に対して0.01〜50モル％、好ましくは、0.1
〜10モル％使用される。 反応溶媒としては、エチルエーテルまたはテトラヒド
ロフラン等のエーテル類あるいはベンゼン、トルエンも
しくはキシレン等の芳香族炭化水素類等の単独もしくは
混合物があげられ、これらの溶媒の使用量は特に制限さ
れない。 反応は、通常、−100〜80℃、好ましくは、−80〜50
℃で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からの環状ケタール類〔52〕の取り出し
は、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等
の操作を加えることにより行われ、必要に応じて再結晶
またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法に
より、精製することもできるが、精製せずに第二段目の
加水分解反応に供することもできる。 第二段目の加水分解反応は、ケタール基を加水分解し
てケトン基とする反応である。この反応は、通常、水溶
媒中、酸触媒の存在下で行われ、かかる酸触媒としては
塩酸、硫酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、ケイ
酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が
例示される。 反応は、水溶媒中で行われるが、原料のハロゲン化ナ
フタレン類〔48〕と水との相溶性を向上させるためにし
ばしば有機溶媒が併用され、このような有機溶媒として
は、メタノール、エタノールもしくはイソプロピルアル
コール等のアルコール類、テトラヒドロフランもしくは
ジオキサン等のエーテル類、アセトンもしくはメチルイ
ソブチルケトン等のケトン類、ベンゼンもしくはトルエ
ン等の芳香族炭化水素類またはジクロルメタンもしくは
クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類が等が例示され
る。 反応は、通常、−30〜100℃、好ましくは、20〜80℃
で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのケトン類〔53〕の取り出しは、通常
の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等の操作を
加えることにより行われ、必要に応じて再結晶またはシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法により、精
製することもできる。 第三段目の還元反応は、ケトン類〔53〕を還元してア
ルコール化合物〔12〕を得る反応である。 この反応では、ケトンをアルコールに還元する還元剤
が用いられ、かかる還元剤としては、水素化アウミニウ
ムリチウム、水素化ホウ素ナトリウムあるいは水素化ホ
ウ素等が例示され、これらの還元剤は原料のケトン類
〔53〕に対して１当量倍以上、通常、１〜10当量倍使用
される。 この反応は、溶媒中で行われ、かかる溶媒としては、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエーテル等の
エーテル類、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルア
ルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類、
ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、クロロホル
ム、ジクロルメタン等のハロゲン化炭化水素類等の単独
もしくは混合物が例示される。 反応は、通常、−30〜100℃、好ましくは、−20〜90
℃で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのアルコール化合物〔12〕の取り出し
は、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等
の操作を加えることにより行われ、必要に応じて再結晶
またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法に
より、精製することもできる。 ［製造法４］ アルコール化合物〔12〕のうちｎが２〜６の場合に
は、以下に示す方法によっても製造することができる。 すなわち、前記一般式〔50〕で示されるハロアルキル
ナフタレン類を塩基性物質の存在下に、一般式〔54〕 （式中、R3は前記と同じ意味を表す。） で示されるアセト酢酸エステル類と反応させて、一般
式〔55〕 （式中、R3は前記と同じ意味を表し、ｎ′は２〜６の
整数を示す。） で示されるケトエステル類を得、次いで該ケトエステ
ル類を塩基性条件下で加水分解し、さらに酸性条件下で
脱炭酸させて、一般式〔56〕 （式中、ｎ′は前記と同じ意味を表す。） で示されるケトン類を得、次いで該ケトン類を還元す
ることにより、目的とするアルコール化合物〔12〕（但
し、ｎが２〜６までの整数）を得ることができる。 第一段目のアルキル化反応において使用される塩基性
物質としては、具体的には、ナトリウム、カリウム、水
素化ナトリウム、水素化カリウム、ナトリウムメチラー
ト、ナトリウムエチラート、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、炭酸ナトリウムまたは炭酸カリウム等が例示
され、これらの塩基性物質は、原料のハロアルキルナフ
タレン類〔50〕に対して１当量倍以上必要であり、通
常、１〜５当量倍使用される。 反応溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール
等のアルコール類、テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル等のエーテル類、アセトン、メチルイソブチルケトン
等のケトン類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素
類、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類も
しくはジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等
の非プロトン性極性溶媒等の単独もしくは混合物があげ
られ、その使用量は特に制限されない。 反応は、通常、−20〜120℃、好ましくは、０〜100℃
で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのケトエステル類〔55〕の取り出し
は、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等
の操作を加えることにより行われる。 第二段目の加水分解および脱炭酸反応のうち加水分解
反応は、水溶媒中、塩基性物質の存在下に行われる。 この反応で用いられる塩基性物質としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属など
が例示され、該塩基性物質は、原料のケトエステル類
〔55〕に対して１当量倍以上、通常、１〜10当量倍使用
される。 この反応では、水に加えて、メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール等のアルコール類、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等の有機溶媒
を使用することもでき、これらの有機溶媒の使用によ
り、加水分解反応を有利に行うことができる。 反応は、通常、０〜120℃、好ましくは、20〜100℃で
行い、反応時間は特に制限されない。 反応終了後、通常は反応混合物から加水分解生成物の
取り出しを行うことなく、続く脱炭酸反応に供する。 この脱炭酸反応は、硫酸、塩酸、酢酸等の酸の存在下
に行われ、該酸は先に得た加水分解生成物に対して１当
量倍以上、通常、１〜10当量倍使用される。 反応は、通常、−20〜100℃、好ましくは、０〜80℃
で行い、反応時間は特に制限されない。 反応混合物からのケトン類〔56〕の取り出しは、通常
の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等の操作を
加えることにより行われる。 第三段目の還元反応は、先に、アルコール化合物〔1
2〕の製造法３において説明したケトン類〔48〕からア
ルコール化合物〔12〕を得る反応と全く同様の反応であ
り、ケトン類〔46〕を還元剤により還元することによ
り、目的とするアルコール化合物〔12〕（但し、ｎが２
〜６までの整数）を得ることができる。 つぎに、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕
の原料化合物の１つである光学活性なアルキルナフタレ
ンアルカノール誘導体〔11〕の製造法について説明す
る。 光学活性なアルキルナフタレンアルカノール誘導体
〔11〕は、一般式〔57〕 （式中、R1およびＺは前記と同じ意味を表す。） で示されるハロゲン化ナフタレン類を先に説明したア
ルコール化合物〔12〕の製造法において原料として用い
たハロゲン化ナフタレン類〔48〕に代えて原料として用
い、アルコール化合物〔12〕の製造法１〜４に記載のい
ずれか１つの方法に準じて反応を行って、一般式〔58〕 （式中、R1およびｎは前記と同じ意味を表す。） で示されるアルコール化合物を得、次いでこのアルコ
ール化合物を既述した光学活性なナフタレンカルボン酸
誘導体〔２〕の製造法（１−ａ）におけるアルコール化
合物〔12〕から低級アルキルエステル類〔13〕を得る方
法に準じてエステル化して、一般式〔59〕 （式中、R1、R3およびｎは前記と同じ意味を表す。） で示される低級アルキルエステル類を得、さらに、該
低級アルキルエステル類を既述した光学活性なナフタレ
ンカルボン酸誘導体〔２〕の製造法（１−ａ）における
アセチルナフタレン類〔14〕から光学活性なアルカノー
ル類〔15〕および光学活性な低級アルキルエステル類
〔16〕を得る方法に準じて不斉加水分解することにより
製造することができる。 また光学活性なアルキルナフタレンアルカノール誘導
体〔11〕のうちｎが２〜６までの整数である場合は以下
に示す方法により製造することができる。 （上記反応式中、R1、R3、Ｘ′、ｎおよび＊印は前記
と同じ意味を表す。） 以下、各工程について詳細に説明する。 一般式〔61〕で示されるアルキルナフタレン不飽和低
級エステル類は、２−アルキル−６−ハロナフタレン
〔60〕と、オレフィン類〔32〕とを、金属触媒と塩基性
物質存在化で反応させることにより製造することができ
る。 ２−アルキル−６−ハロナフタレン〔60〕は公知化合
物であり、オレフィン類〔32〕も文献記載の方法に準じ
て製造することができる。 この反応および後処理操作は、（２−ｃ）の光学活性
なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕の製造方法におい
て、、２−ベンジルオキシ−６−ハロナフタレン〔31〕
とオレフィン類〔31〕とを、金属触媒と塩基性物質存在
化で反応させることにより不飽和ナフタレン類〔32〕を
製造する方法と同様である。 次に、光学活性なアルキルナフタレン不飽和アルカノ
ール類〔62〕および光学活性なアルキルナフタレン不飽
和低級エステル類〔63〕は、上で得たアルキルナフタレ
ン不飽和低級エステル類〔61〕を、該アルキルナフタレ
ン不飽和低級エステル類の光学異性体のうちいずれか一
方のみを加水分解する能力を有するエステラーゼを用い
て不斉加水分解することにより製造することができる。
この反応、は（１−ａ）で説明した光学活性なナフタレ
ンカルボン酸誘導体〔２〕の製造方法における、光学活
性なアルカノール類〔15〕および〔16〕で示される光学
活性な低級アルキルエステル類を、アセチルナフタレン
類〔14〕から製造する反応と同様にして、製造すること
ができる。 このような光学活性なアルキルナフタレン不飽和アル
カノール類〔62〕および光学活性なアルキルナフタレン
不飽和低級エステル類〔63〕の反応混合物からの取り出
しおよび分離は、反応混合物に通常の後処理、例えば、
酢酸エステル等の溶媒により抽出処理し、得られた有機
層から溶媒を留去した後、濃縮残査をカラムクロマトグ
ラフィーで処理する等の方法により行われる。 また、このようにして得られた光学活性なアルキルナ
フタレン不飽和低級エステル類〔63〕は、必要に応じて
更に加水分解することにより、光学活性なアルキルナフ
タレン不飽和アルカノール類〔62〕を得ることができ
る。 ここで得られる光学活性なアルキルナフタレン不飽和
アルカノール類〔62〕は、先に不斉加水分解反応により
得た光学活性なアルキルナフタレン不飽和アルカノール
類〔62〕とは対掌体の関係にある。 なお、光学活性なアルキルナフタレン不飽和低級エス
テル類〔63〕の加水分解は、一般的なエステル化合物の
加水分解反応の条件が適用され、特に限定されるもので
はない。 また目的化合物である光学活性なアルキルナフタレン
誘導体〔11〕は、上で得た光学活性なアルキルナフタレ
ン不飽和アルカノール類〔62〕を水添触媒の存在下、接
触水素添加して二重結合を飽和化することにより製造す
ることができる。 この反応は前述した光学活性な不飽和ナフタレン類
〔37〕）を水添触媒の存在下、接触水素添加して光学活
性なヒドロキシナフタレン誘導体〔５〕を得る反応と同
様である。 以上説明した製造法により、一般式〔１〕で示される
光学活性なナフタレン誘導体が得られるが、該誘導体を
液晶の構成成分、特に強誘電性液晶の構成成分として利
用する場合には、一般式〔１〕における置換基R2がハロ
ゲン原子を含まないアルキル基またはアルコキシアルキ
ル基であるものが好ましく、また、実用化に際し、より
好ましい諸物性を示すものとして、ｎが４または５であ
る化合物があげられる。 本発明のうち、液晶組成物は、前記一般式〔１〕で示
される光学活性なナフタレン誘導体を少なくとも１種類
配合成分として含有するものである。 該液晶組成物は光学活性なナフタレン誘導体〔１〕を
得られる液晶組成物の0.1〜99.9重量％、特に好ましく
は１〜99重量％含有する。 また、かかる液晶組成物を用いることにより液晶素
子、例えば、光スイッチング素子として有効に利用する
ことができるが、この場合の液晶組成物の使用方法は、
公知の方法がそのまま適用でき、特に制限されない。 〈発明の効果〉 一般式〔１〕で示される光学活性なナフタレン誘導体
は、液晶化合物として非常に優れた特性を有しており、
中でもSc＊相を有する化合物は、液晶組成物の１成分と
して用いることにより、Sc＊相の温度範囲を広めること
に有効である。また、単独ではSc＊相を示さない化合物
においても、液晶組成物の自発分極を誘起させる成分と
して有効に使用することができる。 また、本発明の光学活性なナフタレン誘導体〔１〕
は、粘性係数が小さく、液晶素子の応答速度を速めるの
に有効である。 以上の優れた特性により、本発明の光学活性なナフタ
レン誘導体〔１〕は、液晶組成物として、さらには、そ
れを用いた液晶素子として有効に利用することができ
る。 さらに、本発明の方法によれば、光学活性なナフタレ
ン誘導体〔１〕が好収率かつ容易に得られ、工業的に有
利である。 〈実施例〉 以下、製造例および実施例により、本発明を説明す
る。 〔アルコール化合物（12）の製造例〕 製造例１ 温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した四つ口
フラスコにマグネシウム片2.4g（0.1モル）および無水
テトラヒドロフラン20mlを仕込み、２−ブロモナフタレ
ン2.1g（10ミリモル）と無水テトラヒドロフラン10mlの
混合物および少量のヨウ素を加えた。 この混合物を昇温して、溶媒を還流させた後、２−ブ
ロモナフタレン18.9g（90ミリモル）と無水テトラヒド
ロフラン90mlの混合物を滴下した。滴下終了後、還流下
で２時間攪拌した後、室温まで冷却した。 この混合物を、０〜５℃で酸化プロピレン4.8g（0.11
モル）および無水テトラヒドロフラン50mlの混合物中
に滴下した。滴下終了後、同温で２時間攪拌し、さらに
室温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を０〜５℃に冷却し、1N塩酸
100mlを加えた後、エチルエーテル300mlを加え抽出、分
液した。得られた有機層を水、５％重曹水、飽和食塩水
の順に洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減
圧下に濃縮した。 得られた残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝20/1に供し、２−
（２−ヒドロキシプロピル）ナフタレン（12-1）15.4g
（収率82.5％）を得た。 製造例２ 温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した４つ口
フラスコにアセト酢酸エチル179g（1.375モル）および
エタノール（500ml）を仕込み、ここに、ナトリウム31.
5g（1.375モル）を少量づつ加え、溶解させた。この溶
液に２−ブロモメチルナフタレン276.4g（1.25モル）の
エタノール1000ml容液を室温で２時間かけて滴下した。
滴下終了後、65℃まで昇温し、同温度で６時間攪拌し
た。反応終了後、減圧下にエタノールを留去し、得られ
た残査にトルエン（1500ml）を加えて抽出し、有機層を
分液した。有機層を10％塩酸、水、５％重曹水、水の順
に洗浄し、その後、減圧濃縮して２−（２−エトキシカ
ルボニル−３−オキソブチル）ナフタレン385.4gを粗生
成物として得た。 このものをイソプロピルアルコール1000mlに溶解し、
水酸化カリウム140.5g（2.5モル）の1000ml水溶液を加
え、80℃に昇温して３時間保温した。保温終了後、０〜
５℃に冷却し、同温度で50％硫酸540gを１時間かけて滴
下した。滴下終了後、室温で１時間攪拌した。反応混合
物にトルエン1500mlを加え、抽出し有機層を分液した。
その後、減圧濃縮して黄褐色固体290.8gを得た。このも
のをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ト
ルエン／酢酸エチル＝20/1）に付して２−（３−オキソ
ブチル）ナフタレン（47-1）113g（２−ブロモメチルナ
フタレンからの通算収率45.5％、融点56〜58℃）を淡黄
色固体として得た。 次に、エタノール1000mlに（47-1）99g（0.5モル）を
懸濁させ、ここに水素化ホウ素ナトリウム9.5g（0.25モ
ル）を仕込み、室温で５時間攪拌した。反応終了後、ト
ルエン1500mlおよび水500mlを加えて抽出して分液後、
有機層を水で洗浄し、その後、濃縮して２−（３−ヒド
ロキシブチル）ナフタレン（12-2）100g（収率100％）
を淡黄色固体として得た。 製造例３ 温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した四つ口
フラスコにマグネシウム片2.6g（105ミリモル）、無水
エチルエーテル20mlをおよび無水テトラヒドロフラン20
mlを仕込み、２−（３−クロロプロピル）−２−メチル
−1,3−ジオキソラン17.3g（10.5ミリモル）と少量のヨ
ウ素を加えた。 この混合物を昇温して、溶媒を還流させた後、15.57g
（94.5ミリモル）の２−（３−クロロプロピル）−２−
メチル−1,3−ジオキソランを滴下した。滴下終了後、
還流下で12時間攪拌し、その後、室温まで冷却した。 この混合物を、０〜５℃で２−ブロモナフタレン20.7
g（100ミリモル）、ジクロロ〔1,3−ビス（ジフェニル
ホスフィ））プロパン〕ニッケル0.43g（0.8ミリモル）
およびジエチルエーテル150mlの混合物中に滴下した。
滴下終了後、室温まで昇温し、同温度で20時間攪拌し
た。 反応終了後、1N塩酸200ml中に反応混合物を注ぎ入
れ、得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥して、その後減圧下に
濃縮した。 得られた残査をテトラヒドロフラン80mlに溶解させ、
この溶液に1N塩酸150mlを加え、室温で12時間攪拌し
た。 反応終了後、反応混合物に酢酸エチル300mlを加えて
抽出した。得られた有機層を５％水酸化ナトリウム水溶
液、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。 得られた残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝10/1）に供して２−
（４−オキソペンチル）ナフタレン（47-2）11.7g（２
−ブロモナフタレンに対する収率55.1％を淡黄色液体と
して得た。 ここで得た（47-2）10.6g（50ミリモル）をエタノー
ル100mlに溶かした後、水素化ホウ素ナトリウム0.95g
（25ミリモル）を加えて室温で３時間攪拌した。 反応終了後、酢酸エチル200mlおよび水100mlを加えて
抽出、分液後、得られた有機層を水で洗浄し、有機層を
さらに減圧濃縮して２−（４−ヒドロキシペンチル）ナ
フタレン（12-3）10.6g（収率98.8％）を得た。 製造例４ 温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した４つ口
フラスコにマグネシウム片4.9g（0.2モル）および無水
テトラヒドロフラン50mlを仕込み、２−ブロモナフタレ
ン8.3g（0.04モル）の無水テトラヒドロフラン（10ml）
溶液を加えた。この混合物に昇温に少量のヨウ素を加
え、30分放置した後、攪拌下に２−ブロモナフタレン3
3.2g（0.16モル）の無水テトラヒドロフラン（40ml）溶
液を滴下した。滴下終了後、反応混合物を昇温して２時
間還流した。その後室温まで冷却した。 この混合物を０〜５℃でオキセタン13.9g（0.24モ
ル）および無水テトラヒドロフラン50mlの混合物中に滴
下し、滴下終了後室温まで昇温して同温度で10時間攪拌
した。 反応終了後、1N塩酸200ml中に反応混合物を注ぎ入
れ、エーテル300mlで抽出処理した。得られた有機層を
水、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥の後、得られたエーテル溶液を減圧濃
縮した。 得られた濃縮残渣をトルエン−ヘキサン混合液から再
結晶して２−（３−ヒドロキプロピル）ナフタレン24.3
g（収率65％）を得た。 次に、２−（３−ヒドロキシプロピル）ナフタレン2
2.4g（0.12モル）を四塩化炭素150mlに溶かし、この溶
液に０〜５℃で三臭化リン16.2g（0.06モル）を滴下し
た。滴下終了後、室温まで昇温し、同温度で５時間攪拌
した。 反応終了後、反応混合物に氷水中に注ぎ入れ、分液
後、得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：
トルエン／酢酸エチル20/1）に供して２−（３−ブロモ
プロピル）ナフタレン25.4g収率85％）を淡黄色固体と
して得た。 ここで得た２−（３−ブロモプロピル）ナフタレン2
5.1gを製造例２で原料として用いた２−ブロモメチルナ
フタレンに代えて原料とする以外は製造例２と同様に２
て以下の反応を行い、２−（５−ヒドロキシヘキシル）
ナフタレン15.8g（２−（３−ブロモプロピル）ナフタ
レンからの通算収率69％）を得た。 製造例５ 温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した四つ口
フラスコにマグネシウム片4.9g（0.2モル）および無水
テトラヒドロフラン50mlを仕込み、２−ブロモナフタレ
ン4.2g（20ミリモル）と無水テトラヒドロフラン5mlの
混合物および少量のヨウ素を加えた。 この混合物を昇温して、溶媒を還流させた後、２−ブ
ロモナフタレン37.4g（180ミリモル）と無水テトラヒド
ロフラン45mlの混合物を滴下した。滴下終了後、還流下
で２時間攪拌した後、０〜５℃に冷却した。 得られた混合物に1,4−ジブロモブタン54.0g（0.25モ
ル）および無水テトラヒドロフラン80mlを加えた後、さ
らに塩化リチウム0.17g、塩化第二銅0.27gおよび無水テ
トラヒドロフラン20mlの混合物を加えた。 得られた混合物を０〜５℃で２時間攪拌した後、室温
まで昇温し、さらに５時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を０〜５℃に冷却し、1N塩酸
200mlを加えた後、トルエン500mlを加え、抽出、分液し
た。得られた有機層を水、５％重曹水、飽和食塩水の順
に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧濃縮
して、２−（４−ブロモブチル）ナフタレン55.2gを粗
生成物として得た。 次に、温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した
四つ口フラスコにアセト酢酸エチル78.1g（0.6モル）お
よびエタノール400mlを仕込み、ここにナトリウム13.8g
（0.6モル）を少量ずつ加え、溶解させた。 得られた溶液に先に得た粗２−（４−ブロモブチル）
ナフタレン55.2gを室温で滴下した。滴下終了後、昇温
し、溶媒還流下で５時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、濾過し
た。得られた濾液を減圧下に濃縮し、残渣にトルエン50
0mlを加え、これを水、10％塩酸、水、５％重曹水、飽
和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の
後、減圧濃縮して２−（５−エトキシカルボニル−６−
オキソヘプチル）ナフタレン80.5gを粗生成物として得
た。 ここで得た２−（５−エトキシカルボニル−６−オキ
ソヘプチル）ナフタレンをさらに精製することなく、イ
ソプロピルアルコール200mlに溶解させ、20％水酸化カ
リウム水溶液250mlを加え、80℃に昇温して５時間攪拌
した。その後、０〜５℃まで冷却し、同音で濃塩酸をpH
1〜２となるまで加えた。その後、室温まで昇温して１
時間攪拌した後、反応混合物にトルエン500mlを加え、
抽出した。得られた有機層を水、５％重曹水、飽和食塩
水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減
圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝20/1）に供して、２
−（６−オキソヘプチル）ナフタレン26.5g（２−ブロ
モナフタレンからの通算収率55％）を得た。 次にここで得た２−（６−オキソヘプチル）ナフタレ
ン24.1g（0.1モル）をエタノール200mlに溶解させ、０
〜５℃で水素化ホウ素ナトリウム1.9g（50ミリモル）を
加え、同温で１時間攪拌し、さらに室温まで昇温して２
時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエ
ン300mlで抽出した。得られた有機層を水および飽和食
塩で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧濃
縮して、２−（６−ヒドロキシヘプチル）ナフタレン2
4.3g（収率100％）を得た。 製造例６ 製造例５で用いた1.4−ジブロモブタンに代えて1.5−
ジブロモペンタンを用いる以外は製造例５と同様にして
反応および後処理を行い、２−（７−ヒドロキシオクチ
ル）ナフタレン31.3g（２−ブロモナフタレンからの通
算収率61％）を得た。 〔光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体（２）の製造
例〕 製造例７ 温度計および攪拌装置を装置した４つ口フラスコに製
造例１で得た（12-1）15.1g（0.08モル）、トルエン50m
lおよびピリジン20mlを仕込み、その後、無水酢酸10.2g
（0.1モル）および４−ジメチルアミノピリジン0.1gを
加えて、40〜50℃で４時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を4N塩酸50ml中に注ぎ出し、
抽出および分液した後、得られた有機層を1N塩酸、水、
５％重曹水、水の順に洗浄した。有機層を減圧下に濃縮
して、２−（２−アセトキシプロピル）ナフタレン（13
-1）18.2g（収率99.0％）を得た。▲n20 D▼＝1.5413 次に、無水ニトロベンゼン80ml、塩化アセチル11.8g
（0.15モル）および塩化アルミニウム20.0g（0.15モ
ル）の混合物を室温で30分間攪拌し、塩化アルミニウム
をほとんど溶解させた。この溶液を０〜５℃に冷却し、
上で得た（13-1）16.1gのニトロベンゼン50ml溶液を同
温で滴下した。滴下終了後、同温で２時間保温した後、
反応し混合物を水500mlに注ぎ入れ、抽出して有機層を
分液した。有機層を水で洗浄した後、減圧下に濃縮して
黄色固体を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝10/1）により
精製して２−（２−アセトキシプロピル）−６−アセチ
ルナフタレン（14-1）11.6g（収率60.5％）を得た。 上で得た（14-1）10.9g（40ミリモル）をクロロホル
ム20mlに溶解させ、0.3Mリン酸バッファー400mlおよび
リパーゼ（「アマノＰ」）1.8gを加えて、36±２℃で48
時間激しく攪拌した。 反応終了後、反応混合物に酢酸エチル300mlを加え、
濾過した後、抽出、分液した。有機層を水で洗浄した
後、減圧下に濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル
＝10/1）に供し、（−）−２−（２−アセトキシプロピ
ル）−６−アセチルナフタレン（15-1）6.0g〔収率55.0
％、▲〔α〕20 D▼＝−8.6°（ｃ＝1.0,CHCl3）〕と
（−）−２−（２−ヒドロキシプロピル）−６−アセチ
ルナフタレン（15-1）3.8g〔収率41.0％、▲〔α〕20 D
▼＝−13.3°（ｃ＝1.0,CHCl3）を得た。 次に、攪拌装置および温度計を装置した４つ口フラス
コに、上記の方法により得られた（15-1）22.8g（0.1モ
ル）、酸化銀69.5g（0.3モル）およびヨウ化プロピル25
5g（1.5モル）を仕込み、室温で15日間攪拌した。その
後、反応混合物をクロロホルム300mlで希釈し、銀塩を
濾別した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エ
チル＝10/1）に供して（−）−６−アセチル−２−（２
−プロポキシプロピル）ナフタレン（17-1）12.2g〔収
率58.2％）〔▲〔α〕20 D▼＝−7.2°（ｃ＝１、CHC
l3）〕および原料（15-1）9.2g（回収率40.2％）を得
た。 上で得た（17-1）1.7g（6.4ミリモル）のジオキサン8
0ml溶液を、20％水酸化ナトリウム水溶液80mlおよび臭
素8.2g（51.5ミリモル）より調製した次亜臭素酸ナトリ
ウム水溶液中に加えた室温で８時間攪拌した。この反応
混合物に亜硫酸水素ナトリウム4.0gを加え30分間攪拌し
た後、塩酸を加えてpH1〜２に調整した。この混合物を
エーテル100mlで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄
し、その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒
を減圧下に留去して（−）−６−（２−プロポキシプロ
ピル）−２−ナフタレンカルボン酸（２−１）1.7g（収
率98％、▲〔α〕20 D▼＝−11.8°（ｃ＝１、CH3OH））
を得た。 製造例８〜20 製造例７で原料として用いた（12-1）に代えて、製造
例２〜６で製造した（12-2）から（12-6）のうちいずれ
か１化合物を原料とし、さらに製造例７においてアルキ
ル化剤として用いたヨウ化プロピルに代えて表−１に記
載のアルキル化剤を用いる以外は、製造例７に準拠して
反応および後処理を行った。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−１に示
す。 製造例21 製造例７に記載の方法により得られた（15-1）22.8g
（0.1モル）を無水ジメチルホルムアミド100mlに溶か
し、イミダゾール7.15g（0.105モル）を加え、25〜30℃
で６時間攪拌した。 反応終了後、水中に注ぎ入れ、トルエン400mlを加
え、さらに塩酸を加えて水層のpHを１〜２とし、抽出、
分液した。得られた有機層を水、５％重曹水、水の順に
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧濃縮し
て、（−）−６−（２−（ｔ−ブチル−ジメチルシロキ
シ）プロピル）−２−アセチルナフタレン（14-1）33.2
g（収率97％、▲〔α〕20 D▼＝−8.1°（ｃ＝１、CHC
l3））を得た。 上で得た（14-1）17.1g（50ミリモル）をジオキサン2
00mlに溶かし、20％水酸化ナトリウム水溶液600mlと臭
素30mlから調整した次亜臭素酸ナトリウム溶液に加え、
室温で一昼夜攪拌した。 反応終了後、反応混合物に水500mlおよび亜硫酸ナト
リウム50gを加えて攪拌した後、塩酸でpH1〜２とし、ト
ルエンで抽出した。得られた有機層を水洗、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧濃縮した。得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トル
エン／酢酸＝20/1）に供し、（−）−６−（２−（ｔ−
ブチルジメチルシロキシ）プロピル）−２−ナフタレン
カルボン酸（20-1）14.8g（収率86％，▲〔α〕20 D▼＝
−12.1°（ｃ＝1,CHCl3））を得た。 上で得た（20-1）13.8g（40ミリモル）をテトラヒド
ロフラン100mlに溶かし、テトラブチルアンモニウムフ
リオリドの1M-THF溶液50mlを加え、室温で12時間攪拌し
た。 反応終了後、水中に注ぎ入れ、塩酸でpH1〜２とした
後、トルエンで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃
縮して、（−）−６−（２−ヒドロキシプロピル）−２
−ナフタレンカルボン酸（21-1）8.7g（収率95％，▲
〔α〕20 D▼＝−9.2°（ｃ＝1,CHCl3））を得た。 上で得た（21-1）0.69g（３ミリモル）をピリジン10m
lに溶かし、ｎ−ブチリルクロリド0.32g（３ミリモル）
を加えて室温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、塩酸でpH
1〜２とした後、トルエンで抽出した。得られた有機層
を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸＝40/1）に
供し、（＋）−６−（２−ブタ）イルオキシプロピル）
−２−ナフタレンカボン酸（ −２）0.68g（収率75
％、▲〔α〕20 D▼＝＋4.5°（ｃ＝1,CHCl3））を得
た。 製造例22〜24 製造例21で原料として用いた（15-1）に代えて表−２
に記載の光学活性なアルカノール類（15）を用いる以外
は、製造例21と同様にして、反応および後処理を行っ
た。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−２に示
す。 〔光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体（５）の製造
例〕 製造例25 製造例９で中間体として得た（17-1）2.7g（10ミリモ
ル）を無水ジクロルメタン50mlに溶かした後、ｍ−クロ
ロ過安息香酸2.1g（12ミリモル）を加えて室温で24時間
攪拌した。反応終了後、10％亜硫酸水素ナトリウム水溶
液を加え、過剰のｍ−クロロ過安息香酸を分解した後、
有機層を10％重曹水、水の順に洗浄した。有機層を減圧
下に濃縮して（−）−６−アセトンシ−２−（２−プロ
ポキシプロピル）ナフタレン（23-1）2.7g（収率94％）
〔▲〔α〕20 D▼＝−8.9°（ｃ＝１、CHCl3）〕を得
た。 次に、ここで得た（23-1）2.3g（８ミリモル）をメタ
ノール30mlに溶かした後、20％水酸化ナトリウム水溶液
10mlを加えて室温で２時間攪拌した。反応終了後、1N塩
酸を加えてpH2〜３とした後、酢酸エチル100mlを加えて
抽出処理した。有機層を水で水洗後、減圧濃縮して
（−）−６−ヒドロキシ−２−（２−プロポキシプロピ
ル）ナフタレン（５−１）1.8g（収率100％、〔▲
〔α〕20 D▼＝−8.1°（ｃ＝１、CHCl3）〕を得た。 製造例26〜38 製造例27で原料として用いた（17-1）に代えて、表−
３に記載の光学活性なエーテル類（17）を用いる以外
は、製造例25と同様にして、バイヤービリガー酸化、加
水分解反応および後処理を行った。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−３に示
す。 製造例39 製造例７における不斉加水分解反応で得られた（16-
1）27.0g（0.1モル）を温度計、攪拌装置を装置した四
つ口フラスコに仕込み、ジクロメタン200mlを加えて溶
解させた。この溶液にｍ−クロロ過安息香酸20.7g（0.1
2モル）を加えて還流下に８時間攪拌した。 反応混合物に10％亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え
て過剰のｍ−クロロ過安息香酸を分解した後、有機層を
10％重曹水、水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。得られたジクロルメタン溶液を減圧濃縮して
（−）−６−アセトキシン−２−（２−アセトキシプロ
ピル）ビフェニル（25-1）27.5g（収率96％）、〔▲
〔α〕20 D▼＝−9.5°（ｃ＝１、CHCl3）〕を得た。 次に上で得た（25-1）25.8g（90ミリモル）をメタノ
ール200mlに溶かし、20％水酸化ナトリウム水溶液50ml
を加えて室温で２時間攪拌した。 反応混合物に10％塩酸を加えてpH1〜２とした後、メ
タノールの大部分を減圧留去した。得られた残渣を酢酸
エチルで抽出した。得られた有機層を５％重曹水、水の
順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られ
た酢酸エチル溶液を減圧濃縮して（＋）−６−ヒドロキ
シ−２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタレン（26-
1）18.0g（収率99％）〔▲〔α〕20 D▼＝＋9.8°（ｃ＝
１、CH3OH）〕を得た。 次に上で得た（26-1）16.2g（80ミリモル）をジメチ
ルホルムアミド100mlに溶かし、これに塩化ベンジル12.
2g（96ミリモル）および炭酸カリウム22.1g（0.16モ
ル）を加えて50〜60℃で５時間攪拌した。 反応混合物を水20ml中に注加し、酢酸エチルで抽出し
た。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した後、得られた酢酸エチル
溶液を減圧濃縮した。得られた黄色固体をエタノールよ
り再結晶して（＋）−６−ベンジルオキシ−２−（２−
ヒドロキシプロピル）ナフタレン（27-1）16.4g（収率
７％）〔▲〔α〕20 D▼＝＋8.4°（ｃ＝１、CHCl30）〕
を得た。 次に上で得た（27-1）2.9g（10ミリモル）および１−
ブロモプロパン3.7g（30ミリモル）をジメチルスルホキ
シド30mlに溶解し、60％水素化ナトリウム0.8g（20ミリ
モル）を加えて80℃で12時間攪拌した。反応混合物を水
50ml中に注加し、トルエンで抽出処理した。有機層を
水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、得られたトルエン溶液を減圧濃縮した。得
られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
出液：トルエン／ヘキサン＝5/1）に供し、（＋）−６
−ベンジルオキシ−２−（２−プロポキシプロピル）ナ
フタレン（28-1）2.3g（収率70％）を得た〔▲〔α〕20
D▼＝＋9.8°（ｃ＝１、CHCl3）〕。次に上で得た（28-
1）1.7g（５ミリモル）を酢酸エチル5mlに溶かし、さら
にエタノール80mlで希釈した後、10％Pd/C 0.3gを加
え、水素圧１〜1.2気圧下で10時間激しく攪拌した。 反応終了後、Pd/Cを濾別し、濾液を濃縮して、（＋）
−６−ヒドロキシ−２−（２−プロポキシプロピル）ナ
フタレン（５−２）1.2g（収率98％）〔▲〔α〕20 D▼
＝＋9.5°（ｃ＝１、CHCl3）〕を得た。 製造例40〜58 製造例39において原料として用いた（16-1）に代えて
表−４に記載の光学活性な低級アルキルエステル類（1
6）を用い、さらに製造例45でアルキル化剤として用い
た１−ブロモプロパンに代えて表−４に記載のアルキル
化剤を用いる以外は製造例39と同様にして反応および後
処理を行い、光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体
（５）（但し、ｐが０）を得た。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−４に示
す。 製造例59 製造例７における不斉加水分解反応により得られた
（15-1）22.8g（0.1モル）を温度計、攪拌装置を装着し
た四つ口フラスコに仕込み、ジクロルメタン200mlを加
えて溶解させた後、−クロロ過安息香酸20.7g（0.12モ
ル）を加え、室温で24時間攪拌した。 反応混合物を10％亜硫酸水素ナトリウム、５％重曹
水、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。 得られたジクロルメタン溶液を減圧濃縮して（−）−
６−アセトキシ−２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフ
タレン（24-1）23.9g（収率98％）〔▲〔α〕20 D▼＝−
11.4°（ｃ＝１、CHCl3）〕を得た。 次に上で得た（24-1）22.0g（90ミリモル）をメタノ
ール150mlに溶解させた後、20％水酸化ナトリウム水溶
液30mlを加えて室温で２時間攪拌した。 反応混合物に10％塩酸を加えてpH1〜２とした後、酢
酸エチルで抽出した。 得られた有機層を水、５％重曹水、飽和食塩水の順に
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた酢
酸エチル溶液を減圧濃縮して（−）−６−ヒドロキシ−
２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタレン（26-2）1
8.2g（収率100％）〔▲〔α〕20 D▼＝−9.9°ｃ＝１、C
H3OH）〕を得た。 次に上で得た（26-2）16.2g（80ミリモル）をジメチ
ルホルムアミド100mlに溶解させ、これに塩化ベンジル1
2.2g（96ミリモル）および炭酸カリウム22.1g（0.16モ
ル）を加えて50〜60℃で８時間攪拌した。 反応混合物を水200mlに注加し、酢酸エチルで抽出し
た。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。 得られた酢酸エチル溶液を減圧濃縮した。得られた残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ト
ルエン／酢酸エチル＝5/1）に供して（−）−６−ベン
ジルオキシ−２−（２−ヒドロキシプロピル）ナフタレ
ン（27-2）22.4g（収率96％）〔▲〔α〕20 D▼＝−8.7
°（ｃ＝１、CHCl3）〕を得た。 次に上で得た（27-2）2.9g（10ミリモル）をジメチル
ホルムアミド20mlに溶かし、60％水素化ナトリウム0.8g
（20ミリモル）を加えて室温で１時間攪拌した後、ｐ−
トルエンスルホン酸 ３−エトキシプロピル7.7g（30ミ
リモル）の10mlジメチルホルムアミド溶液を滴下した。 滴下終了後、50〜60℃に昇温し、同温度で24時間攪拌
した。 反応混合物を水50ml注に注加し、酢酸エチルで抽出処
理した。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を留去後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝10/
1）に供して（−）−６−ベンジルオキシ−２−〔２−
（３−エトキシプロポキシ）プロピル〕ナフタレン（28
-2）2.5g（収率65％）〔▲〔α〕20 D▼＝−11.5°（ｃ
＝１、CHCl3）〕を得た。 上で得た（28-2）1.9g（５ミリモル）をエタノール80
mlに溶かし、10％Pd/C 0.4gを加えて水素圧１〜1.2気圧
下で10時間激しく攪拌した。 反応終了後、Pd/Cを濾別し、得られた濾液を濃縮して
（−）−６−ヒドロキシ−２−〔２−（３−エトキシプ
ロポキシ）プロピル〕ナフタレン（５−３）1.4g（収率
100％）〔▲〔α〕20 D▼＝−12.4°（ｃ＝１、CHC
l3）〕を得た。 製造例60〜62 製造例59において得た（27-2）を原料とし、製造例59
においてアルキル化剤として用いたｐ−トルカンスルホ
ン酸、３−エトキシプロピルに代えて、表−５に記載の
アルキル化剤を用いる以外は製造例59に準拠してアルキ
ル化反応、脱ベンジル化反応および後処理を行い光学活
性なヒドロキシナフタレン誘導体（５）（但し、ｐが
０）を得た。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−５に示
す。 製造例63 製造例39で得た（27-1）2.9g（10ミリモル）をピリジ
ン30mlに溶解させ、０〜５℃に冷却した。同温度でこの
溶液にプロピオン酸クロリド1.1g（12ミリモル）を滴下
し、その後、室温まで昇温して５時間攪拌した。 反応混合物を水50ml中に注加し、酢酸エチルで抽出し
た。得られた有機層を10％塩酸、水、５％重曹水、飽和
食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。得られた酢酸エチル溶液を減圧濃縮して（−）−６
−ベンジルオキシ−２−（２−プロパノイルオキシプロ
ピル）ナフタレン（29-1）3.4g（収率99％）〔▲〔α〕
20 D▼＝−7.5°（ｃ＝１、CHCl3）〕を得た。 次に上で得た（29-1）1.7g（５ミリモル）をトルエン
20mlに溶解させ、エタノール80mlで希釈した後、10％Pd
/C 0.2gを加えて水素圧１〜1.2気圧下で12時間激しく攪
拌した。 反応終了後、Pd/Cを濾別し、得られた濾液を減圧濃縮し
て（−）−６−ヒドロキシ−２−プロパノイルオキシプ
ロピル）（５−４）1.2g（収率97％）〔〔▲〔α〕20 D
▼＝−12.6°（ｃ＝１、CHCl3）〕を得た。 製造例64〜71 製造例63において原料として用いた（27-1）に代えて
表−６に記載の光学活性なベンジルオキシビフェニルア
ルカノール類（27）を用い、さらに製造例63で用いたプ
ロピオン酸クロリドに代えて表−６に記載のカルボン酸
類を用いる以外は製造例63と同様にして反応および後処
理を行い、光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体
（５）（但し、ｐが１）を得た。 各工程の反応収率および生成物の物性値を表−６に示
す。 製造例72 温度計、攪拌装置を装着した四つ口フラスコに、６−
ベンジルオキシ−２−ブロモナフタレン31.3g（0.1モ
ル）、トリフェニルホスフィン1.3g（５ミリモル）、炭
酸水素ナトリウム33.6g（0.4モル）、Ｎ−メチルピロリ
ドン150mlと、２−アセトキシ−５−ヘキセン（32-1）2
8.4g（0.2モル）を仕込み攪拌しながら100℃まで昇温し
た。 昇温後、十分なチッ素置換の後、酢酸パラジウム2.2g
（１ミリモル）を加え、８時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、水200mlを
加えた後、トルエン500mlを加え、抽出、分液した。得
られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥の後、減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝20/1）に供して、６
−ベンジルオキシ−２−（５−アセトキシ−１−ヘキセ
ニル）ナフタレン（33-1）28.1g（収率75％）を得た。 次にここで得た６−ベンジルオキシ−２−（５−アセ
トキシ−１−ヘキセニル）ナフタレン18.7g（50ミリモ
ル）をクロロホルム20mlに溶かし、0.3Mリン酸バッファ
ー400mlおよびリパーゼ（「アマノＰ」）1.8gを加え
て、36±２℃で48時間激しく攪拌した。 反応終了後、反応混合物に酢酸エチル300mlを加え、
濾過した後、抽出、分液した。有機層を水で洗浄した
後、減圧下に濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル
10/1）に供し、（−）−６−ベンジルオキシ−２−（５
−アセトキシ−１−ヘキセニル）ナフタレン（36-1）1
0.5g〔収率56.2％、▲〔α〕20 D▼＝−1.05°（ｃ＝1.
0、CHCl3）〕と（−）−６−ベンジルオキシ−２−（５
−ヒドロキシ−１−ヘキセニル）ナフタレン（35-1）6.
6g〔収率39.5％、▲〔α〕20 D▼＝−2.61°（ｃ＝1.0、
CHCl3）〕を得た。 次に、攪拌装置および温度計を装着した４つ口フラス
コに、上記の方法により得られた（35-1）33.2g（0.1モ
ル）、酸化銀69.5g（0.3モル）およびヨウ化プロピル25
5g（1.5モル）を仕込み、室温で10日間攪拌した。 その後、反応混合物をクロロホルム300mlで希釈し、
銀塩を濾別した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／
酢酸エチル＝10/1）に供して（−）−６−ベンジルオキ
シ−２−（５−プロポキシ−１−ヘキセニル）ナフタレ
ン（37-1）18.2g〔収率48.2％、▲〔α〕20 D▼＝−2.58
°（ｃ＝1.0、CHCl3）および原料（35-1）15.0g（収率4
5.2％）を得た。 上で得た（37-1）3.7g（10ミリモルを酢酸エチル10ml
に溶かし、さらにエタノール80mlで希釈した後、10％Pd
/C 0.6gを加え、水素圧１〜1.2気圧下で８時間激しく攪
拌した。反応終了後、Pd/Cを濾別し、濾液を濃縮して、
（−）−６−ヒドロキシ−２−（２−プロポキシヘキシ
ル）ナフタレン（５−５）2.3g〔収率100％、▲〔α〕
20 D▼＝−2.76°（ｃ＝1.0、CHCl3）〕を得た。 製造例73 製造例72において原料として用いた２−アセトキシ−
５−ヘキセン（32-1）に代えて２−アセトキシ−４−ペ
ンテン（32-2）を用いる以外は製造例72と同様にして反
応および後処理を行い、（−）−６−ヒドロキシ−２−
（４−プロポキシペンチル）ナフタレン（５−６）2.1
g.〔▲〔α〕20 D▼＝−2.68°（ｃ＝1.0、CHCl3）〕を
得た。 製造例74 製造例72において得られた（−）−６−ベンジルオキ
シ−２−（５−ヒドロキシ−１−ヘキセニル）ナフタレ
ン（35-1）3.3g（10ミリモル）をピリジン30mlに溶か
し、ｎ−ブチリルクロリド1.1g（10ミリモル）を加えて
室温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、塩酸でpH1
〜２とした後、トルエンで抽出した。得られた有機層を
飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸＝40/1）に供
し、（−）−６−ベンジルオキシ−２−（５−ブタノイ
ルオキシ−１−ヘキセニル）ナフタレン（35-2）3.0g
〔収率75％、▲〔α〕20 D▼＝−3.8°（ｃ＝1.0、CHC
l3）〕を得た。 上記の方法により得られた（35-2）を製造例72と同様
にして反応および後処理を行い（−）−６−ヒドロキシ
−２−（５−ブタノイルオキシヘキシル）ナフタレン
（５−７）1.5g〔▲〔α〕20 D▼＝−2.5°（ｃ＝1.0、C
HCl3）〕を得た。 製造例75 製造例44において得られた（＋）−６−ヒドロキシ−
２−（３−ヒドロキシブチル）ナフタレン（26-3）1.1g
（５ミリモル）と１−ブロモデカン1.3g（６ミリモル）
を温度計および攪拌装置を装着した四つ口フラスコに仕
込み、ジメチルホルムアミド20mlを加え溶解させた。 この混合物に炭酸カリウム1.4g（10ミリモル）を加え、
50〜60℃で８時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、酢酸エチ
ルで抽出処理した。得られた有機層を水、飽和食塩水の
順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、得られ
た酢酸エチル溶液を減圧下に濃縮した。得られた濃縮残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ト
ルエン）に供し、（＋）−６−デシルオキシ−２−（３
−ヒドロキシブチル）ナフタレン（８−１）1.7g（収率
96％）〔▲〔α〕20 D▼＝＋8.5°（ｃ＝1.0、CHCl3）〕
を得た。 製造例76〜97 製造例75において原料として用いた（26-3）に代えて
表−７に記載の光学活性なジオール類（26）を用い、さ
らに製造例74でアルキル化剤として用いた１−ブロモデ
カンに代えて表−７に記載のアルキル化剤を用いる以外
は製造例74と同様にして反応および後処理を行い、光学
活性なアルコキシナフタレンアルカノール誘導体（８）
を得た。 反応収率および生成物の物性値を表−７に示す。 製造例98 温度計、滴下ロートおよび攪拌装置を装着した四つ口
フラスコに無水テトラヒドロフラン30mlおよびマグネシ
ウム片2.4g（0.1モル）を仕込み、ここに２−ベンジル
オキシ−６−ブロモナフタレン3.1g（10ミリモル）およ
び無水テトラヒドロフラン30mlの混合物と少量のヨウ素
を加え、60℃に昇温した。 その後、この混合物に２−ベンジルオキシ−６−ブロ
モナフタレン28.2g（90ミリモル）と無水テトラヒドロ
フラン270mlの混合物を滴下した。滴下終了後、還流下
で７時間攪拌し、その後、室温まで冷却した。 この混合物を０〜５℃でアセトアルデヒド5.3g（0.12
モル）と無水テトラヒドロフラン80mlの混合物中に滴下
し、同温で４時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物に０〜10℃1N塩酸50mlを滴下
し、滴下終了後、室温まで昇温した。この混合物にエー
テル300mlを加えて抽出し、得られた有機層を水、５％
重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、さらに無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥の後、減圧下、濃縮した。得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トル
エン／酢酸エチル＝20/1）に供し、２−ベンジルオキシ
−６−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン（45-1）1
8.1g（収率65％）を白色固体として得た。融点:113℃〜
114℃。 ここで得た（45-1）16.7g（60ミリモル）をピリジン8
0mlに溶解し、０〜５℃で塩化アセチル5.7g（72ミリモ
ル）を滴下し、滴下終了後、同温で２時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水に注ぎ入れ、酢酸エチル
で抽出し、得られた有機層を10％塩酸、水、５％重曹
水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥の後、減圧濃縮して、２−ベンジルオキシ−６−
（１−アセトキシエチル）ナフタレン（44-1）19.2g
（収率100％）白色固体として得た。融点97℃〜98℃。 ここで得た（44-1）19.2gをクロロホルム10mlに溶解
し、0.3Mリン酸バッファー300mlおよびリパーゼ（アマ
ノＰ）1.9gを加え36〜38℃で48時間激しく攪拌した。 反応終了後、反応混合物をろ過し、ろ液を酢酸エチル
で抽出して、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、その後、減圧下に
濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝20/1）に供し、
（＋）−２−ベンジルオキシ−６−（１−ヒドロキシエ
チル）ナフタレン（43-1）8.3g（収率49.5％、▲〔α〕
20 D▼＝＋35.7°（ｃ＝1.0、CHCl3）、融点:113〜114
℃）および（＋）−２−ベンジルオキシ−６−（１−ア
セトキシエチル）ナフタレン9.9g（収率51.3％、▲
〔α〕20 D▼＝＋80.5°（ｃ＝1.0、CHCl3）、融点:97〜
98℃）を得た。 ここで得た（−）−２−ベンジルオキシ−６−（１−
アセトキシエチル）ナフタレン9.6g（30ミリモル）をメ
タノール50mlに溶解し、20％水酸化ナトリウム衰容液20
mlを加え、室温で１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水に注ぎ入れ、酢酸エチル
で抽出した。得られた有機層を水および飽和食塩水で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下、濃
縮して、（−）−２−ベンジルオキシ−６−（１−ヒド
ロキシエチル）ナフタレン（44-2）8.4g（収率100％、
▲〔α〕20 D▼＝−33.8°（ｃ＝1.0、CHCl3）、融点:97
〜98℃）を得た。 製造例99 製造例98で得た（43-1）1.4g（５ミリモル）をジメチ
ルホルムアミド20mlに溶解し、水素化ナトリウム（含量
60％）0.3g（８ミリモル）を加え、室温で１時間攪拌し
た。その後、ｐ−トルエンスルホン酸Ｎ−ヘキシル2.1g
（８ミリモル）を加え、70〜80℃で10時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水にあけ、有機層を水およ
び飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ト
ルエン／酢酸エチル＝40/1）に供し、（＋）−２−ベン
ジルオキシ−６−（１−ヘキシルオキシエチル）ナフタ
レン（42-1）1.5g（収率81％、▲〔α〕20 D▼＝＋53.0
°（ｃ＝1.0、CHCl3））を得た。 製造例100〜103 製造例98でアルキル化剤として用いたｐ−トルエンス
ルホン酸ｎ−ヘキシルに代えて、表−８に記載のアルキ
ル化剤を用いる以外は、製造例99と同モル数、同量の試
薬、溶媒を用いて反応および後処理を行った。 結果を表−８に示す。 製造例104〜106 製造例99で原料として用いた（43-1）に代えて、製造
例98で得た（43-2）を原料とし、製造例99でアルキル化
剤として用いたｐ−トルエンスルホン酸ｎ−ヘキシルに
代えて、表−９に示すアルキル化剤を用いる以外は、製
造例99と同モル数、同量の試薬、溶媒を用いて、反応お
よび後処理を行った。 結果を表−９に示す。 製造例107 製造例98で得た（43-2）1.4g（５ミリモル）をピリジ
ン10mlに溶解し、０〜５℃に冷却した後、ヘキサノイル
クロリド0.9g（6.5ミリモル）を加え、同温で２時間攪
拌した。 反応終了後、反応混合物を水に注ぎ入れ、酢酸エチル
で抽出した。得られた有機層を10％塩酸、水、５％重曹
水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥の後、減圧濃縮して、（−）−２−ベンジルオキシ
−６−（１−ヘキサノイルオキシエチル）ナフタレン
（42-9）1.8g（収率96％、▲〔α〕20 D▼＝−70.3°
（ｃ＝１、CHCl3））を得た。 製造例108および109 製造例107でエステル化剤として用いたヘキサノイル
クロリドに代えて、表−10に記載のエステル化剤を用い
る以外は製造例107と同モル数、同量の試薬、溶媒を用
いて反応および後処理を行った。結果を表−10に示す。 製造例110 製造例99で得た（42-1）1.1g（３ミリモル）をテトラ
ヒドロフラン30mlおよびメタノール15mlの混合物に溶解
し、10％Pd/C 0.1gを加え、水素圧１〜1.2気圧下で12時
間激しく攪拌した。 反応終了後、Pd/Cをろ別し、得られたろ液を減圧濃縮
した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝10/1）に供し、
（＋）−６−（１−ヘキシルオキシエチル）２−ナフト
ール0.77g（収率90％、▲〔α〕20 D▼＝＋60.6°（ｃ＝
１、CHCl3））を得た。 製造例111および120 製造例110で原料として用いた（42II-1）に代えて製
造例100〜109で得た各種の光学活性なベンジルオキシナ
フタレン誘導体（42）を用いる以外は、製造例110と同
様にして反応および後処理を行った。 結果を表−11に示す。 〔光学活性なアルキルナフタレンナルカノール誘導体
（11）の製造例〕 製造例121 製造例１において原料として用いた２−ブロモナフタ
レンに代えて２−ブロモ−６−ヘプチルナフタレンを用
いる以外は、製造２と同様にして反応および後処理を行
い、２−（２−ヒドロキシプロピル）−６−ヘプチルナ
フタレン（58-1）16.8g（収率59％）を得た。 上で得た（58-1）14.2g（50ミリモル）をピリジン100
mlに溶解させ、０〜５℃で塩化アセチル4.7g（60ミリモ
ル）を加え、同温で３時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン
200mlを加え、抽出した。得られた有機層を10％塩酸、
水、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧濃縮して、２−（２−ア
セトキシプロピル）−６−ヘプチルナフタレン（59-1）
15.5g（収率95％）を得た。 上で得た（59-1）13.0g（40ミリモル）をクロロホル
ム20mlに溶解させ、0.3Mリン酸バッファー300mlおよび
リパーゼ（「アマノＰ」）1.4gを加えて、36±２℃で60
時間激しく攪拌した。 反応終了後、反応混合物に酢酸エチル200mlを加え、
濾過した後、濾液を分液した。得られた有機層を飽和食
塩水で洗浄した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／
酢酸エチル＝20/1）に供し、（−）−２−（２−アセト
キシプロピル）−６−ヘプチルナフタレン6.5g（収率5
0.1％、▲〔α〕20 D▼＝−7.7°（ｃ＝１、CHCl3））お
よび（−）−２−（２−ヒドロキシプロピル）−６−ヘ
プチルナフタレン（11-1）5.1g（収率45％、▲〔α〕20
D▼＝−9.3°（ｃ＝１、CHCl3））を得た。 製造例122 製造例３において原料として用いた４−ブロモナフタ
レンに代えて２−ブロモ−６−ヘプチルナフタレンを用
いる以外は、製造３と同様にして反応および後処理を行
い、２−（４−ヒドロキシペプチル）−６−ヘプチルナ
フタレン（58-2）15.3g（２−ブロモ−６−ヘプチルナ
フタレンからの通算収率49％）を得た。 上で得た（58-2）を製造例121における（58-1）に代
えて原料とする以外は、製造例121に準じてエステル化
反応、不斉加水分解反応および後処理を行い、（−）−
２−（４−アセトキシペンチル）−６−ヘプチルナフタ
レン7.4g（〔α〕D 20＝−5.3°（ｃ＝１、CHCl3））お
よび（−）−２−（４−ヒドロキシペンチル）−６−ヘ
プチルナフタレン（11-2）5.5g▲〔α〕20 D▼＝−6.6°
（ｃ＝１、CHCl3））を得た。 実施例１ 攪拌装置、温度計を装着した四つ口フラスコに（−）
−６−（２−プロポキシプロピル）−２−ナフタレンカ
ルボン酸〔２−１〕0.55g（２ミリモル）と１−オクタ
ノール0.29g（2.2ミリモル）を仕込み、無水ジクロルメ
タン10mlを加え、溶解させた。 この混合物に、N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド0.50g（2.4ミリモル）と４−ピロリジノピリジン20
mgを加え、室温で24時間攪拌した。 反応終了後、生じた沈澱を濾別し、濾液をトルエン50
mlで希釈し、水、５％酢酸、水、５％重曹水、飽和食塩
水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減
圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／ヘキサン＝2/1）に供し、（−）
−６−（２−プロポキシプロピル）−２−ナフタレンカ
ルボン酸１−オクチル〔１−１〕0.74g（収率96％）を
得た。 実施例２ 攪拌装置、温度計を装着した四つ口フラスコに（−）
−６−（２−プロポキシプロピル）−２−ナフタレンカ
ルボン酸〔２−１〕0.55g（２ミリモル）と１−ブロモ
ペンタン0.36g（2.4ミリモル）を仕込み、アセトニトリ
ル10mlを加え、溶解させた。 この混合物に1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕−７−ウ
ンデセン0.37g（2.4ミリモル）を加え、室温で12時間攪
拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン
50mlで抽出した。得られた有機層を1N塩酸、水、５％重
曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥の後、減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／ヘキサン＝2/1）に供し、（−）
−６−（２−プロポキシプロピル）−２−ナフタレンカ
ルボン酸１−ペンチル〔１−２〕0.65g（収率95％）を
得た。 実施例３〜12 表−12に記載の光学活性なナフタレンカルボン酸誘導
体〔２〕を原料とし、表−12に記載のアルコール類
〔３〕またはハロゲン化合物〔４〕を実施例１または２
に記載の方法に準拠して反応させ、光学活性なナフタレ
ン誘導体〔１〕（但し、Ｘが−OCO−）を得た。 結果を表−12に示す。 実施例13 攪拌装置、温度計を装着した四つ口フラスコに（−）
−２−ヒドロキシ−６−（２−プロポキシプロピル）ナ
フタレン〔５−１〕0.51g（２ミリモル）および１−ブ
ロモデカン0.53g（2.4ミリモル）を仕込み、ジメチルホ
ルムアミド10mlを加え、溶解させた。 この混合物に炭酸カリウム0.41g（３ミリモル）を加
え、50〜60℃で５時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン
50mlで抽出した。得られた有機層を水および飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧下、
濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／ヘキサン＝2/1）に供し、（−）
−２−デシルオキシ−６−（２−プロポキシプロピル）
ナフタレン〔1-13〕0.78g（収率98％）を得た。 実施例14 攪拌装置、温度計を装着した四つ口フラスコに（−）
−２−ヒドロキシ−６−（２−プロポキシプロピル）ナ
フタレン〔５−１〕0.51g（２ミリモル）を仕込み、ピ
リジン5mlを加え、溶解させた。 この混合物に０〜５℃ヘキサノイルクロリド0.30g
（2.2ミリモル）を加え、同温で１時間、さらに室温で
１時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエ
ン50mlで抽出した。得られた有機層を1N塩酸、水、５％
重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥の後、減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／ヘキサン＝2/1）に供し、（−）
−２−ヘキサノイルオキシ−６−（２−プロポキシプロ
ピル）ナフタレン〔1-14］0.71g（収率99％）を得た。 実施例15〜44 表−13に記載の光学活性なヒドロキシナフタレン誘導
体〔５〕を原料とし、表−13に記載のアルキル化剤
〔７〕またはカルボン酸〔６〕を実施例13または14に記
載の方法に準拠して反応させ、光学活性なナフタレン誘
導体〔１〕を得た。 結果を表−13に示す。 実施例45 攪拌装置、温度計を装着した四つ口フラスコに（＋）
−２−デシルオキシ−６−（３−ヒドロキシブチル）ナ
フタレン〔８−１〕0.71g（２ミリモル）を仕込み、ピ
リジン5mlを加え、溶解させた。 この混合物に０〜５℃でプロピオン酸クロリド0.20g
（2.2ミリモル）を加え、同温で２時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエ
ン50mlで抽出した。得られた有機層を1N塩酸、水、５％
重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥の後、減圧下、濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／ヘキサン＝2/1）に供し、（−）
−２−デシルオキシ−６−（３−プロパノイルオキシブ
チル）ナフタレン〔1-45］0.83g（収率100％）を得た。 実施例46 攪拌装置、温度計を装着した四つ口フラスコに水素化
カリウム（含量35％）0.34g（３ミリモル）および無水
テトラヒドロフラン5mlを仕込み、さらに（＋）−２−
デシルオキシ−６−（７−ヒドロキシオクチル）ナフタ
レン〔８−２〕0.83g（２ミリモル）を加え、室温で１
時間攪拌した。 得られた混合物に１−ヨードブタン0.74g（４ミリモ
ル）を加え、40〜50℃で８時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物に少量の氷を加えて過剰の水
素化カリウムを分解した後、トルエン50mlを加え抽出し
た。得られた有機層を1N塩酸、水、５％重曹水、飽和食
塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、
減圧濃縮した。 得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／ヘキサン＝2/1）に供し、（＋）
−２−デシルオキシ−６−（７−ブトキシオクチル）ナ
フタレン〔1-46〕0.75g（収率80％）を得た。 実施例47〜67 表−14に記載の光学活性なアルコキシナフタレンアル
カノール誘導体〔８〕または光学活性なアルキルナフタ
レンアルカノール誘導体〔11〕を原料とし、表−14に記
載のカルボン酸類〔６〕またはアルキル化剤〔７〕を実
施例45または46に記載の方法に準拠して反応させ、光学
活性なナフタレン誘導体〔１〕を得た。 結果を表−14に示す。 実施例68〜69 液晶化合物を用いて、表−15に示す液晶組成物を調整
した。調整は所定の化合物を所定の重量だけ試料ピン中
に秤量したものを加熱溶融しながら混合することにより
行った。 このようにして調整した液晶組成物を酸化インジウム
透明電極が設けられているガラス基板にポリイミド系高
分子膜を設け、一定方向にラビング処理し、２枚の基板
のラビング方向が平行になるようにガラスファイバー
（径６μｍ）をスペーサーとして組立た液晶セル内に真
空封入して液晶素子を得た。 液晶組成物の相系列、チルト角および自発分極値を表
−15に示す。 実施例70 本発明化合物のうち単独でSc＊相を示した化合物のう
ち、表−16に記載の化合物単体を実施例60〜69で用いた
液晶組成物に代えて液晶素子を製造した。 これらの液晶素子を偏光子と組み合わせ、電界を20V
に印加したところ、透過光強度の変化が観察された。こ
の透過光強度の変化より応答時間を測定し、表−16に示
す結果を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 65/24 Ｃ０７Ｃ 65/24 67/08 67/08 67/10 67/10 67/14 67/14 69/76 69/76 Ａ 69/773 69/773 69/92 69/92 Ｃ０９Ｋ 19/32 Ｃ０９Ｋ 19/32 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 南井 正好 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友 化学工業株式会社内 (72)発明者 関根 千津 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株 式会社内 (72)発明者 谷 猛 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株 式会社内 (72)発明者 藤沢 幸一 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株 式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式 （式中、R1は炭素数３〜20のアルキル基を、R2は炭素数
    １〜20のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル
    基または炭素数２〜20のハロゲン原子で置換されていて
    もよいアルコキシアルキル基を示す。Ｘは、−COO−ま
    たは−OCO−を示す。ｋ、ｌおよびｍは０または１を、
    ｎは０〜６までの整数を、ｐは０または１を示す。＊印
    は不斉炭素原子を示す。但し、ｋが０のとき、ｌとｍが
    同時に１となることはなく、またｋが１のとき、ｍは１
    であり、ｎが０でかつｍが１のときＸは−COO−であ
    る。） で示される光学活性なナフタレン誘導体。
  2. 【請求項２】一般式 （式中、R2、ｎ、ｐおよび＊印は前記と同じ意味を表
    し、Ｒ′は水酸基またはハロゲン原子を示す。） で示される光学活性なナフタレンカルボン酸誘導体。
  3. 【請求項３】一般式 （式中、R2、ｎ、ｐおよび＊印は前記と同じ意味を表
    す。） で示される光学活性なヒドロキシナフタレン誘導体。
  4. 【請求項４】一般式 （式中、R1、ｎ、および＊印は前記と同じ意味を表
    す。） で示される光学活性なアルコキシナフタレンアルカノー
    ル誘導体。
  5. 【請求項５】一般式 （式中、R1、R2、ｎ、ｐおよび＊印は前記と同じ意味を
    表す。） で示される光学活性なアルキルナフタレンアルカノール
    誘導体。
  6. 【請求項６】請求項２に記載の光学活性なナフタレンカ
    ルボン酸誘導体と一般式 （式中、R1、ｋ、およびｌは前記と同じ意味を表す。） で示されるアルコール類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうち、ｍが１でかつＸ−OC
    O−である化合物の製造法。
  7. 【請求項７】請求項２に記載の光学活性なナフタレンカ
    ルボン酸誘導体のうちＲ′が水酸基である化合物と一般
    式 R1−Ｚ （式中、R1は前記と同じ意味を表し、Ｚはハロゲン原子
    を示す。） で示されるハロゲン化合物とを反応させることを特徴と
    する請求項１に記載の化合物のうち、ｍが１、ｋが０、
    ｌが０でかつＸが−OCO−である化合物の製造法。
  8. 【請求項８】請求項３に記載の光学活性なヒドロキシナ
    フタレン誘導体と一般式 （式中、R1およびＲ′は前記と同じ意味を表し、ｋおよ
    びｌは０または１を示す。但し、ｋが０のときｌは０で
    ある。） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうち、ｍが１でかつＸが−
    COO−である化合物の製造法。
  9. 【請求項９】請求項３に記載の光学活性なヒドロキシナ
    フタレン誘導体と一般式 R1−Ｙ （式中、R1は前記と同じ意味を表し、Ｙはハロゲン原子
    または−OSO2R″を示す。ここでＲ″は低級アルキル基
    または置換されていてもよいフェニル基を示す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｌが１でかつｋおよび
    ｍが０である化合物の製造法。
  10. 【請求項１０】請求項４に記載の光学活性なアルコキシ
    ナフタレンアルカノール誘導体と一般式 R2COR′ （式中、R2およびＲ′は前記と同じ意味を表す。） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｌが１で、ｋおよびｍ
    が０でかつｐが１である化合物の製造法。
  11. 【請求項１１】請求項４に記載の光学活性なアルコキシ
    ナフタレンアルカノール誘導体と一般式 R2−Ｙ （式中、R2およびＹは前記と同じ意味を表す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｌが１でかつｋおよび
    ｍが０でかつｐが０である化合物の製造法。
  12. 【請求項１２】請求項５に記載の光学活性なアルキルナ
    フタレンアルカノール誘導体と一般式 R2COR′ （式中、R2およびＲ′は前記と同じ意味を表す。） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｋ、ｌおよびｍが０で
    かつｐが１である化合物の製造法。
  13. 【請求項１３】請求項５に記載の光学活性なアルキルナ
    フタレンアルカノール誘導体と一般式 R2−Ｙ （式中、R2およびＹは前記と同じ意味を表す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｋ、ｌおよびｍが０で
    かつｐが０である化合物の製造法。
  14. 【請求項１４】請求項１に記載の光学活性なナフタレン
    誘導体を少なくとも１種類配合成分として含有すること
    を特徴とする液晶組成物。
  15. 【請求項１５】請求項１に記載の光学活性なナフタレン
    誘導体を少なくとも１種類配合成分として含有する液晶
    組成物を用いてなる液晶素子。
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