JP2890578B2 - Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法 - Google Patents
Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法Info
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- JP2890578B2 JP2890578B2 JP1335970A JP33597089A JP2890578B2 JP 2890578 B2 JP2890578 B2 JP 2890578B2 JP 1335970 A JP1335970 A JP 1335970A JP 33597089 A JP33597089 A JP 33597089A JP 2890578 B2 JP2890578 B2 JP 2890578B2
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。
A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.従来技術 D.発明が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図乃至第３図］ H.発明の効果 （A.産業上の利用分野） 本発明はICICリード検査装置、特にIC載置台と該IC載
置台上に載置された被検査ICのリードに検査用光を照射
しその反射光を検出して上記リードの高さを測定する変
位センサと該変位センサを上記IC載置台に対して相対的
に移動させて上記検査用光で上記被検査ICのリード列を
走査させて走査手段を少なくとも有するICリード検査装
置と、それを用いてリードの寄り、リードの浮き沈みを
測定するICリード検査方法に関する。
置台上に載置された被検査ICのリードに検査用光を照射
しその反射光を検出して上記リードの高さを測定する変
位センサと該変位センサを上記IC載置台に対して相対的
に移動させて上記検査用光で上記被検査ICのリード列を
走査させて走査手段を少なくとも有するICリード検査装
置と、それを用いてリードの寄り、リードの浮き沈みを
測定するICリード検査方法に関する。
（B.発明の概要） 本発明は、上記のICリード検査装置とICリード検査方
法において、 リードの寄りの絶対値を検出することができるように
するため、 IC載置台の検査用光走査線上に基準マークを設けるよ
うにしたり、 あるいは、リードの浮き沈みの絶対値を検出すること
ができるようにするため、 表面部を透明体で構成した該IC載置台の検査用光走査
線上に基準マークを設けるようにするものである。
法において、 リードの寄りの絶対値を検出することができるように
するため、 IC載置台の検査用光走査線上に基準マークを設けるよ
うにしたり、 あるいは、リードの浮き沈みの絶対値を検出すること
ができるようにするため、 表面部を透明体で構成した該IC載置台の検査用光走査
線上に基準マークを設けるようにするものである。
（C.従来技術） QFPICの需要の増加に伴ってQFPICの供給量の増大が図
られているが、それに伴って製造を終えたQFPICの検査
を大量に行うことが必要である。そして、電気的特性の
検査の重要性が高いことはいうまでもないが、QFPICの
リード変形の有無を調べる検査の重要性が非常に高まっ
ているのである。
られているが、それに伴って製造を終えたQFPICの検査
を大量に行うことが必要である。そして、電気的特性の
検査の重要性が高いことはいうまでもないが、QFPICの
リード変形の有無を調べる検査の重要性が非常に高まっ
ているのである。
というのは、QFPICは高集積化に伴ってリードの数が
増え、リード及びそのピッチが小さくなる傾向にあり、
僅かなリードの寄り、浮き沈みがQFPICとこれが接続さ
れるプリント配線基板の配線膜との整合性を悪くするこ
とになるからである。従って、非常に精確に検査する必
要があり、目視検査ではその必要に応じることは事実上
不可能となる。しかも抜き取り検査では不充分で全数検
査の必要性があり、そのため大量検査が必要となる。
増え、リード及びそのピッチが小さくなる傾向にあり、
僅かなリードの寄り、浮き沈みがQFPICとこれが接続さ
れるプリント配線基板の配線膜との整合性を悪くするこ
とになるからである。従って、非常に精確に検査する必
要があり、目視検査ではその必要に応じることは事実上
不可能となる。しかも抜き取り検査では不充分で全数検
査の必要性があり、そのため大量検査が必要となる。
そこで、画像処理方式によるあるいは特開平１−2721
26号公報、特開昭63−278345号公報等に紹介された光学
式変位センサによるリード曲り検査装置が開発された。
26号公報、特開昭63−278345号公報等に紹介された光学
式変位センサによるリード曲り検査装置が開発された。
しかし、画像処理方式は信号処理時間が長くなり、大
量のQFPICを検査するという要求に充分に応えることが
難しい。しかも、リード間の寄りはQFPICの上側からカ
メラで撮像して測定できるが、浮き沈みはQFPICの側方
に置いたカメラでリード端面を撮像しなければ検査がで
きない。そして、四辺リードの浮き沈みを検査するには
四回の検索が必要である。従って、１個のQFPICを検査
するに要する時間がきわめて長くなる。
量のQFPICを検査するという要求に充分に応えることが
難しい。しかも、リード間の寄りはQFPICの上側からカ
メラで撮像して測定できるが、浮き沈みはQFPICの側方
に置いたカメラでリード端面を撮像しなければ検査がで
きない。そして、四辺リードの浮き沈みを検査するには
四回の検索が必要である。従って、１個のQFPICを検査
するに要する時間がきわめて長くなる。
それに対して特開平１−272126号公報等により紹介さ
れた光学式変位センサによるリード曲り検査装置によれ
ば、画像認識処理という複雑な処理が必要ではなく、単
に光学式変位センサから出力された電気信号をリアルタ
イムで処理することによって検査を行うことができ、更
に一つの変位センサでリードの浮き沈みと寄りを同時に
検査することができ検査スピードをきわめて速くするこ
とができる。その点で優れているといえる。
れた光学式変位センサによるリード曲り検査装置によれ
ば、画像認識処理という複雑な処理が必要ではなく、単
に光学式変位センサから出力された電気信号をリアルタ
イムで処理することによって検査を行うことができ、更
に一つの変位センサでリードの浮き沈みと寄りを同時に
検査することができ検査スピードをきわめて速くするこ
とができる。その点で優れているといえる。
ところで、光学式変位センサによるリード曲り検査装
置は、センサ内にレーザ光等の光を出射する光源と、該
光源から出射された光のリード（あるいは下地）での反
射光を受光する受光素子（例えばPSD）を設け、該受光
素子の出力信号を処理してリードの寄り（リードの平面
方向の曲り）、浮き沈み（リードの高さ方向の曲り）を
測定するものである。
置は、センサ内にレーザ光等の光を出射する光源と、該
光源から出射された光のリード（あるいは下地）での反
射光を受光する受光素子（例えばPSD）を設け、該受光
素子の出力信号を処理してリードの寄り（リードの平面
方向の曲り）、浮き沈み（リードの高さ方向の曲り）を
測定するものである。
そのリード曲りの検査原理を簡単に説明すると次の通
りである。
りである。
先ず、リードの寄り（リードの平面方向の曲り、リー
ド側面の欠けあるいは異物付着）は、光源からの光の反
射する高さがリードとこれを載置するIC載置台とで変化
することを利用し、その高さの変化を変位センサにより
検出して検査用光の走査による変位センサの出力信号の
レベル変化のタイミングを測定することにより検査す
る。
ド側面の欠けあるいは異物付着）は、光源からの光の反
射する高さがリードとこれを載置するIC載置台とで変化
することを利用し、その高さの変化を変位センサにより
検出して検査用光の走査による変位センサの出力信号の
レベル変化のタイミングを測定することにより検査す
る。
また、リードの浮き沈み（リードの高さ方向の曲り）
は、変位センサにより各リードのIC載置台表面との高さ
の違いを検出し、それによって各リードの高さを認識す
るという方法により検査する。
は、変位センサにより各リードのIC載置台表面との高さ
の違いを検出し、それによって各リードの高さを認識す
るという方法により検査する。
（D.発明が解決しようとする問題点） ところで、上述した従来のICリード検査方式によれ
ば、変位センサの出力信号のダイナミックレンジが小さ
くなるという問題があった。というのは、リードの厚さ
が例えば0.1mm以下と非常に薄く、そのため、リード表
面を走査しているときとリード表面から外れたところ
（それはとりも直さずIC載置台表面）を走査していると
きとの変位センサの出力信号の左が小さくなるからであ
る。
ば、変位センサの出力信号のダイナミックレンジが小さ
くなるという問題があった。というのは、リードの厚さ
が例えば0.1mm以下と非常に薄く、そのため、リード表
面を走査しているときとリード表面から外れたところ
（それはとりも直さずIC載置台表面）を走査していると
きとの変位センサの出力信号の左が小さくなるからであ
る。
また、リードの寄りについてはあくまでも各リード間
の相対的位置関係を判断し、その相対的位置関係に許容
できない異常があった場合にはじめて異常ありとするの
で、ICの一辺のリードすべてが平行に曲った場合には異
常と判断されないという不都合を生じてしまう問題があ
った。
の相対的位置関係を判断し、その相対的位置関係に許容
できない異常があった場合にはじめて異常ありとするの
で、ICの一辺のリードすべてが平行に曲った場合には異
常と判断されないという不都合を生じてしまう問題があ
った。
尤も、変位センサの出力信号のダイナミックレンジが
小さいという問題は、IC載置台の表面部を透明体により
構成することによって解決することができる。そして、
かかる解決策は特開平１−272126号公報においても紹介
されている。しかしながら、IC載置台の表面部を透明体
により構成した場合において、浮きの判断基準となる原
点が無くなり、リードの寄りの場合と同様に各リードの
高さを比較することによりリードの浮き沈みを判断せざ
るを得なかった。従って、一辺のリードのすべてが浮い
ている場合にはそれを不良と判定することができないこ
とになるという問題があった。
小さいという問題は、IC載置台の表面部を透明体により
構成することによって解決することができる。そして、
かかる解決策は特開平１−272126号公報においても紹介
されている。しかしながら、IC載置台の表面部を透明体
により構成した場合において、浮きの判断基準となる原
点が無くなり、リードの寄りの場合と同様に各リードの
高さを比較することによりリードの浮き沈みを判断せざ
るを得なかった。従って、一辺のリードのすべてが浮い
ている場合にはそれを不良と判定することができないこ
とになるという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもの
であり、リードの寄り、リードの浮き沈みの絶対値を検
出して不良の有無を精確に検査できるようにすることを
目的とする。
であり、リードの寄り、リードの浮き沈みの絶対値を検
出して不良の有無を精確に検査できるようにすることを
目的とする。
（E.問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するため、IC載置台の検査
用光の走査線上に基準マークを設けるようにすることを
特徴とする。
用光の走査線上に基準マークを設けるようにすることを
特徴とする。
本発明の第２のものは、IC載置台の表面部を透明体で
構成し、該IC載置台の検査用光走査線上に基準マークを
設けるようにしたことを特徴とする。
構成し、該IC載置台の検査用光走査線上に基準マークを
設けるようにしたことを特徴とする。
（F.作用） 本発明によれば、IC載置台の検査用光走査線上に基準
マークを設けるので、各リードの基準マークとの平面上
の位置関係を検出することができる。即ち、基準マーク
を原点として各リードの絶対的な平面的位置を検出する
ことができる。
マークを設けるので、各リードの基準マークとの平面上
の位置関係を検出することができる。即ち、基準マーク
を原点として各リードの絶対的な平面的位置を検出する
ことができる。
従って、１つの側辺の全リードが平行に曲っている曲
り不良であっても支障なく不良と判断することができ
る。
り不良であっても支障なく不良と判断することができ
る。
本発明の第２のものによれば、IC載置台の表面部を透
明体で構成したので、検査用光のリードを外れたときの
反射される高さをIC載置台表面より低くすることがで
き、変位センサの出力信号のダイナミックレンジを広く
することができる。そして、該IC載置台の検査用光の走
査線上に基準マークを設けたので、基準マークを基準と
して各リードの絶対的な浮きあるいは沈みの量を測定す
ることができる。従って、一辺のリードがすべて浮いて
いるあるいは沈んでいるような不良も確実に検出するこ
とが可能になる。
明体で構成したので、検査用光のリードを外れたときの
反射される高さをIC載置台表面より低くすることがで
き、変位センサの出力信号のダイナミックレンジを広く
することができる。そして、該IC載置台の検査用光の走
査線上に基準マークを設けたので、基準マークを基準と
して各リードの絶対的な浮きあるいは沈みの量を測定す
ることができる。従って、一辺のリードがすべて浮いて
いるあるいは沈んでいるような不良も確実に検出するこ
とが可能になる。
（G.実施例）［第１図乃至第３図］ 以下、本発明ICリード検査装置とICリード検査方法を
図示実施例に従って詳細に説明する。
図示実施例に従って詳細に説明する。
図面は本発明の一つの実施例を説明するためのもの
で、第１図はICリード検査装置の要部を示す斜視図、第
２図はIC載置台の断面図、第３図はリードと、変位セン
サの出力信号との関係を示す関係図である。
で、第１図はICリード検査装置の要部を示す斜視図、第
２図はIC載置台の断面図、第３図はリードと、変位セン
サの出力信号との関係を示す関係図である。
図面において、１は光学式変位センサで、下面の水平
な部分にレーザ光源２が設けられ、下面の水平部分に対
して適宜な角度傾斜した傾斜部分に光位置検出素子（PS
D）３が設けられている。受光素子として光位置検出素
子（PSD）３を用いるのはレーザ光源２からの検査用光
のリードあるいはIC載置台で反射される高さを検出する
ためであり、この高さの検出によってリードの高さ方向
のずれと共にリードの平面方向のずれを検出することが
できるのである。
な部分にレーザ光源２が設けられ、下面の水平部分に対
して適宜な角度傾斜した傾斜部分に光位置検出素子（PS
D）３が設けられている。受光素子として光位置検出素
子（PSD）３を用いるのはレーザ光源２からの検査用光
のリードあるいはIC載置台で反射される高さを検出する
ためであり、この高さの検出によってリードの高さ方向
のずれと共にリードの平面方向のずれを検出することが
できるのである。
上記光学式変位センサ１はアーム４に取り付けられ、
それのレーザ光源２から出射された検査用レーザビーム
によりIC、例えばQFPIC5のリード列６、６、…上を走査
するように図示しない駆動機構により移動せしめられ
る。
それのレーザ光源２から出射された検査用レーザビーム
によりIC、例えばQFPIC5のリード列６、６、…上を走査
するように図示しない駆動機構により移動せしめられ
る。
ところで、被検査QFPIC5はIC載置台７の上に置かれて
検査を受けるが、このIC載置台７は例えば白色セラミッ
ク等からなるIC載置台本体7aの表面に所定の厚さ（例え
ば3mm）を有する例えばガラスからなるガラス板８が設
けられている。このようにするのは変位センサ２の出力
信号のダイナミックレンジを広くするためであり、この
ようにすることは特願平１−272126号公報においても紹
介されている。
検査を受けるが、このIC載置台７は例えば白色セラミッ
ク等からなるIC載置台本体7aの表面に所定の厚さ（例え
ば3mm）を有する例えばガラスからなるガラス板８が設
けられている。このようにするのは変位センサ２の出力
信号のダイナミックレンジを広くするためであり、この
ようにすることは特願平１−272126号公報においても紹
介されている。
即ち、変位センサを用いたICリード検査装置によれ
ば、検査光レーザビームの反射される高さがリードと、
IC載置台とで異なることを利用してリードの平面方向に
おけるずれを検出することができるが、リード６、６、
…の厚さは現在でも例えば0.1mm程度のものが少なくな
く、将来は更に薄くなる可能性がある。従って、リード
６の表面とIC載置台の表面との差が例えば0.1mm程度と
極めて僅かであり、その結果、検査用レーザビームがリ
ード６上を走査するときとIC載置台７上を走査するとき
の変位センサ１の出力信号の差がそのリードの厚さに見
合ったきわめて小さな値にしかならない。つまりダイナ
ミックレンジがきわめて狭いのである。そして、変位セ
ンサ１の出力信号のダイナミックレンジが狭いとその信
号を２値化するときのしきい値電圧の設定が難しくな
り、ノイズに弱く検出誤差が生じ易くなる。
ば、検査光レーザビームの反射される高さがリードと、
IC載置台とで異なることを利用してリードの平面方向に
おけるずれを検出することができるが、リード６、６、
…の厚さは現在でも例えば0.1mm程度のものが少なくな
く、将来は更に薄くなる可能性がある。従って、リード
６の表面とIC載置台の表面との差が例えば0.1mm程度と
極めて僅かであり、その結果、検査用レーザビームがリ
ード６上を走査するときとIC載置台７上を走査するとき
の変位センサ１の出力信号の差がそのリードの厚さに見
合ったきわめて小さな値にしかならない。つまりダイナ
ミックレンジがきわめて狭いのである。そして、変位セ
ンサ１の出力信号のダイナミックレンジが狭いとその信
号を２値化するときのしきい値電圧の設定が難しくな
り、ノイズに弱く検出誤差が生じ易くなる。
そこで、IC載置台７の表面部を透明板８で構成するこ
ととすれば、検査用レーザビームによりリード６表面を
走査するときとIC載置台７を走査するときとのレーザビ
ームの反射される高さの差が透明板８の厚さ分大きくな
り、延いては出力信号のダイナミックレンジが大きくな
る。従って、その出力信号を２値化するときのしきい値
電圧の設定が容易になり、そして検出誤差が起きにくく
なり、また、耐ノイズ性が向上するのである。これがIC
載置台７の表面部を透明板８により構成する理由なので
ある。
ととすれば、検査用レーザビームによりリード６表面を
走査するときとIC載置台７を走査するときとのレーザビ
ームの反射される高さの差が透明板８の厚さ分大きくな
り、延いては出力信号のダイナミックレンジが大きくな
る。従って、その出力信号を２値化するときのしきい値
電圧の設定が容易になり、そして検出誤差が起きにくく
なり、また、耐ノイズ性が向上するのである。これがIC
載置台７の表面部を透明板８により構成する理由なので
ある。
ところで、本IC載置台７は単に表面部が透明板８によ
って構成されているのみならず、該透明板８の表面に例
えば数百Å程度の厚さの例えばアルミニウムからなる基
準マーク９、９、９、９が形成されているという特長を
有している。
って構成されているのみならず、該透明板８の表面に例
えば数百Å程度の厚さの例えばアルミニウムからなる基
準マーク９、９、９、９が形成されているという特長を
有している。
この基準マーク９、９、９、９は検査用レーザビーム
が走査する走査線上に配置され、検査の際にリード６、
６、…と共に基準マーク９、９、９、９、…もレーザビ
ームによって走査されるようになっている。そして、被
検査QFPIC5は該基準マーク９、９、９、９に対して所定
の平面的位置関係をもってIC載置台７に載置される必要
がある。というのは、各QFPIC5の各リード６、６、…の
寄り不良の有無の判断は基準マーク９、９、９、９を基
点としてこれとリード６との間隔を測定しその測定値が
異常か否かをもって行うようにするためである。
が走査する走査線上に配置され、検査の際にリード６、
６、…と共に基準マーク９、９、９、９、…もレーザビ
ームによって走査されるようになっている。そして、被
検査QFPIC5は該基準マーク９、９、９、９に対して所定
の平面的位置関係をもってIC載置台７に載置される必要
がある。というのは、各QFPIC5の各リード６、６、…の
寄り不良の有無の判断は基準マーク９、９、９、９を基
点としてこれとリード６との間隔を測定しその測定値が
異常か否かをもって行うようにするためである。
しかし、基準マーク９、９、９、９はリード６、６、
…の寄り不良の判断にあたっての基準として利用するだ
けでなく、リード６、６、…の浮き沈みの有無の判断の
前提としての高さの検出の基準としても利用するのであ
る。即ち、基準マーク９、９、９、９は透明板８の表面
に形成されており、これを高さの基準としこれに対して
各リード６、６、…がどれだけの高さを有するかをもっ
て各リード６、６、…の絶対的な高さを判断することが
できるのである。
…の寄り不良の判断にあたっての基準として利用するだ
けでなく、リード６、６、…の浮き沈みの有無の判断の
前提としての高さの検出の基準としても利用するのであ
る。即ち、基準マーク９、９、９、９は透明板８の表面
に形成されており、これを高さの基準としこれに対して
各リード６、６、…がどれだけの高さを有するかをもっ
て各リード６、６、…の絶対的な高さを判断することが
できるのである。
尚、基準マーク９、９、９、９は例えばアルミニウム
の蒸着により形成するが、下地との密着性を良くするた
め、基準マーク９、９、９、９を形成すべき部分に溝を
形成することにより粗面化しておき、その粗面化したと
ころに基準マーク９、９、９、９、…を形成するように
している。勿論、絶対にこのようにしなければならない
ということはない。また、材料はアルミニウムに限ら
ず、反射性のあるものならば他のものでも良く、例えば
クロム等により基準マーク９、９、９、９を形成するよ
うにしても良いし、また、基準マーク９、９、９、９の
形状も単なる帯状体でなく、例えば十字状にする等種々
のものが考えられ得る。
の蒸着により形成するが、下地との密着性を良くするた
め、基準マーク９、９、９、９を形成すべき部分に溝を
形成することにより粗面化しておき、その粗面化したと
ころに基準マーク９、９、９、９、…を形成するように
している。勿論、絶対にこのようにしなければならない
ということはない。また、材料はアルミニウムに限ら
ず、反射性のあるものならば他のものでも良く、例えば
クロム等により基準マーク９、９、９、９を形成するよ
うにしても良いし、また、基準マーク９、９、９、９の
形状も単なる帯状体でなく、例えば十字状にする等種々
のものが考えられ得る。
第３図に従って具体的に出力信号の変化をみると、検
査用レーザビームにより走査する（10はその走査線）
と、基準マーク９及びリード６、６、…をよぎる毎に出
力信号にパルス（このようにきれいなパルスになるとは
限らない）が発生する。そして、検査用レーザビームが
基準マーク９をよぎったとき発生したパルスと、各リー
ド６、６、…をよぎったとき発生した各パルスとの発生
時間差Ta、Tb、…から各リード６、６、…の基準マーク
９との間隔を判断することができる。従来の場合だと各
リード６、６、…間の相対的間隔しか判定できず、従っ
て、第３図に示したQFPIC5における右側の辺のようにリ
ード６、６、…が全体的に平行に寄っていた場合には不
良と判断できなかったのであるが、基準マーク９、９、
９、９、…を設けそれを基点とすることによって各リー
ド６、６、…の絶対的平面位置を測定することができる
のでそのような場合も不良と正しく判断することができ
るのである。
査用レーザビームにより走査する（10はその走査線）
と、基準マーク９及びリード６、６、…をよぎる毎に出
力信号にパルス（このようにきれいなパルスになるとは
限らない）が発生する。そして、検査用レーザビームが
基準マーク９をよぎったとき発生したパルスと、各リー
ド６、６、…をよぎったとき発生した各パルスとの発生
時間差Ta、Tb、…から各リード６、６、…の基準マーク
９との間隔を判断することができる。従来の場合だと各
リード６、６、…間の相対的間隔しか判定できず、従っ
て、第３図に示したQFPIC5における右側の辺のようにリ
ード６、６、…が全体的に平行に寄っていた場合には不
良と判断できなかったのであるが、基準マーク９、９、
９、９、…を設けそれを基点とすることによって各リー
ド６、６、…の絶対的平面位置を測定することができる
のでそのような場合も不良と正しく判断することができ
るのである。
又、各リード６、６、…の浮き沈みを判断するとき
は、検査用レーザビームが基準マーク９、９、９、９を
よぎったとき発生したパルスのレベルと、リード６、
６、…をよぎったとき発生したパルスとのレベル差Ｓか
ら各リード６、６、…の絶対的な高さを判断することが
できる。従って、例えば１つのリード6aが浮き上がって
いた場合にはそのリード6aに対応するパルスのレベルは
浮き上がっている分他のリード６、６、…に対応するパ
ルスのレベルよりも高くなり、基準マーク９、９、９、
９に対応するパルスとの差がSaと大きくなる。依って、
異常と判断することができるのである。
は、検査用レーザビームが基準マーク９、９、９、９を
よぎったとき発生したパルスのレベルと、リード６、
６、…をよぎったとき発生したパルスとのレベル差Ｓか
ら各リード６、６、…の絶対的な高さを判断することが
できる。従って、例えば１つのリード6aが浮き上がって
いた場合にはそのリード6aに対応するパルスのレベルは
浮き上がっている分他のリード６、６、…に対応するパ
ルスのレベルよりも高くなり、基準マーク９、９、９、
９に対応するパルスとの差がSaと大きくなる。依って、
異常と判断することができるのである。
勿論、QFPIC5の１つの辺のリード６、６、…が全体的
に浮いている場合、あるいは逆に沈んでいる場合におい
ても基準マーク９、９、９、９と各リード６、６、…と
の高さの差から各リード６、６、６、６の高さを検出し
て高さ不良の有無を判断することによりその辺のリード
を不良であると判定することができる。
に浮いている場合、あるいは逆に沈んでいる場合におい
ても基準マーク９、９、９、９と各リード６、６、…と
の高さの差から各リード６、６、６、６の高さを検出し
て高さ不良の有無を判断することによりその辺のリード
を不良であると判定することができる。
そして、基準マーク９、９、９、９を基準としてリー
ド６、６、…の高さを判断するようにすることは、IC載
置台７に対する変位センサ１の高さのバラツキが検査精
度を低下する要因とならないという効果をもたらす。と
いうのは、変位センサ１のIC載置台７に対する高さによ
って変位センサ１の出力信号が異なるので、基準マーク
９、９、９、９の如き高さの判断基準を設けない場合に
は必然的に変位センサ１の高さのバラツキにより誤差が
生じる。従って、QFPIC5の各辺のリード６、６、…を異
なる検査ステージ上に検査するという方式の場合は、検
査ステージ間で高さのバラツキがあると１つのQFPIC5の
側辺によって誤差が生じるというようなことが有り得
る。しかし、基準マーク９、９、９、９の透明板８の表
面に対する高さ（本実施例においては基準マーク９と透
明板８の表面との高さが同一）さえきちんと一定にして
おけば変位センサ１のIC載置台７に対する高さにバラツ
キがあってもそれは誤差の要因とならない。
ド６、６、…の高さを判断するようにすることは、IC載
置台７に対する変位センサ１の高さのバラツキが検査精
度を低下する要因とならないという効果をもたらす。と
いうのは、変位センサ１のIC載置台７に対する高さによ
って変位センサ１の出力信号が異なるので、基準マーク
９、９、９、９の如き高さの判断基準を設けない場合に
は必然的に変位センサ１の高さのバラツキにより誤差が
生じる。従って、QFPIC5の各辺のリード６、６、…を異
なる検査ステージ上に検査するという方式の場合は、検
査ステージ間で高さのバラツキがあると１つのQFPIC5の
側辺によって誤差が生じるというようなことが有り得
る。しかし、基準マーク９、９、９、９の透明板８の表
面に対する高さ（本実施例においては基準マーク９と透
明板８の表面との高さが同一）さえきちんと一定にして
おけば変位センサ１のIC載置台７に対する高さにバラツ
キがあってもそれは誤差の要因とならない。
尚、基準マーク９は透明板８の表面に形成されていた
が、必ずしもこのようにする必要はなく、透明板８の表
面に形成しても良いし、また中間の深さのところに形成
しても良い。
が、必ずしもこのようにする必要はなく、透明板８の表
面に形成しても良いし、また中間の深さのところに形成
しても良い。
（H.発明の効果） 以上に述べたように、本発明の第１のものは、IC載置
台の検査用光走査線上に基準マークを設けるので、各リ
ードの基準マークとの平面上の位置関係を検出すること
ができる。即ち、基準マークを原点として各リードの絶
対的な平面的位置を検出することができる。
台の検査用光走査線上に基準マークを設けるので、各リ
ードの基準マークとの平面上の位置関係を検出すること
ができる。即ち、基準マークを原点として各リードの絶
対的な平面的位置を検出することができる。
従って、１つの側辺の全リードが平行に曲っている曲
り不良であっても支障なく不良と判断することができ
る。
り不良であっても支障なく不良と判断することができ
る。
また、本発明の第２のものによれば、IC載置台の表面
部を透明体で構成したので、検査用光のリードを外れた
ときの反射される高さをIC載置台表面よりも低くするこ
とができ、変位センサの出力信号のダイナミックレンジ
を広くすることができる。そして、該IC載置台の検査用
光走査線上に基準マークを設けたので、基準マークを基
準として各リードの絶対的な浮きあるいは沈みの量を測
定することができる。従って、一辺のリードがすべて浮
いているあるいは沈んでいるような不良も確実に検出す
ることが可能になる。
部を透明体で構成したので、検査用光のリードを外れた
ときの反射される高さをIC載置台表面よりも低くするこ
とができ、変位センサの出力信号のダイナミックレンジ
を広くすることができる。そして、該IC載置台の検査用
光走査線上に基準マークを設けたので、基準マークを基
準として各リードの絶対的な浮きあるいは沈みの量を測
定することができる。従って、一辺のリードがすべて浮
いているあるいは沈んでいるような不良も確実に検出す
ることが可能になる。
第１図乃至第３図は本発明の一つの実施例を説明するた
めのもので、第１図はICリード検査装置の斜視図、第２
図はIC載置台の断面図、第３図はリードと出力信号の関
係図である。 符号の説明 １……変位センサ、２……光源、 ３……受光素子、４……走査手段、 ５……被検査IC、 ６……被検査ICのリード、 ７……IC載置台、８……透明体、 ９……基準マーク、 10……検査用光の走査線。
めのもので、第１図はICリード検査装置の斜視図、第２
図はIC載置台の断面図、第３図はリードと出力信号の関
係図である。 符号の説明 １……変位センサ、２……光源、 ３……受光素子、４……走査手段、 ５……被検査IC、 ６……被検査ICのリード、 ７……IC載置台、８……透明体、 ９……基準マーク、 10……検査用光の走査線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66 G01N 21/88
Claims (4)
- 【請求項１】IC載置台と、該IC載置台上に載置された被
検査ICのリードに検査用光を照射しその反射光を検出し
て上記リードの高さを測定する変位センサと、該変位セ
ンサと上記IC載置台とを相対的に移動させて上記検査用
光で上記被検査ICのリード列を走査させる走査手段を少
なくとも有するICリード検査装置において、 上記IC載置台の上記検査用光の走査線上に基準マークを
設けてなる ことを特徴とするICリード検査装置 - 【請求項２】IC載置台の表面部が透明体からなることを
特徴とする請求項（１）記載のICリード検査装置 - 【請求項３】IC載置台と、該IC載置台上に載置された被
検査ICのリードに検査用光を照射しその反射光を検出し
て上記リードの高さを測定する変位センサと、該変位セ
ンサと上記IC載置台とを相対的に移動させて上記検査用
光で上記被検査ICのリード列を走査させる走査手段を少
なくとも有するICリード検査装置を用い、上記変位セン
サの出力信号の変化タイミングからリードの寄りを測定
するICリード検査方法において、 上記IC載置台の上記検査用光の走査線上に基準マークを
設けておき、該基準マークをリードの平面的位置の測定
基準にする ことを特徴とするICリード検査方法 - 【請求項４】IC載置台と、該IC載置台上に載置された被
検査ICのリードに検査用光を照射しその反射光を検出し
て上記リードの高さを測定する変位センサと、該変位セ
ンサと上記IC載置台とを相対的に移動させて上記検査用
光で上記被検査ICのリード列を走査させる走査手段を少
なくとも有し、上記IC載置台の表面部が透明体からなる
ICリード検査装置を用いて変位センサの出力信号からリ
ードの浮き沈みを測定するICリード検査方法において、 上記IC載置台の上記検査用光の走査線上に基準マークを
設けておき、該基準マークをリードの高さの測定基準に
する ことを特徴とするICリード検査方法
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1335970A JP2890578B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法 |
| KR1019900018701A KR910013499A (ko) | 1989-12-25 | 1990-11-19 | Ic리드검사장치와 ic리드검사방법 |
| US07/631,244 US5162866A (en) | 1989-12-25 | 1990-12-20 | Apparatus and method for inspecting IC leads |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1335970A JP2890578B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03195042A JPH03195042A (ja) | 1991-08-26 |
| JP2890578B2 true JP2890578B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=18294354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1335970A Expired - Fee Related JP2890578B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法 |
Country Status (3)
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|---|---|
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| JP (1) | JP2890578B2 (ja) |
| KR (1) | KR910013499A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2769750B2 (ja) * | 1991-04-23 | 1998-06-25 | リックス株式会社 | ワークの寸法検査装置 |
| US5331406A (en) * | 1991-06-25 | 1994-07-19 | Cyberoptics Corporation | Multi-beam laser sensor for semiconductor lead measurements |
| US5309223A (en) * | 1991-06-25 | 1994-05-03 | Cyberoptics Corporation | Laser-based semiconductor lead measurement system |
| JP2913967B2 (ja) * | 1991-11-14 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | リード平坦度測定装置 |
| US5463227A (en) * | 1992-06-24 | 1995-10-31 | Robotic Vision Systems, Inc. | Method for obtaining three-dimensional data from multiple parts or devices in a multi-pocketed tray |
| US5600150A (en) * | 1992-06-24 | 1997-02-04 | Robotic Vision Systems, Inc. | Method for obtaining three-dimensional data from semiconductor devices in a row/column array and control of manufacturing of same with data to eliminate manufacturing errors |
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| US5402505A (en) * | 1993-10-18 | 1995-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device lead inspection system |
| US5652658A (en) * | 1993-10-19 | 1997-07-29 | View Engineering, Inc. | Grid array inspection system and method |
| KR100367272B1 (ko) * | 1994-08-11 | 2003-03-15 | 사이버옵틱스 코포레이션 | 부품정렬센서및부품검출시스템 |
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| US6400459B1 (en) | 1995-02-24 | 2002-06-04 | Cyberoptics Corp. | Methods and apparatus for using optical sensors in component replacement heads |
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| US7034272B1 (en) | 1999-10-05 | 2006-04-25 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for evaluating integrated circuit packages having three dimensional features |
| US7155299B2 (en) * | 2004-06-01 | 2006-12-26 | Manufacturing Integration Technology Ltd | Method and apparatus for precise marking and placement of an object |
| US7746481B2 (en) | 2007-03-20 | 2010-06-29 | Cyberoptics Corporation | Method for measuring center of rotation of a nozzle of a pick and place machine using a collimated laser beam |
| US8068664B2 (en) * | 2007-06-05 | 2011-11-29 | Cyberoptics Corporation | Component sensor for pick and place machine using improved shadow imaging |
| CN106058626B (zh) * | 2007-06-13 | 2020-04-28 | 斯特罗布公司 | 锁定至回音壁模式谐振腔的可调谐激光器 |
| CN110095472B (zh) * | 2019-05-08 | 2019-12-13 | 湖北工业大学 | 基于hdri的高反光金属表面缺陷检测方法及系统 |
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| US4379175A (en) * | 1979-02-06 | 1983-04-05 | The Pro-Mark Companies | Preparation of low fat imitation cream cheese |
| JPS57198627A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Fujitsu Ltd | Reticle |
| DE3306194A1 (de) * | 1982-02-25 | 1983-09-08 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Verfahren zur pruefung von schraubenoberflaechen auf fehler und vorrichtung zu seiner durchfuehrung |
| JPH0731047B2 (ja) * | 1985-04-09 | 1995-04-10 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品リード検査方法 |
| JPS63278345A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の検査装置 |
| JP2676780B2 (ja) * | 1988-04-25 | 1997-11-17 | ソニー株式会社 | 半導体装置のリード曲り検査装置 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1335970A patent/JP2890578B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-11-19 KR KR1019900018701A patent/KR910013499A/ko active IP Right Grant
- 1990-12-20 US US07/631,244 patent/US5162866A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5162866A (en) | 1992-11-10 |
| KR910013499A (ko) | 1991-08-08 |
| JPH03195042A (ja) | 1991-08-26 |
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