JP2885862B2 - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は強誘電性液晶組成物に関する。さらに詳しく
は、光学活性基を有する強誘電性液晶組成物に関する。
は、光学活性基を有する強誘電性液晶組成物に関する。
[従来の技術] 現在の液晶表示素子は、主にネマチック液晶組成物を
用いたTN(Twisted Nematic)型である。このTN型の液
晶表示素子は、製造工程が簡便で、消費電力が低いなど
の長所を有するので、時計、電卓、テレビ、ワードプロ
セッサ、ラップトップコンピュータなどに幅広く用いら
れている。しかし、このネマチック液晶組成物を用いた
TN型液晶表示素子には、画像表示の応答速度が遅い、表
示容量に限界があるなどの問題があり、これを解決する
ために高速応答性、メモリ性などのネマチック液晶材料
にはない性質を有する強誘電性液晶材料を用いた液晶表
示素子の開発が盛んに行なわれている(エヌ エー ク
ラーク(N.A.Clark)ら、アプライド フィジクス レ
ターズ(Appl.Phys.lett.),36,899(1980)参照)。
用いたTN(Twisted Nematic)型である。このTN型の液
晶表示素子は、製造工程が簡便で、消費電力が低いなど
の長所を有するので、時計、電卓、テレビ、ワードプロ
セッサ、ラップトップコンピュータなどに幅広く用いら
れている。しかし、このネマチック液晶組成物を用いた
TN型液晶表示素子には、画像表示の応答速度が遅い、表
示容量に限界があるなどの問題があり、これを解決する
ために高速応答性、メモリ性などのネマチック液晶材料
にはない性質を有する強誘電性液晶材料を用いた液晶表
示素子の開発が盛んに行なわれている(エヌ エー ク
ラーク(N.A.Clark)ら、アプライド フィジクス レ
ターズ(Appl.Phys.lett.),36,899(1980)参照)。
強誘電性液晶材料の液晶相は、一般にスメクチックC*
(Sc*)相またはスメクチックH*(SH *)相とよばれ、層
構造を有し、かつらせん構造を示す液晶であり、液晶分
子の長軸が層の法線に対して傾きをもっており、この傾
きの方向がらせんを描くように各層間で規則的に異なっ
ている。第5図は強誘電性液晶材料の分子配向の説明図
である。第5図において(6)は液晶分子、(7)は自
発分極、(8)は層の法線に対して液晶分子のなす角
(チルト角)θ、(9)は層間のらせんの一周期に相当
する長さ(らせんピッチ)、(10)は層境界面を示す。
分子長軸の垂直方向すなわち層に平行なある方向に一定
のしきい値以上の電圧を印加すると、液晶分子(6)は
層法線と一定角θを保ちながらコーン型の側面に沿って
回転し、自発分極(7)の方向が電界の方向を向くよう
に配列する。実際に表示素子として用いる場合には、透
明電極を有し、その上に配向処理を施したガラス基板間
に強誘電性液晶材料を挟持し、その液晶パネルのセルギ
ャップをらせんピッチ以下にすることにより、らせん構
造を解いて液晶分子を一定方向に向けた状態で用いられ
る。
(Sc*)相またはスメクチックH*(SH *)相とよばれ、層
構造を有し、かつらせん構造を示す液晶であり、液晶分
子の長軸が層の法線に対して傾きをもっており、この傾
きの方向がらせんを描くように各層間で規則的に異なっ
ている。第5図は強誘電性液晶材料の分子配向の説明図
である。第5図において(6)は液晶分子、(7)は自
発分極、(8)は層の法線に対して液晶分子のなす角
(チルト角)θ、(9)は層間のらせんの一周期に相当
する長さ(らせんピッチ)、(10)は層境界面を示す。
分子長軸の垂直方向すなわち層に平行なある方向に一定
のしきい値以上の電圧を印加すると、液晶分子(6)は
層法線と一定角θを保ちながらコーン型の側面に沿って
回転し、自発分極(7)の方向が電界の方向を向くよう
に配列する。実際に表示素子として用いる場合には、透
明電極を有し、その上に配向処理を施したガラス基板間
に強誘電性液晶材料を挟持し、その液晶パネルのセルギ
ャップをらせんピッチ以下にすることにより、らせん構
造を解いて液晶分子を一定方向に向けた状態で用いられ
る。
この表示方法に用いる強誘電性液晶材料には以下のよ
うな特性が要求される。
うな特性が要求される。
室温を含む広い温度範囲(一般には−30〜60℃より広
い温度範囲)でSc*相などの強誘電性液晶相を示すこ
と。
い温度範囲)でSc*相などの強誘電性液晶相を示すこ
と。
強誘電性液晶の電界に対する応答速度τが τ=η/Ps・E (η:粘度、Ps:自発分極、E:電界)で表わされるの
で、大きな自発分極を持ち、かつ低粘性を示すこと。
で、大きな自発分極を持ち、かつ低粘性を示すこと。
高コントラストをうるために、22.5°または45°のチ
ルト角を有すること。
ルト角を有すること。
良好な配向を実現するために、強誘電性液晶相がSc*
相のばあいには、好ましくは I → Ch → SA → Sc* (I:等方性相、Ch:コレステリック相、SA:スメクチッ
クA相、Sc*:スメクチックC*相) の相系列であること。
相のばあいには、好ましくは I → Ch → SA → Sc* (I:等方性相、Ch:コレステリック相、SA:スメクチッ
クA相、Sc*:スメクチックC*相) の相系列であること。
液晶パネル内でらせんピッチを解いて良好な配向をう
るため、Ch相、Sc*相において充分に長いらせんピッチ
をもつこと。
るため、Ch相、Sc*相において充分に長いらせんピッチ
をもつこと。
しかし、以上の条件を満たす単体の強誘電性液晶材料
は皆無に等しいので、種々の特性をもつ液晶材料を混合
することにより目標とする特性を達成しようとしてい
る。
は皆無に等しいので、種々の特性をもつ液晶材料を混合
することにより目標とする特性を達成しようとしてい
る。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、種々の特性を有する強誘電性液晶材料
の混合により目標とする特性を有する液晶組成物をえよ
うとすると、前記の5つの条件のすべてを考慮にいれな
がら調製しなければならず、このような強誘電性液晶材
料の組合わせを見出すことは非常に困難であり、また、
調製される組成物の粘性が一般に高くなるため、非カイ
ラルなフメクチックC相を有する液晶材料を添加する方
法がとられてきている。
の混合により目標とする特性を有する液晶組成物をえよ
うとすると、前記の5つの条件のすべてを考慮にいれな
がら調製しなければならず、このような強誘電性液晶材
料の組合わせを見出すことは非常に困難であり、また、
調製される組成物の粘性が一般に高くなるため、非カイ
ラルなフメクチックC相を有する液晶材料を添加する方
法がとられてきている。
しかし、一般に非カイラル成分(非カイラルなスメク
チックC相を有する液晶材料)の含有率が液晶組成物中
に30%(重量%、以下同様)未満のばあいには、強誘電
性液晶組成物全体としての自発分極、相系列などの特性
の変化が少ない反面、らせんピッチの増大や粘性の低下
もあまり期待できず、一方、非カイラル成分の含有率が
30%以上のばあいには強誘電性液晶組成物の粘性の低下
以上に自発分極の減少が大きくなって、応答速度が遅く
なるという問題がある。また、スメクチックCまたはC*
相を示す液晶材料同士を混合するばあいに、混合物がス
メクチックCまたはC*相を形成しうるかどうか検討する
必要があり、相溶性のよい液晶材料同士しか混合できな
いという問題もある。
チックC相を有する液晶材料)の含有率が液晶組成物中
に30%(重量%、以下同様)未満のばあいには、強誘電
性液晶組成物全体としての自発分極、相系列などの特性
の変化が少ない反面、らせんピッチの増大や粘性の低下
もあまり期待できず、一方、非カイラル成分の含有率が
30%以上のばあいには強誘電性液晶組成物の粘性の低下
以上に自発分極の減少が大きくなって、応答速度が遅く
なるという問題がある。また、スメクチックCまたはC*
相を示す液晶材料同士を混合するばあいに、混合物がス
メクチックCまたはC*相を形成しうるかどうか検討する
必要があり、相溶性のよい液晶材料同士しか混合できな
いという問題もある。
すなわち、一般に、強誘電性液晶組成物を調製するに
は、分子形状、自発分極、らせんピッチの大きさ、方向
などの異なる強誘電性液晶材料同士を諸特性を考慮にい
れながら混合する必要がある。このとき、非カイラルな
スメクチックC相を有する液晶材料を添加すると自発分
極の極性、らせんピッチのねじれ方向、チルト角などを
変えることなく、らせんピッチを増大させ、粘性を低下
させ、強誘電性液晶相となる温度範囲を拡大させること
ができるが、自発分極の大きさは、非カイラル成分の増
加にしたがって直線的に減少し、それに伴って応答速度
も遅くなる傾向がみられる(第3図参照)。また、分子
形状の異なる液晶材料同士を混合するばあいには、2種
以上の液晶材料が共存するためスメクチックCまたはC*
相を形成しえないこともある。
は、分子形状、自発分極、らせんピッチの大きさ、方向
などの異なる強誘電性液晶材料同士を諸特性を考慮にい
れながら混合する必要がある。このとき、非カイラルな
スメクチックC相を有する液晶材料を添加すると自発分
極の極性、らせんピッチのねじれ方向、チルト角などを
変えることなく、らせんピッチを増大させ、粘性を低下
させ、強誘電性液晶相となる温度範囲を拡大させること
ができるが、自発分極の大きさは、非カイラル成分の増
加にしたがって直線的に減少し、それに伴って応答速度
も遅くなる傾向がみられる(第3図参照)。また、分子
形状の異なる液晶材料同士を混合するばあいには、2種
以上の液晶材料が共存するためスメクチックCまたはC*
相を形成しえないこともある。
なお、第3図は従来の強誘電性液晶組成物における非
カイラルなスメクチックC相を有する材料の含有割合と
自発分極および応答速度との関係を示すグラフである。
カイラルなスメクチックC相を有する材料の含有割合と
自発分極および応答速度との関係を示すグラフである。
本発明は室温を含む広い温度範囲で強誘電性液晶相を
示し、配向性に優れ、低粘性で高速応答の可能な強誘電
性液晶組成物を提供することを目的とする。
示し、配向性に優れ、低粘性で高速応答の可能な強誘電
性液晶組成物を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 前記の問題の解消を目的とする強誘電性液晶組成物も
検討されており(特開平1−101390号公報参照)、強誘
電性液晶組成物中に非カイラルなスメクチックC相を示
す液晶化合物または組成物を75%以上添加したとき、自
発分極の減少にともなう応答速度の遅延よりも低粘性化
による高速応答化が優先的におこるとしているが、本発
明では、非カイラルなスメクチックC相を有する材料と
して粘性をより低下させるエチニレン基を分子構造中に
含む液晶化合物を用いているため、非カイラル成分が75
%以下においても低粘性化が誘起され、非カイラル成分
30%以上のばあいに自発分極の減少にともなう応答速度
の遅延よりも低粘性化による高速応答化が優先的におこ
る。
検討されており(特開平1−101390号公報参照)、強誘
電性液晶組成物中に非カイラルなスメクチックC相を示
す液晶化合物または組成物を75%以上添加したとき、自
発分極の減少にともなう応答速度の遅延よりも低粘性化
による高速応答化が優先的におこるとしているが、本発
明では、非カイラルなスメクチックC相を有する材料と
して粘性をより低下させるエチニレン基を分子構造中に
含む液晶化合物を用いているため、非カイラル成分が75
%以下においても低粘性化が誘起され、非カイラル成分
30%以上のばあいに自発分極の減少にともなう応答速度
の遅延よりも低粘性化による高速応答化が優先的におこ
る。
本発明は、 一般式(I) (式中、R1、R2は炭素数1〜20のアルキル基またはアル
コキシ基、Xは水素原子またはハロゲン原子、 Q1は−COO−または−OCO−、Q2はエチニレン基を示す)
で表わされる非カイラルなスメクチックC相を示す液晶
化合物の1種以上を含む非カイラル液晶含有物を30重量
%以上含有することを特徴とする強誘電性液晶組成物 に関する。
コキシ基、Xは水素原子またはハロゲン原子、 Q1は−COO−または−OCO−、Q2はエチニレン基を示す)
で表わされる非カイラルなスメクチックC相を示す液晶
化合物の1種以上を含む非カイラル液晶含有物を30重量
%以上含有することを特徴とする強誘電性液晶組成物 に関する。
[実施例] 本発明の強誘電性液晶組成物には、応答速度を速く
し、強誘電性液晶相を示す温度範囲を広くするために、
一般式(I): で表わされる非カイラルなスメクチックC相を示す液晶
化合物(以下、化合物(I)ともいう)の1種以上を含
む液晶含有物(以下、非カイラル液晶含有物ともいう)
が含まれている。
し、強誘電性液晶相を示す温度範囲を広くするために、
一般式(I): で表わされる非カイラルなスメクチックC相を示す液晶
化合物(以下、化合物(I)ともいう)の1種以上を含
む液晶含有物(以下、非カイラル液晶含有物ともいう)
が含まれている。
前記一般式(I)において、R1、R2はそれぞれ、炭素
数1〜20、好ましくは4〜16のアルキル基またはアルコ
キシ基を示す。炭素数が20をこえると液晶性を示さなく
なり、またR1、R2がアルキル基またはアルコキシ基以外
の基であるばあいには粘性が高くなる傾向がある。
数1〜20、好ましくは4〜16のアルキル基またはアルコ
キシ基を示す。炭素数が20をこえると液晶性を示さなく
なり、またR1、R2がアルキル基またはアルコキシ基以外
の基であるばあいには粘性が高くなる傾向がある。
このようなR1、R2の具体例としては、たとえばC4H
9−、C5H11−、C6H13−、C7H15−、C8H17−、C9H19−、
C10H21−、C11H23−、C12H25−、C13H27−、C14H29−、
C15H31−、C16H33−などのアルキル基、C8H17O−、C10H
21O−、C11H23O−、C12H25O−、C13H27O−、C14H29O
−、C15H31O−、C16H33O−などのアルコキシ基があげら
れる。
9−、C5H11−、C6H13−、C7H15−、C8H17−、C9H19−、
C10H21−、C11H23−、C12H25−、C13H27−、C14H29−、
C15H31−、C16H33−などのアルキル基、C8H17O−、C10H
21O−、C11H23O−、C12H25O−、C13H27O−、C14H29O
−、C15H31O−、C16H33O−などのアルコキシ基があげら
れる。
前記Xは水素原子またはハロゲン原子を示し、 示し、Q1は−COO−または−OCO−を示す。X、Y、Q1が
これら以外の基または原子のばあいには、液晶性を示し
にくくなる。
これら以外の基または原子のばあいには、液晶性を示し
にくくなる。
前記Q2は、エチニレン基を示す。エチニレン基は化合
物(I)のコア骨格中にあってコアの剛直性を低下さ
せ、化合物(I)の粘性を低下させる作用がある。
物(I)のコア骨格中にあってコアの剛直性を低下さ
せ、化合物(I)の粘性を低下させる作用がある。
化合物(I)の具体例としては、たとえば などがあげられる。
化合物(I)は単独で用いてもよいが、Sc相を示す温
度範囲を広くするという点からは2種以上を併用するの
が好ましい。
度範囲を広くするという点からは2種以上を併用するの
が好ましい。
このような化合物(I)は、通常0〜80℃程度の広い
温度範囲においてスメクチックC相を示す。
温度範囲においてスメクチックC相を示す。
化合物(I)の割合は、非カイラル液晶含有物中30%
以上、さらには30〜70%であるのが好ましい。該割合が
30%未満では粘性が高く応答速度が遅くなる傾向があ
る。
以上、さらには30〜70%であるのが好ましい。該割合が
30%未満では粘性が高く応答速度が遅くなる傾向があ
る。
非カイラル液晶組成物中には、Sc相を示す温度範囲を
広げる目的で、 などの、化合物(I)以外の非カイラルなスメクチック
C相を有する液晶化合物が配合されうる。
広げる目的で、 などの、化合物(I)以外の非カイラルなスメクチック
C相を有する液晶化合物が配合されうる。
本発明の組成物に占める非カイラル液晶含有物の割合
は、30%以上、好ましくは30〜90%、さらに好ましくは
30〜70%、とくに好ましくは40〜60%である。該割合が
30%未満では応答速度の改善効果があまりあらわれな
い。また、90%をこえると粘性の低下による高速応答化
よりも自発分極の低下による応答速度の遅延が優先的に
起こる傾向がある。
は、30%以上、好ましくは30〜90%、さらに好ましくは
30〜70%、とくに好ましくは40〜60%である。該割合が
30%未満では応答速度の改善効果があまりあらわれな
い。また、90%をこえると粘性の低下による高速応答化
よりも自発分極の低下による応答速度の遅延が優先的に
起こる傾向がある。
本発明の組成物に配合されうる前記非カイラル液晶含
有物以外の成分としては、化合物(I)と同様のコア骨
格を有し、スメクチックC*相を有する強誘電性液晶化合
物含有物(以下、カイラル液晶含有物ともいう)を含有
するのが前記非カイラル液晶含有物との相溶性がよく、
広い温度範囲で強誘電性液晶相を示し、応答速度が速
く、らせんピッチの大きな強誘電性液晶組成物を容易に
うることができるという点から好ましい。
有物以外の成分としては、化合物(I)と同様のコア骨
格を有し、スメクチックC*相を有する強誘電性液晶化合
物含有物(以下、カイラル液晶含有物ともいう)を含有
するのが前記非カイラル液晶含有物との相溶性がよく、
広い温度範囲で強誘電性液晶相を示し、応答速度が速
く、らせんピッチの大きな強誘電性液晶組成物を容易に
うることができるという点から好ましい。
前記のごとき化合物(I)と同様のコア骨格を有する
強誘電性液晶化合物の具体例としては、たとえば一般式
(II): で表わされる強誘電性液晶化合物(以下、化合物(II)
ともいう)があげられる。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、たとえば一般式
(II): で表わされる強誘電性液晶化合物(以下、化合物(II)
ともいう)があげられる。
前記化合物(II)において、R3は炭素数1〜20、好ま
しくは4〜16のアルキル基またはアルコキシ基、Xおよ
びYは前記と同じ、Q3は−COO−または−OCO−、Q4はエ
チレン基またはエチニレン基、mは0〜5の整数、nは
1〜5の整数、C*は光学活性炭素を示す。
しくは4〜16のアルキル基またはアルコキシ基、Xおよ
びYは前記と同じ、Q3は−COO−または−OCO−、Q4はエ
チレン基またはエチニレン基、mは0〜5の整数、nは
1〜5の整数、C*は光学活性炭素を示す。
R3、m、n、X、Y、Q3およびQ4が前記以外のものの
ばあいには、液晶性を示さなくなる傾向がある。前記R3
の具体例としては、たとえばC6H13O−、C8H17O−、C10H
21O−、C12H25O−、C6H13O−、C8H17O−、C10H21O−、C
12H25O−などがあげられる。
ばあいには、液晶性を示さなくなる傾向がある。前記R3
の具体例としては、たとえばC6H13O−、C8H17O−、C10H
21O−、C12H25O−、C6H13O−、C8H17O−、C10H21O−、C
12H25O−などがあげられる。
化合物(II)の具体例としては、たとえば などがあげられる。
化合物(II)は、単独で用いてもよいが、Sc*相を示
す温度範囲を拡げる、自発分極、らせんピッチなどの諸
特性を調製するなどの点からは2種以上を併用するのが
好ましい。
す温度範囲を拡げる、自発分極、らせんピッチなどの諸
特性を調製するなどの点からは2種以上を併用するのが
好ましい。
化合物(II)の割合は、カイラル液晶含有物中10%以
上、さらには40〜80%であるのが好ましい。該割合が10
%未満では非カイラル液晶含有物と混合した際、Sc*相
の相溶性がわるくなり、相分離を起こす可能性がある。
上、さらには40〜80%であるのが好ましい。該割合が10
%未満では非カイラル液晶含有物と混合した際、Sc*相
の相溶性がわるくなり、相分離を起こす可能性がある。
カイラル液晶含有物中に含有されうる前記化合物(I
I)以外の成分の具体例としては、たとえば などの強誘電性液晶化合物があげられる。
I)以外の成分の具体例としては、たとえば などの強誘電性液晶化合物があげられる。
本発明の組成物には、一般式(I)で表わされるエチ
ニレン基をコア骨格中に含む非カイラルなスメクチック
C相を有する液晶化合物を構成成分とする非カイラル液
晶含有物が30%以上配合されているので、応答速度が大
きく改善される。これは、一般式(I)で表わされる液
晶化合物がコア骨格中にコアの剛直性を低下させる結合
(エチニレン基)が含まれているため、30%未満では低
粘度化による応答速度の改善は見られるものの余り大き
な効果は現れないのに対して、30%以上では非カイラル
成分の増加による自発分極の低下に伴う応答速度の遅延
よりも、一般式(I)の低粘性液晶化合物を含む非カイ
ラルスメクチックC液晶含有物の添加に伴う低粘性化に
よる応答速度の向上が優先的に起こるためである。この
ような本発明の液晶組成物は広い温度範囲で強誘電性液
晶相を示し、応答速度が速く、らせんピッチの大きな強
誘電性液晶組成物である。さらに、カイラル成分とし
て、化合物(I)と同一または類似のコア骨格を有する
強誘電性液晶化合物(II)を構成成分とするカイラル液
晶含有物を用いたばあいには、同系列のコア骨格を有す
る液晶化合物をカイラル成分・非カイラル成分の双方に
含んでいるため相溶性がよく、広い温度範囲で強誘電性
液晶相を示し、応答速度が速く、らせんピッチの大きな
強誘電性液晶組成物となる。
ニレン基をコア骨格中に含む非カイラルなスメクチック
C相を有する液晶化合物を構成成分とする非カイラル液
晶含有物が30%以上配合されているので、応答速度が大
きく改善される。これは、一般式(I)で表わされる液
晶化合物がコア骨格中にコアの剛直性を低下させる結合
(エチニレン基)が含まれているため、30%未満では低
粘度化による応答速度の改善は見られるものの余り大き
な効果は現れないのに対して、30%以上では非カイラル
成分の増加による自発分極の低下に伴う応答速度の遅延
よりも、一般式(I)の低粘性液晶化合物を含む非カイ
ラルスメクチックC液晶含有物の添加に伴う低粘性化に
よる応答速度の向上が優先的に起こるためである。この
ような本発明の液晶組成物は広い温度範囲で強誘電性液
晶相を示し、応答速度が速く、らせんピッチの大きな強
誘電性液晶組成物である。さらに、カイラル成分とし
て、化合物(I)と同一または類似のコア骨格を有する
強誘電性液晶化合物(II)を構成成分とするカイラル液
晶含有物を用いたばあいには、同系列のコア骨格を有す
る液晶化合物をカイラル成分・非カイラル成分の双方に
含んでいるため相溶性がよく、広い温度範囲で強誘電性
液晶相を示し、応答速度が速く、らせんピッチの大きな
強誘電性液晶組成物となる。
以下に本発明の強誘電性液晶組成物を、実施例により
さらに詳細に説明するが、本発明はかかる実施例に限定
されるものではない。
さらに詳細に説明するが、本発明はかかる実施例に限定
されるものではない。
実施例1 式: で表わされる化合物と式: で表わされる非カイラルなスメクチックC相を有する液
晶化合物とを等重量ずつ混合して非カイラル液晶含有物
(以下、含有物(A)という)を調製した。含有物
(A)の相転移温度、相判定を以下に示す方法によって
行なったところ、 であった。(N:ネマチック相) ついで含有物(A)と式(III): で表わされる強誘電性液晶化合物とを、含有物(A)の
含有割合が0%、15%、30%、35%、60%、70%および
100%になるように混合して相転移温度、自発分極、ピ
ッチの長さおよび応答速度を以下に示す方法によって測
定した。第1図にこの混合系の25℃における自発分極
と、20VO-P印加時の応答速度の濃度依存性を示し、第2
図に相図を示す。
晶化合物とを等重量ずつ混合して非カイラル液晶含有物
(以下、含有物(A)という)を調製した。含有物
(A)の相転移温度、相判定を以下に示す方法によって
行なったところ、 であった。(N:ネマチック相) ついで含有物(A)と式(III): で表わされる強誘電性液晶化合物とを、含有物(A)の
含有割合が0%、15%、30%、35%、60%、70%および
100%になるように混合して相転移温度、自発分極、ピ
ッチの長さおよび応答速度を以下に示す方法によって測
定した。第1図にこの混合系の25℃における自発分極
と、20VO-P印加時の応答速度の濃度依存性を示し、第2
図に相図を示す。
第1図より、自発分極は非カイラルなスメクチックC
相を有する組成物(含有物(A))の割合の増加に従い
ほぼ直線的に減少しているが、含有物(A)の割合が約
30%未満の範囲では含有物(A)の割合の増加にともな
う粘性の低下にしたがって応答速度が速くなっており、
30%以上ではさらに応答速度が速く、30〜60%では最も
速い応答速度を示し、ほぼ一定値を示していることがわ
かる。またこの組成比の範囲ではらせんピッチも50μm
以上と充分に長く、良好な配向性を示した。
相を有する組成物(含有物(A))の割合の増加に従い
ほぼ直線的に減少しているが、含有物(A)の割合が約
30%未満の範囲では含有物(A)の割合の増加にともな
う粘性の低下にしたがって応答速度が速くなっており、
30%以上ではさらに応答速度が速く、30〜60%では最も
速い応答速度を示し、ほぼ一定値を示していることがわ
かる。またこの組成比の範囲ではらせんピッチも50μm
以上と充分に長く、良好な配向性を示した。
以上の結果から、本発明に用いる非カイラルなスメク
チックC相を有する液晶含有物(A)を強誘電性液晶化
合物(III)に、えられる組成物中の割合が30%以上に
なるように配合することにより、配向が良好で高速応答
が可能な強誘電性液晶組成物がえられることがわかる。
チックC相を有する液晶含有物(A)を強誘電性液晶化
合物(III)に、えられる組成物中の割合が30%以上に
なるように配合することにより、配向が良好で高速応答
が可能な強誘電性液晶組成物がえられることがわかる。
(相転移温度、相判定) 偏光顕微鏡観察、DSC(示差走査熱量計)により行な
う。
う。
(応答速度) 第4図に示す構成の、セルギャップ2μmの液晶セル
を用い、20VO-Pの矩形波を印加したときの電圧印加時か
ら透過光量90%変化点までの時間を応答速度とした。な
お、第4図は強誘電性液晶セルの断面図であり、図にお
いて(1)は偏光板、(2)はガラス基板、(3)は透
明電極、(4)はラビング処理を施したポリイミド配向
膜、(5)は前記強誘電性液晶組成物を示す。
を用い、20VO-Pの矩形波を印加したときの電圧印加時か
ら透過光量90%変化点までの時間を応答速度とした。な
お、第4図は強誘電性液晶セルの断面図であり、図にお
いて(1)は偏光板、(2)はガラス基板、(3)は透
明電極、(4)はラビング処理を施したポリイミド配向
膜、(5)は前記強誘電性液晶組成物を示す。
(自発分極) 前記液晶セルを用い、30VO-Pのサイン波を印加し、ソ
ーヤタワー法により自発分極を測定する。
ーヤタワー法により自発分極を測定する。
(らせんピッチ) セルギャップが100μmである以外は前記液晶セルと
同様の構造の液晶セルを用い、転傾線の間隔よりらせん
ピッチを測定する。
同様の構造の液晶セルを用い、転傾線の間隔よりらせん
ピッチを測定する。
実施例2 式: で表わされる化合物と式: で表わされる強誘電性液晶化合物とをそれぞれ70%、30
%の組成比で混合してカイラル液晶含有物(以下、含有
物(B)という)を調製した。含有物(B)の相転移温
度、相判定を行なったところ、 であった。
%の組成比で混合してカイラル液晶含有物(以下、含有
物(B)という)を調製した。含有物(B)の相転移温
度、相判定を行なったところ、 であった。
ついで含有物(B)と実施例1の含有物(A)とを混
合して実施例1と同様にして相転移温度、自発分極、ピ
ッチの長さおよび応答速度を測定したところ、実施例1
とほぼ同様に非カイラル成分が30%以上の組成比におい
て良好な結果がえられた。
合して実施例1と同様にして相転移温度、自発分極、ピ
ッチの長さおよび応答速度を測定したところ、実施例1
とほぼ同様に非カイラル成分が30%以上の組成比におい
て良好な結果がえられた。
以上の結果から実施例1の含有物(A)を強誘電性液
晶を含有する含有物(B)に、えられる組成物中の割合
が30%以上になるように配合することにより、配向が良
好で高速応答が可能な強誘電性液晶組成物がえられるこ
とがわかる。
晶を含有する含有物(B)に、えられる組成物中の割合
が30%以上になるように配合することにより、配向が良
好で高速応答が可能な強誘電性液晶組成物がえられるこ
とがわかる。
[発明の効果] 以上のように本発明の強誘電性液晶組成物は、コア骨
格中にコアの剛直性を低下させる結合基であるエチニレ
ン基を有することにより低粘性を示す一般式(I)で表
わされる非カイラル液晶化合物を構成成分とする非カイ
ラルなスメクチックC相を有する液晶組成物を30%以上
含有するので、低粘性で、強誘電性液晶相を広い温度範
囲で示し、配向が良好で、高速応答の可能な強誘電性液
晶組成物である。さらに、スメクチックC*相を有する強
誘電性液晶成分として化合物(I)と同一または類似の
コア骨格を有する化合物(II)を構成成分とする強誘電
性液晶材料を用いるばあいには、本発明の組成物はカイ
ラル成分と非カイラル成分が同系列のコア構造を有して
いることにより、相溶性がよく、強融電性液晶相を広い
温度範囲で示し、配向性に優れ、低粘性で高速応答の可
能な強誘電性液晶組成物となる。
格中にコアの剛直性を低下させる結合基であるエチニレ
ン基を有することにより低粘性を示す一般式(I)で表
わされる非カイラル液晶化合物を構成成分とする非カイ
ラルなスメクチックC相を有する液晶組成物を30%以上
含有するので、低粘性で、強誘電性液晶相を広い温度範
囲で示し、配向が良好で、高速応答の可能な強誘電性液
晶組成物である。さらに、スメクチックC*相を有する強
誘電性液晶成分として化合物(I)と同一または類似の
コア骨格を有する化合物(II)を構成成分とする強誘電
性液晶材料を用いるばあいには、本発明の組成物はカイ
ラル成分と非カイラル成分が同系列のコア構造を有して
いることにより、相溶性がよく、強融電性液晶相を広い
温度範囲で示し、配向性に優れ、低粘性で高速応答の可
能な強誘電性液晶組成物となる。
第1図は実施例1の強誘電性液晶組成物における非カイ
ラル成分の含有割合と自発分極および応答速度との関係
を示すグラフ、第2図は実施例1の強誘電性液晶組成物
の相図、第3図は従来の強誘電性液晶組成物における非
カイラルなスメクチックC相を有する化合物の含有割合
と自発分極および応答速度との関係を示すグラフ、第4
図は強誘電性液晶セルの断面図、第5図は強誘電性液晶
材料の分子配向を示す説明図である。
ラル成分の含有割合と自発分極および応答速度との関係
を示すグラフ、第2図は実施例1の強誘電性液晶組成物
の相図、第3図は従来の強誘電性液晶組成物における非
カイラルなスメクチックC相を有する化合物の含有割合
と自発分極および応答速度との関係を示すグラフ、第4
図は強誘電性液晶セルの断面図、第5図は強誘電性液晶
材料の分子配向を示す説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田畑 伸 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電機株式会社材料研究所内 (72)発明者 増見 達生 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電機株式会社材料研究所内 (72)発明者 加峯 茂行 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電機株式会社材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−188653(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C09K 19/20,19/34
Claims (1)
- 【請求項1】一般式(I): (式中、R1、R2は炭素数1〜20のアルキル基またはアル
コキシ基、Xは水素原子またはハロゲン原子、Yは Q1は−COO−または−OCO−、Q2はエチニレン基を示す) で表わされる非カイラルなスメクチックC相を示す液晶
化合物の1種以上を含む非カイラル液晶含有物を30重量
%以上含有することを特徴とする強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2046076A JP2885862B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2046076A JP2885862B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03247691A JPH03247691A (ja) | 1991-11-05 |
JP2885862B2 true JP2885862B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=12736903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2046076A Expired - Fee Related JP2885862B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2885862B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2046076A patent/JP2885862B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03247691A (ja) | 1991-11-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |