JP2871701B2 - 半導体ウェーハ用キャリア - Google Patents
半導体ウェーハ用キャリアInfo
- Publication number
- JP2871701B2 JP2871701B2 JP63316978A JP31697888A JP2871701B2 JP 2871701 B2 JP2871701 B2 JP 2871701B2 JP 63316978 A JP63316978 A JP 63316978A JP 31697888 A JP31697888 A JP 31697888A JP 2871701 B2 JP2871701 B2 JP 2871701B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- semiconductor wafer
- wafer
- etching
- convex support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェーハ用キャリアに関し、特にウ
ェット系のエッチングを行なうときに使用するものに関
する。
ェット系のエッチングを行なうときに使用するものに関
する。
〔従来の技術〕 半導体ウェーハ用キャリア（以下キャリアと略称す
る）は、ウェーハをまとめて数10枚程度、移転運搬する
のに使用する。さらにウェット系のエッチング作業の場
合には、そのままエッチング液中に浸漬する。キャリア
は材質としては、ステンレス鋼もしくはプラスチック製
であって、長手方向の対向する２側壁に凸条の突起から
なる複数の支持部を設ける。支持部は、対向する側壁の
支持部に対して同一に配列し、両側壁の支持部および支
持部間の側壁部にはさまれて、半導体ウェーハがその周
縁が接触しながら保持されるようになっている。
る）は、ウェーハをまとめて数10枚程度、移転運搬する
のに使用する。さらにウェット系のエッチング作業の場
合には、そのままエッチング液中に浸漬する。キャリア
は材質としては、ステンレス鋼もしくはプラスチック製
であって、長手方向の対向する２側壁に凸条の突起から
なる複数の支持部を設ける。支持部は、対向する側壁の
支持部に対して同一に配列し、両側壁の支持部および支
持部間の側壁部にはさまれて、半導体ウェーハがその周
縁が接触しながら保持されるようになっている。
半導体ウェーハ（以下ではウェーハという）は、互い
に支持部ではなされ、接触しないで保持される。
に支持部ではなされ、接触しないで保持される。
上述した従来のキャリアをエッチング作業；例えば窒
化膜エッチングのように、リン酸系の粘度の高いエッチ
ング液中での作業に使用する際、ウェーハのキャリアに
接触している部分はどうしてもエッチングされない残り
が生ずる。
化膜エッチングのように、リン酸系の粘度の高いエッチ
ング液中での作業に使用する際、ウェーハのキャリアに
接触している部分はどうしてもエッチングされない残り
が生ずる。
半導体製造プロセスでは、選択酸化を行なうためにマ
スクとなる窒化膜を気相成長でウェーハ上に形成する
が、このとき裏面及び側面部にも窒化膜が形成されるの
で、ウェーハ表面の窒化膜をパターニングした後、選択
酸化を行ない、ウェーハ全面の窒化膜を除去する。この
除去は160℃程の温度のリン酸系エッチング液中に、ウ
ェーハをキャリアに収納して浸漬して行なう。このとき
ウェーハの最外周部の表と裏の一部と側面の一部に、前
述したように窒化膜残りが発生することがある。このよ
うな窒化膜残りは後工程で剥れてゴミとなり、ウェーハ
表面に付着するなどして半導体装置製造上の不良原因と
なるなどの問題点があった。
スクとなる窒化膜を気相成長でウェーハ上に形成する
が、このとき裏面及び側面部にも窒化膜が形成されるの
で、ウェーハ表面の窒化膜をパターニングした後、選択
酸化を行ない、ウェーハ全面の窒化膜を除去する。この
除去は160℃程の温度のリン酸系エッチング液中に、ウ
ェーハをキャリアに収納して浸漬して行なう。このとき
ウェーハの最外周部の表と裏の一部と側面の一部に、前
述したように窒化膜残りが発生することがある。このよ
うな窒化膜残りは後工程で剥れてゴミとなり、ウェーハ
表面に付着するなどして半導体装置製造上の不良原因と
なるなどの問題点があった。
本発明の目的は、上記の事情に鑑み、キャリアをエッ
チング作業に使用する場合にも、充分にエッチング液が
ウェーハの隅々までゆきわたり、エッチング残りなどの
障害のおきないような構造のキャリアを提供することに
ある。
チング作業に使用する場合にも、充分にエッチング液が
ウェーハの隅々までゆきわたり、エッチング残りなどの
障害のおきないような構造のキャリアを提供することに
ある。
本発明の半導体ウェーハ用のキャリアは、長手方向に
対向する２側壁のそれぞれに、複数の凸状支持部を設
け、隣接する凸状支持部間に半導体ウェーハを位置させ
る半導体ウェーハ用キャリアにおいて、前記凸状支持部
と前記半導体ウェーハとの接触部位ならびに前記隣接す
る凸状支持部の間の前記側壁と前記半導体ウェーハとの
接触部位の少なくとも一方に貫通小孔群を設けるように
している。
対向する２側壁のそれぞれに、複数の凸状支持部を設
け、隣接する凸状支持部間に半導体ウェーハを位置させ
る半導体ウェーハ用キャリアにおいて、前記凸状支持部
と前記半導体ウェーハとの接触部位ならびに前記隣接す
る凸状支持部の間の前記側壁と前記半導体ウェーハとの
接触部位の少なくとも一方に貫通小孔群を設けるように
している。
貫通小孔群をとおして、エッチング液が、ウェーハの
キャリアに保持され、接触する部分に、自由に流出入す
るので、エッチング残りは生じない。
キャリアに保持され、接触する部分に、自由に流出入す
るので、エッチング残りは生じない。
以下、図面を参照して、本発明の実施例につき説明す
る。貫通小孔群の配置場所、および孔の数などは、エッ
チング液の流出入がよく行なわれるように適宜きめれば
よい。
る。貫通小孔群の配置場所、および孔の数などは、エッ
チング液の流出入がよく行なわれるように適宜きめれば
よい。
第１図は、本発明の一実施例の横断面図である。１は
ウェーハで、２はテフロン（登録商標）製のキャリア、
３は凸状の支持部、４は支持部３の側面に設けた直径0.
1〜2mm程度の小孔からなる貫通小孔群である。キャリア
２内にウェーハ１を収納して150〜170℃程度のリン酸系
エッチング液中にキャリア２ごと浸してウェーハ窒化膜
を除去するときに、貫通小孔群４からは液が自由に流出
入するので、ウェーハ全面の窒化膜が除去可能となる。
ウェーハで、２はテフロン（登録商標）製のキャリア、
３は凸状の支持部、４は支持部３の側面に設けた直径0.
1〜2mm程度の小孔からなる貫通小孔群である。キャリア
２内にウェーハ１を収納して150〜170℃程度のリン酸系
エッチング液中にキャリア２ごと浸してウェーハ窒化膜
を除去するときに、貫通小孔群４からは液が自由に流出
入するので、ウェーハ全面の窒化膜が除去可能となる。
貫通小孔群４の配置は、第２図に示すように、支持部
３の間のキャリア側壁部分に設けるようにすることもで
きる。第２図はキャリア２の側面の透視図であって、貫
通小孔は0.1〜1mm程度の大きさである。
３の間のキャリア側壁部分に設けるようにすることもで
きる。第２図はキャリア２の側面の透視図であって、貫
通小孔は0.1〜1mm程度の大きさである。
さらに、貫通小孔群４は、支持部３、あるいは支持部
３の間のキャリア側壁部分にかぎられず、両者にまたが
るようにもできる。第３図は、上記のように貫通小孔群
４を配置したキャリア２の横断面図である。
３の間のキャリア側壁部分にかぎられず、両者にまたが
るようにもできる。第３図は、上記のように貫通小孔群
４を配置したキャリア２の横断面図である。
また、貫通小孔群４の配列は、キャリア２の強度が損
なわれないかぎり、２列,3列と多数列にすることができ
る。ただし、貫通小孔の径は微小すぎると、粘度の高い
エッチング液の流出入が難しくなり、また水洗後も残留
しやすいので、直径0.1mm以上であることが望ましい。
なわれないかぎり、２列,3列と多数列にすることができ
る。ただし、貫通小孔の径は微小すぎると、粘度の高い
エッチング液の流出入が難しくなり、また水洗後も残留
しやすいので、直径0.1mm以上であることが望ましい。
以上説明したように本発明は、キャリアの半導体ウェ
ーハと接触しあるいは、接触しやすい領域に貫通小孔を
多数設けることにより、粘度の高いエッチング液中でキ
ャリアと半導体ウェーハの接触部にエッチング残りが発
生するのを防ぐ効果がある。
ーハと接触しあるいは、接触しやすい領域に貫通小孔を
多数設けることにより、粘度の高いエッチング液中でキ
ャリアと半導体ウェーハの接触部にエッチング残りが発
生するのを防ぐ効果がある。
さらにこのことにより、後工程の例えば他のエッチン
グ液中で、処理中にこれらの残留物が剥れてエッチング
液中に浮遊してゴミとなり、半導体ウェーハ表面に再付
着するようなことを防止できる。このような浮遊物は通
常、半導体ウェーハ上に0.5μｍ径以上で100〜1000個程
度のゴミとなり再付着していたが、本発明のキャリアを
用いれば100以下のゴミにおさえることができる。
グ液中で、処理中にこれらの残留物が剥れてエッチング
液中に浮遊してゴミとなり、半導体ウェーハ表面に再付
着するようなことを防止できる。このような浮遊物は通
常、半導体ウェーハ上に0.5μｍ径以上で100〜1000個程
度のゴミとなり再付着していたが、本発明のキャリアを
用いれば100以下のゴミにおさえることができる。
図面は、本発明の実施例にかかるもので、第１図は第１
の実施例の横断面図、第２図は第２の実施例の側面透視
図、第３図は第３の実施例の横断面図である。 １…ウェーハ、２…キャリア、３…支持部、４…貫通小
孔群。
の実施例の横断面図、第２図は第２の実施例の側面透視
図、第３図は第３の実施例の横断面図である。 １…ウェーハ、２…キャリア、３…支持部、４…貫通小
孔群。
Claims (1)
- 【請求項１】長手方向に対向する２側壁のそれぞれに、
複数の凸状支持部を設け、隣接する凸状支持部間に半導
体ウェーハを位置させる半導体ウェーハ用キャリアにお
いて、前記凸状支持部と前記半導体ウェーハとの接触部
位ならびに前記隣接する凸状支持部の間の前記側壁と前
記半導体ウェーハとの接触部位の少なくとも一方に貫通
小孔群を設けたことを特徴とする半導体ウェーハ用キャ
リア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316978A JP2871701B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 半導体ウェーハ用キャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316978A JP2871701B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 半導体ウェーハ用キャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02161745A JPH02161745A (ja) | 1990-06-21 |
| JP2871701B2 true JP2871701B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=18083056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63316978A Expired - Lifetime JP2871701B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 半導体ウェーハ用キャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871701B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW296361B (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-21 | Kakizaki Seisakusho Kk | |
| WO2008026733A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Zeon Corporation | Polymères de polymérisation par ouverture de cycle à base de norbornène hydrogéné, composition de résine et objets moulés |
| JP2012015135A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板カセット |
| CN101980375B (zh) * | 2010-08-26 | 2015-01-07 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 硅片制绒专用承载装置 |
| CN101980376A (zh) * | 2010-08-26 | 2011-02-23 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 透液式栅板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5285476A (en) * | 1976-01-09 | 1977-07-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor wafer accommodating jig |
| JPS63128722U (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-23 |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP63316978A patent/JP2871701B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02161745A (ja) | 1990-06-21 |
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