JP2856880B2 - 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 - Google Patents
偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2856880B2 JP2856880B2 JP2268323A JP26832390A JP2856880B2 JP 2856880 B2 JP2856880 B2 JP 2856880B2 JP 2268323 A JP2268323 A JP 2268323A JP 26832390 A JP26832390 A JP 26832390A JP 2856880 B2 JP2856880 B2 JP 2856880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- polarization
- waveguide
- optical
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/127—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode travelling wave
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/20—LiNbO3, LiTaO3
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/06—Polarisation independent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 概要 偏光無依存性光スイッチ及び光変調器並びにその製造
方法に関し、 電極配置を工夫することにより、駆動回路の簡単化及
び低電圧駆動を可能にした偏光無依存性光スイッチ及び
光変調器並びにその製造方法を提供することを目的と
し、 光導波路の両側の導波路基板に、該導波路基板表面に
平行な方向に電界成分を有する偏光を制御する少なくと
も一組の埋込型第１電極を設けるとともに、前記光導波
路上に、該導波路基板表面に垂直な方向に電界成分を有
する偏光を制御する少なくとも一組の第２電極を設けて
構成する。
方法に関し、 電極配置を工夫することにより、駆動回路の簡単化及
び低電圧駆動を可能にした偏光無依存性光スイッチ及び
光変調器並びにその製造方法を提供することを目的と
し、 光導波路の両側の導波路基板に、該導波路基板表面に
平行な方向に電界成分を有する偏光を制御する少なくと
も一組の埋込型第１電極を設けるとともに、前記光導波
路上に、該導波路基板表面に垂直な方向に電界成分を有
する偏光を制御する少なくとも一組の第２電極を設けて
構成する。
産業上の利用分野 本発明は偏光無依存性光スイッチ及び光変調器並びに
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
光通信又は光伝送の分野において光路を切り換えるた
めに使用される光スイッチは、機械的な運動機構によっ
て光路を切り換える機械的光スイッチと、電気光学効果
等を利用して光路を切り換える電気的光スイッチとに大
別される。また最近、波長分散に起因する伝送距離又は
伝送速度の制限を排除するものとして、電気光学効果を
利用した導波路型光変調器が盛んに開発されている。
めに使用される光スイッチは、機械的な運動機構によっ
て光路を切り換える機械的光スイッチと、電気光学効果
等を利用して光路を切り換える電気的光スイッチとに大
別される。また最近、波長分散に起因する伝送距離又は
伝送速度の制限を排除するものとして、電気光学効果を
利用した導波路型光変調器が盛んに開発されている。
LiNbO3等の光学異方性を有する電気光学結晶を基板と
した導波路型光スイッチ及び光変調器は、偏光依存性を
持つため、TM偏光もしくはTE偏光のいずれか一方を利用
するか、あるいは、大きな駆動電圧を印加してTM偏光及
びTE偏光の両方の制御を行わなければならない。そこ
で、偏光依存性の無い低電圧駆動が可能な光スイッチ及
び光変調器が要望されている。
した導波路型光スイッチ及び光変調器は、偏光依存性を
持つため、TM偏光もしくはTE偏光のいずれか一方を利用
するか、あるいは、大きな駆動電圧を印加してTM偏光及
びTE偏光の両方の制御を行わなければならない。そこ
で、偏光依存性の無い低電圧駆動が可能な光スイッチ及
び光変調器が要望されている。
従来の技術 電気光学結晶を基板とした導波路型光スイッチ及び光
変調器で偏光依存性の問題を解決した、導波路型光スイ
ッチ及び光変調器が米国特許第4,291,939号に開示され
ている。この特許に記載された偏光無依存性光スイッチ
及び光変調器は、電極配置を特徴とするものであり、光
導波路を挟むようにしてTE偏光を制御する電極の組を設
けるとともに、光導波路上にTM偏光を制御する電極の組
を設けて、各々の電極の組に独立して電圧を印加するこ
とにより、TE偏光及びTM偏光を個別に制御して、偏光依
存性の無い光スイッチ及び光変調器を実現している。
変調器で偏光依存性の問題を解決した、導波路型光スイ
ッチ及び光変調器が米国特許第4,291,939号に開示され
ている。この特許に記載された偏光無依存性光スイッチ
及び光変調器は、電極配置を特徴とするものであり、光
導波路を挟むようにしてTE偏光を制御する電極の組を設
けるとともに、光導波路上にTM偏光を制御する電極の組
を設けて、各々の電極の組に独立して電圧を印加するこ
とにより、TE偏光及びTM偏光を個別に制御して、偏光依
存性の無い光スイッチ及び光変調器を実現している。
発明が解決しようとする課題 しかし、上述した米国特許に記載された導波路型光ス
イッチ及び光変調器は、同一平面上にTE偏光制御用電極
とTM偏光制御用電極を配設しているため、平行光導波路
部分の長さを有効に活用しているとは言えず、駆動回路
が複雑になるという問題があった。駆動回路を簡単化す
るために、TE偏光制御用の電極及びTM偏光制御用の電極
をそれぞれ一組ずつ設けた構成においては、各々の電極
の組が平行光導波路部分の異なる部分に設けられている
ため、特にTE偏光制御用の電極を長く形成することがで
きず、その結果大きな駆動電圧を必要とするという問題
があった。
イッチ及び光変調器は、同一平面上にTE偏光制御用電極
とTM偏光制御用電極を配設しているため、平行光導波路
部分の長さを有効に活用しているとは言えず、駆動回路
が複雑になるという問題があった。駆動回路を簡単化す
るために、TE偏光制御用の電極及びTM偏光制御用の電極
をそれぞれ一組ずつ設けた構成においては、各々の電極
の組が平行光導波路部分の異なる部分に設けられている
ため、特にTE偏光制御用の電極を長く形成することがで
きず、その結果大きな駆動電圧を必要とするという問題
があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、電極配置を工夫することによ
り、駆動回路の簡単化及び低電圧駆動を可能にした偏光
無依存性光スイッチ及び光変調器並びにその製造方法を
提供することである。
その目的とするところは、電極配置を工夫することによ
り、駆動回路の簡単化及び低電圧駆動を可能にした偏光
無依存性光スイッチ及び光変調器並びにその製造方法を
提供することである。
課題を解決するための手段 本発明によれば、導波路基板中に形成された光導波路
と、該光導波路の外側の基板中で、且つ、該光導波路に
平行にそれぞれ設けられた第１及び第２の埋め込み型電
極と、該第１及び第２の埋め込み型電極間の該光導波路
上の設けられた表面電極とを具備し、該表面電極と第１
の埋め込み型電極で、該光導波路内の基板表面に対して
垂直な偏光を制御し、該第１の埋め込み型電極と該第２
の埋め込み型電極により該光導波路内の基板表面に対し
て平行な偏光を制御することを特徴とする偏光無依存性
光スイッチ／変調器が提供される。
と、該光導波路の外側の基板中で、且つ、該光導波路に
平行にそれぞれ設けられた第１及び第２の埋め込み型電
極と、該第１及び第２の埋め込み型電極間の該光導波路
上の設けられた表面電極とを具備し、該表面電極と第１
の埋め込み型電極で、該光導波路内の基板表面に対して
垂直な偏光を制御し、該第１の埋め込み型電極と該第２
の埋め込み型電極により該光導波路内の基板表面に対し
て平行な偏光を制御することを特徴とする偏光無依存性
光スイッチ／変調器が提供される。
好ましくは、表面電極の長さと第１及び第２の埋め込
み型電極の長さを所定の比に設定し、第２の埋め込み型
電極と表面電極を接続し、第１の埋め込み型電極に与え
る電圧の極性と表面電極及び第２の埋め込み型電極に与
える電圧の極性を異なる極性とする。
み型電極の長さを所定の比に設定し、第２の埋め込み型
電極と表面電極を接続し、第１の埋め込み型電極に与え
る電圧の極性と表面電極及び第２の埋め込み型電極に与
える電圧の極性を異なる極性とする。
作用 導波路基板表面に平行な方向に電界成分を有する偏光
を制御する第１及び第２電極を埋め込み型にしたため
に、第１及び第２埋め込み型電極と表面電極を光導波路
を横切る方向の概略同一領域に形成できるので、平行光
導波路部の長さに対して有効な電極配置を実現できる。
を制御する第１及び第２電極を埋め込み型にしたため
に、第１及び第２埋め込み型電極と表面電極を光導波路
を横切る方向の概略同一領域に形成できるので、平行光
導波路部の長さに対して有効な電極配置を実現できる。
また、基板表面に平行な方向に電界成分を有する偏光
を消光させる最大の電圧と、基板表面に垂直な方向に電
界成分を有する偏光を消光させる最小の電圧とは異なる
が、表面電極の長さと第１及び第２の埋め込み型電極の
長さを所定の比に設定し、第２の埋め込み型電極と表面
電極を接続し、更に第１及び第２の埋め込み型電極と表
面電極とを共通電源に接続することにより、両偏光を同
一の電圧で同時に制御することが可能になる。
を消光させる最大の電圧と、基板表面に垂直な方向に電
界成分を有する偏光を消光させる最小の電圧とは異なる
が、表面電極の長さと第１及び第２の埋め込み型電極の
長さを所定の比に設定し、第２の埋め込み型電極と表面
電極を接続し、更に第１及び第２の埋め込み型電極と表
面電極とを共通電源に接続することにより、両偏光を同
一の電圧で同時に制御することが可能になる。
実 施 例 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明実施例に係る方向性結合器型光スイッ
チ10の平面図であり、第２図はそのII−II線断面図を示
している。11はＺ軸方向に光学軸を有するＺカットLiNb
O3基板（以下LN基板と略称する）であり、基板11上には
二本の光導波路12,14が形成されている。光導波路12,14
は非常に接近して配置された平行導波路部分12a,14aを
それぞれ含んでいる。導波路12は入力ポートａと出力ポ
ートｃを有しており、導波路14は入力ポートｂと出力ポ
ートｄを有している。
チ10の平面図であり、第２図はそのII−II線断面図を示
している。11はＺ軸方向に光学軸を有するＺカットLiNb
O3基板（以下LN基板と略称する）であり、基板11上には
二本の光導波路12,14が形成されている。光導波路12,14
は非常に接近して配置された平行導波路部分12a,14aを
それぞれ含んでいる。導波路12は入力ポートａと出力ポ
ートｃを有しており、導波路14は入力ポートｂと出力ポ
ートｄを有している。
平行導波路部分12a,14aをそれぞれ挟むように、LN基
板11表面に対して平行な方向に電界振幅を持つ光（TE偏
光）の制御用の埋込電極16,18,20が平行導波路部分に平
行に形成されている。また、平行導波路部分12a,14a上
には、基板表面に垂直な方向に電界振幅を持つ光（TM偏
光）の制御用電極22,24がそれぞれ装架されている。そ
して、TE偏光制御用埋込電極16,18,20及びTM偏光制御用
電極22,24は共通電源26に接続されている。埋込電極16,
18,20は例えばTiシリサイド（主にTiSi2、他にTi5Si3）
から形成される。
板11表面に対して平行な方向に電界振幅を持つ光（TE偏
光）の制御用の埋込電極16,18,20が平行導波路部分に平
行に形成されている。また、平行導波路部分12a,14a上
には、基板表面に垂直な方向に電界振幅を持つ光（TM偏
光）の制御用電極22,24がそれぞれ装架されている。そ
して、TE偏光制御用埋込電極16,18,20及びTM偏光制御用
電極22,24は共通電源26に接続されている。埋込電極16,
18,20は例えばTiシリサイド（主にTiSi2、他にTi5Si3）
から形成される。
TE偏光とTM偏光に対する方向性結合器型光スイッチの
印加電圧に対する光出力の関係は第３図に示されたよう
になっており、TM偏光を消光させる最小の電圧に対して
TE偏光を消光させる最小の電圧は約三倍近くである。そ
こでこの比をＮ倍とするとき、TE偏光制御用の埋込電極
16,18,20の長さを概略平行導波路部分12a,14aの長さと
同等にとり、TM偏光制御用の電極22,24の長さをその1/N
倍にすることにより、第１図に示すように両方の組の制
御用電極に共通電源26で同じ電圧を印加して、TE偏光及
びTM偏光の両偏光に対して光スイッチ10を駆動すること
ができる。
印加電圧に対する光出力の関係は第３図に示されたよう
になっており、TM偏光を消光させる最小の電圧に対して
TE偏光を消光させる最小の電圧は約三倍近くである。そ
こでこの比をＮ倍とするとき、TE偏光制御用の埋込電極
16,18,20の長さを概略平行導波路部分12a,14aの長さと
同等にとり、TM偏光制御用の電極22,24の長さをその1/N
倍にすることにより、第１図に示すように両方の組の制
御用電極に共通電源26で同じ電圧を印加して、TE偏光及
びTM偏光の両偏光に対して光スイッチ10を駆動すること
ができる。
第２図を参照すると、埋込電極16,18,20に図示の極性
の電圧を与えると、矢印Ａで示した水平方向の電界が発
生するため、基板表面に平行な方向に電界振幅を有する
TE偏光を埋込電極16,18,20に適当な電圧を印加すること
により制御することができる。一方、導波路12a上に装
架した電極22と埋込電極16との間及び導波路14a上に装
架した電極24と埋込電極18との間には、矢印Ｂで示すよ
うな電界が発生し、この電界は導波路部分12a,14aでは
概略導波路に垂直となる。このため、埋込電極16,18及
び電極22,24に適当な電圧を印加することにより、基板
表面に垂直な方向に電界振幅を有するTM偏光を制御する
ことができる。
の電圧を与えると、矢印Ａで示した水平方向の電界が発
生するため、基板表面に平行な方向に電界振幅を有する
TE偏光を埋込電極16,18,20に適当な電圧を印加すること
により制御することができる。一方、導波路12a上に装
架した電極22と埋込電極16との間及び導波路14a上に装
架した電極24と埋込電極18との間には、矢印Ｂで示すよ
うな電界が発生し、この電界は導波路部分12a,14aでは
概略導波路に垂直となる。このため、埋込電極16,18及
び電極22,24に適当な電圧を印加することにより、基板
表面に垂直な方向に電界振幅を有するTM偏光を制御する
ことができる。
いま、平行導波路部分12a,14aは所定波長の導波光に
対して完全結合長よりも短く形成されていると仮定す
る。このとき、電圧を印加しない状態で、導波路12の入
力ポートａに入力された信号光は、導波路14に結合する
ことなく全て同じ導波路12の出力ポートｃから出力され
る。電源26により埋込電極16,18,20及び電極22,24に電
圧を印加すると、平行導波路部分12a,14aの屈折率が変
化する。このようにこの部分の屈折率を変化させて、平
行導波路部分12a,14aがそれぞれの偏光に対する完全結
合長になったとき、光導波路12を導波する信号光は平行
導波路部分14aで光導波路14に完全に結合され、出力ポ
ートｄから出力される。即ち、光スイッチング機能が達
成されたことになる。同様に、光導波路14の入力ポート
ｂから入力される信号光についても、埋込電極16,18,20
及び電極22,24に適当な電圧を印加することにより、光
導波路12に完全に結合させて、出力ポートｃから出力さ
せることができる。
対して完全結合長よりも短く形成されていると仮定す
る。このとき、電圧を印加しない状態で、導波路12の入
力ポートａに入力された信号光は、導波路14に結合する
ことなく全て同じ導波路12の出力ポートｃから出力され
る。電源26により埋込電極16,18,20及び電極22,24に電
圧を印加すると、平行導波路部分12a,14aの屈折率が変
化する。このようにこの部分の屈折率を変化させて、平
行導波路部分12a,14aがそれぞれの偏光に対する完全結
合長になったとき、光導波路12を導波する信号光は平行
導波路部分14aで光導波路14に完全に結合され、出力ポ
ートｄから出力される。即ち、光スイッチング機能が達
成されたことになる。同様に、光導波路14の入力ポート
ｂから入力される信号光についても、埋込電極16,18,20
及び電極22,24に適当な電圧を印加することにより、光
導波路12に完全に結合させて、出力ポートｃから出力さ
せることができる。
次に第４図を参照すると、本発明をマッハツェンダ型
光変調器に適用した他の実施例の平面図が示されてい
る。この実施例においては、第１図に示した実施例と実
質的に同一構成部分については同一符号を付し、その説
明を省略することにする。
光変調器に適用した他の実施例の平面図が示されてい
る。この実施例においては、第１図に示した実施例と実
質的に同一構成部分については同一符号を付し、その説
明を省略することにする。
光導波路30はＹ分岐により平行導波路32,34に分岐
し、各平行導波路はその他端において同じくＹ分岐によ
り一本の光導波路36に接続されている。本実施例のマッ
ハツェンダ型光変調器の電極配置は、第１図に示した方
向性結合器型光スイッチ10の電極配置と同様であり、埋
込電極16,18,20と装架電極22,24から構成されている。
そして、各電極は共通電源26に接続されている。
し、各平行導波路はその他端において同じくＹ分岐によ
り一本の光導波路36に接続されている。本実施例のマッ
ハツェンダ型光変調器の電極配置は、第１図に示した方
向性結合器型光スイッチ10の電極配置と同様であり、埋
込電極16,18,20と装架電極22,24から構成されている。
そして、各電極は共通電源26に接続されている。
本実施例では、TE偏光及びTM偏光の位相を電圧印加に
より制御することにより入力光を変調し、一本の光導波
路36に出力する光変調器として動作させるものである。
電圧印加によるTE偏光及びTM偏光の制御は第１図に示し
た実施例と概略同様なのでその説明を省略する。
より制御することにより入力光を変調し、一本の光導波
路36に出力する光変調器として動作させるものである。
電圧印加によるTE偏光及びTM偏光の制御は第１図に示し
た実施例と概略同様なのでその説明を省略する。
次に第５図を参照して、本発明実施例による光スイッ
チの製造プロセスの一例について説明する。
チの製造プロセスの一例について説明する。
まず第５図（ａ）に示すように、ＺカットのLN基板40
の導波路形成部42の両側にエッチング等により溝44を形
成する。次いで、（ｂ）に示すように溝44中及び基板上
にバッファ層として作用するSiO2層46を蒸着により形成
し、その上に（Ｃ）に示すようにSi層48を蒸着により形
成し、溝44内をSiで充填する。次いで（ｄ）に示すよう
に、研磨又はエッチングによりLN基板40上のSi層48及び
SiO2層46を除去してから、（ｅ）に示すように溝部44及
び導波路形成部42上に例えばリフトオフ法によりTi層50
を形成する。
の導波路形成部42の両側にエッチング等により溝44を形
成する。次いで、（ｂ）に示すように溝44中及び基板上
にバッファ層として作用するSiO2層46を蒸着により形成
し、その上に（Ｃ）に示すようにSi層48を蒸着により形
成し、溝44内をSiで充填する。次いで（ｄ）に示すよう
に、研磨又はエッチングによりLN基板40上のSi層48及び
SiO2層46を除去してから、（ｅ）に示すように溝部44及
び導波路形成部42上に例えばリフトオフ法によりTi層50
を形成する。
次いで、（ｆ）に示すように、Ti層50を熱拡散するこ
とにより導波路52を形成するとともに、溝部44中にTiシ
リサイド54を形成する。Ti層の残渣50′を除去してか
ら、（ｇ）に示すように基板表面上にバッファ層として
のSiO2層56を蒸着し、次いで（ｈ）に示すように、導波
路52上にバッファ層56を介して電極58を形成する。
とにより導波路52を形成するとともに、溝部44中にTiシ
リサイド54を形成する。Ti層の残渣50′を除去してか
ら、（ｇ）に示すように基板表面上にバッファ層として
のSiO2層56を蒸着し、次いで（ｈ）に示すように、導波
路52上にバッファ層56を介して電極58を形成する。
発明の効果 以上説明した本発明によれば、電極配置を工夫するこ
とにより、駆動回路の簡単化及び低電圧駆動を可能にし
た偏光無依存性の光スイッチ及び光変調器を提供できる
という効果を奏する。
とにより、駆動回路の簡単化及び低電圧駆動を可能にし
た偏光無依存性の光スイッチ及び光変調器を提供できる
という効果を奏する。
第１図は本発明実施例の平面図、 第２図は第１図のII−II線断面図、 第３図は印加電圧に対する光出力の関係を示すグラフ、 第４図は本発明の他の実施例平面図、 第５図は光スイッチの製造プロセスの一例を示す図であ
る。 10……方向性結合器型光スイッチ、 11……基板、 12,14……光導波路、 12a,14a……平行導波路部、 16,18,20……埋込電極、 22,24……装架電極、 26……共通電源。
る。 10……方向性結合器型光スイッチ、 11……基板、 12,14……光導波路、 12a,14a……平行導波路部、 16,18,20……埋込電極、 22,24……装架電極、 26……共通電源。
Claims (3)
- 【請求項１】導波路基板中に形成された光導波路と、 該光導波路の外側の基板中で、且つ、該光導波路に平行
にそれぞれ設けられた第１及び第２の埋め込み型電極
と、 該第１及び第２の埋め込み型電極間の該光導波路上に設
けられた表面電極とを具備し、 該表面電極と第１の埋め込み型電極で、該光導波路内の
基板表面に対して垂直な偏光を制御し、 該第１の埋め込み型電極と該第２の埋め込み型電極によ
り該光導波路内の基板表面に対して平行な偏光を制御す
ることを特徴とする偏光無依存性光スイッチ／変調器。 - 【請求項２】該表面電極の長さと該第１及び第２の埋め
込み型電極の長さを所定の比に設定し、 該第２の埋め込み型電極と該表面電極を接続し、 該第１の埋め込み型電極に与える電圧の極性と、該表面
電極と該第２の埋め込み型電極とに与える電圧の極性を
異なる極性とすることを特徴とする請求項１記載の偏光
無依存性光スイッチ／変調器。 - 【請求項３】電気光学材料から形成された基板に互いに
平行な複数の溝を形成し、 該溝中及び基板上にSiO2層を形成し、 該基板上のSiO2層上にSi層を形成して前記溝をSiで充填
し、 該溝部および該溝部間の前記基板表面にTi層を形成し、 該Ti層を熱拡散することにより光導波路を形成するとと
もに前記溝部中に電極としてのTiシリサイドを形成し、 該Ti層の残渣を除去した後、SiO2バッファ層を前記基板
上に形成し、 該溝間の該光導波路上に該SiO2バッファ層を介して表面
電極を形成する、 ことを特徴とする偏光無依存性光スイッチ／変調器の製
造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268323A JP2856880B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 |
| US07/770,316 US5263102A (en) | 1990-10-08 | 1991-10-03 | Polarization-independent optical switches/modulators |
| CA002052923A CA2052923C (en) | 1990-10-08 | 1991-10-07 | Polarization-independent optical switches/modulators |
| DE69119019T DE69119019T2 (de) | 1990-10-08 | 1991-10-08 | Polarisationsunabhängige optische Schalter/Modulatoren |
| EP91117123A EP0480364B1 (en) | 1990-10-08 | 1991-10-08 | Polarization-independent optical switches/modulators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268323A JP2856880B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145418A JPH04145418A (ja) | 1992-05-19 |
| JP2856880B2 true JP2856880B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=17456946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2268323A Expired - Lifetime JP2856880B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5263102A (ja) |
| EP (1) | EP0480364B1 (ja) |
| JP (1) | JP2856880B2 (ja) |
| CA (1) | CA2052923C (ja) |
| DE (1) | DE69119019T2 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07318986A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nec Corp | 導波路型光スイッチ |
| US5654818A (en) * | 1996-02-09 | 1997-08-05 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Polarization independent electro-optic modulator |
| JP3362105B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2003-01-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光変調器 |
| US6470104B2 (en) * | 2000-12-12 | 2002-10-22 | Intel Corporation | Method and apparatus for switching an optical beam by modulating the phase of a portion of the optical beam in a semiconductor substrate |
| US7286876B2 (en) * | 2001-10-26 | 2007-10-23 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Template-based capture verification for multi-site pacing |
| US6785430B2 (en) | 2002-02-25 | 2004-08-31 | Intel Corporation | Method and apparatus for integrating an optical transmit module |
| US6775425B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-08-10 | Intel Corporation | Method and apparatus for adjusting the phase of an optical beam |
| JP4128584B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2008-07-30 | 日本電信電話株式会社 | 電界センサ |
| US20050201685A1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-15 | Yakymyshyn Christopher P. | Optical cavity having increased sensitivity |
| US7251265B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-07-31 | Tektronix, Inc. | Micro-cavity laser having increased sensitivity |
| US20050201684A1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-15 | Yakymyshyn Christopher P. | Conductive electrode structure for an electro-optic material |
| US7221813B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-05-22 | Tektronix, Inc. | Signal acquisition probing and voltage measurement systems using an electro-optical cavity |
| US7310455B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-12-18 | Tektronix, Inc. | Variable attenuation signal acquisition probing and voltage measurement systems using an electro-optical cavity |
| US7792403B1 (en) | 2005-09-08 | 2010-09-07 | Infinera Corporation | Adiabatic polarization converter |
| US7565041B2 (en) * | 2007-10-26 | 2009-07-21 | Infinera Corporation | Symmetric optical circuit with integrated polarization rotator |
| JP5332665B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2013-11-06 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイスおよびその製造方法，光変調器，偏波モード分散補償器ならびに光スイッチ |
| TW201441720A (zh) * | 2013-04-23 | 2014-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電光調製器 |
| CN104133306A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-05 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电光调制器 |
| TW201441725A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電光調製器 |
| TW201441692A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電光調製器 |
| TW201441693A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電光調製器 |
| US9933456B2 (en) * | 2015-05-29 | 2018-04-03 | Tektronix, Inc. | Electro-optic probe with multiple sensitivity ranges |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4157860A (en) * | 1977-10-11 | 1979-06-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Dual polarization electromagnetic switch and modulator |
| US4291939A (en) * | 1978-03-24 | 1981-09-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Polarization-independent optical switches/modulators |
| FR2558270B1 (fr) * | 1984-01-18 | 1986-04-25 | Comp Generale Electricite | Modulateur electro-optique interferentiel a haute sensibilite |
| US4871223A (en) * | 1987-08-25 | 1989-10-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Arrangement comprising at least one integrated optical waveguide on a substrate of electro-optical material and comprising at least one electrode |
| CA2011954C (en) * | 1989-03-14 | 1994-02-22 | Hiroshi Hamano | Optical modulator |
-
1990
- 1990-10-08 JP JP2268323A patent/JP2856880B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-03 US US07/770,316 patent/US5263102A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-07 CA CA002052923A patent/CA2052923C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-08 DE DE69119019T patent/DE69119019T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-08 EP EP91117123A patent/EP0480364B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69119019D1 (de) | 1996-05-30 |
| US5263102A (en) | 1993-11-16 |
| EP0480364A3 (en) | 1992-10-21 |
| EP0480364B1 (en) | 1996-04-24 |
| DE69119019T2 (de) | 1996-10-02 |
| CA2052923A1 (en) | 1992-04-09 |
| JPH04145418A (ja) | 1992-05-19 |
| CA2052923C (en) | 1995-05-30 |
| EP0480364A2 (en) | 1992-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2856880B2 (ja) | 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 | |
| US5502781A (en) | Integrated optical devices utilizing magnetostrictively, electrostrictively or photostrictively induced stress | |
| US6853758B2 (en) | Scheme for controlling polarization in waveguides | |
| JP2844525B2 (ja) | 偏光独立性光学装置 | |
| US20020159684A1 (en) | Novel optical waveguide switch using cascaded mach-zehnder interferometers | |
| US7146068B2 (en) | Polarization insensitive method and apparatus for switching and modulating an optical beam | |
| US5202941A (en) | Four section optical coupler | |
| JP2932742B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
| JP2000028979A (ja) | 偏波無依存光制御素子 | |
| JPH1184434A (ja) | 光制御回路および動作方法 | |
| AU2003200498A1 (en) | Waveguide type liquid-crystal optical switch | |
| JPH0996731A (ja) | 導波路形光デバイス | |
| Kitoh et al. | Novel broad-band optical switch using silica-based planar lightwave circuit | |
| JPS623785Y2 (ja) | ||
| JPH0553157A (ja) | 光制御デバイス | |
| JPH0756199A (ja) | 偏波無依存導波路型光スイッチ | |
| KR100207599B1 (ko) | 저전압 광스위치 및 그 제조방법 | |
| JP2635986B2 (ja) | 光導波路スイッチ | |
| JP3164124B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JP2976608B2 (ja) | 導波路形光スイッチ | |
| JP2659786B2 (ja) | モード光分離器 | |
| JP2814967B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
| JPH06222403A (ja) | 方向性結合形光導波路 | |
| JP3018621B2 (ja) | 導波路形光制御器 | |
| JP2898066B2 (ja) | 光デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081127 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081127 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091127 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101127 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |