JP2853618B2 - 電子装置の放熱構造 - Google Patents
電子装置の放熱構造Info
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- JP2853618B2 JP2853618B2 JP7296451A JP29645195A JP2853618B2 JP 2853618 B2 JP2853618 B2 JP 2853618B2 JP 7296451 A JP7296451 A JP 7296451A JP 29645195 A JP29645195 A JP 29645195A JP 2853618 B2 JP2853618 B2 JP 2853618B2
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- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子装置の放熱構造
に係り、特に中央処理装置の放熱構造に関する。
に係り、特に中央処理装置の放熱構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】パーソナルコンピュータやワークステー
ションに使用され、主記憶、制御、演算を行い、単一チ
ップで構成される中央処理装置（ＣＰＵ）は、高速処理
能力を実現させるために大電流を必要とする。これによ
る発熱でチップの許容温度を越えないようにＣＰＵを備
えた電子装置は放熱構造を必要とする。
ションに使用され、主記憶、制御、演算を行い、単一チ
ップで構成される中央処理装置（ＣＰＵ）は、高速処理
能力を実現させるために大電流を必要とする。これによ
る発熱でチップの許容温度を越えないようにＣＰＵを備
えた電子装置は放熱構造を必要とする。
【０００３】図２は従来の放熱構造の一例の構成図を示
す。同図に示すように、筐体４内のプリント基板３上の
ソケット２に差し込まれたＣＰＵ１の上蓋５は、導電性
の金属板で構成され、ＣＰＵ１の電源又はグランドに接
続されている。ＣＰＵ１の発熱でチップの許容温度を越
えないように、上蓋５上に放熱器７が設けられ、これに
よりＣＰＵ１の発熱が放熱される。
す。同図に示すように、筐体４内のプリント基板３上の
ソケット２に差し込まれたＣＰＵ１の上蓋５は、導電性
の金属板で構成され、ＣＰＵ１の電源又はグランドに接
続されている。ＣＰＵ１の発熱でチップの許容温度を越
えないように、上蓋５上に放熱器７が設けられ、これに
よりＣＰＵ１の発熱が放熱される。
【０００４】ところで、ＣＰＵ１で動作するクロック周
波数の高調波は、この上蓋５から放熱器７を介してノイ
ズとして放射される。機器の放射ノイズ規格を満足させ
るために、この放射ノイズを低減させる必要がある。そ
のため、従来は放熱器７と筐体４間を導電性の接続線で
接続することにより、上蓋５からのノイズ電流を筐体４
へ流すことができ、ノイズを低減することができる。
波数の高調波は、この上蓋５から放熱器７を介してノイ
ズとして放射される。機器の放射ノイズ規格を満足させ
るために、この放射ノイズを低減させる必要がある。そ
のため、従来は放熱器７と筐体４間を導電性の接続線で
接続することにより、上蓋５からのノイズ電流を筐体４
へ流すことができ、ノイズを低減することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の放熱構造において、放射ノイズを低減するために
接続線を放熱器７と筐体４の間に接続する方法は、上蓋
５がＣＰＵ１のグランドに接続されている場合にのみ有
効であり、上蓋５がＣＰＵ１の電源と接続されている場
合には、電源とグランドが短絡し回路破損を引き起こす
ため、上蓋５と接触する放熱器７は筐体４へ接続するこ
とができず、放射ノイズを低減できないという問題があ
る。
従来の放熱構造において、放射ノイズを低減するために
接続線を放熱器７と筐体４の間に接続する方法は、上蓋
５がＣＰＵ１のグランドに接続されている場合にのみ有
効であり、上蓋５がＣＰＵ１の電源と接続されている場
合には、電源とグランドが短絡し回路破損を引き起こす
ため、上蓋５と接触する放熱器７は筐体４へ接続するこ
とができず、放射ノイズを低減できないという問題があ
る。
【０００６】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
ＣＰＵの上蓋と放熱器をコンデンサにより接続すること
により、ノイズ電流を筐体へ流し、放射ノイズを低減す
ることができる電子装置の放熱構造を提供することを目
的とする。
ＣＰＵの上蓋と放熱器をコンデンサにより接続すること
により、ノイズ電流を筐体へ流し、放射ノイズを低減す
ることができる電子装置の放熱構造を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、電子装置の電源又はグランドに接続されて
いる導電性の上蓋上に放熱器を設け、かつ、この上蓋と
放熱器の間に誘電体材料を挿入すると共に、放熱器と電
子装置の筐体との間を導電性の接続線で接続したことを
特徴とする。
成するため、電子装置の電源又はグランドに接続されて
いる導電性の上蓋上に放熱器を設け、かつ、この上蓋と
放熱器の間に誘電体材料を挿入すると共に、放熱器と電
子装置の筐体との間を導電性の接続線で接続したことを
特徴とする。
【０００８】この発明では、上蓋及び放熱器とそれらの
間に介挿された誘電体材料により容量が形成されるた
め、電子装置の電源回路と放熱器との間が直流的に接続
されず、交流的に接続される。ここで、上記容量は、電
子装置の動作周波数以上の周波数帯域にて０Ω近傍のイ
ンピーダンスで上蓋及び放熱器を電気的に接続すること
が望ましい。
間に介挿された誘電体材料により容量が形成されるた
め、電子装置の電源回路と放熱器との間が直流的に接続
されず、交流的に接続される。ここで、上記容量は、電
子装置の動作周波数以上の周波数帯域にて０Ω近傍のイ
ンピーダンスで上蓋及び放熱器を電気的に接続すること
が望ましい。
【０００９】また、本発明における電子装置は中央処理
装置であり、前記誘電体材料はチタン酸バリウム系誘電
体材料若しくはアルミナ基板材料であることを特徴とす
る。
装置であり、前記誘電体材料はチタン酸バリウム系誘電
体材料若しくはアルミナ基板材料であることを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図１と共に説明する。図１は本発明になる電子装置の
放熱構造の一実施の形態の構成図を示す。同図中、図２
と同一構成部分には同一符号を付してある。図１におい
て、ＣＰＵ１はソケット２を介してプリント基板３上に
固定されている。プリント基板３は筐体４にネジ止め固
定されている。
て図１と共に説明する。図１は本発明になる電子装置の
放熱構造の一実施の形態の構成図を示す。同図中、図２
と同一構成部分には同一符号を付してある。図１におい
て、ＣＰＵ１はソケット２を介してプリント基板３上に
固定されている。プリント基板３は筐体４にネジ止め固
定されている。
【００１１】以上の構造は従来と同様であるが、この実
施の形態は、ＣＰＵ１の上蓋５が、誘電体材料６を介し
て放熱器７と接続され、更に放熱器７と筐体４の間が接
続線８で接続されている点に特徴がある。これにより、
導電性の金属板である上蓋５と放熱器７の間には、容量
（コンデンサ）が形成されることとなる。
施の形態は、ＣＰＵ１の上蓋５が、誘電体材料６を介し
て放熱器７と接続され、更に放熱器７と筐体４の間が接
続線８で接続されている点に特徴がある。これにより、
導電性の金属板である上蓋５と放熱器７の間には、容量
（コンデンサ）が形成されることとなる。
【００１２】誘電体材料６としては、例えばチタン酸バ
リウム系誘電体材料が使用される。誘電体材料６の材料
厚さを１ｍｍとしたときは、２．５ｃｍ角形状の上蓋５
と放熱器７間には、２７６０ｐＦの容量が形成される。
リウム系誘電体材料が使用される。誘電体材料６の材料
厚さを１ｍｍとしたときは、２．５ｃｍ角形状の上蓋５
と放熱器７間には、２７６０ｐＦの容量が形成される。
【００１３】上記の容量により、ＣＰＵ１の動作周波数
である１００ＭＨｚ以上の周波数帯域にて１Ω以下のイ
ンピーダンスで上蓋５と放熱器７が接続されることとな
る。このことにより、上蓋５がＣＰＵ１の電源回路と接
続されている場合であっても、上記の容量により直流的
にはＣＰＵ１の電源回路と放熱器７とが接続されず、交
流的に接続される。
である１００ＭＨｚ以上の周波数帯域にて１Ω以下のイ
ンピーダンスで上蓋５と放熱器７が接続されることとな
る。このことにより、上蓋５がＣＰＵ１の電源回路と接
続されている場合であっても、上記の容量により直流的
にはＣＰＵ１の電源回路と放熱器７とが接続されず、交
流的に接続される。
【００１４】よって、ＣＰＵ１の電源が筐体グランドに
短絡することがなく、しかも、上蓋５に重畳したノイズ
電流が誘電体材料６、放熱器７及び接続線８を介して筐
体４へ流れ、ノイズが放射されるのを低減することがで
きる。
短絡することがなく、しかも、上蓋５に重畳したノイズ
電流が誘電体材料６、放熱器７及び接続線８を介して筐
体４へ流れ、ノイズが放射されるのを低減することがで
きる。
【００１５】また、この実施の形態では、上蓋５がＣＰ
Ｕ１の電源回路に接続されていても、放熱器７と筐体４
を接続することができるため、ＣＰＵ１の発熱を筐体４
へ伝導させることができ、放熱特性も向上する。更に、
挿入する誘電体材料６として熱伝導率の高い材料（例え
ば、アルミナ基板材料など）を使用することにより、Ｃ
ＰＵ１の放熱特性をより改善することができる。
Ｕ１の電源回路に接続されていても、放熱器７と筐体４
を接続することができるため、ＣＰＵ１の発熱を筐体４
へ伝導させることができ、放熱特性も向上する。更に、
挿入する誘電体材料６として熱伝導率の高い材料（例え
ば、アルミナ基板材料など）を使用することにより、Ｃ
ＰＵ１の放熱特性をより改善することができる。
【００１６】なお、上記の実施の形態では、ＣＰＵ１の
発熱を放熱する構造について説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、その上蓋が回路の電源又は
グランドに接続されている電子装置一般に適用すること
ができる。
発熱を放熱する構造について説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、その上蓋が回路の電源又は
グランドに接続されている電子装置一般に適用すること
ができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上蓋及び放熱器とそれらの間に介挿された誘電体材料に
より容量が形成され、電子装置の電源回路と放熱器との
間が直流的に接続されず、交流的に接続されるため、電
子装置の上蓋が電源に接続されていてもその電源がグラ
ンドに短絡され、それにより回路破損をもたらすことを
防止でき、しかも上蓋に重畳したノイズ電流が誘電体材
料、放熱器及び接続線を介して筐体へ流れ、ノイズが放
射されるのを低減することができる。
上蓋及び放熱器とそれらの間に介挿された誘電体材料に
より容量が形成され、電子装置の電源回路と放熱器との
間が直流的に接続されず、交流的に接続されるため、電
子装置の上蓋が電源に接続されていてもその電源がグラ
ンドに短絡され、それにより回路破損をもたらすことを
防止でき、しかも上蓋に重畳したノイズ電流が誘電体材
料、放熱器及び接続線を介して筐体へ流れ、ノイズが放
射されるのを低減することができる。
【００１８】また、本発明によれば、誘電体材料を熱伝
導率の高い材料を使用することにより、電子装置の放熱
特性をより改善することができる。
導率の高い材料を使用することにより、電子装置の放熱
特性をより改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の構成図である。
【図２】従来の一例の構成図である。
１ 中央処理装置（ＣＰＵ） ２ ソケット ３ プリント基板 ４ 筐体 ５ 上蓋 ６ 誘電体材料 ７ 放熱器 ８ 接続板
Claims (3)
- 【請求項１】 電子装置の電源又はグランドに接続され
ている導電性の上蓋上に放熱器を設け、かつ、該上蓋と
放熱器の間に誘電体材料を挿入すると共に、前記放熱器
と前記電子装置の筐体との間を導電性の接続線で接続し
たことを特徴とする電子装置の放熱構造。 - 【請求項２】 前記誘電体材料は、前記上蓋及び放熱器
とそれらの間に介挿された該誘電体材料により形成され
る容量により、前記電子装置の動作周波数以上の周波数
帯域にて０Ω近傍のインピーダンスで前記上蓋及び放熱
器を電気的に接続することを特徴とする請求項１記載の
電子装置の放熱構造。 - 【請求項３】 前記電子装置は中央処理装置であり、前
記誘電体材料はチタン酸バリウム系誘電体材料若しくは
アルミナ基板材料であることを特徴とする請求項１記載
の電子装置の放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7296451A JP2853618B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 電子装置の放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7296451A JP2853618B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 電子装置の放熱構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139592A JPH09139592A (ja) | 1997-05-27 |
| JP2853618B2 true JP2853618B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=17833723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7296451A Expired - Lifetime JP2853618B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 電子装置の放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853618B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984887B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-01-10 | Onkyo Corporation | Heatsink arrangement for semiconductor device |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040026902A (ko) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | 대우전자주식회사 | 반도체 방열부재의 성능 시험 장치 |
| KR100646545B1 (ko) * | 2005-04-20 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
| US20090279265A1 (en) * | 2006-09-19 | 2009-11-12 | Masaharu Imazato | Electronic device mounting apparatus and resonance suppression method thereof |
| US20100091462A1 (en) * | 2007-02-15 | 2010-04-15 | Nec Corporation | Electronic device-mounted apparatus and noise suppression method for same |
| JP4300371B2 (ja) | 2007-11-14 | 2009-07-22 | オンキヨー株式会社 | 半導体装置 |
| WO2009116519A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 日本電気株式会社 | 電子装置搭載機器 |
| JP4958189B2 (ja) * | 2009-04-07 | 2012-06-20 | シャープ株式会社 | 集積回路の搭載構造 |
| JP5986854B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-09-06 | 三菱重工業株式会社 | 半導体素子の絶縁取付け構造 |
| JP6582717B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-10-02 | 富士電機株式会社 | 電子電気機器 |
| WO2019138564A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028098U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-18 |
-
1995
- 1995-11-15 JP JP7296451A patent/JP2853618B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984887B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-01-10 | Onkyo Corporation | Heatsink arrangement for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09139592A (ja) | 1997-05-27 |
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