JP2851500B2

JP2851500B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2851500B2
Application number: JP32696092A
Authority: JP
Inventors: 信行伊藤
Original assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Current assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date: 1992-12-07
Filing date: 1992-12-07
Publication date: 1999-01-27
Anticipated expiration: 2014-01-27
Also published as: JPH06175164A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関す
る。さらに詳しくは、コントラストの高いマトリクス型
大容量強誘電性液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶（ＦＬＣ）はメモリ性、高
速応答、広視野角などの優れた特長を有しており、高精
細大表示容量の液晶表示装置への応用がさかんに研究さ
れている。強誘電性液晶セルは、図３で示すように、２
枚のガラス基板２ａ、２ｂが互いに対向して配置され、
ガラス基板２ａの表面にはインジウム錫酸化物（以下Ｉ
ＴＯと略称する）からなる透明な信号電極Ｓが複数本互
いに平行に配置され、その上はＳｉＯ₂からなる透明な
絶縁膜３ａが形成されている。信号電極Ｓと対向するも
う一方のガラス基板２ｂの表面にはＩＴＯからなる透明
な走査電極Ｌが信号電極Ｓと直交する向きに複数本互い
に平行に配置されており、その上はＳｉＯ ₂からなる透
明な絶縁膜３ｂで被覆されている。各絶縁膜３ａ、３ｂ
上にはラビング処理などの一軸配向処理が施された配向
膜４ａ、４ｂが形成される。配向膜の形成はポリイミド
膜、ナイロン膜、ポリビニルアルコール膜などの有機高
分子膜又はＳｉＯ₂斜方蒸着膜などが用いられる。

【０００３】一軸配向処理は、基板の電極に対しほぼ平
行にラビングして行なわれる。この２枚のガラス基板２
ａ、２ｂは液晶注入口を残して封止剤５で貼り合わされ
る。配向膜４ａ、４ｂで挟まれる空間内に強誘電性液晶
（ＦＬＣ）６を注入した後注入口は封止剤５で封止され
る。このようにして貼り合わせた２枚のガラス基板２
ａ、２ｂは、互いの偏光軸が直交するように配置した２
枚の偏光板７ａ、７ｂで挟まれる。

【０００４】ＦＬＣ分子８は、図４に示すように分子の
長軸方向と直行する方向に自発分極（Ｐｓ）９を持ち、
図３の透明電極ＳとＬに印加される電圧から作られる電
界（Ｅ）１０と自発分極（Ｐｓ）９のベクトル積に比例
した力を受けチルト角（θ）１１’の２倍の頂角１１を
持った円錐軌跡１２の表面上を移動する。ＦＬＣ分子８
には、この他に分子の長軸方向と短軸方向の誘電率の差
△εと電界（Ｅ）１０の２乗に比例した力が働く。つま
りＦＬＣ分子８に働く力ＦはＦ＝Ｋ₀×Ｐｓ×Ｅ＋Ｋ₁×△ε×Ｅ² となる。そこで誘電異方性△εが負のＦＬＣをパネルへ
封止すれば、ＦＬＣ分子へ働く力は、ある電界以下では
誘電異方性△ε＜０の効果による力より自発分極（Ｐ
ｓ）９の効果による力が格段に大きくなるが、ある電界
以上では両者の効果による力は同じ程度になる。

【０００５】この負の誘電異方性の効果は、特開平１−
２４２３４等において報告されており、図５の様な電圧
−応答速度特性において最小値電圧を示すことが知られ
ている。この現象を利用したＦＬＣパネルの駆動方法と
して、例えば特開昭６２−５６９３３や特開昭６２−２
８０８２４や特開平１−２４２３４、あるいはThe “Jo
ers/Alvey ”Ferroelectric Multiplexing Scheme:(Fer
roelectrics Vol.122(1991)P63.)等がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】例えばThe“Joers/”A
lvey ”Ferroelectric Multiplexing Scheme による
と、高いコントラストが得られたと報告されているが、
実際に強誘電性液晶セルを作製してみると簡単には高コ
ントラストは得られないし、時には良好なスイッチング
も得られない。大きな原因としては、強誘電性液晶セル
の配向性がスイッチング挙動やコントラストに影響を与
えることが挙げられる。例えば、図６はセル厚２μｍの
パラレルラビングの配向膜を有する強誘電性液晶セルに
負の誘電異方性を有する液晶ＳＣＥ−８（メルク社製）
を注入したセルの配向状態を示す偏光顕微鏡観察図であ
るが、The“Joers/Alvey ”Ferroelectric Multiplexin
g Scheme で駆動したとき良好なコントラストを示す部
分ａと５以下のコントラストしか示さない部分ｂとスイ
ッチングしない部分ｃが存在する。

【０００７】本発明はこのような問題を解決するために
なされたものであり、負の誘電異方性を有する強誘電性
液晶を用いて液晶パネル内全面にわたって良好なコント
ラストを得ることのできる液晶表示装置を提供しようと
するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による請求項１記載の強誘電性液晶表示装置
は、液晶セルの内面に一軸配向処理された配向膜および
負の誘電異方性を有するカイラルスメクチックＣ液晶を
具備し、前記配向膜が前記カイラルスメクチックＣ液晶
を同じメモリ角のＣ１およびＣ２の２つのユニフォーム
配向に配向させうることを特徴とする。さらに、本発明
による請求項２記載の強誘電性液晶表示装置は、液晶セ
ルの内面に一軸配向処理された配向膜および負の誘電異
方性を有するカイラルスメクチックＣ液晶を具備し、前
記配向膜が前記カイラルスメクチックＣ液晶をほぼ０°
の界面プレチルト角で配向させうることを特徴とする。

【０００９】強誘電性液晶セルの配向方法は図７に示す
ように基板間での一軸配向処理の方法が同一である配向
(a) 、逆である配向(b) 、一方の基板にのみ一軸配向処
理を施す配向(c) がある。適当な一軸配向処理によって
液晶−基板界面の液晶分子を基板面より立ち上げること
ができ、プレチルトを発生させることができる。このプ
レチルトの発生方向は一軸配向処理の方向によって制御
でき、例えばラビング法の場合図７(b) のように逆向き
の処理を施した場合には、線状の欠陥が多数発生し、均
一配向が得られにくい。次に片側の基板だけに一軸配向
処理を施した場合について述べる。通常、強誘電性液晶
はＩＮＡＣ(Isotropic-Nematic-SmecticA-Smectic C)
相系列を有するが、ネマティック相で良好な配向を得る
ことがスメクチックＣ相で良好な配向を得るために重要
である。強誘電性液晶のネマティック相は螺旋を巻いて
おり、両側基板ともに一軸配向処理を施せば、均一なネ
マティック相での配向は得られ易いが、一方の基板で一
軸配向処理をなくしてしまうと、ネマティック相で捩れ
た配向になり、これを降温してスメクチックＣ相の状態
までもってきたとき、良好な配向が得られにくい。ま
た、ネマティック相の無い液晶を用いれば、この問題は
解決するが、スメクチックＡ相で細かいドメインが混在
した不均一な配向になり易い。

【００１０】上記両側基板で配向処理の方向が同一であ
る一軸配向処理はラビングを同一方向に施す（パラレル
ラビング）などの処理によって得られるが、このセルに
ＩＮＡＣ相系列を有する強誘電性液晶を組み合わせると
良好な配向が比較的簡単に得られる。しかし、なお、こ
れだけでは全面均一にするのは難しい。これが難しい原
因は２つある。ひとつはスメクチック層の折れ曲がりに
関するものである。強誘電性液晶が折れ曲がった層構造
（シェブロン層構造）を示すことはよく知られている。
図８に示すように、２つの領域が存在し、神辺らはこれ
をプレチルトとの関係からＣ１、Ｃ２と名付けている(F
erroelectrics Vol.114(1991)3.)。Ｃ２とＣ１は、それ
ぞれヘアピン欠陥とライトニング欠陥によって囲まれる
領域の配向とその外の領域の配向である。またこの層構
造は、プレチルトが存在しない場合にはラビングなどの
一軸配向処理の方向と関係づけられる。もう一つはユニ
フォーム（Ｕ）とツイスト（Ｔ）である。ユニフォーム
は消光位を示す配向、ツイストは消光位を示さない配向
である(Jpn.J.Appl.Phys.Vol.27(1988)1.)。本発明者ら
は、ハイプレチルト配向膜を用いたパラレルラビングの
強誘電性液晶セルにおいて、Ｃ１Ｕ（Ｃ１−ユニフォー
ム）、Ｃ１Ｔ（Ｃ１−ツイスト）、Ｃ２の３つの配向が
得られたことを報告している(Jpn.J.Appl.Phys.Vol.30
(1991)L1823.)。本発明者らは、更に詳細に検討した結
果、パラレルラビングの強誘電性液晶セルにおいては、
光学特性の異なるＣ１Ｕ、Ｃ１Ｔ、Ｃ２Ｕ（Ｃ２−ユニ
フォーム）、Ｃ２Ｔ（Ｃ２−ツイスト）の４つの配向状
態が存在することが分かった。図９にこれらの配向状態
の分子配向を示す。Ｃ１ＴとＣ２Ｔは消光位が無く、本
質的にコントラストの高い表示には向かず、Ｃ１Ｕ、Ｃ
２Ｕは消光位が存在するので、高コントラスト表示の可
能性がある。さらに、本発明者らが述べているのと同
様、Ｃ１ＵはＣ２Ｕよりも広いメモリ角を有しているの
で、より高いコントラストを実現できる可能性を持って
いる。

【００１１】負の誘電異方性を有する強誘電性液晶セル
において得られる４つの配向状態について比較したとこ
ろ、Ｃ１ＴとＣ２Ｔは消光位がなく暗状態が黒くないた
め良好なコントラストが得られない。またＣ１Ｕ配向は
スイッチングしにくく、またスイッチングしても駆動時
にＣ２状態が混在した配向へと変化してしまうという欠
点がある。これに対してＣ２Ｕ状態が良好なコントラス
トを与えることを本発明者らは見いだした。

【００１２】Ｃ１、Ｃ２配向の出現性はプレチルトと関
係があるが、プレチルト角はＣ２状態が発生し得る０°
〜１５°の範囲が好ましい。プレチルトが高いときには
発明者らが報告しているように、Ｃ２状態は消光位を示
す１つの状態しかなく、これはむしろ好ましい。ただ、
プレチルトの増加と共にＣ２よりＣ１の方が発生し易く
なる傾向がある。一方、プレチルトが低いほうがＣ２が
発生し易いが、逆に低すぎるとＣ２Ｔが発生し易くなる
欠点もあり、そういう意味ではプレチルトの特に好まし
い範囲は５〜１０°と言える。

【００１３】しかし、配向膜のプレチルトを５〜１０°
の範囲に制御しても、必ずしも装置の表示面を一様にＣ
２状態に揃えることができるとは限らない。もしＣ１と
Ｃ２が混在した場合には、場所により表示特性が異な
り、非常に表示品位の悪いものとなってしまう。また、
表示装置の置かれる環境や、表示装置自身の熱源より発
生する熱による動作温度範囲の違いによっても配向状態
を制御することが困難になってくる。Ｃ１状態とＣ２状
態では安定に出現する温度範囲について異なる傾向があ
る。低温側については両者とも強誘電相の範囲と同じに
なるが、高温側についてはＣ１状態よりもＣ２状態の方
が狭く、温度が上昇するとＣ２状態はＣ１状態に変化し
やすくなる(Jpn.J.Appl.Phys.Vol.30(1991)L1823.)。こ
の場合には温度変化に対してＣ１とＣ２の混在が生じる
こととなり、非常に表示品位の悪いものとなってしま
う。そこで発明者はこの問題をも解決し、配向状態がＣ
１ＵであってもＣ２Ｕであっても、あるいは両者の混在
する場合でも関係無く、高コントラストで高品位の液晶
表示装置を実現する方法を見いだした。

【００１４】すなわち、液晶分子の界面プレチルトをほ
ぼ０°とすることにより、Ｃ１ＵとＣ２Ｕの光学特性を
等価とすることができ、また、液晶分子のセル厚方向の
誘電率、自発分極を同様な分布とすることができ、電気
的にもＣ１ＵとＣ２Ｕを等価なものとすることができる
のである。これにより、前記、配向状態がＣ１Ｕであっ
てもＣ２Ｕであっても、あるいは両者の混在する場合で
も関係無く、高コントラストで高品位の強誘電性液晶表
示装置を実現することができる。

【００１５】図１０はプレチルト角の違いによるＣ１Ｕ
状態とＣ２Ｕ状態の分子配向状態を詳細に記すものであ
る。ここで縦軸のＹは液晶セルのセル厚方向を表してお
り、ｄはセル厚である。ｄ／２の厚さの部分はシェブロ
ン・インターフェースと呼ばれる部分で、ここでは液晶
分子は基板界面と平行に配向している。横軸ψは液晶分
子のツイスト角であり、液晶分子の基板投影とスメクチ
ック層法線のなす角である。その定義は図１１に示す通
りである。図１１でＹは図１０同様、セル厚方向を表
し、ｎは分子ダイレクタ、ｃは分子のｃ−ダイレクタ、
ｐは自発分極ベクトルを表している。θは分子チルト
角、δはスメクチック層の傾斜角、Φは分子の方位角で
あり、ｎ_XZは分子の基板投影である。図１１（ｃ）のψ
が図１０の分子ツイスト角を表しており、特にシェブロ
ン・インターフェースにおける分子ツイスト角はψ_INと
して図１０に示されている。図１１（ｄ）はプレチルト
の定義を表している。図１０においてθ_app.は見かけの
チルト角である。この分子ツイスト角の分布図図１０は
ダイレクタ・プルファイルと呼ばれ、特にセル厚方向の
ダイレクタ・プルファイルはそのセルの光学特性を記述
するものである(Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31(1992)852.)。
Ｃ１Ｕ、Ｃ２Ｕともプレチルトθｐの変化によりダイレ
クタ・プルファイルが大きく変化するが、特にプレチル
トθｐ＝０°のときには両者のダイレクタ・プルファイ
ルは等しく、Ｃ１ＵとＣ２Ｕの光学特性が等価であるこ
とがわかる。図１２はプレチルト０°の場合のＣ１Ｕと
Ｃ２Ｕの配向状態を円錐奇跡の底面側から描いたもので
ある。図１２で１３は分子のｃ−ダイレクタであり、１
４の矢印は自発分極である。Ｃ１Ｕのａの部分とＣ２Ｕ
のａ’の部分の誘電率分布、自発分極分布が等価であ
り、Ｃ１Ｕのｂの部分とＣ２Ｕのｂ’の部分の誘電率分
布、自発分極分布が等価であることがわかる。

【００１６】従来、配向膜界面のプレチルトを測定する
方法としては、磁場容量法、クリスタルローテーション
法などが知られているが、いずれもネマティック液晶分
子に対してのみ有効な手法であり、カイラルスメクチッ
クＣ相に代表される強誘電相でのプレチルトを直接測定
することはできなかった。しかしながら、Jpn.J.Appl.P
hys.Vol.31(1992)852.あるいはJ.Phys.D:Appl.Phys.24
(1991)338. に示されるように、液晶分子のチルト角と
スメクチック層の傾斜角とセルのメモリ角の関係より、
カイラルスメクチックＣ相でのプレチルトを求めること
ができる。特にプレチルトθｐ＝０°の場合には、Ｃ１
ＵとＣ２Ｕのメモリ角が等しい、すなわちジクザグ欠陥
を挟んだ両側のメモリ角が等しいことから簡単に確認す
ることができる。この方法により多種類の配向処理法に
ついてカイラルスメクチックＣ相でのプレチルトを測定
したところ、従来のネマティック液晶に対して測定され
たプレチルトが１５°以下である配向処理法について
は、ネマティック液晶相のプレチルトが０°でなくとも
カイラルスメクチックＣ相でのプレチルトが０°となる
可能性があり、上記、負の誘電異方性を有する強誘電性
液晶を用いた場合、高コントラストで高品位の表示を達
成できることも見いだされた。

【００１７】駆動方法はThe“Joers/Alvey ”Ferroelec
tric Multiplexing Scheme を用いることが出来るのは
勿論であるが、より好ましい駆動法は部分書き換えが出
来る駆動法であり、この強誘電性液晶素子を用いて２０
００×２０００ラインなどの大表示容量のディスプレイ
を作製するには好ましい駆動法（例えば、特願平３−２
９３１７９号）である。

【００１８】

【実施例】

実施例１表１に示す６種の配向膜（いずれもチッソ社製）をそれ
ぞれ一対のガラス基板上に塗布し、ラビングした。当該
一対の基板をセル厚５０μｍでラビング方向が反平行と
なるように貼り合わせ、これにネマティック液晶Ｅ−８
（メルク社製）を注入し、磁場容量法によってプレチル
ト角を測定した。測定値は表１に示す。

【００１９】パターニングしたＩＴＯ膜を形成した１対
のガラス基板上にＳｉＯ₂絶縁膜を形成し、次いで、表
１の６種の配向膜をそれぞれ塗布し、ラビングした。当
該一対の基板をセル厚２μｍで、ラビング方向が平行と
なるように貼り合わせた。作製した６種類の液晶セルに
強誘電性液晶ＳＣＥ−８（メルク社製）を注入した。各
強誘電性液晶セルの配向状態は、ジグザグ欠陥とラビン
グ方向の関係およびその消光性から決定し、表１に示し
た。複数の配向が記してある場合は、配向状態が混在す
ることを表している。また、各セルのメモリ角を測定
し、表１に示した。メモリ角は無電界時の消光位間の１
／２の角度である。

【００２０】

【表１】作成した６組の液晶セルについて、図１３に示す電圧波
形を用いて電圧−メモリパルス幅の関係を測定した。結
果を図１に示す。図１で縦軸のＭＰＷはMemoryPulse Wi
dthの略でメモリパルス幅を表している。図１の電圧−
メモリパルス幅特性では、ＰＳＩ−Ａ−２００１とＰＳ
Ｉ−Ａ−Ｘ００９のＣ１Ｕ部分以外、つまり全てのセル
のＣ２Ｕ部分とＰＳＩ−Ａ−Ｓ４９５のＣ１Ｕ部分では
明確なメモリパルス幅が最小になる電圧（Ｖ_min）が存
在する。

【００２１】これらのセルを図１の電圧−メモリパルス
幅特性にあわせて駆動すると、Ｃ２Ｕのみを示すＰＳＩ
−Ｘ−Ｓ０１２、ＰＳＩ−Ｘ−Ｓ０１４、ＰＳＩ−Ａ−
２１０１では全面積において均一なスイッチングを示
し、コントラスト３０以上という品質の高い表示が得ら
れた。Ｃ１Ｕのみを示すＰＳＩ−Ａ−２００１のセルで
は明確なＶ_minが存在しないため、高コントラスト表示
はできなかった。Ｃ１Ｕ、Ｃ２Ｕの現在するＰＳＩ−Ａ
−Ｘ００９のセルではＣ２Ｕ部分は高コントラストな表
示が行えたが、Ｃ１Ｕ部分に明確なＶ_minが存在しない
ため、駆動条件が異なり、またＣ１Ｕ、Ｃ２Ｕ部分のメ
モリ角が違うためセル全体では不均一な表示しかできな
かった。同じようにＣ１ＵとＣ２Ｕが混在するＰＳＩ−
Ａ−Ｓ４９５のセルではＣ１ＵとＣ２Ｕの電圧−メモリ
パルス幅特性がほぼ等しく、同条件で駆動することがで
き、メモリ角も等しいので、セル全面で高コントラス
ト、高品質の表示を達成できた。この場合のＣ１ＵとＣ
２Ｕの電圧−メモリパルス幅特性が、図２の様に縦軸に
Ｃ１Ｕのメモリパルス幅とＣ２Ｕのメモリパルス幅の比
をとってみると、ほぼ等価であることがよくわかる。

【００２２】実施例２実施例１で配向膜をＰＳＩ−Ａ−２３０１（チッソ社
製）に変更して同様に実験した。配向はＣ１Ｕ、Ｃ２Ｕ
混在であった。この配向膜はネマティック液晶にたいし
てはプレチルト６°であったが、Ｃ１ＵとＣ２Ｕのメモ
リ角は等しく７°であり、強誘電相での実際のプレチル
トは０°であった。電圧−メモリパルス幅特性は図１
（ｃ）ＰＳＩ−Ａ−Ｓ４９５と同様にＣ１Ｕ、Ｃ２Ｕが
ほぼ同じものであった。このセルはＰＳＩ−Ａ−Ｓ４９
５と同様にＣ１ＵとＣ２Ｕを同じ条件で駆動することが
でき、メモリ角が等しいので高コントラストで均一な表
示を得ることができた。

【００２３】比較例１実施例１でセルの温度を変化させて実験を行った。Ｃ２
Ｕのみを示すＰＳＩ−Ｘ−Ｓ０１２、ＰＳＩ−Ｘ−Ｓ０
１４、ＰＳＩ−Ａ−２１０１のセルでは温度上昇に伴い
Ｃ１Ｕ状態が発生した。この場合のＣ１Ｕ状態はＣ２Ｕ
状態とは電圧−メモリパルス幅特性、メモリ角とも異な
り、温度変化を補償するように駆動条件を検討してみた
が実施例１のＰＳＩ−Ａ−Ｘ００９のように均一性がな
くなり、高品質の表示がえられなくなった。

【００２４】実施例３実施例１、２でセルの温度を変化させて実験を行った。
ＰＳＩ−Ａ−Ｓ４９５とＰＳＩ−Ａ−２３０１のセル
は、温度上昇に伴いＣ１Ｕ状態の割合が室温よりも多く
なったが、Ｃ１Ｕ状態とＣ２Ｕ状態の電圧−メモリパル
ス幅、メモリ角は同様な温度変化をするので、駆動電
圧、駆動パルス幅等の駆動条件を調整することにより広
い温度範囲に渡って高コントラスト、均一で高品質の表
示を行うことができた。

【００２５】実施例４実施例１〜２における強誘電性液晶材料を表２のMixtur
e １〜６に示す組成の材料に置き換えるほかは実施例１
〜２と同様にして、強誘電性液晶セルを作製した。ＰＳ
Ｉ−Ａ−Ｓ４９５とＰＳＩ−Ａ−２３０１のセルは、Ｃ
１ＵとＣ２Ｕのメモリ角が等しく、広い温度範囲でＣ１
ＵとＣ２Ｕの電圧−メモリパルス幅、メモリ角は同様な
温度変化をするので、駆動電圧、駆動パルス幅等の駆動
条件を調整することにより広い温度範囲に渡って高コン
トラスト、均一で高品質の表示を行うことができた。そ
の他のセルでは、ＰＳＩ−Ａ−２００１はＣ１Ｕだけを
示し高コントラスト表示が得られなかった。また、ＰＳ
Ｉ−Ａ−Ｘ００９のセルではＣ１Ｕ、Ｃ２Ｕが混在し、
Ｃ２Ｕ部分は高コントラストな表示が行えたが、Ｃ１Ｕ
部分に明確なＶ_minが存在しないため、駆動条件が異な
り、また、Ｃ１Ｕ、Ｃ２Ｕ部分のメモリ角が違うためセ
ル全体では不均一な表示しかできなかった。さらにＰＳ
Ｉ−Ｘ−Ｓ０１２、ＰＳＩ−Ｘ−Ｓ０１４、ＰＳＩ−Ａ
−２１０１のセルでは室温でＣ２Ｕのみを示したが、温
度上昇に伴いＣ１Ｕが発生した。この場合のＣ１Ｕ状態
はＣ２Ｕ状態とは電圧−メモリパルス幅特性、メモリ角
とも異なり、温度変化を補償するように駆動条件を検討
してみたが実施例１のＰＳＩ−Ａ−Ｘ００９のように均
一性がなくなり、高品質の表示が得られなくなった。

【００２６】

【表２】

【００２７】化合物１（下記式の５つの化合物を２０％
づつ混合したもの）

【化１】

【００２８】化合物２

【化２】

【００２９】化合物３

【化３】

【００３０】化合物４

【化４】

【００３１】化合物５

【化５】

【００３２】

【発明の効果】本発明を用いることにより、高コントラ
ストの大容量表示の強誘電性液晶表示装置を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例で作製した液晶表示装置の電
圧−パルス幅特性の図である。

【図２】この発明の実施例で作製した液晶表示装置の電
圧−パルス幅特性の図である。

【図３】従来の強誘電性液晶セルの説明図である。

【図４】スメクチックＣ相における強誘電性液晶分子の
状態説明図である。

【図５】誘電異方性△εが負の強誘電性液晶の電圧−応
答速度特性の図である。

【図６】強誘電性液晶セルに注入された液晶の偏光顕微
鏡観察の図である。

【図７】強誘電性液晶セルにおける液晶の配向方法の説
明図である。

【図８】カイラルスメクチックＣ相のシェブロン層構造
における液晶配向の説明図である。

【図９】パラレルラビングの強誘電性液晶セルにおける
液晶配向の説明図である。

【図１０】プレチルト角の違いによる液晶配向の説明図
である。

【図１１】プレチルト角の説明図である。

【図１２】プレチルト角の０°のときの液晶配向の説明
図である。

【図１３】この発明の実施例で作製した液晶表示装置の
電圧−メモリパルス幅の特性の図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/141 G02F 1/1337 510

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶セルの内面に一軸配向処理された配
向膜および負の誘電異方性を有するカイラルスメクチッ
クＣ液晶を具備し、前記配向膜が前記カイラルスメクチ
ックＣ液晶を同じメモリ角のＣ１およびＣ２の２つのユ
ニフォーム配向に配向させうることを特徴とする強誘電
性液晶表示装置。
【請求項２】液晶セルの内面に一軸配向処理された配
向膜および負の誘電異方性を有するカイラルスメクチッ
クＣ液晶を具備し、前記配向膜が前記カイラルスメクチ
ックＣ液晶をほぼ０°の界面プレチルト角で配向させう
ることを特徴とする強誘電性液晶表示装置。