JP2837068B2 - Lead frame manufacturing method - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用のリード
フレームに係わり、特に多ピン化・微細ピッチ化されて
いるクワッドフラットパッケージ(以下QFPと呼ぶ)
に用いられるリードフレームの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device, and more particularly to a quad flat package (hereinafter referred to as a QFP) having a large number of pins and a fine pitch.
The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame used for a semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体装置用リードフレームの一
般的な製造方法としては、写真手法による腐食処理を利
用したエッチング加工やプレス型を用いて打ち抜きする
プレス加工が知られている。両者とも能率のよい加工方
式であるが、一般にこれらは製品品質の安定状態や生産
量によって使い分けられている。2. Description of the Related Art As a conventional general method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device, there is known an etching process utilizing a corrosion treatment by a photographic technique and a press process of punching using a press die. Both are efficient processing methods, but these are generally used depending on the stable state of product quality and the production amount.
【0003】近年、半導体素子の高密度実装化や高集積
化がより一層激しく要求されてきており、これに伴って
QFPの多ピン化が要求されてきている。QFPにおい
て多ピン化を実現する方法、即ち出力ピンを増やす方法
は2通りある。第1の方法はは外部リードピッチを固定
させピン数を増やす方法であるが、この方法では約30
0ピンの正方形のQFPの場合にその寸法は40mm×
40mm程度の大きなものとなって実装される回路基板
の高集積化を妨げ、さらにピン数を増やそうとしてもモ
ールドレジンの内部応力や重量の増加によってハンドリ
ング及び輸送上の不具合の原因になり、この方法は現実
的ではない。In recent years, higher density mounting and higher integration of semiconductor elements have been increasingly demanded, and with this, the number of pins of the QFP has been demanded. There are two methods for realizing a multi-pin QFP, that is, increasing the number of output pins. The first method is to increase the number of pins by fixing the external lead pitch.
In the case of a square QFP with 0 pins, its dimensions are 40 mm x
It prevents the high integration of the circuit board to be mounted as a large thing of about 40 mm, and even if it tries to increase the number of pins, it causes handling and transportation problems due to the increase in the internal stress and weight of the mold resin. The method is not practical.
【0004】第2の方法は、QFP外形寸法を固定し、
外部リードピッチを狭くしていく(狭ピッチ化してい
く)方法であり、この方法を採用すれば前述の第1の方
法の問題点はほぼ解決される。この場合は、インナーリ
ードと半導体チップを接続するワイヤにたるみが生じな
いようにインナーリードと半導体チップを近づけたり、
インナーリード部分に安定したワイヤーボンディングを
行うための約100μm程度の平坦部を設けたり、半導
体チップと接続されたすべてのインナーリードをアウタ
ーリードとして外部へ接続できるようにすることが必要
である。以上のように、QFPの多ピン化のための大き
な課題は、リードフレームのリード間の隙間寸法をいか
に狭く、かつ安定した品質で製造できるかということで
ある。The second method is to fix the external dimensions of the QFP,
This is a method of narrowing (narrowing) the external lead pitch. If this method is adopted, the above-mentioned problem of the first method is almost solved. In this case, close the inner lead and the semiconductor chip so that the wire connecting the inner lead and the semiconductor chip does not sag,
It is necessary to provide a flat portion of about 100 μm for performing stable wire bonding at the inner lead portion, or to enable all the inner leads connected to the semiconductor chip to be connected to the outside as outer leads. As described above, a major problem for increasing the number of pins in a QFP is how to reduce the gap between leads of a lead frame and manufacture the lead frame with stable quality.
【0005】ところが、前述のエッチング加工やプレス
加工は、共に使用される金属板の板厚の80%程度の隙
間しか製造できず、それ以下の隙間を良好に加工するこ
とは不可能である。つまり、現在最もよく使用されてい
る素材の板厚は0.15mm〜0.125mm程度であ
り、その80%の隙間は0.12mm〜0.1mmとな
るが、プレス加工の場合にはこの隙間を抜く為のパンチ
がプレス圧に耐えきれずに折れてしまうか、または折れ
なくても大きな加工歪が発生する。一方、エッチング加
工の場合には効率の良い両面からのエッチングでも、断
面方向の中央部が溶解しきれずにつながるか、これを無
理矢理エッチングして分離しようとしても加工すべきで
ない両横のリード部が必要以上にエッチングされ形状不
良となってしまう。[0005] However, the above-mentioned etching and pressing can produce only a gap of about 80% of the thickness of the metal plate used together, and it is impossible to satisfactorily process a gap smaller than that. That is, the plate thickness of the material most frequently used at present is about 0.15 mm to 0.125 mm, and the gap of 80% thereof is 0.12 mm to 0.1 mm. The punch for removing the wire may be broken without being able to withstand the pressing pressure, or even if it is not broken, large processing distortion may occur. On the other hand, in the case of etching, even if etching is performed from both sides with high efficiency, the center part in the cross-sectional direction will not be completely melted, or it will be forced to separate by etching and the lead parts on both sides that should not be processed Etching is performed more than necessary, resulting in a defective shape.
【0006】これに対し、特開平3−123063号公
報においては、リードフレームの一部または全部の加工
にレーザビームを用いる方式が開示されている。このレ
ーザービームによる加工方式によれば、従来のエッチン
グ加工やプレス加工とは異なってインナーリード部分に
対して機械的歪を与えることなくリード間の隙間の加工
を行うことが可能である。さらに、レーザビームは極め
て小さなスポットに集光することができるので、極めて
微細な加工を行うことが可能である。従って、リード間
の隙間は使用される素材の板厚に関係なく、おそらく1
μm程度の隙間の加工も可能となり、インナーリード間
ピッチを格段に小さくすることができる。On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-13063 discloses a system in which a laser beam is used for processing part or all of a lead frame. According to the processing method using the laser beam, unlike the conventional etching processing and pressing processing, it is possible to process the gap between the leads without giving a mechanical strain to the inner lead portion. Further, since the laser beam can be focused on an extremely small spot, extremely fine processing can be performed. Therefore, the gap between the leads is probably 1 regardless of the thickness of the material used.
A gap of about μm can be processed, and the pitch between the inner leads can be significantly reduced.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記のように特開平3
−123063号公報に記載の方式によれば、レーザビ
ームを用いることで微細な加工を安定した品質で行うこ
とができるが、一般的に産業上実用化されているCO2
レーザやYAGレーザによる加工は入熱による溶融を利
用した加工であるため、加工に伴って溶融した溶湯が飛
散してスパッタとしてリードフレーム表面に付着した
り、溶湯が凝集して再凝固しドロスとして切断された部
分の端面等に残留する。As described above, Japanese Patent Laid-Open No.
According to the method described in JP-A-123063, fine processing can be performed with stable quality by using a laser beam, but generally, CO 2 that is industrially practically used is used.
Since laser or YAG laser processing is processing that uses melting by heat input, the molten metal scatters during processing and adheres to the lead frame surface as spatter, or the molten metal aggregates and re-solidifies as dross. It remains on the end face etc. of the cut part.
【0008】これらスパッタやドロスがリードフレーム
表面やリード端面に付着すると短絡等の性能欠陥の主因
となり易いほか、後工程での他部品との接合時における
密着性の悪化にもつながるため、これらスパッタやドロ
スの付着は極力回避されるべきものである。しかし、上
記レーザビームを利用した加工においてはスパッタやド
ロスの付着はある程度は避けられない現象である。When these spatters and dross adhere to the surface of the lead frame or the end face of the lead frame, they tend to be the main cause of performance defects such as short-circuits, and also lead to deterioration of adhesion at the time of joining with other parts in a later process. And dross adhesion should be avoided as much as possible. However, in the processing using the laser beam, spatter or dross is an inevitable phenomenon to some extent.
【0009】本発明の目的は、スパッタやドロスのない
清浄な表面を有するリードフレームを製造することが可
能なリードフレームの製造方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a lead frame capable of manufacturing a lead frame having a clean surface free from spatter and dross.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、半導体チップの各端子と接続され
る多数のインナーリードと、前記インナーリードの外側
に連続するアウターリードとを有するリードフレームを
形成する際に、前記リードフレームの少なくとも一部を
レーザビームの照射によって形成するリードフレームの
製造方法において、前記レーザビームの照射による加工
後に、前記リードフレームの、前期レーザービームが照
射された面側とは反対側の面側から、前記リードフレー
ムに多数の微小粒状体を高速に衝突させることを特徴と
するリードフレームの製造方法が提供される。According to the present invention, there is provided, according to the present invention, a plurality of inner leads connected to respective terminals of a semiconductor chip, and outer leads continuous outside the inner leads. in forming the lead frame, the method for fabricating a lead frame formed by irradiation of a laser beam at least part of the lead frame, after processing by the irradiation of the laser beam, of the lead frame, year laser beam irradiation
A method for manufacturing a lead frame is provided , wherein a large number of fine particles are made to collide with the lead frame at a high speed from the surface side opposite to the irradiated surface side .
【0011】上記リードフレームの製造方法において、
好ましくは、前記微小粒状体の粒径が、前記リードフレ
ームにおける最小のリード間の幅以下である。In the above method for manufacturing a lead frame,
Preferably, a particle size of the fine granular material is equal to or less than a minimum width between leads in the lead frame.
【0012】[0012]
【0013】[0013]
【0014】また、好ましくは、前記微小粒状体を前記
リードフレームの両面側から、前記リードフレームにか
ら衝突させる。[0014] Preferably, the fine particles are caused to collide with the lead frame from both sides of the lead frame .
【0015】[0015]
【0016】[0016]
【作用】上記のように構成した本発明では、リードフレ
ームにおけるレーザビームの照射によって形成された部
分に、リードフレームの、レーザービームが照射された
面側とは反対側の面側から、多数の微小粒状体を高速で
衝突させることにより、その運動エネルギによってリー
ドフレームに付着したドロス等が除去される。従って、
その後のリードフレームの表面はドロス等のない清浄な
表面となる。According to the present invention constructed as described above, a portion of the lead frame formed by the laser beam irradiation is irradiated with the laser beam of the lead frame.
From the side opposite to the surface side, by impinging a large number of fine granulate fast, dross or the like attached to the lead frame by the kinetic energy is removed. Therefore,
Thereafter, the surface of the lead frame becomes a clean surface without dross or the like .
【0017】また、上記微小粒状体の粒径がリードフレ
ームにおける最小のリード間の幅以下であることによ
り、微小粒状体はいかなるリード間の隙間をも通過する
ことができ、例えば非常に大きなドロスがリードの端面
に付着していたとしてもこれを確実に除去することがで
きる。また、リードフレームの片面側から微小粒状体を
衝突させた場合でも微小粒状体はリード間の隙間を通過
してリードフレームの反対側にもまわりこみその面もあ
る程度清浄にする。Further, since the particle size of the fine particles is smaller than the minimum width between the leads in the lead frame, the fine particles can pass through any gap between the leads. Can be reliably removed even if it adheres to the end face of the lead. Further, even when the fine granular material collides from one side of the lead frame, the fine granular material passes through the gap between the leads and goes around to the opposite side of the lead frame to clean the surface to some extent.
【0018】また、微小粒状体をリードフレームの両面
側からリードフレームに衝突させることにより、リード
フレームの両面のスパッタやドロスが同時に除去され能
率よく確実に清浄な表面が得られる。Further, the fine granular material is applied to both sides of the lead frame.
By impinging from the side to the lead frame, both sides of the sputtering and dross is removed at the same time efficiently and reliably clean the surface of the lead frame is obtained.
【0019】[0019]
【0020】[0020]
【実施例】本発明によるリードフレームの製造方法の一
実施例について、図1から図4を参照しながら説明す
る。図1は本実施例によって製造されるリードフレーム
の一例を示す図、図2は本実施例のリードフレームの製
造方法を示す工程図である。図1において、リードフレ
ーム301の中央部分には、半導体チップ(図示せず)
を搭載するダイパッド302が設けられており、このダ
イパッド302を囲むようにして多数のインナーリード
303と、これらインナーリード303に連続するアウ
ターリード304が配設されている。これら隣合うイン
ナーリード303とアウターリード304とはダムバー
305により互いに連結状に支持されている。また、ダ
イパッド302の周辺は腕302a以外は切欠き部30
6が設けられており、この切欠き部306によりインナ
ーリード303はダイパッド302と分離され、かつ隣
合うインナーリード303はこの切欠き部306により
それぞれ分割されている。さらに、リードフレーム30
1の外周部分には半導体チップの端子とインナーリード
303との接続時の位置決め用に位置決め穴307が設
けられている。尚、ダムバー305は、半導体チップの
モールド時にレジンを堰止める役割とインナーリード3
03及びアウターリード304を補強する役割を有し、
モールド後に除去される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a lead frame manufactured according to the present embodiment, and FIG. 2 is a process diagram illustrating a method of manufacturing the lead frame according to the present embodiment. In FIG. 1, a semiconductor chip (not shown) is provided at a central portion of the lead frame 301.
Is provided, and a number of inner leads 303 and outer leads 304 connected to the inner leads 303 are provided so as to surround the die pad 302. The adjacent inner lead 303 and outer lead 304 are connected to each other by a dam bar 305 so as to be connected to each other. The notch 30 around the die pad 302 except for the arm 302a.
The inner lead 303 is separated from the die pad 302 by the notch 306, and the adjacent inner lead 303 is divided by the notch 306. Further, the lead frame 30
A positioning hole 307 is provided in the outer peripheral portion of the semiconductor device 1 for positioning when connecting the terminal of the semiconductor chip and the inner lead 303. The dam bar 305 has a role of blocking the resin when molding the semiconductor chip and the inner lead 3.
03 and the role of reinforcing the outer lead 304,
Removed after molding.
【0021】また、インナーリード303は、ダイパッ
ド302の方へ収束するように延びており、その先端部
は半導体チップ(図示せず)をダイパッド302に搭載
した後に行われるワイヤボンディング等の電気的接続を
行うのに十分な幅となっている。従って、相隣合うリー
ド間の隙間303aは、特にインナーリード303の内
側が板厚よりも狭い極めて微細な構造となっており、し
かもこの部分の加工はリードフレームの加工において最
も寸法精度や清浄度が厳しい部分である。The inner lead 303 extends so as to converge toward the die pad 302, and the tip of the inner lead 303 is electrically connected by wire bonding or the like performed after a semiconductor chip (not shown) is mounted on the die pad 302. Is wide enough to do. Therefore, the gap 303a between adjacent leads has an extremely fine structure in which the inside of the inner lead 303 is narrower than the plate thickness, and the processing of this part is most dimensional accuracy and cleanliness in lead frame processing. Is the tough part.
【0022】以下、本実施例の工程を説明する。まず、
図2のステップS1において、レーザビームの照射によ
り金属板を加工して図1のようなリードフレームを形成
する。この時のレーザビームによる加工は例えばYAG
レーザを用いた従来の方法で行えばよい。但し、レーザ
ビームで加工すべき部分は少なくともインナーリード3
03の内側部分の微細な部分であって、それ以外のアウ
ターリード304等の大きな部分は従来のエッチング加
工やプレス加工により形成してもよい。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. First,
In step S1 of FIG. 2, a metal plate is processed by laser beam irradiation to form a lead frame as shown in FIG. At this time, processing by a laser beam is performed, for example, using YAG.
What is necessary is just to carry out by the conventional method using a laser. However, the part to be processed by the laser beam is at least the inner lead 3
Small portions inside the portion 03 and other large portions such as the outer lead 304 may be formed by conventional etching or press working.
【0023】上記レーザービームによる加工方式によれ
ば、従来のエッチング加工やプレス加工とは異なってイ
ンナーリード部分に対して機械的歪を与えることなくリ
ード間の隙間の加工を行うことが可能である。さらに、
レーザビームは極めて小さなスポットに集光することが
できるので、極めて微細な加工を行うことが可能であ
る。従って、リード間の隙間は使用される素材の板厚に
関係なく、おそらく1μm程度の隙間の加工も可能とな
り、インナーリード間ピッチを格段に小さくすることが
でき、微細な加工を安定した品質で行うことができる。According to the above-mentioned processing method using a laser beam, unlike the conventional etching processing and pressing processing, it is possible to process the gap between the leads without giving a mechanical strain to the inner lead portion. . further,
Since the laser beam can be focused on an extremely small spot, extremely fine processing can be performed. Therefore, the gap between the leads can be processed to a gap of about 1 μm irrespective of the thickness of the material to be used, the pitch between the inner leads can be significantly reduced, and the fine processing can be performed with stable quality. It can be carried out.
【0024】しかし、一般的に産業上実用化されている
CO2レーザやYAGレーザによる加工は入熱による溶
融を利用した加工であるため、図3に示すように加工に
伴って溶融した溶湯が飛散してスパッタ10としてリー
ドフレーム301表面に付着したり、溶湯が凝集して再
凝固しドロス11として切断された部分の端面等に残留
する。特に、スパッタはリードフレームを支持している
ホルダー等で反射するなどしてリードフレームの反対側
の面にも付着する。これらスパッタ10やドロス11が
付着すると短絡等の性能欠陥の主因となり易いほか、後
工程での他部品との接合時における密着性の悪化にもつ
ながるため、このことは極力回避されなければならない
が、レーザビームを利用した加工においてはある程度は
避けられない現象である。However, since the processing using a CO 2 laser or a YAG laser which is generally put into practical use in the industry is a processing utilizing melting by heat input, as shown in FIG. It scatters and adheres to the surface of the lead frame 301 as spatter 10, or the molten metal is coagulated and re-solidified and remains on the end face or the like of the portion cut as dross 11. In particular, the sputter adheres to the surface on the opposite side of the lead frame, for example, by being reflected by a holder or the like supporting the lead frame. If these spatters 10 and dross 11 adhere, they tend to be a main cause of performance defects such as short circuits, and also lead to deterioration of adhesion at the time of joining with other parts in a later process. Therefore, this must be avoided as much as possible. This is a phenomenon that cannot be avoided to some extent in processing using a laser beam.
【0025】次いで、ステップS2において、上記リー
ドフレームの一方の面から微小粒状体を高速で衝突させ
る。この時の状態を図4に示す。図4において、ステッ
プS1で加工されたリードフレーム301がホルダー2
00上に載置される。また、粒状体タンク100に蓄え
られた微小粒状体101が管路110によって粒状体用
ノズル120に供給され、高圧空気源130からの高圧
空気131によって微小粒状体101は加速され粒状体
用ノズル120先端部より噴出する。そして、この微小
粒状体101はリードフレーム301表面に高速で衝突
し、レーザビームによる加工の際に付着したスパッタ1
0やドロス11などがその運動エネルギにより除去され
る。この工程は精密機械加工部品のバリ取りなどに採用
されているショットブラストという技術の応用である。
さらに、粒状体用ノズル120をレーザビームで加工さ
れた部分全体に沿って移動(スキャン)させ、スパッタ
10やドロス11などを全て除去して表面を清浄にす
る。Next, in step S2, the fine particles are made to collide at high speed from one surface of the lead frame. The state at this time is shown in FIG. In FIG. 4, the lead frame 301 processed in step S1 is
00. Further, the fine granular material 101 stored in the granular material tank 100 is supplied to the granular material nozzle 120 through the conduit 110, and the fine granular material 101 is accelerated by the high-pressure air 131 from the high-pressure air source 130 to be accelerated. Spouts from the tip. Then, the fine granular material 101 collides with the surface of the lead frame 301 at a high speed, and the spatter 1 adhered during the processing by the laser beam.
Zero and dross 11 are removed by the kinetic energy. This process is an application of a technique called shot blast employed for deburring precision machined parts.
Further, the granular material nozzle 120 is moved (scanned) along the entire portion processed by the laser beam, and the sputter 10 and the dross 11 are all removed to clean the surface.
【0026】この時使用される微小粒状体101は、粒
径が約200μm以下の樹脂またはガラス玉などの比較
的硬い粒状体である。また、これらの微小粒状体101
は、その粒径がリードフレーム301における最小のリ
ード間(インナーリードの隙間)の隙間303aより小
さい。これにより、微小粒状体101はいかなるリード
間の隙間をも通過することができ、例えば非常に大きな
ドロスがリードの端面に付着していたとしてもこれを確
実に除去することができる。また、微小粒状体101は
リード間の隙間を通過し、ホルダー200で反射するな
どしてリードフレームの反対側にもまわりこみその面に
あるスパッタも除去してある程度清浄にする。The fine granular material 101 used at this time is a relatively hard granular material such as a resin or a glass ball having a particle size of about 200 μm or less. In addition, these fine granular materials 101
Is smaller than the minimum gap 303 a between the leads (the gap between the inner leads) in the lead frame 301. Thus, the fine granular material 101 can pass through any gap between the leads. For example, even if a very large dross adheres to the end face of the lead, it can be reliably removed. Further, the fine granular material 101 passes through the gap between the leads, is reflected by the holder 200, and also wraps around to the opposite side of the lead frame, and also removes spatter on the surface thereof to some extent cleans.
【0027】次いで、ステップS3において、リードフ
レーム301を裏返してホルダー200上に載置し、他
方の面から微小粒状体を高速で衝突させる。これは上記
ステップS2と同様に行われる。このステップS3によ
り、ステップS2で十分除去しきれなかったリードフレ
ーム301の他方の面のスパッタ10やドロス11が確
実に除去される。Next, in step S3, the lead frame 301 is turned upside down and placed on the holder 200, and the fine particles are made to collide at a high speed from the other surface. This is performed in the same manner as in step S2. By this step S3, the spatter 10 and the dross 11 on the other surface of the lead frame 301, which have not been sufficiently removed in step S2, are reliably removed.
【0028】最後に、ステップS4でリードフレーム3
01の表面に残留した微小粒状体101が洗浄等により
除去され、製造が完了する。Finally, in step S4, the lead frame 3
01 is removed by washing or the like, and the production is completed.
【0029】以上のような本実施例においては、リード
フレーム301におけるレーザビームの照射によって形
成された部分に、微小粒状体101を高速で衝突させる
ので、その運動エネルギによってリードフレーム301
に付着したスパッタ10やドロス11等が除去される。
従って、その後のリードフレーム301の表面はスパッ
タやドロスのない清浄な表面となる。In the present embodiment as described above, the fine granular material 101 collides at a high speed with the portion formed by the irradiation of the laser beam on the lead frame 301.
The spatter 10 and dross 11 adhered to the surface are removed.
Therefore, the surface of the subsequent lead frame 301 is a clean surface free of spatter and dross.
【0030】また、微小粒状体101の粒径がリードフ
レーム301における最小のリード間(インナーリード
間)の隙間303aの幅以下であるので、微小粒状体は
いかなるリード間の隙間をも通過することができ、例え
ば非常に大きなドロスがリードの端面に付着していたと
してもこれを確実に除去することができる。また、この
微小粒状体101はリード間の隙間を通過してリードフ
レームの反対側にもまわりこみその面もある程度清浄に
することもできる。Further, since the particle size of the fine particles 101 is equal to or less than the width of the gap 303a between the smallest leads (between inner leads) in the lead frame 301, the fine particles may pass through any gap between the leads. For example, even if a very large dross adheres to the end face of the lead, it can be reliably removed. Further, the fine granular material 101 can pass through the gap between the leads and also reach the opposite side of the lead frame to clean the surface to some extent.
【0031】尚、表面清浄度があまり厳しくないような
リードフレームの場合は、図2のステップS3を行う必
要はなく、片面のみから微小粒状体を衝突させるだけで
よい。この場合は、前述のようにリードフレームの反対
側にまわりこんだ微小粒状体101によってその面にあ
るスパッタが除去され反対側の面もある程度清浄にな
る。In the case of a lead frame whose surface cleanliness is not so strict, there is no need to perform step S3 in FIG. 2, and it is sufficient to make the minute particulate matter collide only from one side. In this case, as described above, the fine particles 101 wrapping around the opposite side of the lead frame remove spatter on the surface, and the surface on the opposite side is also cleaned to some extent.
【0032】次に、本発明によるリードフレームの製造
方法の他の実施例について、図5を参照しながら説明す
る。本実施例では、図5に示すように、レーザビーム用
ノズル150と粒状体用ノズル120とは腕156によ
って近接して固定される。図5において、レーザ発振器
151より発生したレーザ光152は加工ヘッド153
に入射し、加工ヘッド153内に設けられたベンディン
グミラー154で方向が変られた後、加工ヘッド153
下部のレーザビーム用ノズル150内の集光レンズ15
5で集光されてリードフレーム301となる金属板素材
に照射される。Next, another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the nozzle 150 for the laser beam and the nozzle 120 for the granular material are fixed closely by the arm 156. In FIG. 5, a laser beam 152 generated from a laser oscillator 151 is processed by a processing head 153.
After being changed in direction by a bending mirror 154 provided in the processing head 153,
Condensing lens 15 in lower laser beam nozzle 150
The light is condensed at 5 and irradiates the metal plate material to be the lead frame 301.
【0033】また、上記レーザビームによる加工の直後
に、レーザビーム用ノズル150に近接して固定された
粒状体用ノズル120から微小粒状体101が前述の実
施例と同様に噴出し、リードフレーム301に高速に衝
突する。但し、図5において、レーザビーム用ノズル1
50及び粒状体用ノズル120は図中矢印150A及び
120Aでそれぞれ示すように紙面上を左方から右方へ
移動しており、レーザビーム用ノズル150よりも右側
の斜線部分はまだ加工されていない。これ以外の製造方
法は図1から図4で説明した実施例と同様である。Immediately after the processing by the laser beam, the fine granular material 101 is ejected from the granular material nozzle 120 fixed close to the laser beam nozzle 150 in the same manner as in the above-described embodiment, and the lead frame 301 is formed. Colliding fast. However, in FIG.
The nozzle 50 and the granular material nozzle 120 move from left to right on the paper as shown by arrows 150A and 120A in the figure, and the hatched portion on the right side of the laser beam nozzle 150 has not been processed yet. . Other manufacturing methods are the same as those of the embodiment described with reference to FIGS.
【0034】以上のような本実施例によれば、図1から
図4で説明した実施例と同様の効果が得られると共に、
レーザビームによる加工と微小粒状体の衝突によるスパ
ッタやドロスの除去とを一つの工程で行うことができ、
製造の能率が向上する。According to this embodiment as described above, the same effects as those of the embodiment described with reference to FIGS.
Processing by laser beam and removal of spatter and dross by collision of fine granular material can be performed in one process,
Manufacturing efficiency is improved.
【0035】次に、本発明によるリードフレームの製造
方法のさらに他の実施例について、図6及び図7を参照
しながら説明する。本実施例では、図6に示すように、
粒状体用ノズル120のリードフレーム301に関する
反対側の位置にも粒状体用ノズル120aを配置する。
但し、リードフレーム301は図4や図5のホルダー2
00で支持されるのではなく、図示しないリードフレー
ム端部のみが支持される。また、粒状体用ノズル120
aには粒状体タンク100aに蓄えられた微小粒状体1
01aが管路110aによって運ばれ、高圧空気源13
0aからの高圧空気131aによって微小粒状体101
aは加速され粒状体用ノズル120a先端部より噴出す
る。即ち、リードフレーム301の両面から同時に微小
粒状体が衝突し、両面のスパッタやドロスが同時に除去
される。従って、能率よく確実に清浄な表面が得られ
る。Next, still another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention will be described with reference to FIGS. In this embodiment, as shown in FIG.
The granular material nozzle 120a is also arranged at a position opposite to the lead frame 301 of the granular material nozzle 120.
However, the lead frame 301 is the holder 2 shown in FIGS.
Instead of being supported by 00, only the end of the lead frame (not shown) is supported. In addition, the nozzle 120 for granular material
a is the fine granular material 1 stored in the granular material tank 100a.
01a is carried by the conduit 110a and the high pressure air source 13
0a from the high-pressure air 131a.
a is accelerated and spouted from the tip of the granular material nozzle 120a. That is, the fine granular material collides from both sides of the lead frame 301 at the same time, and spatter and dross on both sides are simultaneously removed. Therefore, a clean surface can be obtained efficiently and reliably.
【0036】以下、本実施例の工程を説明する。まず、
図7のステップS11において、レーザビームの照射に
より金属板が加工されてリードフレームが形成される。
この工程は図2のステップS1と同様である。次に、ス
テップS12において、上記リードフレームの両面から
同時に図6に示した方法で微小粒状体を高速で衝突させ
る。この工程は図2のステップS2とS3とを同時に行
うものである。最後に、ステップS13でリードフレー
ム301の表面に残留した微小粒状体101が洗浄等に
より除去され、製造が完了する。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. First,
In step S11 of FIG. 7, the metal plate is processed by laser beam irradiation to form a lead frame.
This step is the same as step S1 in FIG. Next, in step S12, the fine granular material is collided simultaneously from both sides of the lead frame by the method shown in FIG. In this step, steps S2 and S3 in FIG. 2 are performed simultaneously. Finally, in step S13, the fine granular material 101 remaining on the surface of the lead frame 301 is removed by washing or the like, and the manufacturing is completed.
【0037】以上のように本実施例によれば、図1から
図4で説明した実施例と同様の効果が得られると共に、
微小粒状体101及び101aをリードフレーム301
の両面から衝突させるので、リードフレーム301の両
面のスパッタやドロスが同時に除去され、能率よく確実
に清浄な表面を得ることができる。As described above, according to this embodiment, the same effects as those of the embodiment described with reference to FIGS.
The fine particles 101 and 101a are
Since both sides of the lead frame 301 collide, spatter and dross on both sides of the lead frame 301 are simultaneously removed, and a clean surface can be obtained efficiently and reliably.
【0038】尚、リードフレームを鉛直面内に縦向きに
吊り下げ、その両面から微小粒状体を衝突させ、吊り下
げたリードフレームを上下に移動させてもよい。It should be noted that the lead frame may be suspended vertically in a vertical plane, and fine particles may collide from both sides thereof, and the suspended lead frame may be moved up and down.
【0039】次に、本発明によるリードフレームの製造
方法のさらに他の実施例について、図8を参照しながら
説明する。本実施例は、インナーリード等の微細な部分
以外の大きな部分を従来のエッチングによって加工する
場合において、エッチング液に微小粒状体を混入する実
施例である。但し、エッチングによって加工する部分の
エッチングパターンに基づくレジスト処理等は予め従来
の方法により行われているものとする。Next, still another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention will be described with reference to FIG. This embodiment is an embodiment in which fine particles are mixed into an etching solution when a large portion other than a fine portion such as an inner lead is processed by conventional etching. However, it is assumed that a resist process based on an etching pattern of a portion to be processed by etching is performed in advance by a conventional method.
【0040】本実施例では、微小粒状体をエッチング液
に混合し、この混合物をリードフレームに衝突させる。
図8において、混合物タンク160に蓄えられた微小粒
状体とエッチング液との混合物161は管路170に設
けられたポンプ171によって混合物用ノズル180に
圧送され、高圧空気源190からの高圧空気191によ
って混合物161は加速され混合物用ノズル180先端
部より噴出する。そして、この混合物161はリードフ
レーム301表面に高速で衝突し、レーザビームによる
加工の際に付着したスパッタ10やドロス11などが混
合物161中の微小粒状体の運動エネルギにより除去さ
れると共に、混合物161中のエッチング液による腐食
によってもスパッタやドロスが除去され、リードフレー
ム表面がさらに清浄になる。さらに、混合物用ノズル1
80はリードフレーム全体に沿って移動(スキャン)
し、レーザビームによる加工が行われた部分はスパッタ
10やドロス11などが除去されて表面が清浄になり、
エッチングパターンに基づくレジスト処理が行われた部
分は従来通りのエッチングが行われる。In this embodiment, the fine particles are mixed with an etching solution, and this mixture is caused to collide with a lead frame.
In FIG. 8, a mixture 161 of fine particulate matter and an etching solution stored in a mixture tank 160 is pumped to a mixture nozzle 180 by a pump 171 provided in a pipeline 170, and is supplied by high-pressure air 191 from a high-pressure air source 190. The mixture 161 is accelerated and spouts from the tip of the mixture nozzle 180. Then, the mixture 161 collides with the surface of the lead frame 301 at a high speed, and spatters 10 and dross 11 attached during processing by a laser beam are removed by the kinetic energy of the fine granular material in the mixture 161 and the mixture 161 is removed. Sputter and dross are also removed by corrosion due to the etching solution inside, and the lead frame surface is further cleaned. Further, the mixture nozzle 1
80 moves along the entire lead frame (scan)
Then, the portion processed by the laser beam is cleaned of the surface by removing the sputter 10 and dross 11, etc.
The portion where the resist processing based on the etching pattern has been performed is subjected to conventional etching.
【0041】以上のように本実施例によれば、図1から
図4で説明した実施例と同様の効果が得られるだけでな
く、エッチング液による腐食によってもスパッタやドロ
スが除去され、リードフレーム表面がさらに清浄にな
る。As described above, according to this embodiment, not only the same effects as those of the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 4 can be obtained, but also spatter and dross are removed by corrosion by an etching solution, and the lead frame is removed. The surface becomes even cleaner.
【0042】尚、以上の4つの実施例では、微小粒状体
を噴出させるノズルをリードフレーム表面で移動(スキ
ャン)させたが、リードフレーム全体をカバーできるよ
うな噴出口を用いてリードフレーム全体に一度に微小粒
状体を衝突させてもよい。この場合は上記のような噴出
口を移動(スキャン)させる必要がない。In the above four embodiments, the nozzle for ejecting the fine granular material is moved (scanned) on the surface of the lead frame. However, the ejection port which can cover the entire lead frame is used to cover the entire lead frame. You may make a minute granular material collide at once. In this case, it is not necessary to move (scan) the above-described ejection port.
【0043】[0043]
【発明の効果】本発明によれば、リードフレームにおけ
るレーザビーム照射によって形成された部分に、微小粒
状体を高速で衝突させるので、リードフレームの表面を
スパッタやドロスのない清浄な表面とすることができ
る。According to the present invention, a fine granular material is made to collide with a portion formed by laser beam irradiation on a lead frame at a high speed, so that the surface of the lead frame has a clean surface free from spatter and dross. Can be.
【0044】また、微小粒状体の粒径がリードフレーム
における最小のリード間の幅以下であるので、微小粒状
体はいかなるリード間の隙間をも通過することができ、
スパッタやドロスを確実に除去することができる。ま
た、この微小粒状体リードフレームの反対側の面にもま
わりこんでその面もある程度清浄にすることができる。Also, since the particle size of the fine particles is equal to or less than the minimum width between the leads in the lead frame, the fine particles can pass through any gap between the leads,
Spatter and dross can be reliably removed. In addition, the surface of the micro-granular material lead frame can also be cleaned to some extent by wrapping around the surface on the opposite side.
【0045】また、レーザビームの照射直後に、そのレ
ーザビームによって加工された部分に微小粒状体を衝突
させるので、レーザビームによる加工と微小粒状体の衝
突によるスパッタやドロスの除去とを一つの工程で行う
ことができ、製造の能率が向上する。Further, immediately after the irradiation of the laser beam, the fine particles are made to collide with the portion processed by the laser beam, so that the processing by the laser beam and the removal of spatter and dross by the collision of the fine particles are performed in one step. And the production efficiency is improved.
【0046】また、微小粒状体をリードフレームの両面
から衝突させるので、リードフレームの両面のスパッタ
やドロスが同時に除去され、能率よく確実に清浄な表面
を得ることができる。Further, since the fine granular material collides from both sides of the lead frame, spatter and dross on both sides of the lead frame are simultaneously removed, and a clean surface can be obtained efficiently and reliably.
【0047】また、微小粒状体をエッチング液に混合し
てリードフレームに衝突させるので、エッチング液によ
る腐食によってもスパッタやドロスが除去され、リード
フレーム表面がさらに清浄になる。Further, since the fine particulate matter is mixed with the etching solution and collides with the lead frame, spatter and dross are removed even by corrosion by the etching solution, and the lead frame surface is further cleaned.
【0048】また、本発明によれば、リードフレームの
各リード端部が面取りされた状態となり、リードフレー
ムへの半導体チップ搭載、ワイヤボンディング、モール
ド、アウターリードよりも外周部分のプレス切断、及び
アウターリード曲げなどの後工程において、角の部分の
引っかかりがなくなりハンドリングが容易になる。Further, according to the present invention, each of the lead ends of the lead frame is chamfered, and the semiconductor chip is mounted on the lead frame, wire bonding, molding, press cutting of the outer peripheral portion than the outer lead, and outer are performed. In a post-process such as lead bending, corner portions are not caught and handling is facilitated.
【0049】また、リードフレーム表面に微小粒状体の
衝突による無数の微細なくぼみが生じ、梨地状の表面と
なって後ほどハンダメッキを行う場合においてハンダの
濡れ性が向上する。さらに、上記梨地状の表面は残留圧
縮応力状態、即ち加工硬化した状態になっているため、
リードフレーム自体の強度が向上すると共に、疲労強度
も向上し、半導体装置が一層高密度化して内部発熱が起
こる場合でもリードフレームの熱疲労が問題とならな
い。In addition, countless fine dents are generated on the surface of the lead frame due to the collision of the fine particles, and the surface becomes a matte surface, and the solder wettability is improved when solder plating is performed later. Furthermore, since the satin-like surface is in a residual compressive stress state, that is, in a work-hardened state,
The strength of the lead frame itself is improved, and the fatigue strength is also improved. Even if the semiconductor device is further densified and internal heat is generated, thermal fatigue of the lead frame does not matter.
【図1】本発明の一実施例によって製造されるリードフ
レームの一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a lead frame manufactured according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のリードフレームの製造方法を示す工程図
である。FIG. 2 is a process chart showing a method for manufacturing the lead frame of FIG. 1;
【図3】レーザビームによる加工に伴ってスパッタやド
ロスがリードフレームに付着する状況を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a situation in which spatter or dross adheres to a lead frame with processing by a laser beam.
【図4】図2の製造工程において、レーザビームの照射
後のリードフレームの一方の面から微小粒状体を衝突さ
せる状況を示す図である。FIG. 4 is a view showing a state in which a fine granular material collides from one surface of a lead frame after irradiation with a laser beam in the manufacturing process of FIG. 2;
【図5】本発明の他の実施例によるリードフレームの製
造方法を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a method for manufacturing a lead frame according to another embodiment of the present invention.
【図6】本発明のさらに他の実施例によるリードフレー
ムの製造方法を説明する図である。FIG. 6 is a view illustrating a method of manufacturing a lead frame according to still another embodiment of the present invention.
【図7】図6の場合のリードフレームの製造方法を示す
工程図である。FIG. 7 is a process chart showing a method for manufacturing a lead frame in the case of FIG. 6;
【図8】本発明のさらに他の実施例によるリードフレー
ムの製造方法を説明する図である。FIG. 8 is a view illustrating a method of manufacturing a lead frame according to still another embodiment of the present invention.
10 スパッタ 11 ドロス 100,100a 粒状体タンク 101,101a 微小粒状体 120,120a 粒状体用ノズル 130,130a 高圧空気源 150 レーザビーム用ノズル 151 レーザ発振器 155 集光レンズ 160 混合物タンク 161 (微小粒状体とエッチング液との)混合物 171 ポンプ 180 混合物用ノズル 190 高圧空気源 301 リードフレーム 303 インナーリード 303a (リード間の)隙間 304 アウターリード DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Sputter 11 Dross 100, 100a Granular body tank 101, 101a Fine granular body 120, 120a Granular body nozzle 130, 130a High-pressure air source 150 Laser beam nozzle 151 Laser oscillator 155 Condensing lens 160 Mixture tank 161 (with fine granular body Mixture with etchant 171 Pump 180 Mixer nozzle 190 High pressure air source 301 Lead frame 303 Inner lead 303a Gap (between leads) 304 Outer lead
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/50──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 23/50
Claims (3)
のインナーリードと、前記インナーリードの外側に連続
するアウターリードとを有するリードフレームを形成す
る際に、前記リードフレームの少なくとも一部をレーザ
ビームの照射によって形成するリードフレームの製造方
法において、 前記レーザビームの照射による加工後に、前記リードフ
レームの、前記レーザービームが照射された面側とは反
対側の面側から、前記リードフレームに多数の微小粒状
体を高速に衝突させることを特徴とするリードフレーム
の製造方法。When forming a lead frame having a number of inner leads connected to respective terminals of a semiconductor chip and outer leads continuous outside the inner leads, at least a part of the lead frame is formed by a laser. the method of manufacturing a lead frame formed by irradiation of a beam, after processing by the irradiation of the laser beam, the Ridofu
Opposite to the side of the frame where the laser beam was irradiated
A method for manufacturing a lead frame , comprising: colliding a large number of fine particles at a high speed with the lead frame from the opposite side .
法において、前記微小粒状体の粒径が、前記リードフレ
ームにおける最小のリード間の幅以下であることを特徴
とするリードフレームの製造方法。2. The method for manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein a particle size of said fine granular material is equal to or smaller than a minimum width between leads in said lead frame.
法において、前記微小粒状体を前記リードフレームの両
面側から、前記リードフレームに衝突させることを特徴
とするリードフレームの製造方法。 3. The method of manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein the fine granular material is formed on both sides of the lead frame.
Colliding the lead frame from the surface side
Lead frame manufacturing method.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP5155582A JP2837068B2 (en) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | Lead frame manufacturing method |
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JP5155582A JP2837068B2 (en) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | Lead frame manufacturing method |
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JPH0714958A JPH0714958A (en) | 1995-01-17 |
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1993
- 1993-06-25 JP JP5155582A patent/JP2837068B2/en not_active Expired - Lifetime
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