JP2832337B2 - 回折格子の製造方法 - Google Patents
回折格子の製造方法Info
- Publication number
- JP2832337B2 JP2832337B2 JP7323825A JP32382595A JP2832337B2 JP 2832337 B2 JP2832337 B2 JP 2832337B2 JP 7323825 A JP7323825 A JP 7323825A JP 32382595 A JP32382595 A JP 32382595A JP 2832337 B2 JP2832337 B2 JP 2832337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- diffraction grating
- glass
- light
- glass thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N tribenuron methyl Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1S(=O)(=O)NC(=O)N(C)C1=NC(C)=NC(OC)=N1 VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
- G02B6/02057—Optical fibres with cladding with or without a coating comprising gratings
- G02B6/02066—Gratings having a surface relief structure, e.g. repetitive variation in diameter of core or cladding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光照射によるガラ
ス回折格子の製造方法に関する。
ス回折格子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】紫外域から近赤外域の光を透過するシリ
カガラスは、通信用光ファイバーの母材として用いられ
ており、そのコアの部分には通常GeO2がドープされ
ている。このファイバーに波長488nmアルゴンイオンレ
ーザー光或いは248nmのエキシマレーザー光を照射する
と、コアの屈折率が変化することが見出されている(K.
O.Hillら、Appi.Phys.Lett. 32(1978)647、或いはR.
M.Atkinsら、Electron.Lett. 29(1993)385)。しかし
ながら、その屈折率変化量は、1×10-4程度であり、
光ファイバー以外の分野への応用は、困難である。
カガラスは、通信用光ファイバーの母材として用いられ
ており、そのコアの部分には通常GeO2がドープされ
ている。このファイバーに波長488nmアルゴンイオンレ
ーザー光或いは248nmのエキシマレーザー光を照射する
と、コアの屈折率が変化することが見出されている(K.
O.Hillら、Appi.Phys.Lett. 32(1978)647、或いはR.
M.Atkinsら、Electron.Lett. 29(1993)385)。しかし
ながら、その屈折率変化量は、1×10-4程度であり、
光ファイバー以外の分野への応用は、困難である。
【0003】一方、ゾル−ゲル法により製造されたGe
O2−SiO2ガラスにおいても、光屈折率変化が認めら
れている(K.D.Simmonsら、Opt.Lett. 18(1993)2
5)。しかしながら、その値も、上記の光ファイバーの
場合と同レベルであり、通常の分光器などで使用されて
いる回折格子への応用は、不可能である。
O2−SiO2ガラスにおいても、光屈折率変化が認めら
れている(K.D.Simmonsら、Opt.Lett. 18(1993)2
5)。しかしながら、その値も、上記の光ファイバーの
場合と同レベルであり、通常の分光器などで使用されて
いる回折格子への応用は、不可能である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、回
折格子への応用が可能な程度の屈折率変化量を示すガラ
ス材料を提供することを主な目的とする。
折格子への応用が可能な程度の屈折率変化量を示すガラ
ス材料を提供することを主な目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記のよう
な技術の現状を考慮しつつ、研究を重ねた結果、光照射
によりガラス構造の変化を伴う密度変化を誘起しうるガ
ラス薄膜に回折格子を形成することにより、その目的を
達成しうることを見出した。
な技術の現状を考慮しつつ、研究を重ねた結果、光照射
によりガラス構造の変化を伴う密度変化を誘起しうるガ
ラス薄膜に回折格子を形成することにより、その目的を
達成しうることを見出した。
【0006】すなわち、本発明は、下記の光照射による
ガラス回折格子の製造方法を提供するものである。
ガラス回折格子の製造方法を提供するものである。
【0007】1.光照射によりガラス薄膜表面に周期的
凹凸を形成することを特徴とする回折格子の製造方法。
凹凸を形成することを特徴とする回折格子の製造方法。
【0008】2.凹凸形成のための光源が、エキシマレ
ーザー、Nd−YAGレーザーまたは色素レーザーの紫
外高調波である上記項1に記載の回折格子の製造方法。
ーザー、Nd−YAGレーザーまたは色素レーザーの紫
外高調波である上記項1に記載の回折格子の製造方法。
【0009】3.予めガラス薄膜表面にフェーズマスク
を設置し、該フェーズマスクを介して光照射を行う上記
項1または2に記載の回折格子の製造方法。
を設置し、該フェーズマスクを介して光照射を行う上記
項1または2に記載の回折格子の製造方法。
【0010】4.レーザーの干渉光をガラス薄膜表面に
照射することにより、ガラス薄膜表面にその干渉光の周
期に応じた凹凸を形成させる上記項1または2に記載の
回折格子の製造方法。
照射することにより、ガラス薄膜表面にその干渉光の周
期に応じた凹凸を形成させる上記項1または2に記載の
回折格子の製造方法。
【0011】5.回折格子を書き込むためのガラス薄膜
をスパッタ蒸着法により作成する上記項1〜4のいずれ
かに記載の回折格子の製造方法。
をスパッタ蒸着法により作成する上記項1〜4のいずれ
かに記載の回折格子の製造方法。
【0012】6.回折格子を書き込むためのガラス薄膜
の組成が、GeO2含有量20〜95モル%のGeO2−Si
O2系ガラスである上記項1〜5のいずれかに記載の回
折格子の製造方法。
の組成が、GeO2含有量20〜95モル%のGeO2−Si
O2系ガラスである上記項1〜5のいずれかに記載の回
折格子の製造方法。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明において回折格子の形成に
使用するガラス薄膜は、高周波スパッタ蒸着法により、
シリコン単結晶などの基板上に作製することが好まし
い。高周波スパッタ蒸着は、常法に従って行うことがで
き、その条件などは特に限定されるものではないが、通
常アルゴンまたはアルゴン−酸素混合ガス(酸素の体積
含有率50%程度まで)の雰囲気中で行う。アルゴン−酸
素混合ガス中の酸素の体積含有率が50%を上回る場合に
も、屈折率変化が認められるガラス薄膜が得られるが、
ガラス薄膜の生成速度が極めて遅くなり、実用性に欠け
る。ガラス薄膜の厚さは、通常0.1〜10μm(100〜1000
00Å)程度である。得られたガラス薄膜は、対レーザー
耐性を改善するために、常法に従って、300〜800℃程度
で熱処理することが好ましい。
使用するガラス薄膜は、高周波スパッタ蒸着法により、
シリコン単結晶などの基板上に作製することが好まし
い。高周波スパッタ蒸着は、常法に従って行うことがで
き、その条件などは特に限定されるものではないが、通
常アルゴンまたはアルゴン−酸素混合ガス(酸素の体積
含有率50%程度まで)の雰囲気中で行う。アルゴン−酸
素混合ガス中の酸素の体積含有率が50%を上回る場合に
も、屈折率変化が認められるガラス薄膜が得られるが、
ガラス薄膜の生成速度が極めて遅くなり、実用性に欠け
る。ガラス薄膜の厚さは、通常0.1〜10μm(100〜1000
00Å)程度である。得られたガラス薄膜は、対レーザー
耐性を改善するために、常法に従って、300〜800℃程度
で熱処理することが好ましい。
【0014】使用するガラスとしては、GeO2含有量
が20〜95モル%、より好ましくは25〜55モル%であるG
eO2−SiO2系ガラスが特に好適である。GeO2−
SiO2系ガラス薄膜において、GeO2含有量が少なす
ぎる場合には、光照射を行っても大きな体積変化が認め
られず、凹凸が形成されにくいのに対し、多すぎる場合
には、ガラスが黄色く着色したり、或いはガラスの耐水
性が低下したりする。
が20〜95モル%、より好ましくは25〜55モル%であるG
eO2−SiO2系ガラスが特に好適である。GeO2−
SiO2系ガラス薄膜において、GeO2含有量が少なす
ぎる場合には、光照射を行っても大きな体積変化が認め
られず、凹凸が形成されにくいのに対し、多すぎる場合
には、ガラスが黄色く着色したり、或いはガラスの耐水
性が低下したりする。
【0015】回折格子を形成する方法としては、(1)
ガラス薄膜表面に予めフェーズマスクを設置し、該フェ
ーズマスクを介して光照射を行うことにより、周期的凹
凸を形成する方法、および(2)ガラス薄膜表面にレー
ザーの干渉光を照射することにより、ガラス表面にその
干渉波の周期に応じた凹凸を形成する方法が挙げられ
る。凹凸を形成するための光源としては、ArF、Kr
Fなどのエキシマレーザー、Nd−YAGレーザー、A
rイオンレーザーまたは色素レーザーの紫外高調波など
が例示される。
ガラス薄膜表面に予めフェーズマスクを設置し、該フェ
ーズマスクを介して光照射を行うことにより、周期的凹
凸を形成する方法、および(2)ガラス薄膜表面にレー
ザーの干渉光を照射することにより、ガラス表面にその
干渉波の周期に応じた凹凸を形成する方法が挙げられ
る。凹凸を形成するための光源としては、ArF、Kr
Fなどのエキシマレーザー、Nd−YAGレーザー、A
rイオンレーザーまたは色素レーザーの紫外高調波など
が例示される。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、スパッタ蒸着法により
作製したガラス薄膜表面に光照射を行って光の波長レベ
ルの周期的凹凸を形成させることにより、高い耐熱性、
機械的強度などを有する回折格子を容易に得ることがで
きる。
作製したガラス薄膜表面に光照射を行って光の波長レベ
ルの周期的凹凸を形成させることにより、高い耐熱性、
機械的強度などを有する回折格子を容易に得ることがで
きる。
【0017】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明の
特徴とするところをより一層明確にする。
特徴とするところをより一層明確にする。
【0018】実施例1 雰囲気ガス組成が80%Ar−20%O2であり、その流量
が3cc/分、チャンバー内圧力が約10-2torrという条件
下に、シリコン単結晶基板上にGeO225モル%−Si
O275モル%のガラス薄膜を約8nm/分の速度で約300分間
堆積させた。薄膜の組成が目的通りに調整されているこ
とは、XPSにより確認された。また、薄膜のX線回折を
測定したところ、GeO2またはSiO2の結晶による鋭
い回折ピークは、全く観測されなかった。
が3cc/分、チャンバー内圧力が約10-2torrという条件
下に、シリコン単結晶基板上にGeO225モル%−Si
O275モル%のガラス薄膜を約8nm/分の速度で約300分間
堆積させた。薄膜の組成が目的通りに調整されているこ
とは、XPSにより確認された。また、薄膜のX線回折を
測定したところ、GeO2またはSiO2の結晶による鋭
い回折ピークは、全く観測されなかった。
【0019】得られたガラス薄膜を真空中500℃で1時
間熱処理した後、薄膜上に1μm間隔の溝が5×10mmの
範囲に彫られたシリカガラス製のフェーズマスクをおい
て、真上から波長193nmで、パワー密度30mJ/cm2のA
rFエキシマレーザーパルスを1200パルス照射した。
間熱処理した後、薄膜上に1μm間隔の溝が5×10mmの
範囲に彫られたシリカガラス製のフェーズマスクをおい
て、真上から波長193nmで、パワー密度30mJ/cm2のA
rFエキシマレーザーパルスを1200パルス照射した。
【0020】得られた材料の表面を電子顕微鏡で観察し
たところ、振幅0.2μmの凹凸が形成されていることが
確認された。
たところ、振幅0.2μmの凹凸が形成されていることが
確認された。
【0021】また、得られた材料の凹凸部分にHe−N
eレーザーを入射したところ、1次の回折効率が約7%
であることが確認された。
eレーザーを入射したところ、1次の回折効率が約7%
であることが確認された。
【0022】実施例2 実施例1と同様の方法により作成したガラス薄膜に対
し、1mJ/mm2のNe−YAGレーザー光(波長266nm)を
法線角45°で双方向から1000ショット照射したところ、
その干渉波に応じた凹凸がガラス表面に形成され、実施
例1による回折格子に類似したNe−Heレーザー光の
回折が確認された。
し、1mJ/mm2のNe−YAGレーザー光(波長266nm)を
法線角45°で双方向から1000ショット照射したところ、
その干渉波に応じた凹凸がガラス表面に形成され、実施
例1による回折格子に類似したNe−Heレーザー光の
回折が確認された。
【0023】実施例3〜6 表1に示す組成のガラスを用いて実施例1と同様にして
作製した薄膜を真空中500℃で1時間熱処理した後、実施
例1と同様なフェーズマスクを介してArFエキシマレ
ーザーパルスを1200パルス照射したところ、表1に示す
様な振幅の凹凸が形成されていることが電子顕微鏡観察
により確認された。
作製した薄膜を真空中500℃で1時間熱処理した後、実施
例1と同様なフェーズマスクを介してArFエキシマレ
ーザーパルスを1200パルス照射したところ、表1に示す
様な振幅の凹凸が形成されていることが電子顕微鏡観察
により確認された。
【0024】
【表1】
【0025】なお、表1には、実施例1〜2の結果をも
併せて示す。
併せて示す。
【0026】比較例1 雰囲気ガス組成が80%Ar−20%O2であり、その流量
が3cc/分、チャンバー内圧力が約10-2torrという条件
下に、シリコン単結晶基板上にGeO210モル%−Si
O290モル%のガラス薄膜を約8nm/分の速度で約300分間
堆積させた。
が3cc/分、チャンバー内圧力が約10-2torrという条件
下に、シリコン単結晶基板上にGeO210モル%−Si
O290モル%のガラス薄膜を約8nm/分の速度で約300分間
堆積させた。
【0027】得られた薄膜を使用して実施例1と同様な
方法により、回折格子の形成を試みたが、電子顕微鏡観
察によれば、表面に凹凸は形成されていなかった。
方法により、回折格子の形成を試みたが、電子顕微鏡観
察によれば、表面に凹凸は形成されていなかった。
【0028】比較例2 比較例1と同様な条件下にGeO2ガラスをシリコン基
板上に析出させた後、1週間空気中に放置したところ、
ガラス表面に白い濁りが観察された。
板上に析出させた後、1週間空気中に放置したところ、
ガラス表面に白い濁りが観察された。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−258509(JP,A) Optical Material s,vol.4(January 1995),p.404−409 Optical Material s,vol.4(Mrch 1995), p.441−449 Appl.Phys.Lett.,v ol.64(3)(17 January 1994),p.282−28 Appl.Phys.Lett.,v ol.62(10)(8 March 1993),p.1035−1037 Optics Communicat ions,vol.111(1 Octo ber 1994),p.269−275 OPTICS LETTERS,Vo l.21(17)(1 September 1996),p.1360−1362 IEEE JOURNAL OF Q UANTUM ELECTRONIC S,VOL.QE−22(8)(AUGU ST 1986),p.1384−1403
Claims (6)
- 【請求項1】Ge02含有量が20〜95モル%であ
り、厚さが0.1〜10μmであるGe02−Si02
ガラス薄膜に対し光を照射することにより、ガラス薄膜
表面に周期的凹凸を形成することを特徴とする反射型回
折格子の製造方法。 - 【請求項2】薄膜ガラスのGe02含有量が25〜55
モル%である請求項1に記載の反射型回折格子の製造方
法。 - 【請求項3】凹凸形成のための光源が、エキシマレーザ
ー、Nd−YAGレーザーまたは色素レーザーの紫外高
調波である請求項1または2に記載の反射型回折格子の
製造方法。 - 【請求項4】予めガラス表面にフェーズマスクを設置
し、該フェーズマスクを介して光照射を行う請求項1〜
3のいずれかに記載の反射型回折格子の製造方法。 - 【請求項5】レーザーの干渉光をガラス薄膜に照射する
ことにより、ガラス薄膜表面にその干渉波の周期に応じ
た凹凸を形成させる請求項1または2に記載の反射型回
折格子の製造方法。 - 【請求項6】回折格子を書き込むためのガラス薄膜をス
パッタ蒸着法により形成する請求項1〜5のいずれかに
記載の反射型回折格子の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7323825A JP2832337B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 回折格子の製造方法 |
EP96308047A EP0774675B1 (en) | 1995-11-17 | 1996-11-06 | Production method of diffraction grating |
DE69628263T DE69628263T2 (de) | 1995-11-17 | 1996-11-06 | Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters |
US08/744,325 US5716762A (en) | 1995-11-17 | 1996-11-07 | Production method of diffraction grating |
CA002190239A CA2190239C (en) | 1995-11-17 | 1996-11-13 | Production method of diffraction grating |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7323825A JP2832337B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 回折格子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09145907A JPH09145907A (ja) | 1997-06-06 |
JP2832337B2 true JP2832337B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=18159023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7323825A Expired - Lifetime JP2832337B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5716762A (ja) |
EP (1) | EP0774675B1 (ja) |
JP (1) | JP2832337B2 (ja) |
CA (1) | CA2190239C (ja) |
DE (1) | DE69628263T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6023545A (en) * | 1998-02-20 | 2000-02-08 | Alliedsignal Inc. | Fabrication of difraction gratings for optical signal devices and optical signal devices containing the same |
US6514576B1 (en) * | 1999-03-11 | 2003-02-04 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of manufacturing a diffraction grating |
AU1124201A (en) * | 1999-10-26 | 2001-05-08 | Centre National De La Recherche Scientifique | Self-processing of diffractive optical components in hybrid sol-gel glasses |
JP4463033B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2010-05-12 | 日東電工株式会社 | 感光性高分子膜表面上への釣鐘型凸状構造部の形成方法 |
JP2006010778A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 回折格子の製造方法 |
US20070253668A1 (en) * | 2004-12-08 | 2007-11-01 | Nanyang Technological University | Method of Producing Germanosilicate with a High Refractive Index Change |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1294470C (en) * | 1986-07-26 | 1992-01-21 | Toshihiro Suzuki | Process for the production of optical elements |
US5028105A (en) * | 1989-12-21 | 1991-07-02 | Galileo Electro-Optics Corporation | Photorefractive effect in bulk glass and devices made therefrom |
US5287427A (en) * | 1992-05-05 | 1994-02-15 | At&T Bell Laboratories | Method of making an article comprising an optical component, and article comprising the component |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP7323825A patent/JP2832337B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-11-06 DE DE69628263T patent/DE69628263T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-06 EP EP96308047A patent/EP0774675B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-07 US US08/744,325 patent/US5716762A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-13 CA CA002190239A patent/CA2190239C/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (7)
Title |
---|
Appl.Phys.Lett.,vol.62(10)(8 March 1993),p.1035−1037 |
Appl.Phys.Lett.,vol.64(3)(17 January 1994),p.282−28 |
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,VOL.QE−22(8)(AUGUST 1986),p.1384−1403 |
Optical Materials,vol.4(January 1995),p.404−409 |
Optical Materials,vol.4(Mrch 1995),p.441−449 |
Optics Communications,vol.111(1 October 1994),p.269−275 |
OPTICS LETTERS,Vol.21(17)(1 September 1996),p.1360−1362 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0774675A1 (en) | 1997-05-21 |
EP0774675B1 (en) | 2003-05-21 |
DE69628263D1 (de) | 2003-06-26 |
JPH09145907A (ja) | 1997-06-06 |
US5716762A (en) | 1998-02-10 |
DE69628263T2 (de) | 2004-05-06 |
CA2190239A1 (en) | 1997-05-18 |
CA2190239C (en) | 2004-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2873937B2 (ja) | ガラスの光微細加工方法 | |
JP2006309222A (ja) | 量子ドット導波層を含む光導波路および製造方法 | |
US6192712B1 (en) | Optical waveguide fabrication method | |
JPS5869746A (ja) | 珪酸塩ガラスの一体非反射性面 | |
JP2832337B2 (ja) | 回折格子の製造方法 | |
Nishii et al. | Characteristics of 5‐eV absorption band in sputter deposited GeO2‐SiO2 thin glass films | |
Brusatin et al. | Materials for photonic applications from sol-gel | |
JP2775416B2 (ja) | 紫外光照射により体積変化するガラス材料 | |
JP3452733B2 (ja) | 回折型の光学素子の製造方法 | |
US6514576B1 (en) | Method of manufacturing a diffraction grating | |
JP2003178625A (ja) | 光学素子機能を有する透明導電膜およびその製造方法 | |
Grivas et al. | Dielectric binary oxide films as waveguide laser media: a review | |
US20050239003A1 (en) | Pyroceramic material with a base of silica and tin dioxide, particularly for optical applications, and the corresponding process of fabrication | |
JP3928042B2 (ja) | 回折格子およびその製造方法 | |
JP4154484B2 (ja) | 回折格子およびその製造方法 | |
Nishii et al. | Enormous photon-induced volume expansion of Ge-doped silica thin films | |
JP3890407B2 (ja) | 回折格子型光機能素子 | |
Nishii et al. | Origin of enormous photon-induced volume expansion of GeO2–SiO2 thin glass films | |
Yang et al. | Visible room-temperature photoluminescence of Ge-doped SiO2 glasses fabricated by a sol–gel process | |
Haisma | Optical thin films produced by nonvacuum techniques | |
JP3350711B2 (ja) | 回折格子の製造方法 | |
Goyes et al. | Glass-ceramics for photonics: Laser material processing | |
JP3932354B2 (ja) | ガラス材料の透過率制御方法 | |
Yuan-Da et al. | Preparation of a Waveguide Array in Flame Hydrolysis DepositedGeO2-SiO2 Glasses by Excimer Laser Irradiation | |
Schütz et al. | Erbium-Doped fluoride glass waveguides for laser applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |