JP2800274B2 - Stamper - Google Patents
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- B29C45/2632—Stampers; Mountings thereof
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光ディスク用スタンパに関し、特にゾルゲル
法を用いた光ディスク用ガラス基板作製のためのワーク
スタンパに関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a stamper for an optical disc, and more particularly to a work stamper for producing a glass substrate for an optical disc using a sol-gel method.
(従来の技術) ゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板の作製プ
ロセスについて説明する。(Prior Art) A manufacturing process of a glass substrate for an optical disk using a sol-gel method will be described.
まず、所望のデータに基づきガラス原盤にマスタライ
ティングを行う。次に、ガラス原盤にNiのスパッタおよ
び電鋳処理を施すことにより、Niスタンパ(マスタ)を
おこす。ついで、Niスタンパ(マスタ)を型にして再度
電鋳処理を行い、Niスタンパ(マザー)を作製する。こ
の様にして作製したNiスタンパ(マザー)を用いて、射
出成形あるいは2P成形により樹脂膜のゾルゲル用ワーク
スタンパを得ることが出来る。First, master writing is performed on a glass master based on desired data. Next, a Ni stamper (master) is formed by subjecting the glass master to Ni sputtering and electroforming. Next, the Ni stamper (master) is used as a mold and electroforming is performed again to produce a Ni stamper (mother). Using the Ni stamper (mother) thus produced, a work stamper for a sol-gel resin film can be obtained by injection molding or 2P molding.
次に、ガラス基板上にスピンコート法により金属アル
コレート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアルコ
ール溶液(ゾルゲル溶液)を塗布し、ゾルゲル層を形成
する。先ほどのワークスタンパををこのゾルゲル面に押
し当て、微細なパターンを転写する。重ね合わせたまま
一次焼成を行った後、ワークスタンパから離型した微細
パターン付きガラス基板を更に二次焼成する。このよう
なプロセスを経て、光ディスク用ガラス基板を得ること
が出来る。Next, an alcohol solution (sol-gel solution) containing metal alcoholate, polyethylene glycol, and hydrochloric acid is applied to the glass substrate by spin coating to form a sol-gel layer. The work stamper is pressed against the sol-gel surface to transfer a fine pattern. After the primary firing while being superposed, the glass substrate with the fine pattern released from the work stamper is further secondary fired. Through such a process, a glass substrate for an optical disk can be obtained.
(発明が解決しようとする課題) 先述したように、ゾルゲル用ワークスタンパを作製す
るには、現状ではかなりのプロセスを必要とする。これ
はゾルゲル用ワークスタンパとして、直接Niスタンパ
(マスタ)が使用できないことによる。即ち、ゾルゲル
層とNiスタンパをそのまま密着させて一次焼成を行う
と、離型の際、ゾルゲル層の一部Niスタンパ面に付着
し、正確なパターン転写が出来ない。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the fabrication of a sol-gel work stamper requires a considerable process at present. This is because a Ni stamper (master) cannot be used directly as a work stamper for sol-gel. That is, if the primary firing is performed while the sol-gel layer and the Ni stamper are in close contact with each other, a part of the sol-gel layer adheres to the Ni stamper surface during release, and accurate pattern transfer cannot be performed.
このため上述したような長いプロセスを採り入れてい
るが、特に微細なパターンを比較的大面積に渡って何度
も転写するので、歩留り、コストの面で問題となる。For this reason, a long process as described above is adopted, but particularly, a fine pattern is transferred many times over a relatively large area, which causes problems in terms of yield and cost.
本発明は、上述した問題を解決するゾルゲル用ワーク
スタンパを提供することにある。An object of the present invention is to provide a sol-gel work stamper that solves the above-mentioned problems.
(課題を解決するための手段) 本発明によるスタンパは、微細なパターンを有するNi
薄板の上に、ダイヤモンド状カーボン層を形成したこと
を特徴とする。また、Ni薄板とダイヤモンド状カーボン
層の間に付着強化層を形成したことを特徴とする。(Means for Solving the Problems) The stamper according to the present invention has a fine pattern of Ni.
A diamond-like carbon layer is formed on a thin plate. Further, an adhesion strengthening layer is formed between the Ni thin plate and the diamond-like carbon layer.
(作用) 本発明によれば、ゾルゲル材料に対して離型性かつ耐
磨耗性のあるダイヤモンド状のカーボン膜でNiスタンパ
の表面処理を行うため、そのままゾルゲル用ワークスタ
ンパとして多数回繰り返して使用できる。このため、従
来のような煩雑なプロセスを経ることがなく、コスト歩
留りなどの面で有利である。According to the present invention, the sol-gel material is subjected to the surface treatment of the Ni stamper with a diamond-like carbon film having releasability and abrasion resistance. it can. For this reason, there is no need for a complicated process as in the related art, which is advantageous in terms of cost yield and the like.
また、Niスタンパとカーボン膜との間に付着強化層を
導入することにより、より安定したゾルゲル転写を行う
ことが出来る。この付着強化層には各種の材料を用いる
ことができるが、SiまたはSiの酸化物、窒化物、炭化
物、GeまたはGeの酸化物、窒化物、もしくはCr,Ti,Zr,C
o,Cu,Ag,Al,Sn,Pbなどの金属を単独あるいは組み合せて
使用できる。Further, by introducing an adhesion reinforcing layer between the Ni stamper and the carbon film, more stable sol-gel transfer can be performed. Various materials can be used for the adhesion strengthening layer, but Si or Si oxide, nitride, carbide, Ge or Ge oxide, nitride, or Cr, Ti, Zr, C
Metals such as o, Cu, Ag, Al, Sn, and Pb can be used alone or in combination.
(実施例) 以下、実施例に基づき詳細に説明する。第1図および
第2図は、本発明のスタンパの概略断面図である。本発
明のスタンパは、前記した通常の方法で作製されたNiス
タンパ(マスタ)1上にダイヤモンド状カーボン膜2を
形成してなる。また第2図に示すように、Niスタンパ
(マスタ)1とダイヤモンド状カーボン膜2の間に付着
強化層を導入することにより安定したゾルゲル転写を行
うことができる。(Example) Hereinafter, it demonstrates in detail based on an Example. 1 and 2 are schematic sectional views of the stamper of the present invention. The stamper of the present invention is obtained by forming a diamond-like carbon film 2 on a Ni stamper (master) 1 manufactured by the above-described ordinary method. Further, as shown in FIG. 2, stable sol-gel transfer can be performed by introducing an adhesion strengthening layer between the Ni stamper (master) 1 and the diamond-like carbon film 2.
実施例1 通常の方法で作製されたNiスタンパ(マスタ)1に、
CH4/H2混合ガスを用いたDCグロー放電CVD法により、ダ
イヤモンド状カーボン膜2を500Å成膜した。このよう
にして本発明によるゾルゲル用ワークスタンパが作製で
きる。Example 1 A Ni stamper (master) 1 manufactured by an ordinary method
A diamond-like carbon film 2 was formed to a thickness of 500 ° by a DC glow discharge CVD method using a CH 4 / H 2 mixed gas. Thus, the sol-gel work stamper according to the present invention can be manufactured.
次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板の作製方法につ
いて述べる。Next, a method for manufacturing a glass substrate using a sol-gel method will be described.
ガラス基板上にテトラエトキシシラン、ポリエチレン
グリコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピン
コート法により塗布し、ゾルゲル層を2000〜3000Å形成
した。ついで、先ほどのワークスタンパを減圧下重ね合
わせて押圧する。そのままの状態で、100℃、10分間の
一次焼成を行った。その後、ガラス基板をワークスタン
パより離型し、350℃、10分間の二次焼成を行い、所望
の微細パターンを有するガラス基板を得た。An ethyl alcohol solution containing tetraethoxysilane, polyethylene glycol, and hydrochloric acid was applied on a glass substrate by spin coating to form a sol-gel layer in a thickness of 2000 to 3000 Å. Then, the work stampers are overlapped and pressed under reduced pressure. In that state, primary calcination was performed at 100 ° C. for 10 minutes. Thereafter, the glass substrate was released from the work stamper and subjected to secondary firing at 350 ° C. for 10 minutes to obtain a glass substrate having a desired fine pattern.
本発明によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆された
Niスタンパでは、100回以上ゾルゲル転写を行っても、
スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル材料
の付着も認められなかった。そのため、良好な転写が繰
り返しできた。Coated with a diamond-like carbon film according to the invention
With Ni stamper, even if sol-gel transfer is performed more than 100 times,
The stamper surface was not damaged, and no sol-gel material was attached. Therefore, good transfer could be repeated.
一方、通常の方法で作製されたNiスタンパをそのまま
用いた場合は、10回程度の繰り返し使用で表面に傷が付
いた。また、ゾルゲル材料の付着も初期の段階から起こ
り、スタンパの使用を繰り返すにつれて出来上りのゾル
ゲル基板の欠陥が増加した。On the other hand, when the Ni stamper manufactured by the usual method was used as it was, the surface was scratched after repeated use about 10 times. In addition, the adhesion of the sol-gel material also occurred at an early stage, and as the use of the stamper was repeated, the defects of the completed sol-gel substrate increased.
実施例2 通常の方法で作製されたNiスタンパ(マスタ)にスパ
ッタ法によりSiを100Å成膜した。ついで、このSi層上
にCH4/H2混合ガスを用いたDCグロー放電CVD法により、
ダイヤモンド状カーボン膜を500Å成膜した。このよう
に本発明によるゾルゲル用ワークスタンパが作製でき
る。Example 2 Si was deposited to a thickness of 100 mm by a sputtering method on a Ni stamper (master) manufactured by an ordinary method. Then, a DC glow discharge CVD method using a CH 4 / H 2 mixed gas was applied on this Si layer,
A diamond-like carbon film was formed to a thickness of 500 mm. Thus, the sol-gel work stamper according to the present invention can be manufactured.
次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板の作製方法につ
いて述べる。Next, a method for manufacturing a glass substrate using a sol-gel method will be described.
ガラス基板上にテトラエトキシシラン、ポリエチレン
グリコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピン
コート法により塗布し、ゾルゲル層を2000〜3000Å形成
した。ついで、先ほどのワークスタンパを減圧下で重ね
合わせて押圧する。そのままの状態で、100℃、10分間
の一次焼成を行った。その後、ガラス基板をワークスタ
ンパより離型し、350℃、10分間の二次焼成を行い、所
望の微細パターンを有するガラス基板を得た。An ethyl alcohol solution containing tetraethoxysilane, polyethylene glycol, and hydrochloric acid was applied on a glass substrate by spin coating to form a sol-gel layer in a thickness of 2000 to 3000 Å. Next, the work stampers are overlapped and pressed under reduced pressure. In that state, primary calcination was performed at 100 ° C. for 10 minutes. Thereafter, the glass substrate was released from the work stamper and subjected to secondary firing at 350 ° C. for 10 minutes to obtain a glass substrate having a desired fine pattern.
本実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆され
たNiスタンパでは、100回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。そのため、良好な転写
が繰り返しできた。In the case of the Ni stamper coated with the diamond-like carbon film according to the present example, even if sol-gel transfer was performed 100 times or more, the stamper surface was not damaged, and no adhesion of the sol-gel material was observed. Therefore, good transfer could be repeated.
一方、通常の方法で作製されなNiスタンパをそのまま
用いた場合は、10回程度の繰り返し使用で表面に傷が付
いた。また、ゾルゲル材料の付着も初期の段階から起こ
り、スタンパの使用を繰り返すにつれて出来上りのゾル
ゲル基板の欠陥が増加した。On the other hand, when the Ni stamper manufactured by the usual method was used as it was, the surface was scratched after repeated use about 10 times. In addition, the adhesion of the sol-gel material also occurred at an early stage, and as the use of the stamper was repeated, the defects of the completed sol-gel substrate increased.
実施例3 通常の方法で作製されたNiスタンパ(マスタ)に、ス
パッタ法によりSiO2を100Å成膜した。ついで、このSiO
2層上にCH4/H2混合ガスを用いたDCグロー放電CVD法によ
り、ダイヤモンド状カーボン膜を500Å成膜した。この
ようにして本発明によるゾルゲル用ワークスタンパが作
製できる。Example 3 An SiO 2 film was formed to a thickness of 100 ° by a sputtering method on a Ni stamper (master) manufactured by an ordinary method. Then this SiO
On the two layers, a diamond-like carbon film having a thickness of 500 mm was formed by a DC glow discharge CVD method using a CH 4 / H 2 mixed gas. Thus, the sol-gel work stamper according to the present invention can be manufactured.
次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板を実施例2と同
様に作製した。Next, a glass substrate using a sol-gel method was produced in the same manner as in Example 2.
実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆された
Niスタンパでは、100回以上ゾルゲル転写を行っても、
スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル材料
の付着も認められなかった。そのため、良好な転写が繰
り返しできた。Coated with diamond-like carbon film according to the example
With Ni stamper, even if sol-gel transfer is performed more than 100 times,
The stamper surface was not damaged, and no sol-gel material was attached. Therefore, good transfer could be repeated.
実施例4 実施例3のSiO2の代わりにSi3N4を用いて、実施例3
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 4 Example 3 was repeated using Si 3 N 4 instead of SiO 2.
Similarly, a work stamper for sol-gel was prepared.
実施例1と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 1, 100
Even after repeated use, no deterioration of the transfer pattern was observed.
実施例5 実施例3のSiO2の代わりにSiCを用いて、実施例3と
同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 5 A sol-gel work stamper was produced in the same manner as in Example 3, except that SiC was used instead of SiO 2 in Example 3.
実施例3と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 3, 100
Even after repeated use, no deterioration of the transfer pattern was observed.
実施例6 通常の方法で作製されたNiスタンパ(マスタ)に、ス
パッタ法によりGeを100Å成膜した。ついで、このGe層
上にCH4/H2混合ガスを用いたDCグリー放電CVD法によ
り、ダイヤモンド状カーボン膜を500Å成膜した。この
ようにして本発明によるゾルゲル用ワークスタンパが作
製できる。Example 6 On a Ni stamper (master) manufactured by an ordinary method, a Ge film was formed to a thickness of 100 ° by a sputtering method. Next, a diamond-like carbon film was formed on the Ge layer by a DC grease discharge CVD method using a CH 4 / H 2 mixed gas to a thickness of 500 μm. Thus, the sol-gel work stamper according to the present invention can be manufactured.
本実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆され
たNiスタンパでは、100回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。そのため、良好な転写
が繰り返しできた。In the case of the Ni stamper coated with the diamond-like carbon film according to the present example, even if sol-gel transfer was performed 100 times or more, the stamper surface was not damaged, and no adhesion of the sol-gel material was observed. Therefore, good transfer could be repeated.
実施例7 実施例6のGeの代わりにGeO2を用いて、実施例6と同
様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 7 A sol-gel work stamper was manufactured in the same manner as in Example 6, except that GeO 2 was used instead of Ge in Example 6.
実施例2と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 2, 100
Even after repeated use, no deterioration of the transfer pattern was observed.
実施例8 実施例6のGeの代わりにGe3N4を用いて、実施例6と
同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 8 A work stamper for sol-gel was produced in the same manner as in Example 6, except that Ge 3 N 4 was used instead of Ge in Example 6.
実施例2と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 2, 100
Even after repeated use, no deterioration of the transfer pattern was observed.
実施例9 通常の方法で作製されたNiスタンパ(マスタ)に、ス
パッタ法によりCrを100Å成膜した。ついで、このCr層
上にCH4/H2混合ガスを用いてDCグロー放電CVD法によ
り、ダイヤモンド状カーボン膜を500Å成膜した。この
ようにして本発明によるゾルゲル用ワークスタンパが作
製できる。Example 9 On a Ni stamper (master) manufactured by an ordinary method, a Cr film was formed to a thickness of 100 mm by a sputtering method. Then, a diamond-like carbon film was formed on the Cr layer by DC glow discharge CVD using a mixed gas of CH 4 / H 2 to a thickness of 500 μm. Thus, the sol-gel work stamper according to the present invention can be manufactured.
本実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆され
たNiスタンパでは、100回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。そのため、良好な転写
が繰り返しできた。In the case of the Ni stamper coated with the diamond-like carbon film according to the present example, even if sol-gel transfer was performed 100 times or more, the stamper surface was not damaged, and no adhesion of the sol-gel material was observed. Therefore, good transfer could be repeated.
実施例10 通常の方法で作製されたNiスタンパ(マスタ)に、ス
パッタ法によりTiを100Å成膜した。ついで、このTi層
上にCH4/H2混合ガスを用いてDCグロー放電CVD法によ
り、ダイヤモンド状カーボン膜を500Å成膜した。この
ようにして本発明によるゾルゲル用ワークスタンパが作
製できる。Example 10 On a Ni stamper (master) manufactured by an ordinary method, a Ti film was formed to a thickness of 100 mm by a sputtering method. Next, a diamond-like carbon film was formed on the Ti layer by a DC glow discharge CVD method using a mixed gas of CH 4 / H 2 to a thickness of 500 μm. Thus, the sol-gel work stamper according to the present invention can be manufactured.
本実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆され
たNiスタンパでは、100回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。そのため、良好な転写
が繰り返しできた。In the case of the Ni stamper coated with the diamond-like carbon film according to the present example, even if sol-gel transfer was performed 100 times or more, the stamper surface was not damaged, and no adhesion of the sol-gel material was observed. Therefore, good transfer could be repeated.
実施例11 通常の方法で作製されたNiスタンパ(マスタ)に、ス
パッタ法によりCuを100Å成膜した。ついで、このCu層
上にCH4/H2混合ガスを用いたDCグロー放電CVD法によ
り、ダイヤモンド状カーボン膜を500Å成膜した。この
ようにして本発明ゾルゲル用ワークスタンパが作製でき
る。Example 11 On a Ni stamper (master) manufactured by an ordinary method, a Cu film was formed to a thickness of 100 mm by a sputtering method. Next, a diamond-like carbon film was formed on the Cu layer by DC glow discharge CVD using a mixed gas of CH 4 / H 2 to a thickness of 500 μm. Thus, the work stamper for sol-gel of the present invention can be manufactured.
実施例12 実施例11のCuの代わりにZrを用いて、実施例11と同様
にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 12 A work stamper for sol-gel was produced in the same manner as in Example 11, except that Zr was used instead of Cu in Example 11.
実施例11と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 11, 100
Even after repeated use, no deterioration of the transfer pattern was observed.
実施例13 実施例11のCuの代わりにCoを用いて、実施例11と同様
にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 13 A sol-gel work stamper was manufactured in the same manner as in Example 11, except that Co was used instead of Cu in Example 11.
実施例11と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 11, 100
Even after repeated use, no deterioration of the transfer pattern was observed.
実施例14 実施例11のCuの代わりにAgを用いて、実施例11と同様
にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 14 A sol-gel work stamper was produced in the same manner as in Example 11, except that Ag of Example 11 was used instead of Cu.
実施例11と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
なかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 11, 100
No deterioration of the transfer pattern was observed even after repeated use over two times.
実施例15 実施例11のCuの代わりにAlを用いて、実施例11と同様
にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 15 A work stamper for a sol-gel was produced in the same manner as in Example 11, except that Al was used instead of Cu in Example 11.
実施例11と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 11, 100
Even after repeated use, no deterioration of the transfer pattern was observed.
実施例16 実施例11のCuの代わりにSnを用いて、実施例11と同様
にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 16 A sol-gel work stamper was produced in the same manner as in Example 11, except that Sn of Example 11 was used instead of Cu.
実施例11と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 11, 100
Even after repeated use, no deterioration of the transfer pattern was observed.
実施例17 実施例11のCuの代わりにPbを用いて、実施例11と同様
にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。Example 17 A work stamper for sol-gel was produced in the same manner as in Example 11, except that Pb was used instead of Cu in Example 11.
実施例11と同様にゾルゲル転写を行ったところ、100
以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認められ
なかった。When sol-gel transfer was performed in the same manner as in Example 11, 100
No deterioration of the transfer pattern was observed even after repeated use.
(発明の効果) 以上述べてきたように、本発明によるスタンパは、従
来のスタンパに比べて短い工程で作製でき、歩留りある
いはコストの面で有利であり、その工業上の意義は大き
い。(Effects of the Invention) As described above, the stamper according to the present invention can be manufactured in a shorter process than conventional stampers, is advantageous in terms of yield or cost, and has great industrial significance.
第1図および第2図は本発明によるスタンパの概略断面
図である。1 and 2 are schematic sectional views of a stamper according to the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−22012(JP,A) 特開 昭59−90245(JP,A) 特開 平1−158620(JP,A) 特開 平2−51434(JP,A) 特開 昭64−59654(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B29C 33/00 - 33/76 G11B 7/26──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-2-22012 (JP, A) JP-A-59-90245 (JP, A) JP-A-1-158620 (JP, A) JP-A-2- 51434 (JP, A) JP-A-64-59654 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) B29C 33/00-33/76 G11B 7/26
Claims (2)
モンド状カーボン層を形成したことを特徴とするスタン
パ。1. A stamper wherein a diamond-like carbon layer is formed on a Ni thin plate having fine irregularities.
化層、ダイヤモンド状カーボン層を順次形成したことを
特徴とするスタンパ。2. A stamper wherein an adhesion strengthening layer and a diamond-like carbon layer are sequentially formed on a Ni thin plate having fine irregularities.
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JP1153976A JP2800274B2 (en) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | Stamper |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0319154A JPH0319154A (en) | 1991-01-28 |
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Country Status (1)
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-
1989
- 1989-06-16 JP JP1153976A patent/JP2800274B2/en not_active Expired - Lifetime
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