JP2792156B2 - エッチング装置およびエッチング方法 - Google Patents
エッチング装置およびエッチング方法Info
- Publication number
- JP2792156B2 JP2792156B2 JP1293563A JP29356389A JP2792156B2 JP 2792156 B2 JP2792156 B2 JP 2792156B2 JP 1293563 A JP1293563 A JP 1293563A JP 29356389 A JP29356389 A JP 29356389A JP 2792156 B2 JP2792156 B2 JP 2792156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- sample
- anode plate
- substrate
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッド等の磁極に用いられるFeと
SiとAlを含む合金等と反応性ガスとの間で、常温で蒸気
圧の低い反応性で形成される元素、化合物等のエッチン
グに用いられるエッチング装置に関するものである。
SiとAlを含む合金等と反応性ガスとの間で、常温で蒸気
圧の低い反応性で形成される元素、化合物等のエッチン
グに用いられるエッチング装置に関するものである。
従来、難エッチング材料であるFeとSiとAlを含む合金
等をエッチングするには、アルゴンイオンビームによる
ミリングで行なわれてきた。この方法は、イオン化した
アルゴンガスを電界下で加速し、固体試料に照射すると
きに、試料表面で起るスパッタリング現象を利用したも
のである。すなわち、一種の物理的エッチング方法であ
る。通常、アルゴンイオンミリングの条件として、例え
ば、アルゴンガス圧を４×10-4Torr、加速電圧500V、イ
オン電流密度0.6mA/cm2のイオンビームを入射角０゜か
ら45゜に設定し、エッチングを行なっていた。また、こ
のときのエッチングレートとして150/min程度であ
る。
等をエッチングするには、アルゴンイオンビームによる
ミリングで行なわれてきた。この方法は、イオン化した
アルゴンガスを電界下で加速し、固体試料に照射すると
きに、試料表面で起るスパッタリング現象を利用したも
のである。すなわち、一種の物理的エッチング方法であ
る。通常、アルゴンイオンミリングの条件として、例え
ば、アルゴンガス圧を４×10-4Torr、加速電圧500V、イ
オン電流密度0.6mA/cm2のイオンビームを入射角０゜か
ら45゜に設定し、エッチングを行なっていた。また、こ
のときのエッチングレートとして150/min程度であ
る。
また、別法として反応性ガスによるエッチング方法で
行なっていた。
行なっていた。
第４図は従来の一例を示すエッチング装置の断面図、
第５図は第４図の陽極板を示す平面図である。このエッ
チング装置は、第４図に示すように、真空排気装置と連
結するエッチングチャンバ１と、このチャンバ１内に配
置されるとともに試料３を搭載する陰極と兼用の基板２
と、この陰極である基板２と対向する位置に配置された
陽極板４と、試料３に反応性ガス、ここでは、CCl4ガス
をエッチングチャンバ１内に導入するガス導入管６と、
図面には示していないが、陰極である基板２の陽極板４
との間に高周波電圧を印加する高周波電源とを備えてい
る。また、陽極板としては、第５図に示すように、円板
状の陽極板４に多数の小穴５が設けられている。
第５図は第４図の陽極板を示す平面図である。このエッ
チング装置は、第４図に示すように、真空排気装置と連
結するエッチングチャンバ１と、このチャンバ１内に配
置されるとともに試料３を搭載する陰極と兼用の基板２
と、この陰極である基板２と対向する位置に配置された
陽極板４と、試料３に反応性ガス、ここでは、CCl4ガス
をエッチングチャンバ１内に導入するガス導入管６と、
図面には示していないが、陰極である基板２の陽極板４
との間に高周波電圧を印加する高周波電源とを備えてい
る。また、陽極板としては、第５図に示すように、円板
状の陽極板４に多数の小穴５が設けられている。
このエッチング装置にて、エッチングする場合は、ま
ず、真空排気装置でエッチングチャンバ１を１×10-6to
rr程度まで排気する。次に、下地であるFeとSiとAlを含
む合金にPRパターン８が形成された試料３が装着され、
陽極板４との間に高周波電圧を印加する。これと同時に
ガス導入管６より四塩化炭素ガスを導入し、プラズマを
発生し、エッチングを行なう。
ず、真空排気装置でエッチングチャンバ１を１×10-6to
rr程度まで排気する。次に、下地であるFeとSiとAlを含
む合金にPRパターン８が形成された試料３が装着され、
陽極板４との間に高周波電圧を印加する。これと同時に
ガス導入管６より四塩化炭素ガスを導入し、プラズマを
発生し、エッチングを行なう。
このときの条件は下記の通りである。
四塩化炭素流量……30.0 SCCM 四塩化炭素ガス圧力……4.5 Pa 高周波投入電力密度……0.43 W/cm2 エッチング温度……20 ℃ この結果が以下の結論が得られた。
1.エッチグレートとしてはアルゴンイオンビームによる
ミリングの場合と殆ど差がない。
ミリングの場合と殆ど差がない。
2.エチング後の試料表面に反応生成物の堆積がある。
上述した従来のFeとSiとAlを含む合金のエッチング技
術あるいはミリング技術においては、エッチングレート
及びミリングレートのいずれも150Å程度と小さく、例
えば、３μｍ厚さを取り去るのにいずれの技術でも、20
0minかかる。これでは製品のスループットは上らず、コ
スト高となる問題がある。
術あるいはミリング技術においては、エッチングレート
及びミリングレートのいずれも150Å程度と小さく、例
えば、３μｍ厚さを取り去るのにいずれの技術でも、20
0minかかる。これでは製品のスループットは上らず、コ
スト高となる問題がある。
また、エッチング装置で行なう場合は、レジソスト膜
とFeとSiとAlを含む合金とのエッチングレート比は約1:
2であり、十分とは言えなかった。このことは、例え
ば、３μｍ厚のFeとSiとAlを含む合金をエーッチング除
去するのには、1.5μｍ厚、実質的には、プロセス上の
マージンを加味して２μｍ以上の膜厚をもつレジスト膜
を必要とする。しかしながら、このような膜厚をもつ微
細なPRパターンを形成することは困難である。
とFeとSiとAlを含む合金とのエッチングレート比は約1:
2であり、十分とは言えなかった。このことは、例え
ば、３μｍ厚のFeとSiとAlを含む合金をエーッチング除
去するのには、1.5μｍ厚、実質的には、プロセス上の
マージンを加味して２μｍ以上の膜厚をもつレジスト膜
を必要とする。しかしながら、このような膜厚をもつ微
細なPRパターンを形成することは困難である。
さらに、このエッチング装置で行なった結果で示すよ
うに、反応生成物が付着し、加工後に腐食が進み、製品
の長期信頼性に問題が残る。
うに、反応生成物が付着し、加工後に腐食が進み、製品
の長期信頼性に問題が残る。
本発明の目的は、かかる問題を解消するエッチング装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
本発明の特徴は、難エッチング材料であるFe・Si・Al
合金の表面をプラズマエッチングする装置において、真
空排気装置と連結するエッチングチャンバに収納され前
記試料を保持するとともに陰極部を兼ねる基板と、この
基板と対向して配置され、光が通過する領域がメッシュ
状の複数の微細穴から成る陽極板と、この陽極板と前記
基板との間に高周波電圧を印加する電源部と、前記試料
の表面に塩素系ガスを含む反応性ガスを供給するガス導
入管部と、前記陽極側の前記エッチングチャンバの壁に
設けられ前記試料と対向する窓と、この窓と前記陽極板
を通過し前記試料の表面を200℃以上に加熱するととも
に前記反応性ガスの該試料に対する化学反応を励起させ
る赤外光線を放射する赤外線照射機構とを備えることを
特徴とするエッチング装置である。
合金の表面をプラズマエッチングする装置において、真
空排気装置と連結するエッチングチャンバに収納され前
記試料を保持するとともに陰極部を兼ねる基板と、この
基板と対向して配置され、光が通過する領域がメッシュ
状の複数の微細穴から成る陽極板と、この陽極板と前記
基板との間に高周波電圧を印加する電源部と、前記試料
の表面に塩素系ガスを含む反応性ガスを供給するガス導
入管部と、前記陽極側の前記エッチングチャンバの壁に
設けられ前記試料と対向する窓と、この窓と前記陽極板
を通過し前記試料の表面を200℃以上に加熱するととも
に前記反応性ガスの該試料に対する化学反応を励起させ
る赤外光線を放射する赤外線照射機構とを備えることを
特徴とするエッチング装置である。
上述した従来のエッチング技術の問題点の原因として
考えられることは、FeとSiとAlを含む合金の構成元素の
いずれかの塩化物が小さいため、塩素系ガスプラズマに
よるエッチングの生成物が試料より取り去られないから
である。
考えられることは、FeとSiとAlを含む合金の構成元素の
いずれかの塩化物が小さいため、塩素系ガスプラズマに
よるエッチングの生成物が試料より取り去られないから
である。
ここで、一般に蒸気圧Ｐは、ハンドブック・オブ・ケ
ミストリー・アンド・フィズィクス・フィフティーフォ
ース・エディション・シー・アール・シー・プレス（Ha
nd Book of P−hysics 54th Edition C・Ｒ・C Pres
s）、1973年、Ｄ−182ページに開示されているように、
以下の式で表わされる。
ミストリー・アンド・フィズィクス・フィフティーフォ
ース・エディション・シー・アール・シー・プレス（Ha
nd Book of P−hysics 54th Edition C・Ｒ・C Pres
s）、1973年、Ｄ−182ページに開示されているように、
以下の式で表わされる。
log（Ｐ）＝−0.2185a/T＋ｂ 第３図は、Fe、Si及びAlの塩化物の蒸気圧曲線を示す
図である。この図からわかるように、FeとSiとAlを含む
合金の主構成元素であるFeの塩化物の蒸気圧を常温では
充分でなく、エッチングが進行しないことがわかる。従
って、塩化物を生成するような状況下で昇温すれば、塩
化物が昇華することによりエッチングが飛躍的に進行す
ることが期待出来る。例えば、第３図によれば、190℃
以上の温度で、蒸気圧は1torrとなるので、十分エッチ
ング速度が得られると考えられる。
図である。この図からわかるように、FeとSiとAlを含む
合金の主構成元素であるFeの塩化物の蒸気圧を常温では
充分でなく、エッチングが進行しないことがわかる。従
って、塩化物を生成するような状況下で昇温すれば、塩
化物が昇華することによりエッチングが飛躍的に進行す
ることが期待出来る。例えば、第３図によれば、190℃
以上の温度で、蒸気圧は1torrとなるので、十分エッチ
ング速度が得られると考えられる。
ここで、一つの試みとして、エッチング装置の基板の
内部にヒータを組み込み、前述の条件でエッチングを行
なったところ、別の問題を生じた。その一つは、基板と
反応性ガスプラズマが反応し、基板が損傷を受けるとい
う問題と、もう一つは反応した基板の材料が試料に付着
し、製品に欠陥をもたらすという問題である。この原因
を追求して、以下の結論を得た。すなわち、基板全体を
加熱するのでなく、試料表面のみ加熱することである。
ここで、本発明は、エッチングチャンバ外に赤外線照射
機構を設け、試料表面のみ、例えば、190℃以上に昇温
することが可能になり、前述の問題点がすべて解決する
ことを確認した。
内部にヒータを組み込み、前述の条件でエッチングを行
なったところ、別の問題を生じた。その一つは、基板と
反応性ガスプラズマが反応し、基板が損傷を受けるとい
う問題と、もう一つは反応した基板の材料が試料に付着
し、製品に欠陥をもたらすという問題である。この原因
を追求して、以下の結論を得た。すなわち、基板全体を
加熱するのでなく、試料表面のみ加熱することである。
ここで、本発明は、エッチングチャンバ外に赤外線照射
機構を設け、試料表面のみ、例えば、190℃以上に昇温
することが可能になり、前述の問題点がすべて解決する
ことを確認した。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すエッチング装置の断
面図、第２図は第１図の陽極板を示す平面図である。こ
のエッチング装置は、第１図に示すように、エッチング
チャンバ外に試料３に赤外光線を照射する赤外線照射機
構５を設けたことである。また、陽極板4aを、第２図に
示すように、赤外光が通過する領域に、例えば、ステン
レス製のメッシュ板4bを張り付けたことである。それ以
外は従来例と同じである。
面図、第２図は第１図の陽極板を示す平面図である。こ
のエッチング装置は、第１図に示すように、エッチング
チャンバ外に試料３に赤外光線を照射する赤外線照射機
構５を設けたことである。また、陽極板4aを、第２図に
示すように、赤外光が通過する領域に、例えば、ステン
レス製のメッシュ板4bを張り付けたことである。それ以
外は従来例と同じである。
ここで、赤外線照射機構５は、種々考えられるが、例
えば、第１図に示すように、エッチングチャンバ１の壁
面に透明な窓７を設け、この外側に赤外線ランプ5aと反
射鏡10を配置したことである。また、陽極板4aについて
は、最初の試みでは、赤外光の通過領域と同等の大きさ
の穴を設けてみたが、反応性ガスプラズマの発生が均一
に安定して発生したかったため、この陽極板4aの赤外光
の通過領域のみ、小さい多数の穴の明いたステンレスメ
ッシュを用いたところ、プラズマも安定して均一に発生
出来るとともに均一な赤外光線のエネルギー密度が得ら
れた。
えば、第１図に示すように、エッチングチャンバ１の壁
面に透明な窓７を設け、この外側に赤外線ランプ5aと反
射鏡10を配置したことである。また、陽極板4aについて
は、最初の試みでは、赤外光の通過領域と同等の大きさ
の穴を設けてみたが、反応性ガスプラズマの発生が均一
に安定して発生したかったため、この陽極板4aの赤外光
の通過領域のみ、小さい多数の穴の明いたステンレスメ
ッシュを用いたところ、プラズマも安定して均一に発生
出来るとともに均一な赤外光線のエネルギー密度が得ら
れた。
また、図面には示さないが、第４図の従来のエッチン
グ装置のエッチングチャンバ１の斜め方向に透明な窓を
設け、この窓から集光された赤外光線が試料に照射する
ように反射鏡と赤外線ランプを設けても同様の効果が得
られたが、チャンバが大きくなり得策ではなかった。
グ装置のエッチングチャンバ１の斜め方向に透明な窓を
設け、この窓から集光された赤外光線が試料に照射する
ように反射鏡と赤外線ランプを設けても同様の効果が得
られたが、チャンバが大きくなり得策ではなかった。
このような装置を用いて、下記の条件でFe・Si・Al合
金の反応性エッチングを行なってみた。このときの条件
は下記の通りである。
金の反応性エッチングを行なってみた。このときの条件
は下記の通りである。
四塩化炭素流量……30.0 SCCM 四塩化炭素ガス圧力……4.5 Pa 高周波投入電力密度……0.43W/cm2 エッチング試料表面温度……200℃ ちなみに、試料３はFe・Si・Al合金９にPRパターンを
厚さ４μｍ、幅３から10μｍの長方形状のパターンの数
本とした。
厚さ４μｍ、幅３から10μｍの長方形状のパターンの数
本とした。
この条件でエッチングした結果、チャンバより試料３
を取り出し、PR膜を除去し、触針式粗さ計で、エッチン
グ量を測定したところ、エッチングレートは従来の２倍
の量である300Å/minが得られた。また、これと同時に
反応生成物の付着もほとんど認められなかった。
を取り出し、PR膜を除去し、触針式粗さ計で、エッチン
グ量を測定したところ、エッチングレートは従来の２倍
の量である300Å/minが得られた。また、これと同時に
反応生成物の付着もほとんど認められなかった。
なお、本実施例で用いたFeとSiとAlを含む合金の組
成、及びエッチング条件は、そのほんの一例であって、
それ以外の常温では、反応性ガスとの反応による生成物
の蒸気圧が低い材料、例えば、Fe、FeとＣを含む合金、
FeとSiを含む合金、CoとＸとＹを含むアモルファス合金
系（Ｘ＝Ta、Zr等:Y＝Mo、Nb等）、NiとZnから成るフェ
ライト、MnとZnから成るフェライト等の材料でも、本発
明のエッチング装置で高いエッチングレートが得られ
た。また、本実施例では、四塩化炭素ガスのみ用いて言
及したが、他の塩素系ガスを用いても差し支えない。さ
らに、塩素系ガスにアルゴン等の不活性ガスや、水素ガ
ス等の還元性ガスを混合したもでも良い。
成、及びエッチング条件は、そのほんの一例であって、
それ以外の常温では、反応性ガスとの反応による生成物
の蒸気圧が低い材料、例えば、Fe、FeとＣを含む合金、
FeとSiを含む合金、CoとＸとＹを含むアモルファス合金
系（Ｘ＝Ta、Zr等:Y＝Mo、Nb等）、NiとZnから成るフェ
ライト、MnとZnから成るフェライト等の材料でも、本発
明のエッチング装置で高いエッチングレートが得られ
た。また、本実施例では、四塩化炭素ガスのみ用いて言
及したが、他の塩素系ガスを用いても差し支えない。さ
らに、塩素系ガスにアルゴン等の不活性ガスや、水素ガ
ス等の還元性ガスを混合したもでも良い。
以上説明したように本発明は、試料のみを高温に加熱
するチャンバ外に赤外線照射機構を設けることによっ
て、反応生成物が付着することなく、FeとSiとAlを含む
合金等のエッチングし難い材料をより早くエッチング出
来るエッチング装置が得られるという効果がある。
するチャンバ外に赤外線照射機構を設けることによっ
て、反応生成物が付着することなく、FeとSiとAlを含む
合金等のエッチングし難い材料をより早くエッチング出
来るエッチング装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すエッチング装置の断面
図、第２図は第１図の陽極板を示す平面図、第３図は、
Fe、Si及びAlの塩化物の蒸気圧曲線を示す図、第４図は
従来の一例を示すエッチング装置の断面図、第５図は第
４図の陽極板を示す平面図である。 １、1a……エッチングチャンバ、２……基板、３……試
料、４、4a……陽極板、５……赤外線照射機構、5a……
赤外線ランプ、６……ガス導入管、７……窓、８……PR
パターン、９……FeとSiとAlを含む合金。
図、第２図は第１図の陽極板を示す平面図、第３図は、
Fe、Si及びAlの塩化物の蒸気圧曲線を示す図、第４図は
従来の一例を示すエッチング装置の断面図、第５図は第
４図の陽極板を示す平面図である。 １、1a……エッチングチャンバ、２……基板、３……試
料、４、4a……陽極板、５……赤外線照射機構、5a……
赤外線ランプ、６……ガス導入管、７……窓、８……PR
パターン、９……FeとSiとAlを含む合金。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23F 4/00 H01L 21/302 - 21/3065 G11B 5/00 - 5/39
Claims (3)
- 【請求項１】難エッチング材であるFeとSiとAlを含む合
金の表面をプラズマエッチングする装置において、真空
排気装置と連結するエッチングチャンバに収納され前記
試料を保持するとともに陰極部を兼ねる基板と、この基
板と対向して配置され、光を通過する陽極板と、この陽
極板と前記基板との間に高周波電圧を印加する電源部
と、前記試料の表面に塩素系ガスを含む反応性ガスを供
給するガス導入管部と、前記陽極側の前記エッチングチ
ャンバの壁に設けられ前記試料と対向する窓と、この窓
と前記陽極板を通過し前記試料の表面を200℃以上に加
熱するとともに前記反応性ガスの該試料に対する化学反
応を励起させる赤外光線を放射する赤外線照射機構とを
備えることを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項２】前記光を通過する陽極板のうち、赤外光線
が通過する領域がメッシュ状の複数の微細穴からなり、
その他の部分が小穴を配した板からなる請求項１記載の
エッチング装置。 - 【請求項３】難エッチング材料であるFeとSiとAlを含む
合金をプラズマエッチングする方法において、このエッ
チング材を200℃以上に加熱するとともに、塩素系ガス
を含む反応性ガスと、このエッチング材との化学反応を
励起させる赤外光線を照射することを特徴とするエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1293563A JP2792156B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | エッチング装置およびエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1293563A JP2792156B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | エッチング装置およびエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153884A JPH03153884A (ja) | 1991-07-01 |
| JP2792156B2 true JP2792156B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=17796368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1293563A Expired - Fee Related JP2792156B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | エッチング装置およびエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792156B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62163326A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63146440A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-06-18 | Hitachi Ltd | エツチング方法 |
| JPH0160531U (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | ||
| JPH01107128U (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1293563A patent/JP2792156B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03153884A (ja) | 1991-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4886681A (en) | Metal-polymer adhesion by low energy bombardment | |
| US5071670A (en) | Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means | |
| US3923568A (en) | Dry plasma process for etching noble metal | |
| US3879597A (en) | Plasma etching device and process | |
| EP0206145B1 (en) | A method of metallising an organic substrate so as to achieve improved adhesion of the metal | |
| JP2763172B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 | |
| Scheuer et al. | Electron beam decomposition of carbonyls on silicon | |
| US4496449A (en) | Electron beam etching of integrated circuit structures | |
| JP2757546B2 (ja) | Ｆｅを含む物質のエッチング方法およびエッチング装置 | |
| Kubena et al. | Selective area nucleation for metal chemical vapor deposition using focused ion beams | |
| JP2792156B2 (ja) | エッチング装置およびエッチング方法 | |
| JP3402837B2 (ja) | 磁性体薄膜の加工方法 | |
| JP3078853B2 (ja) | 酸化膜形成方法 | |
| JP3568164B2 (ja) | 磁性体薄膜の加工方法 | |
| JP2972506B2 (ja) | Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法 | |
| JPH07273086A (ja) | プラズマ処理装置及び該装置を用いたプラズマ処理方法 | |
| JPS63213664A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPH0397877A (ja) | Ｆｅ―Ｓｉ―Ａｌ合金のエッチング方法 | |
| JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
| JP2581151B2 (ja) | Ｅｃｒプラズマ源 | |
| JPH09202965A (ja) | 電子ビーム蒸着装置 | |
| Terakado et al. | Synchrotron radiation excited etching of SiC film using reactive species generated by a microwave discharge | |
| JPS60211849A (ja) | 導電膜パタ−ンの形成方法 | |
| Melynychuk et al. | Development of a thin film 9.17 MeV gamma ray production target for the contraband detection system | |
| JPS6042832A (ja) | イオンビ−ム装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |