JP2788889B2 - 半導体装置における分離形成方法 - Google Patents
半導体装置における分離形成方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造工程中の素子及びセル間の絶縁を目的とする分離形成
方法に関するもので、特に活性領域を増大させて素子の
高集積化を図ろうとする半導体装置における分離形成方
法である。
造工程中の素子及びセル間の絶縁を目的とする分離形成
方法に関するもので、特に活性領域を増大させて素子の
高集積化を図ろうとする半導体装置における分離形成方
法である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置において、一般に、素子分離
膜は、選択酸化工程であるＬＯＣＯＳ工程により形成さ
れているが、半導体素子の高集積化につれてＬＯＣＯＳ
工程に伴うバーズビーク形成のような問題点が素子の特
性を大きく左右することになる。
膜は、選択酸化工程であるＬＯＣＯＳ工程により形成さ
れているが、半導体素子の高集積化につれてＬＯＣＯＳ
工程に伴うバーズビーク形成のような問題点が素子の特
性を大きく左右することになる。
【０００３】図１３は、従来技術による素子分離膜が形
成された状態の半導体装置の断面図であり、ＬＯＣＯＳ
工程の変形のＰＢＬ（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ ｂｕｆ
ｆｅｒｅｄ ＬＯＣＯＳ）工程により形成された素子分
離膜を示すが、その形成方法を考察すると、次のとおり
である。
成された状態の半導体装置の断面図であり、ＬＯＣＯＳ
工程の変形のＰＢＬ（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ ｂｕｆ
ｆｅｒｅｄ ＬＯＣＯＳ）工程により形成された素子分
離膜を示すが、その形成方法を考察すると、次のとおり
である。
【０００４】まず、半導体基板１１の上に熱工程による
パッド酸化膜１２を形成し、パッド酸化膜１２の上に化
学蒸着法（ＣＶＤ）によりポリシリコン膜１３及び窒化
膜１４を順次に形成した状態で、マスク及びエッチング
工程により素子分離領域の窒化膜１４とポリシリコン膜
１３を除去した後、熱酸化工程で素子分離用フィールド
酸化膜１５を形成する。
パッド酸化膜１２を形成し、パッド酸化膜１２の上に化
学蒸着法（ＣＶＤ）によりポリシリコン膜１３及び窒化
膜１４を順次に形成した状態で、マスク及びエッチング
工程により素子分離領域の窒化膜１４とポリシリコン膜
１３を除去した後、熱酸化工程で素子分離用フィールド
酸化膜１５を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、素子分離膜用
フィールド酸化膜１５を形成するための熱酸化工程時
に、窒化膜１４の側壁の下部に沿って酸化膜が成長して
バーズビークが生じ、素子の実用上の活性領域を減少さ
せる問題点が発生することになり、結局素子の高集積化
に障害になっている。
フィールド酸化膜１５を形成するための熱酸化工程時
に、窒化膜１４の側壁の下部に沿って酸化膜が成長して
バーズビークが生じ、素子の実用上の活性領域を減少さ
せる問題点が発生することになり、結局素子の高集積化
に障害になっている。
【０００６】したがって、この発明は、活性領域を増大
させて素子の高集積化を図る半導体装置における分離形
成方法を提供することを、その目的とする。
させて素子の高集積化を図る半導体装置における分離形
成方法を提供することを、その目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明による半導体装置における分離形成方法
は、半導体基板上に素子分離領域として一部が開放され
て半導体基板を露出させる第一の絶縁膜パターンを形成
する段階と、上記第一の絶縁膜パターンの側壁及び上記
露出した半導体基板の上にスペーサ形態の遷移金属膜パ
ターンを形成する段階と、全体構造の上部に第二の絶縁
膜を形成する段階と、高温熱処理して上記遷移金属膜の
金属イオンを下方の半導体基板内へ拡散させる段階と、
上記遷移金属膜パターンが露出されるまで全体構造の上
部を化学的、機械的にポリシングする段階と、露出され
た上記遷移金属膜パターン及び上記金属イオンが拡散し
た半導体基板部分を除去してトレンチを形成する段階
と、上記トレンチ内を詰めながら全体構造の上に第三の
絶縁膜を形成する段階と、上記第三の絶縁膜及び素子分
離領域の上に感光膜パターンを形成する段階と、上記感
光膜パターンをエッチング障壁に使用して露出された第
三の絶縁膜をエッチングする段階と、上記感光膜パター
ン及び上記第一の絶縁膜を除去して半導体基板を露出さ
せる段階と、露出された半導体基板の上にエピタキシャ
ル膜を形成することにより活性領域を形成する段階とを
含んで構成するものである。
め、この発明による半導体装置における分離形成方法
は、半導体基板上に素子分離領域として一部が開放され
て半導体基板を露出させる第一の絶縁膜パターンを形成
する段階と、上記第一の絶縁膜パターンの側壁及び上記
露出した半導体基板の上にスペーサ形態の遷移金属膜パ
ターンを形成する段階と、全体構造の上部に第二の絶縁
膜を形成する段階と、高温熱処理して上記遷移金属膜の
金属イオンを下方の半導体基板内へ拡散させる段階と、
上記遷移金属膜パターンが露出されるまで全体構造の上
部を化学的、機械的にポリシングする段階と、露出され
た上記遷移金属膜パターン及び上記金属イオンが拡散し
た半導体基板部分を除去してトレンチを形成する段階
と、上記トレンチ内を詰めながら全体構造の上に第三の
絶縁膜を形成する段階と、上記第三の絶縁膜及び素子分
離領域の上に感光膜パターンを形成する段階と、上記感
光膜パターンをエッチング障壁に使用して露出された第
三の絶縁膜をエッチングする段階と、上記感光膜パター
ン及び上記第一の絶縁膜を除去して半導体基板を露出さ
せる段階と、露出された半導体基板の上にエピタキシャ
ル膜を形成することにより活性領域を形成する段階とを
含んで構成するものである。
【０００８】また、この発明は、半導体基板上に所定部
位が開放されて半導体基板が露出した第一の絶縁膜パタ
ーンを形成する段階と、上記第一の絶縁膜の側壁にスペ
ーサ形態の遷移金属膜パターンを形成する段階と、全体
構造の上部に第二の絶縁膜を形成する段階と、高温熱処
理して上記遷移金属膜の金属イオンを下方の半導体基板
内へ拡散させる段階と、上記遷移金属膜パターンが露出
されるまで全体構造の上部を機械的にポリシングする段
階と、露出された上記遷移金属膜パターン及び上記金属
イオンが拡散した半導体基板部分を除去してトレンチを
形成する段階と、全体構造の上に第三の絶縁膜を形成す
る段階と、上記第一の絶縁膜及び上記第二の絶縁膜の上
部表面の全体が露出されるまで全体構造の上部を化学
的、機械的にポリシングする段階と、上記第一の絶縁膜
及び上記第二の絶絶縁膜を除去して活性領域の半導体基
板を露出させる段階と、露出された半導体基板の上にエ
ピタキシャル膜を形成することにより活性領域を形成す
る段階とを含んで成ることを特徴とする。
位が開放されて半導体基板が露出した第一の絶縁膜パタ
ーンを形成する段階と、上記第一の絶縁膜の側壁にスペ
ーサ形態の遷移金属膜パターンを形成する段階と、全体
構造の上部に第二の絶縁膜を形成する段階と、高温熱処
理して上記遷移金属膜の金属イオンを下方の半導体基板
内へ拡散させる段階と、上記遷移金属膜パターンが露出
されるまで全体構造の上部を機械的にポリシングする段
階と、露出された上記遷移金属膜パターン及び上記金属
イオンが拡散した半導体基板部分を除去してトレンチを
形成する段階と、全体構造の上に第三の絶縁膜を形成す
る段階と、上記第一の絶縁膜及び上記第二の絶縁膜の上
部表面の全体が露出されるまで全体構造の上部を化学
的、機械的にポリシングする段階と、上記第一の絶縁膜
及び上記第二の絶絶縁膜を除去して活性領域の半導体基
板を露出させる段階と、露出された半導体基板の上にエ
ピタキシャル膜を形成することにより活性領域を形成す
る段階とを含んで成ることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面の図１〜６およ
び図７〜１２を参照しながら、この発明の実態様を詳細
に説明する。
び図７〜１２を参照しながら、この発明の実態様を詳細
に説明する。
【００１０】図１〜図６は、この発明の一実施態様にお
ける素子分離工程を示す半導体装置の断面図である。
ける素子分離工程を示す半導体装置の断面図である。
【００１１】まず、図１に示すように、シリコン基板２
１の上に１０〜３０ナノメートル厚のパッド酸化膜２２
と１００〜１３０ナノメートル厚の窒化膜２３を積層
し、マスクおよびエッチングの工程として窒化膜２３と
パッド酸化膜２２を選択的にエッチングして素子分離領
域のシリコン基板２１を露出させた後、その全体構造の
上にＷ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ等のような遷移金属膜
２４を１００ナノメートル程度の厚さに形成する。
１の上に１０〜３０ナノメートル厚のパッド酸化膜２２
と１００〜１３０ナノメートル厚の窒化膜２３を積層
し、マスクおよびエッチングの工程として窒化膜２３と
パッド酸化膜２２を選択的にエッチングして素子分離領
域のシリコン基板２１を露出させた後、その全体構造の
上にＷ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ等のような遷移金属膜
２４を１００ナノメートル程度の厚さに形成する。
【００１２】次いで、図２のように、異方性全面エッチ
ングで遷移金属膜２４をエッチングして、窒化膜２３の
側壁に遷移金属膜スペーサ２４’を形成した後、約１０
０〜１５０ナノメートルの窒化膜２５を蒸着した状態
で、９００〜１０００℃程度の高温で熱処理し、上記遷
移金属膜２４の金属原子がシリコン基板２１の内部に拡
散してシリサイド膜２６が形成されるようにする。 続
けて、図３のように遷移金属スペーサ２４’が露出され
るまで化学的、機械的のポリシングにより全体構造の上
部を削った後、ＨＮＯ3＋ＨＦの混合液で遷移金属膜ス
ペーサ２４’およびシリサイド膜２６を除去した後、１
０〜５０ｋｅＶ、１×１０12〜１×１０18原子／ｃｍ2
の条件でＢＦ2イオンをイオン注入するチャネルストッ
プのイオン注入工程を実施する。なお、工程によって
は、このチャネルストップイオン注入工程を省略するこ
とができる。
ングで遷移金属膜２４をエッチングして、窒化膜２３の
側壁に遷移金属膜スペーサ２４’を形成した後、約１０
０〜１５０ナノメートルの窒化膜２５を蒸着した状態
で、９００〜１０００℃程度の高温で熱処理し、上記遷
移金属膜２４の金属原子がシリコン基板２１の内部に拡
散してシリサイド膜２６が形成されるようにする。 続
けて、図３のように遷移金属スペーサ２４’が露出され
るまで化学的、機械的のポリシングにより全体構造の上
部を削った後、ＨＮＯ3＋ＨＦの混合液で遷移金属膜ス
ペーサ２４’およびシリサイド膜２６を除去した後、１
０〜５０ｋｅＶ、１×１０12〜１×１０18原子／ｃｍ2
の条件でＢＦ2イオンをイオン注入するチャネルストッ
プのイオン注入工程を実施する。なお、工程によって
は、このチャネルストップイオン注入工程を省略するこ
とができる。
【００１３】図４のように、全体構造の上に１００〜２
００ナノメートルのＴＥＯＳ酸化膜２７を形成した後、
マスク工程を通じて素子分離膜が形成される部位に感光
膜パターン２８を形成するが、このとき形成される感光
膜パターン２８は、図１で素子分離領域を露出させるた
めのマスク工程時の感光膜パターンとは正反対のパター
ンである。
００ナノメートルのＴＥＯＳ酸化膜２７を形成した後、
マスク工程を通じて素子分離膜が形成される部位に感光
膜パターン２８を形成するが、このとき形成される感光
膜パターン２８は、図１で素子分離領域を露出させるた
めのマスク工程時の感光膜パターンとは正反対のパター
ンである。
【００１４】つぎに、図５のように、上記感光膜パター
ン２８をエッチング障壁として上記ＴＥＯＳ酸化膜２７
を湿式エッチングして、感光膜パターン２８を除去す
る。最後に、図おのように、１６０℃以上の燐酸溶液で
パッド酸化膜２２の上の窒化膜２３を除去して、異方性
エッチングでパッド酸化膜２２を除去した後、露出され
た活性領域部位のシリコン基板２１の上にエピタキシャ
ルシリコン膜２９を形成する。上記図６において、ＴＥ
ＯＳ酸化膜２７に囲まれた窒化膜２５と、ＴＥＯＳ酸化
膜２７が素子分離膜の役割をする。
ン２８をエッチング障壁として上記ＴＥＯＳ酸化膜２７
を湿式エッチングして、感光膜パターン２８を除去す
る。最後に、図おのように、１６０℃以上の燐酸溶液で
パッド酸化膜２２の上の窒化膜２３を除去して、異方性
エッチングでパッド酸化膜２２を除去した後、露出され
た活性領域部位のシリコン基板２１の上にエピタキシャ
ルシリコン膜２９を形成する。上記図６において、ＴＥ
ＯＳ酸化膜２７に囲まれた窒化膜２５と、ＴＥＯＳ酸化
膜２７が素子分離膜の役割をする。
【００１５】上述のように、この発明の一実施態様によ
る半導体装置における素子分離方法は、遷移金属膜の拡
散特性を利用して酸化膜および窒化膜の積層構造をなす
素子分離膜を形成することにより、バーズビークの発生
を根本的に防止することは勿論、窒化膜を素子分離膜と
することにより絶縁の効果を高めることができる。
る半導体装置における素子分離方法は、遷移金属膜の拡
散特性を利用して酸化膜および窒化膜の積層構造をなす
素子分離膜を形成することにより、バーズビークの発生
を根本的に防止することは勿論、窒化膜を素子分離膜と
することにより絶縁の効果を高めることができる。
【００１６】図７〜１２は、この発明の別の実施態様に
よる素子分離膜工程を示す半導体装置の断面図である。
まず、最初に、図７に示すように、シリコン基板２１の
上にパッド酸化膜２２、窒化膜２３を積層して、マスク
およびエッチング工程により窒化膜２３とパッド酸化膜
２２を選択エッチングして、所定部位のシリコン基板２
１を露出させた後、全体構造の上にＷ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｎｂ等のような遷移金属膜２４を１００ナノメート
ル程度の厚さに形成する。
よる素子分離膜工程を示す半導体装置の断面図である。
まず、最初に、図７に示すように、シリコン基板２１の
上にパッド酸化膜２２、窒化膜２３を積層して、マスク
およびエッチング工程により窒化膜２３とパッド酸化膜
２２を選択エッチングして、所定部位のシリコン基板２
１を露出させた後、全体構造の上にＷ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｎｂ等のような遷移金属膜２４を１００ナノメート
ル程度の厚さに形成する。
【００１７】ここで、図７は、上述の実施態様の図１と
その工程は同一であるが、マスクおよびエッチング工程
で窒化膜２３とパッド酸化膜２２が選択エッチングされ
た部位が、後で素子分離領域になるのではないことを留
意すべきである。すなわち、以後の説明で明確に分かる
が、この部位は活性領域を包含している。
その工程は同一であるが、マスクおよびエッチング工程
で窒化膜２３とパッド酸化膜２２が選択エッチングされ
た部位が、後で素子分離領域になるのではないことを留
意すべきである。すなわち、以後の説明で明確に分かる
が、この部位は活性領域を包含している。
【００１８】次いで、図８のように、異方性全面エッチ
ングで遷移金属膜２４をエッチングして窒化膜２３の側
壁に遷移金属膜スペーサ２４’を形成した後、窒化膜２
５を蒸着した状態で、９００〜１０００℃程度の高温で
熱処理して、上記遷移金属膜２４の金属原子がシリコン
基板２１の内部に拡散されてシリサイド膜２６が形成さ
れるようにする。
ングで遷移金属膜２４をエッチングして窒化膜２３の側
壁に遷移金属膜スペーサ２４’を形成した後、窒化膜２
５を蒸着した状態で、９００〜１０００℃程度の高温で
熱処理して、上記遷移金属膜２４の金属原子がシリコン
基板２１の内部に拡散されてシリサイド膜２６が形成さ
れるようにする。
【００１９】次いで、図９のように、遷移金属膜スペー
サ２４’が露出されるまで化学的、機械的のポリシング
で全体構造の上部を削った後、ＨＮＯ3＋ＨＦの混合液
で遷移金属膜スペーサ２４’およびシリサイド膜２６を
除去した後に、１０〜５０ｋｅＶ、１×１０12〜１×１
０18原子／ｃｍ2の条件でＢＦ2イオン注入するチャネル
ストップイオン注入工程を実施する。
サ２４’が露出されるまで化学的、機械的のポリシング
で全体構造の上部を削った後、ＨＮＯ3＋ＨＦの混合液
で遷移金属膜スペーサ２４’およびシリサイド膜２６を
除去した後に、１０〜５０ｋｅＶ、１×１０12〜１×１
０18原子／ｃｍ2の条件でＢＦ2イオン注入するチャネル
ストップイオン注入工程を実施する。
【００２０】この場合、工程によっては、チャネルスト
ップイオン注入工程は省略できる。
ップイオン注入工程は省略できる。
【００２１】継続して、図１０のように、全体構造の上
にＴＥＯＳ酸化膜３７を形成した後、図１１のように、
基板の全体構造の上部を化学的、機械的ポリシングで平
坦化した状態として、窒化膜３３（図１０までは２３と
して説明した部分）および３５（図１０までは２５とし
て説明した部分）の上部表面の全体が露出されるまでポ
リシングする。
にＴＥＯＳ酸化膜３７を形成した後、図１１のように、
基板の全体構造の上部を化学的、機械的ポリシングで平
坦化した状態として、窒化膜３３（図１０までは２３と
して説明した部分）および３５（図１０までは２５とし
て説明した部分）の上部表面の全体が露出されるまでポ
リシングする。
【００２２】次いで、図１２は、露出された窒化膜３
３、３５を１６０℃以上の燐酸溶液で除去して、さらに
パッド酸化膜２２を除去した後、露出されたシリコン基
板２１の上部にエピタキシャルシリコン膜３９を形成し
た状態として、ＴＥＯＳ酸化膜３７が素子分離膜の役割
をする。
３、３５を１６０℃以上の燐酸溶液で除去して、さらに
パッド酸化膜２２を除去した後、露出されたシリコン基
板２１の上部にエピタキシャルシリコン膜３９を形成し
た状態として、ＴＥＯＳ酸化膜３７が素子分離膜の役割
をする。
【００２３】上述のように、この発明の後者の実施態様
による素子分離方法は、バーズビークの発生を根本的に
防止することができることは勿論、遷移金属膜スペーサ
の幅ほどの大きさを持つ微細な大きさの素子分離膜を形
成できる。
による素子分離方法は、バーズビークの発生を根本的に
防止することができることは勿論、遷移金属膜スペーサ
の幅ほどの大きさを持つ微細な大きさの素子分離膜を形
成できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、遷移
金属膜の半導体基板内への拡散現象を利用して熱酸化工
程でない蒸着工程により形成された絶縁膜に素子分離用
絶縁膜を形成することで、バーズビークの発生を根本的
に防止し、または、微細な幅に素子分離膜を形成するこ
とにより素子の高集積化を図る効果をもたらす。
金属膜の半導体基板内への拡散現象を利用して熱酸化工
程でない蒸着工程により形成された絶縁膜に素子分離用
絶縁膜を形成することで、バーズビークの発生を根本的
に防止し、または、微細な幅に素子分離膜を形成するこ
とにより素子の高集積化を図る効果をもたらす。
【図１】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図２】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図３】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図４】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図５】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図６】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図７】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図８】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図９】 この発明による分離形成工程の順次の段階に
おける半導体の断面図である。
おける半導体の断面図である。
【図１０】 この発明による分離形成工程の順次の段階
における半導体の断面図である。
における半導体の断面図である。
【図１１】 この発明による分離形成工程の順次の段階
における半導体の断面図である。
における半導体の断面図である。
【図１２】 この発明による分離形成工程の順次の段階
における半導体の断面図である。
における半導体の断面図である。
【図１３】 従来の製造工程における半導体の断面図で
ある。
ある。
２１…半導体基板、２２…パッド酸化膜、２３…窒化
膜、２４…遷移金属膜、２４’…遷移金属膜スペーサ、
２５、３５…窒化膜、２６…シリサイド、２７、３７…
ＴＥＯＳ酸化膜、２８…感光膜パターン、２９、３９…
エピタキシャルシリコン膜。
膜、２４…遷移金属膜、２４’…遷移金属膜スペーサ、
２５、３５…窒化膜、２６…シリサイド、２７、３７…
ＴＥＯＳ酸化膜、２８…感光膜パターン、２９、３９…
エピタキシャルシリコン膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/76 H01L 21/31
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体装置における分離形成方法であっ
て、 半導体基板上に素子分離領域として一部が開放されて半
導体基板を露出させる第一の絶縁膜パターンを形成する
段階と、 上記第一の絶縁膜パターンの側壁及び上記露出した半導
体基板の上にスペーサ形態の遷移金属膜パターンを形成
する段階と、 全体構造の上部に第二の絶縁膜を形成する段階と、 高温熱処理して上記遷移金属膜の金属イオンを下方の半
導体基板内へ拡散させる段階と、 上記遷移金属膜パターンが露出されるまで全体構造の上
部を化学的、機械的にポリシングする段階と、 露出された上記遷移金属膜パターン及び上記金属イオン
が拡散した半導体基板部分を除去してトレンチを形成す
る段階と、 上記トレンチ内を詰めながら全体構造の上に第三の絶縁
膜を形成する段階と、 上記第三の絶縁膜及び素子分離領域の上に感光膜パター
ンを形成する段階と、 上記感光膜パターンをエッチング障壁に使用して露出さ
れた第三の絶縁膜をエッチングする段階と、 上記感光膜パターン及び上記第一の絶縁膜を除去して半
導体基板を露出させる段階と、 露出された半導体基板の上にエピタキシャル膜を形成す
ることにより活性領域を形成する段階とを含んで成る方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置における分
離形成方法であって、 上記の、露出された遷移金属膜パターン及び金属イオン
が拡散した半導体基板部分を除去してトレンチを形成す
る段階と、トレンチ内を詰めながら全体構造の上に第三
の絶縁膜を形成する段階との間に、 さらに、チャネルストップイオン注入を実施する段階を
含んで成ることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置における分
離形成方法であって、 上記第一の絶縁膜は、上記半導体基板の上にパッド用酸
化膜及び窒化膜が順次に積層された構造の膜であること
を特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の半導体装置における分
離形成方法であって、 上記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とす
る方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置における分
離形成方法であって、 上記金属イオンが拡散した半導体基板部分は、シリサイ
ド膜であることを特徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載の半導体装置における分
離形成方法であって、 上記第二の絶縁膜は、窒化膜であることを特徴とする方
法。 - 【請求項７】 請求項１に記載の半導体装置における分
離形成方法であって、 上記第三の絶縁膜は、ＴＥＯＳ酸化膜であることを特徴
とする方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載の半導体装置における分
離形成方法であって、 上記遷移金属膜は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、及びＮｂの
中のいずれか一つであることを特徴とする方法。 - 【請求項９】 半導体装置における分離形成方法であっ
て、 半導体基板上に所定部位が開放されて半導体基板が露出
した第一の絶縁膜パターンを形成する段階と、 上記第一の絶縁膜の側壁にスペーサ形態の遷移金属膜パ
ターンを形成する段階と、 全体構造の上部に第二の絶縁膜を形成する段階と、 高温熱処理して上記遷移金属膜の金属イオンを下方の半
導体基板内へ拡散させる段階と、 上記遷移金属膜パターンが露出されるまで全体構造の上
部を機械的にポリシングする段階と、 露出された上記遷移金属膜パターン及び上記金属イオン
が拡散した半導体基板部分を除去してトレンチを形成す
る段階と、 全体構造の上に第三の絶縁膜を形成する段階と、 上記第一の絶縁膜及び上記第二の絶縁膜の上部表面の全
体が露出されるまで全体構造の上部を化学的、機械的に
ポリシングする段階と、 上記第一の絶縁膜及び上記第二の絶絶縁膜を除去して活
性領域の半導体基板を露出させる段階と、 露出された半導体基板の上にエピタキシャル膜を形成す
ることにより活性領域を形成する段階とを含んで成る方
法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の半導体装置における
分離形成方法であって、 上記の、露出された遷移金属膜パターン及び金属イオン
が拡散した半導体基板部分を除去する段階と、全体構造
の上に第三の絶縁膜を形成する段階との間に、 さらに、チャネルストップイオン注入を実施する段階を
含んで成ることを特徴とする方法。 - 【請求項１１】 請求項９に記載の半導体装置における
分離形成方法であって、 上記第一の絶縁膜は、パッド用酸化膜及び窒化膜が順次
に積層された構造の膜であることを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 請求項９に記載の半導体装置における
分離形成方法であって、 上記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とす
る方法。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の半導体装置におけ
る分離形成方法であって、 上記金属イオンが拡散した半導体基板部分は、シリサイ
ド膜であることを特徴とする方法。 - 【請求項１４】 請求項９に記載の半導体装置における
分離形成方法であって、 上記第二の絶縁膜は、窒化膜であることを特徴とする方
法。 - 【請求項１５】 請求項９に記載の半導体装置における
分離形成方法であって、 上記第三の絶縁膜は、ＴＥＯＳ酸化膜であることを特徴
とする方法。 - 【請求項１６】 請求項９に記載の半導体装置における
分離形成方法であって、 上記遷移金属膜は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、及びＮｂの
中のいずれか一つであることを特徴とする方法。
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| US6686283B1 (en) * | 1999-02-05 | 2004-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Shallow trench isolation planarization using self aligned isotropic etch |
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| CN110223916B (zh) * | 2019-05-06 | 2022-03-08 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 一种硅晶片的加工方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5893220A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Toshiba Corp | 半導体単結晶膜の製造方法 |
| JPH01321629A (ja) * | 1988-06-23 | 1989-12-27 | Nec Corp | 薄膜形成方法 |
| US5256591A (en) * | 1991-01-07 | 1993-10-26 | Gold Star Electron Co., Ltd. | Method for forming isolation region in semiconductor device using trench |
-
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- 1995-02-24 KR KR1019950003727A patent/KR100190367B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-02-22 US US08/605,691 patent/US5668043A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-24 CN CN96101498A patent/CN1048821C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-24 TW TW085102096A patent/TW301022B/zh active
- 1996-02-26 JP JP8038523A patent/JP2788889B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US5668043A (en) | 1997-09-16 |
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| TW301022B (ja) | 1997-03-21 |
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