JP2774761B2 - 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 - Google Patents
高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法Info
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 69
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 56
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 51
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000013001 point bending Methods 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 and borides of r Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- VQYHBXLHGKQYOY-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Ti+4] VQYHBXLHGKQYOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007721 mold pressing method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000009628 steelmaking Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
結体およびその製造方法に係り、特に窒化けい素本来の
高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れてお
り、半導体用基板や各種放熱板として好適な高熱伝導性
窒化けい素焼結体およびその製造方法に関する。
焼結体は、1000℃以上の高温度環境下でも優れた耐
熱性を有し、かつ低熱膨張係数のため耐熱衝撃性も優れ
ている等の諸特性を持つことから、従来の耐熱性超合金
に代わる高温構造材料としてガスタービン用部品、エン
ジン用部品、製鋼用機械部品等の各種高強度耐熱部品へ
の応用が試みられている。また、金属に対する耐食性が
優れていることから溶融金属の耐溶材料としての応用も
試みられ、さらに耐摩耗性も優れていることから、軸受
等の摺動部材、切削工具への実用化も図られている。
焼結組成としては窒化けい素−酸化イットリウム−酸化
アルミニウム系、窒化けい素−酸化イットリウム−酸化
アルミニウム−窒化アルミニウム系、窒化けい素−酸化
イットリウム−酸化アルミニウム−チタニウム、マグネ
シウムまたはジルコニウムの酸化物系等が知られてい
る。
(Y2 O3 )などの希土類元素の酸化物は、従来から焼
結助剤として一般に使用されており、焼結性を高めて焼
結体を緻密化し高強度化をするために添加されている。
末に上記のような焼結助剤を添加物として加えて成形
し、得られた成形体を1600〜1850℃程度の高温
度の焼成炉で所定時間焼成した後に炉冷する製法で量産
されている。
来方法によって製造された窒化けい素焼結体では、靭性
値などの機能的強度は優れているものの、熱伝導特性の
点では、他の窒化アルミニウム(AlN)焼結体、酸化
ベリリウム(BeO)焼結体や炭化けい素(SiC)焼結
体などと比較して著しく低いため、特に放熱性を要求さ
れる半導体用基板などの電子用材料としては実用化され
ておらず、用途範囲が狭い難点があった。
ラミックス焼結体と比較して高い熱伝導率と低熱膨張係
数の特長を有するため、高速化、高出力化、多機能化、
大型化を展開する半導体チップの回路基板材料やパッケ
ージ材料として普及しているが、機械的強度の点で充分
に満足できるものは得られていない。そこで高強度を有
するとともに高い熱伝導率も併せ持ったセラミックス焼
結体の開発が要請されている。
ためになされたものであり、窒化けい素焼結体が本来備
える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れ
た窒化けい素焼結体およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
的を達成するため、従来の窒化けい素焼結体を製造する
際に、一般的に使用されていた窒化けい素粉末の種類、
焼結助剤や添加物の種類および添加量、焼結条件等を種
々変えて、それらの要素が最終製品としての焼結体の特
性に及ぼす影響を実験により確認した。
素粉末に希土類元素と、Ti,Zr,Hf,V,Nb,
Ta,Cr,Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、けい
化物、硼化物から選択される少なくとも1種と、必要に
応じてアルミナおよび窒化アルミニウムの少なくとも一
方とを所定量ずつ添加した原料混合体を成形脱脂し、得
られた成形体を所定温度で一定時間加熱保持して緻密化
焼結を実施した後、所定の冷却速度で徐冷したときに熱
伝導率が大きく向上し、かつ高強度を有する窒化けい素
焼結体が得られることが判明した。
源をOFFとして焼結体を炉冷していた場合には、冷却
速度が毎時400〜800℃と急速であったが、本発明
者の実験によれば、特に冷却速度を毎時100℃以下に
緩速に制御することにより、窒化けい素焼結体組織の粒
界相が非結晶質状態から結晶相を含む相に変化し、高強
度特性と高伝熱特性とが同時に達成されることが判明し
た。
のである。すなわち本発明に係る高熱伝導性窒化けい素
焼結体は、希土類元素を酸化物に換算して2.0〜7.
5重量%、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,
Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、けい化物、硼化物
からなる群より選択される少なくとも一方を0.2〜
3.0重量%、必要に応じてアルミナおよび窒化アルミ
ニウムの少なくとも1種を0.1〜2.0重量%、その
他不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,
Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを0.3重量%以下
含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成ることを特
徴とする。
相全体に対する面積比が20%以上に設定するとよい。
焼結体の製造方法は、酸素を1.7重量%以下、不純物
陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,M
g,Sr,Ba,Mn,Bを0.3重量%以下、α相型
窒化けい素を90重量%以上含有し、平均粒径0.8μ
m以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算
して2.0〜7.5重量%と、Ti,Zr,Hf,V,N
b,Ta,Cr,Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、
けい化物、硼化物からなる群より選択される少なくとも
1種を0.2〜3.0重量%、必要に応じてアルミナお
よび窒化アルミニウムの少なくとも一方を0.1〜2.
0重量%添加した原料混合体を成形して成形体を調製
し、得られた成形体を脱脂後、温度1800〜2000
℃で雰囲気加圧焼結し、上記焼結温度から、上記希土類
元素により焼結時に形成された液相が凝固する温度まで
に至る焼結体の冷却速度を毎時100℃以下に設定した
ことを特徴とする。
織中に希土類元素等を含む粒界相が形成され、気孔率が
1.5%以下、熱伝導率が60W/m・K以上、三点曲
げ強度が室温で80kg/mm2 以上の機械的特性および熱
伝導特性が共に優れた窒化けい素焼結体が得られる。
成分となる窒化けい素粉末としては、焼結性、強度およ
び熱伝導率を考慮して、酸素含有量が1.7重量%以
下、好ましくは0.5〜1.5重量%、不純物陽イオン
元素としてのLi,Na,K,Fe,Mg,Ca,S
r,Ba,Mn,Bの含有量が合計で0.3重量%以
下、好ましくは0.2重量%以下に抑制され、焼結性が
優れたα相型窒化けい素を90重量%以上、好ましくは
93重量%以上含有し、平均粒径が0.8μm以下、好
ましくは0.4〜0.6μm程度の微細な窒化けい素粉
末を使用する。
末を使用することにより、少量の焼結助剤であっても気
孔率が1.5%以下の緻密な焼結体を形成することが可
能であり、また焼結助剤が熱伝導特性を阻害するおそれ
も減少する。またLi,Na,K,Fe,Mg,Ca,
Sr,Ba,Mn,Bなどの不純物陽イオン元素も熱伝
導性を阻害する物質となるため、60W/m・K以上の
熱伝導率を確保するためには、上記不純物陽イオン元素
の合計含有量は0.3重量%以下に設定される。特にβ
相型と比較して焼結性に優れたα相型窒化けい素を90
重量%以上含有する窒化けい素原料粉末を使用すること
により、高密度の焼結体を製造することができる。
添加する希土類元素としてはY,La,Sc,Pr,C
e,Nd,Dy,Ho,Gdなどの酸化物もしくは焼結
操作により、これらの酸化物となる物質が単独で、また
は2種以上の酸化物を組み合せたものを含んでもよい
が、特に酸化イットリウム(Y2 O3 )が好ましい。こ
れらの焼結助剤は、窒化けい素原料粉末と反応して液相
を生成し、焼結促進剤として機能する。
料粉末に対して2.0〜7.5重量%の範囲に設定され
る。この添加量が2.0重量%未満と過少の場合は、焼
結体が緻密化されず低強度で低熱伝導率の焼結体が形成
される。一方、添加量が7.5重量%を超える過量とな
ると、過量の粒界相が生成し、熱伝導率の低下や強度が
低下し始めるので上記範囲に設定される。特に好ましく
は3〜6重量%に設定することが望ましい。
用するTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,M
o,Wの酸化物,炭化物、窒化物、けい化物、硼化物
は、上記希土類元素の焼結促進剤の機能を促進すると共
に、結晶組織において分散強化の機能を果しSi3 N4
焼結体の機械的強度を向上させるものである。これらの
化合物の添加量が0.2重量%未満の場合においては焼
結体の緻密化が不充分である一方、3.0重量%を超え
る過量となる場合には熱伝導率および機械的強度や電気
絶縁破壊強度の低下が起こるため、添加量は0.2〜
3.0重量%の範囲に設定される。特に好ましくは0.
3〜2重量%に設定することが望ましい。
化けい素焼結体を着色し不透明性を付与する遮光剤とし
ても機能する。そのため、特に光によって誤動作を生じ
易い集積回路等を搭載する回路基板を製造する場合に
は、上記Ti等の化合物を適正に添加し、遮光性に優れ
た窒化けい素基板とすることが望ましい。
されるアルミナ(Al2 O3 )は、上記の焼結促進剤の
機能をさらに助長する役目を果すものであり、特に加圧
焼結を行なう場合に著しい効果を発揮するものである。
おける窒化けい素の蒸発などを抑制する一方、上記焼結
促進剤の機能をさらに助長し、アルミナと同様に上記T
i,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,Wなど
の酸化物の添加量を相対的に軽減する役目を果す。これ
らアルミナや窒化アルミニウムなどのアルミニウム化合
物の添加量はTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,C
r,Mo,Wの酸化物などの添加量と密接な関係があ
る。すなわち上記Ti化合物等の添加量が0.2重量%
未満であり、かつAl2 O3 およびAlN等のアルミニ
ウム化合物が単独または併用して添加され、その添加量
が0.1重量%未満の場合においては緻密化が不充分で
ある一方、アルミニウム化合物の添加量が2.0重量%
を超える過量となる場合には過量の粒界相を生成した
り、または窒化けい素に固溶し始め、熱伝導の低下が起
こるため、添加量は0.1〜2.0重量%の範囲に設定
される。特に強度、熱伝導率共に良好な性能を確保する
ためには添加量を0.2〜1.5重量%の範囲に設定す
ることが望ましい。
に大きく影響するため1.5%以下に設定される。気孔
率が1.5%を超えると熱伝導の妨げとなり、焼結体の
熱伝導率が低下するとともに、焼結体の強度低下が起こ
る。
界相は焼結体の熱伝導率に大きく影響するため、本発明
に係る焼結体においては粒界相の20%以上が結晶相で
占めるように設定される。結晶相が20%未満では熱伝
導率が60W/m・K以上となるような放熱特性に優
れ、かつ高温強度に優れた焼結体が得られないからであ
る。
孔率を1.5%以下にし、また窒化けい素結晶組織に形
成される粒界相の20%以上が結晶相で占めるようにす
るためには、窒化けい素成形体を温度1800〜200
0℃で0.5〜10時間程度、加圧焼結し、かつ焼結操
作完了直後における焼結体の冷却速度を毎時100℃以
下に調整制御することが必要である。
には、焼結体の緻密化が不充分で気孔率が1.5vol%以
上になり機械的強度および熱伝導性が共に低下してしま
う。一方焼結温度が2000℃を超えると窒化けい素成
分自体が蒸発分解し易くなる。特に加圧焼結ではなく、
常圧焼結を実施した場合には、1800℃付近より窒化
けい素の分解蒸発が始まる。
却速度は粒界相を結晶化させるために重要な制御因子で
あり、冷却速度が毎時100℃を超えるような急速冷却
を実施した場合には、焼結体組織の粒界相が非結晶質
(ガラス相)となり、焼結体に生成した液相が結晶相と
して粒界相に占める面積割合が20%未満となり、強度
および熱伝導性が共に低下してしまう。
は、所定の焼結温度(1800〜2000℃)から、前
記の焼結助剤の反応によって生成する液相が凝固するま
での温度範囲で充分である。ちなみに前記のような焼結
助剤を使用した場合の液相凝固点は概略1600〜15
00℃程度である。そして少なくとも焼結温度から上記
液相凝固温度に至るまでの焼結体の冷却速度を毎時10
0℃以下、好ましくは50℃以下,さらに好ましくは2
5℃以下に制御することにより、粒界相の大部分が結晶
相になり、熱伝導率および機械的強度が共に優れた焼結
体が得られる。
以下のようなプロセスを経て製造される。すなわち前記
所定の粒径、および不純物含有量の微細な窒化けい素粉
末に対して所定量の焼結助剤、有機バインダ等の必要な
添加剤を加えて原料混合体を調整し、次に得られた原料
混合体を成形して所定形状の成形体を得る。原料混合体
の成形法としては、汎用の金型プレス法、ドクターブレ
ード法のようなシート成形法などが適用できる。上記成
形操作に引き続いて、成形体を非酸化性雰囲気中で温度
600〜800℃で1〜2時間加熱して、予め添加して
いた有機バインダを充分に除去し、脱脂する。次に脱脂
処理された成形体を窒素ガス、水素ガスやアルゴンガス
などの不活性ガス雰囲気中で1800〜2000℃の温
度で所定時間雰囲気加圧焼結を行なう。
結体は気孔率1.5%以下、60W/m・K(25℃)
以上の熱伝導率を有し、また三点曲げ強度が常温で80
kg/mm2 以上と機械的特性にも優れている。
体的に説明する。
量%含有し、α相型窒化けい素97%を含む平均粒径
0.55μmの窒化けい素原料粉末に対して、焼結助剤
として平均粒径0.7μmのY2 O3 (酸化イットリウ
ム)粉末5重量%、平均粒径1μmのHfO2 (酸化ハ
フニウム)粉末1.5重量%を添加し、エチルアルコー
ル中で24時間湿式混合した後に乾燥して原料粉末混合
体を調整した。次に得られた原料粉末混合体に有機バイ
ンダを所定量添加して均一に混合した後に、1000kg
/cm2 の成形圧力でプレス成形し、長さ50mm×幅50
mm×厚さ5mmの成形体を多数製作した。次に得られた成
形体を700℃の雰囲気ガス中において2時間脱脂した
後に、この脱脂体を窒素ガス雰囲気中7.5気圧にて1
900℃で6時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、
焼結炉に付設した加熱装置への通電量を制御して焼結炉
内温度が1500℃まで降下するまでの間における焼結
体の冷却速度がそれぞれ100℃/hr(実施例1)、5
0℃/hr(実施例2)、25℃/hr(実施例3)となる
ように調整して焼結体を冷却し、それぞれ実施例1〜3
に係る窒化けい素セラミックス焼結体を調製した。
し、従来の炉冷による冷却速度(約500℃/hr)で焼
結体を冷却した点以外は実施例1と同一条件で焼結処理
して比較例1に係る窒化けい素焼結体を調製した。
%含有し、α相型窒化けい素93%を含む平均粒径0.
60μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外は実施例
1と同一条件で処理し、比較例2に係る窒化けい素セラ
ミックス焼結体を調製した。
%含有し、α相型窒化けい素91%を含む平均粒径1.
1μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外は実施例1
と同一条件で処理し、比較例3に係る窒化けい素焼結体
を調製した。
〜3に係る窒化けい素焼結体について気孔率、熱伝導率
(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値を測定し
た。さらに、各焼結体をX線回折法によって粒界相に占
める結晶相の割合(面積比)を測定し、下記表1に示す
結果を得た。
1〜3に係る窒化けい素セラミックス焼結体において
は、比較例1と比較して緻密化焼結完了直後における焼
結体の冷却速度を従来より低く設定しているため、粒界
相に結晶相を含み、結晶相の占める割合が高い程、高熱
伝導率を有する放熱性の高い高強度焼結体が得られた。
を大きく設定し、急激に冷却した場合は粒界相が全て非
結晶質で形成され熱伝導率が低下した。また、比較例2
のように不純物陽イオン元素を0.6重量%と多く含有
した窒化けい素粉末を用いた場合は焼結体の冷却速度を
実施例1と同一にしても粒界相が全て非結晶質で形成さ
れ熱伝導率が低下した。
μmと粗い窒化けい素粉末を用いた場合は、焼結におい
て緻密化が不充分で強度、熱伝導率とも低下した。
い素粉末と、Y2 O3 粉末と、HfO2 粉末の他に表2
および表3に示す各種金属化合物粉末と、さらにAl2
O3 粉末と、AlN粉末とを表2および表3に示す組成
比となるように調合して原料混合体をそれぞれ調製し
た。
一条件で成形脱脂処理した後、表2および表3に示す条
件で焼結処理してそれぞれ実施例4〜34に係る窒化け
い素セラミックス焼結体を製造した。
にHfO2 を過少量に添加したもの(比較例4)、Y2
O3 を過少量に添加したもの(比較例5)、HfO2 を
過量に添加したもの(比較例6)、Y2 O3 を過量に添
加したもの(比較例7),TiO2 を過量に添加したも
の(比較例8)、AlNを過量に添加したもの(比較例
9)、アルミナを過量に添加したもの(比較例10)の
原料混合体をそれぞれ調製し、実施例1と同一条件で原
料混合から焼結操作を実施してそれぞれ比較例4〜10
に係る焼結体を製造した。
較例4〜10に係る各窒化けい素セラミックス焼結体に
ついて実施例1と同一条件で気孔率、熱伝導率(25
℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折法によ
る粒界相に占める結晶相の割合を測定し、下記表2およ
び表3に示す結果を得た。
うに、Y2 O3 ,HfO2 等の各種金属化合物、必要に
応じてAl2 O3 、AlNを所定量含有し、焼結後の冷
却速度を所定に設定した実施例4〜34に係る焼結体
は、いずれも高熱伝導率で高強度値を有している。一
方、比較例4〜10に示すように、Y2 O3 ,Hf
O2 ,TiO2 ,Al2 O3 ,AlNの少なくとも1種
の成分が過少量、あるいは過量添加された場合は、緻密
化が不充分であったり、粒界相が過量あるいは粒界相に
占める結晶相の割合が低過ぎるために、曲げ強度が低
下、または熱伝導率が劣ることが確認された。
O3 粉末に置き換えて表4に示す希土類酸化物を使用し
た以外は実施例1と同一条件で処理して実施例35〜3
8に係る窒化けい素セラミックス焼結体を製造した。
体について実施例1と同一条件で気孔率、熱伝導率(2
5℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折によ
る粒界相に占める結晶相の割合を測定し下記表4に示す
結果を得た。
3 に置き換えて他の希土類元素を使用した実施例35〜
38に係る焼結体はY2 O3 添加のものと同等の性能を
有することが確認された。
にY2 O3 粉末5重量%と、ZrC,VC,NbC,T
aC,Cr3 C2 ,Mo2 C,TiN,ZrN,VN,
TaN,CrN,Mo2 N,W2 N,TiSi2 ,ZrS
i2 ,VSi2 ,NbSi2,TaSi2 ,CrS
i2 ,MoSi2 ,WSi2 ,ZrB2 ,VB2 , NbB
2,TaB2 ,CrB2 ,MoB2 ,WB2 からなる群
より選択された少なくとも1種を1重量%添加した組成
の原料混合体を実施例1と同一条件で処理して各種Si
3 N4 焼結体を製造した。これら焼結体について実施例
1と同一条件で気孔率、熱伝導率(25℃)、室温での
三点曲げ強度の平均値、X線回折による粒界相に占める
結晶相の割合を測定したところ、実施例1〜38とぼ同
様な結果が得られた。
性窒化けい素焼結体およびその製造方法によれば、所定
の純度および粒径を有する微細な窒化けい素粉末に希土
類元素と、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,
Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、けい化物、硼化物
からなる群より選択される少なくとも1種と、必要に応
じてアルミナおよび窒化アルミニウムの少なくとも一方
とを所定量添加し、焼結処理完了直後における焼結体の
冷却速度を毎時100℃以下と小さく設定しているた
め、従来の炉冷のような急速冷却を実施した場合と異な
り、粒界相が非晶質から結晶相を含むものに変化し、緻
密で高強度かつ高い熱伝導率が得られる。したがって、
半導体用基板ならびに放熱板などの電子用部材として極
めて有用である。
Claims (6)
- 【請求項1】 希土類元素を酸化物に換算して2.0〜
7.5重量%、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,C
r,Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、けい化物、硼
化物から選択される少なくとも1種を0.2〜3.0重
量%、その他不純物陽イオン元素としてのLi,Na,
K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを0.3重
量%以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成る
ことを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体。 - 【請求項2】 希土類元素を酸化物に換算して2.0〜
7.5重量%、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,C
r,Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、けい化物、硼
化物からなる群より選択される少なくとも1種を0.2
〜3.0重量%、アルミナおよび窒化アルミニウムの少
なくとも一方を0.1〜2.0重量%、その他不純物陽
イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,M
g,Sr,Ba,Mn,Bを0.3重量%以下含有し、
窒化けい素結晶および粒界相から成ることを特徴とする
高熱伝導性窒化けい素焼結体。 - 【請求項3】 粒界相中における結晶化合物相の粒界相
全体に対する面積比が20%以上であることを特徴とす
る請求項1または2記載の高熱伝導性窒化けい素焼結
体。 - 【請求項4】 気孔率が容量比で1.5%以下、熱伝導
率が60W/m・K以上、三点曲げ強度が室温で80kg
/mm2 以上である請求項1または2記載の高熱伝導性窒
化けい素焼結体。 - 【請求項5】 酸素を1.7重量%以下、不純物陽イオ
ン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,S
r,Ba,Mn,Bを0.3重量%以下、α相型窒化け
い素を90重量%以上含有し、平均粒径0.8μm以下
の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して
2.0〜7.5重量%と、Ti,Zr,Hf,V,N
b,Ta,Cr,Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、
けい化物、硼化物から選択される少なくとも1種を0.
2〜3.0重量%添加した原料混合体を成形して成形体
を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度1800〜2
000℃で雰囲気加圧焼結し、上記焼結温度から、上記
希土類元素により焼結時に形成された液相が凝固する温
度までに至る焼結体の冷却速度を毎時100℃以下に設
定したことを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の
製造方法。 - 【請求項6】 酸素を1.7重量%以下、不純物陽イオ
ン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,S
r,Ba,Mn,Bを0.3重量%以下、α相型窒化け
い素を90重量%以上含有し、平均粒径0.8μm以下
の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して
2.0〜7.5重量%と、Ti,Zr,Hf,V,N
b,Ta,Cr,Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、
けい化物、硼化物からなる群より選択される少なくとも
1種を0.2〜3.0重量%と、アルミナおよび窒化ア
ルミニウムの少なくとも一方を0.1〜2.0重量%と
を添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得ら
れた成形体を脱脂後、温度1800〜2000℃で雰囲
気加圧焼結し、上記焼結温度から、上記希土類元素によ
り焼結時に形成された液相が凝固する温度までに至る焼
結体の冷却速度を毎時100℃以下に設定したことを特
徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5192559A JP2774761B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5192559A JP2774761B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0748174A JPH0748174A (ja) | 1995-02-21 |
JP2774761B2 true JP2774761B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=16293298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5192559A Expired - Lifetime JP2774761B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2774761B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1082938C (zh) * | 1995-06-23 | 2002-04-17 | 株式会社东芝 | 高导热性氮化硅烧结体和使用它的压接结构体 |
JP2975882B2 (ja) * | 1995-06-23 | 1999-11-10 | 株式会社東芝 | 圧接用窒化けい素放熱板およびそれを用いた圧接構造部品 |
EP0963965A4 (en) * | 1997-09-03 | 2001-03-21 | Sumitomo Electric Industries | Sintered silicon nitride with high thermal conductivity and method for its production |
DE19845532A1 (de) * | 1998-10-02 | 2000-04-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Kompositwerkstoffen und Vertreter solcher Kompositwerkstoffe |
JP4516057B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 窒化けい素配線基板およびその製造方法 |
JP5673945B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-02-18 | 株式会社クボタ | 窒化ケイ素系セラミックスの製造方法 |
JP6587831B2 (ja) * | 2015-05-25 | 2019-10-09 | Dic株式会社 | 凝集β型窒化ケイ素の製造方法、樹脂組成物の製造方法及び熱伝導性材料の製造方法 |
KR102727291B1 (ko) * | 2022-06-22 | 2024-11-08 | 오씨아이 주식회사 | 질화규소 기판의 열전도도 및 휨강도 조절 방법 |
-
1993
- 1993-08-03 JP JP5192559A patent/JP2774761B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0748174A (ja) | 1995-02-21 |
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