JP2765396B2 - ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタ - Google Patents
ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタInfo
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- JP2765396B2 JP2765396B2 JP4243565A JP24356592A JP2765396B2 JP 2765396 B2 JP2765396 B2 JP 2765396B2 JP 4243565 A JP4243565 A JP 4243565A JP 24356592 A JP24356592 A JP 24356592A JP 2765396 B2 JP2765396 B2 JP 2765396B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主としてＶＨＦ帯、
ＵＨＦ帯、およびマイクロ波帯で用いられるストリップ
線路フィルタおよびマイクロストリップ線路フィルタに
関するものである。
ＵＨＦ帯、およびマイクロ波帯で用いられるストリップ
線路フィルタおよびマイクロストリップ線路フィルタに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１６は、特公平２−１１１６３号公報
に示された従来のストリップ線路フィルタを示す概略構
造図であり、図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、２
ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着し
て形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面
全体に導体膜を密着して形成された外導体、５ｂは誘電
体基板１ｂの片面に導体膜を密着して形成された外導
体、６〜８は誘電体基板１ａ，１ｂと内導体２ａ〜４ａ
と、外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路共振
器、９ａは内導体２ａと３ａ，３ａと４ａ間の中央部の
誘電体基板１ａを堀込んで設けられた結合量調整用の
溝、９ｂは内導体２ｂと３ｂ，３ｂと４ｂ間の中央部の
誘電体基板１ｂを堀込んで設けられた結合量調整用の
溝、１０と１１はそれらの内導体がそれぞれ内導体２ａ
と４ａの側面に直接接続された入出力用線路である。誘
電体基板１ａと１ｂは、溝９ａと９ｂが対向して重なる
ように重ね合わされ接着されている。内導体２ａ〜４ａ
はそれぞれが約１／４波長に設定されており、一端が誘
電体基板１ａ，１ｂの側面において５ａ，５ｂと接続さ
れ短絡されている。このため、共振器６〜８は一端短絡
の１／４波長共振器となっている。誘電体基板１ａは内
導体２ａの長手方向が誘電体基板１ｂより長く設定され
ており、これら誘電体基板１ａと１ｂを共振器６〜８の
短絡端側が揃うように配置することにより、内導体２ａ
〜４ａの開放端側が露出している。
に示された従来のストリップ線路フィルタを示す概略構
造図であり、図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、２
ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着し
て形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面
全体に導体膜を密着して形成された外導体、５ｂは誘電
体基板１ｂの片面に導体膜を密着して形成された外導
体、６〜８は誘電体基板１ａ，１ｂと内導体２ａ〜４ａ
と、外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路共振
器、９ａは内導体２ａと３ａ，３ａと４ａ間の中央部の
誘電体基板１ａを堀込んで設けられた結合量調整用の
溝、９ｂは内導体２ｂと３ｂ，３ｂと４ｂ間の中央部の
誘電体基板１ｂを堀込んで設けられた結合量調整用の
溝、１０と１１はそれらの内導体がそれぞれ内導体２ａ
と４ａの側面に直接接続された入出力用線路である。誘
電体基板１ａと１ｂは、溝９ａと９ｂが対向して重なる
ように重ね合わされ接着されている。内導体２ａ〜４ａ
はそれぞれが約１／４波長に設定されており、一端が誘
電体基板１ａ，１ｂの側面において５ａ，５ｂと接続さ
れ短絡されている。このため、共振器６〜８は一端短絡
の１／４波長共振器となっている。誘電体基板１ａは内
導体２ａの長手方向が誘電体基板１ｂより長く設定され
ており、これら誘電体基板１ａと１ｂを共振器６〜８の
短絡端側が揃うように配置することにより、内導体２ａ
〜４ａの開放端側が露出している。
【０００３】次に動作について説明する。共振器６〜８
は溝９ａ，９ｂの効果により隣接するもの相互が磁界結
合されており、その結合量は溝９ａ，９ｂの深さや隣接
する内導体間の距離によって調整される。また、入出力
の結合量は入出力線路１０および１１の内導体と内導体
２ａおよび４ａとの接続位置を変化させて調整される。
は溝９ａ，９ｂの効果により隣接するもの相互が磁界結
合されており、その結合量は溝９ａ，９ｂの深さや隣接
する内導体間の距離によって調整される。また、入出力
の結合量は入出力線路１０および１１の内導体と内導体
２ａおよび４ａとの接続位置を変化させて調整される。
【０００４】今、内導体２ａ〜４ａの開放端側の露出部
をトリミングしてこれら内導体の長さを調整すること
で、全ての共振器６〜８が同一の周波数、例えばｆ0 で
共振しているものとすれば、その周波数ｆ0 では、共振
状態にある共振器６〜８は相互に強く結合しており、入
出力線路１０への入射は共振器６へ導かれ、共振器７，
８を通って入出力線路１１より出力される。しかしなが
ら、ｆ0 以外の周波数では、共振器６〜８相互の結合は
非常に弱く、入出力線路１０あるいは１１への入射波は
その電力のほとんどが反射される。このように、図１６
に示したストリップ線路フィルタは帯域通過形フィルタ
としての機能を有する。
をトリミングしてこれら内導体の長さを調整すること
で、全ての共振器６〜８が同一の周波数、例えばｆ0 で
共振しているものとすれば、その周波数ｆ0 では、共振
状態にある共振器６〜８は相互に強く結合しており、入
出力線路１０への入射は共振器６へ導かれ、共振器７，
８を通って入出力線路１１より出力される。しかしなが
ら、ｆ0 以外の周波数では、共振器６〜８相互の結合は
非常に弱く、入出力線路１０あるいは１１への入射波は
その電力のほとんどが反射される。このように、図１６
に示したストリップ線路フィルタは帯域通過形フィルタ
としての機能を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のストリップ線路
フィルタは以上のように構成されているので、共振器６
と共振器７および共振器７と共振器８の間の結合を得る
ために、誘電体基板上に溝９ａ，９ｂを機械加工により
設ける必要があるため、加工が複雑になり、量産に不向
きであるという問題があった。
フィルタは以上のように構成されているので、共振器６
と共振器７および共振器７と共振器８の間の結合を得る
ために、誘電体基板上に溝９ａ，９ｂを機械加工により
設ける必要があるため、加工が複雑になり、量産に不向
きであるという問題があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、加工が容易で、量産性に優れた
ストリップ線路フィルタを得ることを目的とする。
ためになされたもので、加工が容易で、量産性に優れた
ストリップ線路フィルタを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、２枚
の誘電体基板と、上記２枚の誘電体基板のそれぞれの一
方の面に形成された外導体と、上記誘電体基板のうち少
なくとも１枚の他方の面に相互に略平行に形成され、一
端が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内
導体とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導体、誘電
体基板、外導体の順で重ねられてストリップ線路共振器
が形成されたストリップ線路フィルタにおいて、上記内
導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞ
れ異なる所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続
導体を設け、上記接続導体の位置により上記隣接する内
導体からなる隣接するストリップ線路共振器の結合量を
調整するものである。
の誘電体基板と、上記２枚の誘電体基板のそれぞれの一
方の面に形成された外導体と、上記誘電体基板のうち少
なくとも１枚の他方の面に相互に略平行に形成され、一
端が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内
導体とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導体、誘電
体基板、外導体の順で重ねられてストリップ線路共振器
が形成されたストリップ線路フィルタにおいて、上記内
導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞ
れ異なる所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続
導体を設け、上記接続導体の位置により上記隣接する内
導体からなる隣接するストリップ線路共振器の結合量を
調整するものである。
【０００８】請求項２の発明は、２枚の誘電体基板と、
上記２枚の誘電体基板のそれぞれの一方の面に形成され
た外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他
方の面に相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に
接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上
記外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の
順で重ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、
上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から
それぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続
導体を設け、さらに上記接続導体が、接続導体上に短絡
部を持つ内導体を有するものである。
上記２枚の誘電体基板のそれぞれの一方の面に形成され
た外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他
方の面に相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に
接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上
記外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の
順で重ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、
上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から
それぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続
導体を設け、さらに上記接続導体が、接続導体上に短絡
部を持つ内導体を有するものである。
【０００９】請求項３の発明は、２枚の誘電体基板と、
上記２枚の誘電体基板のそれぞれの一方の面に形成され
た外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他
方の面に一端を共通として放射状に形成され、上記一端
が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導
体とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導体、誘電体
基板、外導体の順で重ねられてストリップ線路共振器が
形成され、上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記
短絡部から所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接続す
る接続導体あるいは請求項１又は請求項２記載の接続導
体が設けられたものである。
上記２枚の誘電体基板のそれぞれの一方の面に形成され
た外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他
方の面に一端を共通として放射状に形成され、上記一端
が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導
体とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導体、誘電体
基板、外導体の順で重ねられてストリップ線路共振器が
形成され、上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記
短絡部から所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接続す
る接続導体あるいは請求項１又は請求項２記載の接続導
体が設けられたものである。
【００１０】請求項４の発明は、誘電体基板と、上記誘
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に相互に略平行に形成され、一端が上記
外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを
備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイク
ロストリップ線路の共振器が形成され、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ異なる
所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設
け、上記接続導体の位置により上記隣接する内導体から
なる隣接するマイクロストリップ線路の共振器の結合量
を調整するものである。
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に相互に略平行に形成され、一端が上記
外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを
備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイク
ロストリップ線路の共振器が形成され、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ異なる
所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設
け、上記接続導体の位置により上記隣接する内導体から
なる隣接するマイクロストリップ線路の共振器の結合量
を調整するものである。
【００１１】請求項５の発明は、誘電体基板と、上記誘
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に相互に略平行に形成され、一端が上記
外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを
備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイク
ロストリップ線路の共振器が形成され、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さ
らに上記接続導体が、接続導体上に短絡部を持つ内導体
を有するものである。
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に相互に略平行に形成され、一端が上記
外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを
備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイク
ロストリップ線路の共振器が形成され、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さ
らに上記接続導体が、接続導体上に短絡部を持つ内導体
を有するものである。
【００１２】請求項６の発明は、誘電体基板と、上記誘
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に一端を共通として放射状に形成され、
上記一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複
数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と外導体
を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成され、
上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から
所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接続導体
あるいは請求項４又は請求項５記載の接続導体が設けら
れたものである。
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に一端を共通として放射状に形成され、
上記一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複
数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と外導体
を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成され、
上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から
所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接続導体
あるいは請求項４又は請求項５記載の接続導体が設けら
れたものである。
【００１３】
【作用】請求項１の発明においては、外導体、誘電体基
板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなる
ストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のうち、
隣接する内導体を、短絡部からそれぞれ異なる所定距離
だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設けたの
で、この接続導体を介して隣接共振器間の所望の結合量
が得られる。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝
を機械加工等により設けることが不要になる。また、所
望の結合量を、狭い共振器間隔において得ることができ
るのでフィルタを小形化できる。
板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなる
ストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のうち、
隣接する内導体を、短絡部からそれぞれ異なる所定距離
だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設けたの
で、この接続導体を介して隣接共振器間の所望の結合量
が得られる。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝
を機械加工等により設けることが不要になる。また、所
望の結合量を、狭い共振器間隔において得ることができ
るのでフィルタを小形化できる。
【００１４】請求項２の発明においては、外導体、誘電
体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられて
なるストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、短絡部からそれぞれ所定距離だ
け離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さらに
上記接続導体上に短絡部を持つ内導体を設けたので、こ
の接続導体を介して隣接共振器間の所望の結合量が得ら
れる。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械
加工等により設けることが不要になる。また、上記接続
導体に設けられた内導体により、所望の周波数以外の周
波数での結合を抑えることができる。
体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられて
なるストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、短絡部からそれぞれ所定距離だ
け離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さらに
上記接続導体上に短絡部を持つ内導体を設けたので、こ
の接続導体を介して隣接共振器間の所望の結合量が得ら
れる。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械
加工等により設けることが不要になる。また、上記接続
導体に設けられた内導体により、所望の周波数以外の周
波数での結合を抑えることができる。
【００１５】請求項３の発明においては、２枚の誘電体
基板と、上記２枚の誘電体基板それぞれ一方の面に形成
された外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚
の他方の面に放射状に形成され、一端が上記外導体に接
続され短絡部を形成する複数の内導体を備え、上記外導
体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重
ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上記内
導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から所定距
離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接続導体あるい
は請求項１又は請求項２記載の接続導体を設けたので、
この接続導体を介して隣接共振器間の所望の結合量が得
られる。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機
械加工等により設けることが不要になる。また、短絡部
を共有することでフィルタを小形化できる。
基板と、上記２枚の誘電体基板それぞれ一方の面に形成
された外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚
の他方の面に放射状に形成され、一端が上記外導体に接
続され短絡部を形成する複数の内導体を備え、上記外導
体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重
ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上記内
導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から所定距
離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接続導体あるい
は請求項１又は請求項２記載の接続導体を設けたので、
この接続導体を介して隣接共振器間の所望の結合量が得
られる。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機
械加工等により設けることが不要になる。また、短絡部
を共有することでフィルタを小形化できる。
【００１６】請求項４の発明においては、誘電体基板
と、内導体と外導体を備えたマイクロストリップ線路の
共振器を形成するストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部から、そ
れぞれ異なる所定距離だけ離れた位置で相互に接続する
接続導体を設けたので、この接続導体を介して隣接共振
器間の所望の結合量が得られる。このため、誘電体基板
に結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不
要になる。さらに、上記接続導体が露出しているため、
トリミングで上記接続導体の幅を変化させて、結合量を
容易に微調整できる。また、所望の結合量を狭い共振器
間において得ることができるのでフィルタを小形化でき
る。なお、個別の接続導体を用いた場合には、上記接続
導体の位置と幅を容易に変化させることができ、結合量
を容易に調整できる。
と、内導体と外導体を備えたマイクロストリップ線路の
共振器を形成するストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部から、そ
れぞれ異なる所定距離だけ離れた位置で相互に接続する
接続導体を設けたので、この接続導体を介して隣接共振
器間の所望の結合量が得られる。このため、誘電体基板
に結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不
要になる。さらに、上記接続導体が露出しているため、
トリミングで上記接続導体の幅を変化させて、結合量を
容易に微調整できる。また、所望の結合量を狭い共振器
間において得ることができるのでフィルタを小形化でき
る。なお、個別の接続導体を用いた場合には、上記接続
導体の位置と幅を容易に変化させることができ、結合量
を容易に調整できる。
【００１７】請求項５の発明においては、誘電体基板
と、内導体と外導体を備えたマイクロストリップ線路の
共振器を形成するストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を短絡部から、それぞ
れ所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を
設け、さらに上記接続導体上に短絡部を持つ内導体を設
けたので、この接続導体を介して隣接共振器間の所望の
結合量が得られる。このため、誘電体基板に結合量調整
用の溝を機械加工等により設けることが不要になる。さ
らに、上記接続導体が露出しているため、トリミングで
上記接続導体の幅を変化させて、結合量を容易に微調整
できる。また、上記接続導体上に設けられた内導体によ
り、所望の周波数以外の周波数での結合を抑えることが
できる。
と、内導体と外導体を備えたマイクロストリップ線路の
共振器を形成するストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を短絡部から、それぞ
れ所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を
設け、さらに上記接続導体上に短絡部を持つ内導体を設
けたので、この接続導体を介して隣接共振器間の所望の
結合量が得られる。このため、誘電体基板に結合量調整
用の溝を機械加工等により設けることが不要になる。さ
らに、上記接続導体が露出しているため、トリミングで
上記接続導体の幅を変化させて、結合量を容易に微調整
できる。また、上記接続導体上に設けられた内導体によ
り、所望の周波数以外の周波数での結合を抑えることが
できる。
【００１８】請求項６の発明においては、誘電体基板の
一方の面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方
の面に放射状に形成され、一端が上記外導体に接続され
短絡部を形成する複数の内導体を備え、上記外導体、誘
電体基板、内導体を含んで、マイクロストリップ線路の
共振器を形成してなり、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部から所定距離だけ離れた同じ位置で
相互に接続する接続導体あるいは請求項４又は請求項５
記載の接続導体を設けたので、この接続導体を介して隣
接共振器間の所望の結合量が得られる。このため、誘電
体基板に結合量調整用の溝を機械加工等により設けるこ
とが不要になる。さらに、上記接続導体が露出している
ため、トリミングで上記接続導体の幅を変化させて、結
合量を容易に微調整できる。また、短絡部を共有するこ
とでフィルタを小形化できる。
一方の面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方
の面に放射状に形成され、一端が上記外導体に接続され
短絡部を形成する複数の内導体を備え、上記外導体、誘
電体基板、内導体を含んで、マイクロストリップ線路の
共振器を形成してなり、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部から所定距離だけ離れた同じ位置で
相互に接続する接続導体あるいは請求項４又は請求項５
記載の接続導体を設けたので、この接続導体を介して隣
接共振器間の所望の結合量が得られる。このため、誘電
体基板に結合量調整用の溝を機械加工等により設けるこ
とが不要になる。さらに、上記接続導体が露出している
ため、トリミングで上記接続導体の幅を変化させて、結
合量を容易に微調整できる。また、短絡部を共有するこ
とでフィルタを小形化できる。
【００１９】
【実施例】実施例１． 図１は、この発明の実施例１を示す概略構成図であり、
図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、２ａ〜４ａは誘
電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着して形成された
内導体、２ｂ〜４ｂは誘電体基板１ｂの一方の面に導体
膜を密着して形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａ
の他方の面全体に導体膜を密着して形成した外導体、５
ｂは誘電体基板１ｂの他方の面全体に導体膜を密着して
形成した外導体、６〜８は誘電体基板１ａ，１ｂと、内
導体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂと、外導体５ａ，５ｂとか
らなるトリプレート線路の共振器、１０，１１はそれぞ
れ内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂに内導体が直接接続さ
れた入出力線路、１２ａは誘電体基板１ａの内導体の同
じ位置を接続するために内導体２ａ〜４ａと直交する向
きに導体膜を密着して形成された接続導体、１２ｂは誘
電体基板１ｂの内導体の同じ位置を接続するために内導
体２ｂ〜４ｂと直交する向きに導体膜を密着して形成さ
れた接続導体、１３ａ〜１５ａ、１３ｂ〜１５ｂは短絡
部である。誘電体基板１ａと１ｂは、内導体２ａと２
ｂ，３ａと３ｂ，４ａと４ｂがそれぞれ対向し重なるよ
うに重ね合わされ、対向する内導体が電気的に接触する
ように接着されている。内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４
ｂ、および接続導体１２ａ，１２ｂは薄膜あるいは厚膜
で形成され、フォトエッチング等により成形される。内
導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所望の基本波に対して
約１／４波長に設定されており、内導体２ａ〜４ａ，２
ｂ〜４ｂは一端が誘電体基板１ａ，１ｂの側面の短絡部
１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂにおいて外導体５ａ，
５ｂと接続されている。このため、共振器６〜８は一端
短絡他端開放の１／４波長共振器となっている。従来の
場合と同様、誘電体基板１ａにおいて、内導体２ａ〜４
ａは誘電体基板１ｂより長く設定されている。これら誘
電体基板１ａと１ｂは共振器６〜８の短絡端側が揃うよ
うに配置することにより、内導体２ａ〜４ａの開放端側
を露出させている。
図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、２ａ〜４ａは誘
電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着して形成された
内導体、２ｂ〜４ｂは誘電体基板１ｂの一方の面に導体
膜を密着して形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａ
の他方の面全体に導体膜を密着して形成した外導体、５
ｂは誘電体基板１ｂの他方の面全体に導体膜を密着して
形成した外導体、６〜８は誘電体基板１ａ，１ｂと、内
導体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂと、外導体５ａ，５ｂとか
らなるトリプレート線路の共振器、１０，１１はそれぞ
れ内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂに内導体が直接接続さ
れた入出力線路、１２ａは誘電体基板１ａの内導体の同
じ位置を接続するために内導体２ａ〜４ａと直交する向
きに導体膜を密着して形成された接続導体、１２ｂは誘
電体基板１ｂの内導体の同じ位置を接続するために内導
体２ｂ〜４ｂと直交する向きに導体膜を密着して形成さ
れた接続導体、１３ａ〜１５ａ、１３ｂ〜１５ｂは短絡
部である。誘電体基板１ａと１ｂは、内導体２ａと２
ｂ，３ａと３ｂ，４ａと４ｂがそれぞれ対向し重なるよ
うに重ね合わされ、対向する内導体が電気的に接触する
ように接着されている。内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４
ｂ、および接続導体１２ａ，１２ｂは薄膜あるいは厚膜
で形成され、フォトエッチング等により成形される。内
導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所望の基本波に対して
約１／４波長に設定されており、内導体２ａ〜４ａ，２
ｂ〜４ｂは一端が誘電体基板１ａ，１ｂの側面の短絡部
１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂにおいて外導体５ａ，
５ｂと接続されている。このため、共振器６〜８は一端
短絡他端開放の１／４波長共振器となっている。従来の
場合と同様、誘電体基板１ａにおいて、内導体２ａ〜４
ａは誘電体基板１ｂより長く設定されている。これら誘
電体基板１ａと１ｂは共振器６〜８の短絡端側が揃うよ
うに配置することにより、内導体２ａ〜４ａの開放端側
を露出させている。
【００２０】次に動作について説明する。上記ストリッ
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８が同一周波数ｆ
0 で共振するとすれば、周波数ｆ0 では共振器６〜８は
接続導体１２ａ，１２ｂを介して強く結合し、入出力線
路１０への入射波は入出力線路１１へ導かれる。しか
し、ｆ0 以外の周波数では共振器間の結合は弱く、入出
力線路１０への入射波はほとんど反射される。このよう
に図１のストリップ線路フィルタは帯域通過フィルタと
しての機能を有する。共振器６〜８の間の結合量は接続
導体１２ａ，１２ｂの短絡端側からの位置を変化させる
ことで調整することができる。また、共振周波数は内導
体２ａ〜４ａの長さを変化させたり、開放端に誘電体を
接着したりして容易に調整することができる。入出力線
路１０，１１と、共振器６，８の結合量は入出力線路１
０，１１と内導体２ａ，４ａとの接続位置を変化させる
ことで調整できる。以上のように、図１のストリップ線
路フィルタは誘電体基板に溝加工が不要であり、誘電体
基板１ａ，１ｂの外形加工と導体膜のエッチング加工の
みで製作できる。
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８が同一周波数ｆ
0 で共振するとすれば、周波数ｆ0 では共振器６〜８は
接続導体１２ａ，１２ｂを介して強く結合し、入出力線
路１０への入射波は入出力線路１１へ導かれる。しか
し、ｆ0 以外の周波数では共振器間の結合は弱く、入出
力線路１０への入射波はほとんど反射される。このよう
に図１のストリップ線路フィルタは帯域通過フィルタと
しての機能を有する。共振器６〜８の間の結合量は接続
導体１２ａ，１２ｂの短絡端側からの位置を変化させる
ことで調整することができる。また、共振周波数は内導
体２ａ〜４ａの長さを変化させたり、開放端に誘電体を
接着したりして容易に調整することができる。入出力線
路１０，１１と、共振器６，８の結合量は入出力線路１
０，１１と内導体２ａ，４ａとの接続位置を変化させる
ことで調整できる。以上のように、図１のストリップ線
路フィルタは誘電体基板に溝加工が不要であり、誘電体
基板１ａ，１ｂの外形加工と導体膜のエッチング加工の
みで製作できる。
【００２１】実施例２． 図２は、実施例２を示す概略構成図である。図におい
て、１２ａは誘電体基板１ａの内導体の異なる位置を接
続するために導体膜を密着して形成された接続導体、１
２ｂは誘電体基板１ｂの内導体の異なる位置を接続する
ために導体膜を密着して形成された接続導体であり、１
ａ，１ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ，５ａ，５ｂ，６〜
８，１０，１１，１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂおよ
び概略構成は図１と同様である。この実施例において
も、共振器６〜８の間の結合量は接続導体１２ａ，１２
ｂの短絡端側からの位置を変化させることで調整するこ
とができ、実施例１同様の効果を有する。さらに、実施
例２では、接続導体１２ａ，１２ｂは、隣接する内導体
を短絡部からそれぞれ所定の距離だけ離れた位置で相互
に接続するので、所望の結合量を狭い共振器間隔におい
て得ることができ、フィルタを小形化できる。
て、１２ａは誘電体基板１ａの内導体の異なる位置を接
続するために導体膜を密着して形成された接続導体、１
２ｂは誘電体基板１ｂの内導体の異なる位置を接続する
ために導体膜を密着して形成された接続導体であり、１
ａ，１ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ，５ａ，５ｂ，６〜
８，１０，１１，１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂおよ
び概略構成は図１と同様である。この実施例において
も、共振器６〜８の間の結合量は接続導体１２ａ，１２
ｂの短絡端側からの位置を変化させることで調整するこ
とができ、実施例１同様の効果を有する。さらに、実施
例２では、接続導体１２ａ，１２ｂは、隣接する内導体
を短絡部からそれぞれ所定の距離だけ離れた位置で相互
に接続するので、所望の結合量を狭い共振器間隔におい
て得ることができ、フィルタを小形化できる。
【００２２】実施例３． 図３は、実施例３を示す概略構成図である。図におい
て、１２ａは誘電体基板１ａの内導体を接続するために
導体膜を密着して形成された接続導体、１２ｂは誘電体
基板１ｂの内導体を接続するために導体膜を密着して形
成された接続導体、２１ａは誘電体基板１ａの接続導体
上に短絡部を持つように導体膜を密着して形成された内
導体、２１ｂは誘電体基板１ｂの接続導体上に短絡部を
持つように導体膜を密着して形成された内導体、２２，
２３は誘電体基板１ａ，１ｂと、内導体２１ａ，２１ｂ
と、外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路の共
振器であり、１ａ，１ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ，５
ａ，５ｂ，６〜８，１０，１１，１３ａ〜１５ａ，１３
ｂ〜１５ｂおよび概略構成は図１と同様である。内導体
２１ａ，２１ｂは所望の基本波に対して約１／１２波長
に設定されており、接続導体１２ａ，１２ｂに接続され
ている。また、共振器２２，２３は３倍高調波に対する
一端短絡他端開放の１／４波長共振器となっている。
て、１２ａは誘電体基板１ａの内導体を接続するために
導体膜を密着して形成された接続導体、１２ｂは誘電体
基板１ｂの内導体を接続するために導体膜を密着して形
成された接続導体、２１ａは誘電体基板１ａの接続導体
上に短絡部を持つように導体膜を密着して形成された内
導体、２１ｂは誘電体基板１ｂの接続導体上に短絡部を
持つように導体膜を密着して形成された内導体、２２，
２３は誘電体基板１ａ，１ｂと、内導体２１ａ，２１ｂ
と、外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路の共
振器であり、１ａ，１ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ，５
ａ，５ｂ，６〜８，１０，１１，１３ａ〜１５ａ，１３
ｂ〜１５ｂおよび概略構成は図１と同様である。内導体
２１ａ，２１ｂは所望の基本波に対して約１／１２波長
に設定されており、接続導体１２ａ，１２ｂに接続され
ている。また、共振器２２，２３は３倍高調波に対する
一端短絡他端開放の１／４波長共振器となっている。
【００２３】次に動作について説明する。上記ストリッ
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８が同一周波数ｆ
0 で共振するとすれば、周波数ｆ0 では共振器６〜８は
接続導体１２ａ，１２ｂを介して強く結合し、入出力線
路１０への入射波は入出力線路１１へ導かれる。しか
し、ｆ0 以外の周波数では共振器間の結合は弱く、入出
力線路１０への入射波はほとんど反射される。また、接
続導体１２ａ，１２ｂ上に設けた共振器２２，２３が周
波数ｆ0 で共振するとすれば、３倍高調波を阻止する効
果がある。このように図３のストリップ線路フィルタは
帯域通過フィルタとしての機能を有する。共振器６〜８
の間の結合量は接続導体１２ａ，１２ｂの短絡端側から
の位置を変化させることで調整することができる。ま
た、共振周波数は内導体２ａ〜４ａの長さを変化させた
り、開放端に誘電体を接着したりして容易に調整するこ
とができる。入出力線路１０，１１と、共振器６，８の
結合量は入出力線路１０，１１と内導体２ａ，４ａとの
接続位置を変化させることで調整できる。なお、共振器
２２，２３は所定の周波数で共振するように設定でき、
所望の周波数を阻止できる。以上のように、実施例３の
ストリップ線路フィルタは誘電体基板に溝加工が不要で
あり、誘電体基板１ａ，１ｂの外形加工と導体膜のエッ
チング加工のみで製作できる。さらに、接続導体１２
ａ，１２ｂ上に設けられた内導体２１ａ，２１ｂにより
形成された共振器２２，２３により、所望の周波数以外
の周波数での結合を抑えることができる。
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８が同一周波数ｆ
0 で共振するとすれば、周波数ｆ0 では共振器６〜８は
接続導体１２ａ，１２ｂを介して強く結合し、入出力線
路１０への入射波は入出力線路１１へ導かれる。しか
し、ｆ0 以外の周波数では共振器間の結合は弱く、入出
力線路１０への入射波はほとんど反射される。また、接
続導体１２ａ，１２ｂ上に設けた共振器２２，２３が周
波数ｆ0 で共振するとすれば、３倍高調波を阻止する効
果がある。このように図３のストリップ線路フィルタは
帯域通過フィルタとしての機能を有する。共振器６〜８
の間の結合量は接続導体１２ａ，１２ｂの短絡端側から
の位置を変化させることで調整することができる。ま
た、共振周波数は内導体２ａ〜４ａの長さを変化させた
り、開放端に誘電体を接着したりして容易に調整するこ
とができる。入出力線路１０，１１と、共振器６，８の
結合量は入出力線路１０，１１と内導体２ａ，４ａとの
接続位置を変化させることで調整できる。なお、共振器
２２，２３は所定の周波数で共振するように設定でき、
所望の周波数を阻止できる。以上のように、実施例３の
ストリップ線路フィルタは誘電体基板に溝加工が不要で
あり、誘電体基板１ａ，１ｂの外形加工と導体膜のエッ
チング加工のみで製作できる。さらに、接続導体１２
ａ，１２ｂ上に設けられた内導体２１ａ，２１ｂにより
形成された共振器２２，２３により、所望の周波数以外
の周波数での結合を抑えることができる。
【００２４】実施例４． 図４は、実施例４を示す概略構成図であり、図におい
て、１２ａは誘電体基板１ａの内導体を接続するために
導体膜を密着して形成された接続導体、１２ｂは誘電体
基板１ｂの内導体を接続するために導体膜を密着して形
成された接続導体であり、所望の共振器間隔や、周波数
の特性に応じて変形したものである。また、１ａ，１
ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ，５ａ，５ｂ，６〜８，１
０，１１，１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂおよび概略
構成は図１と同様である。この実施例においても、実施
例２同様の効果を有する。さらに、実施例４では、接続
導体１２ａ，１２ｂは所望の特性に応じて変形したもの
を用いたので、形状を調整することにより、共振器６〜
８の配置を変えることなく狭い共振器間隔で所望の結合
特性を得ることができる。
て、１２ａは誘電体基板１ａの内導体を接続するために
導体膜を密着して形成された接続導体、１２ｂは誘電体
基板１ｂの内導体を接続するために導体膜を密着して形
成された接続導体であり、所望の共振器間隔や、周波数
の特性に応じて変形したものである。また、１ａ，１
ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ，５ａ，５ｂ，６〜８，１
０，１１，１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂおよび概略
構成は図１と同様である。この実施例においても、実施
例２同様の効果を有する。さらに、実施例４では、接続
導体１２ａ，１２ｂは所望の特性に応じて変形したもの
を用いたので、形状を調整することにより、共振器６〜
８の配置を変えることなく狭い共振器間隔で所望の結合
特性を得ることができる。
【００２５】実施例５． 図５は、実施例５を示す概略構成図である。図におい
て、１ａ，１ｂは誘電体基板、２００ａ〜７００ａは誘
電体基板１ａの一方の面に放射状に導体膜を密着して形
成された内導体、２００ｂ〜７００ｂは誘電体基板１ｂ
の一方の面に導体膜を密着して形成された内導体、５ａ
は誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密着して形
成した外導体、５ｂは誘電体基板１ｂの他方の面全体に
導体膜を密着して形成した外導体、２００〜７００は誘
電体基板１ａ，１ｂと、内導体２００ａ〜７００ａ、２
００ｂ〜７００ｂと、外導体５ａ，５ｂとからなるトリ
プレート線路の共振器、１０，１１はそれぞれ内導体２
００ａ，２００ｂ，７００ａ，７００ｂに内導体が直接
接続された入出力線路、１２ａは誘電体基板１ａの内導
体の異なる位置を接続するために導体膜を密着して形成
された接続導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体の異
なる位置を接続するために導体膜を密着して形成された
接続導体、１３ａ，１３ｂは誘電体基板１ａ，１ｂの中
央部に設けられた短絡部である。誘電体基板１ａと１ｂ
は、内導体２００ａと２００ｂ，３００ａと３００ｂ，
４００ａと４００ｂ，５００ａと５００ｂ，６００ａと
６００ｂ，７００ａと７００ｂがそれぞれ対向し重なる
ように重ね合わされ、対向する内導体が電気的に接触す
るように接着されている。内導体２００ａ〜７００ａ，
２００ｂ〜７００ｂおよび接続導体１２ａ，１２ｂは薄
膜あるいは厚膜で形成され、フォトエッチング等により
形成される。内導体２００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７
００ｂはそれぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４
波長に設定されており、内導体２００ａ〜７００ａ，２
００ｂ〜７００ｂは一端が誘電体基板１ａ，１ｂの中央
部に設けられた短絡部１３ａ，１３ｂにおいて外導体５
ａ，５ｂと接続されている。このため、共振器２００〜
７００は一端短絡他端開放の１／４波長共振器となって
いる。この実施例においても、共振器２００〜７００の
間の結合量は接続導体１２ａ，１２ｂの短絡端側からの
位置を変化させることで調整することができ、実施例１
同様の効果を有する。さらに、実施例５では、内導体２
００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂの短絡部を共有
するので、フィルタを小形化できる。また、上記実施例
５では接続導体１２ａ，１２ｂが隣接する内導体を短絡
部１３ａ，１３ｂから所定距離だけ離れた位置で相互に
接続する場合について図５を用いて説明したが、接続導
体１２ａ，１２ｂの構成について、上記実施例２または
実施例４で説明した構成、さらには実施例３で説明した
共振器を備えた構成を適用することができ、上記実施例
２、実施例３または実施例４で説明したと同様の効果が
得られる。
て、１ａ，１ｂは誘電体基板、２００ａ〜７００ａは誘
電体基板１ａの一方の面に放射状に導体膜を密着して形
成された内導体、２００ｂ〜７００ｂは誘電体基板１ｂ
の一方の面に導体膜を密着して形成された内導体、５ａ
は誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密着して形
成した外導体、５ｂは誘電体基板１ｂの他方の面全体に
導体膜を密着して形成した外導体、２００〜７００は誘
電体基板１ａ，１ｂと、内導体２００ａ〜７００ａ、２
００ｂ〜７００ｂと、外導体５ａ，５ｂとからなるトリ
プレート線路の共振器、１０，１１はそれぞれ内導体２
００ａ，２００ｂ，７００ａ，７００ｂに内導体が直接
接続された入出力線路、１２ａは誘電体基板１ａの内導
体の異なる位置を接続するために導体膜を密着して形成
された接続導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体の異
なる位置を接続するために導体膜を密着して形成された
接続導体、１３ａ，１３ｂは誘電体基板１ａ，１ｂの中
央部に設けられた短絡部である。誘電体基板１ａと１ｂ
は、内導体２００ａと２００ｂ，３００ａと３００ｂ，
４００ａと４００ｂ，５００ａと５００ｂ，６００ａと
６００ｂ，７００ａと７００ｂがそれぞれ対向し重なる
ように重ね合わされ、対向する内導体が電気的に接触す
るように接着されている。内導体２００ａ〜７００ａ，
２００ｂ〜７００ｂおよび接続導体１２ａ，１２ｂは薄
膜あるいは厚膜で形成され、フォトエッチング等により
形成される。内導体２００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７
００ｂはそれぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４
波長に設定されており、内導体２００ａ〜７００ａ，２
００ｂ〜７００ｂは一端が誘電体基板１ａ，１ｂの中央
部に設けられた短絡部１３ａ，１３ｂにおいて外導体５
ａ，５ｂと接続されている。このため、共振器２００〜
７００は一端短絡他端開放の１／４波長共振器となって
いる。この実施例においても、共振器２００〜７００の
間の結合量は接続導体１２ａ，１２ｂの短絡端側からの
位置を変化させることで調整することができ、実施例１
同様の効果を有する。さらに、実施例５では、内導体２
００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂの短絡部を共有
するので、フィルタを小形化できる。また、上記実施例
５では接続導体１２ａ，１２ｂが隣接する内導体を短絡
部１３ａ，１３ｂから所定距離だけ離れた位置で相互に
接続する場合について図５を用いて説明したが、接続導
体１２ａ，１２ｂの構成について、上記実施例２または
実施例４で説明した構成、さらには実施例３で説明した
共振器を備えた構成を適用することができ、上記実施例
２、実施例３または実施例４で説明したと同様の効果が
得られる。
【００２６】実施例６． 図６は、実施例６を示す概略構成図であり、図１に示し
た実施例１のトリプレート線路共振器の変わりにマイク
ロストリップ線路共振器を用いて構成した場合である。
図において、１ａは誘電体基板、２ａ〜４ａは誘電体基
板１ａの一方の面に導体膜を密着して形成された内導
体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密
着して形成した外導体、１６〜１８は誘電体基板１ａ
と、内導体２ａ〜４ａと、外導体５ａとからなるマイク
ロストリップ線路の共振器、１０，１１はそれぞれ内導
体２ａ，４ａに内導体が直接接続された入出力線路、１
２ａは誘電体基板１ａの内導体の同じ位置を接続するた
めに内導体２ａ〜４ａと直交する向きに導体膜を密着し
て形成された接続導体、１３ａ〜１５ａは短絡部であ
る。内導体２ａ〜４ａ、接続導体１２ａは薄膜あるいは
厚膜で形成され、フォトエッチング等により成形され
る。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所望の基本波に
対して約１／４波長に設定されており、それぞれが、一
端が誘電体基板１ａの側面の短絡部１３ａ〜１５ａにお
いて外導体５ａと接続されている。このため、共振器１
６〜１８は一端短絡他端開放の１／４波長共振器となっ
ている。この実施例６では、図１に示した実施例１の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、接続導体１
２ａが露出しているため、接続導体１２ａの幅をトリミ
ングすることで共振器間の結合量を容易に調整できると
いう効果を有する。
た実施例１のトリプレート線路共振器の変わりにマイク
ロストリップ線路共振器を用いて構成した場合である。
図において、１ａは誘電体基板、２ａ〜４ａは誘電体基
板１ａの一方の面に導体膜を密着して形成された内導
体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密
着して形成した外導体、１６〜１８は誘電体基板１ａ
と、内導体２ａ〜４ａと、外導体５ａとからなるマイク
ロストリップ線路の共振器、１０，１１はそれぞれ内導
体２ａ，４ａに内導体が直接接続された入出力線路、１
２ａは誘電体基板１ａの内導体の同じ位置を接続するた
めに内導体２ａ〜４ａと直交する向きに導体膜を密着し
て形成された接続導体、１３ａ〜１５ａは短絡部であ
る。内導体２ａ〜４ａ、接続導体１２ａは薄膜あるいは
厚膜で形成され、フォトエッチング等により成形され
る。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所望の基本波に
対して約１／４波長に設定されており、それぞれが、一
端が誘電体基板１ａの側面の短絡部１３ａ〜１５ａにお
いて外導体５ａと接続されている。このため、共振器１
６〜１８は一端短絡他端開放の１／４波長共振器となっ
ている。この実施例６では、図１に示した実施例１の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、接続導体１
２ａが露出しているため、接続導体１２ａの幅をトリミ
ングすることで共振器間の結合量を容易に調整できると
いう効果を有する。
【００２７】実施例７． 図７は、実施例７を示す概略構成図であり、図２に示し
た実施例２のトリプレート線路共振器の変わりにマイク
ロストリップ線路共振器を用いて構成した場合である。
図において、１２ａは誘電体基板１ａの内導体の異なる
位置を接続するために導体膜を密着して形成された接続
導体であり、１ａ，２ａ〜４ａ，５ａ，１６〜１８，１
０，１１，１３ａ〜１５ａおよび概略構成は図６と同様
である。この実施例７では、図２に示した実施例２の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、接続導体１
２ａが露出しているため、接続導体１２ａの幅をトリミ
ングすることで共振器間の結合量を容易に調整できると
いう効果を有する。
た実施例２のトリプレート線路共振器の変わりにマイク
ロストリップ線路共振器を用いて構成した場合である。
図において、１２ａは誘電体基板１ａの内導体の異なる
位置を接続するために導体膜を密着して形成された接続
導体であり、１ａ，２ａ〜４ａ，５ａ，１６〜１８，１
０，１１，１３ａ〜１５ａおよび概略構成は図６と同様
である。この実施例７では、図２に示した実施例２の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、接続導体１
２ａが露出しているため、接続導体１２ａの幅をトリミ
ングすることで共振器間の結合量を容易に調整できると
いう効果を有する。
【００２８】実施例８． 図８は、実施例８を示す概略構成図であり、上記実施例
６または実施例７で示した内導体２ａ〜４ａと一体形成
された接続導体１２ａの代わりに、個別の接続導体１２
ａを内導体２ａ〜４ａに接続した場合を示す。この実施
例８では、実施例６または実施例７の場合と同様の動作
原理および利点を有する他、接続導体１２ａの位置が可
変であるため、結合量を容易に調整できるという効果を
有する。
６または実施例７で示した内導体２ａ〜４ａと一体形成
された接続導体１２ａの代わりに、個別の接続導体１２
ａを内導体２ａ〜４ａに接続した場合を示す。この実施
例８では、実施例６または実施例７の場合と同様の動作
原理および利点を有する他、接続導体１２ａの位置が可
変であるため、結合量を容易に調整できるという効果を
有する。
【００２９】実施例９． 図９は、実施例９を示す概略構成図であり、図３に示し
た実施例３のトリプレート線路共振器の変わりにマイク
ロストリップ線路共振器を用いて構成した場合である。
図において、１２ａは誘電体基板１ａの内導体を接続す
るために導体膜を密着して形成された接続導体、２１ａ
は誘電体基板１ａの接続導体上に短絡部を持つように導
体膜を密着して形成された内導体、２２，２３は誘電体
基板１ａと、内導体２１ａと、外導体５ａとからなるマ
イクロストリップ線路の共振器であり、１ａ，２ａ〜４
ａ，５ａ，１６〜１８，１０，１１，１３ａ〜１５ａお
よび概略構成は図６と同様である。この実施例９では、
図３に示した実施例３の場合と同様の動作原理および利
点を有する他、接続導体１２ａおよび内導体２１ａが露
出しているため、接続導体１２ａの幅等をトリミングす
ることで共振器間の結合量を容易に調整できるという効
果を有する。
た実施例３のトリプレート線路共振器の変わりにマイク
ロストリップ線路共振器を用いて構成した場合である。
図において、１２ａは誘電体基板１ａの内導体を接続す
るために導体膜を密着して形成された接続導体、２１ａ
は誘電体基板１ａの接続導体上に短絡部を持つように導
体膜を密着して形成された内導体、２２，２３は誘電体
基板１ａと、内導体２１ａと、外導体５ａとからなるマ
イクロストリップ線路の共振器であり、１ａ，２ａ〜４
ａ，５ａ，１６〜１８，１０，１１，１３ａ〜１５ａお
よび概略構成は図６と同様である。この実施例９では、
図３に示した実施例３の場合と同様の動作原理および利
点を有する他、接続導体１２ａおよび内導体２１ａが露
出しているため、接続導体１２ａの幅等をトリミングす
ることで共振器間の結合量を容易に調整できるという効
果を有する。
【００３０】実施例１０． 図１０は、実施例１０を示す概略構成図であり、図４に
示した実施例４のトリプレート線路共振器の変わりにマ
イクロストリップ線路共振器を用いて構成した場合であ
る。図において、１２ａは誘電体基板１ａの内導体を接
続するために導体膜を密着して形成された接続導体であ
り、所望の共振器の間隔や、周波数の特性に応じて変形
したものである。なお、１ａ，２ａ〜４ａ，５ａ，１６
〜１８，１０，１１，１３ａ〜１５ａおよび概略構成は
図６と同様である。この実施例１０では、図４に示した
実施例４の場合と同様の動作原理および利点を有する
他、接続導体１２ａが露出しているため、接続導体１２
ａの幅をトリミングすることで共振器間の結合量を容易
に調整できるという効果を有する。
示した実施例４のトリプレート線路共振器の変わりにマ
イクロストリップ線路共振器を用いて構成した場合であ
る。図において、１２ａは誘電体基板１ａの内導体を接
続するために導体膜を密着して形成された接続導体であ
り、所望の共振器の間隔や、周波数の特性に応じて変形
したものである。なお、１ａ，２ａ〜４ａ，５ａ，１６
〜１８，１０，１１，１３ａ〜１５ａおよび概略構成は
図６と同様である。この実施例１０では、図４に示した
実施例４の場合と同様の動作原理および利点を有する
他、接続導体１２ａが露出しているため、接続導体１２
ａの幅をトリミングすることで共振器間の結合量を容易
に調整できるという効果を有する。
【００３１】実施例１１． 図１１は、実施例１１を示す概略構成図であり、図５に
示した実施例５のトリプレート線路共振器の変わりにマ
イクロストリップ線路共振器を用いて構成した場合であ
る。図において、１ａは誘電体基板、２００ａ〜７００
ａは誘電体基板１ａの一方の面に放射状に導体膜を密着
して形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の
面全体に導体膜を密着して形成した外導体、２００〜７
００は誘電体基板１ａと内導体２００ａ〜７００ａと、
外導体５ａとからなるマイクロストリップ線路の共振
器、１０，１１はそれぞれ内導体２００ａ，７００ａに
内導体が直接接続された入出力線路、１２ａは内導体の
異なる位置を接続するために導体膜を密着して形成され
た接続導体、１３ａは誘電体基板１ａの中央部に設けら
れた短絡部である。内導体２００ａ〜７００ａおよび接
続導体１２ａは薄膜あるいは厚膜で形成され、フォトエ
ッチング等により成形される。内導体２００ａ〜７００
ａはそれぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４波長
に設定されており、内導体２００ａ〜７００ａは一端が
誘電体基板１ａの中央部に設けられた短絡部１３ａにお
いて外導体５ａと接続されている。このため、共振器２
００〜７００は一端短絡他端開放の１／４波長共振器と
なっている。この実施例においても、共振器２００〜７
００の間の結合量は接続導体１２ａの短絡端側からの位
置を変化させることで調整することができ、実施例６同
様の効果を有する。さらに、実施例１１では、内導体２
００ａ〜７００ａの短絡部を共有するので、フィルタを
小形化できる。また、上記実施例１１では接続導体１２
ａが隣接する内導体を短絡部１３ａから所定距離だけ離
れた位置で相互に接続する場合について図１１を用いて
説明したが、接続導体１２ａの構成について、上記実施
例７または実施例１０で説明した構成、実施例９で説明
した共振器を備えた構成、さらに実施例８で説明した構
成を適用することができ、上記実施例７、実施例８、実
施例９または実施例１０で説明したと同様の効果が得ら
れる。
示した実施例５のトリプレート線路共振器の変わりにマ
イクロストリップ線路共振器を用いて構成した場合であ
る。図において、１ａは誘電体基板、２００ａ〜７００
ａは誘電体基板１ａの一方の面に放射状に導体膜を密着
して形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の
面全体に導体膜を密着して形成した外導体、２００〜７
００は誘電体基板１ａと内導体２００ａ〜７００ａと、
外導体５ａとからなるマイクロストリップ線路の共振
器、１０，１１はそれぞれ内導体２００ａ，７００ａに
内導体が直接接続された入出力線路、１２ａは内導体の
異なる位置を接続するために導体膜を密着して形成され
た接続導体、１３ａは誘電体基板１ａの中央部に設けら
れた短絡部である。内導体２００ａ〜７００ａおよび接
続導体１２ａは薄膜あるいは厚膜で形成され、フォトエ
ッチング等により成形される。内導体２００ａ〜７００
ａはそれぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４波長
に設定されており、内導体２００ａ〜７００ａは一端が
誘電体基板１ａの中央部に設けられた短絡部１３ａにお
いて外導体５ａと接続されている。このため、共振器２
００〜７００は一端短絡他端開放の１／４波長共振器と
なっている。この実施例においても、共振器２００〜７
００の間の結合量は接続導体１２ａの短絡端側からの位
置を変化させることで調整することができ、実施例６同
様の効果を有する。さらに、実施例１１では、内導体２
００ａ〜７００ａの短絡部を共有するので、フィルタを
小形化できる。また、上記実施例１１では接続導体１２
ａが隣接する内導体を短絡部１３ａから所定距離だけ離
れた位置で相互に接続する場合について図１１を用いて
説明したが、接続導体１２ａの構成について、上記実施
例７または実施例１０で説明した構成、実施例９で説明
した共振器を備えた構成、さらに実施例８で説明した構
成を適用することができ、上記実施例７、実施例８、実
施例９または実施例１０で説明したと同様の効果が得ら
れる。
【００３２】実施例１２． 図１２は、実施例１２を示す概略構成図である。図にお
いて、１ａは円筒形の誘電体基板、２ａ〜４ａは円筒形
の誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着して形成さ
れた内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体に導
体膜を密着して形成した外導体、１６〜１８は誘電体基
板１ａと、内導体２ａ〜４ａと、外導体５ａとからなる
マイクロストリップ線路の共振器、１０，１１はそれぞ
れ内導体２ａ，４ａに内導体が直接接続された入出力線
路（ただし、入出力線路１１は図示を省略する。）、１
２ａは内導体を接続するために導体膜を誘電体基板１ａ
に密着して形成された接続導体、１３ａ〜１５ａは短絡
部である。接続導体１２ａには、所望の共振器の間隔
や、周波数の特性に応じて上記実施例６〜１０の構成を
適用すればよい。なお、ここでは実施例６に相当する場
合を示す。内導体２ａ〜４ａ、接続導体１２ａは薄膜あ
るいは厚膜で形成され、フォトエッチング等により形成
される。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所望の基本
波に対して約１／４波長に設定されており、それぞれ
が、一端が誘電体基板１ａの側面の短絡部１３ａ〜１５
ａにおいて外導体５ａと接続されている。このため、共
振器６〜８は一端短絡他端開放の１／４波長共振器とな
っている。この実施例は、上記実施例６〜１０の場合と
同様な動作原理および利点を有する他、誘電体基板を円
筒状にしたことで小形のフィルタを実現できる。
いて、１ａは円筒形の誘電体基板、２ａ〜４ａは円筒形
の誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着して形成さ
れた内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体に導
体膜を密着して形成した外導体、１６〜１８は誘電体基
板１ａと、内導体２ａ〜４ａと、外導体５ａとからなる
マイクロストリップ線路の共振器、１０，１１はそれぞ
れ内導体２ａ，４ａに内導体が直接接続された入出力線
路（ただし、入出力線路１１は図示を省略する。）、１
２ａは内導体を接続するために導体膜を誘電体基板１ａ
に密着して形成された接続導体、１３ａ〜１５ａは短絡
部である。接続導体１２ａには、所望の共振器の間隔
や、周波数の特性に応じて上記実施例６〜１０の構成を
適用すればよい。なお、ここでは実施例６に相当する場
合を示す。内導体２ａ〜４ａ、接続導体１２ａは薄膜あ
るいは厚膜で形成され、フォトエッチング等により形成
される。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所望の基本
波に対して約１／４波長に設定されており、それぞれ
が、一端が誘電体基板１ａの側面の短絡部１３ａ〜１５
ａにおいて外導体５ａと接続されている。このため、共
振器６〜８は一端短絡他端開放の１／４波長共振器とな
っている。この実施例は、上記実施例６〜１０の場合と
同様な動作原理および利点を有する他、誘電体基板を円
筒状にしたことで小形のフィルタを実現できる。
【００３３】実施例１３． 図１３は、実施例１３を示す概略構成図である。図にお
いて、１ａ，１ｂは誘電体基板、２０ａ，２０ｂは誘電
体基板１ａ，１ｂと異なる誘電率の誘電体層である誘電
体薄膜、２ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体
膜を密着して形成された内導体、２ｂ〜４ｂは誘電体基
板１ｂの一方の面に導体膜を密着して形成された内導
体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密
着して形成した外導体、５ｂは誘電体基板１ｂの他方の
面全体に導体膜を密着して形成した外導体、６〜８は誘
電体基板１ａ，１ｂおよび誘電体薄膜２０ａ，２０ｂ
と、内導体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂと、外導体５ａ，５
ｂとからなるトリプレート線路の共振器、１０，１１は
それぞれ内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂに内導体が直接
接続された入出力線路、１３ａ〜１５ａ、１３ｂ〜１５
ｂは短絡部である。誘電体基板１ａと１ｂおよび誘電体
薄膜２０ａ，２０ｂは、内導体２ａと２ｂ，３ａと３
ｂ，４ａと４ｂがそれぞれ対向し重なるように重ね合わ
され、対向する内導体が電気的に接触するように接着さ
れている。また、内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂはそれ
ぞれ誘電体薄膜２０ａ，２０ｂ上に形成され、誘電体薄
膜２０ａ，２０ｂはそれぞれ誘電体基板１ａ，１ｂ上に
接着されている。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所
望の基本波に対して約１／４波長に設定されており、内
導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂは一端が誘電体基板１ａ，
１ｂの側面の短絡部１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂに
おいて外導体５ａ，５ｂと接続されている。このため、
共振器６〜８は一端短絡他端開放の１／４波長共振器と
なっている。なお、従来の場合と同様、誘電体基板１ａ
において、内導体２ａ〜４ａは誘電体基板１ｂより長く
設定されている。これら誘電体基板１ａと１ｂは共振器
６〜８の短絡端側が揃うように配置することにより、内
導体２ａ〜４ａの開放端側を露出させている。
いて、１ａ，１ｂは誘電体基板、２０ａ，２０ｂは誘電
体基板１ａ，１ｂと異なる誘電率の誘電体層である誘電
体薄膜、２ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体
膜を密着して形成された内導体、２ｂ〜４ｂは誘電体基
板１ｂの一方の面に導体膜を密着して形成された内導
体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密
着して形成した外導体、５ｂは誘電体基板１ｂの他方の
面全体に導体膜を密着して形成した外導体、６〜８は誘
電体基板１ａ，１ｂおよび誘電体薄膜２０ａ，２０ｂ
と、内導体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂと、外導体５ａ，５
ｂとからなるトリプレート線路の共振器、１０，１１は
それぞれ内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂに内導体が直接
接続された入出力線路、１３ａ〜１５ａ、１３ｂ〜１５
ｂは短絡部である。誘電体基板１ａと１ｂおよび誘電体
薄膜２０ａ，２０ｂは、内導体２ａと２ｂ，３ａと３
ｂ，４ａと４ｂがそれぞれ対向し重なるように重ね合わ
され、対向する内導体が電気的に接触するように接着さ
れている。また、内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂはそれ
ぞれ誘電体薄膜２０ａ，２０ｂ上に形成され、誘電体薄
膜２０ａ，２０ｂはそれぞれ誘電体基板１ａ，１ｂ上に
接着されている。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所
望の基本波に対して約１／４波長に設定されており、内
導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂは一端が誘電体基板１ａ，
１ｂの側面の短絡部１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂに
おいて外導体５ａ，５ｂと接続されている。このため、
共振器６〜８は一端短絡他端開放の１／４波長共振器と
なっている。なお、従来の場合と同様、誘電体基板１ａ
において、内導体２ａ〜４ａは誘電体基板１ｂより長く
設定されている。これら誘電体基板１ａと１ｂは共振器
６〜８の短絡端側が揃うように配置することにより、内
導体２ａ〜４ａの開放端側を露出させている。
【００３４】次に動作について説明する。上記ストリッ
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８は誘電体基板１
ａ，１ｂと誘電体薄膜２０ａ，２０ｂの誘電率の違いに
よる不均質性により、偶モードと奇モードの位相定数が
異なることから、隣接共振器間の結合が得られる。共振
器６〜８が同一周波数ｆ0 で共振するとすれば、周波数
ｆ0 では共振器６〜８は結合し、入出力線路１０への入
射波は入出力線路１１へ導かれる。しかし、ｆ0 以外の
周波数では共振器間の結合は弱く、入出力線路１０への
入射波はほとんど反射される。このように図１３に示す
実施例１３のストリップ線路フィルタは帯域通過フィル
タとしての機能を有する。共振器６〜８の間の結合量は
共振器の間隔、あるいは誘電体薄膜の厚みを変化させる
ことで調整することができる。また、共振周波数は内導
体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂの長さを変化させたり、開放
端に誘電体を接着したりして容易に調整することができ
る。入出力線路１０，１１と、共振器６，８の結合量は
入出力線路１０，１１と内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂ
との接続位置を変化させることで調整できる。以上のよ
うに、図１３のストリップ線路フィルタは共振器６〜８
の間の結合量調整のための誘電体基板への溝加工または
接続導体が不要であり、誘電体基板１ａ，１ｂの外形加
工と導体膜のエッチング加工、および誘電体薄膜の接着
または堆積などで製作できる。さらに、誘電体薄膜に誘
電体損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑える
ことができる。
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８は誘電体基板１
ａ，１ｂと誘電体薄膜２０ａ，２０ｂの誘電率の違いに
よる不均質性により、偶モードと奇モードの位相定数が
異なることから、隣接共振器間の結合が得られる。共振
器６〜８が同一周波数ｆ0 で共振するとすれば、周波数
ｆ0 では共振器６〜８は結合し、入出力線路１０への入
射波は入出力線路１１へ導かれる。しかし、ｆ0 以外の
周波数では共振器間の結合は弱く、入出力線路１０への
入射波はほとんど反射される。このように図１３に示す
実施例１３のストリップ線路フィルタは帯域通過フィル
タとしての機能を有する。共振器６〜８の間の結合量は
共振器の間隔、あるいは誘電体薄膜の厚みを変化させる
ことで調整することができる。また、共振周波数は内導
体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂの長さを変化させたり、開放
端に誘電体を接着したりして容易に調整することができ
る。入出力線路１０，１１と、共振器６，８の結合量は
入出力線路１０，１１と内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂ
との接続位置を変化させることで調整できる。以上のよ
うに、図１３のストリップ線路フィルタは共振器６〜８
の間の結合量調整のための誘電体基板への溝加工または
接続導体が不要であり、誘電体基板１ａ，１ｂの外形加
工と導体膜のエッチング加工、および誘電体薄膜の接着
または堆積などで製作できる。さらに、誘電体薄膜に誘
電体損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑える
ことができる。
【００３５】実施例１４． 図１４は、実施例１４を示す概略構成図である。図にお
いて、１ａは誘電体基板、２０ａは誘電体基板１ａと異
なる誘電率の誘電体薄膜、２ａ〜４ａは誘電体基板１ａ
の一方の面に導体膜を密着して形成された内導体、５ａ
は誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密着して形
成した外導体、６〜８は誘電体基板１ａおよび誘電体薄
膜２０ａと、内導体２ａ〜４ａと、外導体５ａとからな
るマイクロストリップ線路の共振器、１０，１１はそれ
ぞれ内導体２ａ，４ａに内導体が直接接続された入出力
線路、１３ａ〜１５ａは短絡部である。内導体２ａ〜４
ａは誘電体薄膜２０ａ上に形成され、誘電体薄膜２０ａ
は誘電体基板１ａ上に接着されている。内導体２ａ〜４
ａはそれぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４波長
に設定されており、内導体２ａ〜４ａは一端が誘電体基
板１ａの側面の短絡部１３ａ〜１５ａにおいて外導体５
ａと接続されている。このため、共振器６〜８は一端短
絡他端開放の１／４波長共振器となっている。この実施
例１４の動作については、上記実施例１３の説明から明
かであり、省略する。以上のように、図１４のマイクロ
ストリップ線路フィルタは共振器６〜８の間の結合量調
整のための誘電体基板への溝加工または接続導体が不要
である。さらに、誘電体薄膜に誘電体損の小さい材質を
用いることで、伝送損失を抑えることができる。また、
この実施例１４のマイクロストリップ線路フィルタで
は、実施例６〜１０の接続導体１２ａおよび内導体２１
ａを露出させて形成できるため、図１４に示したマイク
ロストリップ線路フィルタにおいて、上記実施例６〜１
０のいずれかと同様の接続導体１２ａおよび内導体２１
ａを設けることにより、さらに結合量の調整の自由度を
大きくでき、設計ならびに調整が容易にできる。
いて、１ａは誘電体基板、２０ａは誘電体基板１ａと異
なる誘電率の誘電体薄膜、２ａ〜４ａは誘電体基板１ａ
の一方の面に導体膜を密着して形成された内導体、５ａ
は誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密着して形
成した外導体、６〜８は誘電体基板１ａおよび誘電体薄
膜２０ａと、内導体２ａ〜４ａと、外導体５ａとからな
るマイクロストリップ線路の共振器、１０，１１はそれ
ぞれ内導体２ａ，４ａに内導体が直接接続された入出力
線路、１３ａ〜１５ａは短絡部である。内導体２ａ〜４
ａは誘電体薄膜２０ａ上に形成され、誘電体薄膜２０ａ
は誘電体基板１ａ上に接着されている。内導体２ａ〜４
ａはそれぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４波長
に設定されており、内導体２ａ〜４ａは一端が誘電体基
板１ａの側面の短絡部１３ａ〜１５ａにおいて外導体５
ａと接続されている。このため、共振器６〜８は一端短
絡他端開放の１／４波長共振器となっている。この実施
例１４の動作については、上記実施例１３の説明から明
かであり、省略する。以上のように、図１４のマイクロ
ストリップ線路フィルタは共振器６〜８の間の結合量調
整のための誘電体基板への溝加工または接続導体が不要
である。さらに、誘電体薄膜に誘電体損の小さい材質を
用いることで、伝送損失を抑えることができる。また、
この実施例１４のマイクロストリップ線路フィルタで
は、実施例６〜１０の接続導体１２ａおよび内導体２１
ａを露出させて形成できるため、図１４に示したマイク
ロストリップ線路フィルタにおいて、上記実施例６〜１
０のいずれかと同様の接続導体１２ａおよび内導体２１
ａを設けることにより、さらに結合量の調整の自由度を
大きくでき、設計ならびに調整が容易にできる。
【００３６】実施例１５． 図１５は、実施例１５を示す概略構成図であり、実施例
１３および実施例１４で説明した、誘電体薄膜２０ａを
備えて共振器６〜８の間の結合量調整を行う構成を、実
施例１２で説明した、誘電体基板を円筒状にしたマイク
ロストリップ線路フィルタに適用した場合を示すもので
ある。図において、１ａは円筒形の誘電体基板、２０ａ
は円筒形の誘電体基板１ａ上に設けられた誘電体薄膜、
２ａ〜４ａは誘電体薄膜２０ａ上に形成された内導体で
ある。この実施例１５の動作については、上記実施例１
３の説明から明かであり、省略する。以上のように、実
施例１５のマイクロストリップ線路フィルタは共振器６
〜８の間の結合量調整のための誘電体基板への溝加工ま
たは接続導体が不要である。また、誘電体薄膜に誘電体
損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑えること
ができる。さらに、誘電体基板を円筒状にしたことで小
形のフィルタを実現できる。また、この実施例１５のマ
イクロストリップ線路フィルタでは、実施例６〜１０の
接続導体１２ａおよび内導体２１ａを露出させて形成で
きるため、図１５に示したマイクロストリップ線路フィ
ルタにおいて、上記実施例６〜１０のいずれかと同様の
接続導体１２ａおよび内導体２１ａを設けることによ
り、さらに結合量の調整の自由度を大きくでき、設計な
らびに調整が容易にできる。
１３および実施例１４で説明した、誘電体薄膜２０ａを
備えて共振器６〜８の間の結合量調整を行う構成を、実
施例１２で説明した、誘電体基板を円筒状にしたマイク
ロストリップ線路フィルタに適用した場合を示すもので
ある。図において、１ａは円筒形の誘電体基板、２０ａ
は円筒形の誘電体基板１ａ上に設けられた誘電体薄膜、
２ａ〜４ａは誘電体薄膜２０ａ上に形成された内導体で
ある。この実施例１５の動作については、上記実施例１
３の説明から明かであり、省略する。以上のように、実
施例１５のマイクロストリップ線路フィルタは共振器６
〜８の間の結合量調整のための誘電体基板への溝加工ま
たは接続導体が不要である。また、誘電体薄膜に誘電体
損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑えること
ができる。さらに、誘電体基板を円筒状にしたことで小
形のフィルタを実現できる。また、この実施例１５のマ
イクロストリップ線路フィルタでは、実施例６〜１０の
接続導体１２ａおよび内導体２１ａを露出させて形成で
きるため、図１５に示したマイクロストリップ線路フィ
ルタにおいて、上記実施例６〜１０のいずれかと同様の
接続導体１２ａおよび内導体２１ａを設けることによ
り、さらに結合量の調整の自由度を大きくでき、設計な
らびに調整が容易にできる。
【００３７】上記実施例１３〜１５で説明した誘電体薄
膜２０ａ，２０ｂを備えた構成は、上記実施例５および
実施例１１にも適用でき、同様の効果を得られることは
言うまでもない。また、上記実施例１４などにおいて
は、誘電体薄膜２０ａ上にあらかじめ内導体２ａ〜４
ａ、外導体５ａ、短絡部１３ａ〜１５ａ、入出力線路１
０，１１などをパターン形成しておき、これを誘電体基
板１ａ上に接着などすれば、非常に容易にマイクロスト
リップ線路フィルタを製造できる。この場合には誘電体
基板１ａと外導体５ａの間にも誘電体薄膜２０ａが挿入
される構成となる。なお、以上の実施例では主に共振器
が３つの場合について示したが、４つ以上の場合にも上
記同様に適用できることは言うまでもない。
膜２０ａ，２０ｂを備えた構成は、上記実施例５および
実施例１１にも適用でき、同様の効果を得られることは
言うまでもない。また、上記実施例１４などにおいて
は、誘電体薄膜２０ａ上にあらかじめ内導体２ａ〜４
ａ、外導体５ａ、短絡部１３ａ〜１５ａ、入出力線路１
０，１１などをパターン形成しておき、これを誘電体基
板１ａ上に接着などすれば、非常に容易にマイクロスト
リップ線路フィルタを製造できる。この場合には誘電体
基板１ａと外導体５ａの間にも誘電体薄膜２０ａが挿入
される構成となる。なお、以上の実施例では主に共振器
が３つの場合について示したが、４つ以上の場合にも上
記同様に適用できることは言うまでもない。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、請求項１〜請求項６の発
明によれば、接続導体を介して隣接共振器間の所望の結
合量を得られ、導体膜のエッチング加工で製作できる量
産性に優れたストリップ線路フィルタあるいはマイクロ
ストリップ線路フィルタを得られる効果がある。
明によれば、接続導体を介して隣接共振器間の所望の結
合量を得られ、導体膜のエッチング加工で製作できる量
産性に優れたストリップ線路フィルタあるいはマイクロ
ストリップ線路フィルタを得られる効果がある。
【００３９】さらに、請求項４〜６の発明によれば、接
続導体が露出しているため、トリミングで接続導体の幅
を変化させて、結合量を容易に微調整できる効果があ
る。
続導体が露出しているため、トリミングで接続導体の幅
を変化させて、結合量を容易に微調整できる効果があ
る。
【００４０】また、請求項１又は請求項４の発明によれ
ば、隣接する内導体を、短絡部からそれぞれ異なる所定
距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、
上記接続導体の位置により上記隣接する内導体からなる
隣接するストリップ線路共振器又はマイクロストリップ
線路共振器の結合量を調整するので、接続導体の接続位
置設定の自由度が増加し、共振器の配置を変えることな
く、接続導体を介して所望の結合量を狭い共振器間隔に
おいて得ることができ、ストリップ線路フィルタあるい
はマイクロストリップ線路フィルタを小形化できる効果
がある。
ば、隣接する内導体を、短絡部からそれぞれ異なる所定
距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、
上記接続導体の位置により上記隣接する内導体からなる
隣接するストリップ線路共振器又はマイクロストリップ
線路共振器の結合量を調整するので、接続導体の接続位
置設定の自由度が増加し、共振器の配置を変えることな
く、接続導体を介して所望の結合量を狭い共振器間隔に
おいて得ることができ、ストリップ線路フィルタあるい
はマイクロストリップ線路フィルタを小形化できる効果
がある。
【００４１】また、請求項２又は請求項５の発明によれ
ば、接続導体上に短絡部を持つ内導体を有するので、所
望の周波数以外の周波数での結合を抑圧されたストリッ
プ線路フィルタあるいはマイクロストリップ線路フィル
タを得られる効果がある。
ば、接続導体上に短絡部を持つ内導体を有するので、所
望の周波数以外の周波数での結合を抑圧されたストリッ
プ線路フィルタあるいはマイクロストリップ線路フィル
タを得られる効果がある。
【００４２】また、請求項３又は請求項６の発明によれ
ば、内導体が短絡部を共有する放射状に形成されている
ので、ストリップ線路フィルタあるいはマイクロストリ
ップ線路フィルタを円形に形成でき、小形化できる効果
がある。
ば、内導体が短絡部を共有する放射状に形成されている
ので、ストリップ線路フィルタあるいはマイクロストリ
ップ線路フィルタを円形に形成でき、小形化できる効果
がある。
【図１】この発明の実施例１を示す概略構成図である。
【図２】この発明の実施例２を示す概略構成図である。
【図３】この発明の実施例３を示す概略構成図である。
【図４】この発明の実施例４を示す概略構成図である。
【図５】この発明の実施例５を示す概略構成図である。
【図６】この発明の実施例６を示す概略構成図である。
【図７】この発明の実施例７を示す概略構成図である。
【図８】この発明の実施例８を示す概略構成図である。
【図９】この発明の実施例９を示す概略構成図である。
【図１０】この発明の実施例１０を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１１】この発明の実施例１１を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１２】この発明の実施例１２を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１３】この発明の実施例１３を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１４】この発明の実施例１４を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１５】この発明の実施例１５を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１６】従来のストリップ線路フィルタを示す概略構
成図である。
成図である。
１ａ，１ｂ 誘電体基板 ２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ 内導体 ５ａ，５ｂ 外導体 ６〜８ ストリップ線路の共振器 ９ａ，９ｂ 溝 １０，１１ 入出力線路 １２ａ，１２ｂ 接続導体 １３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂ 短絡部 １６〜１８ 共振器 ２０ａ，２０ｂ 誘電体薄膜 ２１ａ，２１ｂ 内導体 ２２，２３ 共振器 ２００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂ 内導体 ２００〜７００ 共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−161802（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−100002（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−127401（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−141005（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−61507（ＪＰ，Ｕ) 電子通信学会70周年記念（昭和62年) 全国大会講演論文集 Ｓ10−２ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01P 1/203 H01P 1/205
Claims (6)
- 【請求項１】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電体
基板のそれぞれの一方の面に形成された外導体と、上記
誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に相互に略
平行に形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部
を形成する複数の内導体とを備え、上記外導体、誘電体
基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてス
トリップ線路共振器が形成されたストリップ線路フィル
タにおいて、上記内導体のうち、隣接する内導体を、上
記短絡部からそれぞれ異なる所定距離だけ離れた位置で
相互に接続する接続導体を設け、上記接続導体の位置に
より上記隣接する内導体からなる隣接するストリップ線
路共振器の結合量を調整することを特徴とするストリッ
プ線路フィルタ。 - 【請求項２】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電体
基板のそれぞれの一方の面に形成された外導体と、上記
誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に相互に略
平行に形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部
を形成する複数の内導体とを備え、上記外導体、誘電体
基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてな
るストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さ
らに上記接続導体が、接続導体上に短絡部を持つ内導体
を有することを特徴とするストリップ線路フィルタ。 - 【請求項３】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電体
基板のそれぞれの一方の面に形成された外導体と、上記
誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に一端を共
通として放射状に形成され、上記一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順
で重ねられてストリップ線路共振器が形成され、上記内
導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から所定距
離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接続導体あるい
は請求項１又は請求項２記載の接続導体が設けられたこ
とを特徴とするストリップ線路フィルタ。 - 【請求項４】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の
面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面に
相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に接続され
て短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電体
基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線路
の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内導
体を、上記短絡部からそれぞれ異なる所定距離だけ離れ
た位置で相互に接続する接続導体を設け、上記接続導体
の位置により上記隣接する内導体からなる隣接するマイ
クロストリップ線路の共振器の結合量を調整することを
特徴とするマイクロストリップ線路フィルタ。 - 【請求項５】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の
面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面に
相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に接続され
て短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電体
基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線路
の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内導
体を、上記短絡部からそれぞれ所定距離だけ離れた位置
で相互に接続する接続導体を設け、さらに上記接続導体
が、接続導体上に短絡部を持つ内導体を有することを特
徴とするマイクロストリップ線路フィルタ。 - 【請求項６】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の
面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面に
一端を共通として放射状に形成され、上記一端が上記外
導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備
え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイクロ
ストリップ線路の共振器が形成され、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部から所定距離だけ離
れた同じ位置で相互に接続する接続導体あるいは請求項
４又は請求項５記載の接続導体が設けられたことを特徴
とするマイクロストリップ線路フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243565A JP2765396B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243565A JP2765396B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697702A JPH0697702A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2765396B2 true JP2765396B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17105735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4243565A Expired - Fee Related JP2765396B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765396B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2615672B1 (fr) * | 1987-05-22 | 1995-03-10 | Cepe | Oscillateur a resonateur piezo-electrique compense en temperature, a haute purete spectrale et commandable en frequence |
| JP3379326B2 (ja) * | 1996-02-20 | 2003-02-24 | 三菱電機株式会社 | 高周波フィルタ |
| JP2008288661A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 積層フィルタ |
| US8884722B2 (en) * | 2009-01-29 | 2014-11-11 | Baharak Mohajer-Iravani | Inductive coupling in transverse electromagnetic mode |
| FI126467B (fi) * | 2014-05-23 | 2016-12-30 | Tongyu Tech Oy | RF-suodatin |
| US10763561B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-09-01 | Nec Corporation | Band-pass filter and control method thereof |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58127401A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-29 | Nec Corp | 帯域通過フイルタ |
| JPS58141005A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-22 | Sony Corp | マイクロ波用バンドパスフイルタ |
| JPS6110000A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Asanuma Sogyo Kk | ペンシル型化粧品容器内の粉体の固化法およびその装置 |
| JPS61100002A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平面型誘電体フイルタ |
| JPS61161802A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波ろ波器 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4243565A patent/JP2765396B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電子通信学会７０周年記念（昭和６２年）全国大会講演論文集 Ｓ１０−２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697702A (ja) | 1994-04-08 |
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