JP2759414B2

JP2759414B2 - 半導体装置の作製方法

Info

Publication number: JP2759414B2
Application number: JP28428793A
Authority: JP
Inventors: 利光小沼; 彰菅原; 由起子上原
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1993-10-19
Filing date: 1993-10-19
Publication date: 1998-05-28
Anticipated expiration: 2013-05-28
Also published as: JPH07135213A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁表面を有する基板
上に形成された半導体装置に利用できる電極や配線の構
造、及びその作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、タンタルやアルミニウムを用
いて微細配線を形成する技術が知られている。そして、
これら配線の周囲を酸化物で覆い、絶縁化する技術も知
られている。これらの技術は、基板上に形成された集積
回路等に利用することができる。特に、ガラス基板等の
絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を集積化した、アクティブマトリックス型の
液晶表示装置の配線部分に利用することができる。

【０００３】この技術の一例を図２に示す。図２におい
て、適当な基体２１（一般に絶縁体である）上に配線を
形成するためのアルミニウム膜２２が形成されている。
このアルミニウム膜中には、IIIa族の元素であるＳｃや
Ｙが添加されている。以下において、単にアルミニウム
といった場合、このような不純物が添加されたものも含
むものとする。このアルミニウム膜を配線として形成す
るには、レジストマスク２３を用いてアルミニウム膜を
エッチングする必要がある。

【０００４】エッチングとしては、等方性のウエットエ
ッチングが通常用いられる。この場合、エッチングされ
た端部の状態は、図２（Ｂ）めつ２４に示すようななだ
らかな形状を有する状態となる。

【０００５】そして、このパターニングされたアルミニ
ウム２２の周囲に酸化物層２５を形成する。この酸化物
層２５は、３〜１０％の酒石酸や硼酸、さらには硝酸が
含まれたエチレングルコール溶液中において、１００Ｖ
以上の電圧をアルミニウムに印加することにより形成す
ることができる。この工程は一般に陽極酸化工程と呼ば
れる。

【０００６】上記のような陽極酸化工程において形成さ
れる酸化物層は、図２（Ｃ）の２４に示すように、なだ
らかに形成されたアルミニューム膜の側面に沿って形成
される。

【０００７】図２（Ｃ）のような形状に配線パターンが
形成されることは、配線パターンの微細化や配線同士の
アイソレーションの向上を計る上で好ましいことではな
い。

【０００８】この問題を解決するには、垂直方向に異方
性を有するエッチングを用いることが考えられるが、下
地をエチッングしないようにエッジング条件を微妙に設
定する必要があり、工程上の困難が増大する。

【０００９】一方、従来より、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）として、図４に示すような構造が提案されている。
図４に示すのは、緻密なバリア型の陽極酸化物層４０８
とポーラス状の陽極酸化物層４０９とをゲイト電極４０
７の周囲に形成し、この２つの酸化物層の厚さを利用し
て、オフセットゲイト領域４１３を形成する構成であ
る。

【００１０】緻密な陽極酸化物層は、絶縁性に優れてい
るものの、２０００Å以上の厚さに成長させるのは困難
であり、また陽極酸化工程において高電圧が必要とされ
るので、必要とするオフセット長４１３、４１４（例え
ば１μｍ）を得るためには適当ではない。

【００１１】一方、ポーラス状の陽極酸化物層４０９
は、低電圧で厚い酸化物層を形成することができるが、
耐圧が著しく低く、絶縁物としての特性は低い。図４に
示すＴＦＴの構造は、これら緻密な陽極酸化物層とポー
ラス状の陽極酸化物層の特徴をそれぞれ利用したもので
ある。即ち、オフセットゲイト長さを稼ぐために成長が
容易なポーラス状の陽極酸化物層４０９を利用し、ゲイ
ト電極の絶縁のために、緻密な陽極酸化物層４０８を利
用し、オフセットゲイト領域の形成とゲイト電極の絶縁
とを両立させたものである。

【００１２】しかしながら、本発明者らの研究によれ
ば、ポーラス状の陽極酸化物層の成長を図４に示すよう
な、ゲイト電極の側面方向のみに行うのは困難であり、
その成長させる長さもあまり大きくできないことが確認
された。

【００１３】この様子を図３に示す。まず、基体３１上
に厚さ１μｍのアルミ膜３２を形成する。このアルミ膜
中には、後の陽極酸化工程においてアルミの異常成長が
発生しないように、０．２ｗｔ％のＳｃ（スカンジウ
ム）を含ませてある。

【００１４】そしてフォトレジストのマスク３３を用い
てパターニングを行うことによって、図３（Ｂ）に示す
ような状態を得る。つぎに、３〜２０％のクエン酸、シ
ョウ酸、燐酸、クロム酸、または硫酸の水溶液を用い
て、ポーラス状の陽極酸化物層３４を露呈したゲイト電
極３２の側面に形成する。この際、１０〜３０Ｖ程度の
低印加電圧で、陽極酸化物層を成長させることができ
る。

【００１５】しかしながら、図３（Ｃ）の３５に示すよ
うに、マスク３３が存在しているゲイト電極３２の上面
側からも酸化が進行し、この部分においても酸化物層の
成長が見られることが判明した。そして、この３５で示
される上部からの酸化が進行すると、３４で示される側
面からの酸化物層の成長が阻害されてしまうことが判明
した。

【００１６】即ち、３５で示される上部からの陽極酸化
が進行すると、３４で示される陽極酸化の進行が著しく
低下、あるいはほとんど止まってしまうことが判明し
た。

【００１７】また、このマスク３３の界面付近から進行
する３５で示される陽極酸化は、制御不能なものであ
り、大きなバラツキでもって発生してしまう。そのため
３４で示される側面方向の陽極酸化物層の厚さもバラツ
キの大きなもになってしまうことが確認されている。

【００１８】図３（Ｃ）に示すような状態で陽極酸化工
程が進行してしまうのは、マスク３３とアルミ膜３２と
の密着性の悪さが原因と考えられる。

【００１９】〔発明が解決しようとする課題〕本発明
は、配線等の微細パターンを形成する際に、パターン側
面を垂直に形成する技術を提供することを目的とする。
また、電極の側面にポーラス状の陽極酸化物層を形成せ
んとする場合において、上面からの陽極酸化が進行しな
いような構造、およびその作製方法を提供することを目
的とする。

【００２０】本発明によって提供される基本的な作製工
程を図１に示す。図１において１１が基体であり、例え
ば図４でいうと、珪素半導体薄膜上に形成されたゲイト
絶縁膜４０２である。まずこの基体上面に陽極酸化可能
な材料である、アルミニウム、タンタル、チタン、また
は珪素等を１２として成膜する。そして、陽極酸化工程
において、緻密な酸化物層１３を薄く形成する。

【００２１】例えば１２としてアルミニュームを用いた
場合には、この緻密な酸化物層１３を形成する工程は、
３〜１０％の酒石液または硼酸または硝酸が含まれたエ
チレングルコール溶液中でアルミニューム１２に通電
（１０〜３０Ｖ程度）することによって、１００〜１０
００Å例えば２００Å程度の厚さに緻密な酸化物層１３
を形成する。

【００２２】この工程においては、印加する電圧と陽極
酸化時間とを調節することによって、形成される酸化物
層の厚さを制御することができる。

【００２３】つぎに、フォトレジストやポリイミド等の
適当なマスク１４を形成する。そして、３〜２０％のク
エン酸、ショウ酸、燐酸、クロム酸、さらには硫酸等の
酸性水溶液中で、１０〜３０Ｖの電圧を印加し、ポーラ
ス状の酸化物層１５を形成する。この工程においては、
バリアとして機能する緻密な酸化物層１３の作用で、上
側からの酸化が全く進行しないので、必要とする厚さで
ポーラス状の酸化物層１５を形成することができる。

【００２４】さらに前述の緻密な酸化物層の形成と同様
な工程によって、緻密な酸化物層１６を２０００Åの厚
さに形成する。この工程においては、ポーラス状の酸化
物層１５とアルミニューム１２との間において緻密な酸
化物層１６が形成される。

【００２５】後は、マスク１４と緻密な酸化物層１３と
を取り除くことによって、基本的な工程が終了する。こ
の際、緻密な酸化物層１３は薄いので、バッファ弗酸等
のエッチャントで除去することができる。また、ポーラ
ス状の酸化物層１５は、リン酸系のエッチャントで選択
的に除去することができる。

【００２６】こうして、１８の部分が垂直にかたちよく
形成された配線パターンや電極パターンを形成すること
ができる。

【００２７】なお、ポーラス状の酸化物層１５を利用す
るのであれば、そのまま残存させればよい。

【００２８】

【実施例】

〔実施例１〕本実施例は、陽極酸化可能な材料を用いた
微細配線に関する。図１に本実施例の概略の作製工程を
示す。本実施例では配線材料として、アルミニュームを
主成分とした例を示す。アルミニューム以外の材料とし
ては、タンタル、チタン、珪素、さらにはこれらの混合
材料やこれらの材料を主成分とする材料を利用すること
ができる。

【００２９】本実施例は、図１（Ｄ）の１８で示すよう
な、端部が垂直に形成され、その周囲に緻密で耐圧性に
優れた酸化物層１６が形成されたアルミニュームの配線
１２に関する。

【００３０】まず、適当な基体１１（一般には絶縁膜や
絶縁材料である）上に配線を形成する材料となるアウミ
ニウムの膜１２を２μｍの厚さに形成する。このアルミ
ニウムの厚さは、必要とする厚さに形成すればよく、特
に限定されるものではない。また、アルミニウム中には
Ｓｃ（スカンジウム）を０．２ｗｔ％添加したものを用
いる。これは、後の陽極酸化工程において、アルミニウ
ムの異常成長（ヒロック）が起こらないようにするため
である。また、高温でのアルミの異常成長防止用にはＳ
ｃ以外の添加物（例えばＹ）を用いてもよい。

【００３１】そして３％の酒石酸を含んだエチレングル
コール溶液中において１０〜３０Ｖの電圧を印加し、２
００Å程度の緻密な酸化物層１３を形成する。そして、
パターニングのためのレジズトマスク１４を用いて、ア
ルミニウム膜１２とその上の酸化物層１３を所定のパタ
ーンに加工する。この際、酸化物層１３は薄いので、容
易にエッチングすることができる。

【００３２】上記パターニングを等方性のエッチングで
行った場合、１７で示されるようになだらかな形状にア
ルミニウム膜の端部が形成されてしまう。また、酸化物
層１３とアルミニウム膜１２とのエッチング速度の違い
によって、１７に示すような形状にエッチングが進行し
てしまう。

【００３３】そして、１０％のショウ酸水溶液中におい
て１０〜３０Ｖの電圧をアルミニウム電極１２に印加
し、陽極酸化を行う。この工程で、図１（Ｃ）の１５で
示される如く、ポーラス状（多孔質）の酸化物が内部方
向に成長する。この成長は、溶液に接した面だけから進
行するもので、その成長距離も任意に制御することがで
きる。

【００３４】そして、その成長距離がある程度あれば、
その成長端部はほぼ垂直になることが確かめられてい
る。一方、緻密な酸化物層の形成においては、酸化の状
況が出発状態の形状に沿って進行することが確かめられ
ている。

【００３５】本実施例においては、アルミニウム膜１２
の厚さを２μｍとし、酸化物層１５の成長距離を５００
０Åとしてが、その成長先端分は、ほぼ垂直になってい
ることが電子顕微鏡写真で確認されている。

【００３６】さらに、３％の酒石酸を含んだエチレング
ルコール溶液中において、１５０Ｖの電圧を印加するこ
とによって、２０００Å厚の緻密な陽極酸化物層１６を
形成する。この酸化物層１６は、アルミ配線１２を取り
囲むように、均一に成長する。この酸化物層１６は、ポ
ーラス状の酸化物層１５とアルミニウムの配線１２との
界面部分からアルミニウムの配線１２の内部に向かって
成長する。

【００３７】そして、レジストマクス１４を取り除き、
さらに酸化物層１３をバッファ弗酸で取り除く。この酸
化物層１３は薄いので、容易に選択的に取り除くことが
できる。

【００３８】つぎに、ポーラス状の酸化物層１５を燐酸
系のエッチャントであるＨ₃ ＰＯ₄でエッチングする。
この際、緻密な酸化物層１６が形成されているので、ア
ルミニウムの配線１２は全くエッチングされず、選択的
に酸化物層１５のみを取り除くことができる。

【００３９】こうして、図１（Ｄ）に示すような周囲が
緻密で耐圧の高い酸化物層１６で覆われたアルミニウム
の配線１２を得ることができる。

【００４０】この図１（Ｄ）に示す構造においては、１
７に示すように、配線部分１２の側面が垂直に形成され
たものとすることができる。従って、配線の微細化を果
たす上で有効に利用することができる。

【００４１】〔実施例２〕本実施例は、ＴＦＴのゲイト
電極の構造に本発明を利用した構成に関する。図５に本
実施例を示す。本実施例で示すＴＦＴは、図５（Ｅ）に
示すように、低濃度の不純物領域５１１と５１２、さら
には高濃度の不純物領域５１０と５１３とを有した構造
を有し、さらにゲイト電極周囲の陽極酸化物層５０８の
厚さで決定されるオフセットゲイト領域を有している。

【００４２】まず、基板（コーニング７０５９、３００
ｍｍ×４００ｍｍもしくは１００ｍｍ×１００ｍｍ）５
０１上に下地酸化膜５０２として厚さ１０００〜３００
０Åの酸化珪素膜を形成した。この酸化膜の形成方法と
しては、酸素雰囲気中でのスパッタ法を使用した。しか
し、より量産性を高めるには、ＴＥＯＳをプラズマＣＶ
Ｄ法で分解・堆積した膜を用いてもよい。

【００４３】その後、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法
によって非晶質珪素膜を３００〜５０００Å、好ましく
は５００〜１０００Å堆積し、これを、５５０〜６００
℃の還元雰囲気に２４時間放置して、結晶化せしめた。
この工程は、レーザー照射によっておこなってもよい。
そして、このようにして結晶化させた珪素膜をパターニ
ングして島状領域５０３を形成した。さらに、この上に
スパッタ法によって厚さ７００〜１５００Åの酸化珪素
膜５０４を形成した。

【００４４】その後、厚さ１０００Å〜３μｍ（ここで
は６０００Å）のアルミニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もし
くは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃ（スカンジウム）を含
む）膜を電子ビーム蒸着法もしくはスパッタ法によって
形成した。

【００４５】そして、フォトレジスト５０６の形成前
に、陽極酸化法によって厚さ１００〜１０００Å（ここ
では２００Å）の酸化アルミニウム膜（陽極酸化物層）
５００を形成する。この工程は、３％の酒石酸を含むエ
チレングルコール溶液中において１０〜３０Ｖの電圧を
印加することによって行われる。この酸化物層は、緻密
でこの上に形成されるフォトレジスト５０６との密着性
が良く、また、フォトレジストからの電流のリークを抑
制することになるので、後の陽極酸化工程において、多
孔質陽極酸化物を側面のみに形成するうえで極めて有効
である。

【００４６】そして、フォトレジスト５０６（例えば、
東京応化製、ＯＦＰＲ８００／３０ｃｐ）をスピンコー
ト法によって形成した。その後、フォトレジストとアル
ミニウム膜をパターニングして、ゲイト電極５０５、マ
スク膜５０６とした。（図５（Ａ））

【００４７】さらにこれに電解液中で電流を通じて陽極
酸化し、厚さ３０００〜６０００Å、例えば、厚さ５０
００Åの陽極酸化物５０７を形成した。陽極酸化は、３
〜２０％のクエン酸もしくはショウ酸、燐酸、クロム
酸、硫酸等の酸性水溶液を用いておこない、１０〜３０
Ｖの一定電流をゲイト電極に印加すればよい。本実施例
ではシュウ酸溶液（３０℃）中で電圧を１０Ｖとし、２
０〜４０分、陽極酸化した。陽極酸化物の厚さは陽極酸
化時間によって制御した。（図５（Ｂ））

【００４８】上記の工程は、緻密な酸化物層５００が形
成されているおかげで、図５に示すように横方向のみに
進行し、またその厚さも必要とするだけ得ることができ
る。

【００４９】次に、マスクを除去し、再び電解溶液中に
おいて、ゲイト電極に電流を印加した。今回は、３〜１
０％の酒石液、硼酸、硝酸が含まれたエチレングルコー
ル溶液を用いた。溶液の温度は１０℃前後の室温より低
い方が良好な酸化膜が得られた。このため、ゲイト電極
の上面および側面にバリヤ型の陽極酸化物５０８が形成
された。陽極酸化物５０８の厚さは印加電圧に比例し、
印加電圧が１５０Ｖで２０００Åの陽極酸化物が形成さ
れた。陽極酸化物５０８の厚さは必要とされるオフセッ
ト、オーバーラップの大きさによって決定したが、３０
００Å以上の厚さの陽極酸化物を得るには２５０Ｖ以上
の高電圧が必要であり、ＴＦＴの特性に悪影響を及ぼす
ので３０００Å以下の厚さとすることが好ましい。本実
施例では８０〜１５０Ｖまで上昇させ、必要とする陽極
酸化膜５０８の厚さによって電圧を選択した。（図５
（Ｃ））

【００５０】その後、ドライエッチング法によって酸化
珪素膜５０４をエッチングした。このエッチングにおい
ては、等方性エッチングのプラズマモードでも、あるい
は異方性エッチングの反応性イオンエッチングモードで
もよい。ただし、珪素と酸化珪素の選択比を十分に大き
くすることによって、活性層を深くエッチングしないよ
うにすることが重要である。例えば、エッチングガスと
してＣＦ₄ を使用すれば陽極酸化物はエッチングされ
ず、酸化珪素膜５０４のみがエッチングされる。また、
多孔質陽極酸化物５０７の下の酸化珪素膜５０４’はエ
ッチングされずに残した。（図５（Ｄ））

【００５１】その後、燐酸、酢酸、硝酸の混酸を用いて
陽極酸化物５０７をエッチングした。このエッチングで
は陽極酸化物５０７のみがエッチングされ、エッチング
レートは約６００Å／分であった。その下のゲイト絶縁
膜５０４’はそのまま残存した。そして、イオンドーピ
ング法によって、ＴＦＴの活性層５０３に、ゲイト電極
部（すなわちゲイト電極とその周囲の陽極酸化膜）およ
びゲイト絶縁膜をマスクとして自己整合的に不純物を注
入し、低抵抗不純物領域（ソース／ドレイン領域）５１
０、５１３、高抵抗不純物領域５１１、５１２を形成し
た。ドーピングガスとしてはフォスフィン（ＰＨ₃ ）を
用いたため、Ｎ型の不純物領域となった。Ｐ型の不純物
領域を形成するにはジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）をドーピング
ガスとして用いればよい。ドーズ量は５×１０¹⁴〜５×
１０¹⁵ｃｍ^-2、加速エネルギーは１０〜３０ｋｅＶとし
た。その後、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長２４８ｎ
ｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射して、活性層中に導
入された不純物イオンの活性化をおこなった。

【００５２】ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）の結果
によると、領域５１０、５１３の不純物濃度は１×１０
²⁰〜２×１０²¹ｃｍ^-3、領域５１１、５１２では１×１
０¹⁷〜２×１０¹⁸ｃｍ^-3であった。ドーズ量換算では、
前者は５×１０¹⁴〜５×１０¹⁵ｃｍ^-2、後者は２×１０
¹³〜５×１０¹⁴ｃｍ^-2であった。この違いはゲイト絶縁
膜５０４’の有無によってもたらされたのであって、一
般的には、低抵抗不純物領域の不純物濃度は、高抵抗不
純物領域のものより０．５〜３桁大きくなる。（図５
（Ｅ））

【００５３】最後に、全面に層間絶縁物５１４として、
ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００Å形成し
た。そして、ＴＦＴのソース／ドレインにコンタクトホ
ールを形成し、アルミニウム配線・電極５１５、５１６
を形成した。さらに２００〜４００℃で水素アニールを
おこなった。以上によって、ＴＦＴが完成された。（図
５（Ｆ））

【００５４】

【効果】陽極酸化工程において、酸化物層を形成せんと
する材料の上面に薄く緻密な酸化物層を形成し、しかる
後にポーラス状の酸化物層をこの材料の側面に形成する
ことによって、このポーラス状の酸化物層を制御性良く
形成することがでる。また、このポーラス状の酸化物層
の形成に引き続いて、緻密な酸化物層を形成し、ポーラ
ス状の酸化物層を取り除くことで、緻密な酸化物層で覆
われ、側面が垂直に形成された配線や電極を構成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を利用した配線の作製工程を示す。

【図２】従来の例を示す。

【図３】従来の例を示す。

【図４】ＴＦＴの構造を示す。

【図５】実施例のＴＦＴの作製工程を示す。

【符号の説明】

１１・・・・基体１２・・・・アルミニウム１３・・・・緻密な酸化物層１４・・・・レジストマスク１５・・・・ポーラス状の酸化物層１６・・・・緻密な酸化物層２１・・・・基体２２・・・・アルミニウム２３・・・・レジストマスク２５・・・・酸化物層３１・・・・基体３２・・・・アルミニウム３３・・・・レジストマスク３４・・・・酸化物層３５・・・・酸化物層

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 29/78 H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/336

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】陽極酸化可能な材料からなる膜を陽極酸
化することにより前記膜の上面に緻密な第１の酸化物層
を形成する第１の工程と、前記第１の酸化物層および前記膜を所定の形状にパター
ニングし、電極または配線を形成する第２の工程と、陽極酸化することにより前記電極または配線の側面にポ
ーラス状の第２の酸化物層を形成する第３の工程と、陽極酸化することにより前記電極または配線の上面およ
び側面に緻密な第３の酸化物層を形成する第４の工程
と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】陽極酸化可能な材料からなる膜を陽極酸
化することにより前記膜の上面に緻密な第１の酸化物層
を形成する第１の工程と、前記緻密な第１の酸化物層および前記膜を所定の形状に
パターニングし、電極または配線を形成する第２の工程
と、陽極酸化することにより前記電極または配線の側面にポ
ーラス状の第２の酸化物層を形成する第３の工程と、陽極酸化することにより前記電極または配線の上面およ
び側面に緻密な第３の酸化物層を形成する第４の工程
と、前記ポーラス状の第２の酸化物層を除去する第５の工程
と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製
方法であって、陽極酸化可能な材料からなる膜を陽極酸化することによ
り前記膜の上面に緻密な第１の酸化物層を形成する第１
の工程と、前記緻密な第１の酸化物層および前記膜を所定の形状に
パターニングし、上面が前記緻密な第１の酸化物層に被
覆されたゲイト電極を形成する第２の工程と、陽極酸化することにより前記ゲイト電極の側面にポーラ
ス状の第２の酸化物層を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製
方法であって、半導体層上に絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜上に陽極酸化可能な材料からなる膜を形成す
る第２の工程と、前記陽極酸化可能な材料からなる膜を陽極酸化すること
により前記陽極酸化可能な材料からなる膜の上面に緻密
な第１の酸化物層を形成する第３の工程と、前記緻密な第１の酸化物層上にマスク膜を形成する第４
の工程と、前記マスク膜により前記緻密な第１の酸化物層および前
記膜をパターニングしゲイト電極を形成する第５の工程
と、陽極酸化することにより前記ゲイト電極の側面にポーラ
ス状の第２の酸化物層を形成する第６の工程と、前記マスク膜を除去する第７の工程と、前記緻密な第１の酸化物層を除去する第８の工程と、陽極酸化することにより前記ゲイト電極の上面および側
面に緻密な第３の酸化物層を形成する第９の工程と、前記緻密な第３の酸化物層に被覆されたゲイト電極およ
び前記ポーラス状の第２の酸化物層をマスクとして前記
絶縁膜をエッチングすることによりゲイト絶縁膜を形成
し、前記半導体層のうちその一部が露出した第１の領域
を形成する第１０の工程と、前記ポーラス状の第２の酸化物層を除去することによ
り、前記半導体層に前記ゲイト絶縁膜のみに覆われた第
２の領域を形成する第１１の工程と、前記緻密な第３の酸化物層に被覆されたゲイト電極およ
び前記ゲイト絶縁膜をマスクとして前記半導体中に不純
物を注入し、前記第１の領域に低抵抗不純物領域を、前
記第２の領域に高抵抗不純物領域を形成する第１２の工
程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】請求項４において、前記第１２の工程
後、レーザーを前記低抵抗領域および前記高抵抗領域に
照射して前記不純物を活性化する第１３の工程をさらに
有することを特徴とする半導体装置の作製方法。