JP2758538B2 - 光変調素子と光変調装置及びその駆動方法 - Google Patents
光変調素子と光変調装置及びその駆動方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速光通信や光信号処
理システムなどに用いられる光変調素子及びその駆動方
法に関する。
理システムなどに用いられる光変調素子及びその駆動方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光変調素子は、高速光通信や光信号処理
システムなどにおいて基本となる素子であり、将来、超
高速で動作できる光変調素子に対する要求はますます増
大するものと考えられる。しかしながら、従来利用され
てきた半導体レーザの直接変調では、このような要求に
対処することが困難であるため、高速動作が可能な外部
変調型の素子の開発が急がれている。中でも、特に大き
なポッケルス効果を有する誘電体結晶を用いた、いわゆ
る電気光学光変調素子は、超高速動作が可能であり、ま
た、変調に伴う位相の乱れも少ないことから、高速情報
伝送や長距離光ファイバ通信などに非常に有効である。
さらに、光導波路構造を用いれば、小型化と高効率化と
を一挙に実現できる可能性がある。
システムなどにおいて基本となる素子であり、将来、超
高速で動作できる光変調素子に対する要求はますます増
大するものと考えられる。しかしながら、従来利用され
てきた半導体レーザの直接変調では、このような要求に
対処することが困難であるため、高速動作が可能な外部
変調型の素子の開発が急がれている。中でも、特に大き
なポッケルス効果を有する誘電体結晶を用いた、いわゆ
る電気光学光変調素子は、超高速動作が可能であり、ま
た、変調に伴う位相の乱れも少ないことから、高速情報
伝送や長距離光ファイバ通信などに非常に有効である。
さらに、光導波路構造を用いれば、小型化と高効率化と
を一挙に実現できる可能性がある。
【０００３】一般に、電気光学光変調素子は、電気光学
結晶上に変調電極として変調信号を伝搬させる伝送線路
と、該伝送線路の近傍に形成された光導波路とにより構
成されている。そして、変調電極周辺に誘起される電界
によって光導波路部分の屈折率を変化させることによ
り、光導波路中を伝搬する光波の位相を変調信号に伴っ
て変化させるようにされている。
結晶上に変調電極として変調信号を伝搬させる伝送線路
と、該伝送線路の近傍に形成された光導波路とにより構
成されている。そして、変調電極周辺に誘起される電界
によって光導波路部分の屈折率を変化させることによ
り、光導波路中を伝搬する光波の位相を変調信号に伴っ
て変化させるようにされている。
【０００４】ところで、電気光学光変調素子において
は、光変調の基本となる電気光学係数は、通常の結晶で
は比較的小さい。従って、この方式の光変調素子におい
ては、電界を光導波路に効率良く印加することが重要と
なる。
は、光変調の基本となる電気光学係数は、通常の結晶で
は比較的小さい。従って、この方式の光変調素子におい
ては、電界を光導波路に効率良く印加することが重要と
なる。
【０００５】図１０に、この種の光変調素子の一例を示
す。図１０に示すように、電気光学効果を有する基板５
１上には、その中心線上に光導波路５２が形成されてお
り、該光導波路５２の両側方にはストリップ電極５３と
接地電極５４とからなる変調電極が形成されている。こ
こで、変調電極は、アルミニウムなどの金属薄膜からな
り、ストリップ電極５３と接地電極５４との間には信号
源５９が接続されている。このため、信号源５９からス
トリップ電極５３に変調信号を供給してやれば、該スト
リップ電極５３中を変調波が伝搬し、これによりストリ
ップ電極５３と接地電極５４との間に電界が生じるの
で、電気光学効果によって光導波路５２の屈折率が変化
し、光変調を実現することができる。
す。図１０に示すように、電気光学効果を有する基板５
１上には、その中心線上に光導波路５２が形成されてお
り、該光導波路５２の両側方にはストリップ電極５３と
接地電極５４とからなる変調電極が形成されている。こ
こで、変調電極は、アルミニウムなどの金属薄膜からな
り、ストリップ電極５３と接地電極５４との間には信号
源５９が接続されている。このため、信号源５９からス
トリップ電極５３に変調信号を供給してやれば、該スト
リップ電極５３中を変調波が伝搬し、これによりストリ
ップ電極５３と接地電極５４との間に電界が生じるの
で、電気光学効果によって光導波路５２の屈折率が変化
し、光変調を実現することができる。
【０００６】また、変調効率を向上させる手段として
は、ストリップ電極５３の両端を適当に終端し、ストリ
ップ電極５３を線路共振器として動作させる、いわゆる
共振器型構造を利用する方法もある。但し、この場合、
変調効率は共振器のＱ値（共振動作の鋭さを示す）が大
きいほど向上するが、変調帯域幅は共振周波数付近に限
られる。
は、ストリップ電極５３の両端を適当に終端し、ストリ
ップ電極５３を線路共振器として動作させる、いわゆる
共振器型構造を利用する方法もある。但し、この場合、
変調効率は共振器のＱ値（共振動作の鋭さを示す）が大
きいほど向上するが、変調帯域幅は共振周波数付近に限
られる。
【０００７】これら光変調素子においては、光導波路５
２中を伝搬する光波の位相が変化する、いわゆる位相変
調器として動作するが、基板５１内あるいはその外部に
適当に干渉計を構成すれば、光強度変調器として動作さ
せることも可能である。
２中を伝搬する光波の位相が変化する、いわゆる位相変
調器として動作するが、基板５１内あるいはその外部に
適当に干渉計を構成すれば、光強度変調器として動作さ
せることも可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
のように構成された従来の電気光学光変調素子の場合、
接地電極５４の電位は０に固定されるため、接地電極５
４とストリップ電極５３との間の電位差は、ストリップ
電極５３の電位を上限とし、それ以上の電位差を得るこ
とはできない。また、図１０の光変調素子の場合、電極
構造に通常のマイクロストリップ線路を用いると、基板
裏面のグランドプレーンが接地電極となるため、ストリ
ップ電極周辺の電界強度は非常に小さくなる。従って、
強電界が必要な光変調素子では、ストリップ電極５３と
接地電極５４との間隔を小さくできる図１０のようなコ
プレナー線路構造を利用する必要があるが、この構造の
線路は変調波の伝搬損失が比較的大きく、変調効率を低
下させる原因となっている。さらに、ストリップ電極幅
とストリップ電極・接地電極間隔との関係で線路の特性
インピーダンスが決定されるため、特性インピーダンス
を実用的な範囲（５０Ω前後）に保つには、ストリップ
電極・接地電極間隔を小さくするに伴ってストリップ電
極幅も小さくする必要がある。すると、線路の伝送損失
はますます大きくなり、変調効率を逆に減少させてしま
うことになる。
のように構成された従来の電気光学光変調素子の場合、
接地電極５４の電位は０に固定されるため、接地電極５
４とストリップ電極５３との間の電位差は、ストリップ
電極５３の電位を上限とし、それ以上の電位差を得るこ
とはできない。また、図１０の光変調素子の場合、電極
構造に通常のマイクロストリップ線路を用いると、基板
裏面のグランドプレーンが接地電極となるため、ストリ
ップ電極周辺の電界強度は非常に小さくなる。従って、
強電界が必要な光変調素子では、ストリップ電極５３と
接地電極５４との間隔を小さくできる図１０のようなコ
プレナー線路構造を利用する必要があるが、この構造の
線路は変調波の伝搬損失が比較的大きく、変調効率を低
下させる原因となっている。さらに、ストリップ電極幅
とストリップ電極・接地電極間隔との関係で線路の特性
インピーダンスが決定されるため、特性インピーダンス
を実用的な範囲（５０Ω前後）に保つには、ストリップ
電極・接地電極間隔を小さくするに伴ってストリップ電
極幅も小さくする必要がある。すると、線路の伝送損失
はますます大きくなり、変調効率を逆に減少させてしま
うことになる。
【０００９】また、図１０の光変調素子を共振器型光変
調素子として動作させた場合には、ストリップ電極５３
の長さが半波長程度と長くなるため、光変調素子の寸法
が大きくなるだけではなく、さらに、光がストリップ電
極を通過する走行時間が変調信号の１周期に比較して無
視できなくなる程度の高周波になると、電極長が長いと
逆に変調効率が急激に悪化してしまう。
調素子として動作させた場合には、ストリップ電極５３
の長さが半波長程度と長くなるため、光変調素子の寸法
が大きくなるだけではなく、さらに、光がストリップ電
極を通過する走行時間が変調信号の１周期に比較して無
視できなくなる程度の高周波になると、電極長が長いと
逆に変調効率が急激に悪化してしまう。
【００１０】以上のようなことから、効率的な光変調素
子を実現するためには、新たな電極構成が必要となる。
また、変調電極に変調信号を供給する場合には、変調電
極と入力端子との最適な結合状態を実現することも効率
の良い光変調にとって非常に重要となる。
子を実現するためには、新たな電極構成が必要となる。
また、変調電極に変調信号を供給する場合には、変調電
極と入力端子との最適な結合状態を実現することも効率
の良い光変調にとって非常に重要となる。
【００１１】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、変調効率を大幅に改善することのできる光変調素
子及びその駆動方法を提供することを目的とする。
ため、変調効率を大幅に改善することのできる光変調素
子及びその駆動方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る第１番目の光変調素子は、基板と、前
記基板の表面上に形成された電気光学効果を有する光導
波路と、前記基板の裏面に形成された接地電極と、前記
光導波路の両側に形成された第１及び第２の導体線とを
備え、前記基板と前記第１及び第２の導体線と前記接地
電極とでマイクロストリップ構造の結合線路を形成した
ことを特徴とする。
め、本発明に係る第１番目の光変調素子は、基板と、前
記基板の表面上に形成された電気光学効果を有する光導
波路と、前記基板の裏面に形成された接地電極と、前記
光導波路の両側に形成された第１及び第２の導体線とを
備え、前記基板と前記第１及び第２の導体線と前記接地
電極とでマイクロストリップ構造の結合線路を形成した
ことを特徴とする。
【００１３】また、本発明に係る第２番目の光変調素子
は、第１の基板と、前記第１の基板の表面上に形成され
た電気光学効果を有する光導波路と、前記第１の基板の
裏面に形成された接地電極と、前記光導波路の両側に形
成された第１及び第２の導体線と、前記光導波路の上に
形成された第２の基板と、前記第２の基板のさらに上に
形成された第２の接地電極とを備え、前記第１及び第２
の基板と前記第１及び第２の導体線及び前記第１及び第
２の接地電極とでストリップライン構造の結合線路を形
成したことを特徴とする。
は、第１の基板と、前記第１の基板の表面上に形成され
た電気光学効果を有する光導波路と、前記第１の基板の
裏面に形成された接地電極と、前記光導波路の両側に形
成された第１及び第２の導体線と、前記光導波路の上に
形成された第２の基板と、前記第２の基板のさらに上に
形成された第２の接地電極とを備え、前記第１及び第２
の基板と前記第１及び第２の導体線及び前記第１及び第
２の接地電極とでストリップライン構造の結合線路を形
成したことを特徴とする。
【００１４】また、本発明に係る第３番目の光変調素子
は、基板と、前記基板の表面上に形成された電気光学効
果を有する光導波路と、前記光導波路の両側に形成され
た第１及び第２の導体線と、前記基板の表面上に形成さ
れ、前記第１及び第２の導体線を取り囲むように配置さ
れた接地電極とを備え、前記基板と、前記第１及び第２
の導体線と電気接地電極とでコプレナー型の結合線路を
形成したことを特徴とする。
は、基板と、前記基板の表面上に形成された電気光学効
果を有する光導波路と、前記光導波路の両側に形成され
た第１及び第２の導体線と、前記基板の表面上に形成さ
れ、前記第１及び第２の導体線を取り囲むように配置さ
れた接地電極とを備え、前記基板と、前記第１及び第２
の導体線と電気接地電極とでコプレナー型の結合線路を
形成したことを特徴とする。
【００１５】また、本発明に係る第１〜３番目の光変調
素子においては、第１及び第２の導体線のそれぞれの一
端を単一線路によって接続したことが好ましい。
素子においては、第１及び第２の導体線のそれぞれの一
端を単一線路によって接続したことが好ましい。
【００１６】また、本発明に係る第１〜３番目の光変調
素子においては、第１及び第２の導体線のそれぞれの一
端を単一線路によって接続し、それぞれの他端を電気容
量的に結合したことが好ましい。前記光変調素子におい
ては、第１及び第２の導体線を電気容量的に結合する際
に、可変容量素子を用いて電気容量的に結合したことが
好ましい。
素子においては、第１及び第２の導体線のそれぞれの一
端を単一線路によって接続し、それぞれの他端を電気容
量的に結合したことが好ましい。前記光変調素子におい
ては、第１及び第２の導体線を電気容量的に結合する際
に、可変容量素子を用いて電気容量的に結合したことが
好ましい。
【００１７】次に本発明の第１番目の光変調装置は、前
記第１〜３番目の光変調素子の構成に加えて、途中で２
つに分岐された入力端子を具備し、前記入力端子の第１
の分岐片を第１の導体線の端部に電気容量的に結合さ
せ、第２の分岐片を第２の導体線の端部に磁界結合させ
たことを特徴とする。
記第１〜３番目の光変調素子の構成に加えて、途中で２
つに分岐された入力端子を具備し、前記入力端子の第１
の分岐片を第１の導体線の端部に電気容量的に結合さ
せ、第２の分岐片を第２の導体線の端部に磁界結合させ
たことを特徴とする。
【００１８】次に本発明の第２番目の光変調装置は、前
記第１〜３番目の光変調素子の構成に加えて、途中で２
つに分岐された入力端子を具備し、前記入力端子の第１
の分岐片を第１の導体線の端部に直接接続させ、第２の
分岐片を第２の導体線の端部に遅延線路を介して接続さ
せたことを特徴とする。
記第１〜３番目の光変調素子の構成に加えて、途中で２
つに分岐された入力端子を具備し、前記入力端子の第１
の分岐片を第１の導体線の端部に直接接続させ、第２の
分岐片を第２の導体線の端部に遅延線路を介して接続さ
せたことを特徴とする。
【００１９】次に本発明の第３番目の光変調装置は、前
記第１〜３番目の光変調素子の構成に加えて、第１また
は第２の導体線のいずれか一方の一部分と電気容量的に
結合している入力端子を備えたことを特徴とする。次に
本発明の第４番目の光変調装置は、前記請求項４、５ま
たは６に記載の光変調素子の構成に加えて、第１または
第２の導体線のいずれか一方の一部分と磁界結合してい
る入力端子を備えたことを特徴とする。
記第１〜３番目の光変調素子の構成に加えて、第１また
は第２の導体線のいずれか一方の一部分と電気容量的に
結合している入力端子を備えたことを特徴とする。次に
本発明の第４番目の光変調装置は、前記請求項４、５ま
たは６に記載の光変調素子の構成に加えて、第１または
第２の導体線のいずれか一方の一部分と磁界結合してい
る入力端子を備えたことを特徴とする。
【００２０】次に本発明の光変調素子の駆動方法は、前
記請求項１〜６に記載の光変調素子の駆動方法であっ
て、第１及び第２の導体線に励起する電磁波が奇対称モ
ードであることを特徴とする。
記請求項１〜６に記載の光変調素子の駆動方法であっ
て、第１及び第２の導体線に励起する電磁波が奇対称モ
ードであることを特徴とする。
【００２１】
【作用】前記本発明の第１の構成によれば、平行結合線
路に奇対称モードを励振させることにより、光導波路に
効率的に大きな変調電界を印加することが可能となるの
で、光変調素子の変調効率を大幅に改善することができ
る。
路に奇対称モードを励振させることにより、光導波路に
効率的に大きな変調電界を印加することが可能となるの
で、光変調素子の変調効率を大幅に改善することができ
る。
【００２２】また、本発明の第２の構成によれば、放射
損失が極めて小さく、また、線路の導体損失も小さいこ
とから、変調効率のさらに優れた光変調素子を提供する
ことができる。
損失が極めて小さく、また、線路の導体損失も小さいこ
とから、変調効率のさらに優れた光変調素子を提供する
ことができる。
【００２３】また、本発明の第３の構成によれば、基板
の片面にグランドプレーンを含めた全ての回路を構成す
ることができるので、製作プロセスの簡略化を図ること
ができる。
の片面にグランドプレーンを含めた全ての回路を構成す
ることができるので、製作プロセスの簡略化を図ること
ができる。
【００２４】また、本発明の第４の構成によれば、基本
共振モードにおいて平行結合線路に奇対称モードのみが
存在することとなるため、適当な方法によってこの共振
器を駆動させることにより、極めて効率的な光変調を実
現することができる。
共振モードにおいて平行結合線路に奇対称モードのみが
存在することとなるため、適当な方法によってこの共振
器を駆動させることにより、極めて効率的な光変調を実
現することができる。
【００２５】また、本発明の第５の構成によれば、容量
的に結合された側において反射の際に変調波の位相が変
化するため、電極の共振周波数を低くすることができ
る。従って、同じ周波数では電極構造をより小型にでき
るので、光変調素子の小型化を図ることができる。
的に結合された側において反射の際に変調波の位相が変
化するため、電極の共振周波数を低くすることができ
る。従って、同じ周波数では電極構造をより小型にでき
るので、光変調素子の小型化を図ることができる。
【００２６】また、本発明の第５の構成において、平行
結合線路の一方端を可変容量素子を用いて容量的に結合
させるという好ましい構成によれば、電極作製後に共振
周波数を微調整したり、電気信号によって共振周波数を
変化させることが可能となる。
結合線路の一方端を可変容量素子を用いて容量的に結合
させるという好ましい構成によれば、電極作製後に共振
周波数を微調整したり、電気信号によって共振周波数を
変化させることが可能となる。
【００２７】また、本発明の第１の駆動方法によれば、
平行結合線路に位相が１８０°ずれた逆位相の変調信号
を供給して、平行結合線路に奇対称モードを励振させる
ことができるので、効率の良い光変調素子を実現するこ
とができる。さらに、基板上の小さな面積に構成するこ
とができるので、変調波の周波数変化に対してもある程
度安定に動作できる。
平行結合線路に位相が１８０°ずれた逆位相の変調信号
を供給して、平行結合線路に奇対称モードを励振させる
ことができるので、効率の良い光変調素子を実現するこ
とができる。さらに、基板上の小さな面積に構成するこ
とができるので、変調波の周波数変化に対してもある程
度安定に動作できる。
【００２８】また、本発明の第２の駆動方法によれば、
遅延線路の遅延量を１８０°に設定することにより、平
行結合線路に位相が１８０°ずれた逆位相の変調信号を
供給して、平行結合線路に奇対称モードを励振させるこ
とができるので、効率の良い光変調素子を実現すること
ができる。さらに、入力端子から平行結合線路までの間
に不連続部分が存在しないので、変調信号の反射による
影響が少ない。
遅延線路の遅延量を１８０°に設定することにより、平
行結合線路に位相が１８０°ずれた逆位相の変調信号を
供給して、平行結合線路に奇対称モードを励振させるこ
とができるので、効率の良い光変調素子を実現すること
ができる。さらに、入力端子から平行結合線路までの間
に不連続部分が存在しないので、変調信号の反射による
影響が少ない。
【００２９】また、本発明の第３の駆動方法によれば、
結合容量を調節することにより、共振器と入力端子との
結合度を調節することができるので、共振電極のＱ値が
比較的大きい場合に最適な共振動作を実現することがで
きる。
結合容量を調節することにより、共振器と入力端子との
結合度を調節することができるので、共振電極のＱ値が
比較的大きい場合に最適な共振動作を実現することがで
きる。
【００３０】また、本発明の第４の駆動方法によれば、
共振器内における結合部の位置を調整することにより、
共振器と入力端子との結合度を調節することができるの
で、共振電極のＱ値が比較的小さい場合に最適な共振動
作を実現することができる。
共振器内における結合部の位置を調整することにより、
共振器と入力端子との結合度を調節することができるの
で、共振電極のＱ値が比較的小さい場合に最適な共振動
作を実現することができる。
【００３１】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。 （実施例１）図１ａは本発明に係る光変調素子の一実施
例を示す平面図であり、図１ｂは図１ａの要部断面図で
ある。
に説明する。 （実施例１）図１ａは本発明に係る光変調素子の一実施
例を示す平面図であり、図１ｂは図１ａの要部断面図で
ある。
【００３２】図１に示すように、ニオブ酸リチウム単結
晶などの電気光学効果を有する基板１１の表面には、そ
の中心線上に金属チタンを熱拡散することによって光導
波路１２が形成されており、該光導波路１２の左右両側
には、真空蒸着法、フォトリソグラフィー及び反応性イ
オンエッチングなどの薄膜製造手段によって、アルミニ
ウムや金などの金属薄膜からなる平行結合線路１３、１
３が形成されている。また、前記基板１１の裏面には、
金属膜の蒸着法などによってグランドプレーン１４が形
成されている。
晶などの電気光学効果を有する基板１１の表面には、そ
の中心線上に金属チタンを熱拡散することによって光導
波路１２が形成されており、該光導波路１２の左右両側
には、真空蒸着法、フォトリソグラフィー及び反応性イ
オンエッチングなどの薄膜製造手段によって、アルミニ
ウムや金などの金属薄膜からなる平行結合線路１３、１
３が形成されている。また、前記基板１１の裏面には、
金属膜の蒸着法などによってグランドプレーン１４が形
成されている。
【００３３】入力光１５は、光導波路１２の一方端に導
かれ、平行結合線路部１３、１３の間隙部１６を通過し
た後、光導波路１２の他方端から出力光１７として出力
される。従って、適当な方法によって平行結合線路１
３、１３に変調波を伝搬させれば、間隙部１６に電界が
生じ、電気光学効果により電界強度に応じて光導波路１
２の屈折率が変化する。これにより、出力光１７の位相
が変化し、本光変調素子は位相変調器として動作する。
かれ、平行結合線路部１３、１３の間隙部１６を通過し
た後、光導波路１２の他方端から出力光１７として出力
される。従って、適当な方法によって平行結合線路１
３、１３に変調波を伝搬させれば、間隙部１６に電界が
生じ、電気光学効果により電界強度に応じて光導波路１
２の屈折率が変化する。これにより、出力光１７の位相
が変化し、本光変調素子は位相変調器として動作する。
【００３４】ところで、平行結合線路には、通常、偶対
称モードと奇対称モードの２種類のモードが存在する。
そして、奇対称モードでは平行結合線路を構成する２本
の線路の電圧が互いに反転することとなるため、間隙部
に非常に大きな電界が誘起される。従って、本光変調素
子では、変調信号によって平行結合線路１３、１３に奇
対称モードを励振させることにより、極めて高い効率の
光変調が可能となる。
称モードと奇対称モードの２種類のモードが存在する。
そして、奇対称モードでは平行結合線路を構成する２本
の線路の電圧が互いに反転することとなるため、間隙部
に非常に大きな電界が誘起される。従って、本光変調素
子では、変調信号によって平行結合線路１３、１３に奇
対称モードを励振させることにより、極めて高い効率の
光変調が可能となる。
【００３５】本光変調素子を実際に動作させるために
は、変調信号によって平行結合線路に奇対称モードを効
率よく励振させる必要がある。以下、実施例１に示した
光変調素子の駆動方法について説明する。 （実施例２）図２は図１の光変調素子の駆動方法を示す
平面図である。
は、変調信号によって平行結合線路に奇対称モードを効
率よく励振させる必要がある。以下、実施例１に示した
光変調素子の駆動方法について説明する。 （実施例２）図２は図１の光変調素子の駆動方法を示す
平面図である。
【００３６】図２に示すように、基板１１の表面上には
入力端子１８が形成されており、該入力端子１８とグラ
ンドプレーン１４との間には信号源１９が接続されてい
る。ここで、入力端子１８は２つに分岐されており、第
１の分岐片１８ａは、一方の平行結合線路１３の端部に
間隙２０を介して容量的に結合され、第２の分岐片１８
ｂは、他方の平行結合線路１３の端部にタップ２１を介
して磁界結合されている。これにより、平行結合線路１
３、１３には、位相が１８０°ずれた逆位相の変調信号
が供給され、平行結合線路１３、１３に奇対称モードが
励振されるので、効率の良い光変調素子を実現すること
ができる。そして、この駆動方法は基板上の小さな面積
に構成することができるので、変調波の周波数変化に対
してもある程度安定に動作できるという利点がある。
入力端子１８が形成されており、該入力端子１８とグラ
ンドプレーン１４との間には信号源１９が接続されてい
る。ここで、入力端子１８は２つに分岐されており、第
１の分岐片１８ａは、一方の平行結合線路１３の端部に
間隙２０を介して容量的に結合され、第２の分岐片１８
ｂは、他方の平行結合線路１３の端部にタップ２１を介
して磁界結合されている。これにより、平行結合線路１
３、１３には、位相が１８０°ずれた逆位相の変調信号
が供給され、平行結合線路１３、１３に奇対称モードが
励振されるので、効率の良い光変調素子を実現すること
ができる。そして、この駆動方法は基板上の小さな面積
に構成することができるので、変調波の周波数変化に対
してもある程度安定に動作できるという利点がある。
【００３７】尚、本実施例２においては、入力端子１８
を平行結合線路１３、１３に結合させる手段として、間
隙２０及びタップ２１を用いているが、必ずしもこの構
成に限定されるものではなく、容量性及び誘導性をもつ
個別部品を用いて入力端子１８を平行結合線路１３、１
３に結合させるようにしても同様の作用効果を奏するこ
とができる。 （実施例３）図３は図１の光変調素子の駆動方法の他の
実施例を示す平面図である。
を平行結合線路１３、１３に結合させる手段として、間
隙２０及びタップ２１を用いているが、必ずしもこの構
成に限定されるものではなく、容量性及び誘導性をもつ
個別部品を用いて入力端子１８を平行結合線路１３、１
３に結合させるようにしても同様の作用効果を奏するこ
とができる。 （実施例３）図３は図１の光変調素子の駆動方法の他の
実施例を示す平面図である。
【００３８】図３に示すように、基板１１の表面上には
入力端子２２が形成されており、該入力端子２２とグラ
ンドプレーン１４との間には信号源１９が接続されてい
る。ここで、入力端子２２は２つに分岐されており、第
１の分岐片２２ａは、一方の平行結合線路１３の端部に
直接接続され、第２の分岐片２２ｂは、他方の平行結合
線路１３の端部に遅延線路２３を介して接続されてい
る。ここで、遅延線路２３の遅延量を１８０°に設定す
れば、平行結合線路１３、１３には、位相が１８０°ず
れた逆位相の変調信号が供給され、平行結合線路１３、
１３に奇対称モードが励振されるので、効率の良い光変
調素子を実現することができる。そして、この駆動方法
を採用すれば、入力端子２２から平行結合線路１３、１
３までの間に不連続部が存在しないので、変調信号の反
射による影響が少ないという利点がある。
入力端子２２が形成されており、該入力端子２２とグラ
ンドプレーン１４との間には信号源１９が接続されてい
る。ここで、入力端子２２は２つに分岐されており、第
１の分岐片２２ａは、一方の平行結合線路１３の端部に
直接接続され、第２の分岐片２２ｂは、他方の平行結合
線路１３の端部に遅延線路２３を介して接続されてい
る。ここで、遅延線路２３の遅延量を１８０°に設定す
れば、平行結合線路１３、１３には、位相が１８０°ず
れた逆位相の変調信号が供給され、平行結合線路１３、
１３に奇対称モードが励振されるので、効率の良い光変
調素子を実現することができる。そして、この駆動方法
を採用すれば、入力端子２２から平行結合線路１３、１
３までの間に不連続部が存在しないので、変調信号の反
射による影響が少ないという利点がある。
【００３９】また、上記実施例２、３においては、平行
結合線路１３、１３の両端のうち、入力端子１８（２
２）が結合されていない方の端を開放した場合を示して
いるが、平行結合線路１３、１３の特性インピーダンス
と等しい抵抗値を有する抵抗器を用いて終端させること
もできる。そして、このように構成すれば、入力端子１
８（２２）が結合されていない方の端における変調波の
反射をなくすことができ、その結果、変調信号に対して
より忠実な光変調が可能となる。
結合線路１３、１３の両端のうち、入力端子１８（２
２）が結合されていない方の端を開放した場合を示して
いるが、平行結合線路１３、１３の特性インピーダンス
と等しい抵抗値を有する抵抗器を用いて終端させること
もできる。そして、このように構成すれば、入力端子１
８（２２）が結合されていない方の端における変調波の
反射をなくすことができ、その結果、変調信号に対して
より忠実な光変調が可能となる。
【００４０】本発明に係る光変調素子においては、平行
結合線路の両端を適当に終端させ、共振器動作を行わせ
ることにより、変調効率をさらに向上させることもでき
る。以下、このような共振器構造を有する光変調素子に
ついて説明する。 （実施例４）図４は共振器型光変調素子を示す平面図で
ある。
結合線路の両端を適当に終端させ、共振器動作を行わせ
ることにより、変調効率をさらに向上させることもでき
る。以下、このような共振器構造を有する光変調素子に
ついて説明する。 （実施例４）図４は共振器型光変調素子を示す平面図で
ある。
【００４１】図４に示すように、平行結合線路１３、１
３の一方の端は開放されており、他方の端は単一線路２
４によって接続されている。この共振器は、通常のヘア
ピン型共振器を発展させたものであり、変調波は平行結
合線路１３、１３の開放端で反射し、共振動作を起こ
す。この共振電極においては、基本共振モードで、平行
結合線路１３、１３に奇対称モードのみが存在するた
め、適当な方法によってこの共振器を駆動させれば、極
めて高い効率の光変調が可能となる。 （実施例５）図５は図４の光変調素子をさらに発展させ
た光変調素子を示す平面図である。
３の一方の端は開放されており、他方の端は単一線路２
４によって接続されている。この共振器は、通常のヘア
ピン型共振器を発展させたものであり、変調波は平行結
合線路１３、１３の開放端で反射し、共振動作を起こ
す。この共振電極においては、基本共振モードで、平行
結合線路１３、１３に奇対称モードのみが存在するた
め、適当な方法によってこの共振器を駆動させれば、極
めて高い効率の光変調が可能となる。 （実施例５）図５は図４の光変調素子をさらに発展させ
た光変調素子を示す平面図である。
【００４２】図５に示すように、平行結合線路１３、１
３の一方の端は単一線路２４によって接続されており、
他方の端はコンデンサ２５を接続することによって容量
的に結合されている。これにより、平行結合線路１３、
１３のコンデンサ２５が接続された側において反射の際
に変調波の位相が変化するため、電極の共振周波数を低
くすることができる。従って、同じ周波数では電極構造
をより小さくできるので、光変調素子の小型化を図るこ
とができる。
３の一方の端は単一線路２４によって接続されており、
他方の端はコンデンサ２５を接続することによって容量
的に結合されている。これにより、平行結合線路１３、
１３のコンデンサ２５が接続された側において反射の際
に変調波の位相が変化するため、電極の共振周波数を低
くすることができる。従って、同じ周波数では電極構造
をより小さくできるので、光変調素子の小型化を図るこ
とができる。
【００４３】尚、平行結合線路１３、１３の一端を容量
結合させる方法としては、コンデンサ２５のような個別
部品を用いるほか、平行結合線路１３と同じ薄膜材料を
パターン化することによっても実現することができる。
この場合、大きな結合度を得ることは困難であるが、電
極と同時に作製することができるほか、容量結合度を精
度よく設定できる点で優れている。
結合させる方法としては、コンデンサ２５のような個別
部品を用いるほか、平行結合線路１３と同じ薄膜材料を
パターン化することによっても実現することができる。
この場合、大きな結合度を得ることは困難であるが、電
極と同時に作製することができるほか、容量結合度を精
度よく設定できる点で優れている。
【００４４】また、コンデンサ２５の代わりにトリマー
コンデンサやバラクタダイオードなどの可変容量素子を
用いれば、電極作製後に共振周波数を微調整したり、電
気信号によって共振周波数を変化させることが可能とな
る。共振器型光変調素子の場合には、通常、共振周波数
の調節は不可能であるが、光変調素子を本発明のように
構成すれば、このように比較的簡単な構成で可能にな
る。
コンデンサやバラクタダイオードなどの可変容量素子を
用いれば、電極作製後に共振周波数を微調整したり、電
気信号によって共振周波数を変化させることが可能とな
る。共振器型光変調素子の場合には、通常、共振周波数
の調節は不可能であるが、光変調素子を本発明のように
構成すれば、このように比較的簡単な構成で可能にな
る。
【００４５】上述した共振器型光変調素子を実際に動作
させるためには、その優れた特徴を損なわないような駆
動方法が要求される。以下、共振器型光変調素子の駆動
方法について説明する。 （実施例６）図６は共振器型光変調素子の駆動方法を示
す平面図である。
させるためには、その優れた特徴を損なわないような駆
動方法が要求される。以下、共振器型光変調素子の駆動
方法について説明する。 （実施例６）図６は共振器型光変調素子の駆動方法を示
す平面図である。
【００４６】図６に示すように、基板１１の表面上に
は、平行結合線路１３、１３の一方の線路の一部分に間
隙２６を介して入力端子２７が形成されており、該入力
端子２７とグランドプレーン１４との間には信号源１９
が接続されている。このように構成すれば、入力端子２
７と平行結合線路１３とが容量的に結合された状態とな
るので、信号源１９からの変調信号によって平行結合線
路１３、１３を駆動させることにより、光変調を行うこ
とができる。
は、平行結合線路１３、１３の一方の線路の一部分に間
隙２６を介して入力端子２７が形成されており、該入力
端子２７とグランドプレーン１４との間には信号源１９
が接続されている。このように構成すれば、入力端子２
７と平行結合線路１３とが容量的に結合された状態とな
るので、信号源１９からの変調信号によって平行結合線
路１３、１３を駆動させることにより、光変調を行うこ
とができる。
【００４７】そして、このような方法を採用すれば、間
隙２６の位置と距離とを適当に設定することにより、平
行結合線路１３、１３と入力端子２７との結合度を調節
することができるので、最適な共振動作を実現して効率
的な光変調を行うことが可能となる。
隙２６の位置と距離とを適当に設定することにより、平
行結合線路１３、１３と入力端子２７との結合度を調節
することができるので、最適な共振動作を実現して効率
的な光変調を行うことが可能となる。
【００４８】以上のような容量結合を用いる方法は、小
さな入力結合が必要な場合に特に有効である。なぜな
ら、この方法では、入力結合度が比較的小さい場合に、
結合容量を精密に制御することが可能となるからであ
る。通常、平行結合線路１３、１３のＱ値が比較的大き
い場合、例えば超伝導体を平行結合線路１３、１３の材
料として用いた場合などは、このような小さな入力結合
が、効率的な光変調のために有効となる。 （実施例７）図７は共振器型光変調素子の駆動方法の他
の実施例を示す平面図である。
さな入力結合が必要な場合に特に有効である。なぜな
ら、この方法では、入力結合度が比較的小さい場合に、
結合容量を精密に制御することが可能となるからであ
る。通常、平行結合線路１３、１３のＱ値が比較的大き
い場合、例えば超伝導体を平行結合線路１３、１３の材
料として用いた場合などは、このような小さな入力結合
が、効率的な光変調のために有効となる。 （実施例７）図７は共振器型光変調素子の駆動方法の他
の実施例を示す平面図である。
【００４９】図７に示すように、基板１１の表面上に
は、平行結合線路１３、１３の一方の線路の一部分にタ
ップ２８を介して接続された入力端子２９が形成されて
おり、該入力端子２９とグランドプレーン１４との間に
は信号源１９が接続されている。このように構成すれ
ば、入力端子２９と平行結合線路１３、１３とが磁界結
合された状態となるので、信号源１９からの変調信号に
よって平行結合線路１３、１３を駆動させることによ
り、光変調を行うことができる。
は、平行結合線路１３、１３の一方の線路の一部分にタ
ップ２８を介して接続された入力端子２９が形成されて
おり、該入力端子２９とグランドプレーン１４との間に
は信号源１９が接続されている。このように構成すれ
ば、入力端子２９と平行結合線路１３、１３とが磁界結
合された状態となるので、信号源１９からの変調信号に
よって平行結合線路１３、１３を駆動させることによ
り、光変調を行うことができる。
【００５０】そして、このような方法を採用すれば、タ
ップ２８の位置を適当に設定することにより、平行結合
線路１３、１３と入力端子２９との結合度を調節するこ
とができるので、最適な共振動作を実現して効率的な光
変調を行うことが可能となる。
ップ２８の位置を適当に設定することにより、平行結合
線路１３、１３と入力端子２９との結合度を調節するこ
とができるので、最適な共振動作を実現して効率的な光
変調を行うことが可能となる。
【００５１】以上のような磁界結合を用いる方法は、大
きな入力結合が必要な場合に特に有効である。なぜな
ら、この方法では、入力結合度が比較的大きい場合に、
結合度を精密に制御することが可能となるからである。
通常、平行結合線路１３、１３のＱ値が比較的小さい場
合、例えば、変調効率は低くとも比較的広い変調帯域幅
が必要な場合などは、このような磁界結合が有効とな
る。
きな入力結合が必要な場合に特に有効である。なぜな
ら、この方法では、入力結合度が比較的大きい場合に、
結合度を精密に制御することが可能となるからである。
通常、平行結合線路１３、１３のＱ値が比較的小さい場
合、例えば、変調効率は低くとも比較的広い変調帯域幅
が必要な場合などは、このような磁界結合が有効とな
る。
【００５２】尚、上記実施例６、７においては、入力端
子２７（２９）を平行結合線路１３の一部分に結合させ
ているが、必ずしもこの構成に限定されるものではな
く、所望の入力結合度を得るためには単一線路２４の一
部分と結合させても構わない。この駆動方法は、より小
さな結合度を必要とする場合に有効である。
子２７（２９）を平行結合線路１３の一部分に結合させ
ているが、必ずしもこの構成に限定されるものではな
く、所望の入力結合度を得るためには単一線路２４の一
部分と結合させても構わない。この駆動方法は、より小
さな結合度を必要とする場合に有効である。
【００５３】また、上記実施例５、６、７における平行
結合線路１３、１３の材料としては、製作の容易さ、優
れた電気伝導性などから、前述したアルミニウムや金な
どの金属材料が有効であるが、電気伝導性のさらに高い
材料、例えば超伝導体を用いれば、Ｑ値の極めて大きな
共振器電極を実現することができるので、変調効率を飛
躍的に改善することが可能となる。
結合線路１３、１３の材料としては、製作の容易さ、優
れた電気伝導性などから、前述したアルミニウムや金な
どの金属材料が有効であるが、電気伝導性のさらに高い
材料、例えば超伝導体を用いれば、Ｑ値の極めて大きな
共振器電極を実現することができるので、変調効率を飛
躍的に改善することが可能となる。
【００５４】また、以上の各実施例においては、線路構
造として、基板裏面にグランドプレーンを形成するマイ
クロストリップ線路構造を用いた場合について説明した
が、必ずしもこの構成に限定されるものではなく、図８
に示すようなストリップ線路構造、あるいは、図９に示
すようなコプレナー線路構造を用いることもできる。
造として、基板裏面にグランドプレーンを形成するマイ
クロストリップ線路構造を用いた場合について説明した
が、必ずしもこの構成に限定されるものではなく、図８
に示すようなストリップ線路構造、あるいは、図９に示
すようなコプレナー線路構造を用いることもできる。
【００５５】ストリップ線路構造を用いた場合には、図
８に示すように、基板１１の上にさらに誘電体３０及び
グランドプレーン３１を形成することとなるため、構造
が多少複雑になるという問題点はあるが、放射損失が極
めて小さく、また、線路の導体損失も小さいことから、
変調効率のさらに優れた光変調素子を提供することがで
きる。
８に示すように、基板１１の上にさらに誘電体３０及び
グランドプレーン３１を形成することとなるため、構造
が多少複雑になるという問題点はあるが、放射損失が極
めて小さく、また、線路の導体損失も小さいことから、
変調効率のさらに優れた光変調素子を提供することがで
きる。
【００５６】また、コプレナー線路構造を用いた場合に
は、損失が比較的大きいという問題点はあるが、図９に
示すように、基板１１の片面にグランドプレーン１４を
含めた全ての回路を構成することができるので、製作プ
ロセスの簡略化を図ることができる。
は、損失が比較的大きいという問題点はあるが、図９に
示すように、基板１１の片面にグランドプレーン１４を
含めた全ての回路を構成することができるので、製作プ
ロセスの簡略化を図ることができる。
【００５７】上述したように、各実施例に示した光変調
素子は、光波の位相を変調する、いわゆる位相変調素子
として動作する。位相変調は、コヒーレント光通信など
の次世代の光通信システムでの利用が期待されている。
尚、この光変調素子を、現在の光通信システムで主とし
て用いられている光強度変調素子として動作させるに
は、光導波路を用いて、基板上にマッハツェンダー干渉
計を構成すればよい。
素子は、光波の位相を変調する、いわゆる位相変調素子
として動作する。位相変調は、コヒーレント光通信など
の次世代の光通信システムでの利用が期待されている。
尚、この光変調素子を、現在の光通信システムで主とし
て用いられている光強度変調素子として動作させるに
は、光導波路を用いて、基板上にマッハツェンダー干渉
計を構成すればよい。
【００５８】また、以上の各実施例においては、基板１
１自体に電気光学効果を有する材料を用いているが、必
ずしもこの構成に限定されるものではなく、光導波路部
分、あるいは光導波路中の電界が及ぶ範囲またはその一
部分が電気光学効果を有していればよい。電気光学結晶
であるニオブ酸リチウム単結晶基板に金属チタンを熱拡
散する方法は、電気光学効果を有する光導波路を形成す
る最も簡単な方法であるが、必ずしもこの方法に限定さ
れるものではない。例えば、他の機能素子との集積化な
どのために、ニオブ酸リチウム単結晶以外の基板を利用
する必要がある場合には、基板上に、該基板よりも屈折
率が高く、かつ、電気光学効果を有する材料を薄膜化
し、その薄膜部分を光導波路として用いることもでき
る。また、基板表面に周囲よりも屈折率の高いコア部分
を形成し、その上にクラッド部分として電気光学効果を
有する材料を形成することにより、コア部分から染み出
した電界を利用して光変調を行うことも同様に有効であ
る。
１自体に電気光学効果を有する材料を用いているが、必
ずしもこの構成に限定されるものではなく、光導波路部
分、あるいは光導波路中の電界が及ぶ範囲またはその一
部分が電気光学効果を有していればよい。電気光学結晶
であるニオブ酸リチウム単結晶基板に金属チタンを熱拡
散する方法は、電気光学効果を有する光導波路を形成す
る最も簡単な方法であるが、必ずしもこの方法に限定さ
れるものではない。例えば、他の機能素子との集積化な
どのために、ニオブ酸リチウム単結晶以外の基板を利用
する必要がある場合には、基板上に、該基板よりも屈折
率が高く、かつ、電気光学効果を有する材料を薄膜化
し、その薄膜部分を光導波路として用いることもでき
る。また、基板表面に周囲よりも屈折率の高いコア部分
を形成し、その上にクラッド部分として電気光学効果を
有する材料を形成することにより、コア部分から染み出
した電界を利用して光変調を行うことも同様に有効であ
る。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光変
調素子の構成によれば、平行結合線路に奇対称モードを
励振させることによって光導波路に効率的に大きな変調
電界を印加することが可能となるため、光変調素子の変
調効率を大幅に改善することができる。また、平行結合
線路の端部を単一線路によって互いに接続して共振器電
極を構成すれば、基本共振モードにおいて平行結合線路
に奇対称モードのみが存在することとなるため、適当な
方法によってこの共振器を駆動させることにより、極め
て効率的な光変調を実現することができる。また、本発
明に係る光変調素子の駆動方法によれば、平行結合線路
からなる変調電極に効率的に変調信号を供給することが
可能となるので、光変調のさらなる効率化を図ることが
できる。
調素子の構成によれば、平行結合線路に奇対称モードを
励振させることによって光導波路に効率的に大きな変調
電界を印加することが可能となるため、光変調素子の変
調効率を大幅に改善することができる。また、平行結合
線路の端部を単一線路によって互いに接続して共振器電
極を構成すれば、基本共振モードにおいて平行結合線路
に奇対称モードのみが存在することとなるため、適当な
方法によってこの共振器を駆動させることにより、極め
て効率的な光変調を実現することができる。また、本発
明に係る光変調素子の駆動方法によれば、平行結合線路
からなる変調電極に効率的に変調信号を供給することが
可能となるので、光変調のさらなる効率化を図ることが
できる。
【図１】図１ａは本発明に係る光変調素子の一実施例を
示す平面図であり、図１ｂは図１ａの要部断面図であ
る。
示す平面図であり、図１ｂは図１ａの要部断面図であ
る。
【図２】図１の光変調素子の駆動方法を示す平面図であ
る。
る。
【図３】図１の光変調素子の駆動方法の他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】図４は共振器型光変調素子を示す平面図であ
る。
る。
【図５】図４の光変調素子をさらに発展させた光変調素
子を示す平面図である。
子を示す平面図である。
【図６】共振器型光変調素子の駆動方法を示す平面図で
ある。
ある。
【図７】共振器型光変調素子の駆動方法の他の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】平行結合線路がストリップ線路からなる光変調
素子を示す要部断面図である。
素子を示す要部断面図である。
【図９】平行結合線路がコプレナー線路からなる光変調
素子を示す要部断面図である。
素子を示す要部断面図である。
【図１０】図１０ａは従来の導波路型光変調素子を示す
平面図であり、図１０ｂは図１０ａの要部断面図であ
る。
平面図であり、図１０ｂは図１０ａの要部断面図であ
る。
１１ 基板 １２ 光導波路 １３ 平行結合線路 １４ グランドプレーン １６ 間隙部 １８ 入力端子 １８ａ 第１の分岐片 １８ｂ 第２の分岐片 １９ 信号源 ２０ 間隙 ２１ タップ ２２ 入力端子 ２２ａ 第１の分岐片 ２２ｂ 第２の分岐片 ２３ 遅延線路 ２４ 単一線路 ２５ コンデンサ ２６ 間隙 ２７ 入力端子 ２８ タップ ２９ 入力端子 ３０ 誘電体 ３１ グランドプレーン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧本 三夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/035 G02F 1/03 502 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (11)
- 【請求項１】 基板と、前記基板の表面上に形成された
電気光学効果を有する光導波路と、前記基板の裏面に形
成された接地電極と、前記光導波路の両側に形成された
第１及び第２の導体線とを備え、前記基板と前記第１及
び第２の導体線と前記接地電極とでマイクロストリップ
構造の結合線路を形成したことを特徴とする光変調素
子。 - 【請求項２】 第１の基板と、前記第１の基板の表面上
に形成された電気光学効果を有する光導波路と、前記第
１の基板の裏面に形成された接地電極と、前記光導波路
の両側に形成された第１及び第２の導体線と、前記光導
波路の上に形成された第２の基板と、前記第２の基板の
さらに上に形成された第２の接地電極とを備え、前記第
１及び第２の基板と前記第１及び第２の導体線及び前記
第１及び第２の接地電極とでストリップライン構造の結
合線路を形成したことを特徴とする光変調素子。 - 【請求項３】 基板と、前記基板の表面上に形成された
電気光学効果を有する光導波路と、前記光導波路の両側
に形成された第１及び第２の導体線と、前記基板の表面
上に形成され、前記第１及び第２の導体線を取り囲むよ
うに配置された接地電極とを備え、前記基板と、前記第
１及び第２の導体線と電気接地電極とでコプレナー型の
結合線路を形成したことを特徴とする光変調素子。 - 【請求項４】 第１及び第２の導体線のそれぞれの一端
を単一線路によって接続したことを特徴とする請求項
１、２又は３に記載の光変調素子。 - 【請求項５】 第１及び第２の導体線のそれぞれの一端
を単一線路によって接続し、それぞれの他端を電気容量
的に結合したことを特徴とする請求項１、２又は３に記
載の光変調素子。 - 【請求項６】 第１及び第２の導体線を電気容量的に結
合する際に、可変容量素子を用いて電気容量的に結合し
たことを特徴とする請求項５に記載の光変調素子。 - 【請求項７】 請求項１、２または３に記載の光変調素
子に加えて、途中で２つに分岐された入力端子を具備
し、前記入力端子の第１の分岐片を第１の導体線の端部
に電気容量的に結合させ、第２の分岐片を第２の導体線
の端部に磁界結合 させたことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項８】 請求項１、２または３に記載の光変調素
子に加えて、途中で２つに分岐された入力端子を具備
し、前記入力端子の第１の分岐片を第１の導体線の端部
に直接接続させ、第２の分岐片を第２の導体線の端部に
遅延線路を介して接続させたことを特徴とする光変調装
置。 - 【請求項９】 請求項４、５または６に記載の光変調素
子の構成に加えて、第１または第２の導体線のいずれか
一方の一部分と電気容量的に結合している入力端子を備
えたことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１０】 請求項４、５または６に記載の光変調
素子の構成に加えて、第１または第２の導体線のいずれ
か一方の一部分と磁界結合している入力端子を備えた光
変調装置。 - 【請求項１１】 請求項１〜６に記載の光変調素子の駆
動方法であって、第１及び第２の導体線に励起する電磁
波が奇対称モードであることを特徴とする光変調素子の
駆動方法。
Priority Applications (5)
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| JP4258186A JP2758538B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 光変調素子と光変調装置及びその駆動方法 |
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