JP2739902B2

JP2739902B2 - 酸化ケイ素系被膜形成用塗布液

Info

Publication number: JP2739902B2
Application number: JP5244052A
Authority: JP
Inventors: 好謙坂本; 嘉男萩原; 初幸田中; 寿昌中山
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1993-09-30
Filing date: 1993-09-30
Publication date: 1998-04-15
Anticipated expiration: 2013-04-15
Also published as: US5496402A; US5614251A; JPH0797548A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規な酸化ケイ素系被膜
形成用塗布液、さらに詳しくは、本発明は、厚膜でもク
ラックが発生せず、かつ密着性、均質性、緻密性及び絶
縁性に優れる無機系の酸化ケイ素系被膜を、半導体基
板、ガラス板、金属板、セラミックス板などの基板上に
形成することができ、半導体素子や液晶表示素子などに
おける層間絶縁膜、平坦化膜、保護膜の形成や、多層レ
ジスト法用積層材及び位相シフタ材などとして好適に用
いられる保存安定性に優れた酸化ケイ素系被膜形成用塗
布液に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、超ＬＳＩ製造技術の発展に伴っ
て、高累積化、高速化、多機能化のための多層配線技術
に関する高度の要求がなされるようになってきた。例え
ば、半導体デバイスの製造においては、基板上に配線パ
ターンや絶縁膜を形成することが必要であるが、この
際、基板上にしばしば段差を生じ、このような段差をも
つ基板上にさらに配線パターンなどを形成しようとする
と、段差により微細配線パターンの正確な形成が妨げら
れるため、段差をなくす平坦化処理が不可欠となってい
る。

【０００３】従来、このような基板上の段差をなくす平
坦化処理技術としては、スピンオングラス法（ＳＯＧ
法）が一般に実用化されている。このＳＯＧ法として、
アルコールを主体とする有機溶媒中にテトラアルコキシ
シランを溶解して調製した塗布液を段差を有する基板表
面に塗布し、段差の凹部を埋め、かつ全面を覆うべく塗
布したのち、熱処理により酸化ケイ素系被膜を形成させ
て平坦化する方法がある。

【０００４】しかしながら、この方法は、テトラアルコ
キシシランを用いているため、得られる被膜が完全な無
機質の被膜となって特性の信頼性が高いものの、塗布液
の粘性が不足するので、１回の塗布操作でせいぜい０．
４μｍの厚さの被膜が得られるにすぎず、表面の段差を
平坦化するのに十分な膜厚とならないし、また十分な膜
厚とするには、塗布操作を多数回繰り返す必要がある
が、そうすると得られる被膜はクラックが生じたり、基
板との密着性が不十分であるという欠点がある。

【０００５】このような欠点を解決したものとして、本
出願人は、先にアルキル基を一部導入したアルコキシシ
ランを用いた酸化ケイ素系被膜形成用塗布液を提案した
（特開昭６３−２４１０７６号公報）。このものはテト
ラアルコキシシランにモノアルキルトリアルコキシシラ
ンやジアルキルジアルコキシシランを組み合わせて得ら
れたものであって、加水分解後にまだ有機基が残存する
ために、適度の粘性を有し、１回の塗布操作で１μｍ又
はそれ以上の厚膜を付与しうるとともに、前者のテトラ
アルコキシシランから得られる塗布液を用いる場合に比
べて、塗布、焼成により得られた被膜にクラックが発生
しにくくなる。

【０００６】しかしながら、このようなアルキル基を有
するアルコキシシランを用いる方法では、導入されたア
ルキル基が、のちの酸素プラズマ処理中に損傷を受けや
すく、膜減りやクラックが発生するという新たな問題を
生じ、またこの酸素プラズマ処理によるクラックを防止
しようとするとエッチバック工程が必要となり、製造プ
ロセスが増えるためにスループットが悪くなるのを免れ
ない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術が有する欠点を克服し、厚膜でも平坦化性に優
れ、塗布、焼成後被膜としたときにクラックを発生する
ことがなく、また酸素プラズマ処理後も膜減りがなく、
クラックを発生することがない、密着性、均質性、緻密
性及び絶縁性に優れる被膜を形成することができ、半導
体素子や液晶表示素子などにおける層間絶縁膜、平坦化
膜、保護膜などの形成に好適に用いられる保存安定性に
優れた酸化ケイ素系被膜形成用塗布液を提供することを
目的としてなされたものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有する塗布液を開発すべく鋭意研究を重ね
た結果、２種類のシラン化合物の加水分解液から成る塗
布液により、その目的を達成しうることを見出し、この
知見に基づいて本発明を完成するに至った。

【０００９】すなわち、本発明は、（Ａ）一般式（Ｉ）ＨＳｉ（ＯＲ¹）ａ（ＯＲ²）ｂ（ＯＲ³）ｃ …（Ｉ）（式中のＲ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ炭素数１〜４の
アルキル基又はフェニル基、ａ、ｂ及びｃは、０≦ａ≦
３、０≦ｂ≦３、０≦ｃ≦３であって、かつａ＋ｂ＋ｃ
＝３の条件を満たす整数である）で表わされる少なくと
も１種の化合物、及び（Ｂ）一般式（ＩＩ）Ｓｉ（ＯＲ⁴）ｄ（ＯＲ⁵）ｅ（ＯＲ⁶）ｆ（ＯＲ⁷）ｇ …（ＩＩ）（式中のＲ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は、それぞれ炭素数１〜
４のアルキル基又はフェニル基、ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、
０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４、０≦ｆ≦４、０≦ｇ≦４であ
って、かつｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝４の条件を満たす整数であ
る）で表わされる少なくとも１種の化合物を有機溶剤に
溶かし、酸触媒の存在下に加水分解し、かつアルコール
含有量を１５重量％以下に調整した溶液から成る酸化ケ
イ素系被膜形成用塗布液を提供するものである。

【００１０】この一般式（Ｉ）の（Ａ）成分としては、
例えばトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ
プロポキシシラン、トリブトキシシラン、トリフェニル
オキシシラン、ジエトキシモノメトキシシラン、モノメ
トキシジプロポキシシラン、ジブトキシモノメトキシシ
ラン、エトキシメトキシプロポキシシラン、モノエトキ
シジメトキシシラン、モノエトキシジプロポキシシラ
ン、モノエトキシジフェニルオキシシラン、ブトキシエ
トキシプロポキシシラン、ジメトキシモノプロポキシシ
ラン、ジエトキシモノプロポキシシラン、ブトキシプロ
ポキシフェニルオキシシラン、モノブトキシジフェニル
オキシシラン、モノブトキシジメトキシシラン、ジメト
キシモノフェニルオキシシラン、ジエトキシモノフェニ
ルオキシシランなどが挙げられる。これらの中で実用上
好ましいのは、トリメトキシシラン、トリエトキシシラ
ン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、トリ
フェニルオキシシランであり、中でも特にトリメトキシ
シラン、トリエトキシシランが好ましい。

【００１１】また、一般式（ＩＩ）の（Ｂ）成分として
は、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、
テトラフェニルオキシシラン、モノメトキシトリエトキ
シシラン、モノメトキシトリプロポキシシラン、モノメ
トキシトリブトキシシラン、モノメトキシトリフェニル
オキシシラン、モノメトキシジエトキシモノプロポキシ
シラン、モノメトキシジエトキシモノブトキシシラン、
モノエトキシトリメトキシシラン、モノエトキシトリプ
ロポキシシラン、モノエトキシトリブトキシシラン、モ
ノエトキシトリフェニルオキシシラン、モノエトキシジ
メトキシモノプロポキシシラン、モノエトキシジメトキ
シモノブトキシシラン、モノエトキシジプロポキシモノ
ブトキシシラン、モノプロポキシトリメトキシシラン、
モノプロポキシトリエトキシシラン、モノブトキシトリ
メトキシシラン、モノブトキシトリエトキシシラン、モ
ノフェニルオキシトリエトキシシラン、モノフェニルオ
キシトリブトキシシランなどが挙げられる。これらの中
で実用上好ましいのは、テトラメトキシシラン、テトラ
エトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブト
キシシラン、テトラフェニルオキシシランであり、中で
も特にテトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが
好ましい。

【００１２】この（Ａ）成分と（Ｂ）成分との配合割合
は、モル比で、１：９〜９：１、好ましくは１：４〜
２：１の範囲で選ばれる。この範囲を逸脱するとクラッ
クが発生しやすくなり、また保存安定性が低下する。

【００１３】本発明において、前記（Ａ）成分と（Ｂ）
成分を溶解するために用いられる有機溶媒としては、例
えばメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルア
ルコール、ブチルアルコールのような一価アルコール、
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、
ヘキサントリオールのような多価アルコール、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコール
モノブチルエーテルのような多価アルコールのモノエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのような
エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソアミルケトンのようなケトン類、エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテ
ル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレン
グリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジ
メチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテ
ル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコール
メチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテルのような多価アルコールの水酸基をすべてアル
キルエーテル化した多価アルコールエーテル類などが挙
げられる。これらの中で多価アルコールの水酸基をすべ
てアルキルエーテル化した多価アルコールエーテル類が
好適である。

【００１４】これらの有機溶媒は単独で用いてもよい
し、２種以上を組み合わせて用いてもよく、その使用量
は、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分のシラン化合物の合計
１モル当り、１０〜３０モルの範囲とするのが好まし
い。

【００１５】本発明においては、このようにして調製さ
れた（Ａ）成分と（Ｂ）成分の溶液は、これに水を加え
酸触媒の存在下加水分解される。この酸触媒としては、
従来慣用されている有機酸、無機酸いずれも使用でき
る。有機酸としては、例えば酢酸、プロピオン酸、酪酸
のような有機カルボン酸などが挙げられる。無機酸とし
ては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、リン酸のような鉱酸な
どが挙げられ、特に硝酸、リン酸が好ましい。

【００１６】水の添加量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の
シラン化合物の合計１モル当り、１．５〜４．０モルの
範囲とするのが好ましい。酸触媒は水を加えたのち加え
てもよいし、水と混合して酸水溶液として加えてもよ
い。酸触媒の使用量は、上記加水分解系中のその濃度が
３００〜８００ｐｐｍ、特に４００〜６００ｐｐｍの範
囲になるように調製される。加水分解反応は、通常５〜
１００時間程度で完了する。反応時間を短縮させるに
は、８０℃を超えない加熱温度で上記シラン化合物の混
合物を含む有機溶媒に水と酸触媒を滴下するのがよい。

【００１７】このようにして調製された塗布液は、この
ままでも使用できるが、塗布液中の固形分濃度（近似的
には塗布液中のＳｉＯ₂換算濃度）の調整のため、希釈
溶媒で希釈してから使用してもよい。この希釈溶媒とし
ては、前記した有機溶媒を用いるのが好ましい。特に有
利な塗布液は、それに含有されるケイ素化合物が水素原
子を有するものであって、その調製には、溶媒として用
いたアルコールあるいは（Ａ）成分と（Ｂ）成分の加水
分解反応により生成するアルコールの量を、塗布液全量
当り、１５重量％以下とすることが重要であり、過剰の
場合には減圧蒸留で余分のアルコールを除去する必要が
ある。この減圧蒸留は、真空度３０〜３００ｍｍＨｇ、
好ましくは５０〜２００ｍｍＨｇ、温度２０〜５０℃で
２〜６時間行うのが好ましい。このアルコール量が１５
重量％を超えて残存していると、Ｈ−Ｓｉ基とアルコー
ルが反応して、ＲＯ−Ｓｉ基を生成しやすいため、塗布
液がゲル化を生じやすくなり、保存安定性が悪くなった
り、１μｍ程度の厚膜としたときにクラックが発生す
る。したがって、アルコール分を少なくする上でも、前
記有機溶剤としては、多価アルコールの水酸基をすべて
エーテル化した多価アルコールエーテル類が好ましい。

【００１８】この好適な塗布液を用いて得られる被膜に
ついては、その構造中に水素原子が残存しやすいので、
１μｍ程度の厚膜としてもクラックが発生しにくく、ま
たアルキル基が存在しないため酸素プラズマ処理によっ
ても膜減りやクラックが起こりにくいので、エッチバッ
ク工程を要しなくとも平坦化できる。

【００１９】本発明の塗布液は、固体表面上に塗布し、
室温で長期間放置しても酸化ケイ素系被膜を形成する
が、該塗布液を固体表面上に塗布し、乾燥させて塗膜を
形成させたのち、空気中にて３５０℃以上の温度範囲で
焼成することにより、優れた物性を有する酸化ケイ素系
被膜が形成される。さらに、この焼成において水蒸気を
付与することにより、ＳｉＯ結合が進行し、より物性の
優れた酸化ケイ素系被膜が形成される。このようにして
形成された酸化ケイ素系被膜は、厚膜にしてもクラック
が発生せず、かつ密着性、均質性、緻密性及び絶縁性に
優れている。

【００２０】

【発明の効果】本発明の酸化ケイ素系被膜形成用塗布液
は、保存安定性に優れるとともに、厚膜でもクラックが
発生せず、かつ密着性、均質性、緻密性及び絶縁性に優
れる酸化ケイ素系被膜を形成することができ、半導体素
子や液晶表示素子などにおける層間絶縁膜、平坦化膜、
保護膜の形成や多層レジスト法用積層材として好適に用
いられる。また、形成される被膜が均質性に優れている
ため、光の散乱が抑制され、ＬＳＩ用のマスク上に形成
する位相シフタ材としても有用である。

【００２１】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。

【００２２】製造例１トリエトキシシラン１６４ｇ（１モル）とテトラエトキ
シシラン２０８ｇ（１モル）を混合し、エチレングリコ
ールジメチルエーテル１９３２ｇ（２１．４モル）を加
えかきまぜた。次いで、純水９０ｇ（５モル）と濃硝酸
４００μｌを混合したものを、ゆっくりかきまぜながら
滴下したのち、約６時間かきまぜ、その後室温で３日間
静置させて溶液を得た。この溶液を１５０ｍｍＨｇ、４
０℃で４時間減圧蒸留し、固形分濃度１２重量％、アル
コール濃度１０重量％の塗布液を調製した。

【００２３】製造例２トリエトキシシラン１６４ｇ（１モル）とテトラメトキ
シシラン１５２ｇ（１モル）を混合し、エチレングリコ
ールジエチルエーテル１８７６ｇ（１５．９モル）を加
えかきまぜた。次いで、純水９０ｇ（５モル）と濃硝酸
３２０μｌを混合したものを、ゆっくりかきまぜながら
滴下したのち、約６時間かきまぜ、その後室温で３日間
静置させて溶液を得た。この溶液を１５０ｍｍＨｇ、４
０℃で４時間減圧蒸留し、固形分濃度１２重量％、アル
コール濃度１０重量％の塗布液を調製した。

【００２４】製造例３トリエトキシシラン６５６ｇ（４モル）とテトラエトキ
シシラン２０８ｇ（１モル）を混合し、プロピレングリ
コールジメチルエーテル２７７０ｇ（２６．６モル）を
加えかきまぜた。次いで、純水１０８ｇ（６モル）と濃
硝酸８００μｌを混合したものを、ゆっくりかきまぜな
がら滴下したのち、約６時間かきまぜ、その後室温で２
日間静置させて溶液を得た。この溶液を１５０ｍｍＨ
ｇ、４０℃で４時間減圧蒸留し、固形分濃度１２重量
％、アルコール濃度５重量％の塗布液を調製した。

【００２５】製造例４トリエトキシシラン１６４ｇ（１モル）とテトラエトキ
シシラン２０８ｇ（１モル）を混合し、エチレングリコ
ールジメチルエーテル１０３８ｇ（１１．５モル）を加
えかきまぜた。次いで、純水９０ｇ（５モル）と濃硝酸
６００μｌを混合したものを、ゆっくりかきまぜながら
滴下したのち、約６時間かきまぜ、その後室温で３日間
静置させて塗布液を調製した。この塗布液の固形分濃度
は８重量％、アルコール濃度は２１重量％であった。

【００２６】製造例５テトラエトキシシラン２０８ｇ（１モル）にエタノール
２１９ｇを加え、次いで純水７２ｇ（４モル）、濃硝酸
２００μｌを滴下させたのち、約６時間かきまぜ、その
後室温で１０日間静置させて得られる溶液を塗布液とし
た。なお、この塗布液の固形分濃度は１２重量％であっ
た。

【００２７】製造例６モノメチルトリメトキシシラン１３６ｇ（１モル）とテ
トラメトキシシラン１５２ｇ（１モル）を混合し、イソ
プロピルアルコール６００ｇを加え、次いで純水１２６
ｇ（７モル）と濃硝酸５３μｌをゆっくり滴下させたの
ち、約６時間かきまぜ、その後室温で５日間静置させて
得られる溶液を塗布液とした。なお、この塗布液の固形
分濃度は１２重量％であった。

【００２８】実施例１〜４、比較例１表１に示す各製造例で調製した塗布液を、４インチシリ
コンウエハー上にアルミニウムの１．０μｍの段差パタ
ーンを有する基板に、スピンナーにより３０００ｒｐｍ
で３０秒間塗布し、次いで窒素雰囲気中にて４５０℃で
３０分間熱処理し得られる被膜の平坦化性、段差パター
ン内部の膜厚、段差パターン内部のクラックの有無をＳ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。
また、各製造例で調製した塗布液の保存安定性として、
室温で各塗布液を保存した場合にゲル化を生じるまでの
期間を求めた。これらの平坦化性、膜厚、クラックの有
無、保存安定性についての結果を表１に示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】比較例２トリエトキシシラン１６４ｇ（１モル）をエチレングリ
コールジエチルエーテル５４８ｇ（６．１モル）を加え
かきまぜた。次いで、純水５４ｇ（３モル）と濃硝酸３
２０μｌを混合したものを、ゆっくりかきまぜながら滴
下したのち、約６時間かきまぜ、その後室温で３日間静
置させて溶液を得た。この溶液を１５０ｍｍＨｇ、４０
℃で４時間減圧蒸留し、固形分濃度１２重量％、アルコ
ール濃度１０重量％の塗布液を調製した。この塗布液を
４インチシリコンウエハー上に塗布したところ、表面あ
れ（くもり）が発生し、また、この溶液はまもなくゲル
化し、実用には供し得ないものであった。

【００３１】実施例５製造例１で調製した塗布液を４インチシリコンウエハー
上にスピンコーターを用い３０００ｒｐｍで２０秒間塗
布した。その後、ホットプレート上で８０℃で１分間、
続いて１５０℃に昇温し１分間、さらに２００℃に昇温
し１分間の仮焼成を行い、次いで窒素雰囲気中、４５０
℃で３０分間本焼成を行った。この塗布液の塗布、仮焼
成、本焼成の一連の操作を数回繰り返して、クラックが
発生する膜厚（クラック限界）を調べた。また、得られ
た酸化ケイ素系被膜のクラック発生の一つの要因である
仮焼成から本焼成に至るまでの膜厚の収縮率（シュリン
ク率）Ａを次式から算出した。［（２００℃で仮焼成後の膜厚−４５０℃で本焼成後の膜厚）／２００℃で仮焼成後の膜厚］×１００シュリンク率が小さいほどクラックが発生しにくいとい
える。また、得られた酸化ケイ素系被膜の膜の緻密性を
調べるために、本焼成後に０．１％フッ酸水溶液中に２
５℃で３０分間浸せきさせ、ウエットエッチングレート
を調べた。ウエットエッチングレートが小さいほど緻密
な膜が形成されているといえる。なお、シュリンク率
Ａ、ウエットエッチングレートについては、塗布仮焼
成、本焼成の一連の処理１回の操作により得られた被膜
について調べた。これらのクラック限界、シュリンク率
Ａ、ウエットエッチングレートの結果を表２に示す。

【００３２】比較例３塗布液を製造例６で調製した塗布液に代えた以外は実施
例５と同様にして、クラック限界、シュリンク率Ａ、ウ
エットエッチングレートについて調べた。これらの結果
を表２に示す。

【００３３】比較例４塗布液を製造例５で調製した塗布液に代えた以外は実施
例５と同様にして、クラック限界、シュリンク率Ａ、ウ
エットエッチングレートについて調べた。これらの結果
を表２に示す。

【００３４】

【表２】

【００３５】実施例６製造例１で調製した塗布液を４インチシリコンウエハー
上にスピンコーターを用い３０００ｒｐｍで２０秒間塗
布した。その後、ホットプレート上で８０℃で１分間、
続いて１５０℃に昇温し１分間、さらに２００℃に昇温
し１分間の仮焼成を行い、次いで窒素雰囲気中、４５０
℃で３０分間本焼成を行った。その後、プラズマ処理装
置ＯＰＭ−ＥＭ１０００（東京応化工業社製）を用い
て、圧力１．０Ｔｏｒｒ、処理時間６０分間の条件で、
酸素プラズマを照射した。酸素プラズマ照射前後の膜厚
の差より、酸素プラズマによる膜厚の収縮率（シュリン
ク率）Ｂを求めた。また、酸素プラズマ処理後の酸化ケ
イ素系被膜の緻密性を調べるために、酸素プラズマ照射
前後に０．１％フッ酸水溶液中に２５℃で３０分間浸せ
きさせ、ウエットエッチングレートを調べた。これらの
シュリンク率Ｂ、ウエットエッチングレートの結果を表
３に示す。

【００３６】比較例５塗布液を製造例６で調製した塗布液に代えた以外は実施
例６と同様にして、シュリンク率Ｂ、ウエットエッチン
グレートについて調べた。これらの結果を表３に示す。

【００３７】比較例６塗布液を製造例５で調製した塗布液に代えた以外は実施
例６と同様にして、シュリンク率Ｂ、ウエットエッチン
グレートについて調べた。これらの結果を表３に示す。

【００３８】

【表３】

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）一般式ＨＳｉ（ＯＲ¹）ａ（ＯＲ²）ｂ（ＯＲ³）ｃ（式中のＲ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ炭素数１〜４の
アルキル基又はフェニル基、ａ、ｂ及びｃは、０≦ａ≦
３、０≦ｂ≦３、０≦ｃ≦３であって、かつａ＋ｂ＋ｃ
＝３の条件を満たす整数である）で表わされる少なくと
も１種の化合物、及び（Ｂ）一般式Ｓｉ（ＯＲ⁴）ｄ（ＯＲ⁵）ｅ（ＯＲ⁶）ｆ（ＯＲ⁷）ｇ（式中のＲ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は、それぞれ炭素数１〜
４のアルキル基又はフェニル基、ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、
０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４、０≦ｆ≦４、０≦ｇ≦４であ
って、かつｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝４の条件を満たす整数であ
る）で表わされる少なくとも１種の化合物を有機溶剤に
溶かし、酸触媒の存在下に加水分解し、かつアルコール
含有量を１５重量％以下に調整した溶液から成る酸化ケ
イ素系被膜形成用塗布液。
【請求項２】（Ａ）成分と（Ｂ）成分の配合割合がモ
ル比で１：９〜９：１である請求項１記載の酸化ケイ素
系被膜形成用塗布液。
【請求項３】有機溶剤がアルキレングリコールジアル
キルエーテルである請求項１又は２記載の酸化ケイ素系
被膜形成用塗布液。
【請求項４】アルキレングリコールジアルキルエーテ
ルがエチレングリコールジメチルエーテルである請求項
３記載の酸化ケイ素系被膜形成用塗布液。