JP2732155B2 - スイッチング素子の制御装置およびこれを用いた装置 - Google Patents
スイッチング素子の制御装置およびこれを用いた装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタ等のスイ
ッチング素子の制御入力端に正電圧および負電圧を印加
することにより高速でのオン・オフ制御を行うようにし
たスイッチング素子の制御装置に関するものである。
ッチング素子の制御入力端に正電圧および負電圧を印加
することにより高速でのオン・オフ制御を行うようにし
たスイッチング素子の制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタなどのスイッチ
ング素子を高速でオン・オフ制御するために、制御入力
端であるベースに正および負の電圧を印加することが行
われている。この場合にはベースに印加する正および負
の電源が必要である。
ング素子を高速でオン・オフ制御するために、制御入力
端であるベースに正および負の電圧を印加することが行
われている。この場合にはベースに印加する正および負
の電源が必要である。
【０００３】図７は従来装置の回路図であり、このベー
スの電源回路に交流電源とトランスとを用いたものであ
る。この図で符号１０はＮＰＮバイポーラトランジスタ
である。このトランジスタ１０は例えば複数個が組合さ
れてブリッジ回路を形成し、サーボモータやインバータ
などの高速スイッチングによる制御回路に用いられるも
のである。１２は交流電源、１４は絶縁トランスであ
り、このトランス１４の２次側の交流電圧がダイオード
１６、１８で整流され、コンデンサ２０、２２を図示の
極性に充電する。コンデンサ２０は正電圧源用のもので
あり、その正電極電圧がベース回路２４に入力される。
同様にコンデンサ２２は負電圧源用のものであり、その
負電極電圧がベース回路２４に入力される。このベース
回路２４は図示しない回路から入力される制御指令信号
により決まるデューティ比でトランジスタ１０をオン・
オフするが、オンする時にはコンデンサ２０の正電圧
が、オフする時にはコンデンサ２２の負電圧が用いられ
る。
スの電源回路に交流電源とトランスとを用いたものであ
る。この図で符号１０はＮＰＮバイポーラトランジスタ
である。このトランジスタ１０は例えば複数個が組合さ
れてブリッジ回路を形成し、サーボモータやインバータ
などの高速スイッチングによる制御回路に用いられるも
のである。１２は交流電源、１４は絶縁トランスであ
り、このトランス１４の２次側の交流電圧がダイオード
１６、１８で整流され、コンデンサ２０、２２を図示の
極性に充電する。コンデンサ２０は正電圧源用のもので
あり、その正電極電圧がベース回路２４に入力される。
同様にコンデンサ２２は負電圧源用のものであり、その
負電極電圧がベース回路２４に入力される。このベース
回路２４は図示しない回路から入力される制御指令信号
により決まるデューティ比でトランジスタ１０をオン・
オフするが、オンする時にはコンデンサ２０の正電圧
が、オフする時にはコンデンサ２２の負電圧が用いられ
る。
【０００４】このように従来回路では、トランジスタ１
０によりオン・オフ制御される主回路と、交流電源１２
とを絶縁する必要があるため、トランス１４が必要で、
装置が大型化し重くなるという問題があった。またこの
従来回路を用いてブリッジ回路を構成した場合には、ト
ランス１４の浮遊容量のために高速スイッチング時にト
ランス１４の２次側同志間でクロストークが発生し易
く、これにより誤動作が発生し易いという問題もあっ
た。
０によりオン・オフ制御される主回路と、交流電源１２
とを絶縁する必要があるため、トランス１４が必要で、
装置が大型化し重くなるという問題があった。またこの
従来回路を用いてブリッジ回路を構成した場合には、ト
ランス１４の浮遊容量のために高速スイッチング時にト
ランス１４の２次側同志間でクロストークが発生し易
く、これにより誤動作が発生し易いという問題もあっ
た。
【０００５】
【発明の目的】本発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、スイッチング素子を高速でオン・オフする
ためにその制御入力端に正および負の電圧を印加する場
合に、トランスを用いることなく小型化、軽量化が図れ
るようにし、また誤動作が発生しにくくしたスイッチン
グ素子の制御装置を提供することを目的とする。
ものであり、スイッチング素子を高速でオン・オフする
ためにその制御入力端に正および負の電圧を印加する場
合に、トランスを用いることなく小型化、軽量化が図れ
るようにし、また誤動作が発生しにくくしたスイッチン
グ素子の制御装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【発明の構成】本発明によればこの目的は、制御入力端
子に正電圧および負電圧を印加することによりオン・オ
フ制御するスイッチング素子において、前記スイッチン
グ素子に直列接続された直流電源と、前記スイッチング
素子のオフ時に前記直流電源により充電される互いに直
列接続された正電圧源用コンデンサおよび制御用コンデ
ンサと、前記スイッチング素子のオン時にこのスイッチ
ング素子を介して放電される前記制御用コンデンサの放
電電流により充電される負電圧源用コンデンサと、前記
正電圧源用コンデンサの正電極電圧および前記負電圧源
用コンデンサの負電極電圧を用いて前記スイッチング素
子の制御入力端を制御する制御入力端回路とを備えるこ
とを特徴とするスイッチング素子の制御装置により達成
される。
子に正電圧および負電圧を印加することによりオン・オ
フ制御するスイッチング素子において、前記スイッチン
グ素子に直列接続された直流電源と、前記スイッチング
素子のオフ時に前記直流電源により充電される互いに直
列接続された正電圧源用コンデンサおよび制御用コンデ
ンサと、前記スイッチング素子のオン時にこのスイッチ
ング素子を介して放電される前記制御用コンデンサの放
電電流により充電される負電圧源用コンデンサと、前記
正電圧源用コンデンサの正電極電圧および前記負電圧源
用コンデンサの負電極電圧を用いて前記スイッチング素
子の制御入力端を制御する制御入力端回路とを備えるこ
とを特徴とするスイッチング素子の制御装置により達成
される。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の基本回路図である。この図で
符号３０はスイッチング素子としての絶縁ゲートＮＰＮ
型バイポーラトランジスタであり、そのコレクタ（Ｃ）
は直流電源の正極（＋）に、エミッタ（Ｅ）は接地
（−）されている。３２は正電圧源用コンデンサであ
り、その正極（＋）は抵抗３４およびダイオード３６を
介してコレクタ（Ｃ）に接続され、その負極（−）はエ
ミッタ（Ｅ）に接続されている。
符号３０はスイッチング素子としての絶縁ゲートＮＰＮ
型バイポーラトランジスタであり、そのコレクタ（Ｃ）
は直流電源の正極（＋）に、エミッタ（Ｅ）は接地
（−）されている。３２は正電圧源用コンデンサであ
り、その正極（＋）は抵抗３４およびダイオード３６を
介してコレクタ（Ｃ）に接続され、その負極（−）はエ
ミッタ（Ｅ）に接続されている。
【０００８】３８は制御用コンデンサであり、その正極
（＋）はコレクタ（Ｃ）に接続され、負極（−）はダイ
オード４０を介してコンデンサ３２の正極（＋）に接続
されている。４２は負電圧源用コンデンサであり、その
正極はエミッタ（Ｅ）に接続され、負極（−）はダイオ
ード４４を介してコンデンサ３８の負極（−）に接続さ
れている。なおコンデンサ３２、４２にはツェナーダイ
オード４６、４８が並列接続され、これらコンデンサ３
２、４２の充電電圧を一定に保っている。
（＋）はコレクタ（Ｃ）に接続され、負極（−）はダイ
オード４０を介してコンデンサ３２の正極（＋）に接続
されている。４２は負電圧源用コンデンサであり、その
正極はエミッタ（Ｅ）に接続され、負極（−）はダイオ
ード４４を介してコンデンサ３８の負極（−）に接続さ
れている。なおコンデンサ３２、４２にはツェナーダイ
オード４６、４８が並列接続され、これらコンデンサ３
２、４２の充電電圧を一定に保っている。
【０００９】ベース回路５０にはコンデンサ３２の正極
（＋）とコンデンサ４２の負極（−）とがそれぞれ入力
され、またコンデンサ３２と４２の接続点がコモン電圧
として入力される。このベース回路５０は図示しない回
路から入力される指令信号ｉに基づいて所定のデューテ
ィ比でトランジスタ３０をオン・オフするが、オン時に
はコンデンサ３２の正極電圧を用い、オフの瞬間にはコ
ンデンサ４２の負極電圧を印加してオン中にベースにた
まった電流を吸い出すことによりスイッチング速度を高
速にする。
（＋）とコンデンサ４２の負極（−）とがそれぞれ入力
され、またコンデンサ３２と４２の接続点がコモン電圧
として入力される。このベース回路５０は図示しない回
路から入力される指令信号ｉに基づいて所定のデューテ
ィ比でトランジスタ３０をオン・オフするが、オン時に
はコンデンサ３２の正極電圧を用い、オフの瞬間にはコ
ンデンサ４２の負極電圧を印加してオン中にベースにた
まった電流を吸い出すことによりスイッチング速度を高
速にする。
【００１０】次にこの回路の動作を説明する。まずトラ
ンジスタ３０のオフ中には、ダイオード３６、抵抗３４
を介してコンデンサ３２の充電電流が流れ、このコンデ
ンサ３２が図示の極性に充電される。またコンデンサ３
８にもダイオード４０、ツェナーダイオード４６あるい
はコンデンサ３２を介して充電電流が流れ、図示の極性
に充電される。図の実線矢印がこの時の電流の流れを示
している。ベース回路５０は制御指令信号に基づいてト
ランジスタ３０をオンにする際には、このコンデンサ３
２の正電極電圧（＋）を用いてベースに正電圧を印加す
る。
ンジスタ３０のオフ中には、ダイオード３６、抵抗３４
を介してコンデンサ３２の充電電流が流れ、このコンデ
ンサ３２が図示の極性に充電される。またコンデンサ３
８にもダイオード４０、ツェナーダイオード４６あるい
はコンデンサ３２を介して充電電流が流れ、図示の極性
に充電される。図の実線矢印がこの時の電流の流れを示
している。ベース回路５０は制御指令信号に基づいてト
ランジスタ３０をオンにする際には、このコンデンサ３
２の正電極電圧（＋）を用いてベースに正電圧を印加す
る。
【００１１】トランジスタ３０がオンになる瞬間には、
コンデンサ３８はトランジスタ３０、コンデンサ４２、
ダイオード４４を介して放電され、コンデンサ４２が図
示の極性に充電される。図の破線矢印がこの時の電流の
流れ方向を示している。そしてベース回路５０がトラン
ジスタ３０をオフにする時にはベースにこのコンデンサ
４２の負電極電圧（−）を印加し、トランジスタ３０の
高速なオフ動作を可能にする。以上の動作を繰り返すこ
とにより極めて高速のスイッチングが可能になる。なお
ダイオード３６は、トランジスタ３０のオンの瞬間にコ
ンデンサ３２が放電されるのを防ぎ電池の無駄な消耗を
防止するものである。
コンデンサ３８はトランジスタ３０、コンデンサ４２、
ダイオード４４を介して放電され、コンデンサ４２が図
示の極性に充電される。図の破線矢印がこの時の電流の
流れ方向を示している。そしてベース回路５０がトラン
ジスタ３０をオフにする時にはベースにこのコンデンサ
４２の負電極電圧（−）を印加し、トランジスタ３０の
高速なオフ動作を可能にする。以上の動作を繰り返すこ
とにより極めて高速のスイッチングが可能になる。なお
ダイオード３６は、トランジスタ３０のオンの瞬間にコ
ンデンサ３２が放電されるのを防ぎ電池の無駄な消耗を
防止するものである。
【００１２】図２は図１の基本回路に基づいた実用回路
を示す図である。この回路では高速スイッチングに適す
るＭＯＳＦＥＴ（絶縁ゲート電界効果トランジスタ）３
０Ａを用いている。また抵抗３４の損失を低減するため
にＮＰＮトランジスタ６０を用いてシリーズレギュレー
タを構成した。すなわちトランジスタ６０の電流増幅率
により抵抗３４の電流値を下げてこの損失を減らすもの
である。コンデンサ３２の充電が完了するとトランジス
タ６０のエミッタ電圧が上昇するのでトランジスタ６０
はオフする。
を示す図である。この回路では高速スイッチングに適す
るＭＯＳＦＥＴ（絶縁ゲート電界効果トランジスタ）３
０Ａを用いている。また抵抗３４の損失を低減するため
にＮＰＮトランジスタ６０を用いてシリーズレギュレー
タを構成した。すなわちトランジスタ６０の電流増幅率
により抵抗３４の電流値を下げてこの損失を減らすもの
である。コンデンサ３２の充電が完了するとトランジス
タ６０のエミッタ電圧が上昇するのでトランジスタ６０
はオフする。
【００１３】６２、６４はツェナーダイオード４６、４
８の許容損失を大きくするためのトランジスタである。
６６、６８はコンデンサ３２、４２に並列接続したバイ
パスコンデンサであり、コンデンサ３２、４２のインピ
ーダンスを低減する。
８の許容損失を大きくするためのトランジスタである。
６６、６８はコンデンサ３２、４２に並列接続したバイ
パスコンデンサであり、コンデンサ３２、４２のインピ
ーダンスを低減する。
【００１４】以上の説明から明らかなように、この発明
の装置は複数組合せて単相あるいは３相のブリッジ回路
を構成することができ、これを用いてサーボモータの速
度制御装置やインバータ装置等種々の装置に使用でき
る。またスイッチングレギュレータなどの電源にも適用
できる。要するにスイッチング素子を高速でスイッチン
グする回路に適用可能であり、本発明はこれらを包含す
る。
の装置は複数組合せて単相あるいは３相のブリッジ回路
を構成することができ、これを用いてサーボモータの速
度制御装置やインバータ装置等種々の装置に使用でき
る。またスイッチングレギュレータなどの電源にも適用
できる。要するにスイッチング素子を高速でスイッチン
グする回路に適用可能であり、本発明はこれらを包含す
る。
【００１５】図３は図１、２に示した制御装置を用いた
例としての３相ブリッジ回路のブロック図である。この
図において符号３０は図１のトランジスタ３０と同一で
あり、またＣは図１、２のベース回路５０あるいはゲー
ト回路５０Ａとコンデンサ３２、３８、４２等を含む回
路全体を示す。各回路Ｃには、各相に対する指令信号ｕ
+ 、ｕ- 、ｖ+ 、ｖ- 、ｗ+ 、ｗ- が所定のタイミング
に入力されて、各トランジスタ３０が選択的にオン・オ
フ制御される。
例としての３相ブリッジ回路のブロック図である。この
図において符号３０は図１のトランジスタ３０と同一で
あり、またＣは図１、２のベース回路５０あるいはゲー
ト回路５０Ａとコンデンサ３２、３８、４２等を含む回
路全体を示す。各回路Ｃには、各相に対する指令信号ｕ
+ 、ｕ- 、ｖ+ 、ｖ- 、ｗ+ 、ｗ- が所定のタイミング
に入力されて、各トランジスタ３０が選択的にオン・オ
フ制御される。
【００１６】図４は図１、２に示した制御回路を用いた
サーボモータの速度制御装置を示す回路図である。この
図で符号１００は例えば直流サーボモータであり、その
ロータの回転速度ｖがタコジュネレータ１０２により検
出される。この回転速度ｖと速度指令ｖi との偏差（ｖ
i −ｖ）が差動増幅器１０４で求められ、この速度偏差
（ｖi −ｖ）に対応してパルス幅制御回路（ＰＷＭ）１
０６は所定のタイミングで所定パルス幅の指令信号ｉを
出力する。１０８は三角波発振器でありＰＷＭ１０６は
この発振器１０８が出力する三角波を速度偏差（ｖi −
ｖ）と比較することにより指令信号ｉの出力位相と、パ
ルス幅を決定するものである。
サーボモータの速度制御装置を示す回路図である。この
図で符号１００は例えば直流サーボモータであり、その
ロータの回転速度ｖがタコジュネレータ１０２により検
出される。この回転速度ｖと速度指令ｖi との偏差（ｖ
i −ｖ）が差動増幅器１０４で求められ、この速度偏差
（ｖi −ｖ）に対応してパルス幅制御回路（ＰＷＭ）１
０６は所定のタイミングで所定パルス幅の指令信号ｉを
出力する。１０８は三角波発振器でありＰＷＭ１０６は
この発振器１０８が出力する三角波を速度偏差（ｖi −
ｖ）と比較することにより指令信号ｉの出力位相と、パ
ルス幅を決定するものである。
【００１７】この指令信号ｉは各相の正相の制御回路Ｃ
に、またインバータ１１０を介して得た指令信号ｉの反
転信号ｉは各相の逆相の制御回路Ｃに入力され、各相の
トランジスタ３０をオン・オフする。この図で１１２は
電池、１１４は各トランジスタ３０に逆並列接続された
ダイオードである。なおこの図では単相として説明して
いるが、三相であってもよいのは勿論である。
に、またインバータ１１０を介して得た指令信号ｉの反
転信号ｉは各相の逆相の制御回路Ｃに入力され、各相の
トランジスタ３０をオン・オフする。この図で１１２は
電池、１１４は各トランジスタ３０に逆並列接続された
ダイオードである。なおこの図では単相として説明して
いるが、三相であってもよいのは勿論である。
【００１８】図５は図１、２の回路を用いたインバータ
回路を示す図である。この図で１２０は発振器であり、
所定の周波数で所定のパルス幅の指令信号ｉを正相の制
御回路Ｃに、その反転信号ｉを逆相の制御回路Ｃに供給
する。この結果出力トランス１２２の一次側には指令信
号ｉの周波数で一次電流が流れ、二次側に同一周波数の
交流電圧ｖ0 が得られる。なおこの図では図４と同一部
分に同一符号を付した。
回路を示す図である。この図で１２０は発振器であり、
所定の周波数で所定のパルス幅の指令信号ｉを正相の制
御回路Ｃに、その反転信号ｉを逆相の制御回路Ｃに供給
する。この結果出力トランス１２２の一次側には指令信
号ｉの周波数で一次電流が流れ、二次側に同一周波数の
交流電圧ｖ0 が得られる。なおこの図では図４と同一部
分に同一符号を付した。
【００１９】図６は図１、２の回路を用いたスイッチン
グレギュレーターを示す図である。この図で１３０はコ
ンパレータであり、その非反転入力端には定電圧ダイオ
ード１３２により得た基準電圧ｖ1 が、また反転入力端
には出力電圧ｖ0 に比例する電圧ｖ2 が入力されてい
る。従ってｖ1 ＞ｖ2 になるとコンパレータ１３０は正
の指令信号ｉを回路Ｃに出力し、トランジスタ３０がオ
ンとなる。逆にｖ1 ＜ｖ2 になるとトランジスタ３０が
オフとなり、出力電圧ｖ0 が一定に制御される。
グレギュレーターを示す図である。この図で１３０はコ
ンパレータであり、その非反転入力端には定電圧ダイオ
ード１３２により得た基準電圧ｖ1 が、また反転入力端
には出力電圧ｖ0 に比例する電圧ｖ2 が入力されてい
る。従ってｖ1 ＞ｖ2 になるとコンパレータ１３０は正
の指令信号ｉを回路Ｃに出力し、トランジスタ３０がオ
ンとなる。逆にｖ1 ＜ｖ2 になるとトランジスタ３０が
オフとなり、出力電圧ｖ0 が一定に制御される。
【００２０】
【発明の効果】本発明は以上のように、スイッチング素
子のオフ時に正電圧源用コンデンサと制御用コンデンサ
を充電し、スイッチング素子のオンの瞬間にこのスイッ
チング素子を介して制御用コンデンサを放電させること
により負電圧源用コンデンサを充電し、これら正・負電
圧源用コンデンサの正・負極電圧を用いてスイッチング
を行うものであるから、トランスを用いることなく高速
スイッチングを行うことが可能となる。従って装置が小
型・軽量化できる。またトランスを用いないのでトラン
スの２次側の出力コイル間のクロストークの問題がな
く、クロストークによる誤動作の心配がない（請求項
１）。また請求項２の発明によればスイッチング素子の
オン時に正電圧源用コンデンサの放電が規制されるの
で、消費電力が少なくなり、効率が向上する。スイッチ
ング素子はＮＰＮ型トランジスタやＭＯＳ型ＦＥＴが適
する（請求項３、４）。またこの制御装置を用いてブリ
ッジ回路、サーボモータの速度制御装置、インバータ装
置、スイッチングレギュレータ等を構成することができ
る（請求項５〜８）。
子のオフ時に正電圧源用コンデンサと制御用コンデンサ
を充電し、スイッチング素子のオンの瞬間にこのスイッ
チング素子を介して制御用コンデンサを放電させること
により負電圧源用コンデンサを充電し、これら正・負電
圧源用コンデンサの正・負極電圧を用いてスイッチング
を行うものであるから、トランスを用いることなく高速
スイッチングを行うことが可能となる。従って装置が小
型・軽量化できる。またトランスを用いないのでトラン
スの２次側の出力コイル間のクロストークの問題がな
く、クロストークによる誤動作の心配がない（請求項
１）。また請求項２の発明によればスイッチング素子の
オン時に正電圧源用コンデンサの放電が規制されるの
で、消費電力が少なくなり、効率が向上する。スイッチ
ング素子はＮＰＮ型トランジスタやＭＯＳ型ＦＥＴが適
する（請求項３、４）。またこの制御装置を用いてブリ
ッジ回路、サーボモータの速度制御装置、インバータ装
置、スイッチングレギュレータ等を構成することができ
る（請求項５〜８）。
【図１】本発明の基本回路図
【図２】本願発明の実用回路図
【図３】本発明の制御装置を用いたブリッジ回路図
【図４】同じくサーボモータの速度制御装置の回路図
【図５】同じくインバータ回路図
【図６】同じくスイッチングレギュレータ回路図
【図７】従来装置の回路図
３０ スイッチング素子としてのトランジスタ ３０Ａ スイッチング素子としてのＦＥＴ ３８ 制御用コンデンサ ４２ 負電圧源用コンデンサ ５０ 制御入力端回路としてのベース回路 ５０Ａ 制御入力端回路としてのゲート回路 Ｃ 本発明の制御装置
Claims (8)
- 【請求項１】 制御入力端子に正電圧および負電圧を印
加することによりオン・オフ制御するスイッチング素子
において、前記スイッチング素子に直列接続された直流
電源と、前記スイッチング素子のオフ時に前記直流電源
により充電される互いに直列接続された正電圧源用コン
デンサおよび制御用コンデンサと、前記スイッチング素
子のオン時にこのスイッチング素子を介して放電される
前記制御用コンデンサの放電電流により充電される負電
圧源用コンデンサと、前記正電圧源用コンデンサの正電
極電圧および前記負電圧源用コンデンサの負電極電圧を
用いて前記スイッチング素子の制御入力端を制御する制
御入力端回路とを備えることを特徴とするスイッチング
素子の制御装置。 - 【請求項２】 前記正電圧源用コンデンサの正極充電端
と前記スイッチング素子の正極端との間に介在され、前
記スイッチング素子のオン時に前記正電圧源用コンデン
サの放電を規制するダイオードを備える請求項１のスイ
ッチング素子の制御装置。 - 【請求項３】 前記スイッチング素子がＮＰＮ型トラン
ジスタである請求項１または２のスイッチング素子の制
御装置。 - 【請求項４】 前記スイッチング素子がＭＯＳ型電界効
果トランジスタである請求項１または２のスイッチング
素子の制御装置。 - 【請求項５】 請求項１のスイッチング素子により形成
されたブリッジ回路。 - 【請求項６】 請求項５のブリッジ回路を用いたサーボ
モータの速度制御装置。 - 【請求項７】 請求項４のブリッジ回路を用いたインバ
ータ装置。 - 【請求項８】 請求項１の制御装置を用いたスイッチン
グレギュレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163313A JP2732155B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | スイッチング素子の制御装置およびこれを用いた装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163313A JP2732155B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | スイッチング素子の制御装置およびこれを用いた装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363909A JPH04363909A (ja) | 1992-12-16 |
| JP2732155B2 true JP2732155B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=15771463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3163313A Expired - Lifetime JP2732155B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | スイッチング素子の制御装置およびこれを用いた装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732155B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5937898A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | 同期電動機の運転装置 |
| JPS6477220A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Driving circuit for mos-fet |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP3163313A patent/JP2732155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04363909A (ja) | 1992-12-16 |
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