JP2713094B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JP2713094B2 JP2713094B2 JP11454393A JP11454393A JP2713094B2 JP 2713094 B2 JP2713094 B2 JP 2713094B2 JP 11454393 A JP11454393 A JP 11454393A JP 11454393 A JP11454393 A JP 11454393A JP 2713094 B2 JP2713094 B2 JP 2713094B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子お
よびその製造方法に係り、特には窒化ガリウム系化合物
半導体積層構造を有する半導体発光素子およびその製造
方法に関する。
よびその製造方法に係り、特には窒化ガリウム系化合物
半導体積層構造を有する半導体発光素子およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード、レーザーダイオード等
の半導体発光デバイスに使用される実用的な半導体材料
として窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウ
ム（ＩｎＧａＮ）、窒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡ
ｌＮ）等の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されてい
る。
の半導体発光デバイスに使用される実用的な半導体材料
として窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウ
ム（ＩｎＧａＮ）、窒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡ
ｌＮ）等の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されてい
る。
【０００３】従来提案されている窒化ガリウム系化合物
半導体を用いた発光素子として、図２に示す構造のもの
がよく知られている。この発光素子は、基板１上に、Ａ
ｌＮよりなるバッファ層２と、ｎ型ＧａＮ層３と、ｐ型
ＧａＮ層５とが順に積層された構造を有している。通
常、基板１には、サファイアが用いられている。基板１
上に設けられたＡｌＮからなるバッファ層２は、特開昭
６３−１８８９８３号公報に記載されているように、そ
の上に積層される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性
を向上させる。ｎ型ＧａＮ層３は、ｎ型不純物としてＳ
ｉまたはＧｅがドープされてｎ型となっている。ｐ型Ｇ
ａＮ層５は、ｐ型不純物としてＭｇまたはＺｎがドープ
されることが多いが、結晶性が悪いためｐ型とはなら
ず、ほぼ絶縁体に近い高抵抗のｉ型となっている。ｉ型
半導体層を低抵抗のｐ型層に変換する手段として、特開
平２−４２７７０号公報には、表面に電子線照射を行う
技術が開示されている。
半導体を用いた発光素子として、図２に示す構造のもの
がよく知られている。この発光素子は、基板１上に、Ａ
ｌＮよりなるバッファ層２と、ｎ型ＧａＮ層３と、ｐ型
ＧａＮ層５とが順に積層された構造を有している。通
常、基板１には、サファイアが用いられている。基板１
上に設けられたＡｌＮからなるバッファ層２は、特開昭
６３−１８８９８３号公報に記載されているように、そ
の上に積層される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性
を向上させる。ｎ型ＧａＮ層３は、ｎ型不純物としてＳ
ｉまたはＧｅがドープされてｎ型となっている。ｐ型Ｇ
ａＮ層５は、ｐ型不純物としてＭｇまたはＺｎがドープ
されることが多いが、結晶性が悪いためｐ型とはなら
ず、ほぼ絶縁体に近い高抵抗のｉ型となっている。ｉ型
半導体層を低抵抗のｐ型層に変換する手段として、特開
平２−４２７７０号公報には、表面に電子線照射を行う
技術が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、図２に示すよ
うなホモ接合構造の発光素子は発光出力が低く、実用的
ではない。発光出力を増大させ、実用的な発光素子を得
るためには、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造を、
好ましくはシングルヘテロ構造、さらに好ましくはダブ
ルヘテロ構造とする必要がある。例えばダブルへテロ構
造の窒化ガリウム系化合物半導体素子は特開平４−２０
９５７７号公報に示されているが、この公報に開示され
た発光素子は実用性に乏しく、発光効率が悪いという欠
点がある。
うなホモ接合構造の発光素子は発光出力が低く、実用的
ではない。発光出力を増大させ、実用的な発光素子を得
るためには、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造を、
好ましくはシングルヘテロ構造、さらに好ましくはダブ
ルヘテロ構造とする必要がある。例えばダブルへテロ構
造の窒化ガリウム系化合物半導体素子は特開平４−２０
９５７７号公報に示されているが、この公報に開示され
た発光素子は実用性に乏しく、発光効率が悪いという欠
点がある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、実用的で高発光出力の窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子を実現できる新規な半導体構造を提
供するものである。
たものであり、実用的で高発光出力の窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子を実現できる新規な半導体構造を提
供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ダブルへ
テロ構造の窒化ガリウム系半導体発光素子について数々
の実験を重ねた結果、所定量のＳｉをドープしたＩｎＧ
ａＮ層を発光層として用い、かつ所定量のＭｇをドープ
したｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層をクラッド層と
して用いることによって、得られる半導体発光素子の発
光出力が格段に向上することを新たに見い出し、本発明
を完成するに至った。
テロ構造の窒化ガリウム系半導体発光素子について数々
の実験を重ねた結果、所定量のＳｉをドープしたＩｎＧ
ａＮ層を発光層として用い、かつ所定量のＭｇをドープ
したｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層をクラッド層と
して用いることによって、得られる半導体発光素子の発
光出力が格段に向上することを新たに見い出し、本発明
を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明によれば、ｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体からなる第１のクラッド層と、該第
１のクラッド層上に設けられ、不純物としてシリコンが
１×１０17ないし１×１０21／ｃｍ3 の範囲内の濃度で
ドープされた、インジウム、ガリウムおよび窒素を含む
窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層と、該発光
層上に設けられ、ｐ型不純物としてマグネシウムが１×
１０18ないし１×１０21／ｃｍ3 の範囲内の濃度でドー
プされたｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２
のクラッド層とからなる窒化ガリウム系化合物半導体積
層構造を有することを特徴とする半導体発光素子が提供
される。
ウム系化合物半導体からなる第１のクラッド層と、該第
１のクラッド層上に設けられ、不純物としてシリコンが
１×１０17ないし１×１０21／ｃｍ3 の範囲内の濃度で
ドープされた、インジウム、ガリウムおよび窒素を含む
窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層と、該発光
層上に設けられ、ｐ型不純物としてマグネシウムが１×
１０18ないし１×１０21／ｃｍ3 の範囲内の濃度でドー
プされたｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２
のクラッド層とからなる窒化ガリウム系化合物半導体積
層構造を有することを特徴とする半導体発光素子が提供
される。
【０００８】上記第１のクラッド層は、ｎ型Ｇａ1-a Ａ
ｌa Ｎ（０≦ａ＜１）で形成することができ、上記第２
のクラッド層は、ｐ型Ｇａ1-b Ａｌb Ｎ（０≦ｂ＜１）
で形成することができる。
ｌa Ｎ（０≦ａ＜１）で形成することができ、上記第２
のクラッド層は、ｐ型Ｇａ1-b Ａｌb Ｎ（０≦ｂ＜１）
で形成することができる。
【０００９】上記発光層は、通常、窒化インジウムガリ
ウム（Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ：０＜ｘ＜１）で形成される。
上記発光層をＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ＜０．５）で形
成すると、高発光出力の青色発光素子が得られる。
ウム（Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ：０＜ｘ＜１）で形成される。
上記発光層をＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ＜０．５）で形
成すると、高発光出力の青色発光素子が得られる。
【００１０】上記発光層は、１０オングストロームない
し０．５μｍの厚さを有することが好ましい。上記第２
のクラッド層は、０．０５μｍないし１．５μｍの厚さ
を有することが好ましい。
し０．５μｍの厚さを有することが好ましい。上記第２
のクラッド層は、０．０５μｍないし１．５μｍの厚さ
を有することが好ましい。
【００１１】上記半導体積層構造を結晶性のよいものと
するには、これをバッファ層を介して基板上に設けるこ
とが好ましい。本発明の半導体発光素子は、有機ガリウ
ム化合物と窒素化合物とを包含する第１の原料ガスを用
いてｎ型窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１のク
ラッド層を気相成長させる工程、有機インジウム化合
物、有機ガリウム化合物および窒素化合物を包含し、か
つ得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光層中にシリ
コンが１×１０17ないし１×１０21／ｃｍ3 の範囲内の
濃度でドープされるような割合でシリコン化合物を不純
物源として含む第２の原料ガスを用いて、該第１のクラ
ッド層上に、該不純物としてシリコンがドープされた、
インジウム、ガリウムおよび窒素を含む窒化ガリウム系
化合物半導体からなる発光層を気相成長させる工程、お
よび有機ガリウム化合物と窒素化合物とを包含し、かつ
得られるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層中にマグネ
シウムが１×１０18ないし１×１０21／ｃｍ3 の範囲内
の濃度でドープされるような割合で有機マグネシウム化
合物をｐ型不純物源として含む第３の原料ガスを用い
て、該発光層上に、ｐ型不純物としてマグネシウムがド
ープされた窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２の
クラッド層を気相成長させる工程を包含する製造方法に
より製造することができる。
するには、これをバッファ層を介して基板上に設けるこ
とが好ましい。本発明の半導体発光素子は、有機ガリウ
ム化合物と窒素化合物とを包含する第１の原料ガスを用
いてｎ型窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１のク
ラッド層を気相成長させる工程、有機インジウム化合
物、有機ガリウム化合物および窒素化合物を包含し、か
つ得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光層中にシリ
コンが１×１０17ないし１×１０21／ｃｍ3 の範囲内の
濃度でドープされるような割合でシリコン化合物を不純
物源として含む第２の原料ガスを用いて、該第１のクラ
ッド層上に、該不純物としてシリコンがドープされた、
インジウム、ガリウムおよび窒素を含む窒化ガリウム系
化合物半導体からなる発光層を気相成長させる工程、お
よび有機ガリウム化合物と窒素化合物とを包含し、かつ
得られるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層中にマグネ
シウムが１×１０18ないし１×１０21／ｃｍ3 の範囲内
の濃度でドープされるような割合で有機マグネシウム化
合物をｐ型不純物源として含む第３の原料ガスを用い
て、該発光層上に、ｐ型不純物としてマグネシウムがド
ープされた窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２の
クラッド層を気相成長させる工程を包含する製造方法に
より製造することができる。
【００１２】上記第１の原料ガスは、ｎ型不純物源をさ
らに含むことが好ましい。上記第１の原料ガスは、有機
アルミニウム化合物をさらに含むことができる。上記第
３の原料ガスは、有機アルミニウム化合物をさらに含む
ことができる。
らに含むことが好ましい。上記第１の原料ガスは、有機
アルミニウム化合物をさらに含むことができる。上記第
３の原料ガスは、有機アルミニウム化合物をさらに含む
ことができる。
【００１３】以下、図面を参照して本発明をさらに詳し
く説明する。図１は、本発明の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の一構造を示すものである。この発光素子
は、基板１１上に、バッファ層１２を介して、ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体からなる第１のクラッド層１３
と、シリコンが所定の濃度でドープされたインジウムと
ガリウムと窒素とを含む窒化ガリウム系化合物半導体Ｉ
ｎx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）からなる発光層１４と、
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２のクラッ
ド層１５とが順に積層されてなるダブルヘテロ構造の半
導体積層構造を有する。
く説明する。図１は、本発明の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の一構造を示すものである。この発光素子
は、基板１１上に、バッファ層１２を介して、ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体からなる第１のクラッド層１３
と、シリコンが所定の濃度でドープされたインジウムと
ガリウムと窒素とを含む窒化ガリウム系化合物半導体Ｉ
ｎx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）からなる発光層１４と、
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２のクラッ
ド層１５とが順に積層されてなるダブルヘテロ構造の半
導体積層構造を有する。
【００１４】基板１１は、サファイア、ＳｉＣ、ＺｎＯ
等の材料で形成できるが、通常はサファイアで形成され
る。バッファ層１２は、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ、ＧａＮ等
で形成することができ、通常０．００２μｍ〜０．５μ
ｍの厚さに形成される。ＧａＮはＡｌＮよりもその上に
結晶性のよい窒化ガリウム系化合物半導体を積層させる
ことができるので、バッファ層１２は、ＧａＮで形成す
ることが好ましい。このＧａＮバッファ層の効果につい
ては、本出願人が先に出願した特願平３−８９８４０号
に記載されており、サファイア基板を用いた場合、従来
のＡｌＮバッファ層よりもＧａＮよりなるバッファ層の
方が結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体が得ら
れ、さらに好ましくは成長させようとする窒化ガリウム
系化合物半導体と同一組成を有するバッファ層を、まず
サファイア基板上に低温で成長させることにより、当該
バッファ層の上に積層される窒化ガリウム系化合物半導
体の結晶性を向上させることができる。
等の材料で形成できるが、通常はサファイアで形成され
る。バッファ層１２は、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ、ＧａＮ等
で形成することができ、通常０．００２μｍ〜０．５μ
ｍの厚さに形成される。ＧａＮはＡｌＮよりもその上に
結晶性のよい窒化ガリウム系化合物半導体を積層させる
ことができるので、バッファ層１２は、ＧａＮで形成す
ることが好ましい。このＧａＮバッファ層の効果につい
ては、本出願人が先に出願した特願平３−８９８４０号
に記載されており、サファイア基板を用いた場合、従来
のＡｌＮバッファ層よりもＧａＮよりなるバッファ層の
方が結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体が得ら
れ、さらに好ましくは成長させようとする窒化ガリウム
系化合物半導体と同一組成を有するバッファ層を、まず
サファイア基板上に低温で成長させることにより、当該
バッファ層の上に積層される窒化ガリウム系化合物半導
体の結晶性を向上させることができる。
【００１５】第１のクラッド層１３は、ｎ型ＧａＮによ
り、あるいはそのＧａの一部をＡｌで置換したＧａＡｌ
Ｎにより形成することができる。すなわち、第１のクラ
ッド層は、Ｇａ1-a Ａｌa Ｎ（０≦ａ＜１）で形成する
ことができる。窒化ガリウム系化合物半導体は、ノンド
ープでもｎ型となる性質があるが、例えばＳｉ、Ｇｅ等
のｎ型不純物をドープして好ましいｎ型にすることがで
きる。
り、あるいはそのＧａの一部をＡｌで置換したＧａＡｌ
Ｎにより形成することができる。すなわち、第１のクラ
ッド層は、Ｇａ1-a Ａｌa Ｎ（０≦ａ＜１）で形成する
ことができる。窒化ガリウム系化合物半導体は、ノンド
ープでもｎ型となる性質があるが、例えばＳｉ、Ｇｅ等
のｎ型不純物をドープして好ましいｎ型にすることがで
きる。
【００１６】発光層１４は、シリコンＳｉが所定濃度で
ドープされたインジウム、ガリウムおよび窒素を含む窒
化ガリウム系化合物半導体（Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ：０＜ｘ
＜１）からなる。このＳｉドープＩｎx Ｇａ1-x Ｎから
なる発光層１４は、有機金属気相成長法により、原料ガ
スのキャリアガスを窒素として用い、６００℃以上、９
００℃以下の成長温度で成長させることができる。成長
させたＩｎx Ｇａ1-xＮのＩｎの比率、すなわちｘ値を
０＜ｘ＜０．５の範囲にすると良好な青色発光が得られ
る。この場合、ｘ値は、好ましくは０．０１＜ｘ＜０．
５の範囲である。ｘ値を０より大きくすることにより、
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層１４が発光層として作用する。ｘ値
が０．５以上になると、その発光色は黄色となる。
ドープされたインジウム、ガリウムおよび窒素を含む窒
化ガリウム系化合物半導体（Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ：０＜ｘ
＜１）からなる。このＳｉドープＩｎx Ｇａ1-x Ｎから
なる発光層１４は、有機金属気相成長法により、原料ガ
スのキャリアガスを窒素として用い、６００℃以上、９
００℃以下の成長温度で成長させることができる。成長
させたＩｎx Ｇａ1-xＮのＩｎの比率、すなわちｘ値を
０＜ｘ＜０．５の範囲にすると良好な青色発光が得られ
る。この場合、ｘ値は、好ましくは０．０１＜ｘ＜０．
５の範囲である。ｘ値を０より大きくすることにより、
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層１４が発光層として作用する。ｘ値
が０．５以上になると、その発光色は黄色となる。
【００１７】さらに、このＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層１４中に
ドープする不純物（ドーパント）はＳｉとし、しかもそ
のＳｉは１×１０17〜１×１０21／ｃｍ3 の濃度範囲、
好ましくは１×１０18〜１×１０20／ｃｍ3 の濃度範囲
内でＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層１４にドープされることが重要
である。これにより半導体発光素子の発光効率を増大さ
せることができるのである。
ドープする不純物（ドーパント）はＳｉとし、しかもそ
のＳｉは１×１０17〜１×１０21／ｃｍ3 の濃度範囲、
好ましくは１×１０18〜１×１０20／ｃｍ3 の濃度範囲
内でＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層１４にドープされることが重要
である。これにより半導体発光素子の発光効率を増大さ
せることができるのである。
【００１８】ＳｉドープＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層１４は、好
ましくは１０オングストローム〜０．５μｍ、さらに好
ましくは０．０１μｍ〜０．１μｍの厚さに形成するこ
とが望ましい。その厚さが１０オングストロームよりも
薄いか、または０．５μｍよりも厚いと、十分な発光出
力を有する発光素子が得られない傾向にある。
ましくは１０オングストローム〜０．５μｍ、さらに好
ましくは０．０１μｍ〜０．１μｍの厚さに形成するこ
とが望ましい。その厚さが１０オングストロームよりも
薄いか、または０．５μｍよりも厚いと、十分な発光出
力を有する発光素子が得られない傾向にある。
【００１９】第２のクラッド層１５は、ｐ型ＧａＮによ
り、あるいはそのＧａの一部をＡｌで置換したｐ型Ｇａ
ＡｌＮにより形成することができる。すなわち、第２の
クラッド層１５は、Ｇａ1-b Ａｌb Ｎ（０≦ｂ＜１）で
形成することができる。
り、あるいはそのＧａの一部をＡｌで置換したｐ型Ｇａ
ＡｌＮにより形成することができる。すなわち、第２の
クラッド層１５は、Ｇａ1-b Ａｌb Ｎ（０≦ｂ＜１）で
形成することができる。
【００２０】この第２のクラッド層（ｐ型層）１５は、
それにドープされるｐ型不純物（ドーパント）をマグネ
シウムＭｇとし、しかもそのＭｇが、１×１０18〜１×
１０21／ｃｍ3 の濃度範囲内で第２のクラッド層１５に
ドープされることが重要である。この濃度範囲でＭｇが
ドープされたｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を第２
のクラッド層として用いることにより、ＳｉドープＩｎ
x Ｇａ1-x Ｎ層１４の発光効率をさらに向上させること
ができる。
それにドープされるｐ型不純物（ドーパント）をマグネ
シウムＭｇとし、しかもそのＭｇが、１×１０18〜１×
１０21／ｃｍ3 の濃度範囲内で第２のクラッド層１５に
ドープされることが重要である。この濃度範囲でＭｇが
ドープされたｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を第２
のクラッド層として用いることにより、ＳｉドープＩｎ
x Ｇａ1-x Ｎ層１４の発光効率をさらに向上させること
ができる。
【００２１】Ｍｇをドープして成長されたままのＧａ
1-b Ａｌb Ｎ層は、なお高抵抗であるので、その成長後
に、例えば本出願人が先に出願した特願平３−３５７０
４６号に記載したように、４００℃以上、好ましくは６
００℃より高い温度でアニーリングを行って低抵抗のｐ
型層１５とすることができる。
1-b Ａｌb Ｎ層は、なお高抵抗であるので、その成長後
に、例えば本出願人が先に出願した特願平３−３５７０
４６号に記載したように、４００℃以上、好ましくは６
００℃より高い温度でアニーリングを行って低抵抗のｐ
型層１５とすることができる。
【００２２】第２のクラッド層１５は、０．０５μｍ〜
１．５μｍの厚さに形成することが好ましい。その厚さ
が０．０５μｍよりも薄いとクラッド層として作用しに
くく、またその厚さが１．５μｍよりも厚いと前記方法
で低抵抗ｐ型層に転化されにくい傾向にある。
１．５μｍの厚さに形成することが好ましい。その厚さ
が０．０５μｍよりも薄いとクラッド層として作用しに
くく、またその厚さが１．５μｍよりも厚いと前記方法
で低抵抗ｐ型層に転化されにくい傾向にある。
【００２３】図３は、図１に示す構造を有する青色発光
素子において、第２のクラッド層であるＭｇドープｐ型
ＧａＮ層中のＭｇ濃度を１×１０19／ｃｍ3 と一定に
し、発光層であるＳｉドープＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層のＳ
ｉ濃度を変えた場合において、そのＳｉ濃度と青色発光
素子の相対発光強度との関係を表す図である。図３に示
すように、Ｓｉ濃度が増加するに従い、発光素子の発光
強度は大きくなり、１×１０18〜１×１０20／ｃｍ3 付
近で発光強度が最も大きくなり、その範囲を超えると発
光強度は徐々に減少する傾向にある。本発明では、実用
域として９０％以上の相対強度を有する発光素子を提供
するために、発光層１４中にドープされるＳｉ濃度を１
×１０17〜１×１０21／ｃｍ3 の範囲内とするものであ
る。
素子において、第２のクラッド層であるＭｇドープｐ型
ＧａＮ層中のＭｇ濃度を１×１０19／ｃｍ3 と一定に
し、発光層であるＳｉドープＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層のＳ
ｉ濃度を変えた場合において、そのＳｉ濃度と青色発光
素子の相対発光強度との関係を表す図である。図３に示
すように、Ｓｉ濃度が増加するに従い、発光素子の発光
強度は大きくなり、１×１０18〜１×１０20／ｃｍ3 付
近で発光強度が最も大きくなり、その範囲を超えると発
光強度は徐々に減少する傾向にある。本発明では、実用
域として９０％以上の相対強度を有する発光素子を提供
するために、発光層１４中にドープされるＳｉ濃度を１
×１０17〜１×１０21／ｃｍ3 の範囲内とするものであ
る。
【００２４】また、図４は、同じく図１の構造を有する
青色発光素子において、発光層であるＳｉドープＩｎ
0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層中のＳｉ濃度を１×１０19／ｃｍ3 と
一定にし、第２のクラッド層であるＭｇドープｐ型Ｇａ
Ｎ層中のＭｇ濃度を変えた場合において、そのＭｇ濃度
と青色発光素子の相対発光強度との関係を表す図であ
る。図４に示すように、Ｍｇドープｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層を第２のクラッド層とした場合、Ｍｇ濃
度が１×１０17／ｃｍ3 付近を超えると急激に発光強度
が増大し、１×１０21／ｃｍ3 付近を超えるとまた急激
に減少する傾向にある。従って、本発明では、Ｍｇドー
プｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＭｇ濃度を１×
１０18〜１×１０21／ｃｍ3 としている。なお、上記Ｓ
ｉ濃度およびＭｇ濃度は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分
析装置）により測定したものである。
青色発光素子において、発光層であるＳｉドープＩｎ
0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層中のＳｉ濃度を１×１０19／ｃｍ3 と
一定にし、第２のクラッド層であるＭｇドープｐ型Ｇａ
Ｎ層中のＭｇ濃度を変えた場合において、そのＭｇ濃度
と青色発光素子の相対発光強度との関係を表す図であ
る。図４に示すように、Ｍｇドープｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層を第２のクラッド層とした場合、Ｍｇ濃
度が１×１０17／ｃｍ3 付近を超えると急激に発光強度
が増大し、１×１０21／ｃｍ3 付近を超えるとまた急激
に減少する傾向にある。従って、本発明では、Ｍｇドー
プｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＭｇ濃度を１×
１０18〜１×１０21／ｃｍ3 としている。なお、上記Ｓ
ｉ濃度およびＭｇ濃度は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分
析装置）により測定したものである。
【００２５】図５は、同じく図１の構造を有する発光素
子において、発光層であるＳｉドープＩｎ0.1 Ｇａ0.9
Ｎ層の膜厚と、その発光素子の相対発光強度との関係を
示す図である。図５に示すように、本発明の発光素子に
おいて発光層の膜厚を変化させることにより、発光素子
の発光強度が変化する。特に発光層の膜厚が０．５μｍ
を超えると発光強度が急激に減少する傾向にある。従っ
て、発光層の膜厚は、発光素子が９０％以上の相対発光
強度を示すためには、１０オングストローム〜０．５μ
ｍの範囲が好ましい。
子において、発光層であるＳｉドープＩｎ0.1 Ｇａ0.9
Ｎ層の膜厚と、その発光素子の相対発光強度との関係を
示す図である。図５に示すように、本発明の発光素子に
おいて発光層の膜厚を変化させることにより、発光素子
の発光強度が変化する。特に発光層の膜厚が０．５μｍ
を超えると発光強度が急激に減少する傾向にある。従っ
て、発光層の膜厚は、発光素子が９０％以上の相対発光
強度を示すためには、１０オングストローム〜０．５μ
ｍの範囲が好ましい。
【００２６】
【実施例】以下、本発明をより具体的な例により説明す
る。これら例において、各半導体層は以下記載するよう
に有機金属気相成長法により成長させた。本発明の半導
体発光素子を製造する方法を述べる。
る。これら例において、各半導体層は以下記載するよう
に有機金属気相成長法により成長させた。本発明の半導
体発光素子を製造する方法を述べる。
【００２７】例１ まず、よく洗浄したサファイア基板を反応容器内にセッ
トし、反応容器内を水素で十分置換した後、水素を流し
ながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、サファ
イア基板のクリーニングを行う。
トし、反応容器内を水素で十分置換した後、水素を流し
ながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、サファ
イア基板のクリーニングを行う。
【００２８】続いて、温度を５１０℃まで下げ、キャリ
アガスとして水素を用い、原料ガスとしてアンモニア
（ＮＨ3 ）とＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い
て、サファイア基板上にＧａＮバッファー層を約２００
オングストロームの厚さに成長させる。
アガスとして水素を用い、原料ガスとしてアンモニア
（ＮＨ3 ）とＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い
て、サファイア基板上にＧａＮバッファー層を約２００
オングストロームの厚さに成長させる。
【００２９】バッファ層成長後、ＴＭＧのみの供給を停
止し、温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃に
達した後、同じく水素をキャリアガスとして用い、ＴＭ
Ｇとシランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガスとを用い
て、第１のクラッド層としてＳｉドープｎ型ＧａＮ層を
４μｍの厚さに成長させる。
止し、温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃に
達した後、同じく水素をキャリアガスとして用い、ＴＭ
Ｇとシランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガスとを用い
て、第１のクラッド層としてＳｉドープｎ型ＧａＮ層を
４μｍの厚さに成長させる。
【００３０】ｎ型ＧａＮ層成長後、全原料ガスの供給を
停止し、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に
切り替え、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチル
インジウム）、シランガスおよびアンモニアガスを用い
て、発光層としてＳｉを１×１０20／ｃｍ3 の濃度でド
ープしたＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層を１００オングストロー
ムの厚さに成長させる。
停止し、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に
切り替え、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチル
インジウム）、シランガスおよびアンモニアガスを用い
て、発光層としてＳｉを１×１０20／ｃｍ3 の濃度でド
ープしたＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層を１００オングストロー
ムの厚さに成長させる。
【００３１】ＳｉドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層成長後、
原料ガスの供給を停止し、再び温度を１０２０℃まで上
昇させ、ＴＭＧ、Ｃｐ2 Ｍｇ（シクロペンタジエニルマ
グネシウム）およびアンモニアガスを用いて、第２のク
ラッド層としてＭｇを２×１０20／ｃｍ3 の濃度でドー
プしたｐ型ＧａＮ層を０．８μｍの厚さに成長させる。
原料ガスの供給を停止し、再び温度を１０２０℃まで上
昇させ、ＴＭＧ、Ｃｐ2 Ｍｇ（シクロペンタジエニルマ
グネシウム）およびアンモニアガスを用いて、第２のク
ラッド層としてＭｇを２×１０20／ｃｍ3 の濃度でドー
プしたｐ型ＧａＮ層を０．８μｍの厚さに成長させる。
【００３２】ｐ型ＧａＮ層成長後、基板を反応容器から
取り出し、アニーリング装置にて窒素雰囲気中、７００
℃で２０分間アニーリングを行い、最上層のｐ型ＧａＮ
層をさらに低抵抗化する。
取り出し、アニーリング装置にて窒素雰囲気中、７００
℃で２０分間アニーリングを行い、最上層のｐ型ＧａＮ
層をさらに低抵抗化する。
【００３３】以上のようにして得られた発光素子のｐ型
ＧａＮ層、およびＳｉドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎの一部
をエッチングにより取り除き、ｎ型ＧａＮ層を露出さ
せ、ｐ型ＧａＮ層、およびｎ型ＧａＮ層にオーミック電
極を設け、５００μｍ角のチップにカットした後、常法
に従い、本発明の青色発光ダイオードを作製した。この
発光ダイオードの発光出力は２０ｍＡにおいて２００μ
Ｗであり、ピーク波長は４０５ｎｍであった。
ＧａＮ層、およびＳｉドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎの一部
をエッチングにより取り除き、ｎ型ＧａＮ層を露出さ
せ、ｐ型ＧａＮ層、およびｎ型ＧａＮ層にオーミック電
極を設け、５００μｍ角のチップにカットした後、常法
に従い、本発明の青色発光ダイオードを作製した。この
発光ダイオードの発光出力は２０ｍＡにおいて２００μ
Ｗであり、ピーク波長は４０５ｎｍであった。
【００３４】例２ 例１において、第１のクラッド層を成長させる工程にお
いて、原料ガスとしてＴＭＧ、シランガス、アンモニア
およびＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を用いて、Ｓ
ｉドープｎ型Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ｎ層を２μｍの厚さに成
長させる。
いて、原料ガスとしてＴＭＧ、シランガス、アンモニア
およびＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を用いて、Ｓ
ｉドープｎ型Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ｎ層を２μｍの厚さに成
長させる。
【００３５】ＳｉドープＧａ0.9 Ａｌ0.1 Ｎ層の上に、
例１と同様にしてＳｉを１×１０20／ｃｍ3 の濃度でド
ープしたＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ発光層を１００オングスト
ロームの厚さに成長させる。
例１と同様にしてＳｉを１×１０20／ｃｍ3 の濃度でド
ープしたＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ発光層を１００オングスト
ロームの厚さに成長させる。
【００３６】さらに、ＳｉドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層
の上に、原料ガスとしてＴＭＧ、Ｃｐ2 Ｍｇ、アンモニ
アガスおよびＴＭＡガスを用い、第２のクラッド層とし
てＭｇを２×１０20／ｃｍ3 の濃度でドープしたｐ型Ｇ
ａ0.9 Ａｌ0.1 Ｎ層を０．８μｍ成長させる。
の上に、原料ガスとしてＴＭＧ、Ｃｐ2 Ｍｇ、アンモニ
アガスおよびＴＭＡガスを用い、第２のクラッド層とし
てＭｇを２×１０20／ｃｍ3 の濃度でドープしたｐ型Ｇ
ａ0.9 Ａｌ0.1 Ｎ層を０．８μｍ成長させる。
【００３７】これ以降は例１と同様にしてアニーリング
を行い、最上層をさらに低抵抗化した後、同様にして本
発明の発光ダイオードを作製した。この発光ダイオード
は、発光出力、ピーク波長のいずれも例１の発光ダイオ
ードと同じであった。
を行い、最上層をさらに低抵抗化した後、同様にして本
発明の発光ダイオードを作製した。この発光ダイオード
は、発光出力、ピーク波長のいずれも例１の発光ダイオ
ードと同じであった。
【００３８】例３ 例１において、シランガスの流量を多くして、発光層で
あるＳｉドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層のＳｉ濃度を１×
１０22／ｃｍ3 とした以外は実施例１と同様にして青色
発光ダイオードを得たが、この発光ダイオードの発光出
力は例１の発光ダイオードの約２０％であった。
あるＳｉドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層のＳｉ濃度を１×
１０22／ｃｍ3 とした以外は実施例１と同様にして青色
発光ダイオードを得たが、この発光ダイオードの発光出
力は例１の発光ダイオードの約２０％であった。
【００３９】例４ 例１において、Ｃｐ2 Ｍｇガスの流量を少なくして、第
２のクラッド層であるｐ型ＧａＮ層のＭｇ濃度を１×１
０17／ｃｍ3 とした以外は例１と同様にして青色発光ダ
イオードを得たが、この発光ダイオードの出力は例１の
発光ダイオードの約１０％であった。
２のクラッド層であるｐ型ＧａＮ層のＭｇ濃度を１×１
０17／ｃｍ3 とした以外は例１と同様にして青色発光ダ
イオードを得たが、この発光ダイオードの出力は例１の
発光ダイオードの約１０％であった。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体発
光素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を第１の
クラッド層とし、特定量のＳｉをドープしたＩｎx Ｇａ
1-x Ｎ層を発光層とし、かつ特定量のＭｇをドープした
ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層を第２のクラッド層と
したダブルヘテロ構造を有するため、非常に発光効率が
高い。
光素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を第１の
クラッド層とし、特定量のＳｉをドープしたＩｎx Ｇａ
1-x Ｎ層を発光層とし、かつ特定量のＭｇをドープした
ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層を第２のクラッド層と
したダブルヘテロ構造を有するため、非常に発光効率が
高い。
【００４１】これに対し、従来のホモ接合構造の発光素
子は、ｐ型ＧａＮ層にドープされたＺｎ、Ｍｇ等の不純
物によって作られる深い発光センターを介して発光する
ため、発光ピークの半値幅はおよそ６０ｎｍであり、非
常に広い。しかし、本発明のダブルへテロ構造の発光素
子は、ＩｎＧａＮ層のバンド間発光を利用するので半値
幅が非常に狭く、およそ２５ｎｍであり、ホモ接合構造
の発光素子の半分以下である。また本発明の発光素子の
発光出力はホモ接合構造の発光素子の４倍以上ある。し
かも、本発明において、発光層であるＩｎx Ｇａ1-x Ｎ
のＩｎの比率、すなわちｘ値の範囲を例えば０．０５＜
ｘ＜０．５とすることによって、発光色をおよそ３８０
ｎｍから５００ｎｍまで変えることができるという利点
を有する。
子は、ｐ型ＧａＮ層にドープされたＺｎ、Ｍｇ等の不純
物によって作られる深い発光センターを介して発光する
ため、発光ピークの半値幅はおよそ６０ｎｍであり、非
常に広い。しかし、本発明のダブルへテロ構造の発光素
子は、ＩｎＧａＮ層のバンド間発光を利用するので半値
幅が非常に狭く、およそ２５ｎｍであり、ホモ接合構造
の発光素子の半分以下である。また本発明の発光素子の
発光出力はホモ接合構造の発光素子の４倍以上ある。し
かも、本発明において、発光層であるＩｎx Ｇａ1-x Ｎ
のＩｎの比率、すなわちｘ値の範囲を例えば０．０５＜
ｘ＜０．５とすることによって、発光色をおよそ３８０
ｎｍから５００ｎｍまで変えることができるという利点
を有する。
【００４２】本発明の半導体発光素子は、以上述べた優
れた効果を奏するため、信頼性に優れている。本発明
は、レーザーダイオードにも適用でき、その産業上の利
用価値は非常に大きい。
れた効果を奏するため、信頼性に優れている。本発明
は、レーザーダイオードにも適用でき、その産業上の利
用価値は非常に大きい。
【図１】本発明の半導体発光素子の一構造を示す模式断
面図。
面図。
【図２】従来の半導体発光素子の一構造を示す模式断面
図。
図。
【図３】本発明の半導体発光素子の発光層中のＳｉ濃度
と、その発光素子の相対発光強度との関係を示す図。
と、その発光素子の相対発光強度との関係を示す図。
【図４】本発明の半導体発光素子第２のクラッド層中の
Ｍｇ濃度と、その発光素子の相対発光強度との関係を示
す図。
Ｍｇ濃度と、その発光素子の相対発光強度との関係を示
す図。
【図５】本発明の半導体発光素子の発光層の膜厚と、そ
の発光素子の相対発光強度との関係を示す図。
の発光素子の相対発光強度との関係を示す図。
１１…基板 １２…バッファ層 １３…第１のクラッド層 １４…発光層 １５…第２のクラッド層
Claims (11)
- 【請求項１】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体からな
る第１のクラッド層と、該第１のクラッド層上に設けら
れ、不純物としてシリコンが１×１０17ないし１×１０
21／ｃｍ3 の範囲内の濃度でドープされた、インジウ
ム、ガリウムおよび窒素を含む窒化ガリウム系化合物半
導体からなる発光層と、該発光層上に設けられ、ｐ型不
純物としてマグネシウムが１×１０18ないし１×１０21
／ｃｍ3の範囲内の濃度でドープされたｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体からなる第２のクラッド層とからなる
窒化ガリウム系化合物半導体積層構造を有することを特
徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 第１のクラッド層が、ｎ型Ｇａ1-a Ａｌ
a Ｎ（０≦ａ＜１）からなり、第２のクラッド層が、ｐ
型Ｇａ1-b Ａｌb Ｎ（０≦ｂ＜１）からなることを特徴
とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 発光層が、窒化インジウムガリウムで形
成されていることを特徴とする請求項１または２記載の
半導体発光素子。 - 【請求項４】 発光層が、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ＜
０．５）で形成されていることを特徴とする請求項３記
載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 発光層が、１０オングストロームないし
０．５μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１な
いし４のいずれか１項記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 第２のクラッド層が、０．０５μｍない
し１．５μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１
ないし５のいずれか１項記載の半導体発光素子。 - 【請求項７】 半導体積層構造が、バッファ層を介して
基板上に設けられていることを特徴とする請求項１ない
し６のいずれか１項記載の半導体発光素子。 - 【請求項８】 有機ガリウム化合物と窒素化合物とを包
含する第１の原料ガスを用いてｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長させる工
程、有機インジウム化合物、有機ガリウム化合物および
窒素化合物を包含し、かつ得られる窒化ガリウム系化合
物半導体発光層中にシリコンが１×１０17ないし１×１
０21／ｃｍ3 の範囲内の濃度でドープされるような割合
でシリコン化合物を不純物源として含む第２の原料ガス
を用いて、該第１のクラッド層上に、該不純物としてシ
リコンがドープされた、インジウム、ガリウムおよび窒
素を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を
気相成長させる工程、および有機ガリウム化合物と窒素
化合物とを包含し、かつ得られるｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層中にマグネシウムが１×１０18ないし１×
１０21／ｃｍ3 の範囲内の濃度でドープされるような割
合で有機マグネシウム化合物をｐ型不純物源として含む
第３の原料ガスを用いて、該発光層上に、ｐ型不純物と
してマグネシウムがドープされた窒化ガリウム系化合物
半導体からなる第２のクラッド層を気相成長させる工程
を包含する半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項９】 第１の原料ガスが、ｎ型不純物源をさら
に含むことを特徴とする請求項８記載の製造方法。 - 【請求項１０】 第１の原料ガスが、有機アルミニウム
化合物をさらに含むことを特徴とする請求項８または９
記載の製造方法。 - 【請求項１１】 第３の原料ガスが、有機アルミニウム
化合物をさらに含むことを特徴とする請求項８ないし１
０のいずれか１項記載の製造方法。
Priority Applications (19)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11454393A JP2713094B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-05-17 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US08/153,153 US5578839A (en) | 1992-11-20 | 1993-11-17 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| DE69319854T DE69319854T2 (de) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung |
| EP98100538A EP0844675B1 (en) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| DE69333829T DE69333829T2 (de) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung |
| KR1019930024797A KR970007135B1 (ko) | 1992-11-19 | 1993-11-19 | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체장치 |
| EP93118670A EP0599224B2 (en) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US08/661,138 US5747832A (en) | 1992-11-20 | 1996-06-10 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US08/661,157 US5734182A (en) | 1992-11-20 | 1996-06-10 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconducor device |
| US08/705,972 US5880486A (en) | 1992-11-20 | 1996-08-30 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| KR1019980015416A KR100406201B1 (ko) | 1992-11-20 | 1998-04-29 | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체 장치 |
| KR1019980015415A KR100406200B1 (ko) | 1992-11-20 | 1998-04-29 | 이중 헤테로구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체 장치 |
| US09/145,972 US6078063A (en) | 1992-11-20 | 1998-09-03 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US09/300,788 US6215133B1 (en) | 1992-11-20 | 1999-04-28 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| KR1019990033018A KR100445524B1 (ko) | 1992-11-20 | 1999-08-12 | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체장치 |
| KR1019990033017A KR100289626B1 (ko) | 1992-11-20 | 1999-08-12 | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체장치 |
| US09/516,193 US6469323B1 (en) | 1992-11-20 | 2000-03-01 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US10/227,834 US6791103B2 (en) | 1992-11-20 | 2002-08-27 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US10/456,475 US20030216011A1 (en) | 1992-11-20 | 2003-06-09 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-18122 | 1993-01-08 | ||
| JP1812293 | 1993-01-08 | ||
| JP11454393A JP2713094B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-05-17 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260682A JPH06260682A (ja) | 1994-09-16 |
| JP2713094B2 true JP2713094B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=26354742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2713094B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008153130A1 (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体の製造方法 |
| US8039830B2 (en) | 2008-09-09 | 2011-10-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and wafer |
| US8569738B2 (en) | 2010-03-17 | 2013-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device, wafer, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing wafer |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP4787205B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2011-10-05 | 富士通株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| KR19990014304A (ko) | 1997-07-30 | 1999-02-25 | 아사구사 나오유끼 | 반도체 레이저, 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| WO2005043635A1 (en) | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor light-emitting device having pn-junction type hetero structure and forming method thereof |
| GB2432970B (en) | 2004-08-31 | 2008-03-05 | Sumitomo Chemical Co | Compound semiconductor luminescent device |
| US20070045638A1 (en) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region |
| KR102019058B1 (ko) | 2012-08-21 | 2019-09-06 | 오지 홀딩스 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자용 기판, 반도체 발광 소자 및 이들의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-05-17 JP JP11454393A patent/JP2713094B2/ja not_active Expired - Lifetime
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