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JP2710154B2 - Phase shift element - Google Patents

Phase shift element

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Publication number
JP2710154B2
JP2710154B2 JP61070227A JP7022786A JP2710154B2 JP 2710154 B2 JP2710154 B2 JP 2710154B2 JP 61070227 A JP61070227 A JP 61070227A JP 7022786 A JP7022786 A JP 7022786A JP 2710154 B2 JP2710154 B2 JP 2710154B2
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JP
Japan
Prior art keywords
resonator
frequency
delay time
group delay
characteristic
Prior art date
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JP61070227A
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Japanese (ja)
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JPS62227207A (en
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郁夫 加藤
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Priority to US07/028,086 priority patent/US4818959A/en
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、フィルタまたは群遅延イコライザとして使
用される移相素子に関する。 <従来の技術> 例えばFMチューナのIF段等においては、無調整化、高
安定化を図るため、セラミック共振子によるセラミック
フィルタ及び群遅延イコライザを使用することがある。
第13図は従来のこの種のセラミック共振子の構造を示す
図である。第13図において、1は圧電セラミック基板、
2及び3は圧電セラミック基板1の板厚方向の一面側に
分割して形成された一対の分割電極、4は圧電セラミッ
ク基板1の他面側に分割電極2、3と対向するように形
成された共通電極である。第14図は第13図に示したセラ
ミック共振子を2個用いてコンデンサCによって結合し
て得られたセラミックフィルタ回路である。 <発明が解決しようとする課題> ところで、FMチューナのIF段等に使用されるフィルタ
は、低歪率の要求から群遅延時間−周波数特性(以下GD
T特性と称する)の平担なものが要求されている。一
方、国内においても、FM多局化の時代を向かえたこと、
及び、カーオーディオ等の発達により、隣接局の排除能
力が高く選択度の良いフィルタが要求されるようになっ
ている。 しかしながら、第13図、第14図に示した従来のセラミ
ックフィルタにおいては、選択度を高めると、GDT特性
の歪が大きくなり、反対にGDT特性平担化して低歪率を
確保しようとすると、選択度が悪くなるという欠点があ
り、GDT特性の平担化による低歪率化と、高選択度の要
求を同時に満たすことができなかった。 第15図〜第17図は上述したセラミックフィルタのGDT
及び減衰特性図である。第15図〜第17図のA1〜A3はGDT
特性、B1〜B3は減衰特性であり、右縦軸にGDT(μS)
をとり、左縦軸に減衰量(dB)をとり、横軸に周波数
(MHz)をとってある。第15図はセラミック共振子のQm
をQm=300と高く選定した場合の特性、第16図はQm=200
の汎用タイプのセラミック共振子を使用した場合の特
性、第17図はQmをQm=100と低くした場合の特性であ
る。 第15図の場合、Qm=300と高い値に選定したことによ
り、減衰特性B1の立上り及び立下りが急激であり、良好
な選択度が得られる。ところが、GDT特性A1は10.7MHz付
近で下に凹となる双峰性特性となり、著しい歪を生じて
いる。 一方、第17図ではGDT特性A3は第15図の場合より平担
化されるものの、減衰特性B3の立上り、立下りが緩やか
になり、選択度が悪化している。しかも、挿入損失が約
9dBと非常に大きくなっている。このため、第17図の特
性を有するフィルタを多段接続して選択度を上げた場
合、挿入損失が段数に比例して極端に増大し、実用でき
なくなる。 本発明の課題は、高選択度と低歪率とを同時に満足し
得るフィルタまたは群遅延イコライザを得るのに適した
移相素子を提供することである。 <課題を解決するための手段> 上述した課題を解決するため、本発明に係る移相素子
は、中間部でくぼむ群遅延時間−周波数特性を有するフ
ィルタまたはフィルタ回路と縦続接続される。 本発明における移相素子は、伝送路に直列に入る第1
の共振子と、前記伝送路に並列に入る第2の共振子との
組を、少なくとも一組有する。 前記第1の共振子は、前記第2の共振子の共振周波数
Fr2よりも高い反共振周波数Fa1を有し、前記反共振周波
数Fa1よりも低い第1の周波数において群遅延時間が最
大となり、前記第1の周波数から周波数が高くなる方向
に向かって群遅延時間が急激に小さくなり、前記反共振
周波数の付近において群遅延時間が極小となるGDT特性
を示す。 前記第2の共振子は、前記共振周波数Fr2において群
遅延時間が極小となり、前記共振周波数Fr2から周波数
が高くなる方向に向かって、前記群遅延時間が急激に大
きくなり、共振周波数Fr2よりも高い第2の周波数にお
いて群遅延時間が最大となるGDT特性を示す。 前記第1の周波数および前記第2の周波数は、互いに
近似した値に選定されている。 そして、前記第1の共振子のGDT特性および前記第2
の共振子のGDT特性の重ね合わせにより、前記共振周波
数Fr2および前記反共振周波数Fa1の中間部で上に凸とな
るGDT特性を得る。 <作用> 本発明に係る移相素子においては、GDT特性が、第1
の共振子の反共振周波数及び第2の共振子の共振周波数
において急激に遅れ、かつ、反共振周波数と共振周波数
との間で上に凸の特性となる。このGDT特性は、中間部
でくぼむ従来のセラミックフィルタのGDT特性と逆であ
り、従って、従来のセラミックフィルタと組合せて、GD
T特性を平担化し、歪をなくしたGDTイコライザとして利
用できる。 しかも、減衰特性は、第1の共振子の反共振周波数及
び第2の共振子の共振周波数において、振幅が急激に減
衰し、かつ、反共振周波数と共振周波数との間で、振幅
が急激に増大する特性となる。このため、優れた選択度
を確保することができる。 <実施例> 第1図は本発明に係る移相素子のシンボル図である。
図において、5は四端子回路網でなる伝送路に直列に入
る第1の共振子、6は伝送路に並列に入る第2の共振子
である。この実施例では、第1の共振子5と第2の共振
子6の組合せを1組持つだけであるが、多段接続にして
もよい。 第1の共振子5の反共振周波数Fa1と第2の共振子6
の共振周波数Fr2とは、互いに異ならせてある。即ち、F
a1≠Fr2である。更に具体的には、Fa1>Fr2である。 第1の共振子5は、圧電セラミック基板51の両面に電
極52、53を形成し、電極52を入力端子7に接続すると共
に、電極53を出力端子9に接続してある。第2の共振子
6は、圧電セラミック基板61の両面に電極62、63を形成
し、電極62、63を、入力端子7−8間に接続してある。 第2図は本発明に係る移相素子の駆動回路図である。
図において、11は本発明に係る移相素子の部分、12は信
号線、Rinは入力抵抗、Routは出力抵抗である。入力抵
抗Rin及び出力抵抗Routは300Ωに設定してある。 第2図の回路においては、GDT特性が、第3図の特性A
4に示すように、第1の共振子5の反共振周波数Fa1及び
第2の共振子の共振周波Fr2において急激に進み、か
つ、反共振周波数Fa1と共振周波数Fr2との間で、上に凸
の特性となる。このGDT特性A4は、従来のセラミックフ
ィルタのGDT特性(第15図または第16図)と逆であり、
従って、従来のセラミックフィルタと組合せることによ
り、GDT特性を平担化し得るGDTイコライザとして利用で
きる。 しかも、減衰特性は、第3図の特性B4に示すように、
第1の共振子5の反共振周波数Fa1及び第2の共振子6
の共振周波数Fr2において、振幅が急激に減衰し、か
つ、反共振周波数Fa1と共振周波数Fr2との間で、振幅が
急激に増大する特性となる。このため、優れた選択度を
確保することができる。 次に、第3図に示すような特性が得られる理由につい
て説明する。 第4(a)に示すように、圧電セラミック基板1の両
面に電極2、3を形成したセラミック共振子は、第4
(b)に示すようなインピーダンス及び位相特性を示
す。Z1はインピーダンス特性、PH1は位相特性、Frは共
振周波数、Faは反共振周波数である。 第5図(a)に示す如く、入力抵抗Rin=300Ω、Rout
=300Ωとした回路において、伝送路に並列にセラミッ
ク共振子6を接続し、信号源12で駆動した場合、第5図
(b)に示すように、共振周波数Fr2で急激に落込むGDT
特性A5及び減衰特性B5が得られる。セラミック共振子6
は、共振周波数Fr2において群遅延時間(μs)が極小
となり、共振周波数Fr2から周波数が高くなる方向に向
かって、群遅延時間(μs)が急激に大きくなり、共振
周波数Fr2よりも高い第2の周波数f2において群遅延時
間(μs)が最大(約0)となるGDT特性A5を示す。第
2の周波数f2は、約10.72MHzとなっている。 一方、セラミック共振子5を、第6図(a)に示す如
く、伝送路に直列に接続して駆動した場合、第6図
(b)に示す如く、反共振周波数Fa1で急激に落込むGDT
特性A6及び減衰特性B6が得られる。第6図(b)に示す
ように、セラミック共振子5は、セラミック共振子6の
共振周波数Fr2(約10.56MHz)よりも高い反共振周波数F
a1(約10.89MHz)を有し、反共振周波数Fa1よりも低い
第1の周波数f1において群遅延時間(μS)が最大(約
0)となり、第1の周波数f1から周波数が高くなる方向
に向かって群遅延時間(μs)が急激に小さくなり、反
共振周波数Fa1の付近において群遅延時間(μs)が極
小となるGDT特性A6を示す。第1の周波数f1は約10.73MH
zであり、第2の周波数f2(約10.72MHz)と近似した値
になっている。 第2図の回路は、重ねの理より、第5図(a)に示す
回路と第6図(a)に示す回路とを重ね合せた回路と実
質的に同一である。従って、第5図(b)の特性と第6
図(b)の特性を重ね合せた第3図の特性が得られるの
である。すなわち、第5図(b)のGDT特性A5と第6図
(b)のGDT特性A6との重ね合せにより、共振周波数Fr2
および反共振周波数Fa1の中間部で上に凸となるGDT特性
A4(第3図参照)が得られる。 第7図は本発明に係る移相素子の別の実施例を示して
いる。この実施例では、第2の共振子6を、出力端子9
−10間に接続してある。この実施例の場合にも、上述の
重ねの理にもつづき、第1図実施例と同様の作用効果が
得られる。 第8図は本発明に係る移相素子11を、従来のセラミッ
クフィルタ13と組合せてGDTイコライザとして使用した
例を示している。セラミックフィルタ13のGDT特性は、
第9図の特性A7に示すような下に凹となる双峰状特性と
なるが、本発明に係る移相素子11のGDT特性は、第3図
の特性A4に示したように、上に凸となる特性となる。従
って、第9図の特性A7と第3の特性A4との合成により、
第10図の特性A8に示すように平担なGDT特性が得られ
る。減衰特性に関しても、第9図の特性B7と第3図の特
性B4との合成により、第10図の特性B8に示すような特性
が得られる。減衰特性B8は、平担なGDT特性の得られる
周波数領域から、その両側の周波数領域にかけての減衰
が大きくなっており、選択度の高い特性が得られてい
る。 第11図は第1図及び第7図に示した移相素子の具体的
な構造を示す平面図、第12図は同じくその底面図であ
る。この実施例では、平板状に形成された圧電セラミッ
ク基板1の一面側に、セラミック共振子5を構成する電
極53と、セラミック共振子6を構成する電極63を間隔を
おいて配置すると共に、圧電セラミック基板1の他面側
には、電極53、63のそれぞれと対向するように、電極5
2、62を形成してある。電極52及び電極62はリード電極5
6によって共通に接続してある。そして、電極53から延
長されたリード電極531及び電極63から延長されたリー
ド電極631にリード端子14、15をそれぞれ接続固定する
と共に、リード電極56にリード端子16を接続させてあ
る。 第1図の移相素子を構成する場合には、リード端子16
を入力端子7に接続し、リード端子14を出力端子9に接
続し、リード端子15を入力端子8、集力端子10に接続す
る。 また、第7図の移相素子を構成する場合には、リード
端子14を入力端子7に接続し、リード端子16を出力端子
9に接続し、リード端子15を入力端子8、出力端子10に
接続する。 <発明の効果> 以上述べたように、本発明によれば、GDT特性の平担
化による低歪率と、高選択度とを同時に満足し得るフィ
ルタまたはGDTイコライザとして好適な移相素子を提供
することができる。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a phase shift element used as a filter or a group delay equalizer. <Related Art> For example, in an IF stage of an FM tuner, a ceramic filter using a ceramic resonator and a group delay equalizer may be used in order to achieve no adjustment and high stability.
FIG. 13 is a view showing the structure of a conventional ceramic resonator of this type. In FIG. 13, 1 is a piezoelectric ceramic substrate,
Reference numerals 2 and 3 denote a pair of divided electrodes formed on one surface side of the piezoelectric ceramic substrate 1 in the thickness direction, and 4 denotes a pair formed on the other surface of the piezoelectric ceramic substrate 1 so as to face the divided electrodes 2 and 3. Common electrode. FIG. 14 shows a ceramic filter circuit obtained by combining two ceramic resonators shown in FIG. 13 with a capacitor C. <Problems to be Solved by the Invention> By the way, the filter used for the IF stage of the FM tuner or the like has a group delay time-frequency characteristic (hereinafter GD
T characteristics) are required. On the other hand, in Japan, we are heading for an era of FM multi-station,
In addition, due to the development of car audio and the like, a filter having a high rejection capability of an adjacent station and a high selectivity has been required. However, in the conventional ceramic filter shown in FIGS. 13 and 14, when the selectivity is increased, the distortion of the GDT characteristic is increased, and when the GDT characteristic is flattened to secure a low distortion rate, There is a drawback that the selectivity is deteriorated, and it has not been possible to satisfy the demand for a high selectivity at the same time as reducing the distortion rate by flattening the GDT characteristics. 15 to 17 show the GDT of the ceramic filter described above.
FIG. A1 to A3 in Fig. 15 to Fig. 17 are GDT
Characteristics, B1 to B3 are attenuation characteristics, and GDT (μS) is plotted on the right vertical axis.
, The attenuation (dB) is plotted on the left vertical axis, and the frequency (MHz) is plotted on the horizontal axis. Figure 15 shows the Qm of the ceramic resonator.
When Qm = 300 is selected as high as Fig. 16, Fig. 16 shows Qm = 200
The characteristics when the general-purpose ceramic resonator is used, and FIG. 17 shows the characteristics when Qm is reduced to Qm = 100. In the case of FIG. 15, by selecting a high value of Qm = 300, the rise and fall of the attenuation characteristic B1 are sharp, and a good selectivity can be obtained. However, the GDT characteristic A1 has a bimodal characteristic that is concave downward at around 10.7 MHz, causing significant distortion. On the other hand, in FIG. 17, although the GDT characteristic A3 is made flatter than in the case of FIG. 15, the rise and fall of the attenuation characteristic B3 become gentle, and the selectivity is deteriorated. Moreover, the insertion loss is about
It is very large at 9dB. For this reason, when the filters having the characteristics shown in FIG. 17 are connected in multiple stages to increase the selectivity, the insertion loss increases extremely in proportion to the number of stages, and becomes impractical. An object of the present invention is to provide a filter or a phase shift element suitable for obtaining a group delay equalizer capable of simultaneously satisfying high selectivity and low distortion. <Means for Solving the Problems> In order to solve the above problems, the phase shift element according to the present invention is cascaded with a filter or a filter circuit having a group delay time-frequency characteristic depressed at an intermediate portion. The phase shift element according to the present invention is a first phase shift element that is in series with the transmission path.
And at least one pair of a second resonator and a second resonator that is parallel to the transmission line. The first resonator has a resonance frequency of the second resonator.
It has an anti-resonance frequency Fa1 higher than Fr2, and has a maximum group delay time at a first frequency lower than the anti-resonance frequency Fa1, and a group delay time in a direction from the first frequency to a higher frequency. It shows a GDT characteristic in which the group delay time is sharply reduced and the group delay time is minimized near the anti-resonance frequency. In the second resonator, the group delay time is minimized at the resonance frequency Fr2, and the group delay time sharply increases in the direction in which the frequency increases from the resonance frequency Fr2, and is higher than the resonance frequency Fr2. The GDT characteristic at which the group delay time becomes maximum at the second frequency is shown. The first frequency and the second frequency are selected to be close to each other. And the GDT characteristic of the first resonator and the second
By superimposing the GDT characteristics of the resonator described above, a GDT characteristic that is convex upward at an intermediate portion between the resonance frequency Fr2 and the anti-resonance frequency Fa1 is obtained. <Operation> In the phase shift element according to the present invention, the GDT characteristic
A sharp delay occurs at the anti-resonance frequency of the resonator and the resonance frequency of the second resonator, and the characteristic has an upward convexity between the anti-resonance frequency and the resonance frequency. This GDT characteristic is opposite to the GDT characteristic of the conventional ceramic filter which is depressed in the middle part.
It can be used as a GDT equalizer with flattened T characteristics and no distortion. In addition, the attenuation characteristics are such that the amplitude rapidly attenuates at the anti-resonance frequency of the first resonator and the resonance frequency of the second resonator, and the amplitude sharply changes between the anti-resonance frequency and the resonance frequency. The characteristics will increase. Therefore, excellent selectivity can be ensured. <Embodiment> FIG. 1 is a symbol diagram of a phase shift element according to the present invention.
In the figure, reference numeral 5 denotes a first resonator which is connected in series to a transmission line formed of a four-terminal network, and reference numeral 6 denotes a second resonator which is connected in parallel to the transmission line. In this embodiment, only one combination of the first resonator 5 and the second resonator 6 is provided, but a multistage connection may be used. The anti-resonance frequency Fa1 of the first resonator 5 and the second resonator 6
Are different from each other. That is, F
a1 ≠ Fr2. More specifically, Fa1> Fr2. In the first resonator 5, electrodes 52 and 53 are formed on both surfaces of a piezoelectric ceramic substrate 51, and the electrode 52 is connected to the input terminal 7 and the electrode 53 is connected to the output terminal 9. In the second resonator 6, electrodes 62 and 63 are formed on both surfaces of a piezoelectric ceramic substrate 61, and the electrodes 62 and 63 are connected between input terminals 7-8. FIG. 2 is a drive circuit diagram of the phase shift element according to the present invention.
In the figure, reference numeral 11 denotes a portion of the phase shift element according to the present invention, 12 denotes a signal line, Rin denotes an input resistance, and Rout denotes an output resistance. The input resistance Rin and the output resistance Rout are set to 300Ω. In the circuit of FIG. 2, the GDT characteristic is the characteristic A of FIG.
As shown in FIG. 4, the frequency rapidly advances at the anti-resonance frequency Fa1 of the first resonator 5 and the resonance frequency Fr2 of the second resonator, and projects upward between the anti-resonance frequency Fa1 and the resonance frequency Fr2. Characteristic. This GDT characteristic A4 is opposite to the GDT characteristic (FIG. 15 or 16) of the conventional ceramic filter,
Therefore, by combining with a conventional ceramic filter, it can be used as a GDT equalizer that can flatten the GDT characteristics. Moreover, the attenuation characteristic is, as shown by the characteristic B4 in FIG.
Anti-resonance frequency Fa1 of first resonator 5 and second resonator 6
At the resonance frequency Fr2, the amplitude sharply attenuates, and the amplitude sharply increases between the anti-resonance frequency Fa1 and the resonance frequency Fr2. Therefore, excellent selectivity can be ensured. Next, the reason why the characteristics shown in FIG. 3 are obtained will be described. As shown in FIG. 4A, a ceramic resonator in which electrodes 2 and 3 are formed on both surfaces of a piezoelectric ceramic substrate 1 is a fourth type.
It shows impedance and phase characteristics as shown in FIG. Z1 is an impedance characteristic, PH1 is a phase characteristic, Fr is a resonance frequency, and Fa is an anti-resonance frequency. As shown in FIG. 5 (a), input resistance Rin = 300Ω, Rout
= 300Ω, when the ceramic resonator 6 is connected in parallel to the transmission line and driven by the signal source 12, the GDT drops sharply at the resonance frequency Fr2 as shown in FIG. 5 (b).
The characteristic A5 and the attenuation characteristic B5 are obtained. Ceramic resonator 6
Is that the group delay time (μs) is minimized at the resonance frequency Fr2, the group delay time (μs) is rapidly increased from the resonance frequency Fr2 toward the higher frequency, and the second delay time is higher than the resonance frequency Fr2. The GDT characteristic A5 at which the group delay time (μs) becomes maximum (about 0) at the frequency f2 is shown. The second frequency f2 is about 10.72 MHz. On the other hand, when the ceramic resonator 5 is driven by being connected in series to the transmission line as shown in FIG. 6 (a), the GDT rapidly drops at the anti-resonance frequency Fa1 as shown in FIG. 6 (b).
The characteristic A6 and the attenuation characteristic B6 are obtained. As shown in FIG. 6B, the ceramic resonator 5 has an anti-resonance frequency F2 higher than the resonance frequency Fr2 of the ceramic resonator 6 (about 10.56 MHz).
a1 (about 10.89 MHz), the group delay time (μS) becomes maximum (about 0) at the first frequency f1 lower than the anti-resonance frequency Fa1, and the frequency increases from the first frequency f1. As a result, the group delay time (μs) rapidly decreases, and the GDT characteristic A6 in which the group delay time (μs) is minimized near the anti-resonance frequency Fa1 is shown. The first frequency f1 is about 10.73 MHz
z, which is a value close to the second frequency f2 (about 10.72 MHz). The circuit shown in FIG. 2 is substantially the same as the circuit shown in FIG. 5A and the circuit shown in FIG. Therefore, the characteristic shown in FIG.
The characteristic shown in FIG. 3 in which the characteristic shown in FIG. That is, the superposition of the GDT characteristic A5 in FIG. 5B and the GDT characteristic A6 in FIG.
GDT characteristics that are convex upward in the middle part of the anti-resonance frequency Fa1
A4 (see FIG. 3) is obtained. FIG. 7 shows another embodiment of the phase shift element according to the present invention. In this embodiment, the second resonator 6 is connected to the output terminal 9
Connected between -10. Also in the case of this embodiment, the same operation and effects as those of the embodiment of FIG. FIG. 8 shows an example in which the phase shift element 11 according to the present invention is used as a GDT equalizer in combination with a conventional ceramic filter 13. The GDT characteristic of the ceramic filter 13 is
Although the bimodal characteristic is concave downward as shown by the characteristic A7 in FIG. 9, the GDT characteristic of the phase shift element 11 according to the present invention is upward as shown by the characteristic A4 in FIG. The characteristic becomes convex. Therefore, by combining the characteristic A7 and the third characteristic A4 in FIG. 9,
As shown by the characteristic A8 in FIG. 10, a flat GDT characteristic is obtained. Regarding the attenuation characteristic, a characteristic as shown by a characteristic B8 in FIG. 10 is obtained by combining the characteristic B7 in FIG. 9 and the characteristic B4 in FIG. In the attenuation characteristic B8, the attenuation from the frequency region where a flat GDT characteristic is obtained to the frequency regions on both sides thereof is large, and a characteristic with high selectivity is obtained. FIG. 11 is a plan view showing a specific structure of the phase shift element shown in FIGS. 1 and 7, and FIG. 12 is a bottom view of the same. In this embodiment, an electrode 53 constituting the ceramic resonator 5 and an electrode 63 constituting the ceramic resonator 6 are arranged at an interval on one surface side of the piezoelectric ceramic substrate 1 formed in a plate shape. On the other surface side of the ceramic substrate 1, the electrodes 5
2, 62 are formed. The electrode 52 and the electrode 62 are the lead electrode 5
Connected in common by 6. The lead terminals 14 and 15 are connected and fixed to the lead electrode 531 extended from the electrode 53 and the lead electrode 631 extended from the electrode 63, respectively, and the lead terminal 16 is connected to the lead electrode 56. In the case of configuring the phase shift element of FIG.
Is connected to the input terminal 7, the lead terminal 14 is connected to the output terminal 9, and the lead terminal 15 is connected to the input terminal 8 and the power collecting terminal 10. 7, the lead terminal 14 is connected to the input terminal 7, the lead terminal 16 is connected to the output terminal 9, and the lead terminal 15 is connected to the input terminal 8 and the output terminal 10. Connecting. <Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, a phase shift element suitable as a filter or a GDT equalizer capable of simultaneously satisfying a low distortion factor and a high selectivity due to equalization of GDT characteristics is provided. can do.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明に係る移相素子のシンボル図、第2図は
第1図に示した移相素子の駆動回路図、第3図は第2図
の駆動回路によって得られたGDT特性及び減衰特性を示
す図、第4図(a)はセラミック共振子のシンボル図、
第4図(b)は同じくそのインピーダンス、移相特性
図、第5図(a)はセラミック共振子を伝送路に並列接
続した駆動回路図、第5図(b)は第5図(a)の駆動
回路によって得られたGDT特性及び減衰特性を示す図、
第6図(a)はセラミック共振子を伝送路に直列接続し
た駆動回路図、第6図(b)は第6図(a)の駆動回路
によって得られたGDT特性及び減衰特性を示す図、第7
図は本発明に係る移相素子の別の実施例におけるシンボ
ル図、第8図は本発明に係る移相素子をセラミックフィ
ルタと組合せてGDTイコライザとして使用した例を示す
図、第9図は第8図におけるセラミックフィルタのGDT
特性及び減衰特性を示す図、第10図は第8図の回路によ
って得られたGDT特性及び減衰特性を示す図、第11図は
第1図及び第7図に示した移相素子の具体的な構造を示
す平面図、第12図は同じくその底面図、第13図は従来の
セラミック共振子の構成を概略的に示す図、第14図は第
13図に示したセラミック共振子を用いた従来のセラミッ
クフィルタ回路、第15図〜第17図は同じくそのGDT特性
及び減衰特性を示す図である。 5、6……共振子 7〜10……端子
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a symbol diagram of a phase shift element according to the present invention, FIG. 2 is a drive circuit diagram of the phase shift element shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a drive circuit of FIG. FIG. 4A is a diagram showing a GDT characteristic and a damping characteristic obtained by the method shown in FIG.
FIG. 4 (b) is a diagram of the impedance and phase shift characteristics, FIG. 5 (a) is a drive circuit diagram in which a ceramic resonator is connected in parallel to a transmission line, and FIG. 5 (b) is FIG. 5 (a). A diagram showing GDT characteristics and attenuation characteristics obtained by the drive circuit of
FIG. 6A is a drive circuit diagram in which ceramic resonators are connected in series to a transmission line, and FIG. 6B is a diagram showing GDT characteristics and attenuation characteristics obtained by the drive circuit in FIG. 6A. Seventh
FIG. 8 is a symbol diagram of another embodiment of the phase shift element according to the present invention, FIG. 8 is a diagram showing an example in which the phase shift element according to the present invention is combined with a ceramic filter and used as a GDT equalizer, and FIG. GDT of ceramic filter in Fig. 8
FIG. 10 is a diagram showing characteristics and attenuation characteristics, FIG. 10 is a diagram showing GDT characteristics and attenuation characteristics obtained by the circuit of FIG. 8, and FIG. 11 is a diagram of the phase shift element shown in FIGS. 1 and 7. FIG. 12 is a plan view showing the same structure, FIG. 12 is a bottom view thereof, FIG. 13 is a view schematically showing a configuration of a conventional ceramic resonator, and FIG.
A conventional ceramic filter circuit using the ceramic resonator shown in FIG. 13, and FIGS. 15 to 17 are diagrams showing the GDT characteristics and the attenuation characteristics thereof. 5, 6 ... resonators 7 to 10 ... terminals

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.中間部でくぼむ群遅延時間−周波数特性を有するフ
ィルタまたはフィルタ回路と縦続接続される移相素子で
あって、 伝送路に直列に入る第1の共振子と、前記伝送路に並列
に入る第2の共振子との組を、少なくとも一組有してお
り、 前記第1の共振子は、前記第2の共振子の共振周波数Fr
2よりも高い反共振周波数Fa1を有し、前記反共振周波数
Fa1よりも低い第1の周波数において群遅延時間が最大
となり、前記第1の周波数から周波数が高くなる方向に
向かって群遅延時間が急激に小さくなり、前記反共振周
波数の付近において群遅延時間が極小となる群遅延時間
−周波数特性を示し、 前記第2の共振子は、前記共振周波数Fr2において群遅
延時間が極小となり、前記共振周波数Fr2から周波数が
高くなる方向に向かって、前記群遅延時間が急激に大き
くなり、共振周波数Fr2よりも高い第2の周波数におい
て群遅延時間が最大となる群遅延時間−周波数特性を示
し、 前記第1の周波数および前記第2の周波数は、互いに近
似した値に選定されており、 前記第1の共振子の前記群遅延時間−周波数特性および
前記第2の共振子の前記群遅延時間−周波数特性の重ね
合わせにより、前記共振周波数Fr2および前記反共振周
波数Fa1の中間部で上に凸となる群遅延時間−周波数特
性を得る 移相素子。 2.前記第2の共振子は、入力端子間に接続されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の移相素
子。 3.前記第2の共振子は、出力端子間に接続されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の移相素
子。 4.前記第1の共振子及び第2の共振子は、セラミック
共振子でなることを特徴とする特許請求の範囲第1項、
第2項または第3項に記載の移相素子。 5.前記第1の共振子及び第2の共振子は、共通の圧電
セラミック基板に形成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第4項に記載の移相素子。
(57) [Claims] A phase shift element cascaded with a filter or a filter circuit having a group delay time-frequency characteristic depressed at an intermediate portion, wherein the first resonator is in series with a transmission line, and is in parallel with the transmission line. At least one pair with a second resonator is provided, and the first resonator has a resonance frequency Fr of the second resonator.
2 having an anti-resonant frequency Fa1 higher than 2,
The group delay time becomes maximum at the first frequency lower than Fa1, and the group delay time decreases rapidly from the first frequency toward the higher frequency, and the group delay time near the anti-resonance frequency The second resonator has a minimum group delay time at the resonance frequency Fr2, and has a minimum group delay time-frequency characteristic. Rapidly increases, and shows a group delay time-frequency characteristic in which the group delay time is maximized at a second frequency higher than the resonance frequency Fr2. The first frequency and the second frequency are values approximate to each other. And the group delay time-frequency characteristic of the first resonator and the group delay time-frequency characteristic of the second resonator are superimposed on each other. Wavenumber Fr2 and the anti-resonance frequency convex become group delay time on the middle portion of Fa1 - phase shifting elements to obtain the frequency characteristics. 2. The phase shift element according to claim 1, wherein the second resonator is connected between input terminals. 3. The phase shift element according to claim 1, wherein the second resonator is connected between output terminals. 4. 2. The method according to claim 1, wherein the first resonator and the second resonator are ceramic resonators.
Item 4. The phase shift element according to item 2 or 3. 5. The phase shift element according to claim 4, wherein the first resonator and the second resonator are formed on a common piezoelectric ceramic substrate.
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