JP2708847B2 - 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 - Google Patents
光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法Info
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- JP2708847B2 JP2708847B2 JP1024951A JP2495189A JP2708847B2 JP 2708847 B2 JP2708847 B2 JP 2708847B2 JP 1024951 A JP1024951 A JP 1024951A JP 2495189 A JP2495189 A JP 2495189A JP 2708847 B2 JP2708847 B2 JP 2708847B2
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- film
- manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は、光学式ディスク用スタンパー及びその製造
方法に関し、光学式ビデオディスク、コンパクトディス
ク、DRAWディスク、EDRAWディスクなどに適用できるも
のである。
方法に関し、光学式ビデオディスク、コンパクトディス
ク、DRAWディスク、EDRAWディスクなどに適用できるも
のである。
(ロ)従来の技術 現在使用されている光学式ディスク用スタンパーはNi
製スタンパーであり、次のようにして製造されている。
製スタンパーであり、次のようにして製造されている。
第2図に示すように、ガラス原盤1の表面に、ポジ型
フォトレジスト膜2を塗布する第1工程と、フォトレジ
スト膜2に情報信号に応じたレーザ光を照射し、その感
光部を現像により取り除く第2工程と、第2工程で残存
するフォトレジスト膜2の表面及びガラス原盤1の露出
部に銀膜3をスパッタリングにより形成する第3工程
と、銀膜3の上にNiメッキによりNi層4を形成する第4
工程と、Ni層4を剥離する第5工程とからなる。
フォトレジスト膜2を塗布する第1工程と、フォトレジ
スト膜2に情報信号に応じたレーザ光を照射し、その感
光部を現像により取り除く第2工程と、第2工程で残存
するフォトレジスト膜2の表面及びガラス原盤1の露出
部に銀膜3をスパッタリングにより形成する第3工程
と、銀膜3の上にNiメッキによりNi層4を形成する第4
工程と、Ni層4を剥離する第5工程とからなる。
そして、このNi層4がスタンパーとなるが、このスタ
ンパーの製造には、特に第4工程で7〜8時間要し、長
時間を必要とする問題がある。
ンパーの製造には、特に第4工程で7〜8時間要し、長
時間を必要とする問題がある。
一方、最近では、光学式ディスクの少量多機種生産の
要望が多くなっており、この製造時間の短縮化の問題を
解決すべく、プラスチック製スタンパーが考えられてい
る(“光ディスク作製用透明プラスチックスタンパ”宮
村他、第48回応用物理学術講演会18a−Zp−6、62年10
月参照)。
要望が多くなっており、この製造時間の短縮化の問題を
解決すべく、プラスチック製スタンパーが考えられてい
る(“光ディスク作製用透明プラスチックスタンパ”宮
村他、第48回応用物理学術講演会18a−Zp−6、62年10
月参照)。
この技術は、第2図の第2工程(レーザカッティン
グ、現像)までは同じであるが、その後の工程において
は、フォトポリマー法(2P法)によりスタンパーを製造
するものである。このスタンパーの製造においては、従
来のNiメッキ工程を必要としないため、製造時間が短く
なるが、スタンパーの材質がプラスチックであるため、
スタンパーとしての寿命が短い。
グ、現像)までは同じであるが、その後の工程において
は、フォトポリマー法(2P法)によりスタンパーを製造
するものである。このスタンパーの製造においては、従
来のNiメッキ工程を必要としないため、製造時間が短く
なるが、スタンパーの材質がプラスチックであるため、
スタンパーとしての寿命が短い。
すなわち、プラスチックスタンパーから2P法を用いて
レプリカを成形することができる数はせいぜい数百シャ
ットである。現在使用されているNi製スタンパーでは、
射出成形法を用いても、数万ショットの使用ができる。
尚、プラスチックスタンパーでは、Ni製スタンパーのよ
うに射出成形法でレプリカの成形できない。
レプリカを成形することができる数はせいぜい数百シャ
ットである。現在使用されているNi製スタンパーでは、
射出成形法を用いても、数万ショットの使用ができる。
尚、プラスチックスタンパーでは、Ni製スタンパーのよ
うに射出成形法でレプリカの成形できない。
また、光学式ディスク用スタンパーの製造において、
石英基板の表面に反応性イオンエッチングを用いて情報
信号ピットを形成するものも提案されている(“ドライ
エッチングを用いた光ディスク原盤”加藤他、第48回応
用物理学術講演会18a−Zp−5、62年10月参照)。
石英基板の表面に反応性イオンエッチングを用いて情報
信号ピットを形成するものも提案されている(“ドライ
エッチングを用いた光ディスク原盤”加藤他、第48回応
用物理学術講演会18a−Zp−5、62年10月参照)。
このスタンパーの製造においても、Niメッキ工程が不
要なため、製造時間がNiメッキ工程を必要とする手法に
比し短くなるが、基板が石英であるため、割れやすく、
薄くすることができない欠点がある。
要なため、製造時間がNiメッキ工程を必要とする手法に
比し短くなるが、基板が石英であるため、割れやすく、
薄くすることができない欠点がある。
(ハ)発明が解決しようとする課題 本発明は斯かる問題点に鑑み為されたものであって、
耐久性に優れた光学式ディスク用スタンパーを提供する
こと及び耐久性に優れた光学式ディスク用スタンパーを
短時間で製造することを目的とするものである。
耐久性に優れた光学式ディスク用スタンパーを提供する
こと及び耐久性に優れた光学式ディスク用スタンパーを
短時間で製造することを目的とするものである。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明の光学式ディスク用スタンパーは、金属又はSi
の基板上に設けられたシリコン酸化膜又はシリコン窒化
膜の表面に情報信号ピット又はプリグループを形成した
ものである。
の基板上に設けられたシリコン酸化膜又はシリコン窒化
膜の表面に情報信号ピット又はプリグループを形成した
ものである。
また、本発明の光学式ディスク用スタンパーの製造方
法は、金属又はSiの基板上にシリコン酸化膜又はシリコ
ン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜又はシ
リコン窒化膜の上にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、前記フォトレジスト膜を露光・現像してパターニン
グする工程と、パターニングしたフォトレジスト膜をマ
スクとして、前記シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜の
表面に情報信号ピット又はプリグループを形成する工程
と、前記フォトレジスト膜を除去する工程とを含むもの
である。
法は、金属又はSiの基板上にシリコン酸化膜又はシリコ
ン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜又はシ
リコン窒化膜の上にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、前記フォトレジスト膜を露光・現像してパターニン
グする工程と、パターニングしたフォトレジスト膜をマ
スクとして、前記シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜の
表面に情報信号ピット又はプリグループを形成する工程
と、前記フォトレジスト膜を除去する工程とを含むもの
である。
(ホ)作用 すなわち、金属又はSiの基板上に設けられたシリコン
酸化膜又はシリコン窒化膜の表面に情報信号ピット又は
プリグループを形成した光学式ディスク用スタンパー
は、プラスチックスタンパーに比し長寿命であり、石英
製スタンパーに比し割れにくく薄くすることもできる。
酸化膜又はシリコン窒化膜の表面に情報信号ピット又は
プリグループを形成した光学式ディスク用スタンパー
は、プラスチックスタンパーに比し長寿命であり、石英
製スタンパーに比し割れにくく薄くすることもできる。
また、その製造方法にあっては、メッキ工程を必要と
しないので、短時間で製造することができる。
しないので、短時間で製造することができる。
(へ)実施例 本発明の実施例を第1図に基づいて説明する。
第1図は本実施例の製造工程を順次示したものであ
る。
る。
第1工程(第1図A参照):金属又はSiの基板10上
に、SiO2膜11をCVD法により形成し、このSiO2膜11を洗
浄した後、この膜上にネガ型フォトレジスト膜12をスピ
ンコートで200〜300nmの厚さに塗布形成し、プリベーク
を行う。
に、SiO2膜11をCVD法により形成し、このSiO2膜11を洗
浄した後、この膜上にネガ型フォトレジスト膜12をスピ
ンコートで200〜300nmの厚さに塗布形成し、プリベーク
を行う。
第2工程(第1図B参照):レジスト膜12のパワー15
mWのアルゴンガスレーザ光を集光し、基板10を線速1.2
〜1.4m/秒の一定速度で回転させ且つレーザ光を基板10
の半径方向に移動させながら、幅約0.8μm、ピッチ1.6
μmの螺旋状の案内溝を記録し、現像する。この現像に
よりレジスト膜12の感光部が残存する。
mWのアルゴンガスレーザ光を集光し、基板10を線速1.2
〜1.4m/秒の一定速度で回転させ且つレーザ光を基板10
の半径方向に移動させながら、幅約0.8μm、ピッチ1.6
μmの螺旋状の案内溝を記録し、現像する。この現像に
よりレジスト膜12の感光部が残存する。
第3工程(第1図C参照):レジスト膜12の残存部を
マスクとして、CF4プラズマを用いて、露出しているSiO
2膜11を反応性イオンエッチングする。このエッチング
工程は、エッチング装置を必要な真空度にしてCF4ガス
をこの装置内に導入し、この装置の陰極上に基板10を置
き、高周波放電によりエッチング深さ1000〜1500Åにエ
ッチングする。エッチングレートは反応によっても異な
るが数百〜数千Å/分であるため、数分内でエッチング
が完了する。このエッチング工程時に揮発性生成物SiF4
が生じ、このガスを吸引しながら行う。
マスクとして、CF4プラズマを用いて、露出しているSiO
2膜11を反応性イオンエッチングする。このエッチング
工程は、エッチング装置を必要な真空度にしてCF4ガス
をこの装置内に導入し、この装置の陰極上に基板10を置
き、高周波放電によりエッチング深さ1000〜1500Åにエ
ッチングする。エッチングレートは反応によっても異な
るが数百〜数千Å/分であるため、数分内でエッチング
が完了する。このエッチング工程時に揮発性生成物SiF4
が生じ、このガスを吸引しながら行う。
第4工程(第1図D参照):レジスト膜12の残存部
は、エッチング装置内でO2プラズマにより灰化し除去す
る。この場合、フォトレジスト材料によっても異なる
が、数百〜数千Å/分のアッシング速度を有しているの
で、この工程も数分内に完了する。
は、エッチング装置内でO2プラズマにより灰化し除去す
る。この場合、フォトレジスト材料によっても異なる
が、数百〜数千Å/分のアッシング速度を有しているの
で、この工程も数分内に完了する。
このようにして、ピット13を有するスタンパーが形成
される。
される。
この実施例では、基板10上にSiO2膜11を設けたが、こ
のSiO2膜11に代えてSi3N4膜を使用してもよい。
のSiO2膜11に代えてSi3N4膜を使用してもよい。
(ト)発明の効果 本発明の光学式ディスク用スタンパーにあっては、プ
ラスチックスタンパーに比し長寿命であり、石英製スタ
ンパーに比し割れにくく薄くすることもできるので、耐
久性に優れ、例えば、射出成形法を用いてレプリカを形
成することができる。
ラスチックスタンパーに比し長寿命であり、石英製スタ
ンパーに比し割れにくく薄くすることもできるので、耐
久性に優れ、例えば、射出成形法を用いてレプリカを形
成することができる。
また、その製造方法にあっては、メッキ工程を必要と
しないので、短時間で製造することができ、しかも、従
来のNi製スタンパーに比べてスタンパー表面の平滑度が
良いものを提供することができ、レプリカの作製精度を
高めることができる。
しないので、短時間で製造することができ、しかも、従
来のNi製スタンパーに比べてスタンパー表面の平滑度が
良いものを提供することができ、レプリカの作製精度を
高めることができる。
第1図は本発明の実施例におけるスタンパーの製造工程
図、第2図は従来のスタンパーの製造工程図である。 10……基板、11……SiO2膜(シリコン酸化膜)、12……
フォトレジスト膜、13……ピット。
図、第2図は従来のスタンパーの製造工程図である。 10……基板、11……SiO2膜(シリコン酸化膜)、12……
フォトレジスト膜、13……ピット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−173736(JP,A) 特開 昭63−288439(JP,A) 特開 昭61−3339(JP,A) 特開 昭64−37738(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】金属又はSiの基板上に設けられたシリコン
酸化膜又はシリコン窒化膜の表面に情報信号ピット又は
プリグループを形成したことを特徴とする光学式ディス
ク用スタンパー。 - 【請求項2】金属又はSiの基板上にシリコン酸化膜又は
シリコン窒化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜の上にフォトレ
ジスト膜を塗布する工程と、 前記フォトレジスト膜を露光・現像してパターニングす
る工程と、 パターニングしたフォトレジスト膜をマスクとして、前
記シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜の表面に情報信号
ピット又はプリグループを形成する工程と、 前記フォトレジスト膜を除去する工程と、 を含むことを特徴とした光学式ディスク用スタンパーの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024951A JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024951A JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02204023A JPH02204023A (ja) | 1990-08-14 |
JP2708847B2 true JP2708847B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=12152306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1024951A Expired - Lifetime JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2708847B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000231011A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sharp Corp | 光学素子およびその製造に用いるスタンパ |
NL1015524C2 (nl) * | 2000-06-26 | 2001-12-28 | Otb Group Bv | Werkwijze ter vervaardiging van een substraat om te worden toegepast in een stampervervaardigingsproces, alsmede substraat verkregen volgens een dergelijke werkwijze. |
KR20040020069A (ko) | 2001-07-18 | 2004-03-06 | 소니 가부시끼 가이샤 | 광학 기록 재생 매체용 기판, 광학 기록 재생 매체 제조용스탬퍼의 제조 방법 및 광학 기록 재생 매체 제조용스탬퍼 |
CN104516138B (zh) * | 2013-09-29 | 2017-09-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 硅基液晶面板的制作方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60173736A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスク用スタンパの製造方法 |
JPS613339A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Hitachi Ltd | 高密度情報記録円板複製用スタンパおよびその製造方法 |
JPS63288439A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光デイスク用スタンパの製造方法 |
JPS6437738A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-08 | Hitachi Chemical Co Ltd | Production of optical disk substrate |
JPS6467739A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Seiko Epson Corp | Manufacture of stamper for optical disk |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP1024951A patent/JP2708847B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02204023A (ja) | 1990-08-14 |
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