JP2699517B2 - 丸形またはテーパ状エッジおよびコーナーを有する半導体デバイス - Google Patents
丸形またはテーパ状エッジおよびコーナーを有する半導体デバイスInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、一般的には半導体デバイスに関し、更に詳
しくは、丸形またはテーパ状のエッジおよびコーナーを
もつ半導体ダイに関する。
しくは、丸形またはテーパ状のエッジおよびコーナーを
もつ半導体ダイに関する。
（従来技術および解決すべき課題） この発明を通常使用する半導体デバイスは金属製の相
互接続線をもつシリコン半導体ダイを含み、このダイは
パッシベーション・ガラスで覆われている。このダイは
リードフレームのフラグの上に取り付け、ついで高温に
おいてフラグをプラスチックでカプセル封止する。プラ
スチック封止材の膨脹係数がシリコンダイの膨脹係数よ
り大幅に大きく、そのため、プラスチック封止材は冷却
期間中に十分収縮することができない。大きなパッケー
ジでは、しばしば温度の極限値が−65℃〜150℃の範囲
をとる温度サイクル試験中において、この熱膨脹の不一
致による有害な結果が特に明らかになる。
互接続線をもつシリコン半導体ダイを含み、このダイは
パッシベーション・ガラスで覆われている。このダイは
リードフレームのフラグの上に取り付け、ついで高温に
おいてフラグをプラスチックでカプセル封止する。プラ
スチック封止材の膨脹係数がシリコンダイの膨脹係数よ
り大幅に大きく、そのため、プラスチック封止材は冷却
期間中に十分収縮することができない。大きなパッケー
ジでは、しばしば温度の極限値が−65℃〜150℃の範囲
をとる温度サイクル試験中において、この熱膨脹の不一
致による有害な結果が特に明らかになる。
プラスチック封止材が収縮するとき、大きな応力がシ
リコン半導体ダイに作用する。この応力はダイのエッジ
およびコーナーで最大になる。この応力によりプラスチ
ック封止体は半導体ダイのコーナーに隣接した部分にお
いてひび割れを生じ、これにより、プラスチック封止材
と半導体ダイとの間に相対運動が生じる。この運動のた
めに、半導体ダイのパッシベーション・ガラスにひび割
れや破砕が生じ、さらに層剥離が引き起こされる。この
層剥離は通常、金属製の相互接続線にまで及び、その結
果半導体デバイスの寿命を短くする。したがって、プラ
スチック封止材とシリコンダイの膨脹の違いによって引
き起こされる応力破壊に対してより強い耐性をもつ半導
体デバイスを提供することが望ましい。
リコン半導体ダイに作用する。この応力はダイのエッジ
およびコーナーで最大になる。この応力によりプラスチ
ック封止体は半導体ダイのコーナーに隣接した部分にお
いてひび割れを生じ、これにより、プラスチック封止材
と半導体ダイとの間に相対運動が生じる。この運動のた
めに、半導体ダイのパッシベーション・ガラスにひび割
れや破砕が生じ、さらに層剥離が引き起こされる。この
層剥離は通常、金属製の相互接続線にまで及び、その結
果半導体デバイスの寿命を短くする。したがって、プラ
スチック封止材とシリコンダイの膨脹の違いによって引
き起こされる応力破壊に対してより強い耐性をもつ半導
体デバイスを提供することが望ましい。
本発明の目的は、プラスチック封止によって半導体ダ
イ上に生じる応力を減少させるような丸形またはテーパ
状のエッジおよびコーナーをもつ半導体ダイを提供する
ことである。
イ上に生じる応力を減少させるような丸形またはテーパ
状のエッジおよびコーナーをもつ半導体ダイを提供する
ことである。
この発明のもう一つの目的は、層剥離に対し強い耐性
をもつような丸形またはテーパ状のエッジおよびコーナ
ーをもつ半導体ダイを提供することである。
をもつような丸形またはテーパ状のエッジおよびコーナ
ーをもつ半導体ダイを提供することである。
本発明の他の目的は、丸形またはテーパ状エッジおよ
びコーナーをもつ半導体ダイで、当該エッジおよびコー
ナーを、ウエハーの鋸状カットを行う前に丸形またはテ
ーパ状にしたものを提供することである。
びコーナーをもつ半導体ダイで、当該エッジおよびコー
ナーを、ウエハーの鋸状カットを行う前に丸形またはテ
ーパ状にしたものを提供することである。
本発明のさらに他の目的は、ダイの鋸状カットにおい
て固有のダイの破砕およびひび割れを少くする丸形また
はテーパ状のエッジおよびコーナーを有する半導体ダイ
を提供することである。
て固有のダイの破砕およびひび割れを少くする丸形また
はテーパ状のエッジおよびコーナーを有する半導体ダイ
を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、半導体デバイスの寿命を
延ばし、デバイスの信頼性を高めるように、丸形または
テーパ状エッジおよびコーナーをもつ半導体ダイを提供
することである。
延ばし、デバイスの信頼性を高めるように、丸形または
テーパ状エッジおよびコーナーをもつ半導体ダイを提供
することである。
本発明における前記およびその他の目的と効果は、半
導体ダイのエッジおよびコーナーを丸形またはテーパ状
にすることによって達成する。これらのエッジおよびコ
ーナーは、適切な配列が必要な等方性シリコン・エッチ
・ステップを使用して丸形またはテーパ状にする。これ
らのステップは一般に、ウエハーの鋸状カットまたはダ
イの分離の前に行う。丸形またはテーパ状エッジおよび
コーナーによって、半導体ダイに作用する応力を少く
し、これによって、パッシペーション・ガラスと半導体
ダイとの間の層剥離の速度を遅くする。層剥離が動作回
路にそれほど早く達しないため、その結果デバイスの寿
命が延びて信頼性が高まる。
導体ダイのエッジおよびコーナーを丸形またはテーパ状
にすることによって達成する。これらのエッジおよびコ
ーナーは、適切な配列が必要な等方性シリコン・エッチ
・ステップを使用して丸形またはテーパ状にする。これ
らのステップは一般に、ウエハーの鋸状カットまたはダ
イの分離の前に行う。丸形またはテーパ状エッジおよび
コーナーによって、半導体ダイに作用する応力を少く
し、これによって、パッシペーション・ガラスと半導体
ダイとの間の層剥離の速度を遅くする。層剥離が動作回
路にそれほど早く達しないため、その結果デバイスの寿
命が延びて信頼性が高まる。
（実施例） 第１図は、プラスチック封止を施した、本発明で使用
する種類の半導体デバイスの平面図を大きく拡大したも
のである。このデバイスはフラグ12を有するリードフレ
ーム10を含む。半導体ダイ14はリードフレーム10のフラ
グ12の上に取り付ける。フラグ12を含むリードフレーム
10の一部は、プラスチック封止16でカプセル封止されて
おり、この図では一部が切り欠いてある。
する種類の半導体デバイスの平面図を大きく拡大したも
のである。このデバイスはフラグ12を有するリードフレ
ーム10を含む。半導体ダイ14はリードフレーム10のフラ
グ12の上に取り付ける。フラグ12を含むリードフレーム
10の一部は、プラスチック封止16でカプセル封止されて
おり、この図では一部が切り欠いてある。
第２図は、半導体ダイ14の拡大平面図である。半導体
ダイ14は、半導体ダイ14の動作回路すべてを含む動作区
域18を含んでいる。この動作回路には、複数のボンドパ
ッド20と相互接続線22が含まれる。ボンドパッド20も相
互接続線22も共に金属からなる。当業者は多くの周知の
金属を使用し得ることを認めるであろう。半導体ダイ14
はさらに、動作回路が排除されている回路区域コーナー
24を含む。回路区域コーナー24から動作回路をお排除す
ることによって、その部分の層剥離が半導体ダイ14の動
作回路に影響を与えないため、デバイスの寿命が延び
る。
ダイ14は、半導体ダイ14の動作回路すべてを含む動作区
域18を含んでいる。この動作回路には、複数のボンドパ
ッド20と相互接続線22が含まれる。ボンドパッド20も相
互接続線22も共に金属からなる。当業者は多くの周知の
金属を使用し得ることを認めるであろう。半導体ダイ14
はさらに、動作回路が排除されている回路区域コーナー
24を含む。回路区域コーナー24から動作回路をお排除す
ることによって、その部分の層剥離が半導体ダイ14の動
作回路に影響を与えないため、デバイスの寿命が延び
る。
スクライビング区域26は、半導体ダイ14の中に含ま
れ、回路区域18の境界をなしている。スクライビング区
域26は回路が排除されており、単に半導体ダイ14を施工
後に他の半導体ダイから分離する区域の役を果たしてい
る。この実施例では、複数の丸形ダイコーナー28はスク
ライビング区域の一部として示している。丸形ダイコー
ナー28はスクライビング区域26以外の区域にも存在する
ことができると考えるべきである。たとえば、丸形ダイ
コーナー28は回路区域コーナー24を通って存在してもよ
い。
れ、回路区域18の境界をなしている。スクライビング区
域26は回路が排除されており、単に半導体ダイ14を施工
後に他の半導体ダイから分離する区域の役を果たしてい
る。この実施例では、複数の丸形ダイコーナー28はスク
ライビング区域の一部として示している。丸形ダイコー
ナー28はスクライビング区域26以外の区域にも存在する
ことができると考えるべきである。たとえば、丸形ダイ
コーナー28は回路区域コーナー24を通って存在してもよ
い。
半導体ダイ14はさらに、部分的に切り欠いて示したパ
ッシベーション・ガラス30で覆われている。この実施例
では、パッシベーション・ガラス30は隣を添加した二酸
化ケイ素である。パッシベーション・ガラス30は、被覆
しないまま残してあるボンドバッド20を除いて、回路区
域18に湿気および不純物が入らないようにする。これに
よって腐食が減少し、デバイスの寿命が延びる。
ッシベーション・ガラス30で覆われている。この実施例
では、パッシベーション・ガラス30は隣を添加した二酸
化ケイ素である。パッシベーション・ガラス30は、被覆
しないまま残してあるボンドバッド20を除いて、回路区
域18に湿気および不純物が入らないようにする。これに
よって腐食が減少し、デバイスの寿命が延びる。
第３図は、第２図の半導体ダイ14を線３−３で切断し
た断面図である。半導体ダイ14は丸形のダイエッジ32を
含む。丸形のダイエッジ32はスクライビング区域26の中
に示ざれているが、丸形のダイエッジ32は必ずしもスク
ライビング区域26内にある必要はない。丸形のダイエッ
ジ32および第２の丸形のダイコーナー28によって、半導
体ダイ14に作用する第１図のプラスチック封止16の応力
を減らす。この応力が減少することによって、パッシベ
ーション・ガラス30の層剥離の速度が遅くなり、回路区
域18の外縁近くに配置されている一定の相互接続線22は
長期間影響を受けないようになる。このため信号性が高
まり、デバイスの寿命が延びる。
た断面図である。半導体ダイ14は丸形のダイエッジ32を
含む。丸形のダイエッジ32はスクライビング区域26の中
に示ざれているが、丸形のダイエッジ32は必ずしもスク
ライビング区域26内にある必要はない。丸形のダイエッ
ジ32および第２の丸形のダイコーナー28によって、半導
体ダイ14に作用する第１図のプラスチック封止16の応力
を減らす。この応力が減少することによって、パッシベ
ーション・ガラス30の層剥離の速度が遅くなり、回路区
域18の外縁近くに配置されている一定の相互接続線22は
長期間影響を受けないようになる。このため信号性が高
まり、デバイスの寿命が延びる。
本発明はまた、ウエハーの鋸状カットまたはダイの分
離の間によく起こる破砕およびひび割れの問題を少なく
する。鋸状カットの前に等方性エッチステップを用いて
ダイコーナー28およびダイエッジ32を丸形またはテーパ
状にすることによって鋸状カットの不完全性が減少す
る。この等方性エッチステップは適切に配列しなければ
ならず、またこれは一連のウエハー・プロセス終了後に
行うことが望ましいが、一連のプロセスの間の種々の場
合に行ってもよいと考えるべきである。
離の間によく起こる破砕およびひび割れの問題を少なく
する。鋸状カットの前に等方性エッチステップを用いて
ダイコーナー28およびダイエッジ32を丸形またはテーパ
状にすることによって鋸状カットの不完全性が減少す
る。この等方性エッチステップは適切に配列しなければ
ならず、またこれは一連のウエハー・プロセス終了後に
行うことが望ましいが、一連のプロセスの間の種々の場
合に行ってもよいと考えるべきである。
第４図〜第６図は鋸状カットまたは分離を行う前の４
つのシリコン・ダイの交差部の平面図を大きく拡大した
ものである。第４図は４つのダイを分離する鋸状カット
区域34Aを示す。エッチマスク境界36Aは交差線上に示さ
れる。エッチマスク境界36Aは丸形ダイコーナーをもた
らすが丸形ダイエッジをもたらさない。第５図は、丸形
ダイエッジと丸形ダイコーナーとをもたらすエッチマス
ク境界36Bを示す。第６図は、徐々に丸みをつけたダイ
コーナーおよび丸形ダイエッジをもたらすエッチマスク
境界36Cを含む。エッチマスク境界36Bおよび36Cを使用
した結果得られる半導体ダイは第２図および第３図の半
導体ダイ14と同様のものとなる。
つのシリコン・ダイの交差部の平面図を大きく拡大した
ものである。第４図は４つのダイを分離する鋸状カット
区域34Aを示す。エッチマスク境界36Aは交差線上に示さ
れる。エッチマスク境界36Aは丸形ダイコーナーをもた
らすが丸形ダイエッジをもたらさない。第５図は、丸形
ダイエッジと丸形ダイコーナーとをもたらすエッチマス
ク境界36Bを示す。第６図は、徐々に丸みをつけたダイ
コーナーおよび丸形ダイエッジをもたらすエッチマスク
境界36Cを含む。エッチマスク境界36Bおよび36Cを使用
した結果得られる半導体ダイは第２図および第３図の半
導体ダイ14と同様のものとなる。
第１図は、プラスチック封止を施した半導体デバイス
の、プラスチック封止の一部を切り欠いた拡大平面図で
ある。 第２図は、第１図のデバイスに含まれる半導体ダイの拡
大平面図である。 第３図は、第２図の半導体ダイを線３−３で切断した断
面図である。 第４図〜第６図は、鋸状カットを行う前の４つの半導体
ダイの隣接部分の拡大平面図である。 10……リードフレーム 12……フラグ 14……半導体ダイ 16……プラスチック封止 18……回路区域 20……ボンドパッド 22……相互接続線 24……回路区域コーナー 26……スクライビング区域 28……丸形コーナー 30……パッシベーション・ガラス
の、プラスチック封止の一部を切り欠いた拡大平面図で
ある。 第２図は、第１図のデバイスに含まれる半導体ダイの拡
大平面図である。 第３図は、第２図の半導体ダイを線３−３で切断した断
面図である。 第４図〜第６図は、鋸状カットを行う前の４つの半導体
ダイの隣接部分の拡大平面図である。 10……リードフレーム 12……フラグ 14……半導体ダイ 16……プラスチック封止 18……回路区域 20……ボンドパッド 22……相互接続線 24……回路区域コーナー 26……スクライビング区域 28……丸形コーナー 30……パッシベーション・ガラス
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−197323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−93613（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−81328（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−289615（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−143519（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−29824（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】プラスチック封止した半導体デバイスであ
って： フラグを含むリードフレーム； 該リードフレームの前記フラグの上に配置した半導体ダ
イであり、回路が排除されておりかつ丸形またはテーパ
状になっている複数のダイコーナーを有する半導体ダ
イ；及び 前記半導体ダイを含む前記リードフレームの前記フラグ
を封止するプラスチック封止体； から構成されることを特徴とするデバイス。 - 【請求項２】半導体ダイの周縁にあって回路が排除され
ているスクライビング区域を有することを特徴とする請
求項１記載のデバイス。 - 【請求項３】前記スクライビング区域が半導体ダイの丸
形またはテーパ状のダイコーナーを含むことを特徴とす
る請求項２記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15980088A | 1988-02-24 | 1988-02-24 | |
| US159,800 | 1988-02-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251709A JPH01251709A (ja) | 1989-10-06 |
| JP2699517B2 true JP2699517B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=22574076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030120A Expired - Lifetime JP2699517B2 (ja) | 1988-02-24 | 1989-02-10 | 丸形またはテーパ状エッジおよびコーナーを有する半導体デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5119171A (ja) |
| JP (1) | JP2699517B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960003853B1 (ko) * | 1990-09-10 | 1996-03-23 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 및 그의 제조방법 |
| US5593927A (en) * | 1993-10-14 | 1997-01-14 | Micron Technology, Inc. | Method for packaging semiconductor dice |
| US5851928A (en) * | 1995-11-27 | 1998-12-22 | Motorola, Inc. | Method of etching a semiconductor substrate |
| US6440859B1 (en) * | 1998-09-25 | 2002-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for etching passivation layer of wafer |
| TW484101B (en) * | 1998-12-17 | 2002-04-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
| US7084488B2 (en) | 2001-08-01 | 2006-08-01 | Fairchild Semiconductor Corporation | Packaged semiconductor device and method of manufacture using shaped die |
| US7646095B2 (en) * | 2003-09-30 | 2010-01-12 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
| JP4867793B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2012-02-01 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
| US8072044B2 (en) * | 2009-09-17 | 2011-12-06 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die containing lateral edge shapes and textures |
| CN103021962B (zh) * | 2011-09-20 | 2015-07-22 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体晶片及其处理方法 |
| JP2015079929A (ja) | 2013-09-11 | 2015-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP6129777B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-05-17 | 株式会社沖データ | 半導体装置、半導体装置の製造方法、プリントヘッド、及び画像形成装置 |
| US11515226B2 (en) | 2020-05-04 | 2022-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of fabricating the same |
| KR20210138223A (ko) | 2020-05-12 | 2021-11-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| KR20220008501A (ko) | 2020-07-14 | 2022-01-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| US11658103B2 (en) | 2020-09-11 | 2023-05-23 | Qualcomm Incorporated | Capacitor interposer layer (CIL) chiplet design with conformal die edge pattern around bumps |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254647A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-16 | Hitachi Chem Co Ltd | プラスチツク封止型半導体装置 |
| US4675717A (en) * | 1984-10-09 | 1987-06-23 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Water-scale-integrated assembly |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1030120A patent/JP2699517B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-22 US US07/674,291 patent/US5119171A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01251709A (ja) | 1989-10-06 |
| US5119171A (en) | 1992-06-02 |
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