JP2698005B2

JP2698005B2 - 表面の改質方法

Info

Publication number: JP2698005B2
Application number: JP4255090A
Authority: JP
Inventors: 康志澤田; 幸子岡崎; 益弘小駒
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1991-09-25
Filing date: 1992-09-24
Publication date: 1998-01-19
Anticipated expiration: 2013-01-19
Also published as: JPH0673208A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、材料のプラズマ処理
による、その表面状態、すなわち高度耐摩耗性、耐久
性、耐汚染性等の特性の改質のための改良された処理方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、有機珪素系薄膜としては、下記
、のものが一般的である。有機珪素モノマーの加水分解・重縮合によって得ら
れる薄膜。有機珪素をモノマーとして得られたプラズマ重合薄
膜。上記有機珪素系薄膜の主成分となる珪素としては、一般式；Ｒ¹ _nＳｉＸ_4-n （ｎ＝０〜３）・・・・・（１）で表される珪素化合物の単独または混合物および／また
はその部分加水分解生成物を主成分とするものである。
ここで、Ｒ¹は同一または異種の置換もしくは非置換の
炭素数１〜８の１価炭化水素基、Ｘは加水分解性基を示
す。ｎは０、１、２または３で表されるものである。特
にｎ＝０、１、２のものが、膜質の安定性、レベリング
性等の特性に優れ、好ましく用いられる。Ｘとしては、
アルコキシ基、アセトキシ基、オキシム基、エノキシ
基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、水酸基等が挙
げられるが、入手の容易さおよび調製の容易さからアル
コキシ基が好ましい。その場合、アルコキシ基を形成す
る有機官能基としては、特に限定はされないが、たとえ
ば、炭素数１〜４のアルキル基および／またはフェニル
基、アミノ基、アクリル基等を含んでいるものが好まし
く用いられる。

【０００３】（１）式で表されるオルガノシランとし
て、具体的には、メチルトリメトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニ
ルトリエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラ
ン、ジフェニルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシ
シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、アミノプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン、トリメチルメトキシシ
ラン等が挙げられる。

【０００４】この有機珪素系薄膜として珪素アルコキ
シド系コーティング材は、たとえば、以下のようにして
得られる。上記の組成よりなる珪素化合物成分の単独も
しくは混合物を適当な溶剤で希釈し、そこに硬化剤とし
ての水および触媒を必要量添加して、加水分解および重
縮合反応を行わせる。これによって珪素化合物成分はシ
ロキサン結合を生成してポリマー化し、同時に硬化し
て、珪素アルコキシド系コーティング材が得られる。ま
た、その際、コロイド状シリカを適当量添加することも
できる。コロイド状シリカは微粒子シリカ成分が水また
はメタノール等の有機溶剤に分散されたもので、その粒
径や溶剤の種類は特に限定はされない。硬化剤としては
水が用いられるが、その添加量はコーティング剤に対し
て４５重量％以下、より好ましくは２５重量％以下で使
用する。希釈溶剤としては、メタノール、エタノール、
イソプロパノール等のアルコール、エチルセロソルブ、
ブチルセロソルブ、エチレングリコール、エチレングリ
コールモノメチルエーテル等が用いられる。これらの希
釈溶剤は単独もしくは複数種混合して使用される。

【０００５】次に、珪素アルコキシド系コーティング材
は、ｐＨ３．８〜６．０の範囲に調製して使用すること
が望ましい。ｐＨが上記範囲外になると、コーティング
材の安定性が悪いために、コーティング材を調製してか
らの使用可能期間が短くなる。このｐＨ調製法として
は、特に限定はされないが、たとえば、コーティング液
調製後にｐＨが３．８以下になった場合、アンモニア等
の塩基性試薬を用いてｐＨを上げるように、ｐＨが６．
０以上になった場合、塩酸等の酸性試薬を用いてｐＨを
下げるように調製すればよい。このように調製したコー
ティング材を基材にコーティングし、乾燥を行う。乾燥
条件は２００℃以下の温度が望ましい。

【０００６】上記有機珪素系薄膜は、重合性珪素化合
物モノマーの単独または混合物をプラズマ中で重合させ
たプラズマ重合膜である。一般的には、テトラエトキシ
シラン、テトラメトキシシラン、トリエトキシシラン、
ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザ
ン、フルオロアルキルシラン等が使用される。プラズマ
重合のプラズマ発生方法は、従来から知られている減圧
プラズマによる方法、もしくは後述する特公平２−４８
２６２、特開平２−１５１７１に述べられるような大気
圧プラズマによる方法のどちらでもよい。

【０００７】このように調製された有機珪素系薄膜は、
１０００℃近くまでの加熱処理を施さないと完全な無機
質にはならない。また、このような加熱処理の過程で内
部の揮発成分が飛散するため、クラックが生じたり、多
孔質になったりする。したがって、実用的には、その構
造中に有機質を含む珪素系薄膜が使用される。たとえ
ば、メンジス・ジー（MENGES G.)著、プレイン・プクン
スツット・ゲル・プラスト (PLEIN PKunstst Ger Plas
t) 第７８巻第１０号第１０１５〜１０１８頁には、ヘ
キサメチルジシロキサンを原料とした場合のプラズマ重
合膜が、下式化１の右辺で表されるような化学構造を有
するものになることが示されている。

【０００８】

【化１】

【０００９】このように、有機珪素系薄膜は、炭素を主
骨格とする通常の有機高分子薄膜に比べて、珪素を主骨
格とし、有機質と無機質の両方の特性を兼ね備えている
ため、硬度、耐熱性、耐久性等に格段に優れている。ま
た、有機珪素系薄膜中には、多数の有機分や水酸基等の
官能基が残存した状態になっており、そのため、基材に
対し、その種類によらず高い密着力を示す。たとえば、
基材としては、ガラス、セラミックス等の無機質材料や
金属材料の他に、プラスチック等の有機質材料へも密着
性良くコーティングできる。そのため、有機珪素系薄膜
は、たとえば、電子材料の高絶縁・高耐湿性薄膜、プラ
スチック部材の高耐摩耗性薄膜、建築材料の高耐候性コ
ーティング材等として幅広い分野にわたり応用されてい
る。

【００１０】しかし、有機珪素系薄膜は、完全な無機珪
素系の薄膜と比べると、上に挙げた諸特性が劣ることは
否めない。たとえば、表面硬度は無機珪素系薄膜に比べ
ると低い。また、他の化合物と反応して表面が劣化しや
すいという欠点もある。たとえば、表面保護膜として使
用する場合、有機珪素系薄膜中に残存する有機官能基が
汚染物質（たとえば、毛染め剤等）と反応し、表面が汚
染される。

【００１１】そこで、前述した有機珪素系薄膜の優れた
特徴を維持しつつ、その諸特性を無機質のレベルに近づ
ける試みが多数なされている。その一つとして、プラズ
マの高い反応性を利用して表面を改質する方法がある。
たとえば、有機珪素系薄膜の表面をプラズマ処理するこ
とによりその表面層を硬化させて耐摩耗性を向上させる
方法が開発されている（米国特許第４，４３５，４７６
号公報等参照）。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところが、プラズマ処
理として有用なグロー放電は、一般に、１０^-2Torr以下
の高真空下での処理であり、前述の方法においても高真
空下で処理を行う。これは、従来、安定したグロー放電
を行うためには、高真空が必要であったためである。

【００１３】しかし、高真空下では、揮発成分を含む材
料の処理は困難である。たとえば、前述の有機珪素系薄
膜のように、膜形成のために用いた水分やアルコール
等の溶媒が膜内部に残存することがあり、その場合、高
真空下では、たとえ少量でもこれらが揮発して膜質が低
下する。また、基材が有機材料や含水材料（たとえば、
建築材料等は不可避的に水を含む。）の場合、高真空下
では、基材からの揮発成分の発生のため、膜質が低下し
たり、膜の剥離が生じたりする。

【００１４】たとえば、前述の有機珪素系薄膜は、シ
ロキサン結合内に存在する有機分や水酸基以外に、未硬
化の有機珪素モノマーや一部反応したダイマー、トリマ
ー、水分、溶剤等、高い蒸気圧を含む成分がかなりの量
で残存している。また、有機珪素薄膜内にも前述した
有機官能基が多数残存する。ところが、従来の減圧プラ
ズマによる処理では、これらの成分が減圧過程で飛散す
るため、薄膜がポーラスになったり密着力が低下したり
するといった問題点が生じる。従って、減圧下でこのよ
うな処理を施す場合、コーティング膜厚を非常に薄くす
ることが必要になり、その場合、コーティングの効果も
非常に小さい。また、膜中にピンホールが多くなり、耐
食性が悪くなる。また、３ミクロン以上の膜厚を得るこ
とは難しく、応用分野が限定される。

【００１５】また、高真空下でのプラズマ処理は、高真
空を得るための装置や設備を必要とするためコストがか
かったり、大面積の材料の処理は困難であったりすると
いう問題もあった。そこで、この発明は、基材表面に形
成された有機珪素系薄膜に対し、真空設備等を必要とせ
ずして大面積にわたるプラズマ処理を可能にし、これに
より、基材中や薄膜中に揮発成分が含まれていても薄膜
の諸特性を向上させることのできる方法を提供すること
を課題とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、発明者らは、種々検討を重ねた。その結果、以下の
ことを実験で確認して、この発明を完成した。すなわ
ち、発明者らは、先に、高安定の大気圧下グロー放電プ
ラズマにより各種材料の表面を大面積にわたり均質に処
理することのできる方法を開発している（特公平２−４
８６２６号、特開平２−１５１７１号の各公報等参
照）。発明者らは、この方法を有機珪素系薄膜に対して
も適用することが可能であれば、常圧でプラズマ処理を
施すことができるため前記従来法の欠点を解消すること
ができると予想した。そこで、この大気圧下プラズマ処
理を有機珪素系薄膜に対して行ったところ、有機珪素系
薄膜の諸特性が向上することがわかったということであ
る。

【００１７】したがって、この発明にかかる表面の改質
方法は、基材表面に形成された、有機質をその構造中に
含む珪素系薄膜（この明細書中、これを単に「有機珪素
系薄膜」と称する。）を、大気圧またはその付近の圧力
下でグロー放電することにより励起させたプラズマ中で
処理するようにするものである。この発明で用いられる
基材としては、たとえば、ガラス、セラミックス等の無
機質材料、金属材料、プラスチック等の有機質材料、あ
るいは、建築材料のような有機・無機複合材料等、様々
な材料が挙げられ、特に限定されない。また、基材の形
状についても、特に限定はされず、板状、リボン状、細
線状等、多様の形状のものを用いることができる。

【００１８】この発明において、有機珪素系薄膜をプラ
ズマ処理する際に使用するガスの種類については、所望
の表面処理の内容に応じて選定され、特に限定はされな
いが、たとえば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガス、Ｏ
₂、Ｎ₂、ＮＨ₃、ＣＦ₄、Ｈ₂Ｏ、Ｎ₂Ｏ等の反応性ガ
ス等が挙げられる。これらのガスは、１種のみ用いても
よいし、あるいは、複数種を併用してもよい。複数種の
ガスを併用する場合、これらガスの混合割合について
は、特に限定はされない。なお、薄膜に対するスパッタ
リングを最小にするとともに、グロー放電をより高安定
に行うためには、不活性ガスとしては、質量の軽いＨｅ
を用いることが好ましい。

【００１９】この発明では、グロー放電プラズマの生成
圧力は、大気圧（常圧：７６０mmHg）またはその付近の
圧力であることが必要である。具体的な圧力の範囲とし
ては、５００〜１５００mmHgである。この範囲内であれ
ば、プラズマが安定して生成するとともに、膜中や基材
中からのガスの発生のために膜性能が劣化することがな
く安定した膜質のものが得られるからである。

【００２０】プラズマを発生させるためのグロー放電条
件、たとえば、印加電力およびその周波数や処理時間等
については、所望の処理程度に応じて適宜設定され、特
に限定されない。

【００２１】

【作用】基材表面に形成された有機珪素系薄膜を、大気
圧またはその付近の圧力下でグロー放電することにより
励起されたプラズマ中で処理するようにすると、大気圧
付近の圧力下で処理を行うため、真空設備等を必要とし
なくなり、大面積にわたる均質なプラズマ処理が可能に
なるとともに、基材中や薄膜中に含まれる成分の揮発に
よる膜質低下を伴うことなく有機珪素系薄膜の諸特性を
向上させることが可能となる。

【００２２】有機珪素系薄膜をプラズマ処理することに
より、その諸特性が改善されるメカニズムは、次のよう
に考えられる。有機珪素系薄膜の表面がプラズマの作用
を受けると、表面近傍層では、残存する有機官能基が脱
離し、見かけ上、有機珪素の重合が進んだ、ほぼ完全な
無機質になる。したがって、この部分では密度の高い緻
密な層が得られる。反応性ガスを使用した場合、このよ
うな作用に加えて表面の官能基がＯ、Ｎ、Ｆ等の元素に
置き換えられる結果、特性は大幅に向上する。たとえ
ば、Ｏ₂プラズマで処理した場合、表面の硬度と、毛染
め剤等に対する耐汚染性とが大きく向上する。Ｎ₂やＮ
Ｈ₃のプラズマで処理した場合は、表面が窒化され、Ｏ
₂プラズマで処理した場合以上に表面硬度が向上すると
ともに、耐水性に優れた表面が得られる。また、ＣＦ₄
等のフッ素系ガスを使用した場合、表面にフッ化層が形
成され、プラズマによる前記の効果に加えて耐汚染性が
向上する。

【００２３】

【実施例】以下に、図面を参照しながら、この発明の実
施例を説明する。図１は、この発明にかかる表面の改質
方法を実施するにあたり使用される装置の一例を表す。
反応槽５内には、上下の平行平板型電極１、２が設置さ
れており、下部電極２上には、固体誘電体３が置かれて
いる。まず、これら上下電極１、２の間隙に、基材４ａ
表面に有機珪素系薄膜４ｂを形成させてなる試料４を置
く。なお、固体誘電体３は、下部電極２に代えて上部電
極１の下部に設けられていてもよく、あるいは、これら
上下電極１、２の双方に設けられていてもよいのである
が、特に、基材４ａが金属の場合は、固体誘電体３は、
上下電極１、２の双方に設置することが好ましい。次
に、ガスを流通させ、反応槽５内の圧力を大気圧または
その付近の圧力に保ちながら、上部電極１に高電圧の交
流電界を印加すると、上下電極１、２間でプラズマが発
生し、試料４は、このプラズマの作用を受けて、有機珪
素系薄膜４ｂ表面が改質される。図中、７は、上記高電
圧の交流電界を得るための高周波電源を示す。反応槽５
の高電圧導入部と設置導出部には、絶縁体６が設けられ
ている。印加する交流電界の周波数としては、前に述べ
た通りであるが、周波数の高い領域では試料４が加熱さ
れるため、この場合には、加熱による悪影響が出ないよ
うな冷却の方法もしくは処理時間の短縮が必要になるこ
とがある。

【００２４】以下に、より具体的な実施例によって、処
理の条件および得られた特性について詳しく説明する
が、この発明は、下記実施例およびすでに述べた実施例
に限定されない。各実施例、比較例および参考例では、
以下のような特性試験を行った。鉛筆硬度試験ＪＩＳ−Ｋ５４００に準ずる。

【００２５】耐摩耗性試験スチールウールにより
表面を摩耗。 ×：容易に摩耗する。 ○：容易に摩耗しない。耐汚染性試験市販の毛染め剤を基板に塗布し、１
時間後に染色性を目視で評価。

【００２６】×：染色面が着色。 ○：染色面が無着色。薄膜の比抵抗４探針子法による比抵抗測定。耐湿試験ＭＩＬ−ＳＴＤ２０２Ｅ−１０６Ｄ
に準ずる試験。１０サイクル。

【００２７】×：外観変化、密着不良が生じる。 ○：外観変化、密着不良が生じない。 −実施例１− 塩酸を触媒とし、イソプロパノールを溶媒とする下記式
化２で示されるトリメチルアルコキシシランの加水分解
組成液をガラス基板に塗布し、２００℃で１時間加熱硬
化処理を行って、膜厚５μの有機珪素系薄膜を形成させ
た。なお、加水分解組成液のｐＨは４．８であった。

【００２８】

【化２】

【００２９】次いで、有機珪素系薄膜を表面に形成させ
たガラス基板を試料とし、これを図１の上下電極間に設
置し、下記の条件下で有機珪素系薄膜の大気圧プラズマ
処理を行った。条件（１）使用ガスおよびその流量ヘリウム（Ｈｅ）２０００ｓｃｃｍ酸素（Ｏ₂）５０ｓｃｃｍここに、「ｓｃｃｍ」は、２５℃、１ａｔｍにおける単
位時間（分）当たりの流量（ml）を表す。（２）プラズマ条件周波数１５KHz 電力５０Ｗ処理時間６０分処理圧力１ａｔｍ（７６０mmHg) プラズマ処理後の薄膜について、特性試験を行った。な
お、参考としてプラズマ処理前の薄膜についても特性試
験を行った。その結果を表３に示した。

【００３０】−実施例２〜１４− 実施例１において、基板材料、有機珪素系薄膜の原料、
その膜形成法および膜厚、ならびに、薄膜をプラズマ処
理する際に使用したガスの種類、その流量およびプラズ
マ処理圧力を後記表１および２に示した通りとした以外
は実施例１と同様にして、基板表面に有機珪素系薄膜を
形成させた後、これをプラズマ処理した。ただし、実施
例１１では、薄膜形成の際の硬化温度を１００℃に変更
した。また、プラズマ処理後の薄膜について、特性試験
を行った。なお、参考としてプラズマ処理前の薄膜につ
いても特性試験を行った。その結果を表３に示した。

【００３１】

【表１】

【００３２】

【表２】

【００３３】

【表３】

【００３４】表３にみるように、大気圧またはその付近
の圧力下で有機珪素系薄膜をプラズマ処理することによ
り、その諸特性が向上することが確認された。 −比較例１− プラズマ処理圧力を１８００ｍｍＨｇとした以外は実施
例１と同様にして、基板表面に有機珪素系薄膜を形成さ
せた後、これをプラズマ処理した。プラズマ処理後の薄
膜について、特性試験を行った。なお、参考としてプラ
ズマ処理前の薄膜についても特性試験を行った。その結
果を表５に示した。１５００ｍｍＨｇより高い圧力領域
ではプラズマの生成が不安定になり、その結果としてプ
ラズマの効果が小さく、膜質の改善が見られない。

【００３５】−比較例２〜５− 比較例２、３、４、５は、それぞれ実施例１、２、１
１、１３と同様にして基板に有機珪素系薄膜を形成させ
た。なお、比較例４では、実施例１１と同様に１００℃
−１時間で加熱硬化を行った。次に、試料を（株）サム
コインターナショナル製プラズマ処理装置（ＰＤ１０
型）内に設置し、０．００５Torrまで真空脱気した。次
に所定のガスを流入し、表４に示した条件で減圧プラズ
マ処理を行った。プラズマ周波数は１３．５６ＭＨｚで
あった。減圧プラズマ処理後の薄膜について、特性試験
を行った。なお、参考としてプラズマ処理前の薄膜につ
いても特性試験を行った。その結果を表５に示した。こ
の場合、鉛筆硬度が向上し、基材がポリカーボネート以
外のものでは耐摩耗性、比抵抗の改善が見られる。しか
し、基材との密着性が悪く、耐湿試験、耐汚染性試験で
の性能の向上は認められない。

【００３６】

【表４】

【００３７】

【表５】

【００３８】−実施例１５〜１７− 珪素アルコキシドコーティング材として、メチルトリメ
トキシシラン１００重量部、イソプロパノール１００重
量部を混合し、微量の塩酸を触媒として、Ｈ₂Ｏを９０
重量部添加して攪拌した。ｐＨは４．５であった。この
ように調製した溶液を表６に示す基板にそれぞれ塗布し
た。塗布量は硬化後に膜厚が５μｍになるように設定し
た。塗布後、２００℃で１時間硬化させた。次いで、実
施例１と同様に大気圧プラズマ処理を行った。プラズマ
処理後の薄膜について、特性試験を行った。なお、参考
としてプラズマ処理前の薄膜についても特性試験を行っ
た。その結果を表８に示した。

【００３９】−実施例１８〜２０− 実施例１５と同じ珪素アルコキシドコーティングを、そ
れぞれガラス、ポリカーボネート、ステンレス基板に塗
布し、大気圧プラズマ処理を行った。処理条件は以下の
通りである。条件（１）使用ガスおよびその流量ヘリウム（Ｈｅ）１０００ｓｃｃｍ酸素（Ｏ₂）１０ｓｃｃｍ（２）プラズマ条件周波数１３．５６MHz 電力５０Ｗ処理時間２０分処理圧力１ａｔｍ（７６０mmHg) プラズマ処理後の薄膜について、特性試験を行った。な
お、参考としてプラズマ処理前の薄膜についても特性試
験を行った。その結果を表８に示した。

【００４０】実施例１５〜２０のメチルトリメトキシシ
ランからなる膜は、実施例１、３、５、７、８、９、１
１、１３のトリメチルアルコキシシランからなる膜より
も、膜質の安定性、レベリング性等の特性は優れてい
た。 −比較例６〜８− 実施例１５と同じ珪素アルコキシドコーティングを、そ
れぞれガラス、ポリカーボネート、ステンレス基板に塗
布し、減圧プラズマ処理を行った。処理条件は比較例２
と同様である。プラズマ処理後の薄膜について、特性試
験を行った。なお、参考としてプラズマ処理前の薄膜に
ついても特性試験を行った。その結果を表８に示した。
この場合、鉛筆硬度が向上し、基材がポリカーボネート
以外のものでは耐摩耗性、比抵抗の改善が見られる。し
かし、基材との密着性が悪く、耐湿試験、耐汚染性試験
での性能の向上は認められない。

【００４１】−比較例９− 実施例１５と同じ珪素アルコキシドコーティングを、硬
化後の膜厚が１μｍになるようにガラス基板に塗布し、
減圧プラズマ処理を行った。処理条件は比較例２と同じ
であった。プラズマ処理後の薄膜について、特性試験を
行った。なお、参考としてプラズマ処理前の薄膜につい
ても特性試験を行った。その結果を表８に示した。この
場合、鉛筆硬度、耐汚染性、比抵抗の改善は見られるも
のの、膜厚が薄いため、耐湿試験、耐摩耗性試験での性
能の向上は認められない。

【００４２】

【表６】

【００４３】

【表７】

【００４４】

【表８】

【００４５】

【発明の効果】この発明にかかる表面の改質方法によれ
ば、基材表面に形成された有機珪素系薄膜に対し、真空
設備等を必要とせずして大面積にわたるプラズマ処理を
可能にし、これにより、基材中や薄膜中に揮発成分が含
まれていても薄膜の諸特性を向上させることができる。

【００４６】この方法により処理された有機珪素系薄膜
は、基材との界面では、有機質と無機質の両方の構造を
有するため、有機、無機を問わず、様々な材料でできた
基材に対する密着性に優れている。この有機珪素系薄膜
は、また、表面付近では、ほぼ完全な無機構造を有する
ため、通常の有機物に比べて諸特性が格段に優れる傾斜
機能的な薄膜となっている。しかも、この有機珪素系薄
膜は、誘電体としての性質にも優れるため、この発明の
方法は、各種材料への誘電体薄膜の合成法としても優れ
た方法である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる表面の改質方法を実施するに
あたり使用される装置の一例を表す断面図である。

【符号の説明】

１上部電極２下部電極４ａ基材４ｂ有機珪素系薄膜５反応槽

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０８Ｊ 7/04 ＣＦＨＣ０８Ｊ 7/04 ＣＦＨＭ (72)発明者小駒益弘埼玉県和光市下新倉843−15

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基材表面に形成された、有機質をその構
造中に含む珪素系薄膜を、５００〜１５００mmHgの範囲
内の圧力下でグロー放電することにより励起させたプラ
ズマ中で処理するようにする表面の改質方法。
【請求項２】珪素系薄膜が、一般式；Ｒ¹ _nＳｉ
_4-n（ただし、式中Ｒ¹は同一または異種の置換もしくは
非置換の炭素数１〜８の１価炭素水素基を示し、Ｘは加
水分解性基、水素を示す。ｎ＝０〜３）で表される珪素
化合物の単独または混合物および／またはその部分加水
分解生成物を主成分とするコーティング材の硬化体から
なるものである請求項１記載の表面の改質方法。
【請求項３】珪素軽薄膜が、重合性珪素化合物モノマ
ーの単独または混合物を、プラズマ中で重合させたプラ
ズマ重合膜である請求項１記載の表面の改質方法。
【請求項４】珪素系薄膜の膜厚が、３ミクロン以上で
ある請求項１から３までのいずれかに記載の表面の改質
方法。