JP2694871B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2694871B2 JP2694871B2 JP63298729A JP29872988A JP2694871B2 JP 2694871 B2 JP2694871 B2 JP 2694871B2 JP 63298729 A JP63298729 A JP 63298729A JP 29872988 A JP29872988 A JP 29872988A JP 2694871 B2 JP2694871 B2 JP 2694871B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- lead portion
- inner lead
- sealing resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止型半導体装置に係り、特に装置
外形の薄形化に関するものである。
外形の薄形化に関するものである。
第３図は、例えば特開昭59−92556号公報に示された
従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図であり、１は
半導体素子、２はリードフレームのアウターリード部、
３はリードフレームのインナーリード部、４はインナー
リード部３と半導体素子１とを接着固定するための接合
層、５は半導体素子１上の電極であり、６はこの電極５
とインナーリード部３をつなぐワイヤ、７は前記半導体
素子１、リードフレームのインナーリード部３、接合層
４、ワイヤ６等を封止する封止樹脂である。
従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図であり、１は
半導体素子、２はリードフレームのアウターリード部、
３はリードフレームのインナーリード部、４はインナー
リード部３と半導体素子１とを接着固定するための接合
層、５は半導体素子１上の電極であり、６はこの電極５
とインナーリード部３をつなぐワイヤ、７は前記半導体
素子１、リードフレームのインナーリード部３、接合層
４、ワイヤ６等を封止する封止樹脂である。
従来の樹脂封止型半導体装置は以上のように構成され
ており、最近の表面実装型パッケージ（ガルウィング、
Ｊリード等）の装置外形が薄形化する傾向の中では、第
４図に示すように、半導体素子１の上下両側の封止樹脂
７の厚さが薄くなってしまう。
ており、最近の表面実装型パッケージ（ガルウィング、
Ｊリード等）の装置外形が薄形化する傾向の中では、第
４図に示すように、半導体素子１の上下両側の封止樹脂
７の厚さが薄くなってしまう。
そのため、半導体装置を基板（図示せず）に実装する
際の昇温時に、半導体素子１と封止樹脂７の熱膨張係数
が大きく異なる（半導体素子；約3.5×10-6/℃，封止樹
脂；約２×10-5/℃）ことから、半導体素子１の裏面と
封止樹脂７との界面が剥離して、半導体素子１の端部に
接する封止樹脂７に応力が集中し、第５図に示すような
クラック８が生じるという問題点があった。
際の昇温時に、半導体素子１と封止樹脂７の熱膨張係数
が大きく異なる（半導体素子；約3.5×10-6/℃，封止樹
脂；約２×10-5/℃）ことから、半導体素子１の裏面と
封止樹脂７との界面が剥離して、半導体素子１の端部に
接する封止樹脂７に応力が集中し、第５図に示すような
クラック８が生じるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、実装時の樹脂クラックを防止できる樹脂
封止型半導体装置を得ることを目的とする。
されたもので、実装時の樹脂クラックを防止できる樹脂
封止型半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、リードフレームのイン
ナーリード部が半導体素子の第１の主面に接合され、全
体的に樹脂封止成形されたものであって、前記半導体素
子のインナーリード部が接合されていない第２の主面に
円弧状の窪みを設けたことを特徴とするものである。
ナーリード部が半導体素子の第１の主面に接合され、全
体的に樹脂封止成形されたものであって、前記半導体素
子のインナーリード部が接合されていない第２の主面に
円弧状の窪みを設けたことを特徴とするものである。
［作用］ この発明における半導体装置は、半導体素子のインナ
ーリード部が取付けられていない第２の主面に窪みが設
けられているので、封止樹脂と半導体素子間の密着力が
機械的に増し、昇温時に生じる半導体素子の第２の主面
と封止樹脂の界面の剥離が抑えられ、樹脂クラックが防
止される。特に、上記窪みを円弧状に形成したので、当
該窪み内で応力集中が起こりにくく半導体素子のクラッ
クを生じる危険性がない。
ーリード部が取付けられていない第２の主面に窪みが設
けられているので、封止樹脂と半導体素子間の密着力が
機械的に増し、昇温時に生じる半導体素子の第２の主面
と封止樹脂の界面の剥離が抑えられ、樹脂クラックが防
止される。特に、上記窪みを円弧状に形成したので、当
該窪み内で応力集中が起こりにくく半導体素子のクラッ
クを生じる危険性がない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図において、１は半導体素子、２はリードフレームの
アウターリード部、３はリードフレームのインナーリー
ド部、４はインナーリード部３と半導体素子１とを接着
固定するための接合層、５は半導体素子１上の電極であ
り、６はこの電極５とインナーリード部３をつなぐワイ
ヤ、７は封止樹脂、９は半導体素子１の裏面に設けられ
た窪みである。
１図において、１は半導体素子、２はリードフレームの
アウターリード部、３はリードフレームのインナーリー
ド部、４はインナーリード部３と半導体素子１とを接着
固定するための接合層、５は半導体素子１上の電極であ
り、６はこの電極５とインナーリード部３をつなぐワイ
ヤ、７は封止樹脂、９は半導体素子１の裏面に設けられ
た窪みである。
次に動作について説明する。半導体素子１の裏面に設
けられた窪み９に封止樹脂７が充てんされているので、
半導体素子１と封止樹脂７の界面の密着力が機械的に増
える。そのため、実装時に昇温されても、半導体素子１
の裏面と封止樹脂７の界面の剥離が抑えられ、樹脂７の
クラックを防止する。
けられた窪み９に封止樹脂７が充てんされているので、
半導体素子１と封止樹脂７の界面の密着力が機械的に増
える。そのため、実装時に昇温されても、半導体素子１
の裏面と封止樹脂７の界面の剥離が抑えられ、樹脂７の
クラックを防止する。
特に、窪み９を円弧状に形成することにより、昇温時
における封止樹脂７の膨張時に、当該窪み９内で応力集
中が起こりにくくなり、半導体素子１のクラックが防止
される。なお、第２図に示すように、インナーリード部
３と電極５を直接接続した半導体装置において、その半
導体素子１の裏面に窪み９を設けても同様の効果を得
る。
における封止樹脂７の膨張時に、当該窪み９内で応力集
中が起こりにくくなり、半導体素子１のクラックが防止
される。なお、第２図に示すように、インナーリード部
３と電極５を直接接続した半導体装置において、その半
導体素子１の裏面に窪み９を設けても同様の効果を得
る。
以上のように、この発明によれば、半導体素子のイン
ナーリード部の接合面とは反対側の第２の主面に窪みを
設けたので、半導体素子と封止樹脂間の密着力が増し、
実装作業の際、温度を上げても剥離が生じにくくなり、
樹脂クラックが防止される。特に、半導体素子がインナ
ーリード部に直接接合された装置では、インナーリード
部が取付けられた第１の主面側の封止樹脂厚さよりも、
インナーリード部が取付けられない第２の主面側の封止
樹脂厚さが薄くなるので効果的である。更に、上記窪み
を円弧状に形成したので、当該窪み内で応力集中が起こ
りにくく半導体素子のクラックを生じる危険性がない。
ナーリード部の接合面とは反対側の第２の主面に窪みを
設けたので、半導体素子と封止樹脂間の密着力が増し、
実装作業の際、温度を上げても剥離が生じにくくなり、
樹脂クラックが防止される。特に、半導体素子がインナ
ーリード部に直接接合された装置では、インナーリード
部が取付けられた第１の主面側の封止樹脂厚さよりも、
インナーリード部が取付けられない第２の主面側の封止
樹脂厚さが薄くなるので効果的である。更に、上記窪み
を円弧状に形成したので、当該窪み内で応力集中が起こ
りにくく半導体素子のクラックを生じる危険性がない。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す側
面断面図、第２図はこの発明の他の実施例による半導体
装置を示す側面断面図、第３図、第４図は従来の半導体
装置を示す側面断面図、第５図は従来の半導体装置に封
止樹脂クラックが発生した状態を示す側面断面図であ
る。 図において、１は半導体素子、２はアウターリード部、
３はインナーリード部、４は接合層、５は電極、６はワ
イヤ、７は封止樹脂、９は窪みである。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
面断面図、第２図はこの発明の他の実施例による半導体
装置を示す側面断面図、第３図、第４図は従来の半導体
装置を示す側面断面図、第５図は従来の半導体装置に封
止樹脂クラックが発生した状態を示す側面断面図であ
る。 図において、１は半導体素子、２はアウターリード部、
３はインナーリード部、４は接合層、５は電極、６はワ
イヤ、７は封止樹脂、９は窪みである。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームのインナーリード部が半導
体素子の第１の主面に接合され、全体的に樹脂封止成形
された半導体装置であって、 前記半導体素子のインナーリード部が接合されていない
第２の主面に円弧状の窪みを設けたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298729A JP2694871B2 (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298729A JP2694871B2 (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144946A JPH02144946A (ja) | 1990-06-04 |
| JP2694871B2 true JP2694871B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=17863517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63298729A Expired - Fee Related JP2694871B2 (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2694871B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256903A (en) * | 1990-02-28 | 1993-10-26 | Hitachi Ltd. | Plastic encapsulated semiconductor device |
| DE10206661A1 (de) | 2001-02-20 | 2002-09-26 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip |
| DE10310842B4 (de) | 2003-03-11 | 2007-04-05 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Kunststoffgehäuse |
| JP2014192347A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 樹脂封止型電子機器およびそれを備えた電子装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815225A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置基板 |
| JPS62252156A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-26 JP JP63298729A patent/JP2694871B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02144946A (ja) | 1990-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5218229A (en) | Inset die lead frame configuration lead frame for a semiconductor device having means for improved busing and die-lead frame attachment | |
| JPH06105721B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1012773A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000269166A (ja) | 集積回路チップの製造方法及び半導体装置 | |
| JP2694871B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2908255B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02125454A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2954297B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH05308083A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2589520B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS63293963A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0778910A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2596387B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2743157B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3345759B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2551354B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3145892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08306849A (ja) | 放熱部材及び該放熱部材を備えた半導体装置 | |
| JPH11214589A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2715965B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH05218271A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPH04278548A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2956670B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置用リードフレーム | |
| JPH01296647A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JPH0669381A (ja) | 半導体集積回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |