JP2682087B2 - 光学ピックアップ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、光ディスクに対して情報信号の記録及び／
又は再生を行う光学ピックアップ装置に関する。

B.発明の概要 本発明は、半導体レーザ素子を用いてなり光ディスク
よりの反射光を検出してトラッキングエラー信号を生成
するための光検出器が中央部に不感帯部分を有してなる
光学ピックアップ装置において、半導体レーザ素子を、
光ディスクに投射される光ビームのメリジオナル面が光
ディスクの記録トラックの接線方向に対して所定角度傾
くように配設することにより、合焦ずれの方向に依るビ
ームスポットの記録トラックに対する非対称性を補正す
るようにして、焦点ずれの量と光学ピックアップ装置の
諸特性の変位との相関関係を良好となしたものである。

C.従来の技術 従来、光源として半導体レーザ素子を有し、この半導
体レーザ素子より発せられる光ビームを所定の光学デバ
イスにより光ディスクの信号記録面上に集光させ、該信
号記録面に対し情報信号の書込み及び／又は読出しを行
うように構成された光学ピックアップ装置が提案されて
いる。

このような光学ピックアップ装置は、上記信号記録面
により反射された光ビームを検出するため、例えばフォ
トダイオード等の光検出器を備えている。そして、この
光検出器の出力に基づき、いわゆるフォーカスエラー信
号、トラッキングエラー信号及び上記情報信号の読取り
信号が生成される。そして、上記各エラー信号に基づ
き、いわゆるフォーカスサーボ及びトラッキングサーボ
が作動されることにより、光ディスクが回転駆動される
際にいわゆる面やぶれや芯ぶれを起こしても、上記信号
記録面に投射される光ビームが該信号記録面上に形成さ
れる記録トラック上に正確に集光されるように構成され
ている。

そして、このような光学ピックアップ装置において
は、装置の小型化を図るため、対物レンズ等の上記信号
記録面上に光ビームを集光させる光学デバイスを小型化
または短焦点化して、上記半導体レーザ素子と上記信号
記録面との間の光学的距離を短くすることが提案されて
いる。

ところが、半導体レーザ素子と上記信号記録面との間
の光学的距離が短くなされた光学ピックアップ装置にお
いては、半導体レーザ素子に対するいわゆる戻り光が多
くなる。この戻り光とは、上記信号記録面で反射された
光ビームのうち、上記半導体レーザ素子に戻る光ビーム
である。半導体レーザ素子においては、戻り光が多くな
ると、いわゆるレーザ素子ノイズ（光強度雑音）が増大
して、発光パワーの変動等の種々の弊害が生じ、ひいて
は情報信号の正確な書込み及び／又は読出しを行えなく
なる虞れがある。

そのため、このようにして小型化が図られた光学ピッ
クアップ装置に用いる半導体レーザ素子としては、いわ
ゆるゲインガイド型（利得導波型）レーザ素子が好適で
ある。すなわち、半導体レーザ素子にはシングルモード
で発振するいわゆるインデックスガイド型（屈折率導波
型）レーザ素子とマルチモードで発振するゲインガイド
型レーザ素子とがあり、これら２種類の半導体レーザ素
子を比較すると、インデックスガイド型レーザ素子より
もゲインガイド型レーザ素子の方が戻り光によるレーザ
素子ノイズの発生が少ないからである。

しかしながら、ゲインガイド型レーザ素子は、インデ
ックスガイド型レーザ素子に比して、いわゆる非点隔差
が大きい。半導体レーザ素子より発せられた光ビームに
おいては、半導体レーザ素子の有する非点隔差により、
非点収差が生じている。したがって、光ディスクの信号
記録面上におけるビームスポットの形状は、第９図に示
すように、合焦ずれの方向に依って、長径方向が互いに
直交する楕円形となる。

合焦ずれが起こった際、上記ビームスポットの形状が
第９図に示すような変化を起こすことにより、記録トラ
ック上のビームスポットの面積が変動すると、第10図に
示すように、読取られ、または書込まれる情報信号のジ
ッターが最小となる位置を合焦位置としたときに、この
合焦位置と、トラッキングエラー信号レベルが最小とな
る位置及びRF信号レベルが最大となる位置とが一致しな
い。すなわち、トラッキングエラー信号とRF信号レベル
の合焦位置に対する非対称性が生じてしまう。

このような、トラッキングエラー信号とRF信号レベル
の合焦位置に対する非対称性が生じると、光ディスクの
面ぶれや芯ぶれによる合焦ずれ時に、上記各サーボが行
えなくなる、いわゆるサーボ外れが起こり易くなる。

そのため、ゲインガイド型レーザ素子を用いてなる光
学ピックアップ装置においては、上記光ビームが拡散ま
たは収束する光路中に、この光ビームの光軸に対して所
定角度傾斜させた平行平面ガラスからなる収差補正板を
配設することにより、該光ビームの有する非点収差を補
正している。この収差補正板は、例えば、半導体レーザ
素子と上記信号記録面で反射された光ビームを光検出器
に導くためのビームスプリッタとの間に設けられる。

D.発明が解決しようとする課題 ところで、上述のような光学ピックアップ装置におい
ては、装置のより一層の小型化を図るため、いわゆる発
光受光複合素子を用いたものが提案されている。この発
光受光複合素子においては、一体の半導体基板上に、半
導体レーザ素子と光検出器となる分割ディテクタとが形
成されている。そして、上記半導体基板上には、所定の
ビームスプリッタプリズムが配設されており、このビー
ムスプリッタプリズムにより、上記半導体レーザ素子よ
り発した光ビームが光ディスクの信号記録面に投射され
るように上記半導体基板に対して所定の角度をなして出
射されるとともに、該信号記録面で反射された光ビーム
が上記分割ディテクタにより受光されるようになされて
いる。

このような発光受光複合素子において用いられる分割
ディテクタとしては、素子の小型化を図るため、それぞ
れ長方形の受光面を有する第１乃至第３の受光素子が並
列に配列されてなるディテクタが用いられる。このよう
に構成されてなる分割ディテクタに受光される光ビーム
の状態、例えば光束断面におけるエネルギー分布状態等
は、上記半導体レーザ素子より発せられた光ビームが上
記信号記録面において収束されてなるビームスポットと
該信号記録面上に形成される記録トラックとの位置関係
により変化する。すなわち、このディテクタの両側部に
配設される第１及び第３の受光素子の出力を互いに比較
することにより、いわゆるトラッキングエラー信号が生
成される。また、このディテクタの中央部に配設される
第２の受光素子の出力と上記第２及び第３の受光素子の
出力とを比較することにより、いわゆるフォーカスエラ
ー信号が生成される。

ところで、このような分割ディテクタを備えてなる発
光受光複合素子を用いてなる光学ピックアップ装置にお
いては、前述したような光ビームの光軸に対して所定角
度傾斜させた平行平面ガラスからなる収差補正板を用い
ても、トラッキングエラー信号の合焦位置に対する非対
称性を充分に補正することができない。

すなわち、上記分割ディテクタにおいては、トラッキ
ングエラー信号を生成するにあたっては、中央部に配設
される上記第２の受光素子が不感帯部分となるため、こ
の分割ディテクタに受光される光ビームのうちの光軸付
近を受光することができない。そして、上記収差補正板
による収差補正においては、非点収差は補正されるもの
の、この補正に伴ってコマ収差が発生する虞れがある。
このコマ収差の影響は、光ビームの光軸から離れた部分
ほど大きい。したがって、上記分割ディテクタのように
中央部に不感体部分を有する光検出器においては、コマ
収差の出力信号に対する影響が大きくなり、トラッキン
グエラー信号の合焦位置に対する非対称性が生じ易くな
る。

また、上記収差補正板を用いて非点収差を補正するよ
うにした光学ピックアップ装置においては、この収差補
正板のために、装置の小型化が困難となっている。

そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提案されるも
のであって、ゲインガイド型レーザ素子等の戻り光によ
る影響の少ない半導体レーザ素子を用いて装置の小型化
が図られるとともに、該半導体レーザ素子の有する非点
隔差による影響が充分に補正され、合焦ずれに際しての
特性が向上された光学ピックアップ装置を提供すること
を目的とする。

E.課題を解決するための手段 上述の課題を解決し上記目的を達成するため、本発明
に係る光学ピックアップ装置は、半導体レーザ素子を光
源として備えこの半導体レーザ素子より発せられる光ビ
ームを周方向に記録トラックが形成された光ディスク上
に投射して該光ディスクよりの反射光を検出して情報信
号の読取り及び／又は書込みを行う光学ピックアップ装
置であって、上記反射光を検出してトラッキングエラー
信号を生成するための光検出器は、中央部に不感帯部分
を有してなり、上記半導体レーザ素子は、上記光ビーム
がこの光ビームの上記半導体レーザ素子をなす半導体層
の接合面に垂直なメリジオナル面が上記光ディスクの記
録トラックの接線に対して該光ディスク上のビームスポ
ットの合焦ずれの方向に依る上記接線を軸とする非対称
性が補正される角度をなして上記光ディスク上に投射さ
れるように配設されてなることを特徴とする。

F.作用 本発明に係る光学ピックアップ装置においては、光ビ
ームのメリジオナル面と光ディスクの記録トラックの接
線とが所定の角度をなすようになされることにより、合
焦ずれの方向に依って生じる光ディスク上のビームスポ
ットの上記接線を軸とする非対称性が補正されるととも
に、上記光ビームにコマ収差等が発生することがないの
で、半導体レーザ素子の発する光ビームが非点収差を有
している場合において、トラッキングエラー信号を生成
するための光検出器が中央部に不感帯部分を有している
にもかかわらず、上記記録トラックよりの反射光の強度
が合焦ずれの方向に依り異なることがない。

G.実施例 以下、本発明の具体的な実施例を図面を参照しながら
説明する。

本発明に係る光学ピックアップ装置は、第１図に示す
ように、光ディスク101に対して投射される光ビームを
該光ディスク101の信号記録面上に集光させるための対
物レンズ１を２軸方向に駆動変位させるための対物レン
ズ駆動装置２と、半導体レーザ素子や受光素子等を有し
て構成されてなる発光受光複合素子３とを有してなる。

上記対物レンズ駆動装置２は、支持基板４に垂設され
た支持部５に、可動支持腕部材６を介して２軸方向に可
動自在に支持されたレンズボビン７を有している。上記
可動支持腕部材６は、例えば合成樹脂等の可撓性を有す
る材料より形成されてなり、第１及び第２のヒンジ部6
a,6bが形成されてなる。これら各ヒンジ部6a,6bは、そ
れぞれ肉薄となされて互いに直交する方向に変位自在と
なされている。

上記レンズボビン７には、上記対物レンズ１が取付け
られるとともに、一対のフォーカスコイル８及び二対の
トラッキングコイル９が取付けられている。そして、上
記支持基板４に垂設された一対のヨーク部10には一対の
マグネット11が取付けられており、これら一対のマグネ
ット11は、上記各コイル8,9に対向されるようになされ
ている。これら各コイル8,9、ヨーク10及びマグネット1
1は、磁気回路を構成してなる。すなわち、上記フォー
カスコイル８にフォーカスエラー信号に基づくフォーカ
ス駆動電流が供給されることにより、上記レンズボビン
７は、第１図中矢印Ｆで示す、上記対物レンズ１の光軸
方向、すなわちフォーカス方向に駆動変位される。ま
た、上記トラッキングコイル９にトラッキングエラー信
号に基づくトラッキング駆動電流が供給されることによ
り、上記レンズボビン７は、第１図中矢印Ｔで示す、上
記対物レンズ１の光軸に直交する方向、すなわちトラッ
キング方向に駆動変位される。

そして、この対物レンズ駆動装置２は、上記対物レン
ズ１を上記光ディスク101に対向させるように配設され
る。このとき、上記対物レンズ１の光軸が上記光ディス
ク101に略垂直となるとともに、上記トラッキング方向
が、第１図中矢印Ｐで示す、上記光ディスク101に周方
向に形成される記録トラックt_Rの接線方向に略直交する
状態となされる。

そして、上記発光受光複合素子３は、所定のパッケー
ジ12内にマウントされてなり、第２図に示すように、半
導体基板13を有してなる。この半導体基板13上には、こ
の半導体基板13を含む複数の半導体層が積層されてなる
半導体レーザ素子14が形成されている。この半導体レー
ザ素子14は、いわゆるゲインガイド型の半導体レーザ素
子であり、マルチモード発振をし、いわゆる戻り光によ
るレーザ素子ノイズの発生が少ないように構成されてい
る。

この半導体レーザ素子14は、いわゆる非点隔差を有し
ており、この半導体レーザ素子14より発せられる光ビー
ムには非点収差が生じている。すなわち、上記光ビーム
のメリジオナル面、すなわち上記半導体レーザ素子14を
構成する各半導体層の接合面に垂直で光軸を含む面内の
光線の見掛けの発光位置が該半導体レーザ素子14の端面
位置であるのに対して、上記光ビームのサジタル面、す
なわち上記接合面に平行で光軸を含む面内の光線の見掛
けの発光位置は、上記端面より20乃至30μｍ程度該半導
体レーザ素子14内に奥まった位置となっている。そのた
め、この光ビームの等位相面は、上記メリジオナル面内
で最も大きく湾曲しており、上記サジタル面内において
湾曲が最も小さくなっている。

そして、上記半導体レーザ素子14が一方の光ビームを
発する方向には、この半導体レーザ素子14に対向するよ
うに、ビームスプリッタプリズム15が接着剤16等により
固定されて配設されている。このビームスプリッタプリ
ズム15は、上記半導体レーザ素子14に対向する側の面が
該半導体レーザ素子14より発する光ビームの光軸に対し
て所定の傾斜を有しており、また、この面には半透過反
射膜15aが形成されている。すなわち、上記半導体レー
ザ素子14より発した光ビームは、上記半透過反射膜15a
により反射されて、上記半導体基板13に対して所定の角
度をなして出射されるようになっている。

また、上記半導体基板13上であって上記ビームスプリ
ッタプリズム15が配設された部分には、光検出器となる
第１及び第２の分割ディテクタ17,18が形成されてい
る。これら各分割ディテクタ17,18は、それぞれ第１乃
至第３の受光素子から構成されている。

さらに、上記半導体基板13上には、上記半導体レーザ
素子14が他方の光ビームを発する方向に、この他方応の
光ビームを受光するように、モニタ用ディテクタ19が形
成されている。このモニタ用ディテクタ19は、上記半導
体レーザ素子14の発する光ビームの光強度を検出し、こ
の検出に基づいて所定の制御回路（オートパワーコント
ロール回路）を用いて該半導体レーザ素子14の発光パワ
ーを制御するためのものである。

そして、上記発光受光複合素子３より出射された光ビ
ームは、第１図に示すように、上記対物レンズ１に入射
され、上記光ディスク101の信号記録面に投射される。
ところで、上記発光受光複合素子３は、上記光ビームの
メリジオナル面が、第１図中矢印Ｐで示す上記光ディス
ク101の記録トラックt_Rの接線方向に対して略45゜をな
すように配設される。したがって、上記信号記録面上に
形成されるビームスポットは、いわゆる合焦ずれが生じ
たときには、第４図に示すように、長径方向が上記記録
トラックt_Rに対して略45゜をなす楕円形となる。

上記信号記録面に投射された光ビームはこの信号記録
面で反射され、再び上記対物レンズ１を介して上記半透
過反射膜15aに到達する。この半透過反射膜15aに戻った
光ビームは、該半透過反射膜15aを透過して上記ビーム
スプリッタプリズム15内に入射し、所定の光路を経て上
記第１及び第２の分割ディテクタ17,18により受光され
る。

上記各分割ディテクタ17,18は、第３図Ａ及び第３図
Ｂに示すように、それぞれ受光面が並列に配列された第
１乃至第３の受光素子17a,17b,17c,18a,18b,18cから構
成されている。

なお、第３図Ａに示す例は、上記各分割ディテクタ1
7,18のそれぞれの受光素子が上記光ビームのメリジオナ
ル面に平行な方向に配列されてなる例であって、第３図
Ｂに示す例は、上記各分割ディテクタ17,18のそれぞれ
の受光素子が上記記録トラックt_Rの接線に平行な方向に
配列されるようにした例である。

そして、上記各分割ディテクタ17,18のそれぞれの両
側部を構成する第１及び第３の受光素子17a,17c,18a,18
cの出力信号に基づき、いわゆるプッシュプル法により
トラッキングエラー信号T_Eが生成される。すなわち、上
記第１の分割ディテクタ17の一側側を構成する第１の受
光素子17aの出力と、上記第２の分割ディテクタ18の他
側側を構成する第３の受光素子18cの出力とは、第１の
加算器20により加算され、第１の減算器21の反転入力端
子に送られる。また、上記第１の分割ディテクタ17の他
側側を構成する第３の受光素子17cの出力と、上記第２
の分割ディテクタ18の一側側を構成する第１の受光素子
18aの出力とは、第２の加算器22により加算され、上記
第１の減算器21の非反転入力端子に送られる。この第１
の減算器21の出力がトラッキングエラー信号T_Eとなる。

すなわち、上記トラッキングエラー信号T_Eを生成する
にあたって、上記各分割ディテクタ17,18においては、
これら分割ディテクタ17,18の中央部を構成する第２の
受光素子17b,18bは、不感帯部分となっている。なお、
この不感帯部分となる第２の受光素子17b,18bの幅は、
上記各分割ディテクタ17,18に入射される光ビームの径
に対して、10％乃至40％程度となされている。

また、上記第１の分割ディテクタ17の第１の受光素子
17aの出力と、第３の受光素子17cの出力とは、第３の加
算器23により加算され、第２の減算器24の反転入力端子
に送られる。この第２の減算器24の非反転入力端子に
は、上記第１の分割ディテクタ17の第２の受光素子17b
の出力が送られている。この第２の減算器24の出力信号
は、第３の減算器25の非反転入力端子に送られている。

さらに、上記第２の分割ディテクタ18の第１の受光素
子18aの出力と、第３の受光素子18cの出力とは、第４の
加算器26により加算され、第４の減算器27の反転入力端
子に送られる。この第４の減算器27の非反転入力端子に
は、上記第２の分割ディテクタ18の第２の受光素子18b
の出力が送られている。この第４の減算器27の出力信号
は、上記第３の減算器25の反転入力端子に送られてい
る。そして、この上記第３の減算器25の出力信号がフォ
ーカスエラー信号F_Eとなる。

そして、上記各分割ディテクタ17,18の出力信号の総
和が情報信号の読取り信号（RF信号）となる。

上述のように構成されてなる本発明に係る光学ピック
アップ装置においては、第４図に示すように、いわゆる
合焦ずれが生じたときに、この合焦ずれの方向に依って
上記記録トラックT_R上における上記ビームスポットの面
積が異なることがない。そのため、この光学ピックアッ
プ装置においては、第５図に示すように、上記光ディス
ク101より読取られ、または上記光ディスク101に書込ま
れる情報信号のジッターが最小となる位置を合焦位置と
したときに、この合焦位置とトラッキングエラー信号T_E
のレベルが最小となる位置及びRF信号レベルが最大とな
る位置とが一致する。すなわち、トラッキングエラー信
号T_EとRF信号レベルの合焦位置に対する対称性が維持さ
れている。

このように、トラッキングエラー信号T_EとRF信号レベ
ルの合焦位置に対する対称性が維持されているため、上
記光ディスク101の面ぶれや芯ぶれによる合焦ずれ時
に、いわゆるサーボ外れが起こり難くなっている。

そして、本発明に係る光学ピックアップ装置は、第６
図に示すように、上記発光受光複合素子３がマウントさ
れたパッケージ12を、レンズボビン７上に配設するよう
にしてもよい。この例において、上記半導体素子14より
発せられた光ビームは、第７図に示すように、上記レン
ズボビン７に取付けられた第１及び第２のミラー28,29
により導かれて該レンズボビン７に取付けられた対物レ
ンズ１に入射されるようになされている。

この例においても、上記発光受光複合素子３は、上記
光ビームのメリジオナル面が上記光ディスク10の記録ト
ラックt_Rの接線方向に対して略45゜をなすように配設さ
れる。したがって、上記信号記録面上に形成されるビー
ムスポットは、いわゆる合焦ずれが生じたときには、第
４図に示すように、長径方向が上記記録トラックt_Rに対
して略45゜をなす楕円形となり、第５図に示すように、
トラッキングエラー信号T_EとRF信号レベルの合焦位置に
対する対称性が維持される。

また、上述の各実施例において、上記発光受光複合素
子３は、第８図に示すように、上記パッケージ12に対し
て略45゜の角度をなしてマウントされるようにしてもよ
い。このようにマウントされた発光受光複合素子３を用
いれば、上記パッケージ12の外側部を、例えば上記記録
トラックT_Rの接線に平行となされた基準面等に基づいて
位置決めすることにより、この発光受光複合素子３より
発する光ビームのメリジオナル面が上記接線に対して所
定の角度をなすようにすることができ、装置の組立てを
容易となすことができる。

なお、上述の各実施例中において、上記メリジオナル
面と上記記録トラックT_Rの接線とがなす角度は、略45゜
に限定されることなく、例えば30゜程度乃至60゜程度の
範囲において、トラッキングエラー信号T_EとRF信号レベ
ルの合焦位置に対する対称性を充分に維持することがで
きる。

また、本発明に係る光学ピックアップ装置において
は、上記光検出器は、上記第１の分割ディテクタ17のみ
により構成されるようにしてもよい。

この場合には、第３図Ａ及び第３図Ｂに示す上記各エ
ラー信号T_E,F_Eを生成するための回路においては、上記
第１の加算器20及び第２の加算器22が不要となり、上記
第１の受光素子17aの出力が上記第１の減算器21の反転
入力端子に供給されるとともに、上記第３の受光素子17
cの出力が上記第１の減算器21の非反転入力端子に供給
される。この第１の減算器21の出力信号が上記トラッキ
ングエラー信号T_Eとなる。また、第３の減算器25,第４
の加算器26及び第４の減算器27が不要となり、上記第２
の減算器24の出力信号がフォーカスエラー信号F_Eとな
る。

さらに、本発明は、上述の実施例のように発光受光複
合素子を備えてなる光学ピックアップ装置に限定される
ことなく、例えば、半導体レーザ素子と光検出器とが、
光学系フレーム等にそれぞれ個別的に配設されて構成さ
れる光学ピックアップ装置にも適用することができる。

H.発明の効果 上述のように、本発明に係る光学ピックアップ装置に
おいては、光ビームのメリジオナル面と光ディスクの記
録トラックの接線とが所定の角度をなすようになされる
ことにより、合焦ずれの方向に依って生じる光ディスク
上のビームスポットの上記接線を軸とする非対称性が補
正されている。また、上記光ビームには、例えば平行平
面板からなる収差補正板を用いることにより生ずるコマ
収差等が発生することがない。

そのため、半導体レーザ素子の発する光ビームが非点
収差を有している場合において、トラッキングエラー信
号を生成するための光検出器が中央部に不感帯部分を有
しているにもかかわらず、上記記録トラックよりの反射
光の強度が合焦ずれの方向に依り異なることがない。

すなわち、本発明は、ゲインガイド型レーザ素子等の
戻り光による影響の少ない半導体レーザ素子を用いて装
置の小型化が図られるとともに、該半導体レーザ素子の
有する非点隔差による影響が充分に補正され、合焦ずれ
に際しての特性が向上された光学ピックアップ装置を提
供することができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る本発明に係る光学ピックアップ装
置の構成を示す斜視図であり、第２図は上記光学ピック
アップ装置を構成する発光受光複合素子の構成を示す斜
視図であり、第３図Ａは上記発光受光複合素子の分割デ
ィテクタの構成及びこの分割ディテクタの出力信号を処
理する回路の構成を示す模式図であり、第３図Ｂは上記
発光受光複合素子の分割ディテクタの構成の他の例を示
す模式図であり、第４図は上記光学ピックアップ装置に
より光ディスク上に形成されるビームスポットの形状を
示す模式図であり、第５図は上記光学ピックアップ装置
の諸特性を示すグラフである。 第６図は本発明に係る光学ピックアップ装置の構成の他
の例を示す斜視図であり、第７図は第６図に示す光学ピ
ックアップ装置の構成を示す要部縦断面図である。 第８図は上記光学ピックアップ装置を構成する発光受光
複合素子が配設される状態の他の例を示す平面図であ
る。 第９図は従来の光学ピックアップ装置により光ディスク
上に形成されるビームスポットの形状を示す模式図であ
り、第10図は従来の光学ピックアップ装置の諸特性を示
すグラフである。 14……半導体レーザ素子 17……第１の分割ディテクタ 17a……第１の受光素子 17b……第２の受光素子 17c……第３の受光素子 18……第２の分割ディテクタ 18a……第１の受光素子 18b……第２の受光素子 18c……第３の受光素子 101……光ディスク T_R……記録トラック

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−241732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−102437（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−224443（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体レーザ素子を光源として備え、この
   半導体レーザ素子より発せられる光ビームを周方向に記
   録トラックが形成された光ディスク上に投射し、該光デ
   ィスクよりの反射光を検出して情報信号の読取り及び／
   又は書込みを行う光学ピックアップ装置であって、 上記反射光を検出してトラッキングエラー信号を生成す
   るための光検出器は、中央部に不感帯部分を有してな
   り、 上記半導体レーザ素子は、上記光ビームが、この光ビー
   ムの上記半導体レーザ素子をなす半導体層の接合面に垂
   直なメリジオナル面が上記光ディスクの記録トラックの
   接線に対して該光ディスク上のビームスポットの合焦ず
   れの方向に依る上記接線を軸とする非対称性が補正され
   る角度をなして上記光ディスク上に投射されるように配
   設されてなる光学ピックアップ装置。