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JP2667374B2 - 磁気ディスク記憶システムのための薄膜型磁気トランスジューサの製造方法 - Google Patents

磁気ディスク記憶システムのための薄膜型磁気トランスジューサの製造方法

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Publication number
JP2667374B2
JP2667374B2 JP6316774A JP31677494A JP2667374B2 JP 2667374 B2 JP2667374 B2 JP 2667374B2 JP 6316774 A JP6316774 A JP 6316774A JP 31677494 A JP31677494 A JP 31677494A JP 2667374 B2 JP2667374 B2 JP 2667374B2
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transducer
substrate
forming
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JP6316774A
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ハゴ・アルベルト・エミリオ・サントニ
クリントン・デビッド・シナイダー
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International Business Machines Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に磁気情報記憶装
置に関し、特にこうした装置において使用されるトラン
スジューサに関する。更に詳しくは、本発明は、垂直磁
気ギャップを有する薄膜磁気読取り／書込みヘッド及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク・ドライブは、少なくとも
１つの回転式磁気媒体ディスクを使用する情報記憶装置
であり、データ記憶用に規定される同心円データ・トラ
ックと、様々なデータ・トラックとの間でデータを読み
書きする読取り／書込みトランスジューサと、データ・
トラックに近接して記憶媒体上で浮上式にトランスジュ
ーサを支持する一般にスライダと称される支持手段と、
スライダ及びトランスジューサをデータ・トラック上で
弾力的に支持するサスペンション・アセンブリと、トラ
ンスジューサ／スライダ／サスペンションの組合わせに
結合され、トランスジューサを媒体を横断して目的のデ
ータ・トラックに移動し、読取りまたは書込みオペレー
ションの間に、トランスジューサをデータ・トラックの
中央線上に維持する位置決めアクチュエータとを有す
る。トランスジューサはスライダに取り付けられるか、
またはそれと一体に形成され、スライダは回転ディスク
により生成されるエア・ベアリングと呼ばれる空気クッ
ションにより、トランスジューサを記憶ディスクのデー
タ表面の上方で支持する。或いはトランスジューサは媒
体表面に接触して動作する。アクチュエータ・アームは
トランスジューサ／スライダ／サスペンション・アセン
ブリをアクチュエータに結合し、サスペンションは所望
のスライダ・ローディングと、スライダとアクチュエー
タ・アームとの間の寸法の安定性とを提供する。サスペ
ンションは可能な限り低いローディング力により、トラ
ンスジューサ及びスライダをディスクのデータ表面に近
接して保持するように要求される。アクチュエータは、
トランスジューサを読取りオペレーションにおいて所望
されるデータによる正しいトラック上に、或いは書込み
オペレーションの間のデータ位置に対応する正しいトラ
ックに位置決めする。アクチュエータは組合わせアセン
ブリを、ディスク表面を横断して特定の方向（一般には
データ・トラックと直交する方向）にシフトすることに
より、トランスジューサを所望のデータ・トラック上に
位置決めするように制御される。
【０００３】情報の磁気記録が著しい成功を収める間に
も、記録密度を向上する必要は益々、増しつつある。現
状の一般的な磁気記憶方法は水平方向または縦方向の記
録を有する。縦方向の記録では、記録ビットの磁極が水
平方向に向くか、または記録媒体表面と同一平面とな
る。書込みヘッドの一方の極の先端から出た磁束が、磁
気記憶媒体の相対移動方向との関係において、磁気記憶
媒体を水平方向に下方（または上方）に通過して、他方
の極に戻り、書込みヘッドのための磁束の戻りパスを形
成する。極はギャップにより分離され、このギャップは
書込みオペレーションの間の任意の時間に、磁束を磁気
媒体の小領域に'フォーカス'するために非常に小さく形
成される。それにより、データ・トラックに沿う線寸法
１単位当たり、多数のデータ・ビットが記録可能にな
る。極の幅はデータ・トラックの幅、従って媒体上に形
成されるデータ・トラックの数を指定する。
【０００４】言うまでもなく、磁極間の薄いギャップは
書込みヘッドの性能を改善するために、極が正確に配列
されるように精密に形成されなければならない。このた
めに、現技術では、書込みヘッドを製造するために、複
数の薄膜付着アプローチを提案する。これらのアプロー
チは全て、磁気材料及び非磁気材料の多層を選択手順に
従い、真空蒸着（vacuum deposition）またはめっき（p
lating）技術により、基板上に付着する。このようにし
て得られた薄膜ヘッドは、一般に２つのタイプ、すなわ
ち磁気媒体に垂直な薄膜層として設けられるか、磁気媒
体に平行な薄膜層として設けられるかのいずれかであ
る。前者の薄膜ヘッドでは、通常、２つの薄膜磁極層
が、基板上のギャップ材料層により分離される。製造プ
ロセスには、磁極端を切断面において露出及び規定する
ように、層を垂直方向に切断するプロセスが含まれる。
従って、磁極端を仕上げるラッピング（lapping）・ス
テップが要求され、これはヘッドを損傷する可能性を増
すことになる。
【０００５】後者のタイプの薄膜ヘッドでは、薄膜層に
垂直な垂直壁が２つの極を分離し、それにより磁極端間
のギャップを規定する。１つのアプローチは、極層及び
基板の垂直エッジに対して壁を形成し、次に第２の基板
を壁に接合し、第２の極層を壁を横断して第１の極層と
は反対側に形成する。こうしたアプローチの例が、Saka
kimaによる米国特許第４６７０９７２号で述べられてい
る。このプロセスは幾つかの欠点を有する。第１に、ヘ
ッドを損傷する可能性のあるラッピング・ステップが要
求される。第２に、極の整列が極を形成する別々のステ
ップにおいて使用されるフォトリソグラフィック技術に
固有の整列制限に依存する。第３に、２つのパーツを接
合する必要が処理上の問題を生じ、ウエハ上におけるバ
ッチ処理を容易にしない。
【０００６】別のアプローチでは、Lazzariによる米国
特許第４８３７９２４号で述べられるように、最初に自
立壁（free-standing wall）を形成し、次に壁の両側に
磁極を形成する。Mallaryによる米国特許第４９１２５
８４号は、ヘッドがスライダの横に実装されるようにヘ
ッドを形成するアプローチを開示し、最初に自立壁を基
板上に形成し、次に極を形成する。
【０００７】米国特許出願第００２２９０号（１９９３
年１月８日出願）は、最初に、基板上に予め付着された
リリース層上に自立壁を形成し、次に磁極層から始ま
り、ヘッドの個々の薄膜層を付着するアプローチを使用
する。基板が次に腐食作用により、すなわち、磁極片
（pole piece）が露出され、壁により分離されたヘッド
またはトランスジューサが取り残されるように、リリー
ス層を溶解することにより除去される。このプロセス
は、読取り／書込みヘッド及びサスペンションを１つの
統合ユニットとしてバッチ生産する、いわゆる"リード
（reed）"アプローチにおいて実施されてきた。これは
様々な理由により有望である。従来のディスク・ドライ
ブでは、トランスジューサ及びスライダがサスペンショ
ンとは別々に形成され、作業者により正確な位置に取り
付けられた。パーツは小さく、各々のパーツと他のパー
ツとの相対位置が正確に維持されなければならない。ト
ランスジューサはデータ・トラックに対して、正確に位
置決めされなければならない。このことはすなわち、サ
スペンションがスライダ上に正確に位置決めされなけれ
ばならないことを意味する。サスペンションは柔軟性、
及び回転ディスクの運動方向に対するスライダのピッチ
及び回転運動を提供しなければならず、更にヨーイング
（yawing）に対する耐性を提供しなければならない。ス
ライダに対するサスペンションの位置誤差は、再取り付
けを要求したり、両ピースのスクラップを生じたりす
る。
【０００８】サスペンション及びスライダが正確に位置
決めされると、導体リードが次にトランスジューサに接
続されなければならない。導体リードはサスペンション
に沿って導かれ、サスペンション上に配置される増幅器
に接続されるか、或いはアクチュエータに取り付けられ
る。導体リードは良好な電気的相互接続を提供しなけれ
ばならないが、スライダ／サスペンションのスプリング
・スチフネス（stiffness）を増してはならない。導体
リードは一般に作業者によるはんだ付けにより、例えば
両方のトランスジューサ出力端子及び増幅器に接合され
る。ここでも、アセンブリ誤差は組合わせ全体のスクラ
ップを生じることになる。
【０００９】リード・アプローチにより生産されたトラ
ンスジューサ−スライダ−サスペンションの統合構造
は、幾つかの製作的な問題を軽減し、ヘッド及びサスペ
ンションがバッチ処理により、初期ウエハ表面上に容易
に且つ正確に製作されることを可能にする。
【００１０】しかしながら、従来使用された自立壁アプ
ローチは製作的な困難度から解放されない。従来より自
立壁は壊れ易く、再生可能なようには自立していない。
この問題は、自立側壁が、例えばフォトレジスト処理、
エッチング及びめっきなどの磁極の形成以前に実施され
る続くプロセス・ステップにおける過酷な環境に晒され
ると、一層悪化する。続く処理に耐えるために壁の構造
的な完全性が改善されなければならない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ヘッ
ドの磁極間の磁気ギャップを規定する垂直壁を用いる磁
気ヘッドを製作するための、改善されたプロセスを提供
することである。
【００１２】本発明の別の目的は、ウエハまたは基板の
主表面に平行な面内に、バッチ処理に好適な水平記録ヘ
ッドを形成することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の原理によれば、
磁極の形成以前に、垂直壁の端部に補助的な支持が提供
される。
【００１４】好適な態様では、基板内にピット（pit）
または溝（recess）が規定され、リリース層が基板上に
付着され、次にアルミナと呼ばれる酸化アルミニウムの
層が付着される。次にピット領域内において、溝がアル
ミナ層を通過してリリース層に至るまでエッチングされ
る。ポリマまたは金属材料の部分層がピット及び溝の中
線を横断してエッジに付着される。シリカなどの壁材料
の層が付着され、これはエッチングの後、ポリマまたは
金属の部分層に対して垂直な壁を残す。この壁は溝の側
壁及びアルミナにより覆われたピットまで広がり、そこ
で壁の端部が側壁に突き当てられ、固定される。磁極が
次に壁の両側に同時に形成される。次に、追加の薄膜層
が適切なステップ順序に従い付着され、所望の垂直ギャ
ップ、水平ヘッド構造が完成する。基板が腐食作用によ
り、すなわちリリース層を溶解することにより、完成さ
れた薄膜構造から分離される。それにより磁極端が露出
され、これは基板表面に平行な面内のリリース層表面に
形成されるために、ラッピングまたは磨きを必要としな
い。或いは、壁を支持するためのペデスタルが壁の各端
部のアルミナにより覆われたピット壁上に提供されても
よい。
【００１５】本発明のプレーナ付着構成は、ヘッド及び
サスペンション・アセンブリの全ての処理がウエハ表面
上で実行され、単一の統合ユニットを形成することを可
能にする。これは単一ウエハ上における、ヘッド／サス
ペンション・アセンブリの複数ユニットのバッチ生産を
可能にする。更に、単一のトランスジューサ／サスペン
ション・アセンブリの生産が拡張的な複数のラッピング
・ステップの回避により、容易となる。
【００１６】
【実施例】最初に、本説明は本発明の一般的な原理を表
すことを目的として述べられるものであり、本発明を制
限するものではないことを述べておく。本発明の範囲は
特許請求の範囲により定められるものである。
【００１７】本発明は図１に示される磁気ディスク記憶
システムにおいて実施されるように述べられるが、本発
明が例えば磁気テープ記録システムなどの他の磁気記録
システムにも適用可能なことは明らかである。図１を参
照すると、磁気ディスク記憶システム１０が示され、こ
れはハウジング１１を含み、ハウジング１１内には回転
式アクチュエータ１３、スピンドル１７上に実装される
１個または複数の関連する磁気記憶ディスク１５、及び
スピンドル１７に結合されて磁気記憶ディスク１５を回
転する駆動手段（図示せず）が含まれる。回転式アクチ
ュエータ１３は、本発明により製作される統合トランス
ジューサ／サスペンション・リード・アセンブリ１９
を、磁気記憶ディスク１５の表面を横断して、正確なパ
スに従い移動する。回転式アクチュエータ１３は、固定
永久磁石アセンブリ２３の磁場内で移動するコイル２１
を含むボイス・コイル・モータを含む。アクチュエータ
・アーム２５はその一方の端部に移動コイル２１を有
し、ピボット・ポスト２７上に回転式に実装される。支
持アーム２９がアクチュエータ・アーム２５の他端に取
り付けられ、磁気記憶ディスク１５の表面を横断して突
き出す。支持アーム２９は磁気記憶ディスク１５の表面
上で、統合トランスジューサ／サスペンション・リード
・アセンブリ１９を片持梁（cantilever）風に支持す
る。統合トランスジューサ／サスペンション・リード・
アセンブリ１９はその一方の端部に、エア・ベアリング
面（ＡＢＳ：air bearing surface）を有するサスペン
ション・セクション３１及びトランスジューサ／スライ
ダ３３を形成される。用語"ＡＢＳ"は、一般に浮上モー
ド・ウィンチェスタ・タイプ・ディスク・ファイル及び
接触記録アプリケーションの両方において、媒体表面１
５に平行に近接する面を指す。
【００１８】リード・アセンブリ１９のサスペンション
・セクション３１は、トランスジューサ／スライダ３３
に対して、磁気記憶ディスク１５の表面に実質的に直角
または垂直な負荷を提供する。この垂直負荷は磁気記憶
ディスク１５が回転していない時、トランスジューサ／
スライダ３３が磁気記憶ディスク１５のデータ表面に接
触するように維持する。ディスク・ドライブ１０のオペ
レーションの間、トランスジューサ／スライダ３３と回
転ディスク１５の表面との間に、トランスジューサ／ス
ライダ３３に加わる垂直負荷と反対方向の空気力学的揚
力が生成され、それによりトランスジューサ／スライダ
３３がディスク表面上に浮上する。或いは接触記録では
磁気記憶ディスク１５の回転中、トランスジューサ／ス
ライダ３３のＡＢＳがデータの読取りまたは記録のため
に媒体に接触する。
【００１９】ディスク記憶サブシステム１０の様々なコ
ンポーネントのオペレーションが、制御装置３５により
生成されるデータ・アクセス制御信号及び内部クロック
信号などの信号により制御される。制御装置３５は論理
制御回路、記憶手段及びマイクロプロセッサを含む。制
御信号はモータ制御及びヘッド位置制御などの様々なシ
ステム・オペレーションを制御する。制御信号はアクチ
ュエータ１３により選択スライダを関連ディスク１５上
の所望のデータ・トラックに最適に移動及び位置決めす
るための、所望の電流プロファイルを提供する。移動式
コイル２１は位置決め信号により、固定永久磁石アセン
ブリ２３の磁場内で移動するように制御され、それによ
りアクチュエータ・アーム２５がピボット・ポスト２７
の回りを回転する。読取りまたは書込みオペレーション
におけるあるトラックから別のトラックへのトランスジ
ューサ／スライダ３３の迅速なアクセスが望まれるた
め、トランスジューサが所望のトラック上に適切に位置
決めされ、最小時間でそのトラックに達することが必要
である。読取り及び書込み信号がトランスジューサ３３
との間で通信され、こうした信号にはヘッド読取りまた
はヘッド書込み、またはヘッド読取り／書込みの２重目
的が含まれる。これについては以降で開示される実施例
により表される。データ符号化書込み信号は、書込みヘ
ッド内の磁極の磁場の変化を誘導し、それに従い、磁気
記憶ディスク１５のデータ・トラック上のデータ領域の
磁化方向が整列し、それによりトラック上に２進データ
が記録される。すなわちデータはデータ領域間の磁化方
向の遷移により表されることになる。記録データは後に
読取りヘッドによりトラック上の磁気遷移を検出し、読
取り信号を復号化することにより、磁気記憶ディスク１
５から取り出される。
【００２０】統合トランスジューサ／サスペンション・
リード・アセンブリ１９は半径方向のスチフネスを提供
しなければならず、磁気記憶ディスク１５のデータ表面
上を支えられて移動する時、そのピッチ及び回転軸に関
して柔軟性を有さなければならない。必要に応じ、集積
回路増幅器アセンブリ３７が統合トランスジューサ／サ
スペンション・リード・アセンブリ１９のサスペンショ
ン・セクション３１上に提供されてもよい。
【００２１】典型的な磁気ディスク記憶システムの上述
の説明及びそれを表す図１は、説明の目的のためにのみ
提供されたものである。ディスク記憶システムが多数の
ディスク及びアクチュエータ・アームを含み、各アクチ
ュエータ・アームが多数のスライダを支持してもよい。
また図１に示されるアクチュエータ１３は回転式アクチ
ュエータであるが、他のディスク・ドライブ・システム
では既知のリニア・アクチュエータを使用する場合もあ
る。
【００２２】図２及び図３を参照すると、本発明の原理
による統合リード・トランスジューサ／サスペンション
・アセンブリ１９の好適な実施例が表される。トランス
ジューサ／スライダ３３がサスペンション・セクション
３１と統合して形成され、統合化された単一の統合リー
ド・トランスジューサ／サスペンション・アセンブリ１
９が提供される。好適な実施例では、トランスジューサ
は２重目的の読取り／書込みヘッドであり、水平方向の
記録アプリケーションのためのリング・タイプの磁気誘
導ヘッドを含む。これについては前記米国特許出願第０
０２２９０号（１９９３年１月８日出願）に一般に述べ
られている。
【００２３】統合リード・アセンブリ１９は、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）
などの絶縁材料による細長の一般に矩形の本体３９を含
み、これはサスペンション・セクション３１を形成する
その長さの大部分に沿って、比較的均一な厚さを有す
る。本体３９はその一端（図では左端）が幾分厚く形成
され、ここには磁気読取り／書込みヘッド３３が形成さ
れ、その下面にはスライダＡＢＳがパターニングされ
る。図３に示されるように、ＡＢＳはリード・アセンブ
リ本体３９の下側に形成される突起部分４０を含み、こ
れはＡＢＳが媒体表面１５と接触する接触記録のため
の、摩耗またはコンタクト・パッドを形成する材料を含
んだりする。或いは、突起４０はその下面（すなわち媒
体表面１５と対向する表面）にＡＢＳがパターニングさ
れるスライダを形成してもよく、それにより統合トラン
スジューサ／サスペンション・リード・アセンブリ１９
と媒体１５との間に相対運動が生じると揚力が生成さ
れ、スライダが媒体表面上に近接して浮上する。
【００２４】読取り／書込みヘッド３３は磁気回路を含
み、前方スタッド（stud）５３及び後方ギャップ・スタ
ッド５５において、上部の磁気ヨーク４３が下部のヨー
ク・セクション４２に磁気的に結合される。下部ヨーク
・セクション４２及び４５は、磁極片４６と４８との間
に形成される垂直ギャップ壁６０により規定される水平
ギャップ４７により分離される。磁極片４６及び４８
は、突起４０の表面近傍に水平ギャップ４７を提供する
ように形成され、磁極端は記録媒体に近接するように実
質的に同一平面内に含まれる。
【００２５】磁気ヨーク構造には、水平スパイラル・コ
イル４１が誘導的に結合され、コイルの端部は、サスペ
ンション・セクション３１の長さ方向に沿って延びるリ
ード導体４９を通じて、端子ボンディング・パッド５１
に接続される。薄膜トランスジューサ構造全体が、例え
ばアルミナのオーバコート５７により保護される。統合
トランスジューサ／サスペンション・リード・アセンブ
リ１９は、個々の既知の付着及びフォトリソグラフィ・
ステップの組合わせを含むプロセスにより、製作され
る。完全なリード・アセンブリ１９が支持基板に平行な
層内に製作され、次に完成されたアセンブリが基板から
分離される点で、統合トランスジューサ／サスペンショ
ン・リード・アセンブリ１９の製作が著しく単純化され
る。
【００２６】特定のアプリケーションでは、最適性能の
ために特定の寸法が選択されるが、一般的には、統合ト
ランスジューサ／サスペンション・リード・アセンブリ
１９は約５ｍｍ乃至２０ｍｍの範囲の全長、約０．３ｍ
ｍ乃至２．０ｍｍの最大幅、及びそのサスペンション・
セクション３１において約２０μｍ乃至４０μｍ、また
トランスジューサ・セクション３３において約３０μｍ
乃至６５μｍの最大厚を有し、総重量は約２００マイク
ログラム乃至２．０ミリグラムの範囲である。
【００２７】本発明により実施されるプロセスの理解を
容易にするために、本プロセスにより構築されるギャッ
プ壁構造の外観を示すことが有用である。図４は、トラ
ンスジューサの内側から見た時の磁極端領域を表す斜視
図であり、オーバコート層及び上部ヨーク構造は省かれ
て示される。磁極片４６及び４８は、ベース基板６５内
に形成されるピット７０内に形成され、磁極端５０及び
５２が、ピット（pit）７０のボトムに形成される溝７
２のボトムに形成される。薄膜製造プロセスの完了時
に、統合トランスジューサ／サスペンション・リード・
アセンブリ１９全体がベース基板から取り去られ、磁極
端５０及び５２がＡＢＳまたは接触面に露出される（一
時的にＡＢＳ及び磁極端上に形成される摩耗層を無視す
る）。磁極端５０及び５２は、ピットの中線を横断して
広がる垂直ギャップ壁６０により分離される。
【００２８】図５乃至図１３は、図２及び図３に示され
る統合トランスジューサ／サスペンション・リード・ア
センブリ１９の製造に関連する処理ステップを表す断面
図である（図４のライン５−５に対応する）。単純化の
ため、統合トランスジューサ／サスペンション・リード
・アセンブリ１９のトランスジューサ端部だけが示され
ているが、アセンブリの残りの部分の製造に関する追加
のプロセスは、前記米国特許出願第００２２９０号に述
べられている。
【００２９】図５及び図６を参照すると、最初にアルミ
ナ−チタン−カーバイド（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）またはシ
リコンなどの当業者には既知の好適な材料から成るプレ
ーナ・プロセス・キャリア基板６５（所望の統合トラン
スジューサ／サスペンション・リード・アセンブリ１９
の全長に対して十分大きい）が、化学的またはドライ・
プロセス・エッチングにより、矩形ピット７０を形成す
るように試みられる。図示の例では、ピット７０は２０
μｍ×３０μｍの平面ベースを有する３０μｍ×５０μ
ｍの開口を有する。擬制層またはリリース層６６が例え
ばスパッタ付着により、最初にプレーナ・プロセス・キ
ャリア基板６５上に付着される。以降で明らかとなるよ
うに、リリース層６６は最終的には、完成された薄膜ト
ランスジューサ／サスペンション・アセンブリ１９をプ
レーナ・プロセス・キャリア基板６５から解放するため
に溶解される。或いはピット７０が平坦な基板上のリリ
ース層６６内に形成されてもよい。リリース層６６はま
た、続いて付着される摩耗層（後述）を形作るためにパ
ターニングされる。例えば、リリース層６６は導電性材
料から成り、めっき技術を用いて付着される磁極片４６
及び４８などの続く層に対するシード（seed）またはめ
っきベース層として使用される。同様に、リリース層６
６の候補としてＮｉＦｅまたはＣｕがあり、これらは例
えばスパッタリングまたはめっき処理を用いて付着され
る。
【００３０】次にアルミナのバリアまたはアンダコート
層６８がリリース層６６上に形成される。フォトレジス
トまたは金属マスク（図示せず）が次にアンダーコート
層６８上に付着され、パターニングされる。次にアンダ
コート層６８を通過しリリース層６６に達する溝７２
が、アンダコート層６８内に形成される。この例では、
ピット７０は約１０μｍの寸法を有する一般に矩形の溝
を含む。次のステップでは、アルミナ・アンダーコート
６８及びピット７２の傾斜側面及びボトム上へ、例えば
スパッタ付着によりシード層７４が付着される。シード
層７４は、好適にはめっき処理による磁極片４６及び４
８に相当する層の付着のために必要となる。更に、続く
処理ステップの間にシード層を保護するために、例えば
アルミナの薄い保護オーバ層（図示せず）が必要とな
る。しかしながら、使用されるシード層材料が磁気材料
である場合には、これは磁気ギャップ４７を磁気的に短
絡しないように、ギャップ４７内に存在してはならな
い。好適な実施例では、完成されたトランスジューサ／
サスペンション・リード・アセンブリ１９に対する"ウ
ェア・イン（wear-in）"・ステップにおいて、シード層
材料が磁気材料である場合に、磁極端５０及び５２を下
方に有するシード層７４部分が摩滅または摩砕される。
しかしながら、ウェア・イン・ステップが使用されない
場合には、シード層材料は例えばＣｕなどのような非磁
気材料でなければならない。
【００３１】図７を参照すると、フォトリソグラフィッ
ク技術により、フォトレジストなどの金属またはポリマ
材料の部分層７６が、ピット７０及び溝７２のほぼ半分
を覆うように形成される。この部分層７６は垂直側壁を
規定し、この垂直側壁はギャップ壁が中線に沿って形成
されるように、壁の厚さを考慮してピット及び溝の中線
から僅かにオフセットされる。
【００３２】図８に示されるように、真空蒸着などの等
方性付着技術を使用することにより、セラミックまたは
絶縁材料、アルミナまたはシリカ（ＳｉＯ2）などの非
磁気材料の薄い層７８が、部分層７６及びピット７０及
び溝７２上に形成される。このシリカ層７８の厚さｄ
は、実質的に垂直磁気ギャップ４７の所望の厚さと同じ
である。リアクティブ・イオン・エッチングなどの異方
性エッチング技術を使用することにより、全水平面から
材料を取り去るように、シリカ層７８が選択的にエッチ
ングされる（図９参照）。このエッチング・ステップか
ら、垂直側壁７７において層７８の薄膜化が経験される
場合には、初期に僅かに厚いシリカ層７８を付着するこ
とにより、これを補正することができる。次に従来手段
により部分層７６が除去され、溝７２及びピット７０を
横断して延びる垂直ギャップ壁６０が取り残される（図
１０参照）。垂直ギャップ壁６０の端部は、アルミナに
より覆われた溝７２及びピット７０の側壁７１に突き当
てられて取り付けられ（図４参照）、それにより壁が続
く処理及びプロセス・ステップから生じる動揺に対して
安定化される。余分なシリカ材料をフォトマスキング及
び化学エッチングにより、壁から除去してもよい。。
【００３３】図１１を参照すると、従来のマスキング及
び真空蒸着または電気めっき技術の使用により、磁極片
４６及び４８が同時に形成され、磁極端５０及び５２が
溝７２内の垂直ギャップ壁６０の両側に形成され、以前
に付着されたシード層保護オーバレイがめっき以前に除
去される。このようにして得られた構造が図４に示され
る。
【００３４】単一のステップにおいて磁極片４６及び４
８の両方を同時に形成することは、幾つかの利点を有す
る。第１に、磁極端５０及び５２の良好なアラインメン
トが得られる。第２に、垂直壁の両側を連続照射するこ
とにより、改善されたライン幅制御が提供され、イメー
ジング磁束の回折による近接効果、すなわち極コーナの
丸みなどが最小化される。第３に、磁極片４６及び４８
の構造が同一となる。
【００３５】図１２を参照すると、統合トランスジュー
サ／サスペンション・リード・アセンブリ１９を完成す
るために、標準のスタッド及びパッド技術により、スタ
ッド・パッド５３及び５５が生成される。磁極片４６及
び４８を含む下部磁気ヨーク・セクション４２、４５、
上部磁気ヨーク４３は、一般にパーマロイと呼ばれるニ
ッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）、或いは鉄（Ｆｅ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）またはそれらの合金な
どの他の好適な磁気材料から成り、好適には既知のよう
にめっきされる。同様に、コイル巻線４１、リード導体
４９及び端子ボンディング・パッド５１がめっき技術に
より、例えば銅（Ｃｕ）または金（Ａｕ）から形成され
る。下部磁気ヨーク全体、すなわちセクション４２、４
５及び磁極片４６、４８は、通常、最初に下部磁極片を
形成し、次に下部磁気ヨーク・セクション４２及び４５
の残り部分を形成するのではなく、１回のめっきオペレ
ーションにより形成される。コイル巻線４１のめっき以
前に、絶縁層（図示せず）が下部磁極片４６、４８及び
下部磁気ヨーク・セクション４２、４５上に付着され
る。製造中に遭遇する既知の様々な困難のために、上部
磁気ヨーク４３は別のめっきステップにおいて形成さ
れ、残りの磁極片はコイル巻線４１及びリード導体４９
が形成された後に、続くプロセス・ステップにおいてめ
っきされ、上部ヨークに"スティッチ（stitched）"され
る。上部磁気ヨーク４３のめっき以前に、コイル巻線４
１をオーバレイする第２の絶縁層（図示せず）が付着さ
れる。
【００３６】図１４乃至図１８を参照すると、垂直ギャ
ップ壁６０を形成するプロセス・ステップの別の順序が
表される。図１４に示されるように、例えば約５μｍ厚
のフォトレジスト層６３が基板６１上に広がる。この例
では、基板６１は図５及び図６に関連して上述されたよ
うに用意され、例えば基板表面上に形成されるＣｒ（３
００ ）／Ｃｕ（１μｍ）／Ｃｒ（２０００ ）／Ｗ
（１０００ ）から成るアルミナ分離層及び積層リリー
ス層を有する酸化アルミニウム／炭化チタン基板を含
む。この実施例では、リリース層はめっきシード層とし
ての役割も果たす。フォトレジスト層６３はパターニン
グされ、硬化され、次に例えばリアクティブ・イオン・
エッチング（ＲＩＥ）によりエッチングされ、ピット７
０及び溝７２のほぼ中央を横断して広がる垂直エッジ７
７を有する部分層６３が形成される。次に、ＳｉＯ2な
どの非磁気材料の薄い層が、部分層６３及び他の露出表
面上に付着される。次に、例えばＣＦ4 ＲＩＥなどの
直接イオン・ミリング（directional ion milling）プ
ロセスにより、垂直エッジ７７上に付着された以外の全
ての非磁気材料が除去され、ピット７０及び溝７２を横
断して延びる垂直ギャップ壁６０が形成される。部分層
６３と同様に、基板６１及びピット７０及び溝７２の残
りの露出部分を覆う第２のフォトレジスト層６７が次に
付着され、フォトレジスト６３及び６７の合計の厚さは
ほぼ１０μｍとなる。第２のフォトレジスト層６７が次
に硬化され、フォトレジスト層６３、６７がパターニン
グされて、図１８に示されるように、磁極片４６、４８
及び磁極端５０、５２を含む下部磁気ヨーク・セクショ
ン４２及び４５において、めっきフレーム６９が形成さ
れる。上述のプロセス手順により形成された垂直壁は、
フォトレジスト層６３、６７によりその両側が支持され
る。垂直ギャップ壁６０はまた、垂直壁をその端部にお
いて固定して支持する必要がないので、平らな表面上に
構成されてもよい。
【００３７】アルミナの厚い層５７が次に完成されたヘ
ッド構造上に付着され、トランスジューサ３３の完全な
カプセル化が提供される。
【００３８】アルミナ・サスペンション材料は、好適に
は、２０μｍ乃至５０μｍの厚さにスパッタリングされ
る。統合トランスジューサ／サスペンション・リード・
アセンブリ１９に対して対称的な応力が所望される場合
には、リリース層上の保護アルミナ層６８は、リード・
アセンブリの最上部のオーバコート層に等しい厚さを有
するべきである。サスペンション・アセンブリのプレー
ナ形状が、既知の従来のエッチング技術を用いて、ヘッ
ドの回りにパターニングされる。基板上で複数のアセン
ブリが同時に製造される時、アルミナのオーバコート及
びアンダーコートが、基板上で別々の隣接するリード・
アセンブリにエッチングまたは切断される。リリース層
が次に溶解され、ヘッド／サスペンション・アセンブリ
が基板から解放され、その結果、図１３に示される構造
が得られる（図１３は図２に示されるヘッド領域の拡大
図である）。
【００３９】接触記録において摩耗層の提供が望まれる
場合には、ヘッドのエア・ベアリング表面上に抵抗面を
形成するように、溝７２のエッチング後に、耐摩耗層
（図示せず）がリリース層上に付着されるべきである。
摩耗層は、磁極端５０及び５２の近傍の続くラッピング
・プロセスを回避するように、薄く付着されるべきであ
る。ヘッドの構造的な完全性を改善するために、他の材
料（図示せず）が、図２に示される基本リード・アセン
ブリ上にオーバレイされてもよい。構造は適切なラッピ
ングまたはイオン・ミリング・プロシージャにより仕上
げられ、所望の外観構造が得られる。更に詳細に関して
は、上記米国特許出願第００２２９０号を参照された
い。
【００４０】本発明の別の実施例が、図１９乃至図２１
に関連して開示される。この実施例では、垂直壁６０の
端部をピット７０及び溝７２のアルミナにより覆われる
側壁により支持する代わりに、この垂直壁の両端部は、
ピット７０内に予め形成した薄膜分野ではペデスタルと
呼ばれている２個の支持脚台８０及び８１により支持さ
れる。更にペデスタルの使用により、垂直壁をピット内
ではなくて、完全に平坦な表面上に形成することも可能
になる。
【００４１】垂直側壁７７を形成するために部分層７６
を付着する以前に（すなわち、前述の実施例の図６に示
されるステップの後に）、２個のペデスタル８０及び８
１が、図２０に示されるように、ピット７０内の溝７２
上に形成される。これは銅ペデスタルを形成するための
従来のフォトマスク及び付着技術により実施される。次
に、図７で表された上述の実施例の場合と同様に、部分
層７６がピット７０のほぼ半分を覆うように付着され、
ペデスタル間の側壁を規定する（図２１参照）。続くス
テップ（図示せず）は、上述の実施例における図８乃至
図１３で示されたステップと同様である。シリカ層がこ
の側壁に対して付着される。特にシリカ層７８の選択的
エッチング（銅ペデスタルはリアクティブ・イオン・エ
ッチング・プロセスによって影響されない）及びフォト
レジストの除去において、垂直ギャップ壁６０がペデス
タル間に形成される。リード構造を完成するための残り
のプロセスは、上述の実施例に関連して述べられたプロ
セスと同様である。
【００４２】上述の実施例により形成された完成ヘッド
内の垂直壁は、アルミナ層内のピットまたは溝の側壁ま
たはペデスタルを支持として必要としない。なぜなら、
壁が磁極端によりサンドイッチ状に挟まれるからであ
る。必要に応じて側壁またはペデスタルがヘッドの完全
性に影響を及ぼすことのないように、除去されてもよ
い。
【００４３】本発明は特定の実施例に関連して述べられ
てきたが、当業者には理解されるように、本発明の精神
及び範囲を逸脱することなしに、その形態及び詳細に関
する様々な変更が可能である。また、回転式アクチュエ
ータの代わりに、リニア・アクチュエータが使用されて
もよい。ここで開示された構造は、例えばスパッタリン
グ、気相成長、めっき、化学蒸着、イオン・ビーム付
着、及びエッチングなどの任意の従来の薄膜エッチング
及び付着プロセスと、それに伴う磁気的、電気的構造パ
ーツの既知のフォト・パターニング（フォトマスキング
及びフォトリソグラフィ・プロセスを含む）により形成
される。
【００４４】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００４５】（１）磁気トランスジューサを製造する方
法であって、基板とリリース層が側壁を有するピットを
規定するように、表面に前記リリース層が形成された前
記基板を提供するステップと、前記ピット内に、前記ピ
ットの前記側壁により端部が支持される非磁気材料の垂
直壁を形成するステップと、各々が磁気ギャップを規定
する前記垂直壁により互いに分離され、対向して前記ピ
ット内に配置される磁極端を有する、磁気材料の第１及
び第２の磁極片を形成するステップと、前記磁極片を磁
気的に結合するステップと、前記リリース層を除去する
ことにより、前記基板を前記基板上に形成される磁気ト
ランスジューサから分離するステップと、を含む方法。 （２）前記ピットが前記磁極端が配置される溝を含む、
前記（１）記載の方法。 （３）前記垂直壁を形成する前記ステップが、前記ピッ
トを横断して形成される垂直エッジを有する、第１の材
料の層を付着するステップと、前記第１の材料の層の前
記垂直エッジ上に第２の材料の層を付着するステップ
と、前記垂直エッジ上に付着された前記第２の材料の層
部分を取り残すように、前記第２の材料の層及び前記第
１の材料の層の水平部分を取り除き、それにより、端部
が前記ピットの前記側壁により支持され、前記ピットを
横断して延びる前記垂直壁を形成する前記除去ステップ
と、を含む、前記（１）記載の方法。 （４）前記垂直壁を形成するステップが、前記ピットを
横断して形成される垂直エッジを有する、第１の材料の
層を付着するステップと、前記垂直エッジ上に付着され
る第２の材料の層を前記第１の材料の層上に付着するス
テップと、前記垂直エッジ上に付着された前記第２の材
料の層部分を取り残すように、前記第２の材料の層の水
平部分を取り除き、それにより前記垂直壁を形成する、
前記除去ステップと、前記第１の材料の第２の層を、前
記リリース層及び前記第１の材料の前記第１の層を含む
前記ピット上に付着するステップと、を含む、前記
（１）記載の方法。 （５）前記第１の材料の前記第１及び第２の層をパター
ニング及びエッチングし、前記第１及び第２の磁極片の
めっきフレームを形成するステップを含む、前記（４）
記載の方法。 （６）前記磁極片に誘導的に結合される磁気誘導コイル
及び前記コイル用の電気リードを形成するステップと、
前記磁極片と単体として統合されるサスペンション部材
を形成するステップと、を含む、前記（１）記載の方
法。 （７）前記磁気材料がニッケル、鉄、コバルト、ニッケ
ル鉄、及びニッケル、鉄またはコバルトの磁石合金を含
むグループから選択される材料を含む、前記（１）記載
の方法。 （８）前記磁気材料がニッケル鉄を含む、前記（７）記
載の方法。 （９）前記第１の材料が金属材料を含む、前記（４）記
載の方法。 （１０）前記第１の材料がポリマ材料を含む、前記
（４）記載の方法。 （１１）前記第２の材料が絶縁材料を含む、前記（４）
記載の方法。 （１２）前記第２の材料が酸化アルミニウム及び酸化ケ
イ素を含むグループから選択される、前記（４）記載の
方法。 （１３）磁気ディスク記憶システムを製造する方法であ
って、少なくとも１つの磁気記憶ディスクと、前記磁気
記憶ディスクを回転するドライブ機構と、サスペンショ
ン部材上に支持される磁気トランスジューサを、前記磁
気記憶ディスクの表面の近くに移動するアクチュエータ
機構と、を含む、磁気トランスジューサを提供するステ
ップであって、前記トランスジューサが、基板とリリー
ス層が側壁を有するピットを規定するように、表面に前
記リリース層が形成された前記基板を提供するステップ
と、前記ピット内に、前記ピットの前記側壁により端部
が支持される非磁気材料の垂直壁を形成するステップ
と、各々が磁気ギャップを規定する前記垂直壁により互
いに分離され、対向して前記ピット内に配置される磁極
端を有する、磁気材料の第１及び第２の磁極片を形成す
るステップと、前記磁極片を磁気的に結合するステップ
と、前記リリース層を除去することにより、前記基板を
前記基板上に形成される磁気トランスジューサから分離
するステップと、を含む方法により製造される、前記ス
テップと、を含む方法。 （１４）前記ピットが前記磁極端が配置される溝を含
む、前記（１３）記載の方法。 （１５）前記垂直壁を形成する前記ステップが、前記ピ
ットを横断して形成される垂直エッジを有する、第１の
材料の層を付着するステップと、前記第１の材料の層の
前記垂直エッジ上に、第２の材料の層を付着するステッ
プと、前記垂直エッジ上に付着された前記第２の材料の
層部分を取り残すように、前記第２の材料の層の水平部
分を取り除き、それにより、前記ピットを横断して延び
る前記垂直壁を形成する、前記除去ステップと、前記第
１の材料の第２の層を、前記リリース層及び前記第１の
材料の前記第１の層を含む前記ピット上に付着するステ
ップと、を含む、前記（１３）記載の方法。 （１６）前記第１の材料の前記第１及び第２の層をパタ
ーニング及びエッチングし、前記第１及び第２の磁極片
のめっきフレームを形成するステップを含む、前記（１
５）記載の方法。 （１７）前記磁気トランスジューサが前記サスペンショ
ン部材と統合された単体として製作される、前記（１
３）記載の方法。 （１８）エア・ベアリング面を有する本体と、磁気材料
から形成され、前記本体内に対向して前記エア・ベアリ
ング表面の近くに配置される磁極端を有する２個の磁極
片と、端部において前記本体により支持され、前記磁極
端を分離する垂直壁と、前記磁極片を磁気的に結合する
手段と、を含む、磁気トランスジューサ。 （１９）前記本体が前記垂直壁の各端部を支持するペデ
スタルを含む、前記（１８）記載の磁気トランスジュー
サ。 （２０）前記本体が細長であり、単体として統合された
サスペンション部材を含む、前記（１８）記載の磁気ト
ランスジューサ。 （２１）前記磁気材料がニッケル、鉄、コバルト、ニッ
ケル鉄、及びニッケル、鉄またはコバルトの磁石合金を
含むグループから選択される材料を含む、前記（１８）
記載の磁気トランスジューサ。 （２２）前記垂直壁が酸化アルミニウム及び酸化ケイ素
を含むグループから選択される材料を含む、前記（１
８）記載の磁気トランスジューサ。 （２３）前記ペデスタルが非磁気材料から形成される、
前記（１９）記載の磁気トランスジューサ。 （２４）前記非磁気材料が銅を含む、前記（２３）記載
の磁気トランスジューサ。 （２５）ハウジングと、前記ハウジング内に実装されて
回転し、データ記録用のデータ・トラックを有する少な
くとも１つの磁気記憶ディスクと、前記ハウジング内に
前記媒体ディスクに近接して配置されるアクチュエータ
・アームと、前記アクチュエータ・アームに結合される
トランスジューサ及びサスペンション・アセンブリであ
って、前記アクチュエータ・アームの一方の端部の近く
に形成されるエア・ベアリング表面を有する細長の本体
と、磁極端が前記本体内に対向して前記エア・ベアリン
グ表面の近くに配置される２個の磁極片と、端部におい
て前記本体により支持され、前記磁極端を分離する非磁
性材料の垂直壁と、前記磁極片を磁気的に結合する手段
と、を含む、前記トランスジューサ及びサスペンション
・アセンブリと、を含む、磁気ディスク記憶システム。 （２６）前記本体が前記壁の各端部を支持するペデスタ
ルを含む、前記（２５）記載の磁気ディスク記憶システ
ム。 （２７）前記本体が単体として統合された構造を有す
る、前記（２５）記載の磁気ディスク記憶システム。 （２８）プレーナ表面上に垂直壁を形成する方法であっ
て、基板を提供するステップと、前記基板の一部上に、
前記基板の少なくとも一部を横断して形成される垂直壁
を有する第１の材料の層を付着するステップと、前記垂
直壁上に付着されるように、前記第１の材料の層上に第
２の材料の層を付着するステップと、前記垂直壁上に付
着された前記第２の材料の層部分を取り残すように、前
記第２の材料の層の水平部分を取り除くステップと、前
記基板及び前記第１の材料の層上に第３の材料の層を付
着するステップと、を含む方法。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ヘッドの磁極間の磁気ギャップを規定する垂直壁を用い
る磁気ヘッドを製作するための、改善されたプロセスを
提供することができる。また、本発明の別の態様によれ
ば、ウエハまたは基板の主表面に平行な面内に、バッチ
処理に好適な水平記録ヘッドを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により製作される磁気トランスジューサ
を有するリード・トランスジューサ／サスペンション・
アセンブリを使用する回転式アクチュエータを有する磁
気記録システムの上面図である。
【図２】本発明により製作される磁気トランスジューサ
を有する組合わせリード・トランスジューサ／サスペン
ション・アセンブリの好適な実施例の上面図である。
【図３】図２に示されるリード・トランスジューサ／ア
センブリのライン３−３に沿う断面図である。
【図４】本発明の処理の一実施例による基板上のピット
領域を表す斜視図である。
【図５】図２、図３及び図４に示されるリード・トラン
スジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関連
する処理ステップを表す断面図である。
【図６】図２、図３及び図４に示されるリード・トラン
スジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関連
する処理ステップを表す断面図である。
【図７】図２、図３及び図４に示されるリード・トラン
スジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関連
する処理ステップを表す断面図である。
【図８】図２、図３及び図４に示されるリード・トラン
スジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関連
する処理ステップを表す断面図である。
【図９】図２、図３及び図４に示されるリード・トラン
スジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関連
する処理ステップを表す断面図である。
【図１０】図２、図３及び図４に示されるリード・トラ
ンスジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関
連する処理ステップを表す断面図である。
【図１１】図２、図３及び図４に示されるリード・トラ
ンスジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関
連する処理ステップを表す断面図である。
【図１２】図２、図３及び図４に示されるリード・トラ
ンスジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関
連する処理ステップを表す断面図である。
【図１３】図２、図３及び図４に示されるリード・トラ
ンスジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関
連する処理ステップを表す断面図である。
【図１４】図２、図３及び図４に示されるリード・トラ
ンスジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関
連する別の処理ステップを表す断面図である。
【図１５】図２、図３及び図４に示されるリード・トラ
ンスジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関
連する別の処理ステップを表す断面図である。
【図１６】図２、図３及び図４に示されるリード・トラ
ンスジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関
連する別の処理ステップを表す断面図である。
【図１７】図２、図３及び図４に示されるリード・トラ
ンスジューサ／サスペンション・アセンブリの製作に関
連する別の処理ステップを表す断面図である。
【図１８】図１７に表されるパターニング・ステップ後
に生じるめっきフレームを表す上面図である。
【図１９】本発明の第２の好適な実施例により構成され
た垂直壁を有する基板上のピット領域を表す斜視図であ
る。
【図２０】図１９に示される実施例によるペデスタルに
より、垂直壁を支持する中間ステップを示す断面図であ
る。
【図２１】図１９に示される実施例によるペデスタルに
より、垂直壁を支持する中間ステップを示す図２０のラ
イン８Ｂ−８Ｂに沿う断面図である。
【符号の説明】
１０ ディスク・ドライブ １１ ハウジング １３ 回転式アクチュエータ １５ 磁気記憶ディスク １７ スピンドル １９ 統合トランスジューサ／サスペンション・リード
・アセンブリ ２１ 移動式コイル ２３ 固定永久磁石アセンブリ ２５ アクチュエータ・アーム ２７ ピボット・ポスト ２９ 支持アーム ３１ サスペンション・セクション ３３ トランスジューサ／スライダ ３５ 制御装置 ３７ 集積回路増幅器アセンブリ ３９ 本体 ４０ 突起 ４１ コイル巻線 ４２、４３、４５ ヨーク ４６ ４８ 磁極片 ４７ 水平磁気ギャップ ４９ リード導体 ５０、５２ 磁極端 ５１ 端子ボンディング・パッド ５３、５５ スタッド・パッド ５７ オーバコート ６０ 垂直ギャップ壁 ６１ 基板 ６３、６７ フォトレジスト層 ６５ ベース基板 ６６ リリース層 ６８ アンダコート層 ６９ めっきフレーム ７０ ピット ７１ 側壁 ７２ 溝 ７４ シード層 ７６ 部分層 ７７ 垂直側壁 ７８ 非磁気材料層 ８０、８１ ペデスタル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリントン・デビッド・シナイダー アメリカ合衆国95030、カリフォルニア 州ロス・ガトス、エル・ランチョ・アベ ニュー 17341 (56)参考文献 特開 昭63−83907（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−364208（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−134609（ＪＰ，Ａ)

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なとも１つの磁気記憶ディスクと、前記
    磁気記憶ディスクを回転させるドライブ機構と、サスペ
    ンション部材上に支持される磁気トランスジューサを前
    記磁気記憶ディスクの表面の近くに移動するアクチュエ
    ータ機構とを含む磁気ディスク記憶システムに組み込ま
    れるべき薄膜型磁気トランスジューサを製造する方法で
    あって、 基板とリリース層が側壁を有するピットを規定するよう
    に、表面に前記リリース層が形成された前記基板を提供
    するステップと、 前記ピット内に、前記ピットの前記側壁により両端部が
    支持される非磁性材料の垂直壁を形成するステップと、 各々が磁気ギャップを規定する前記垂直壁により互いに
    分離され、対向して前記ピット内に配置される磁極端を
    有する磁気材料の第１及び第２の磁極片を形成するステ
    ップと、 前記磁極片を磁気的に結合するステップと、 前記リリース層を除去することにより、前記基板を前記
    基板上に形成される磁気トランスジューサから分離する
    ステップと、 を含む方法。
  2. 【請求項２】前記ピットが前記磁極端が配置される溝を
    含む請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】前記垂直壁の形成ステップは、 所定のエッチング雰囲気でエッチングされる第１の材料
    から形成され前記ピットのほぼ中央部分を横断する垂直
    エッジ端面を有する部分層を前記ピットを含む前記リリ
    ース層上に形成するステップと、 前記所定エッチング雰囲気とは異なる異方性エッチング
    雰囲気でエッチングされる非磁性材料の絶縁層を前記部
    分層の露出面上に一様に付着するステップと、 前記絶縁層を前記異方性エッチング雰囲気に曝して該絶
    縁層の水平部分を選択的に除去し、次に前記所定エッチ
    ング雰囲気に曝して前記部分層を除去することにより、
    両端部が前記ピットの側壁で支持された露出した垂直壁
    を形成するためのステップと、 から成る請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】前記第１の材料が金属材料から成る請求項
    ３記載の方法。
  5. 【請求項５】前記第１の材料がポリマ材料から成る請求
    項３記載の方法。
  6. 【請求項６】少なとも１つの磁気記憶ディスクと、前記
    磁気記憶ディスクを回転させるドライブ機構と、サスペ
    ンション部材上に支持される磁気トランスジューサを前
    記磁気記憶ディスクの表面の近くに移動するアクチュエ
    ータ機構とを含む磁気ディスク記憶システムに組み込ま
    れるべき薄膜型磁気トランスジューサを製造する方法で
    あって、 基板とリリース層が側壁を有するピットを規定するよう
    に、表面に前記リリース層が形成された前記基板を提供
    するステップと、 前記ピットのほぼ中央部分を横断する垂直エッジ端面を
    有し該ピットのほぼ半分を覆うポリマ材料の部分層を前
    記ピットを含む前記リリース層上に形成するステップ
    と、 非磁性材料の絶縁層を前記部分層の露出面上に一様に付
    着するステップと、 前記絶縁層を異方性エッチング雰囲気に曝して、該絶縁
    層の水平部分を選択的に除去することにより、前記垂直
    エッジ端面において前記部分層へ付着された垂直壁を前
    記ピット内に形成するためのステップと、 前記部分層及び前記垂直壁の露出面を含む前記リリース
    層上にポリマ材料の第２の層を一様に付着するステップ
    と、 対向する各磁極端が前記垂直壁の露出した各側面に対接
    して前記ピット内に配置されるように磁性材料の第１及
    び第２の磁極片を形成するステップと、 前記両磁極片を磁気的に結合するステップと、 前記リリース層を除去することにより、前記基板上に形
    成された磁気トランスジューサを前記基板から分離する
    ステップと、 を含む方法。
  7. 【請求項７】前記ポリマ材料から成る前記部分層及び前
    記第２層をパターニング及びエッチングし、前記第１及
    び第２の磁極片のためのめっきフレームを形成するステ
    ップを含む請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】前記磁極片に誘導的に結合される磁気誘導
    コイル及び前記コイル用の電気リードを形成するステッ
    プと、 前記磁極片と単体として統合されるサスペンション部材
    を形成するステップと、 を含む請求項１又は６記載の方法。
  9. 【請求項９】前記磁性材料がニッケル、鉄、コバルト、
    ニッケル鉄、及びニッケル、鉄又はコバルトの磁石合金
    を含むグループから選択される材料から成る請求項１又
    は６記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記垂直壁が酸化アルミニウム及び酸化
    ケイ素を含むグループから選択される材料から構成され
    る請求項３又は６記載の方法。
  11. 【請求項１１】磁気ディスク記憶システムを製造する方
    法であって、 少なくとも１つの磁気記憶ディスクと、 前記磁気記憶ディスクを回転するドライブ機構と、 サスペンション部材上に支持される磁気トランスジュー
    サを、前記磁気記憶ディスクの表面の近くに移動するア
    クチュエータ機構と、 を含む薄膜型磁気トランスジューサを提供するステップ
    であって、前記トランスジューサが、 基板とリリース層が側壁を有するピットを規定するよう
    に、表面に前記リリース層が形成された前記基板を提供
    するステップと、 前記ピット内に、前記ピットの前記側壁により端部が支
    持される非磁気材料の垂直壁を形成するステップと、 各々が磁気ギャップを規定する前記垂直壁により互いに
    分離され、対向して前記ピット内に配置される磁極端を
    有する、磁気材料の第１及び第２の磁極片を形成するス
    テップと、 前記磁極片を磁気的に結合するステップと、 前記リリース層を除去することにより、前記基板を前記
    基板上に形成される磁気トランスジューサから分離する
    ステップと、 から成る方法により製造される方法。
  12. 【請求項１２】前記ピットが前記磁極端が配置される溝
    を含む請求項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】前記垂直壁の形成ステップは、 前記ピットを横断して形成される垂直エッジ端面を有す
    るポリマ材料の部分層を形成するステップと、 前記垂直エッジ端面を含む前記部分層の露出面上に非磁
    性材料の絶縁層を付着するステップと、 前記垂直エッジ端面上に付着された前記絶縁層部分を残
    すように、前記絶縁層の水平部分を除去することによ
    り、前記ピットを横断して延びる前記垂直壁を形成する
    ためのステップと、 ホリマ材料の第２の層を、前記リリース層及び前記部分
    層を含む前記ピット上に付着するステップと、 から成る請求項１１記載の方法。
  14. 【請求項１４】前記ポリマ材料の部分層及び第２の層を
    パターニング及びエッチングし、前記第１及び第２の磁
    極片のためのめっきフレームを形成するステップを含む
    請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】前記薄膜型磁気トランスジューサが前記
    サスペンション部材と統合された単体として製作される
    請求項１，６又は１１記載の方法。
  16. 【請求項１６】少なとも１つの磁気記憶ディスクと、前
    記磁気記憶ディスクを回転させるドライブ機構と、サス
    ペンション部材上に支持される磁気トランスジューサを
    前記磁気記憶ディスクの表面の近くに移動するアクチュ
    エータ機構とを含む磁気ディスク記憶システムに組み込
    まれるべき薄膜型磁気トランスジューサを製造する方法
    であって、 基板とリリース層が対向側壁を有するピットを規定する
    ように、表面に前記リリース層が形成された前記基板を
    提供するステップと、 前記ピットの中中央部分と前記各側壁との間において前
    記ピットの底壁上に一対の支持脚台を対向して形成する
    ステップと、 前記ピットのほぼ中央部分を横断して前記支持脚台の外
    側壁上へ延びる垂直エッジ端面を有し該ピットのほぼ半
    分を覆うポリマ材料の部分層を前記ピットを含む前記リ
    リース層上に形成するステップと、 非磁性材料の絶縁層を前記部分層の露出面上に一様に付
    着するステップと、 前記絶縁層を異方性エッチング雰囲気に曝して該絶縁層
    の水平部分を選択的に除去し、次に別のエッチング雰囲
    気に曝して前記部分層を除去することにより、両端部が
    前記支持脚台の外側壁で支持された露出した垂直壁を形
    成するためのステップと、 対向する各磁極端が前記露出した垂直壁の各側面に対接
    して前記ピット内に配置されるように磁性材料の第１及
    び第２の磁極片を形成するステップと、 前記両磁極片を磁気的に結合するステップと、 前記リリース層を除去することにより、前記基板上に形
    成された磁気トランスジューサを前記基板から分離する
    ステップと、 から成る方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2701796B2 (ja) * 1995-06-30 1998-01-21 日本電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JPH1147463A (ja) * 1997-08-04 1999-02-23 Izumi Prod Co 電気かみそり
US6016242A (en) * 1998-03-20 2000-01-18 Seagate Technology, Inc. Narrow top poles for inductive magnetic heads, masks and processes for making the same
US6136243A (en) * 1998-06-04 2000-10-24 Case Western Reserve University Method for molding high precision components
FR2780196B1 (fr) * 1998-06-23 2000-09-22 Thomson Csf Procede de realisation d'une tete magnetique d'enregistrement/lecture et application a une tete matricielle
US6198609B1 (en) 1998-11-09 2001-03-06 Read-Rite Corporation CPP Magnetoresistive device with reduced edge effect and method for making same
US6779249B2 (en) * 2001-03-23 2004-08-24 International Business Machines Corporation Method and device for determining in-process characteristics of fabricated magnetic heads
JP2002298312A (ja) 2001-03-28 2002-10-11 Hitachi Ltd 磁気ヘッドおよびその製造方法
US7468864B2 (en) * 2004-07-01 2008-12-23 Headway Technologies, Inc. Magnetic head for perpendicular magnetic recording and method of manufacturing same
US7360296B2 (en) * 2004-09-30 2008-04-22 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for reducing damage to sliders during lapping
US8351152B2 (en) * 2009-08-25 2013-01-08 International Business Machines Corporation Magnetic writer structures formed using post-deposition tilting
US10099253B2 (en) * 2014-12-10 2018-10-16 uBeam Inc. Transducer with mesa

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930227A (ja) * 1982-08-10 1984-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘツドの製造方法
FR2604021B1 (fr) * 1986-09-17 1988-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de tetes magnetiques en couches minces et a structure planaire et tete obtenue par ce procede
FR2612676B1 (fr) * 1987-03-19 1993-12-31 Commissariat A Energie Atomique Tete magnetique de lecture pour piste de tres faible largeur et procede de fabrication
US4912584A (en) * 1988-03-09 1990-03-27 Digital Equipment Corporation Method for fabricating magnetic recording poles
FR2651912B1 (fr) * 1989-09-12 1991-10-31 Europ Composants Electron Procede de realisation des pieces polaires et de l'entrefer de tetes magnetiques en couches minces pour application informatique audio ou video.
JPH04364208A (ja) * 1990-08-10 1992-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法

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