JP2666772B2

JP2666772B2 - 超音波加熱を用いた半導体集積回路配線系の検査法および装置

Info

Publication number: JP2666772B2
Application number: JP7128049A
Authority: JP
Inventors: 清二川
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-05-26
Filing date: 1995-05-26
Publication date: 1997-10-22
Anticipated expiration: 2012-10-22
Also published as: JPH08320359A; US5815002A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの検査法
に関し、特に半導体集積回路チップ上において配線の通
電状態や配線の欠陥を観測する手法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の故障解析法・検査法は、
たとえば特開平６−３００８２４号公報「半導体集積回
路内部相互配線の検査方法および装置」や特願平６−２
３０６７２号明細書（平成６年８月３１日出願）「半導
体集積回路チップ上の配線の通電状態を試験する方法」
にあるように、レーザ、電子、またはイオンビームを対
象領域に走査しながら照射し、その照射による温度上昇
に起因した抵抗増加を、定電圧源を用いて電流変化とし
てとらえ、ビーム走査と同期して対象配線の電流変化を
照射位置ごとに輝度あるいは疑似カラーとしてＣＲＴに
表示することで、配線中のボイドやＳｉ析出の検出や配
線に流れる電流の観測を行っていた。

【０００３】ここで、この原理について簡単に説明す
る。ビームを配線に照射した際の温度上昇による影響
は、配線の両端に定電圧が印加されている場合、電流の
変化（ΔＩ）は、次のように近似できる。

【０００４】ΔＩ≒（ΔＲ／Ｒ）Ｉ（式１）ここで、Ｒ：ビーム照射がない時の配線の抵抗、ΔＲ：
ビーム照射による配線の抵抗変化分、Ｉ：ビーム照射が
ない時の配線に流れる電流、である。

【０００５】従って、他の条件を一定にしておけば、Δ
Ｉを観測することで、ΔＲとＩの積が分かる（Ｒは観察
対象の配線が決まれば不変）。さらに、Ｉを一定にすれ
ば、配線内の各場所毎でのΔＲの違いが分かる。また、
ΔＲを一定にすれば、Ｉの値が観測できる。個々に、も
う少し、詳しく説明する。

【０００６】（１）各場所毎でのΔＲの違いの観測：欠
陥（ボイドやＳｉ析出）の観測（特開平６−３００８２
４号公報参照）ビームの条件や、被照射箇所の材質が同一なら、場所毎
のΔＲの違いは、各箇所での熱伝導の違いによる。配線
中にボイドやＳｉ析出等の欠陥があれば、熱伝導が異な
るため、この効果により観測できることが、実験的にも
確認されている。配線中のボイドやＳｉ析出は、集積回
路の信頼性決定要因として重要な欠陥であるため、この
効果は重要である。

【０００７】（２）Ｉの値の観測（特願平６−２３０６
７２号明細書参照）欠陥が無い配線部分（配線のほとんどの部分）に着目す
れば、Ｉが観測できる。この絶対値を知るには、ΔＲと
Ｒの値を知る必要があり、容易ではないが、正常なもの
との比較で、異常電流の有無を知ることは、容易に出来
る。

【０００８】以下では、簡単のために、この現象をＢＩ
ＲＣＨ（ＢｅａｍＩｎｄｕｃｅｄＲｅｓｉｓｔａｎｃ
ｅＣＨａｎｇｅ）と呼ぶ。日本語では「ビーム照射加
熱抵抗変化検出法」と呼ぶ。レーザ、電子、イオンの個
々について呼ぶ場合は、各々ＯＢＩＲＣＨ，ＥＢＩＲＣ
Ｈ，ＩＢＩＲＣＨと呼ぶ（Ｏ：Ｏｐｔｉｃａｌ，Ｅ：Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ，Ｉ：Ｉｏｎ）。

【０００９】また、ビームによる加熱を用いる方法とし
て、レーザビーム加熱による熱電効果を利用したＮＢ
ＯＢＩＣと呼ばれる方法も、配線系のボイド等の異常検
出に有効であることが、示されている（小山等、９４年
秋応物予稿集、２２ａ−ＺＰ−１０，ｐ．５８６）。こ
の方法の工程で、ＢＩＲＣＨ法と異なる点は対象となる
集積回路に電圧を印加しないと言う点のみで、他は同じ
である。電圧が印加されておらず電流が流れていないた
め、電流観測には用いることが出来ない。配線系に欠陥
がある場合にはその近傍で熱電能が異なるため、熱起電
力が発生し、それが電流として検出される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】この従来の故障解析法
・検査法には次の２つの大きな問題点があり、実製品へ
の適用の妨げとなっていた。

【００１１】（１）レーザビームや電子ビームを照射し
た際には、チップの基板の半導体中に電子・正孔対が発
生し、それが電流を発生する（レーザビームの場合には
ＯＢＩＣ現象、Optical Beam Induced Current。電子ビ
ームの場合にはＥＢＩＣ現象、Electron Beam Induced
Current 。以下簡単のためにＯＢＩＣの場合のみ説明す
るが、ＥＢＩＣの場合も同様である。）。ＯＢＩＣ像は
上記ＯＢＩＲＣＨ像とＮＢＯＢＩＣにオーバーラップ
する形で現れる。通常のＯＢＩＣ信号の方が、ＯＢＩＲ
ＣＨ信号やＮＢＯＢＩＣ信号より強く、電流変化検出
系のダイナミックレンジが両方の信号を増幅できるだけ
の十分な幅を有しないため、ＯＢＩＲＣＨ像とＮＢＯ
ＢＩＣ像がＯＢＩＣ像に埋もれ見えなくなる。ＴＥＧ
（Test Element Group）の場合にはＯＢＩＣ信号が現れ
ないような結線が可能であるが、製品の場合には通常は
不可能であり、これが、ＯＢＩＲＣＨ法とＮＢＯＢＩ
Ｃ法の実用化の大きな障害の一つになっていた。

【００１２】（２）イオンビームを用いた場合は、照射
箇所がスパッタされるため、非破壊での検査は困難であ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るために、本発明の故障解析法・検査法では、ビームと
して、超音波ビームを用いる。この手法におけるビーム
の役割は、局所的加熱を行うことであるから、光、電
子、イオンの代わりに超音波を用いることができる。ま
た、超音波を用いることで、上述の問題点は一気に解決
できる。すなわち、超音波ビームの場合にはレーザビー
ムや電子ビームの時のような電子・正孔対の発生はな
く、また、イオンビームのような破壊的要素はない。

【００１４】図１に本発明の第１の方法の工程を示す。
他の第２〜４の方法については逐次述べる。集積回路に
電圧を印加する工程、その後超音波ビームを集積回路チ
ップ上の被観測領域に照射する工程、その際集積回路の
グランド端子から流れ出る電流の変化を検出する工程か
らなる。電流変化の検出は、グランド端子でなく電源端
子や信号端子で行っても良いが、出力をオープンにして
おけばグランド端子に集積回路に流れる全電流が流れる
ため、変化を検出する箇所としては最も適している。こ
の際、入力端子から集積回路の特定の状態を設定するた
めのテストパタンを入力すれば、その特定の状態での観
測が出来る。

【００１５】図２に本発明の第１の方法の原理を、図３
に本発明の第１の方法の構成を示す。これは従来法であ
るＯＢＩＲＣＨ法でのレーザの代わりに、超音波を用い
ることで実現できる。その他付随的に異なる点は、試料
回りがレーザの場合は大気中であり、電子、イオンの場
合は真空中であったのに対し、超音波の場合は、大気中
ではあるが、超音波を伝達するための液体（通常は水）
が必要な点である。水は、チップ表面にスポイト等で滴
下すれば表面張力により保持される。

【００１６】このように、加熱手段として超音波を用い
ることにより、従来法では不可能であった、製品でのＯ
ＢＩＲＣＨ像やＮＢＯＢＩＣ像（光ではないので、Ｏ
ＢＩＲＣＨやＯＢＩＣと言う言葉は適切ではないので以
降ＡｃｏｕｓｔｉｃＢｅａｍＨｅａｔｅｄＣｕｒ
ｒｅｎｔＣｈａｎｇｅ：ＡＢＨＣＣと呼ぶ。ＡＢＨＣ
Ｃ法はバイアス印加法と無バイアス法の両方を含み、さ
らにバイアス印加の方法も電圧印加と電流印加の両方を
含む。）の観測が可能になり、故障箇所絞り込みから物
理的解析までの一連の故障解析や検査が、一台の装置で
可能になる。

【００１７】図１の工程、図２の原理、図３の構成は従
来のＯＢＩＲＣＨ法のレーザビームを超音波ビームに置
き換えたものだが、これをＡＢＨＣＣ−ＢＶＩ（ＢＶＩ
はＢｉａｓ印加法の内、電圧印加、電流検出法であるこ
とを示す）と表記する。これ以外に３つのバリエーショ
ンがあり、４つの方法をそれぞれ使い分けることで補完
的に用いることが出来る。４つの方法は、バイアス印加
の有無の二通りと電流変化検出か電圧変化検出の二通り
の組み合わせの、４通りである。

【００１８】第２の方法の工程を図６に、原理を図７、
８に、構成を図９に示す。これは、ＡＢＨＣＣ−ＢＶＩ
でバイアスをゼロにしたものに相当する。ＡＢＨＣＣ−
ＮＢＩ（ＮｏｎＢｉａｓで、電流を検出する方法であ
る事を示す）と表記する。図６に示すように工程は、超
音波ビームを集積回路チップ上の被観測領域に照射する
工程、その際集積回路のグランド端子から流れ出る電流
の変化を検出する工程からなる。電流変化の検出は、グ
ランド端子でなく電源端子や信号端子で行っても良い。
また、電流を検出する端子以外は、接地してもオープン
にしても良い。このような組み合わせは、莫大な数にな
るが、ここではグランド端子から流れ出る電流の変化を
検出する場合の２例のみ示す。図７が電源端子を接地し
た場合、図８が電源端子をオープンにした場合である。
何れの場合でも、超音波ビームを照射したことによる加
熱により、被照射箇所の熱電能が作用し電位差が発生し
た際の電流の変化が検出される。電流の発生は過渡的で
あるため、電源端子がオープンの場合でも検出可能であ
る。熱電能は、欠陥が存在する箇所では、欠陥が存在し
ない箇所と異なるため、発生電流に両者の差が生じるた
め欠陥が検出できる。

【００１９】第３の方法の工程を図１０に、原理を図１
１に、構成を図１２に示す。これは電流を印加し、電圧
変化を検出する場合である。ＡＢＨＣＣ−ＢＩＶ（ＢＩ
ＶはＢｉａｓ印加法の内、電流印加、電圧検出法である
ことを示す）と表記する。図１０に示す工程は、集積回
路に電流を印加する工程、その後超音波ビームを集積回
路チップ上の被観測領域に照射する工程、その際集積回
路の電源・グランド端子間の電圧の変化を検出する工程
からなる。電圧変化の検出は、電源・グランド端子間で
なく他の端子間で行っても良いが、この間がチップ全体
の変化を最も反映するため、変化を検出する箇所として
は最も適している。この際、入力端子から集積回路の特
定の状態を設定するためのテストパタンを入力すれば、
その特定の状態での観測が出来る。

【００２０】ＡＢＨＣＣ−ＢＩＶの場合の電圧変化はΔＶ＝ΔＲ・Ｉ（式２）と表せる。ここで、 ΔＶ：ビーム照射による電圧変化 ΔＲ：ビーム照射による抵抗変化、ボイド等の欠陥があ
ると増加大Ｉ：ビーム照射がないときに配線に流れる電流値である。

【００２１】この式から分かるとおり、この方法でもボ
イド等の欠陥だけでなく、ビームを照射した配線に流れ
ている電流の観測も出来る。

【００２２】第４の方法の工程を図１３に、原理を図１
４、１５に、構成を図１６に示す。これは、ＡＢＨＣＣ
−ＢＩＶでバイアスをゼロにしたものに相当する。ＡＢ
ＨＣＣ−ＮＢＶ（ＮｏｎＢｉａｓで、電圧を検出する
方法である事を示す）と表記する。図１３に示すように
工程は、超音波ビームを集積回路チップ上の被観測領域
に照射する工程、その際集積回路の電源端子・グランド
間の電圧変化を検出する工程からなる。電圧変化の検出
は、電源端子・グランド間でなく、他の端子間で行って
も良いが、電源端子・グランド間がチップ全体の変化を
最も反映するため、変化を検出する箇所としては最も適
している。また、電圧を検出する端子以外は、接地して
もオープンにしても良い。このような組み合わせは、莫
大な数になるが、ここでは２例のみ示す。共に、電源端
子・グランド間の電圧変化を検出する場合で、図１４が
グランド端子を接地した場合、図１５がグランド端子を
オープンにした場合である。この場合も、第２の方法と
同じく、超音波ビームの照射時の加熱により、被照射箇
所の熱電能が作用し、その結果電位差が現れ、欠陥の有
無による熱電能の差により、欠陥の検出が出来る。

【００２３】

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。

【００２４】図１は本発明の第１の実施例の処理動作を
示すフローチャートであり、図２は本発明の第１の実施
例の原理を説明するための図であり、図３は本発明の第
一の実施例による配線系検査装置の構成を示す構成図で
あり、図４は本発明の第１の実施例の処理動作の内、電
流像や欠陥像を取得する際の処理動作を示すフローチャ
ートであり、図５は本発明の第１の実施例の処理動作の
内、電流波形を取得する際の処理動作を示すフローチャ
ートである。尚、本発明の第１の実施例の原理は図２に
よる上記の説明の通りである。

【００２５】図３に示すとおり、本発明による第一の実
施例による配線系検査装置は超音波ビームを発生する超
音波ビーム発生部９と、超音波を集束する超音波レンズ
１０と、試料（集積回路）１を載置する試料台１１と、
定電圧源５と、電流変化検出部７と、システム全体の制
御および取得した信号の処理を行うシステム制御・信号
処理部１２と、取得した信号を元に電流や欠陥の像また
は電流波形を表示する像・波形表示部１３と、試料の集
積回路をある特定の状態に設定するためのテストパタン
発生部１４とから構成されている。

【００２６】試料台１１はＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方
向に各々稼働自在となっている。この試料台１１に試料
１を載置し、試料１上に水をスポイト等で滴下し表面張
力により保持させた後、試料台１１を稼働させて試料１
を超音波ビームの照射位置まで移動する。この後に、定
電圧源５から試料１に電力を供給し、超音波ビーム発生
部９で発生した超音波を超音波レンズ１０で細くビーム
状に絞り、試料１上の観測したい領域に照射する。照射
する方法としては、電流像や欠陥像を観測したいときに
は被観測領域に走査し、電流波形を観測したいときは被
観測点１点に照射する。この際、試料である集積回路の
ある特定状態での観測を行いたいときは、テストパタン
発生部１４からテストパタンを発生させ、所望の特定状
態に設定する。超音波ビーム発生部９としては、周波数
１〜３ＧＨｚ、超音波レンズと試料との間に水を充填す
るとそこでの波長は０．５〜１．５μm である。

【００２７】電流像や欠陥像を取得する際は、超音波ビ
ームを被観察領域でデジタル的に縦５１２×横５１２の
計２６２，１４４点を走査する（図４、Ｓ４）、各点で
の滞留時間は２μｓで、一回の走査は約０．５秒であ
る。電流変化検出部７では、各点を走査したときの各点
での電流変化を検出し電圧に変換する（図４、Ｓ５）。
システム制御・信号処理部１２では、この電圧をＡＤ変
換（８ビット：２５６階調）した後その走査点に対応し
たメモリ番地に記憶し（図４、Ｓ６）、所望の領域を走
査した後（図４のＳ７でＹＥＳ）、走査領域に対応した
像・波形表示部１３の領域上の、メモリ番地に対応した
各点に、記憶した電圧値を、輝度あるいは疑似カラーで
２５６階調表示する（図４、Ｓ８）。

【００２８】電流波形を取得する際は、超音波ビームを
パルス状（周期２μｓ、パルス幅１μｓ）に試料上の被
観測点に照射する（図５、Ｓ９）。電流変化検出部７で
は、各パルス照射時間内での電流変化を平均化し電圧に
変換する（図５、Ｓ１０）。システム制御・信号処理部
１２では、この電圧をＡＤ変換（８ビット：２５６階
調）しその時間に対応したメモリ番地に記憶し（図５、
Ｓ１１）、所望の時間照射した後（図５のＳ１２でＹＥ
Ｓ）、像・波形表示部１３に横軸を時間、縦軸を電圧値
に対応させ、メモリ番地に対応した各時間点に、記憶し
た電圧値をプロットする。この縦軸を電流値と読み換え
れば電流波形が得られる。この際、さらに高い時間分解
能を得たい場合には超音波ビームのパルス幅と周期を短
くする。一度の照射で十分なＳ／Ｎ（信号対ノイズ比）
が得られない場合でも、被測定電流が周期的な場合に
は、図５のＳ１０からＳ１２のくり返しを電流の周期と
同期させ、同一位相での電圧値を積算しメモリに記憶す
ることにより、Ｓ／Ｎを改善することが可能である。

【００２９】上記の図１、図２、図３、図４および図５
を用いて本発明の第１の実施例による集積回路（試料
１）の検査について説明する。

【００３０】図２において、図３と同じものは同じ符号
で示している。１は集積回路などの試料、２は集積回路
チップ、３はグランド端子、４は電源端子、５は定電圧
源、６は超音波ビーム、７は電流変化検出部、８はチッ
プ表面の水である。

【００３１】試料１のチップ上の配線系の検査を行う場
合、先ず試料１の被観察領域が超音波ビーム６による照
射が可能な位置に来るように、試料１を試料台１１で移
動させた後に、定電圧源５から試料１に電力を供給す
る。さらに、試料１を所望の電気的状態に設定するため
にテストパタン発生部１４から、所定のテストパタンを
入力し、所望の状態を設定する。

【００３２】この状態で、超音波ビーム６を被観察領域
に照射し、その被観察領域をデジタル的に走査する（図
４、Ｓ４）。その後、上述の通り図４、Ｓ５〜８のステ
ップに従って、電流像あるいは欠陥像を得ることが出来
る。電流像や欠陥像を観測した結果、ある特定の点での
電流波形が得たい場合には、上述の図５、Ｓ９〜１３の
ステップに従って、電流波形を得ることが出来る。

【００３３】図６は本発明の第２の実施例の処理動作を
示すフローチャートであり、図７は本発明の第２の実施
例の内、電源端子を接地する場合の原理を説明する図で
あり、図８は本発明の第２の実施例の内、電源端子をオ
ープンにする場合の原理を説明する図であり、図９は本
発明の第２の実施例による配線系検査装置の構成を示す
構成図である。尚、本発明の第２の実施例の原理は図７
および図８による上記の説明の通りである。図中、図２
と同じものは同じ符号で示した。

【００３４】図９に示すとおり、本発明による第一の実
施例による配線系検査装置は、定電圧源５およびテスト
パタン発生部１４に（）が付いている以外は、本発明
の第１の実施例による配線系検査装置の構成を示す構成
図である図３と同じである。これは、二つの場合がある
ことを示している。

【００３５】（場合１）：（）内が無い場合この場合は、超音波ビームの照射箇所によらず、図７ま
たは図８の原理による観測が出来る。

【００３６】（場合２）：（）内がある場合、すなわ
ち図３と同じ構成の場合この場合は、超音波ビームの照射箇所の配線に十分な電
流が流れている場合は、図２の原理による観測がなされ
る。これは、第１の実施例と同じである。しかし、超音
波ビームの照射箇所の配線に十分な電流が流れていない
場合は、図７または図８の原理による観測が行われるこ
とになる。

【００３７】第２の実施例の場合は電流像や電流波形の
観測は出来ず、欠陥像の観測が出来るのみである。しか
し、電流が流れていない箇所の観測も可能であるため、
実施例１に比べ、観測可能領域は広い。但し、欠陥像の
観測の場合の欠陥の検出感度は、第１の実施例の方法の
方が第２の実施例の方法より勝っていることが実験的に
示されている。従って、双方の特徴を生かした使い分け
が必要である。

【００３８】欠陥像を取得する際の工程は、第１の実施
例で図４に示したのと同じである。

【００３９】図１０は本発明の第３の実施例の処理動作
を示すフローチャートであり、図１１は本発明の第２の
実施例の原理を説明する図であり、図１２は本発明の第
３の実施例による配線系検査装置の構成を示す構成図で
ある。尚、本発明の第３の実施例の原理は図１１による
上記の説明の通りである。図中、図２と同じものは同じ
符号で示した。１５は定電流源、１６は電圧変化検出部
である。

【００４０】図１２に示すとおり、本発明による第３の
実施例による配線系検査装置は、定電圧源５が定電流源
１５に、電流変化検出部７が電圧変化検出部１６に置き
換わった以外は、本発明の第１の実施例による配線系検
査装置の構成を示す構成図である図３と同じである。

【００４１】第３の実施例の場合は、電圧変化検出の方
が、電流変化検出よりも容易に実行できるという面で、
第１実施例よりも有利である。

【００４２】図１３は本発明の第４の実施例の処理動作
を示すフローチャートであり、図１４は本発明の第４の
実施例の内、グランド端子を接地する場合の原理を説明
する図であり、図１５は本発明の第４の実施例の内、グ
ランド端子をオープンにする場合の原理を説明する図で
あり、図１６は本発明の第４の実施例による配線系検査
装置の構成を示す構成図である。尚、本発明の第４の実
施例の原理は図１４および図１５による上記の説明の通
りである。図中、図１１と同じものは同じ符号で示し
た。

【００４３】図１６に示すとおり、本発明による第４の
実施例による配線系検査装置は、定電流源１５およびテ
ストパタン発生部１４に（）が付いている以外は、本
発明の第３の実施例による配線系検査装置の構成を示す
構成図である図１２と同じである。これは、二つの場合
があることを示している。

【００４４】（場合１）：（）内が無い場合この場合は、超音波ビームの照射箇所によらず、図１４
または図１５の原理による観測が出来る。

【００４５】（場合２）：（）内がある場合、すなわ
ち図１２と同じ構成の場合この場合は、超音波ビームの照射箇所の配線に十分な電
位差がある場合は、図１１の原理による観測がなされ
る。これは、第３の実施例と同じである。しかし、超音
波ビームの照射箇所の配線の両端に十分な電位差がない
場合は、図１４または図１５の原理による観測が行われ
ることになる。

【００４６】第４の実施例の場合は図１４または図１５
による上記の説明で記したとおり、電流像や電流波形の
観測は出来ず、欠陥像の観測が出来るのみである。しか
し、電圧変化検出の方が、電流変化検出よりも容易に実
行できるという面で、第４の実施例も有効である。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は半導体集
積回路チップ上の配線やビアホールといった配線系の検
査を、半導体基板が観測系に含まれる場合でも可能にし
たので、従来は困難であった、実製品での配線系の電流
観測や欠陥検出を可能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の処理動作を示すフロー
チャートである。

【図２】本発明の第１の実施例の原理を説明する図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施例による配線系検査装置の
構成を示す構成図である。

【図４】本発明の第１の実施例の処理動作の内、電流像
や欠陥像を取得する際の処理動作を示すフローチャート
である。

【図５】本発明の第１の実施例の処理動作の内、電流波
形を取得する際の処理動作を示すフローチャートであ
る。

【図６】本発明の第２の実施例の処理動作を示すフロー
チャートである。

【図７】本発明の第２の実施例の内、電源端子を接地す
る場合の原理を説明する図である。

【図８】本発明の第２の実施例の内、電源端子をオープ
ンにする場合の原理を説明する図である。

【図９】本発明の第２の実施例による配線系検査装置の
構成を示す構成図である。

【図１０】本発明の第３の実施例の処理動作を示すフロ
ーチャートである。

【図１１】本発明の第３の実施例の原理を説明する図で
ある。

【図１２】本発明の第３の実施例による配線系検査装置
の構成を示す構成図である。

【図１３】本発明の第４の実施例の処理動作を示すフロ
ーチャートである。

【図１４】本発明の第４の実施例の内、グランド端子を
接地する場合の原理を説明する図である。

【図１５】本発明の第４の実施例の内、グランド端子を
オープンにする場合の原理を説明する図である。

【図１６】本発明の第４の実施例による配線系検査装置
の構成を示す構成図である。

【図１７】従来技術の構成図である。

【符号の説明】

１集積回路（試料）２集積回路チップ３グランド端子４電源端子５定電圧源６超音波ビーム７電流変化検出部８水（チップ表面）９超音波ビーム発生部１０超音波レンズ１１試料台１２システム制御・信号処理部１３像・波形表示部１４テストパタン発生部１５定電流源１６電圧変化検出部１７レーザビーム発生部１８顕微鏡部１９レーザビーム

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】集積回路チップ上の配線系を検査する方法
であって、集積回路に電圧を印加しつつ、前記配線系に
超音波ビームを照射し、前記集積回路に流れる電流の変
化を検出することを特徴とする半導体集積回路チップ上
の配線系を検査する方法。
【請求項２】集積回路チップ上の配線系を検査する方法
であって、前記配線系に超音波ビームを照射し、前記集
積回路に流れる電流の変化を検出することを特徴とする
半導体集積回路チップ上の配線系を検査する方法。
【請求項３】集積回路チップ上の配線系を検査する方法
であって、集積回路に電流を印加しつつ、前記配線系に
超音波ビームを照射し、前記集積回路端子にあらわれる
電圧の変化を検出することを特徴とする半導体集積回路
チップ上の配線系を検査する方法。
【請求項４】集積回路チップ上の配線系を検査する方法
であって、前記配線系に超音波ビームを照射し、前記集
積回路端子にあらわれる電圧の変化を検出することを特
徴とする半導体集積回路チップ上の配線系を検査する方
法。
【請求項５】集積回路チップ上の配線系を検査する装置
であって、集積回路に電圧を印加する手段と、前記配線
系に超音波ビームを照射する手段と、前記集積回路に流
れる電流の変化を検出する手段とを有することを特徴と
する半導体集積回路チップ上の配線系を検査する装置。
【請求項６】集積回路チップ上の配線系を検査する装置
であって、前記配線系に超音波ビームを照射する手段
と、前記集積回路に流れる電流の変化を検出する手段と
を有することを特徴とする半導体集積回路チップ上の配
線系を検査する装置。
【請求項７】集積回路チップ上の配線系を検査する装置
であって、集積回路に電流を印加する手段と、前記配線
系に超音波ビームを照射する手段と、前記集積回路端子
にあらわれる電圧の変化を検出する手段とを有すること
を特徴とする半導体集積回路チップ上の配線系を検査す
る装置。
【請求項８】集積回路チップ上の配線系を検査する装置
であって、前記配線系に超音波ビームを照射する手段
と、前記集積回路端子にあらわれる電圧の変化を検出す
る手段とを有することを特徴とする半導体集積回路チッ
プ上の配線系を検査する装置。