JP2650249B2 - 光磁気ディスク再生装置 - Google Patents
光磁気ディスク再生装置Info
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- JP2650249B2 JP2650249B2 JP62003398A JP339887A JP2650249B2 JP 2650249 B2 JP2650249 B2 JP 2650249B2 JP 62003398 A JP62003398 A JP 62003398A JP 339887 A JP339887 A JP 339887A JP 2650249 B2 JP2650249 B2 JP 2650249B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、レーザ光の照射によって情報を記録し、
かつ、読み出すことができる光磁気ディスク再生方法に
関するものである。
かつ、読み出すことができる光磁気ディスク再生方法に
関するものである。
本発明は、例えば磁界を印加しながらレーザ光を照射
して情報が記録されているような光磁気ディスクを再生
する際に、照射すべきレーザ光を少なくとも情報のサン
プルレートより高い周期で断続するように制御すると共
に、照射時間より非照射時間が長くなるようにする。そ
のため、照射レーザ光のパワーを高く設定して読み出す
信号の情報の信号レベルを向上させることができ、読み
出し精度を向上しながら、かつ記録情報の劣化を防止す
るように再生することができるようになる。
して情報が記録されているような光磁気ディスクを再生
する際に、照射すべきレーザ光を少なくとも情報のサン
プルレートより高い周期で断続するように制御すると共
に、照射時間より非照射時間が長くなるようにする。そ
のため、照射レーザ光のパワーを高く設定して読み出す
信号の情報の信号レベルを向上させることができ、読み
出し精度を向上しながら、かつ記録情報の劣化を防止す
るように再生することができるようになる。
〔従来の技術〕 近年、光ディスクの反射面に形成されている凹凸のピ
ット情報を、その反射光から読み出すようにした再生専
用の光ディスクに対して、情報の書き換えが可能とされ
た光磁気ディスクも実用化されている。
ット情報を、その反射光から読み出すようにした再生専
用の光ディスクに対して、情報の書き換えが可能とされ
た光磁気ディスクも実用化されている。
第4図はかかる書き換え可能な光磁気ディスクの記録
再生方法を示す概要図で、1はガラス基板2の上に垂直
磁化膜3を被着した光磁気ディスクである。
再生方法を示す概要図で、1はガラス基板2の上に垂直
磁化膜3を被着した光磁気ディスクである。
4は光磁気ディスク1の垂直磁化膜3にレベル光LBを
照射するための光学ヘッドを示し、この光学ヘッド4は
半導体レーザ素子4a,対物レンズ4bを主要な構成要素と
し、図示されていないが、レーザビームの反射光から光
磁気ディスクの各種の情報を検出するための光学系,及
びディテクタ等も内蔵されている。
照射するための光学ヘッドを示し、この光学ヘッド4は
半導体レーザ素子4a,対物レンズ4bを主要な構成要素と
し、図示されていないが、レーザビームの反射光から光
磁気ディスクの各種の情報を検出するための光学系,及
びディテクタ等も内蔵されている。
また、5は前記垂直磁化膜3と対峙して配置されてい
る磁石を示し、この磁石5は主に光磁気ディスク1に情
報を記録する際、または書き込まれた情報を消去する際
に使用される。
る磁石を示し、この磁石5は主に光磁気ディスク1に情
報を記録する際、または書き込まれた情報を消去する際
に使用される。
このような光磁気ディスクは、情報を記録する際に、
例えば磁石5のN極をディスク面に対向し、光磁気ディ
スク1を回転しながらレーザ光LBを照射して垂直磁化膜
3の極性を一方向に揃え消去を行う。
例えば磁石5のN極をディスク面に対向し、光磁気ディ
スク1を回転しながらレーザ光LBを照射して垂直磁化膜
3の極性を一方向に揃え消去を行う。
次に、例えば磁石5のS極をディスク面に対向してレ
ーザ光LBを照射すると、照射時のみ垂直磁化膜3の極性
が反転する。
ーザ光LBを照射すると、照射時のみ垂直磁化膜3の極性
が反転する。
したがって、レーザ光を記録データに対応して照射す
ると光ディスク面に情報を書き込むことができる。
ると光ディスク面に情報を書き込むことができる。
また、再生時には、記録時よりは弱いレーザ光を照射
しながら、その反射光を検出すると、いわゆるカー(Ke
rr)効果によって、反射レーザ光の偏波面が記録データ
によって±θKの角度だけ回転したものが検出できるか
ら、この検出光から記録データを読み出すことができ
る。
しながら、その反射光を検出すると、いわゆるカー(Ke
rr)効果によって、反射レーザ光の偏波面が記録データ
によって±θKの角度だけ回転したものが検出できるか
ら、この検出光から記録データを読み出すことができ
る。
このような光磁気ディスクからデータを読み出す場合
は、以上述べてような公知の光学系により、光ディスク
からの反射光をビームスプリッタ4cによって引き出し第
2のビームスプリッタ4dに入射する。そして、このビー
ムスプリッタ4dによって反射レーザビーム光を2分割
し、2分割された光を所定のアナライザ角θAを有する
アナライザ等を介してホトディテクタ4e,4fによって検
出し、その差成分を差動増幅器4gによって演算すること
により、戻り光の回転角θKの変化量を検出し、光磁気
ディスクの記録データを読み出している。
は、以上述べてような公知の光学系により、光ディスク
からの反射光をビームスプリッタ4cによって引き出し第
2のビームスプリッタ4dに入射する。そして、このビー
ムスプリッタ4dによって反射レーザビーム光を2分割
し、2分割された光を所定のアナライザ角θAを有する
アナライザ等を介してホトディテクタ4e,4fによって検
出し、その差成分を差動増幅器4gによって演算すること
により、戻り光の回転角θKの変化量を検出し、光磁気
ディスクの記録データを読み出している。
このとき、差動増幅器4gの出力Sは S=P Sin2 θA・Sin2 θK ……(1) で検出され、一般的に発光レーザ光の照射パワー(反射
パワー)P,および反射光の回転角θKが大きい程、 が向上する。
パワー)P,および反射光の回転角θKが大きい程、 が向上する。
〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、カー効果によるレーザ光の回転角θK
はきわめて小さく(0.3°)C/Nを向上することは困難で
あった。
はきわめて小さく(0.3°)C/Nを向上することは困難で
あった。
従来はθKが大きくなるような検出方法として、 第5図に示す光学系でディスクにP波を入射しビーム
スプリッタ4Cの特性を反射光のS波の反射率を100%と
し、P波の反射率を例えば20%に減衰して回転角θKが
実質的に大きくなるようにエンハンスする手段が知られ
ている。
スプリッタ4Cの特性を反射光のS波の反射率を100%と
し、P波の反射率を例えば20%に減衰して回転角θKが
実質的に大きくなるようにエンハンスする手段が知られ
ている。
すなわち、第6図に示すように反射レーザ光のP波成
分の透過率をT SIGだけ減少し、S波成分を100%透過す
るようなハーフミラーを介して検出すると、P波成分の
み1/T SIGだけ減少し、見かけ上回転角は±θ′Kに変化
する。この変化分をアナライザ角θAで差動的に検出す
ると、さらに同期成分のノイズが低減される効果を持
つ。
分の透過率をT SIGだけ減少し、S波成分を100%透過す
るようなハーフミラーを介して検出すると、P波成分の
み1/T SIGだけ減少し、見かけ上回転角は±θ′Kに変化
する。この変化分をアナライザ角θAで差動的に検出す
ると、さらに同期成分のノイズが低減される効果を持
つ。
しかし、この方法では反射光の全体的なパワーPが小
さくなるため、出力信号Sの値を大きくすることはでき
ず、実質的にC/Nを向上させることが困難であった。
さくなるため、出力信号Sの値を大きくすることはでき
ず、実質的にC/Nを向上させることが困難であった。
そこで、さらにレーザ照射パワーPを強くすることが
考えられるが、再生時にレーザ照射パワーPの平均パワ
ーを強くすると、垂直磁化膜の温度が局部的に上昇し、
信号の劣化、すなわち回転角θKの減少を招いてC/Nの向
上に寄与しない。
考えられるが、再生時にレーザ照射パワーPの平均パワ
ーを強くすると、垂直磁化膜の温度が局部的に上昇し、
信号の劣化、すなわち回転角θKの減少を招いてC/Nの向
上に寄与しない。
すなわち、第7図に示すように再生時の照射パワーP
を増加するとC/N(dB)は、当初は増加する傾向にある
が、或る一定値(通常の例では大体1mw)となり、さら
にそれ以上の照射パワーになると、垂直磁化膜が温度上
昇して、かえってθKが減少しC/Nが低下し始める。
を増加するとC/N(dB)は、当初は増加する傾向にある
が、或る一定値(通常の例では大体1mw)となり、さら
にそれ以上の照射パワーになると、垂直磁化膜が温度上
昇して、かえってθKが減少しC/Nが低下し始める。
この傾向は再生時のディスクの線速vがv1→v2→v3・
・・・・・と低下すると、益々顕著になることからも、
照射レーザパワーによって垂直磁化膜の温度を上昇する
ことがC/Nの向上を制限している原因となっていること
が伺える。
・・・・・と低下すると、益々顕著になることからも、
照射レーザパワーによって垂直磁化膜の温度を上昇する
ことがC/Nの向上を制限している原因となっていること
が伺える。
本発明はかかる問題点を解決することを目的としてな
されたもので、光磁気ディスクに照射するレーザ光を例
えばサンプルレートによって断続しながら照射し、照射
面の温度上昇を抑制しながら、かつ、高レベルの反射光
を検出するようにしている。
されたもので、光磁気ディスクに照射するレーザ光を例
えばサンプルレートによって断続しながら照射し、照射
面の温度上昇を抑制しながら、かつ、高レベルの反射光
を検出するようにしている。
例えば、レーザ発光源から出力されるレーザビームパ
ワーの断続比、すなわち、デューティを10%(例えば20
nSec対200nSec)に設定すると、従来の再生時に照射す
るレーザパワーを10倍にしても光磁気ディスク面の磁化
膜の温度上昇を同一の値とすることができ、このときに
検出される反射レーザパワーのレベルは10倍位高くする
ことができる。したがって、検出感度が向上し、C/Nが
著しく改善されるようになる。
ワーの断続比、すなわち、デューティを10%(例えば20
nSec対200nSec)に設定すると、従来の再生時に照射す
るレーザパワーを10倍にしても光磁気ディスク面の磁化
膜の温度上昇を同一の値とすることができ、このときに
検出される反射レーザパワーのレベルは10倍位高くする
ことができる。したがって、検出感度が向上し、C/Nが
著しく改善されるようになる。
〔実施例〕 第1図は本発明の再生方法の対称となる光磁気ディス
ク1の概要の一例を示した平面図で、サンプルサーボ方
式のディスクの例である。
ク1の概要の一例を示した平面図で、サンプルサーボ方
式のディスクの例である。
この図でTはトラックの中心、BAはトラックTにあら
かじめエンボス加工等によって所定間隔毎に形成されて
いるアドレスバイト領域(以下サーボバイト領域とい
う)を示す。
かじめエンボス加工等によって所定間隔毎に形成されて
いるアドレスバイト領域(以下サーボバイト領域とい
う)を示す。
また、WAはこのサーボバイト領域BAに続く記録エリア
(データ領域)を示し、この記録エリアWAにレーザ光が
照射されたとき、その垂直磁化膜にデータが記録できる
ようになされている。
(データ領域)を示し、この記録エリアWAにレーザ光が
照射されたとき、その垂直磁化膜にデータが記録できる
ようになされている。
サーボバイト領域BAには拡大図に示されているよう
に、ピットとしてPa,Pb,及びPcがあらかじめ凹凸のエン
ボス加工等によって形成されている。
に、ピットとしてPa,Pb,及びPcがあらかじめ凹凸のエン
ボス加工等によって形成されている。
そして、後述するようにサンプリングパルスP1,P2,P
3,P5のタイミングでこれらのピットPa,Pb,Pcを検出する
ことによって基準のクロック信号CCK,及びトラッキング
制御信号を検出することができ、さらにサンプリングパ
ルスP4のタイミングでフォーカスエラー信号等も検出す
ることができるようになされている。
3,P5のタイミングでこれらのピットPa,Pb,Pcを検出する
ことによって基準のクロック信号CCK,及びトラッキング
制御信号を検出することができ、さらにサンプリングパ
ルスP4のタイミングでフォーカスエラー信号等も検出す
ることができるようになされている。
次に、本発明の光ディスク再生方法に採用できる実施
例の装置の全体構造を第2図で詳述する。
例の装置の全体構造を第2図で詳述する。
この図で記録時には端子Tinから、例えばコンピュー
タ等からインターフェースを介して記録すべきデータD1
が供給される。
タ等からインターフェースを介して記録すべきデータD1
が供給される。
このデータD1は、変調回路9に送られビット変換等を
含んだ所定の変調が施された後、レーザ駆動回路11に送
られる。このレーザ駆動回路11は、前記インターフェー
スから書き込み、読み出しあるいは消去の各モードの制
御信号が与えられており、これに応じて光学ピックアッ
プ10のレーザダイオード12を駆動するための信号を出力
し、データの記録時と消去時には基準クロックとなるチ
ャンネルクロックCCKに応じたタイミングの駆動パルス
信号を、また、読み出し時には後述するような断続駆動
信号を、前記レーザダイオード12に供給する。
含んだ所定の変調が施された後、レーザ駆動回路11に送
られる。このレーザ駆動回路11は、前記インターフェー
スから書き込み、読み出しあるいは消去の各モードの制
御信号が与えられており、これに応じて光学ピックアッ
プ10のレーザダイオード12を駆動するための信号を出力
し、データの記録時と消去時には基準クロックとなるチ
ャンネルクロックCCKに応じたタイミングの駆動パルス
信号を、また、読み出し時には後述するような断続駆動
信号を、前記レーザダイオード12に供給する。
光学ピックアップ10は、レーザダイオード12の他に、
光学系13と、それぞれA,B,C,DとA′,B′,C′,D′に4
分割された2個のフォトディテクタ14A,14B及び検出用
のフォトダイオード15を備えている。
光学系13と、それぞれA,B,C,DとA′,B′,C′,D′に4
分割された2個のフォトディテクタ14A,14B及び検出用
のフォトダイオード15を備えている。
前記フォトダイオード15は、前記レーザダイオード12
が発光するレーザ光の強度を検出するものである。ま
た、前記フォトディテクタ14A,14Bは、光磁気ディスク
1による前記レーザ光の反射光をそれぞれ検光子を介し
て検出するものであり、たとえば、カー回転角θKの磁
化からの信号を検出しようとするときに、一方はカー回
転角θKの変化をプラス成分として検出し、他方はカー
回転角θKの変化をマイナスとして差動的に検出してい
る。
が発光するレーザ光の強度を検出するものである。ま
た、前記フォトディテクタ14A,14Bは、光磁気ディスク
1による前記レーザ光の反射光をそれぞれ検光子を介し
て検出するものであり、たとえば、カー回転角θKの磁
化からの信号を検出しようとするときに、一方はカー回
転角θKの変化をプラス成分として検出し、他方はカー
回転角θKの変化をマイナスとして差動的に検出してい
る。
また、モータMは、モータサーボ回路MDにより、例え
ばPLL(Phase Locked Loop)によるサーボが行われてお
り、前記光磁気ディスク1を所定の速度(角速度)で正
確に回転させている。
ばPLL(Phase Locked Loop)によるサーボが行われてお
り、前記光磁気ディスク1を所定の速度(角速度)で正
確に回転させている。
そして、前記レーザダイオード12から出力されるレー
ザ光は、光学系13を介して光磁気ディスク1に照射され
ると共に、前記フォトダイオード15に一部が入射する。
ザ光は、光学系13を介して光磁気ディスク1に照射され
ると共に、前記フォトダイオード15に一部が入射する。
そして、レーザ光の光強度に応じた前記フォトダイオー
ド15の出力は、直流増幅回路17を介してサンプル・ホー
ルド(S/H)回路18に供給される。このS/H回路18では、
前述したサンプルパルスP4に応じてサンプル・ホールド
動作が行われ、この出力がAPC増幅回路19を介して前記
レーザ駆動回路11にAPC(Automatic Power Control)制
御信号として供給される。これによって、前記レーザダ
イオード12から出力されるレーザ光の光強度が所定値に
保たれるようになっている。
ド15の出力は、直流増幅回路17を介してサンプル・ホー
ルド(S/H)回路18に供給される。このS/H回路18では、
前述したサンプルパルスP4に応じてサンプル・ホールド
動作が行われ、この出力がAPC増幅回路19を介して前記
レーザ駆動回路11にAPC(Automatic Power Control)制
御信号として供給される。これによって、前記レーザダ
イオード12から出力されるレーザ光の光強度が所定値に
保たれるようになっている。
上記光磁気ディスク1による前記レーザ光の反射光が
光学系13を介して入射される前記光学ピックアップ10の
フォトディテクタ14A,14Bの各出力は、それぞれ演算回
路16に送られる。この演算回路16から、上記各フォトデ
ィテクタ14A,14Bの各受光領域による出力の総和信号で
ある光検出信号SA(SA=A+B+C+D+A′+B′
+C′+D′)(直流成分を含む)がフォーカスサーボ
回路21に直接送られると共に、前記各受光領域による出
力からなる光検出信号SB〔SB=(AC−BD)+(A′
C′−B′D′)〕が、サンプルパルスP4に応じてサン
プル・ホールド動作を行うS/H回路22を介して前記フォ
ーカスサーボ回路21に送られる。そして、前記フォーカ
スサーボ回路21にて前記各信号SA,SBに基づいて生成さ
れるフォーカスサーボ制御信号が前記光学ピックアップ
10に送られて、フォーカスの制御が行われるようになっ
ている。
光学系13を介して入射される前記光学ピックアップ10の
フォトディテクタ14A,14Bの各出力は、それぞれ演算回
路16に送られる。この演算回路16から、上記各フォトデ
ィテクタ14A,14Bの各受光領域による出力の総和信号で
ある光検出信号SA(SA=A+B+C+D+A′+B′
+C′+D′)(直流成分を含む)がフォーカスサーボ
回路21に直接送られると共に、前記各受光領域による出
力からなる光検出信号SB〔SB=(AC−BD)+(A′
C′−B′D′)〕が、サンプルパルスP4に応じてサン
プル・ホールド動作を行うS/H回路22を介して前記フォ
ーカスサーボ回路21に送られる。そして、前記フォーカ
スサーボ回路21にて前記各信号SA,SBに基づいて生成さ
れるフォーカスサーボ制御信号が前記光学ピックアップ
10に送られて、フォーカスの制御が行われるようになっ
ている。
また、前記演算回路16からの光検出信号SC(SC=A
+B+C+D+A′+B′+C′+D′)は、ピーク値
検出回路51,S/H回路31,32,33およびサンプリングクラン
プ回路41にそれぞれ送られる。前記光検出信号SCは、
前述した光磁気ディスク1のピット領域BAにおける凹凸
パターンの検出信号である。前記ピーク値検出回路51で
は、前記光検出信号SCのピーク値が検出され、さら
に、固有パターン検出回路52にて前記光磁気ディスク1
上のピットPb,Pc間だけに固有に与えられた間隔を有す
るピットパターンを検出して前記ピットPCの検出を行
い、この検出出力が遅延回路53を介してパルス発生回路
54に送られる。そして、前記パルス発生回路54では、前
記固有パターン検出回路52にて得られる検出出力に基づ
いて前記ピットPCに同期した基準クロックとしてチャ
ンネルクロックCCKを発生すると共に、バイトクロックB
YC,サーボバイトクロックSBCおよび各種のサンプルパル
スP1,P2,P3,P4,P5等を形成して出力する。前記チャンネ
ルクロックCCKは、図示を省略するが全ての回路ブロッ
クに供給されている。前記サンプルパルスP1〜P3はS/H
回路31,32,33に供給されている。
+B+C+D+A′+B′+C′+D′)は、ピーク値
検出回路51,S/H回路31,32,33およびサンプリングクラン
プ回路41にそれぞれ送られる。前記光検出信号SCは、
前述した光磁気ディスク1のピット領域BAにおける凹凸
パターンの検出信号である。前記ピーク値検出回路51で
は、前記光検出信号SCのピーク値が検出され、さら
に、固有パターン検出回路52にて前記光磁気ディスク1
上のピットPb,Pc間だけに固有に与えられた間隔を有す
るピットパターンを検出して前記ピットPCの検出を行
い、この検出出力が遅延回路53を介してパルス発生回路
54に送られる。そして、前記パルス発生回路54では、前
記固有パターン検出回路52にて得られる検出出力に基づ
いて前記ピットPCに同期した基準クロックとしてチャ
ンネルクロックCCKを発生すると共に、バイトクロックB
YC,サーボバイトクロックSBCおよび各種のサンプルパル
スP1,P2,P3,P4,P5等を形成して出力する。前記チャンネ
ルクロックCCKは、図示を省略するが全ての回路ブロッ
クに供給されている。前記サンプルパルスP1〜P3はS/H
回路31,32,33に供給されている。
また、サンプルパルスP4は前記S/H回路18,22に供給さ
れると共に、サンプリングクランプ回路41に供給されて
いる。なお、サンプルパルスP5は例えば光学ピックアッ
プ10の移動方向の検出等にも用いられる。また、前記ピ
ーク値検出回路51および固有パターン検出回路52には、
前記パルス発生回路54からゲートパルスが供給されてい
る。
れると共に、サンプリングクランプ回路41に供給されて
いる。なお、サンプルパルスP5は例えば光学ピックアッ
プ10の移動方向の検出等にも用いられる。また、前記ピ
ーク値検出回路51および固有パターン検出回路52には、
前記パルス発生回路54からゲートパルスが供給されてい
る。
前記各S/H回路31,32,33では、供給される光検出信号
SCについて前記各サンプルパルスP1,P2,P3にてサンプ
ル・ホールド動作が行われる。前記S/H回路31からの出
力と前記S/H回路32からの出力は、コンパレータ34によ
りレベルの比較がなされる。この比較出力はトラッキン
グサーボ/シーク回路36に送られると共に、演算回路35
に送られる。前記減算回路35では、前記コンパレータ34
からの信号と前記S/H回路33からの信号との差信号が形
成され、トラッキングエラー信号として前記トラッキン
グサーボ/シーク回路36に送られる。そして、このトラ
ッキングサーボ/シーク回路36は、前記光学ピックアッ
プ10のトラッキング制御と送り制御を行う。
SCについて前記各サンプルパルスP1,P2,P3にてサンプ
ル・ホールド動作が行われる。前記S/H回路31からの出
力と前記S/H回路32からの出力は、コンパレータ34によ
りレベルの比較がなされる。この比較出力はトラッキン
グサーボ/シーク回路36に送られると共に、演算回路35
に送られる。前記減算回路35では、前記コンパレータ34
からの信号と前記S/H回路33からの信号との差信号が形
成され、トラッキングエラー信号として前記トラッキン
グサーボ/シーク回路36に送られる。そして、このトラ
ッキングサーボ/シーク回路36は、前記光学ピックアッ
プ10のトラッキング制御と送り制御を行う。
また、前記サンプリングクランプ回路41には、前記光
検出信号SCが、また、前記サンプリングクランプ回路4
2には光検出信号SD〔SD=(A+B+C+D)−
(A′+B′+C′+D′)〕がそれぞれ前記演算回路
16から供給されるようになっている。前記光検出信号S
Cは、前述のように光磁気ディスク1のピット領域BAに
おける凹凸パターンの検出信号である。また、前記光検
出信号SDは、光磁気ディスク1のデータ領域WAに書き
込まれているデータの検出信号であって前述したように
レーザ反射光の回転角を検出した記録データである。前
記各サンプリングクランプ回路41,42ではサンプルパル
スにより各信号がそれぞれクランプされ前記マルチプレ
クサ43に送られる。このマルチプレクサ43は、その切り
換え選択動作がシンク検出/アドレスデコード回路45か
らの制御信号により制御されるようになっている。例え
ば、先ず、光検出信号SCがサンプリングクランプ回路4
1およびマルチプレクサ43を介してアナログ・デジタル
(A/D)コンバータ44に送られデジタル量に変換された
後、復調回路46に送られるとすると、該復調回路46から
の出力はシンク検出/アドレスデコード回路45に送られ
てシンク(同期信号)の検出がなされると共にアドレス
情報のデコード処理が行われる。そして、コンピュータ
等からインターフェースを介して供給される読み出すべ
きデータのアドレス情報に応じて、該アドレス情報と実
際のアドレスが一致したところでマルチプレクサ43を切
り換え制御することにより、ディスクのデータ領域WAに
対する光検出信号SDがA/Dコンバータ44,復調回路46に
送られ、出力端子T outからビット変換を含んだ復調処
理を施して得られるデータD0が出力されるようになって
いる。このデータD0はインターフェースを介してコンピ
ュータ等に送られる。また、データの書き込み時には、
前記シンク検出/アドレスデコード回路45から制御信号
が変調回路9に送られ、この制御信号に応じて該変調回
路9から書き込むべきデータがレーザ駆動回路11に送ら
れるようになされている。
検出信号SCが、また、前記サンプリングクランプ回路4
2には光検出信号SD〔SD=(A+B+C+D)−
(A′+B′+C′+D′)〕がそれぞれ前記演算回路
16から供給されるようになっている。前記光検出信号S
Cは、前述のように光磁気ディスク1のピット領域BAに
おける凹凸パターンの検出信号である。また、前記光検
出信号SDは、光磁気ディスク1のデータ領域WAに書き
込まれているデータの検出信号であって前述したように
レーザ反射光の回転角を検出した記録データである。前
記各サンプリングクランプ回路41,42ではサンプルパル
スにより各信号がそれぞれクランプされ前記マルチプレ
クサ43に送られる。このマルチプレクサ43は、その切り
換え選択動作がシンク検出/アドレスデコード回路45か
らの制御信号により制御されるようになっている。例え
ば、先ず、光検出信号SCがサンプリングクランプ回路4
1およびマルチプレクサ43を介してアナログ・デジタル
(A/D)コンバータ44に送られデジタル量に変換された
後、復調回路46に送られるとすると、該復調回路46から
の出力はシンク検出/アドレスデコード回路45に送られ
てシンク(同期信号)の検出がなされると共にアドレス
情報のデコード処理が行われる。そして、コンピュータ
等からインターフェースを介して供給される読み出すべ
きデータのアドレス情報に応じて、該アドレス情報と実
際のアドレスが一致したところでマルチプレクサ43を切
り換え制御することにより、ディスクのデータ領域WAに
対する光検出信号SDがA/Dコンバータ44,復調回路46に
送られ、出力端子T outからビット変換を含んだ復調処
理を施して得られるデータD0が出力されるようになって
いる。このデータD0はインターフェースを介してコンピ
ュータ等に送られる。また、データの書き込み時には、
前記シンク検出/アドレスデコード回路45から制御信号
が変調回路9に送られ、この制御信号に応じて該変調回
路9から書き込むべきデータがレーザ駆動回路11に送ら
れるようになされている。
上記したような装置において、本発明の再生方法で
は、再生時にパルス発生回路54から出力されるクロック
信号CLKに同期して、第3図(a)で示すような幅狭の
パルスLPが成形回路55において形成されレーザ駆動回路
11に印加されるようになされている。
は、再生時にパルス発生回路54から出力されるクロック
信号CLKに同期して、第3図(a)で示すような幅狭の
パルスLPが成形回路55において形成されレーザ駆動回路
11に印加されるようになされている。
そして、このパルスLPによっレーザダイオード12が断
続して発光するように制御される。
続して発光するように制御される。
このパルスLPのパルス幅は、例えばクロック周期がt0
(100ns)であれば、その1/5〜1/20にすると約20ns〜5n
sに設定されている。したがって、このようなパルスLP
によって変調されたレーザ光の平均パワーP avはきわめ
て小さくなり、例えばパルスLPのデューティが10%の場
合は、そのピーク値パワーが10mwであっても平均値パワ
ーは1mwに抑圧することができる。
(100ns)であれば、その1/5〜1/20にすると約20ns〜5n
sに設定されている。したがって、このようなパルスLP
によって変調されたレーザ光の平均パワーP avはきわめ
て小さくなり、例えばパルスLPのデューティが10%の場
合は、そのピーク値パワーが10mwであっても平均値パワ
ーは1mwに抑圧することができる。
そして、この断続変調レーザパワーがディスク面から
反射され、前述したようにカー(Kerr)効果によって偏
波面が回転している反射光からデータに対応する検出信
号をフォトディテクタ14A,14Bによって検出すると、信
号波形Sa,及びSbが出力され、Sa-Sbの減算を行うことに
よって検出信号SDが得られる。
反射され、前述したようにカー(Kerr)効果によって偏
波面が回転している反射光からデータに対応する検出信
号をフォトディテクタ14A,14Bによって検出すると、信
号波形Sa,及びSbが出力され、Sa-Sbの減算を行うことに
よって検出信号SDが得られる。
この検出信号SDはサンプリングクランプ回路42にお
いて、各サンプル毎にホールドされ、データ領域WAの再
生データとしてマルチプレクサ43に入力され、ピット領
域BAの信号と共に、A/D変換されて復調回路に入力され
る。
いて、各サンプル毎にホールドされ、データ領域WAの再
生データとしてマルチプレクサ43に入力され、ピット領
域BAの信号と共に、A/D変換されて復調回路に入力され
る。
半導体からなるレーザダイオード12は数100MHz〜数GH
zのパルスに応答してレーザ光を断続発光させることは
容易であるから、光磁気ディスク1に記録されているき
わめて高密度のサンプルデータに適格に照射し、データ
に対応した反射光を検出することは困難ではない。
zのパルスに応答してレーザ光を断続発光させることは
容易であるから、光磁気ディスク1に記録されているき
わめて高密度のサンプルデータに適格に照射し、データ
に対応した反射光を検出することは困難ではない。
また、記録データがアナログ情報の場合も、レーザ光の
断続周期t0がその最高周波数の2倍以上であれば、信号
の劣化を招くことなく検出できることはいうまでもな
い。
断続周期t0がその最高周波数の2倍以上であれば、信号
の劣化を招くことなく検出できることはいうまでもな
い。
そして、例えばSA、SBとも信号のピーク値はピーク
パワーが10mWであれば、先に述べたように従来の1mWの1
0倍の値が得られるためこのピーク値をP波のエンハン
ス技術を併用することによって、1/10とし、1mWのピー
ク値と等しくすることで同相成分のノイズが減少し、か
つθKがエンハンスされることにより再生データのC/Nを
さらに向上させることができるようになる。
パワーが10mWであれば、先に述べたように従来の1mWの1
0倍の値が得られるためこのピーク値をP波のエンハン
ス技術を併用することによって、1/10とし、1mWのピー
ク値と等しくすることで同相成分のノイズが減少し、か
つθKがエンハンスされることにより再生データのC/Nを
さらに向上させることができるようになる。
以上説明したように、本発明の光磁気ディスクの再生
方法は、ディスクに照射するレーザ光を少なくともクロ
ック信号のタイミング周期以上で断続制御し、かつ、そ
の照射時間を非照射時間より短くなるように設定するこ
とによって、磁化膜の温度上昇を阻止しながら照射パワ
ーのピーク値が大きくなるようにしているので、再生検
出データのC/Nを従来よりも高くすることができるとい
う効果がある。
方法は、ディスクに照射するレーザ光を少なくともクロ
ック信号のタイミング周期以上で断続制御し、かつ、そ
の照射時間を非照射時間より短くなるように設定するこ
とによって、磁化膜の温度上昇を阻止しながら照射パワ
ーのピーク値が大きくなるようにしているので、再生検
出データのC/Nを従来よりも高くすることができるとい
う効果がある。
そのため、再生検出データの品質が向上し、誤りデー
タの発生を少なくすることができる。
タの発生を少なくすることができる。
第1図は光磁気ディスクの平面図と,トラックの拡大
図、 第2図は本発明の光磁気ディスクの再生方法が採用でき
る装置の全体のブロック図、 第3図は照射ビームと検出信号の波形図、 第4図は光磁気ディスクの概要を示す説明図、 第5図は記録データの検出系の概要図、 第6図は偏波面の回転を検出するための説明図、 第7図はC/Nとレーザパワーの関係を示すデータ図であ
る。 図中、10は光学ピックアップ、11はレーザ駆動回路、12
はレーザダイオード、13は光学系、14A,14B,はフォトデ
ィテクタ、54はパルス発生回路を示す。
図、 第2図は本発明の光磁気ディスクの再生方法が採用でき
る装置の全体のブロック図、 第3図は照射ビームと検出信号の波形図、 第4図は光磁気ディスクの概要を示す説明図、 第5図は記録データの検出系の概要図、 第6図は偏波面の回転を検出するための説明図、 第7図はC/Nとレーザパワーの関係を示すデータ図であ
る。 図中、10は光学ピックアップ、11はレーザ駆動回路、12
はレーザダイオード、13は光学系、14A,14B,はフォトデ
ィテクタ、54はパルス発生回路を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】レーザ光を照射することによって磁化膜に
所定データが記録された光磁気ディスクを再生する方法
として、 上記光磁気ディスクに照射するレーザ光のレーザパワー
のピーク値が、再生のために上記光磁気ディスクの磁化
膜に対して設定された平均パワーレベルより高くなるよ
うに設定すると共に、上記レーザ光を所定のサンプリン
グ周期を有するパルス信号によって変調し、 かつ、変調された上記レーザ光のレーザパワーが上記再
生のための平均パワーレベルを超えないように上記パル
ス信号のデューティ比を設定して上記光磁気ディスクの
磁化膜に記録された上記所定のデータを再生することを
特徴とする光磁気ディスク再生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62003398A JP2650249B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 光磁気ディスク再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62003398A JP2650249B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 光磁気ディスク再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63173252A JPS63173252A (ja) | 1988-07-16 |
JP2650249B2 true JP2650249B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=11556259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62003398A Expired - Fee Related JP2650249B2 (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 光磁気ディスク再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2650249B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2687350B2 (ja) * | 1987-05-28 | 1997-12-08 | ソニー株式会社 | 光磁気ディスク再生装置 |
JP3048945B2 (ja) | 1996-05-24 | 2000-06-05 | 三洋電機株式会社 | 情報記録再生装置 |
KR100236004B1 (ko) | 1997-10-31 | 2000-01-15 | 구자홍 | 광자기 기록매체로부터 기록정보를 재생하는 장치및 방법 |
KR100257188B1 (ko) * | 1997-11-10 | 2000-05-15 | 구자홍 | 광자기 기록매체로부터 기록정보를 재생하는 장치및 방법 |
KR100239468B1 (ko) * | 1997-11-14 | 2000-01-15 | 구자홍 | 광자기 기록매체로부터 기록 정보를 재생하는 방법 및 장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60107740A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Sony Corp | 光学式デイスク再生装置 |
-
1987
- 1987-01-12 JP JP62003398A patent/JP2650249B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60107740A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Sony Corp | 光学式デイスク再生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63173252A (ja) | 1988-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |