JP2647194B2 - 半導体用パッケージの封止方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、接着剤を介在させてパッケージ本体にリッ
ドを接着することにより、半導体チップをパッケージ本
体内に封入する半導体用パッケージの封止方法に関する
ものである。
ドを接着することにより、半導体チップをパッケージ本
体内に封入する半導体用パッケージの封止方法に関する
ものである。
〔従来の技術〕 半導体パッケージは、一般に矩形のパッケージ本体と
矩形のリッドとで構成されている。従来の半導体用パッ
ケージでは、矩形に形成されたパッケージ本体の接着部
であるメタライズ部に、接着剤である封止用はんだを介
在させた後、全体を加熱しながらリッドを押圧して接着
し、パッケージ本体の封止を行うようにしている。
矩形のリッドとで構成されている。従来の半導体用パッ
ケージでは、矩形に形成されたパッケージ本体の接着部
であるメタライズ部に、接着剤である封止用はんだを介
在させた後、全体を加熱しながらリッドを押圧して接着
し、パッケージ本体の封止を行うようにしている。
ところで、半導体チップの表面は、外気の温度や埃等
に敏感であるため、半導体チップを外気から遮断して不
活性化を図るべくパッケージ内に封入する技術が要求さ
れる。
に敏感であるため、半導体チップを外気から遮断して不
活性化を図るべくパッケージ内に封入する技術が要求さ
れる。
しかるに、メタライズ部に対し単にリッドを加熱しな
がら押圧する従来の方法では、メタライズ部とリッドの
重なり合った封止部分であるリークパス内にボイド(気
泡)が残り易く、内部の封入ガスが漏れるリーク不良が
発生しがちであった。
がら押圧する従来の方法では、メタライズ部とリッドの
重なり合った封止部分であるリークパス内にボイド(気
泡)が残り易く、内部の封入ガスが漏れるリーク不良が
発生しがちであった。
ところで、リークパスは接着剤の余分なはみ出し等を
考えた場合なるべく短くした方が良いし、近年のLN(Lo
w Noise)FETを実装する小型パッケージ等では、パッ
ケージの小型化が進みそれに伴いリークパスが短くなり
つつある。したがって、益々リーク不良が発生しがちで
あり、歩留まり悪化させる原因として大きな問題となっ
ていた。
考えた場合なるべく短くした方が良いし、近年のLN(Lo
w Noise)FETを実装する小型パッケージ等では、パッ
ケージの小型化が進みそれに伴いリークパスが短くなり
つつある。したがって、益々リーク不良が発生しがちで
あり、歩留まり悪化させる原因として大きな問題となっ
ていた。
本発明は、パッケージ本体及びリッドに接着剤を馴染
ませることにより、リーク不良を低減する半導体用パッ
ケージの封止方法を提供することをその目的とする。
ませることにより、リーク不良を低減する半導体用パッ
ケージの封止方法を提供することをその目的とする。
上記目的を達成すべく、請求項1の発明は、半導体チ
ップを収容するパッケージ本体をリッドで封止する半導
体用パッケージの封止方法において、パッケージ本体に
環状の接着部を形成し、接着剤を介在させた当該接着部
に対し、リッドを押圧しながら同心円上に回動させて接
着することをようにした。
ップを収容するパッケージ本体をリッドで封止する半導
体用パッケージの封止方法において、パッケージ本体に
環状の接着部を形成し、接着剤を介在させた当該接着部
に対し、リッドを押圧しながら同心円上に回動させて接
着することをようにした。
本発明によれば、接着部に対しリッドを押圧しながら
同心円上に回動させて接着することにより、接着部やリ
ッドに対し接着剤の馴染みがよくなりボイドの発生を防
止することができる。
同心円上に回動させて接着することにより、接着部やリ
ッドに対し接着剤の馴染みがよくなりボイドの発生を防
止することができる。
第1図及び第2図を参照して、本発明を小型セラミッ
クパッケージに適用した場合について説明する。
クパッケージに適用した場合について説明する。
パッケージ1は半導体チップCを収容するパッケージ
本体2と、半導体チップCをパッケージ本体2内に封入
するリッド3とから構成されている。
本体2と、半導体チップCをパッケージ本体2内に封入
するリッド3とから構成されている。
パッケージ本体2には、複数のリードフレーム4が両
側に振分けて設けられており、各リードフレーム4のイ
ンナーリード4aの先端と、半導体チップCの各ボンディ
ングパッドCaとの間は、Au等のワイヤ5によりワイヤボ
ンディングされている。
側に振分けて設けられており、各リードフレーム4のイ
ンナーリード4aの先端と、半導体チップCの各ボンディ
ングパッドCaとの間は、Au等のワイヤ5によりワイヤボ
ンディングされている。
また、第3図に示すようにパッケージ本体2の上縁2a
には、リッド3との接着部であるメタライズ部2aが形成
されており、パッケージ本体2の封止を行う場合には、
このメタライズ部2aの上に、シール状の共晶合金等で構
成した接着剤(封止用はんだ)6を載せ、全体を加熱し
ながらリッド3をメタライズ部2aに押圧して接着する。
には、リッド3との接着部であるメタライズ部2aが形成
されており、パッケージ本体2の封止を行う場合には、
このメタライズ部2aの上に、シール状の共晶合金等で構
成した接着剤(封止用はんだ)6を載せ、全体を加熱し
ながらリッド3をメタライズ部2aに押圧して接着する。
このメタライズ部2aと接着剤6とは、同形状であって
環状に形成される。また、接着剤6は、加熱圧着により
メタライズ部2aとリッド3との間で溶融して、共晶結合
による環状のリークパスRを構成する。
環状に形成される。また、接着剤6は、加熱圧着により
メタライズ部2aとリッド3との間で溶融して、共晶結合
による環状のリークパスRを構成する。
リッド3の外径寸法は、パッケージ本体2の外形寸法
より幾分小さく形成され、溶融した接着剤6が外部に垂
れ落ちたり、パッケージ本体2の側面に凸部を形成する
ことがないようにしている。
より幾分小さく形成され、溶融した接着剤6が外部に垂
れ落ちたり、パッケージ本体2の側面に凸部を形成する
ことがないようにしている。
次に、第4図を参照してパッケージ封止装置について
説明する。
説明する。
パッケージ封止装置7は、発熱体で構成されたコレッ
ト8及びベース9とを備え、コレット8でリッド3を真
空吸着すると共に、ベース9でパッケージ本体2を保持
する。そして、リッド3の位置合せを行った後、コレッ
ト8及びベース9によりパッケージ本体2及びリッド3
を300℃に加熱し、窒素ガスの雰囲気中において、接着
剤6をセットしたパッケージ本体2に対しリッド3を押
圧しながら回動させて接着を行う。この回動は、リッド
3をメタライズ部2aと同心円上に回転角度30度で2往復
するものである。
ト8及びベース9とを備え、コレット8でリッド3を真
空吸着すると共に、ベース9でパッケージ本体2を保持
する。そして、リッド3の位置合せを行った後、コレッ
ト8及びベース9によりパッケージ本体2及びリッド3
を300℃に加熱し、窒素ガスの雰囲気中において、接着
剤6をセットしたパッケージ本体2に対しリッド3を押
圧しながら回動させて接着を行う。この回動は、リッド
3をメタライズ部2aと同心円上に回転角度30度で2往復
するものである。
以上のように、メタライズ部2aを環状に形成して、接
着の際にリッド3を回動させることにより、メタライズ
部2a及びリッド3の接着部3aと接着剤6との馴染みが良
くなり、ボイド(気泡)をリークパスRから追い出すこ
とができる。
着の際にリッド3を回動させることにより、メタライズ
部2a及びリッド3の接着部3aと接着剤6との馴染みが良
くなり、ボイド(気泡)をリークパスRから追い出すこ
とができる。
尚、本実施例では、パッケージ本体2の外形寸法を1.
5mm×1.5mmとし、メタライズ部2aの外形を1.3mm、内径
を1.1mmとした。また、接着剤6には、Au/Sn共晶合金の
プリフォームの(厚さ30μm)を用いた。
5mm×1.5mmとし、メタライズ部2aの外形を1.3mm、内径
を1.1mmとした。また、接着剤6には、Au/Sn共晶合金の
プリフォームの(厚さ30μm)を用いた。
以上のように請求項1の発明によれば、ボイドの発生
を防止して封止性を向上することができるため、リーク
不良を低減でき、或いはリークパスを短くでき、パッケ
ージの小型化が進んでも歩留まりを向上できる効果を有
する。
を防止して封止性を向上することができるため、リーク
不良を低減でき、或いはリークパスを短くでき、パッケ
ージの小型化が進んでも歩留まりを向上できる効果を有
する。
第1図は本発明の実施例である半導体用パッケージの裁
断側面図、第2図はリッド接着前の半導体の平面図、第
3図は封止部回りの拡大断面図、第4図はパッケージ封
止装置の部分裁断側面図である。 1……パッケージ、2……パッケージ本体、2a……メタ
ライズ部、3……リッド、6……接着剤、7……パッケ
ージ封止装置、8……コレット、C……半導体チップ。
断側面図、第2図はリッド接着前の半導体の平面図、第
3図は封止部回りの拡大断面図、第4図はパッケージ封
止装置の部分裁断側面図である。 1……パッケージ、2……パッケージ本体、2a……メタ
ライズ部、3……リッド、6……接着剤、7……パッケ
ージ封止装置、8……コレット、C……半導体チップ。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体チップを収容するパッケージ本体を
リッドで封止する半導体用パッケージの封止方法におい
て、 前記パッケージ本体に環状の接着部を形成し、接着剤を
介在させた当該接着部に対し、前記リッドを押圧しなが
ら同心円上に回動させて接着することを特徴とする半導
体用パッケージの封止方法。
Priority Applications (6)
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JP1096811A JP2647194B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体用パッケージの封止方法 |
US07/505,591 US5064782A (en) | 1989-04-17 | 1990-04-06 | Method of adhesively and hermetically sealing a semiconductor package lid by scrubbing |
AU53103/90A AU637092B2 (en) | 1989-04-17 | 1990-04-10 | A sealing method for a semiconductor device package |
CA002014311A CA2014311C (en) | 1989-04-17 | 1990-04-10 | Semiconductor device package and sealing method therefore |
DE69023531T DE69023531T2 (de) | 1989-04-17 | 1990-04-12 | Packung für Halbleiteranordnung und Dichtungsverfahren dafür. |
EP90107037A EP0392539B1 (en) | 1989-04-17 | 1990-04-12 | Semiconductor device package and sealing method therefore |
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JP1096811A JP2647194B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体用パッケージの封止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02273958A JPH02273958A (ja) | 1990-11-08 |
JP2647194B2 true JP2647194B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=14174984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP1096811A Expired - Fee Related JP2647194B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体用パッケージの封止方法 |
Country Status (6)
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---|---|
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EP (1) | EP0392539B1 (ja) |
JP (1) | JP2647194B2 (ja) |
AU (1) | AU637092B2 (ja) |
CA (1) | CA2014311C (ja) |
DE (1) | DE69023531T2 (ja) |
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US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
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